FR2498817A1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
FR2498817A1
FR2498817A1 FR8200992A FR8200992A FR2498817A1 FR 2498817 A1 FR2498817 A1 FR 2498817A1 FR 8200992 A FR8200992 A FR 8200992A FR 8200992 A FR8200992 A FR 8200992A FR 2498817 A1 FR2498817 A1 FR 2498817A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
alcohol
metal
group
alkoxide
proportion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8200992A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2498817B1 (fr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Solarex Corp
Original Assignee
Solarex Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Solarex Corp filed Critical Solarex Corp
Publication of FR2498817A1 publication Critical patent/FR2498817A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2498817B1 publication Critical patent/FR2498817B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/32—Radiation-absorbing paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216—Metal oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1295—Process of deposition of the inorganic material with after-treatment of the deposited inorganic material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S70/00—Details of absorbing elements
    • F24S70/30—Auxiliary coatings, e.g. anti-reflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

PROCEDE POUR APPLIQUER UN REVETEMENT ANTI-REFLECHISSANT ET UNE GRILLE A LA SURFACE D'UNE CELLULE SOLAIRE, LADITE SURFACE ETANT CONCUE POUR ABSORBER LA LUMIERE INCIDENTE SUR ELLE. IL CONSISTE A: A.PLACER UN POCHOIR SUR LADITE SURFACE DE LA CELLULE SOLAIRE, LEDIT POCHOIR POSSEDANT UNE STRUCTURE DANS LAQUELLE LA ZONE A REVETIR EST OUVERTE; B.APPLIQUER UNE PATE D'ALCOOLATE METALLIQUE AUDIT POCHOIR; C.CHAUFFER LADITE CELLULE REVETUE A UNE TEMPERATURE COMPRISE ENTRE ENVIRON 300C ET ENVIRON 550C POUR DECOMPOSER L'ALCOOLATE ET FORMER L'OXYDE METALLIQUE ET, D.PLAQUER LES ZONES CLAIRES DE LA SURFACE DE LA CELLULE A L'AIDE D'UN COMPOSE DE NICKEL POUR FORMER LA GRILLE METALLIQUE.

Description

La présente invention concerne de façon générale le domaine des cellules solaires et plus particulièrement les revêtements anti-réfléchissants pour de telles cellules ainsi qu'un procédé pour appliquer de tels revêtements.
Dans un dispositif semiconducteur, une plaquette de silicium préalablement dopée à l'aide d'une impureté pour adopter une polarité spécifique est soumise à une impureté de polarité opposée de façon à former une jonction électrique. A titre d'exemple particulier, si la plaquette de silicium a été préalablement dopée à l'aide de bore établissant ainsi une polarité de type p, une diffusion ultérieure de phosphore confère à la plaquette une jonction p-n à proximité d'une surface.
Une jonction ayant été établie, l'énergie rayonnante, habituellement sous la forme de lumière frappant la surface, est rapidement absorbée à mesure qu'elle pénètre dans le matériau semiconducteur engendrant des électrons libres et des trous en paires.
Les porteurs minotaires des paires électron-trou, dans la zone où ils sont engendrés, soit se recombinent avec les porteurs majoritaires soit croisent la jonction p-n. Les porteurs minoritaires qui croisent la jonction p-n amènent le corps de la cellule à devenir polarisé, les électrons passant dans la région de type n et les trous dans la région de type p. Cette polarisation provoque la génération d'un courant électrique utile qui circule lorsque les deux régions sont reliées extérieurement par un conducteur électrique.
Le rendement, c'est-à-dire le rapport puissance de sortie/puissance d'entrée d'une cellule solaire est directement fonction de la quantité de lumière utile (lumière engendrant des porteurs) qui est absorbée par la cellule solaire. Le rendement de la cellule solaire est limité du fait qu'une partie de la lumière, à la fois utile et inutile, frappant la surface supérieure de la cellule est réfléchie. Pour réduire cette réflexion on dispose un revêtement anti-réfléchissant sur la surface de la cellule solaire à travers laquelle la lumière pénètre dans la cellule. Un revêtement antiréfléchissant de fonctionnement correct doit réduire la réflexion de la lumière utile et ne doit pas absorber la lumière utile, mais doit permettre à la lumière d'atteindre la cellule sousjacente.L'utilisation d'un matériau anti-réfléchissant particulier dépend par conséquent de l'indice de réflexion de la cellule solaire sousjacente ainsi que des longueurs d'ondes de bande d'absorption pour cette cellule solaire.
Les procédés de l'art antérieur pour appliquer des revêtements anti-réfléchissants comprennent : l'évaporation du métal au moyen d'un faisceau d'électrons, puis l'oxydation thermique ou anodique du métal se trouvant sur le silicium en son oxyde ; l'évaporation de l'oxyde métallique directement sur la surface de la cellule solaire ; et l'évaporation par faisceau d'électrons de mélanges du métal et de son oxyde. Ces procédés ne sont pas satisfaisants pour de nombreuses raisons et notamment l'exigence d'un équipement coûteux et compliqué, tel que le vide poussé, pour l'évaporation des métaux et/ou de leurs oxydes, et la difficulté de contrôler l'épaisseur du revêtement anti-réfléchissant déposé sur la cellule.Une autre difficulté rencontrée dans les procédés de l'art antérieur est que certains revêtements anti-réfléchissants peuvent devoir être retirés pour permettre d'appliquer des contacts métalliques (grille).
Dans le cadre de la présente invention, on a mis en oeuvre un moyen pour déposer un revêtement anti-réfléchissant, qui ne nécessite pas d'équipement sophistiqué et qui ne nécessite pas l'enlèvement du revêtement pour déposer des contacts métalliques (grille) sur ladite cellule.
Dans le procédé de la présente invention, une pâte de sel organique métallique est imprimée par sérigraphie sur la surface de la cellule et le sel métallique organique est converti en son oxyde par traitement thermique. Après enlèvement du pochoir, la surface de la cellule, sous la partie pleine du pochoir, est exempte de revêtement et ainsi on peut ajouter un contact métallique.
Les sels organiques métalliques normalement utilisés sont les alcoolates, tels que le méthylate, l'éthylate, le n-propylate, l'isopropylate, le butylate et le pentylate. La limitation en ce qui concerne la longueur de la chaîne de l'alcoolate est liée à sa facilité de production et de décomposition. Aux températures utilisées dans l'étape de traitement thermique, les produits de combustion de la fraction alcoolate sont principalement l'eau et le gaz carbonique. Les arylates ne sont pas normalement utilisés du fait de la difficulté d'obtenir une décomposition complète comme dans le cas des alcoolates.
Le métal utilisé dans ce procédé est choisi dans le groupe constitué par le tantale, le niobium, le titane, le tellure, le zirconium et l'yttrium, ainsi que les combinaisons de ces métaux.
Les caractéristiques du revêtement obtenu, telles que l'indice de réfraction, la constante diélectrique, la dureté, la porosité, l'absorption de lumière, la stabilité chimique et d'autre propriétés chimiques, physiques, électroniques et optiques peuvent être choisies par le choix approprié de la préparation d'alcoolate pour la cellule particulière à revêtir.
L'épaisseur du revêtement obtenu est facilement déterminé < par la quantité de pâte d'alcoolate utilisée et est de préférence d'environ un quart de la longueur d'onde l'énergie lumineuse possédant une longueur d'onde comprise entre environ 0,5 et environ 0,75 micron. L'épaisseur réelle du revêtement obtenu peut être déterminé par les différents instruments connus qui sont disponibles à cet usage.
Pour la préparation de la pâte organique métallique on mélange un agent épaississant ou de suspension tel que l'ethylcel- lulose et la méthylcellulose avec un liquide compatible de façon a former une pâte. Le liquide qui agit en tant que solvant pour l'alcoolate le plus couramment utilisé est un alcool aliphatique possédant au moins six atomes de carbone tel que le 2-éthylhexanol1, ou un terpène tel que l'a-terpineol. D'autres alcools liquides connus tels que l'alcool de benzyle et d'autres alcools aromatiques, terpènes et agents épaississants ou de suspension peuvent être utilisés.
A cette pâte on ajoute soit un alcoolate métallique, soit un mélange de chlorure métallique et d'alcool. En aucun cas on ne doit remplacer tous les halogènes du métal par un groupe alcool. En fonction du métal choisi, lorsque l'on ajoute le métal et l'alcool en mélange, il se produit soit une réaction entre les deux composants, soit un complexe des deux composants, soit éventuellement les deux. La proportion de l'halogénure métallique par rapport à l'alcool dans un mélange des deux composants ou dans un alcoolate est dans un rapport d'environ 1/1 à environ 1/3, avec un rapport préféré de 1/2.
La proportion préférée de l'agent épaississant par rapport à l'alcool utilisé pour former une pâte acceptable est comprise entre environ 2/1 et environ 1/20. La proportion préférée de pâte par rapport à l'alcoolate métallique ou le mélange est comprise entre environ 10/1 et environ 50/1.
A titre d'exemple particulier de mise en oeuvre de l'invention on prépare une pâte à partir d'une partie d'éthylcellulose et de 1,5 partie d'a-terpineol. A 20 parties de la pâte résultantè, on ajoute une partie d'un mélange de une partie de chlorure de niobium (NbC15) et de 2 parties d'éthanol. La pâte résultante sensiblement homogène est ensuite étalée sur un pochoir qui a été placé sur la surface d'impact de lumière de la cellule. Le pochoir est ouvert à l'exception des zones destinées à former la grille.
L'épaisseur du pochoir est déterminée de façon à permettre à une quantité suffisante de pâte d'être ajoutée à l'espace ouvert du pochoir pour laisser un revêtement, après traitement thermique, d'environ un quart de la longueur d'onde. Cette épaisseur est aisément déterminable par des procédés connus.
Après application de la pâte à la cellule le pochoir est enlevé et la cellule est chauffée à une température comprise entre environ 4000C et environ 550 0C pendant approximativement 1 à 10 minutes. Après traitement thermique, la cellule est plaquée à l'aide d'une solution de placage standard de nickel formant ainsi la structure de grille.
Ce processus a été répété en utilisant un mélange d'une partie d'éthylcellulose et de 1,5 partie de 2-ethylhexanol-1 comme composants de la pâte, et, soit un mélange dans une proportion de 1 à 3 de chlorure de tantale-éthanol, soit de l'éthylate de titane. La proportion de la pâte par rapport au mélange métal-alcool est de 15/1 et la proportion de pâte par rapport à l'éthylate de tantale est de 25/1. Dans les deux cas, l'épaisseur du revêtement résultant d'oxyde est comprise entre environ 0,5 et environ 0,75 micron.
Dans un mode de mise en oeuvre de l'invention, le pochoir peut être retiré après traitement thermique de la cellule. Dans ce mode de réalisation, le matériau du pochoir est choisi de façon à être susceptible de résister à la chaleur dans une plage comprise entre environ 3000C et environ 550 0C. On connaît des matériaux de cette nature. Il est cependant préférable de retirer le pochoir avant le traitement thermique.
Les références aux parties et proportions dans la présente demande sont exprimées en poids ou basées sur des parties en poids.
Bien que l'invention ait été décrite en liaison avec des modes de mise en oeuvre préférés, il est bien évident qu'elle n'y est nullement limitée et qu'on peut lui apporter de nombreuses variantes et modifications sans pour autant sortir ni de son cadre ni de son esprit.

Claims (13)

REVENDICATIONS I
1. Procédé pour appliquer un revêtement anti-réfléchissant et une grille à la surface d'une cellule solaire, ladite surface étant conçue pour absorber la lumière incidente sur elle, caractérisé par le fait qu'il consiste à
a/ placer un pochoir sur ladite surface de la cellule solaire, ledit pochoir possédant une structure dans laquelle la zone à revêtir est ouverte,
b/ appliquer une pâte d'alcoolate métallique audit pochoir,
c/ chauffer ladite cellule revêtue à une température comprise entre environ 3000C et environ 5500C pour décomposer l'alcoolate et former l'oxyde métallique, et
d/ plaquer les zones claires de la surface de la cellule à l'aide d'un composé de nickel pour former la grille métallique.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite pâte comprend
a/ un agent épaississant ou de suspension,
un unalcool liquide choisi dans le groupe comprenant un alcool aliphatique possédant au moins six atomes de carbone, les terpènes et les alcools aromatiques,
c/ un alcoolate métallique dont le métal est choisi dans le groupe comprenant le tantale, le titane, le niobium, l'yttrium, le zirconium, le tellure ou leurs mélanges.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que la proportion de l'agent épaississant par rapport à l'alcool est comprise entre environ 2/1 et environ 1/20 et la proportion de la pâte, c'est-a-dire le mélange agent épaississant-alcool, par rapport a l'alcoolate métallique est comprise entre environ 10/1 et environ 50/1.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait que l'alcoolate est choisi dans le groupe comprenant le méthy late,l'éthylate, le n-propylate, l'isopropylate, le butylate et le pentylate.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé par le fait que l'agent épaississant est choisi dans le groupe comprenant la méthylcellulose et l'éthylcellulose.
6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé par le fait que l'alcool est choisi dans le groupe comprenant le 2-éthylhexanol-l et l'a-terpineol.
7. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que l'alcoolate métallique est un mélange de chlorure métal lique et d'un alcool, la proportion du chlorure métallique par rapport à l'alcool étant comprise entre environ 1/1 et environ 1/3.
8. Composition appropriée à l'application par sérigraphie d'un revêtement anti-réfléchissant sur la surface d'impact de lumière d'une cellule solaire, caractérisée par le fait qu'elle comprend
a/ un agent épaississant ou de suspension,
un unalcool liquide choisi dans le groupe comprenant un alcool aliphatique possédant au moins six atomes de carbone, les terpènes et les alcools aromatiques, et
un unalcoolate métallique dont le métal est choisi dans le groupe comprenant le tantale, le titane, le niobium, l'yttrium, le zirconium, le tellure ou leurs mélanges.
9. Composition selon la revendication 8, caractérisée par le fait que la proportion de l'agent épaississant par rapport à l'alcool est comprise entre environ 2/1 et environ 20/1 et la proportion de la pâte, c'est-à-dire du mélange agent épaississantalcool, par rapport à l'alcoolate métallique est compris entre environ 10/1 et environ 50/1.
10. Composition selon la revendication 9, caractérisée par le fait que l'alcoolate est choisi dans le groupe comprenant le méthylate, l'éthylate, le n-propylate, l'isopropylate, le butylate et le pentylate.
11. Composition selon la revendication 10, caractérisée par le fait que l'agent epaississant est choisi dans le groupe comprenant la méthylcellulose et l'éthylcellulose.
12. Composition selon la revendication 11, caractérisée par le fait que l'alcool est choisi dans le groupe comprenant le 2éthylhexanol-l et l'a-terpineol.
13. Composition selon la revendication 8, caractérisée par le fait que l'alcoolate métallique est un mélange de chlorure métal lique et d'un alcool, la proportion du chlorure métallique par rapport à l'alcool étant comprise entre environ 1/1 et environ 1/3.
FR8200992A 1981-01-23 1982-01-22 Expired FR2498817B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/227,929 US4328260A (en) 1981-01-23 1981-01-23 Method for applying antireflective coating on solar cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2498817A1 true FR2498817A1 (fr) 1982-07-30
FR2498817B1 FR2498817B1 (fr) 1984-11-30

Family

ID=22855027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8200992A Expired FR2498817B1 (fr) 1981-01-23 1982-01-22

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4328260A (fr)
BE (1) BE891871A (fr)
CH (1) CH646013A5 (fr)
DE (1) DE3201188A1 (fr)
ES (1) ES8302320A1 (fr)
FR (1) FR2498817B1 (fr)
GB (1) GB2091940B (fr)
IT (1) IT1195910B (fr)
NL (1) NL8200237A (fr)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0182767A2 (fr) * 1984-11-21 1986-05-28 The Regents Of The University Of Minnesota Revêtement anticorrosion à base d'oxyde de tantale pentavalent
FR2624405A1 (fr) * 1987-12-09 1989-06-16 Central Glass Co Ltd Procede de formation d'un film imprime sur la face d'un substrat en utilisant un sol d'un alcoolate d'un metal
EP0460726A1 (fr) * 1990-06-04 1991-12-11 General Motors Corporation Formation de films minces de tantalate niobate de potassium par dépôt à partir d'un composé organométallique

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4411703A (en) * 1981-01-23 1983-10-25 Solarex Corporation Composition for applying antireflective coating on solar cell
US4496398A (en) * 1982-01-20 1985-01-29 Solarex Corporation Antireflective coating composition
JPS60140880A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
FR2759360B1 (fr) 1997-02-10 1999-03-05 Commissariat Energie Atomique Materiau polymerique inorganique a base d'oxyde de tantale notamment a indice de refraction eleve, mecaniquement resistant a l'abrasion, son procede de fabrication et materiau optique comprenant ce materiau
FR2759464B1 (fr) 1997-02-10 1999-03-05 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un materiau optique multicouches avec reticulation-densification par insolation aux rayons ultraviolets et materiau optique ainsi prepare
KR101528382B1 (ko) 2007-10-17 2015-06-12 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 단면 후면 컨택 태양 전지용 유전성 코팅물
US20090283145A1 (en) * 2008-05-13 2009-11-19 Kim Yun-Gi Semiconductor Solar Cells Having Front Surface Electrodes
TW201408675A (zh) * 2012-07-19 2014-03-01 Hitachi Chemical Co Ltd 鈍化層形成用組成物、帶有鈍化層的半導體基板、帶有鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法及太陽電池
CN104488089A (zh) * 2012-07-19 2015-04-01 日立化成株式会社 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池
WO2014014108A1 (fr) * 2012-07-19 2014-01-23 日立化成株式会社 Composition formant une couche de passivation, substrat semi-conducteur ayant une couche de passivation, procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur ayant une couche de passivation, élément de cellule solaire, procédé de fabrication d'un élément de cellule solaire, et cellule solaire

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2241880A1 (fr) * 1973-08-22 1975-03-21 Communications Satellite Corp
US3949463A (en) * 1973-02-13 1976-04-13 Communications Satellite Corporation (Comsat) Method of applying an anti-reflective coating to a solar cell
US4241108A (en) * 1978-10-10 1980-12-23 Rca Corporation Sprayable titanium composition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3949463A (en) * 1973-02-13 1976-04-13 Communications Satellite Corporation (Comsat) Method of applying an anti-reflective coating to a solar cell
FR2241880A1 (fr) * 1973-08-22 1975-03-21 Communications Satellite Corp
US4241108A (en) * 1978-10-10 1980-12-23 Rca Corporation Sprayable titanium composition

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0182767A2 (fr) * 1984-11-21 1986-05-28 The Regents Of The University Of Minnesota Revêtement anticorrosion à base d'oxyde de tantale pentavalent
EP0182767A3 (en) * 1984-11-21 1987-06-16 Regents Of The University Of Minnesota Corrosion resistant tantalum pentaoxide coatings
FR2624405A1 (fr) * 1987-12-09 1989-06-16 Central Glass Co Ltd Procede de formation d'un film imprime sur la face d'un substrat en utilisant un sol d'un alcoolate d'un metal
EP0460726A1 (fr) * 1990-06-04 1991-12-11 General Motors Corporation Formation de films minces de tantalate niobate de potassium par dépôt à partir d'un composé organométallique

Also Published As

Publication number Publication date
DE3201188A1 (de) 1982-08-26
GB2091940B (en) 1985-02-20
IT1195910B (it) 1988-11-03
ES508990A0 (es) 1982-12-16
IT8219260A0 (it) 1982-01-22
ES8302320A1 (es) 1982-12-16
BE891871A (fr) 1982-07-22
NL8200237A (nl) 1982-08-16
CH646013A5 (fr) 1984-10-31
GB2091940A (en) 1982-08-04
US4328260A (en) 1982-05-04
FR2498817B1 (fr) 1984-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2498817A1 (fr)
Dimova-Malinovska et al. Preparation of thin porous silicon layers by stain etching
US3949463A (en) Method of applying an anti-reflective coating to a solar cell
US4078945A (en) Anti-reflective coating for silicon solar cells
US4107723A (en) High bandgap window layer for GaAs solar cells and fabrication process therefor
JPH01503743A (ja) 窒化珪素被膜を有する太陽電池の製造方法
US4496398A (en) Antireflective coating composition
US4411703A (en) Composition for applying antireflective coating on solar cell
Shiao et al. Novel gold dendritic nanoflowers deposited on titanium nitride for photoelectrochemical cells
EP2652802A2 (fr) Procédé pour produire des cellules solaires en silicium présentant une face avant texturée et une surface arrière lisse
WO2004023567A2 (fr) Procede de fabrication de photopiles
Marrero et al. Effect of porous silicon stain etched on large area alkaline textured crystalline silicon solar cells
Kim et al. String ribbon silicon solar cells with 17.8% efficiency
Panek et al. Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells
LU83831A1 (fr) Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs semi-conducteurs ainsi obtenus
JP2005136081A (ja) 太陽電池の製造方法
Kang et al. The study of silane-free SiC x N y film for crystalline silicon solar cells
US20050072679A1 (en) Germanium and germanium alloy nanoparticle and method for producing the same
Wilson et al. Recent progress in thin-film solar cells
Tian et al. The aC: H/p-Si solar cell deposited by pulsed laser deposition
Wang et al. Depth Profile of Impurity Phase in Wide-Bandgap Cu (In 1− x, Ga x) Se 2 Film Fabricated by Three-Stage Process
US4459343A (en) Nonaqueous electrolyte photoelectrochemical cell
JPS5864070A (ja) フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池
Alaya et al. Effect of texturization on a-Si: H/c-Si hetero-junctions investigated by PCD and μW-PCD mapping of minority carrier’s lifetime
CN104953469B (zh) GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse