FR2418982A1 - Circuit de sortie en logique a injection integree - Google Patents
Circuit de sortie en logique a injection integreeInfo
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Abstract
L'invention concerne un étage de sortie pour un circuit logique à injection intégrée. Il comporte deux transistors complémentaires en configuration logique à injection intégrée et un troisième transistor bipolaire. La base et le collecteur du troisième transistor sont connectés à la source d'alimentation tandis que son émetteur est connecté à un collecteur du transistor inverse de la paire. Un autre collecteur du transistor inverse est connecté à la base du troisième transistor et son émetteur est à la masse. Le signal logique est appliqué à la base du transistor inverse et le signal de sortie est prelevé au point commun entre l'émetteur du troisième transistor et un collecteur inversé. L'invention s'applique notamment à des circuits d'attaque de circuits courants en logique à transistor-transistor.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US88306678A | 1978-03-03 | 1978-03-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2418982A1 true FR2418982A1 (fr) | 1979-09-28 |
Family
ID=25381903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR7905448A Pending FR2418982A1 (fr) | 1978-03-03 | 1979-03-02 | Circuit de sortie en logique a injection integree |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS54158157A (fr) |
DE (1) | DE2907597A1 (fr) |
FR (1) | FR2418982A1 (fr) |
GB (1) | GB2015840B (fr) |
NL (1) | NL7901684A (fr) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5714233A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-25 | Matsushita Electric Works Ltd | Transmitting circuit |
JPS5830152A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
US5023482A (en) * | 1982-03-29 | 1991-06-11 | North American Philips Corp. | ISL to TTL translator |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4075508A (en) * | 1976-11-04 | 1978-02-21 | Motorola, Inc. | I2 L injector current source |
-
1979
- 1979-02-21 GB GB7906097A patent/GB2015840B/en not_active Expired
- 1979-02-27 DE DE19792907597 patent/DE2907597A1/de not_active Withdrawn
- 1979-03-02 JP JP2436879A patent/JPS54158157A/ja active Pending
- 1979-03-02 FR FR7905448A patent/FR2418982A1/fr active Pending
- 1979-03-02 NL NL7901684A patent/NL7901684A/xx not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4075508A (en) * | 1976-11-04 | 1978-02-21 | Motorola, Inc. | I2 L injector current source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54158157A (en) | 1979-12-13 |
DE2907597A1 (de) | 1979-09-06 |
GB2015840A (en) | 1979-09-12 |
GB2015840B (en) | 1982-07-07 |
NL7901684A (nl) | 1979-09-05 |
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