FR1472641A - Procédé de fabrication d'un montage intégré électronique à semi-conducteurs - Google Patents

Procédé de fabrication d'un montage intégré électronique à semi-conducteurs

Info

Publication number
FR1472641A
FR1472641A FR55107A FR55107A FR1472641A FR 1472641 A FR1472641 A FR 1472641A FR 55107 A FR55107 A FR 55107A FR 55107 A FR55107 A FR 55107A FR 1472641 A FR1472641 A FR 1472641A
Authority
FR
France
Prior art keywords
manufacturing process
integrated electronic
semiconductor assembly
electronic semiconductor
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR55107A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US443046A external-priority patent/US3397448A/en
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Priority to FR55107A priority Critical patent/FR1472641A/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR1472641A publication Critical patent/FR1472641A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76297—Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02447—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
FR55107A 1965-03-26 1966-03-25 Procédé de fabrication d'un montage intégré électronique à semi-conducteurs Expired FR1472641A (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR55107A FR1472641A (fr) 1965-03-26 1966-03-25 Procédé de fabrication d'un montage intégré électronique à semi-conducteurs

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US443046A US3397448A (en) 1965-03-26 1965-03-26 Semiconductor integrated circuits and method of making same
FR55107A FR1472641A (fr) 1965-03-26 1966-03-25 Procédé de fabrication d'un montage intégré électronique à semi-conducteurs

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1472641A true FR1472641A (fr) 1967-03-10

Family

ID=26169484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR55107A Expired FR1472641A (fr) 1965-03-26 1966-03-25 Procédé de fabrication d'un montage intégré électronique à semi-conducteurs

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR1472641A (fr)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE651287A (fr) Procede de fabrication d'elements de circuit integre a semi-conducteurs
FR96253E (fr) Procédé de fabrication de réservoirs et reservoirs ainsi obtenus.
CH480664A (fr) Procédé de fabrication d'un matériel photographique
FR1507796A (fr) Procédé de fabrication et d'assemblage d'éléments de circuits plans
FR1513645A (fr) Procédé de fabrication d'un transistor
FR1472641A (fr) Procédé de fabrication d'un montage intégré électronique à semi-conducteurs
FR1509644A (fr) Procédé de fabrication d'un circuit intégré
FR1505651A (fr) Procédé de fabrication d'objets conformés en polymères fluorés
FR1448383A (fr) Procédé de fabrication d'éléments semi-conducteurs
CH431750A (fr) Procédé de fabrication d'un article électriquement conducteur
FR1508167A (fr) Procédé de fabrication d'alpha-méthyl-phénylalanines
FR1472688A (fr) Circuits intégrés à semi-conducteurs et procédé de fabrication correspondant
FR1481283A (fr) Procédé de fabrication de circuits semiconducteurs intégrés
CH474151A (fr) Procédé de fabrication d'un composant semiconducteur
FR1413980A (fr) Procédé de fabrication d'éléments à circuit incorporé isolés
FR1483068A (fr) Montage de dispositif à semi-conducteur et procédé de fabrication
FR1500841A (fr) Procédé de fabrication d'un transistor planar au silicium
FR1404193A (fr) Procédé de fabrication d'éléments de circuit intégré à semi-conducteurs
FR1522026A (fr) Procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteurs
FR1450846A (fr) Composant à semi-conducteurs et son procédé de fabrication
FR1601776A (fr) Procédé de fabrication de circuits semi-conducteurs intégrés et circuits ainsi obtenus
FR1478042A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
FR1505332A (fr) Procédé de fabrication d'époxydes
FR1387322A (fr) Procédé de fabrication d'un matériau isolant
FR1357052A (fr) Procédé de fabrication d'une thermopile