FR1243611A - Procédé de fabrication d'un monocristal de silicium à type de conductibilité et paramètres électriques prédéterminés - Google Patents

Procédé de fabrication d'un monocristal de silicium à type de conductibilité et paramètres électriques prédéterminés

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3494745A (en) * 1967-04-06 1970-02-10 Corning Glass Works Method of growing single crystal in a horizontally disposed rod

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US3494745A (en) * 1967-04-06 1970-02-10 Corning Glass Works Method of growing single crystal in a horizontally disposed rod

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