FR1358189A - Dispositif de branchement de l'émetteur d'un transistor de puissance et transistor pourvu d'un émetteur conforme ou similaire au précédent - Google Patents

Dispositif de branchement de l'émetteur d'un transistor de puissance et transistor pourvu d'un émetteur conforme ou similaire au précédent

Info

Publication number
FR1358189A
FR1358189A FR936602A FR936602A FR1358189A FR 1358189 A FR1358189 A FR 1358189A FR 936602 A FR936602 A FR 936602A FR 936602 A FR936602 A FR 936602A FR 1358189 A FR1358189 A FR 1358189A
Authority
FR
France
Prior art keywords
emitter
conforming
previous
transistor
similar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR936602A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Dieter Gerstner
Rudolf Gothot
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
TDK Micronas GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Micronas GmbH filed Critical TDK Micronas GmbH
Application granted granted Critical
Publication of FR1358189A publication Critical patent/FR1358189A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/101Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
    • H10D84/121BJTs having built-in components
    • H10D84/125BJTs having built-in components the built-in components being resistive elements, e.g. BJT having a built-in ballasting resistor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/133Emitter regions of BJTs
    • H10D62/135Non-interconnected multi-emitter structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
FR936602A 1962-10-04 1963-05-30 Dispositif de branchement de l'émetteur d'un transistor de puissance et transistor pourvu d'un émetteur conforme ou similaire au précédent Expired FR1358189A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEJ22459A DE1264615B (de) 1962-10-04 1962-10-04 Emitteranschluss eines Leistungstransistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1358189A true FR1358189A (fr) 1964-04-10

Family

ID=7200967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR936602A Expired FR1358189A (fr) 1962-10-04 1963-05-30 Dispositif de branchement de l'émetteur d'un transistor de puissance et transistor pourvu d'un émetteur conforme ou similaire au précédent

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE1264615B (en, 2012)
FR (1) FR1358189A (en, 2012)
GB (1) GB1044469A (en, 2012)
NL (1) NL296170A (en, 2012)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3368123A (en) * 1965-02-04 1968-02-06 Gen Motors Corp Semiconductor device having uniform current density on emitter periphery
DE1514266A1 (de) * 1965-08-12 1969-08-07 Philips Nv Halbleitervorrichtung
DE1912931A1 (de) * 1968-04-04 1969-11-13 Fujitsu Ltd Halbleitervorrichtung
FR2011431A1 (en, 2012) * 1968-06-21 1970-02-27 Philips Nv
US3506886A (en) * 1965-03-08 1970-04-14 Itt High power transistor assembly
FR2019220A1 (en, 2012) * 1968-09-30 1970-06-26 Philips Nv
DE2105164A1 (de) * 1970-02-14 1971-09-02 Philips Nv Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2251727A1 (de) * 1972-10-21 1974-04-25 Licentia Gmbh Halbleiteranordnung mit mindestens zwei zonen entgegengesetzten leitfaehigkeitstyps

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504239A (en) * 1964-01-31 1970-03-31 Rca Corp Transistor with distributed resistor between emitter lead and emitter region
NL165888C (nl) * 1970-10-10 1981-05-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam bevattende een collectorzone, een basiszone en een emitterzone waarbij de emitterzone ten minste twee strookvormige onderling evenwijdige emittergebieden bevat, die uit afwisselend smallere en bredere delen bestaan.
JPS5641186B2 (en, 2012) * 1972-03-03 1981-09-26
JPS57117276A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Hitachi Ltd Semiconductor device
DE3346518C1 (de) * 1983-12-22 1989-01-12 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode
JPS62229975A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Toshiba Corp 電力用トランジスタ
JP3942984B2 (ja) * 2002-08-06 2007-07-11 株式会社ナノテコ バイポーラトランジスタ、マルチフィンガーバイポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ製造用エピタキシャル基板、及びバイポーラトランジスタの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1786107U (de) * 1956-09-25 1959-04-02 Siemens Ag Leistungstransistor.
US2998534A (en) * 1958-09-04 1961-08-29 Clevite Corp Symmetrical junction transistor device and circuit

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3368123A (en) * 1965-02-04 1968-02-06 Gen Motors Corp Semiconductor device having uniform current density on emitter periphery
US3506886A (en) * 1965-03-08 1970-04-14 Itt High power transistor assembly
DE1514266A1 (de) * 1965-08-12 1969-08-07 Philips Nv Halbleitervorrichtung
DE1912931A1 (de) * 1968-04-04 1969-11-13 Fujitsu Ltd Halbleitervorrichtung
FR2011431A1 (en, 2012) * 1968-06-21 1970-02-27 Philips Nv
FR2019220A1 (en, 2012) * 1968-09-30 1970-06-26 Philips Nv
DE2105164A1 (de) * 1970-02-14 1971-09-02 Philips Nv Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2251727A1 (de) * 1972-10-21 1974-04-25 Licentia Gmbh Halbleiteranordnung mit mindestens zwei zonen entgegengesetzten leitfaehigkeitstyps

Also Published As

Publication number Publication date
GB1044469A (en) 1966-09-28
NL296170A (en, 2012)
DE1264615B (de) 1968-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1340428A (fr) Dispositif de transmission d'ultra-sons
BE634377A (fr) Dispositif traducteur d'un signal analogique en signal arithmétique
FR1358189A (fr) Dispositif de branchement de l'émetteur d'un transistor de puissance et transistor pourvu d'un émetteur conforme ou similaire au précédent
FR1350834A (fr) Dispositif d'accouplement
FR84317E (fr) Dispositif de commande pour accouplements et accouplements pourvus d'un dispositif conforme ou similaire au précédent
FR1353870A (fr) Dispositif d'accouplement unidirectionnel
FR1326007A (fr) Dispositif d'accouplement hydraulique
FR1342215A (fr) Dispositif d'ancrage
FR1283644A (fr) Dispositif d'entraînement intermittent
FR1334886A (fr) Dispositif générateur d'oscillations ultrasonores
FR1345892A (fr) Dispositif d'embrayage
BE614450A (fr) Dispositif d'étampage
FR1288694A (fr) Dispositif d'assemblage
FR1326291A (fr) Dispositif d'entraînement de bandes
FR1313876A (fr) Dispositif d'embrayage et de freinage combiné
FR1299633A (fr) Dispositif de régulation de tirage
FR1347048A (fr) Dispositif d'enfichage
FR1316357A (fr) Dispositif économiseur d'essence
FR1280309A (fr) Dispositif d'assemblage étanche aux fluides
FR1301724A (fr) Dispositif d'entraînement
FR1349882A (fr) Dispositif d'accouplement étanche
FR1325076A (fr) Dispositif d'attelage
FR1331166A (fr) Dispositif d'électro-précipitation
FR1370831A (fr) Dispositif pour éviter ou éliminer ou éviter et éliminer la formation de tartre
FR1345174A (fr) Perfectionnements au pulso-réacteur et au stato-réacteur