FR2490036A1 - INVERTER CIRCUIT WITH LOAD STORAGE - Google Patents
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Abstract
CIRCUIT ONDULEUR EVITANT UN COURT-CIRCUIT DE LA SOURCE D'ALIMENTATION EN COURANT CONTINU. IL COMPREND DEUX TRANSISTORS Q1, Q2 MONTES DE MANIERE A FAIRE CIRCULER ALTERNATIVEMENT LE COURANT D'UNE SOURCE D'ALIMENTATION 11, 12 DANS UNE CHARGE 21, LES TRANSISTORS EMMAGASINANT UNE CHARGE APPLIQUEE SUR LEURS ELECTRODES DE COMMANDE 27, 29, ET DES MOYENS 26, 28 POUR TRANSFERER UN COURANT DE RETOUR, RESULTANT DU BLOCAGE D'UN TRANSISTOR, A L'AUTRE TRANSISTOR, POUR QUE CET AUTRE TRANSISTOR SOIT RENDU CONDUCTEUR ET EMMAGASINE UNE CHARGE QUI LE MAINTIENT DANS CET ETAT PENDANT UNE CERTAINE PERIODE DE TEMPS. APPLICATION AUX LAMPES A DECHARGE.INVERTER CIRCUIT AVOIDING A SHORT-CIRCUIT OF THE DC POWER SUPPLY SOURCE. IT INCLUDES TWO TRANSISTORS Q1, Q2 MOUNTED SO AS TO ALTERNATIVELY CIRCULATE THE CURRENT OF A SUPPLY SOURCE 11, 12 IN A LOAD 21, THE TRANSISTORS STORING A LOAD APPLIED TO THEIR CONTROL ELECTRODES 27, 29, AND MEANS 26 , 28 TO TRANSFER A RETURN CURRENT, RESULTING FROM THE BLOCKING OF ONE TRANSISTOR, TO THE OTHER TRANSISTOR, SO THAT THIS OTHER TRANSISTOR IS MADE CONDUCTIVE AND STORES A LOAD WHICH KEEPS IT IN THIS STATE FOR A CERTAIN PERIOD OF TIME. APPLICATION TO DISCHARGE LAMPS.
Description
L'invention concerne les circuits onduleurs utilisant des transistorsThe invention relates to inverter circuits using transistors
comme commutateurs pour fournir une énergie de as switches to provide a power of
sortie alternative à partir d'une énergie d'entrée continue. alternative output from a continuous input energy.
L'un des circuits onduleurs le plus couramment utilisé comporte deux transistors, l'émetteur de l'un de ces transis- tors et le collecteur de l'autre étant raccordés pour former un point de jonction, le collecteur du premier et l'émetteur One of the most commonly used inverter circuits has two transistors, the transmitter of one of these transistors and the collector of the other being connected to form a junction point, the collector of the first and the emitter
du deuxième transistor étant respectivement raccordés aux bor- of the second transistor being respectively connected to the terminals
nes d'une source d'alimentation électrique en courant continu. from a DC power source.
Une charge (lampe, moteur, dispositif de chauffage par induc- A load (lamp, motor, induction heating device)
tion, ou autre) est raccordée entre le point de jonction et la source d'alimentation. Les transistors sont alternativement rendus conducteurs à une fréquence de répétition de l'ordre de 1 kHz ou plus, sous la dépendance de courants de commande or other) is connected between the junction point and the power source. The transistors are alternately made conductive at a repetition frequency of the order of 1 kHz or more, under the control currents
transférés alternativement sur leur électrode de base, un cou- alternatively transferred to their base electrode, a
rant alternatif traversant donc la charge à partir de la sour- alternative, thus crossing the charge from the
ce d'alimentation. Les courants de commande peuvent être for- this feeding. Control currents can be
més à partir d'ondes rectangulaires ou d'ondes sinusoïdales, dont l'amplitude est suffisante pour amener rapidement les from rectangular waves or sinusoidal waves, the amplitude of which is sufficient to bring rapidly
transistors à l'état de conduction, de sorte que ces transis- transistors in the conduction state, so that these transistors
tors n'offrent pratiquement pas de résistance à la circulation tors offer virtually no resistance to traffic
du courant d'alimentation et ne consomment donc pas une éner- supply and do not consume energy.
gie appréciable.appreciable experience.
On trouvera dans le brevet des Etats Unis d'Amérique It will be found in the United States Patent
N0 4.051.426 la description du circuit onduleur qui vient d'ê- No. 4,051,426 the description of the inverter circuit which has just been
tre décrit, cette description dénonçant une caractéristique described, this description denouncing a characteristic
"d'emmagasinage de charge" non souhaitable des transistors qui undesirable "charge storage" of transistors which
peut amener les deux transistors du circuit à l'état conduc- can bring the two transistors of the circuit to the conductive state.
teur simultanément et provoquer un court-circuit inacceptable simultaneously and cause an unacceptable short-circuit
de la source d'alimentation. La description donne une solution from the power source. The description gives a solution
à ce problème par raccordement de diodes dans le circuit. to this problem by connecting diodes in the circuit.
L'invention a pour objectif un circuit onduleur perfec- The object of the invention is to provide a perfect inverter circuit
tionné, circuit onduleur utilisant de manière constructive la an inverter circuit that constructively uses the
caractéristique d'emmagasinage de charge des transistors. charge storage characteristic of the transistors.
Le circuit onduleur conforme à l'invention comporte deux transistors raccordés pour transmettre alternativement, et de The inverter circuit according to the invention comprises two transistors connected to transmit alternately, and
manière répétitive, de l'énergie électrique à une charge induc- repetitively, from electrical energy to an inductive load
tive, ou une charge à composant inductif. L'émetteur de l'un des transistors et le collecteur de l'autre transistor sont tive, or an inductive component charge. The emitter of one of the transistors and the collector of the other transistor are
raccordés pour former un point de jonction, l'émetteur du deu- connected to form a junction point, the transmitter of the
xième transistor et le collecteur du premier étant respective- xth transistor and the collector of the first being respectively-
ment raccordés aux bornes d'une source d'alimentation électri- connected to the terminals of an electrical power source
que en courant continu. Une charge inductive, ou à composant inductif, est raccordée entre le point de jonction et la source d'alimentation. Des impulsions de blocage de courte durée sont alternativement appliquées sur les électrodes de base des transistors, et des moyens tels que des diodes sont raccordés de telle sorte que, lorsque chaque transistor se bloque, un than in direct current. An inductive load, or inductive component, is connected between the junction point and the power source. Short-term blocking pulses are alternately applied to the base electrodes of the transistors, and means such as diodes are connected so that when each transistor is blocked, a
courant de retour induit dans la charge est transféré à l'au- return current induced in the load is transferred to the
tre transistor pour créer une charge emmagasinée qui le rend to be transistor to create a stored charge that makes it
conducteur et le maintient dans cet état jusqu'à ce qu'il re- driver and keeps him in that state until he
çoive l'impulsion de blocage suivante. Il n'est donc pas né- the next blocking pulse. It is therefore not born
cessaire de fournir au circuit des impulsions extérieures de commande de conduction répétitives; une seule impulsion de provide the circuit with repetitive external conduction control pulses; a single pulse of
commande de conduction est nécessaire pour amorcer le fonc- conduction control is necessary to initiate the function
tionnement du circuit. De préférence, la fréquence de répéti- circuit. Preferably, the repetition frequency
tion des impulsions de blocage fournies à chaque transistor est suffisamment élevée pour que les charges emmagasinées blocking pulses supplied to each transistor is sufficiently high that the stored charges
dans chaque transistor ne soient pas éliminées avant le trans- in each transistor are not removed before transmitting
fert de l'impulsion de blocage suivante; autrement dit, la firing of the next blocking pulse; in other words, the
fréquence de répétition des impulsions de blocage est suffi- frequency of repetition of the blocking pulses is sufficient
samment élevée pour que la fin des périodes de conduction des transistors soit déterminée par les impulsions de blocage et high so that the end of the conduction periods of the transistors is determined by the blocking pulses and
non par l'élimination des charges emmagasinées. Dans une va- not by the elimination of the stored charges. In a
riante, on n'utilise pas les impulsions de blocage, et la fré- laughter, blocking impulses are not used, and frequency
quence de fonctionnement du commutateur est déterminée par les the operation of the switch is determined by the
temps d'élimination des charges emmagasinées. elimination time of stored charges.
La suite de la description se réfère aux dessins annexés The following description refers to the accompanying drawings
qui représentent: - Fig. 1, le schéma d'une version recommandée de circuit conforme à l'invention; et - Fig. 2, le diagramme de certains signaux, tensions et which represent: - Fig. 1, the diagram of a recommended version of circuit according to the invention; and - Fig. 2, the diagram of some signals, voltages and
courants dans le circuit de la figure 1 en fonctionnement. current in the circuit of Figure 1 in operation.
Deux transistors Ql et Q2 sont raccordés entre les bornes 11 et 12 d'une source d'alimentation électrique en courant continu qui peut être constituée par un pont redresseur double alternance fournissant environ 200 V continu, à partir d'une Two transistors Q1 and Q2 are connected between terminals 11 and 12 of a DC power source which may be constituted by a full-wave rectifier bridge providing about 200 V DC, from a
tension d'entrée alternative de 120 V. Sur le dessin, la bor- 120 V AC input voltage. In the drawing, the
ne 11 est positive et la borne 12 est négative. L'émetteur 13 du transistor Ql et le collecteur 14 du transistor Q2 sont raccordés l'un à l'autre pour former un point de jonction 16. ne 11 is positive and terminal 12 is negative. The emitter 13 of the transistor Q1 and the collector 14 of the transistor Q2 are connected to each other to form a junction point 16.
Le collecteur 17 du transistor Ql est raccordé à la borne po- The collector 17 of the transistor Q1 is connected to the po-
sitive d'alimentation 11, et l'émetteur 18 du transistor Q2 est raccordé à la borne négative d'alimentation 12. Une charge 21 inductive ou à composant inductif, telle qu'une lampe à décharge dans un gaz, un moteur, un dispositif de chauffage inductif, etc... est raccordée entre le point de jonction 16 11, and the emitter 18 of the transistor Q2 is connected to the negative supply terminal 12. An inductive or inductive component load 21, such as a gas discharge lamp, a motor, a device inductive heating, etc ... is connected between the junction point 16
et la source d'alimentation, cette dernière connexion se fai- and the power source, this last connection is
sant par deux condensateurs 22 et 23 montés en série entre two capacitors 22 and 23 connected in series between
les bornes d'alimentation 11 et 12, la charge 21 étant raccor- the supply terminals 11 and 12, the load 21 being connected to
dée au point de jonction 24 des deux condensateurs. Les conden- at the junction point 24 of the two capacitors. Condensations
sateurs 22 et 23 ont, de préférence, la même valeur de capaci- 22 and 23 preferably have the same capacity value.
té, suffisamment élevée pour que leur impédance soit faible à la fréquence de fonctionnement du circuit (soit 1 kHz ou plus, high enough for their impedance to be low at the operating frequency of the circuit (ie 1 kHz or more,
par exemple). On peut donc considérer que la charge 21 est rac- for example). It can therefore be considered that the load 21 is connected with
cordée entre le point de jonction 16 des transistors et une prise médiane de la source d'alimentation. La charge 21 peut strung between the junction point 16 of the transistors and a middle tap of the power source. The charge 21 can
être constituée par un transformateur de couplage. be constituted by a coupling transformer.
Une diode 26 est raccordée entre la base 27 et l'émetteur 13 du transistor Qi, de manière à laisser passer un courant de A diode 26 is connected between the base 27 and the emitter 13 of the transistor Qi, so as to pass a current of
polarité positive vers cette base. Une autre diode 28 est rac- positive polarity to this base. Another diode 28 is connected
cordée entre la base 29 et l'émetteur 18 du transistor Q2, de manière à laisser passer un courant de polarité négative en corded between the base 29 and the emitter 18 of the transistor Q2, so as to pass a negative polarity current in
provenance de la base 29. Une source 31 d'impulsions de bloca- from the base 29. A source 31 of blocking pulses
ge est raccordée aux électrodes de base 27 et 29 et fournit, à ces électrodes, alternativement et de manière répétitive, des impulsions de blocage de polarité négative, à une fréquence de ge is connected to the base electrodes 27 and 29 and provides, to these electrodes, alternately and repetitively, negative polarity blocking pulses, at a frequency of
l'ordre de 1 kHz ou plus, de préférence de l'ordre de 20 kHz. in the order of 1 kHz or more, preferably of the order of 20 kHz.
Une source 32 de commande de conduction est raccordée à l'une A source 32 of conduction control is connected to one
des électrodes de base, soit l'électrode 29, et fournit à cet- base electrodes, ie the electrode 29, and provides for this
te électrode une impulsion de polarité positive. La source d'impulsions de blocage 31 peut être un circuit multivibrateur the electrode a positive polarity pulse. The source of blocking pulses 31 may be a multivibrator circuit
bistable, ou constituée par deux sources d'impulsions correc- bistable, or constituted by two sources of corrective impulses
tement synchronisées, et la source de commande de conduction synchronized, and the conduction control source
249003.6249003.6
peut être constituée par un multivibrateur monostable. can be constituted by a monostable multivibrator.
Sur la figure 2, les signaux, tensions et courants du circuit de la figure 1 sont représentés en fonction des mêmes temps. Une impulsion unique positive de commande de conduction 36 est fournie par la source 32 et transférée sur la base 29 In FIG. 2, the signals, voltages and currents of the circuit of FIG. 1 are represented as a function of the same times. A positive single conduction control pulse 36 is provided by the source 32 and transferred to the base 29
du transistor Q2 pour amorcer le fonctionnement du circuit. of the transistor Q2 to initiate the operation of the circuit.
Les impulsions négatives de blocage répétitif 37 et 38 sont fournies par la source 31 et transférées respectivement sur les électrodes de base 27 et 29 des transistors Ql et Q2. Les deux séries d'impulsions de blocage sont déphasées de 1800 The negative repetitive blocking pulses 37 and 38 are provided by the source 31 and transferred respectively to the base electrodes 27 and 29 of the transistors Q1 and Q2. The two sets of blocking pulses are out of phase by 1800
l'une par rapport à l'autre. Les deux courbes 39 et 40 repré- one with respect to the other. The two curves 39 and 40 represent
sentent respectivement la tension aux bornes de la charge 21 et le courant dans cette charge, la tension 39 étant une onde respectively feel the voltage across the load 21 and the current in this load, the voltage 39 being a wave
rectangulaire du fait que les transistors Qi et Q2 sont alter- rectangular because the transistors Qi and Q2 are alternating
nativement commutés, et la forme du courant 40 étant caractéris- natively switched, and the shape of the current 40 being characterized
tique d'une charge à composant inductif. Les courbes 41 et 42 représentent respectivement le courant de retour de la charge inductive et la charge emmagasinée résultante, sur la base du tick of an inductive component charge. Curves 41 and 42 respectively represent the return current of the inductive load and the resulting stored load, based on the
transistor Ql. De même, les courbes 43 et 44 représentent res- transistor Ql. Likewise, the curves 43 and 44 represent
pectivement le courant de retour de la charge inductive et la the return current of the inductive load and the
charge emmagasinée résultante, sur la base du transistor Q2. resulting stored charge, based on transistor Q2.
Le circuit fonctionne comme suit. L'impulsion de commande The circuit works as follows. The command pulse
de conduction 36 rend le transistor Q2 conducteur, ce qui en- conduction transistor 36 makes the transistor Q2 conductive, thereby
traîne la circulation d'un courant 40 dans la charge 21, par draws the circulation of a current 40 in the load 21, by
l'intermédiaire du condensateur 22. Après disparition de l'im- through the capacitor 22. After the disappearance of the
- pulsion de commande 36, et dès qu'apparait la première impul- - drive pulse 36, and as soon as the first pulse appears
sion de blocage 38 sur la base 29 du transistor Q2, ce transis- blocking voltage 38 on the base 29 of the transistor Q2, this transistor
tor est bloqué et le courant cesse de circuler dans la charge 21; mais l'énergie emmagasinée dans le composant inductif de tor is blocked and the current ceases to flow in the load 21; but the energy stored in the inductive component of
la charge crée une tension de retour qui se traduit par un cou- the load creates a return voltage that results in a
rant 41 de polarité positive qui circule vers la base 27 du rant 41 of positive polarity which flows to the base 27 of the
transistor Ql par l'intermédiaire dé la diode 26. Le transis- transistor Q1 via the diode 26. The transistor
tor Ql est donc rendu conducteur. A ce moment, Ql fonctionne tor Ql is thus made conductive. At this moment, Ql works
comme un transistor inversé, la jonction base-collecteur deve- like an inverted transistor, the base-collector junction
nant l'émetteur et la jonction base-émetteur devenant le col- the transmitter and the base-transmitter junction becoming the
lecteur. Une charge 42 est emmagasinée dans Qi pendant cette reader. A charge 42 is stored in Qi during this
période. Lorsque l'énergie inductive s'est dissipée, la char- period. When the inductive energy has dissipated, the
ge emmagasinée maintient le transistor Ql à l'état de conduc- stored state keeps the transistor Q1 in the conductive state.
tion, le courant 40' circulant dans la charge 21 par l'inter- tion, the current 40 'flowing in the load 21 through the
médiaire du condensateur 23, dans le sens opposé à celui de capacitor 23, in the opposite direction to that of
la circulation du courant lorsque le transistor Q2 est conduc- current flow when transistor Q2 is conducting
teur. La charge emmagasinée s'élimine partiellement comme le montre la courbe 42; mais la fréquence des impulsions de blo- cage est choisie suffisamment élevée (20 kHz par exemple) pour que l'impulsion de blocage 37 qui suit soit transférée à la base 27 alors que la charge emmagasinée maintient toujours le transistor à l'état de conduction. Cette impulsion de blocage élimine la charge emmagasinée et bloque le transistor Ql, le courant cessant de circuler dans la charge; mais l'énergie emmagasinée dans le composant inductif de la charge crée une tor. The stored charge is partially eliminated as shown in curve 42; but the frequency of the blocking pulses is chosen sufficiently high (eg 20 kHz) for the next blocking pulse 37 to be transferred to the base 27 while the stored charge still holds the transistor in the conduction state. . This blocking pulse eliminates the stored charge and blocks the transistor Q1, the current ceasing to flow in the load; but the energy stored in the inductive component of the charge creates a
tension de retour qui se traduit par un courant 43 (de pola- return voltage which results in a current 43 (polarity)
rité négative au point de jonction 16) qui est transféré par la jonction collecteur-base du transistor Q2 et la diode 28, et qui est l'équivalent d'une impulsion de polarité positive 43 transférée sur la base 29; cette impulsion, représentée sur la figure, rend de nouveau le transistor Q2 conducteur, ce negative at the junction point 16) which is transferred by the collector-base junction of the transistor Q2 and the diode 28, and which is the equivalent of a positive polarity pulse 43 transferred to the base 29; this pulse, shown in the figure, makes the transistor Q2 conductive again, this
transistor fonctionnant en mode inverse, avec charge emmagasi- transistor operating in reverse mode, with stored charge
née 44 qui le maintient à l'état de conduction jusqu'à l'appa- born 44 which keeps him in the state of conduction until the
rition de l'impulsion de blocage 38 qui suit. Le processus se répète tel que décrit et provoque la circulation d'un courant rition of the blocking pulse 38 which follows. The process repeats itself as described and causes the flow of a current
alternatif 40 dans la charge 21.alternative 40 in the load 21.
On utilise donc des impulsions inductives de retour, for- Inductive feedback pulses are therefore used.
mées dans le circuit, pour commander le passage des transis- placed in the circuit, to control the passage of
tors à l'état de conduction, et on utilise les charges emma- in the conduction state, and the emma-
gasinées pour maintenir les transistors dans cet état, pendant leurs cycles de conduction; il n'est donc pas nécessaire de gasined to keep the transistors in this state during their conduction cycles; it is therefore not necessary to
disposer d'une source extérieure d'impulsions de commande rec- have an external source of control pulses rec-
tangulaires ou sinusoïdales, ce qui réduit les besoins en éner- tangles or sinusoidal, which reduces the energy requirements
gie du circuit et accroît son rendement. Les impulsions de blo- of the circuit and increases its efficiency. Pulse impulses
cage 37 et 38 peuvent être de très courte durée, par exemple cage 37 and 38 can be of very short duration, for example
de cinq microsecondes, et de faible énergie, de sorte que l'é- of five microseconds, and low energy, so that the
nergie totale requise est très faible par rapport à celle des total energy required is very low compared to
courants de commande des dispositifs antérieurs. On peut enco- control currents of the prior devices. We can still
re réduite l'énergie requise en diminuant la fréquence de ré- Reduces the energy required by reducing the frequency of
pétition des impulsions de blocage, une partie relativement plus importante des charges emmagasinées 42 et 44 étant alors petition blocking impulses, a relatively larger portion of stored charges 42 and 44 then being
éliminée par l'intermédiaire de l'impédance interne des tran- eliminated via the internal impedance of the
sistors. Dans le circuit conforme à l'invention, on évite par ailleurs le court-circuit de la source d'alimentation, tel que décrit dans le brevet précité, qui se produit lorsque la charge emmagasinée dans un transistor le maintient conducteur alors que l'autre transistor est passé à l'état de conduction, les deux transistors simultanément conducteurs provoquant le court-circuit de la source d'alimentation. Dans le circuit conforme à l'invention, chaque transistor passe à l'état de conduction sous la dépendance du courant de retour qui n'est formé que lorsque l'autre transistor a été bloqué, et il est donc impossible que les deux transistors soient simultanément sistors. In the circuit according to the invention, it also avoids the short circuit of the power source, as described in the aforementioned patent, which occurs when the load stored in a transistor keeps it conductive while the other transistor has gone into the conduction state, the two simultaneously conducting transistors causing the short circuit of the power source. In the circuit according to the invention, each transistor goes to the conduction state under the dependence of the return current which is formed only when the other transistor has been blocked, and it is therefore impossible that the two transistors are simultaneously
conducteurs. Enfin, les charges emmagasinées dans les transis- conductors. Finally, the charges stored in the trans-
tors étaient indésirables jusque là; elles sont utilisées a- tors were undesirable until then; they are used
vantageusément dans le circuit onduleur conforme à l'invention. vantageusement in the inverter circuit according to the invention.
Dans une variante conforme à l'invention, on n'utilise pas d'impulsions de blocage 37 et 38, chacun des transistors, lorsqu'il est conducteur, restant dans cet état jusqu'à ce que la charge emmagasinée soit suffisamment éliminée pour In a variant according to the invention, blocking pulses 37 and 38 are not used, each of the transistors, when conducting, remaining in this state until the stored charge is sufficiently eliminated for
qu'il se bloque automatiquement. La fréquence de fonctionne- it hangs automatically. The frequency of operation
ment du circuit est donc déterminée par la caractéristique de of the circuit is therefore determined by the characteristic of
temps de décharge de la charge emmagasinée des transistors. discharge time of the stored charge of the transistors.
Si l'on souhaite régler avec précision la fréquence de fonc- If you want to fine tune the frequency of operation
tionnement, il est préférable d'utiliser les impulsions de tionally, it is better to use the pulses of
blocage 37, 38.blocking 37, 38.
Il est entendu que la description qui précède a été faite It is understood that the above description has been made
à titre d'exemple non-limitatif et que des variantes peuvent as a non-limitative example and that variants may be
être envisagées sans, pour cela, sortir du cadre de l'inven- be considered without departing from the scope of the invention.
tion et des revendications annexées. On a décrit, par exemple, and the appended claims. For example,
un circuit onduleur en demi-pont, mais l'invention est appli- a half-bridge inverter circuit, but the invention is
cable aux circuits en pont et aux circuits symétriques. cable to bridge circuits and symmetrical circuits.
Claims (10)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454574A (en) * | 1981-12-09 | 1984-06-12 | General Electric Company | Push-pull stored charge inverter circuit with rapid switching |
JPH0614787B2 (en) * | 1983-11-22 | 1994-02-23 | 株式会社東研 | Transistor inverter device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3696285A (en) * | 1970-04-14 | 1972-10-03 | Ibm | Inverter circuits utilizing minority carrier injection in a semiconductor deivce |
US4051426A (en) * | 1974-05-31 | 1977-09-27 | White-Westinghouse Corporation | Shoot through protected current driven transistor inverter circuit |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5430082B2 (en) * | 1973-02-23 | 1979-09-28 |
-
1981
- 1981-08-12 GB GB8124596A patent/GB2083299B/en not_active Expired
- 1981-08-27 DE DE19813133924 patent/DE3133924A1/en not_active Withdrawn
- 1981-08-28 BR BR8105574A patent/BR8105574A/en unknown
- 1981-09-04 FR FR8116824A patent/FR2490036A1/en active Granted
- 1981-09-04 JP JP56138676A patent/JPS5778377A/en active Pending
- 1981-09-04 MX MX18906881A patent/MX149937A/en unknown
- 1981-09-07 NL NL8104131A patent/NL8104131A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3696285A (en) * | 1970-04-14 | 1972-10-03 | Ibm | Inverter circuits utilizing minority carrier injection in a semiconductor deivce |
US4051426A (en) * | 1974-05-31 | 1977-09-27 | White-Westinghouse Corporation | Shoot through protected current driven transistor inverter circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2083299B (en) | 1984-09-26 |
NL8104131A (en) | 1982-04-01 |
BR8105574A (en) | 1982-05-18 |
DE3133924A1 (en) | 1982-05-27 |
MX149937A (en) | 1984-02-09 |
JPS5778377A (en) | 1982-05-17 |
FR2490036B1 (en) | 1985-01-04 |
GB2083299A (en) | 1982-03-17 |
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