FR1337660A - Procédé pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices, en particulier de redresseurs au sélénium, avec une surface active de petite dimension par rapport à lasurface totale - Google Patents
Procédé pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices, en particulier de redresseurs au sélénium, avec une surface active de petite dimension par rapport à lasurface totaleInfo
- Publication number
- FR1337660A FR1337660A FR913422A FR913422A FR1337660A FR 1337660 A FR1337660 A FR 1337660A FR 913422 A FR913422 A FR 913422A FR 913422 A FR913422 A FR 913422A FR 1337660 A FR1337660 A FR 1337660A
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- manufacture
- semiconductor wafers
- small dimension
- dimension compared
- active surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR913422A FR1337660A (fr) | 1961-10-31 | 1962-10-25 | Procédé pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices, en particulier de redresseurs au sélénium, avec une surface active de petite dimension par rapport à lasurface totale |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES76487A DE1209210B (de) | 1961-10-31 | 1961-10-31 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichter-tabletten mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche |
FR913422A FR1337660A (fr) | 1961-10-31 | 1962-10-25 | Procédé pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices, en particulier de redresseurs au sélénium, avec une surface active de petite dimension par rapport à lasurface totale |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR1337660A true FR1337660A (fr) | 1963-09-13 |
Family
ID=25996653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR913422A Expired FR1337660A (fr) | 1961-10-31 | 1962-10-25 | Procédé pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices, en particulier de redresseurs au sélénium, avec une surface active de petite dimension par rapport à lasurface totale |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR1337660A (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1292755B (de) * | 1964-03-26 | 1969-04-17 | Siemens Ag | Verfahren zum serienmaessigen Sockeln und Gehaeuseeinbau von Halbleiterbauelementen |
-
1962
- 1962-10-25 FR FR913422A patent/FR1337660A/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1292755B (de) * | 1964-03-26 | 1969-04-17 | Siemens Ag | Verfahren zum serienmaessigen Sockeln und Gehaeuseeinbau von Halbleiterbauelementen |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR1204310A (fr) | Procédé de préparation de substances absolument pures, en particulier de semiconducteurs | |
BE585390A (fr) | Procédé de fabrication de silicium de très grande pureté. | |
BE579805A (fr) | Procédé pour le traitement de surface d'élements semi-conducteurs comportant plusieurs électrodes et au moins une jonction p-n. | |
GB915270A (en) | Improvements in and relating to semi-conductor devices | |
FR1337660A (fr) | Procédé pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices, en particulier de redresseurs au sélénium, avec une surface active de petite dimension par rapport à lasurface totale | |
FR1208294A (fr) | Procédé pour le réglage de la concentration en porteurs majoritaires dans un semicnducteur | |
BE616590A (fr) | Procédé de fabrication de surfaces semi-conductrices extra planes | |
BE605340A (fr) | Procédé de fabrication du silicium de grande pureté. | |
FR1152585A (fr) | Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium | |
GB966594A (en) | Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices | |
FR1319288A (fr) | Procédé pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, en particulier d'un dispositif semi-conducteur thermo-électrique | |
BE608626A (fr) | Procédé pour la fabrication d'une tige en matière semi-conductrice très pure, en particulier du silicium, avec une structure cristalline développée dendritiquement | |
FR1221735A (fr) | Perfectionnements au procédé de fabrication des redresseurs au sélénium à ailettes de refroidissement | |
FR1323778A (fr) | Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium | |
FR1331855A (fr) | Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium | |
BE615052A (fr) | Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium | |
FR1401106A (fr) | Redresseur à semi-conducteur, en particulier redresseur au sélénium de dimensionsréduites comportant des éléments redresseurs en forme de plaquettes | |
BE610281A (fr) | Procédé pour l'obtention de silicium semi-conducteur, en particulier monocristallin. | |
FR1304998A (fr) | Procédé de fabrication d'éléments semi-conducteurs en particulier d'éléments redresseurs à semi-conducteurs | |
BOGENSCHUETZ | Ir-tested surface properties of semiconductor wafers | |
FR1331325A (fr) | Procédé d'obtention d'un matériau semi-conducteur de grande pureté, en particulier de silicium | |
BE610520A (fr) | Procédé pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. | |
FR1286475A (fr) | Procédé de passivation de la surface de dispositifs semi-conducteurs | |
DK116381B (da) | Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederlegeme af p-ledende silicium med en spicifik modstand på mindst 1 ohm cm. | |
FR1341482A (fr) | Procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur de grande pureté, en particulier de silicium |