FI93554C - Infrapunaikkuna - Google Patents

Infrapunaikkuna Download PDF

Info

Publication number
FI93554C
FI93554C FI905152A FI905152A FI93554C FI 93554 C FI93554 C FI 93554C FI 905152 A FI905152 A FI 905152A FI 905152 A FI905152 A FI 905152A FI 93554 C FI93554 C FI 93554C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
infrared
substrate
window
metal carbonyl
liquid coolant
Prior art date
Application number
FI905152A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI905152A0 (fi
FI93554B (fi
Inventor
Juraj Babjak
Victor Alexander Ettel
Vladimir Paserin
Richard Stuart Adams
Original Assignee
Inco Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inco Ltd filed Critical Inco Ltd
Publication of FI905152A0 publication Critical patent/FI905152A0/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI93554B publication Critical patent/FI93554B/fi
Publication of FI93554C publication Critical patent/FI93554C/fi

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

i 93554
Infrapunaikkuna Tämä keksintö koskee infrapunasäteilyä läpäiseviä ikkunoita, jotka tekevät mahdolliseksi infrapunasäteilyn 5 viemisen kemikaalihöyrykerrostuskammioon kammiossa olevien alustojen lämmittämiseksi. Tarkemmin sanottuna keksinnön kohteena on laitteisto alustan pinnoittamiseksi metallilla, jossa laitteistossa on kammio, joka sisältää alustan ja joka on sovitettu vastaanottamaan metallikarbonyylikaa-10 sua ja joka sisältää infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan, ja infrapunasäteilylähde infrapunasäteilyn kohdentamiseksi mainittuun kammion mainitun infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan läpi kammiossa olevan alustan kuumentamiseksi lämpötilaan, jossa metallikarbonyylikaasun hajoaminen ta-15 pahtuu alustan pinnalla. Keksinnön kohteena on myös menetelmä metallikarbonyylikaasun hajottamiseksi alustalle.
Kemikaalihöyryn kerrostus metallikarbonyylin termisellä hajotuksella on pitkään ollut tunnettu alustojen pinnoitusmenetelmä. Metallikarbonyylikaasua sisältävässä 20 kammiossa oleva alusta lämmitetään lämpötilaan, joka on metallikarbonyylikaasun hajoamislämpötilan yläpuolella. Metallikarbonyylikaasu hajoaa pinnoittaen alustan metalli-pinnoitteella, kuten nikkelipinnoitteella, joka saadaan hajotetusta nikkelikarbonyylikaasusta. Hyödullisiä metal-25 leja, joita voidaan kerrostaa metallikarbonyyliyhdisteis-tä, ovat nikkeli, rauta, kromi, molybdeeni, wolframi, koboltti, telluuri, renium yms.
Alustan kuumennusmenetelmiä kemikaalihöyryn kerros-tuskammioissa ovat induktio-, sähkövastus- ja infrapuna-30 kuumennus. Infrapunakuumennusta vaaditaan, kun kuumennettava alusta ei ole sähköä johtava, kuten polyuretaani. Infrapunakuumennus suunnataan kammioon infrapunasäteilyä läpäisevien ikkunoiden läpi alustan kuumentamiseksi. Edullisesti infrapunakuumennus kuumentaa selektiivisesti kam-35 miossa olevan alustan eikä metallikarbonyylikaasua tai 93554 2 Γ infrapunasäteilyä läpäisevää ikkunaa. Jos metallikarbonyy-likaasu kuumennetaan sen hajoamislämpötilan yläpuolelle, se hajoaa itsestään. Samoin jos infrapunasäteilyä läpäisevä ikkuna kuumennetaan metallikarbonyylikaasun hajoamis-5 lämpötilan yläpuolelle, kaasumainen yhdiste hajoaa infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan pinnalla. Tästä tilanteesta käytetään nimitystä ikkunan "sumuttuminen". Ikkunan sumuttuminen johtaa alustojen karbonyylipinnoituksen päättymiseen, koska säteily ei kykene tehokkaasti läpäisemään 10 sumuttuneita ikkunoita. Tämän ongelman ratkaisemiseksi ikkunat on poistettava puhdistusta tai vaihtoa varten.
Eräs syy tähän ongelmaan on, että infrapunasäteilyä läpäisevät ikkunat, jotka on valmistettu sellaisista materiaaleista kuin boorisilikaattilasista, kirkkaasta sulate-15 tusta kvartsista, polyeteenitereftalaatista, polytetra- fluorieteenistä, polytetrafluorieteeni-propeenista ja muista materiaaleista, eivät ole täysin infrapunasäteilyä läpäiseviä. Tämän vuoksi infrapunasäteilyn absorboituminen kuumentaa infrapunasäteilyä läpäiseviä ikkunoita, jolloin 20 ikkunat saattavat kuumentua lämpötiloihin, joissa metalli-karbonyylikaasun hajoaminen tapahtuu. Metallikarbonyyli-kaasu hajoaa ylikuumentuneiden ikkunoiden pinnalla sulauttaen ikkunat. Kun sumuttumista kerran tapahtuu, kerrostu-misprosessi kiihtyy nopeasti. Sumuttuminen kiihtyy, koska 25 myöskään karbonyylikaasun metallinen tuote ei ole täysin infrapunasäteilyä läpäisevä, mikä aiheuttaa ikkunoiden 1i sääntynyttä infrapunakuumennusta.
Jenkin kuvaa US-patentissa n:o 3 213 827 ilmajääh-dytteistä jäähdytysputkea infrapunasäteilyä läpäisevän 30 kammion seinämän jäähdyttämiseksi. Kuitenkin johtuen ilma-jäähdytyksen tehottomuuksista arvellaan, että Jenkinin malli on riittämätön estämään tehokkaasti sumuttumista.
Tämän keksinnön tavoitteena on estää tehokkaasti infrapunaikkunoiden sumuttuminen karbonyylin hajotuskam-35 mioissa.
Il: 93554 3 Tämän keksinnön toisena tavoitteena on estää tehokkaasti sumuttuminen suoritustehon minimaalisella häviöllä.
Keksinnön mukaiselle laitteistolle on tunnusomaista, että infrasäteilyä läpäisevässä ikkunassa on jäähdy-5 tyskanava, joka on täytetty nestemäisellä jäähdytysaaneella, joka on valittu ryhmästä, joka sisältää tetrakloori-etaania ja tetrakloorietyleeniä, jonka nestemäisen jäähdy-tysaineen lämpötila on alempi kuin missä metallikarbonyy-likaasun hajoaminen tapahtuu, mainitun ikkunan jäähdyttä-10 miseksi, jotta estetään metallikarbonyylikaasun hajoaminen infrapunasäteilyä läpäisevällä ikkunalla, ja nestemäinen jäähdytysaine on oleellisesti infrapunasäteilyä läpäisevä infrapunasäteilyn päästämiseksi infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan ja jäähdytyskanavan läpi mainittuun kam-15 mioon alustan kuumentamiseksi säteilyllä. Laitteiston suositeltavat suoritusmuodot on esitetty oheistetuissa patenttivaatimuksissa 2-6.
Keksinnön mukaiselle menetelmälle metallikarbonyylikaasun hajottamiseksi alustalle on tunnusomaista, että 20 se käsittä vaiheet, joissa syötetään alustaa kammioon, joka sisältää metalli-karbonyylikaasua ja jossa on infrapunasäteilyä läpäisevä ikkuna infrapunasäteilyn päästämiseksi kammioon alustan kuumentamiseksi, jolloin infrapunasäteilyä läpäisevässä 25 ikkunassa on jäähdytyskanava, lähetetään infrapunasäteilyä mainitun infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan ja mainitun jäähdytyskanavan läpi alustan kuumentamiseksi lämpötilaan, jossa metallikarbonyylikaasun hajoaminen tapahtuu, 30 jäähdytetään mainittu infrapunasäteilyä läpäisevä ikkuna mainitun jäähdytyskanavan sisällä olevalla nestemäisellä jäähdytysaineella, joka on valittu ryhmästä, joka sisältää tetrakloorietaania ja tetrakloorietyleeniä, metallikarbonyylikaasun hajoamisen estämiseksi mainitulle 35 infrapunasäteilyä läpäisevälle ikkunalle, joka nestemäinen 93554 4 jäähdytysaine on oleellisesti infrapunasäteilyä läpäisevä infrapunasäteilyn päästämiseksi mainitun jäähdytyskanavan läpi kuumentamaan alustaa, ja pidetään mainittu nestemäinen jäähdytysaine sen 5 lämpötilan alapuolella, jossa metallikarbonyylikaasu hajoaa. Menetelmän suositeltavat suoritusmuodot on esitetty oheistetuissa patenttivaatimuksissa 8-10. Kun nestemäistä jäähdytysainetta pidetään lämpötilassa, joka on alle sen, jossa metallikarbonyylikaasu hajoaa, varmistetaan 10 läpinäkyvän ikkunan tehokas jäähdytys.
Kuvio 1 on kaavamainen poikkileikkauskuvanto tämän keksinnön laitteistosta, joka kuvaa jäähdytyskanavia infrapunasäteilyä läpäisevien ikkunoiden läpi;
Kuvio 2 on lämpötila/aikakäyrästö polyuretaanin 15 infrapunakuumennukselle, jossa verrataan erilaisia infrapunasäteilyä läpäiseviä nesteitä käyttäen infrapunasäteilyä läpäiseviä levyjä, jotka on sijoitettu 4 mm:n päähän toisistaan? ja
Kuvio 3 on lämpötila/aikakäyrästö polyuretaanivaah-20 don infrapunakuumennukselle, jossa verrataan erilaisia infrapunasäteilyä läpäiseviä nesteitä käyttäen infrapunasäteilyä läpäiseviä levyjä, jotka on asetettu 5 mm:n päähän toisistaan.
Viitaten kuvioon 1 laitteisto 10 on rakennettu kam-25 miosta 12, jossa on kammion syöttöputki 14 ja poistoputki 16. Metallikarbonyylikaasu tulee kammioon 12, jossa kar-bonyylikaasu hajoaa kuumennetulle alustalle 18 pinnoittaen metallilla alustan 18. Poistokaasut poistetaan poistoput-ken 16 kautta. Alusta 18, kuten polyuretaanivaahto, roh-30 dinkuidut tai -kangas, jotka on valmistettu lasi-, hiili- tai polymeerikuiduista, kulkee jatkuvasti kammion 12 läpi tullen sisään alustan syöttöaukosta 20 ja poistuen alustan poistoaukosta 22 (kuvatussa keksinnön toteutus-muodossa ). Vaihtoehtoisesti keksintöä voidaan käyttää pa-35 nostyyppisiin operaatioihin.
Il 93554 5
Alusta kuumennetaan infrapunalähteillä 24 Ja 32. Infrapunalähde 24 lähettää säteilyä infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan 25 läpi. Infrapunasäteilyä läpäisevä ikkuna 25 on rakennettu ulkolevystä 26, jäähdytyskanavasta 5 28 Ja sisälevystä 30. Samoin infrapunalähde 32 lähettää säteilyä infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan 33 läpi. Infrapunasäteilyä läpäisevä ikkuna 33 on rakennettu ulkolevystä 34, Jäähdytyskanavasta 36 Ja sisälevystä 38. On edullista, että levyt 26, 30, 34 Ja 38 on tehty stabiilis-10 ta lasista tai Jäykästä muovista. Sopivia ikkunamateriaa-leja ovat esimerkiksi: lasi, Jota myydään kauppanimellä Pyrex tai Vycor, kvartsi Ja Jäykät muovit, Joilla on suuri infrapunasäteilyn läpäisevyys Ja pehmenemispiste n. 150°C tai korkeampi.
15 Jäähdytyskanavat 28 Ja 36 rajoittuvat edullisesti tilaan, Joka on levyjen 26 Ja 30 Ja levyjen 34 Ja 38 välissä samassa järjestyksessä. Kuitenkin myönnetään, että Jäähdytyskanavilla 28 Ja 36 voisi olla erilaiset muodot riippuen ikkunoiden 25 Ja 33 mallista. Nestemäinen jäähdy-20 tysaine 40 Jäähdyttää levyt 30 Ja 38 estäen metallikarbo-nyylikaasua hajoamasta levyille 30 Ja 38. Nestemäiset Jäähdytysaineet määritellään miksi tahansa nesteiksi,
Joita voidaan käyttää läpinäkyvien ikkunoiden jäähdyttämiseen ja jotka sallivat riittävän infrapunasäteilyn tunkeu-25 tumisen kammioon alustan kuumentamiseksi kammiossa olevan metallikarbonyylikaasun hajoamislämpötilaan tai sen yläpuolelle. Nestemäinen jäähdytysaine 40 on oleellisesti infrapunasäteilyä läpäisevä infrapunasäteilyn päästämiseksi mainitun ikkunan ja mainitun jäähdytyskanavan läpi mai-30 nittuun kammioon.
Kun metallikarbonyyli hajoaa levyille 30 ja 38, leyt sumuttuvat metallista. Kun tämä tapahtuu, levyille 30 ja 38 kerrostunut metalli kuumenee edelleen, mikä kiihdyttää metallikarbonyylin hajoamista. Tässä vaiheessa alustan 35 metallipinnoitus ei ole enää mahdollista, koska levyille 93554 6 30 ja 38 kerrostunut metalli estää tehokkaasti alustan 18 infrapunakuumennuksen. Ikkunoiden 25 ja 33 sumuttumisesta tulee suurempi ongelma, kun kammiossa 12 oleva metallikar-bonyylikaasu lähestyy hajoamislämpötilaansa. Kuitenkin 5 tämän keksinnön laitteisto ja menetelmä estää tehokkaasti ikkunoiden 25 ja 33 sumuttumisen, kun metallikarbonyyli-kaasu on lähellä hajoamislämpötilaansa.
Nestemäinen jäähdytysaine 40 on pidettävä lämpötilassa, joka on metallikarbonyylikaasun hajoamislämpötilan 10 alapuolella, levyjen 30 ja 38 jäähdyttämiseksi tehokkaasti. Pumppu 42 pakottaa jäähdytysnesteen putkien 43 ja 44 läpi jäähdytyskanaviin 28 ja 36. Infrapunasäteilyä läpäisevä neste virtaa sitten putkien 45 ja 46 läpi radiaat-toriin 48. Radiaattoria 48 käytetään nestemäisen jäähdy-15 tysaineen 40 pitämiseen lämpötilassa, joka estää tehokkaasti levyjen 30 ja 38 sumuttumisen. Radiaattoria 48 voidaan jäähdyttää ilmalla, vedellä, jäävedellä tai millä tahansa muulla jäähdytysaineella.
Nestemäisen jäähdytysaineen 40 valinta on olennai-20 nen laitteiston 10 toiminnalle. Jos neste absorboi liian paljon infrapunaenergiaa, alusta 18 ei kuumene riittävään lämpötilaan eikä karbonyylikaasun hajoamista tapahdu. Samoin infrapunaenergian absorboituminen nestemäiseen jääh-dytysaineeseen 40 huonontaa pinnoitustehoa nostaen käyttö-25 kustannuksia. Seuraava taulukko 1 sisältää luettelon nestemäisistä jäähdytysaineista, joilla odotetaan olevan tarvittava infrapunasäteilyn läpäisevyys ja riittävä lämpökapasiteetti levyjen 30 ja 38 jäähdyttämiseksi.
Il 93554 7
Taulukko 1
Ryhmänimi Vaadittu atomien lukumäärä x)
Alkaanit >. 10-11 hiiltä
Alkeenit 10-11 hiiltä 5 Alkyynit 10-11 hiiltä
Aromaatit >_ 10 hiiltä
Alkoholit > 3 hiiltä + happi
Eetterit _> 10-11 hiiltä + happi
Karboksyylihapot 3 hiiltä + happi 10 Karboksyylihapot 3, 10 tai 11 hiltä + happi
Esterit .> 7 tai 8 hiiltä + happi
Ketonit _> 7 tai 8 hiiltä + happi
Anhydridit 7 tai 8 hiiltä + happi
Amidit 3 hiiltä + happi + typpi 15 Amiinit 7 hiiltä + typpi s) Pienempi halogeenisubstituoiduille yhdisteille.
Läsnä olevien atomien lukumäärää tulee myös rajoit-20 taa, jotta yhdisteet ovat nestemäisiä huoneenlämpötilassa.
Silikonipohjäiset nesteet, kuten Dow Corning-yhtiön tuote Dow Corning 200 Fluid ovat myös tehokkaita. Kuitenkin eräät yhdisteet, jotka ovat kiinteitä huoneenlämpötilassa, toimisivat myös, jos niitä pidettäisiin tarpeeksi korkeas-25 sa lämpötilassa, jotta ne ovat nestemäisiä ja tarpeeksi matalassa lämpötilassa levyjen 30 ja 38 jäähdyttämiseksi tehokkaasti. On edullista, että valittujen nestemäisten jäähdytysaineiden viskositeetti on alle 10 mPa.s ja kiehumispiste yli 100°C tehokkaan jäähdytyksen saavuttamiseksi. 30 Viitaten kuvioihin 2 ja 3 testattiin useita infra- punasäteilyä läpäiseviä nesteitä. Laboratoriokoejärjestelyssä käytettiin ikkunoita, joissa oli kaksi infrapunasä-teilyä läpäisevää lasilevyä, joita myydään kauppanimellä Pyrex ja jotka oli asetettu 6 mm:n päähän toisistaan.
35 Pyrex-levyjen välinen tila täytettiin eri nesteillä. Ku- 8 93554 vion 2 kokeessa käytettiin 4 mm paksuja Pyrex-levyjä ja kuvion 3 kokeessa käytetiin 5 mm paksuja Pyrex-levyjä. Pyrex-levyjen ja koenesteen toisen puolen viereen asetettiin 140 V:n, 440 W:n infrapunalamppu. Infrapunalampun 5 filamentti kuumennettiin 1980°K:n lämpötilaan ja sen aal-lonpituushuippu oli 1,46 pm. Ikkunoiden ja koenesteen vastakkaiselle puolelle sijoitettiin polyuretaanivaahtoalus-ta. Polyuretaanivaahdossa oli lämpöpari, jota käytettiin polyuretaanivaahdon lämpenemisen mittaamiseen.
10 Nestemäisen jäähdytysaineen infrapunasäteilyn transmittanssiaste kasvoi pienimmästä suurimpaan transmit-tanssiin seuraavassa järjestyksessä: vesi, etyleeniglyko-li, etyleeniglykolidiasetaatti, tetrakloorietaani ja tet-rakloorietyleeni. Koe osoitti, että tetrakloorietyleeni ja 15 ilma päästivät suunnilleen yhtä paljon infrapunasäteilyä lävitseen. Kuitenkin johtuen ilman pienestä tiheydestä se ei ole tehokas jäähdytysaine. Tetrakloorietyleeni on osoittautunut tehokkaaksi jäähdytysaineeksi. Tetrakloori-etyleenin lämpökapasiteetti 20°C:ssa on n. 0,904 J/g °C. 20 Käytetyn jäähdytysaineen tulee olla neste, jolla on riittävä lämpökapasiteetti ja riittävä infrapunasäteilyn läpäisevyys. Lämpökapasiteetti 20°C:ssa on edullisesti yli n. 0,4 J/g °C ja kaikkein edullisimmin yli n. 0,9 J/g °C. Ilman lämpökapasiteetti 20°C:ssa on itse asiassa hieman 25 suurempi kuin tetrakloorietyleenin 20°C:ssa, sen lämpökapasiteetin ollessa n. 1,00 J/g°C. Kuitenkin tetrakloorietyleenin tiheys on yli kolme kertaluokkaa suurempi kuin ilman. Tetrakloorietyleenin tiheys on n. 1,623 g/cm3 20°C:ssa, kun taas ilman tiheys on n. 0,00122 g/cm3 30 20°C:ssa. Tämä suurempi tiheys parantaa suuresti lämmön siirtoa, tehden tämän keksinnön infrapunasäteilyä läpäisevistä nestemäisistä jäähdytysaineista ylivoimaisia ilma-jäähdytteisiin menetelmiin verrattuna. Jäähdytys tämän keksinnön infrapunasäteilyä läpäisevillä nestemäisillä 35 jäähdytysaineilla helpottaa ikkunan sumuttumisen tehokasta estämistä.
tl I; 93554 9
Valinnaisesti hiilimonoksidin oleellisesti puhdasta lähdettä tai syöttöä voidaan ajaa venttiilin läpi kammioon, kun metalli kerrostuu kammiossa olevien ikkunoiden sisäseinämille karbonyylin hajotessa. Esimerkiksi kerros-5 tuneen nikkelin poistamiseksi infrapunasäteilylähde pienennetään tilapäisesti ja hiilimonoksidi täyttää kammion.
Kammion sisällä seuraava käänteisreaktio poistaa nikkelin ikkunasta: 10 Ni + 4C0 -> Ni(C0)4
Kuitenkaan keksintöä oikein käytettäessä ei ole välttämätöntä käyttää käänteisreaktiota. Tämän keksinnön laitteisto ja menetelmä ovat tehneet tarpeettomaksi vaati-15 muksen puhdistaa ajoittaisesti infrapunasäteilyllä kuumennettujen karbonyylikammioiden infrapunasäteilyä läpäisevät ikkunat.
Lain edellytysten mukaisesti tässä on valaistu ja kuvattu keksinnön erikoistoteutusmuotoja. Alaan perehty-20 neet oivaltavat, että patenttivaatimusten kattaman keksinnön muotoon voidaan tehdä muutoksia ja että keksinnön tiettyjä piirteitä voidaan käyttää hyväksi käyttämättä vastaavasti muita piireitä.

Claims (10)

93554 10
1. Laitteisto (10) alustan (18) pinnoittamiseksi metallilla, jossa laitteistossa on kammio (12), joka si- 5 sältää alustan (18) ja joka on sovitettu vastaanottamaan metallikarbonyylikaasua ja joka sisältää infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan (25, 33), ja infrapunasäteilylähde (24, 32. infrapunasäteilyn kohdentamiseksi mainittuun kammion (12) mainitun infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan (25, 10 33) läpi kammiossa olevan alustan (18) kuumentamiseksi lämpötilaan, jossa metallikarbonyylikaasun hajoaminen tapahtuu alustan (18) pinnalla, tunnettu siitä, että infrasäteilyä läpäisevässä ikkunassa (25, 33) on jäähdy-tyskanava (28, 36), joka on täytetty nestemäisellä jäähdy-15 tysaineella, joka on valittu ryhmästä, joka sisältää tet-rakloorietaania ja tetrakloorietyleeniä, jonka nestemäisen jäähdytysaineen lämpötila on alempi kuin missä metallikarbonyylikaasun hajoaminen tapahtuu, mainitun ikkunan (25, 33. jäähdyttämiseksi, jotta estetään metallikarbonyyli- 20 kaasun hajoaminen infrapunasäteilyä läpäisevällä ikkunalla (25, 33), ja nestemäinen jäähdytysaine on oleellisesti infrapunasäteilyä läpäisevä infrapunasäteilyn päästämiseksi infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan (25, 33) ja jääh-dytyskanavan (28, 36) läpi mainittuun kammioon (12) alus-25 tan (18) kuumentamiseksi säteilyllä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että infrapunasäteilyä läpäisevä ikkuna (25, 33) sisältää kaksi yhdensuuntaista, erillään olevaa levyä (26 ja 30, 34 ja 38) ja mainittu jäähdytyska- 30 nava (28, 36) rajoittuu levyjen (26 ja 30, 34 ja 38) väliseen tilaan.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että se sisältää lisäksi pumpun (42), joka on yhdistetty mainittuun jäähdytyskanavaan (28, 35 36) nestemäisen jäähdytysaineen syöttämiseksi jäähdytyska- navaan (28, 36). lii 93554 11
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että nestemäinen jäähdytysaine on tetrakloorietyleeniä.
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto, 5 tunnettu siitä, että se sisältää lisäksi hiilimo-noksidikaasun varaston ja venttiilin, joka yhdistää mainitun hiilimonoksidin varaston mainittuun kammioon (12) infrapunasäteilyä läpäisevälle ikkunalle (25, 33) mahdollisesti kerrostuneen metallin ajoittaiseksi poistamiseksi.
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että nestemäisen jäähdytysaineen lämpökapasiteetti 20 °C:ssa on yli n. 0,4 J/g °C.
7. Menetelmä metallikarbonyylikaasun hajottamiseksi alustalle (18), tunnettu siitä, että se käsit-15 tää vaiheet, joissa syötetään alustaa (18) kammioon (12), joka sisältää metallikarbonyylikaasua ja jossa on infrapunasäteilyä läpäisevä ikkuna (25, 33) infrapunasäteilyn päästämiseksi kammioon (12) alustan (18) kuumentamiseksi, jolloin infra-20 punasäteilyä läpäisevässä ikkunassa (25, 33) on jäähdytys-kanava (28, 36), lähetetään infrapunasäteilyä mainitun infrapunasäteilyä läpäisevän ikkunan (25, 33) ja mainitun jäähdy-tyskanavan (28, 36) läpi alustan (18) kuumentamiseksi läm-25 pötilaan, jossa metallikarbonyylikaasun hajoaminen tapah tuu, jäähdytetään mainittu infrapunasäteilyä läpäisevä ikkuna (25, 33) mainitun jäähdytyskanavan (28, 36) sisällä olevalla nestemäisellä jäähdytysaineella, joka on valittu 30 ryhmästä, joka sisältää tetrakloorietaania ja tetrakloori-etyleeniä, metallikarbonyylikaasun hajoamisen estämiseksi mainitulle infrapunasäteilyä läpäisevälle ikkunalle (25, 33), joka nestemäinen jäähdytysaine on oleellisesti infrapunasäteilyä läpäisevä infrapunasäteilyn päästämiseksi 35 mainitun jäähdytyskanavan (28, 36) läpi kuumentamaan alustaa (18), ja g 7 c c /1 12. ui J J 1 pidetään mainittu nestemäinen jäähdytysaine sen lämpötilan alapuolella, jossa metallikarbonyylikaasu hajoaa.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, 5 tunnettu siitä, että se käsittää vaiheen, jossa puhdistetaan metallia mainitulta infrapunasäteilyä läpäisevältä ikkunalta (25, 33) suuntaamalla oleellisesti puhdasta hiilimonoksidia infrapunasäteilyä läpäisevään ikkunaan (25, 33) metallin poistamiseksi ikkunalta (25, 33) 10 metallikarbonyylikaasuna.
9. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että nestemäinen jäähdytysaine on tetrakloorietyleeniä.
10. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, 15 tunnettu siitä, että nestemäisen jäähdytysaineen lämpökapasiteetti 20 °C:ssa on yli n. 0,4 J/g °C. Il· 13 93554
FI905152A 1989-10-19 1990-10-18 Infrapunaikkuna FI93554C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA002001009A CA2001009C (en) 1989-10-19 1989-10-19 Infrared window
CA2001009 1989-10-19

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI905152A0 FI905152A0 (fi) 1990-10-18
FI93554B FI93554B (fi) 1995-01-13
FI93554C true FI93554C (fi) 1995-04-25

Family

ID=4143356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI905152A FI93554C (fi) 1989-10-19 1990-10-18 Infrapunaikkuna

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5145716A (fi)
EP (1) EP0424183B1 (fi)
JP (1) JPH0765175B2 (fi)
CA (1) CA2001009C (fi)
DE (1) DE69002812T2 (fi)
FI (1) FI93554C (fi)
NO (1) NO303231B1 (fi)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2686967B1 (fr) * 1992-02-04 1999-04-09 France Telecom Dispositif de refroidissement d'un four de traitement d'un element et four equipe d'un tel dispositif.
CA2098073C (en) * 1993-06-09 1996-10-08 Paul Anthony Hynek Apparatus and method for measuring the density of metal bearing foam
EP0628706A2 (en) * 1993-06-10 1994-12-14 Inco Limited Catalytic conversion of internal combustion engine exhaust gases
JPH0978239A (ja) * 1994-08-26 1997-03-25 Kyokuto Giken:Kk プラスチック成形型の製造方法
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6284051B1 (en) * 1999-05-27 2001-09-04 Ag Associates (Israel) Ltd. Cooled window
US6559424B2 (en) 2001-01-02 2003-05-06 Mattson Technology, Inc. Windows used in thermal processing chambers
DE60330599D1 (de) * 2003-01-28 2010-01-28 Fluor Corp Konfiguration und verfahren zur carbonylentfernung
US20070283782A1 (en) * 2005-08-10 2007-12-13 Mercuri Robert A Continuous process for the production of nano-scale metal particles
US20070034051A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles
US20070034050A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles formed of non-noble metals
US20070034049A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Continuous process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles
US20070037700A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Continuous process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials
US7794521B2 (en) * 2005-08-10 2010-09-14 Directa Plus Srl Production of chain agglomerations of nano-scale metal particles
US20070036913A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process and apparatus for the production of engineered catalyst materials formed of non-noble metals
US7972761B2 (en) * 2006-08-04 2011-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist materials and photolithography process
US20070036911A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials formed of non-noble metals
US20070286778A1 (en) * 2005-08-10 2007-12-13 Mercuri Robert A Apparatus for the continuous production of nano-scale metal particles
US20070036689A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Production of nano-scale metal particles
EP1940576B1 (en) * 2005-08-10 2012-05-23 Directa Plus S.p.A. Production of nano-scale metal particles
US20070036912A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Continuous process and apparatus for the production of engineered catalyst materials
US20070037701A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials
WO2010056324A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-20 Neos International, Llc Device and method for cooling chips and leds
US20110171399A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-14 General Electric Company Process and apparatus for continuous coating of fibrous materials
DE102010003431B4 (de) 2010-03-30 2019-05-16 Seg Automotive Germany Gmbh Startvorrichtung mit Hohlrad- und Zwischenlagerdämpfung
EP2425916B1 (en) 2010-09-01 2014-11-12 Directa Plus S.p.A. Multiple feeder reactor for the production of nanoparticles of metal
US10410890B2 (en) * 2013-06-21 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Light pipe window structure for thermal chamber applications and processes
US10591221B1 (en) 2017-04-04 2020-03-17 Mainstream Engineering Corporation Advanced cooling system using throttled internal cooling passage flow for a window assembly, and methods of fabrication and use thereof
US11143459B1 (en) 2017-04-04 2021-10-12 Mainstream Engineering Corporation Advanced cooling system using throttled internal cooling passage flow for a window assembly, and methods of fabrication and use thereof

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2649754A (en) * 1949-07-14 1953-08-25 Ohio Commw Eng Co Apparatus for plating metal objects
US2867552A (en) * 1954-06-01 1959-01-06 Ohio Commw Eng Co Metallized filamentary materials
US3213827A (en) * 1962-03-13 1965-10-26 Union Carbide Corp Apparatus for gas plating bulk material to metallize the same
US3900646A (en) * 1973-02-21 1975-08-19 Robert A Clyde Method of plating metal uniformly on and throughout porous structures
US4312794A (en) * 1980-04-02 1982-01-26 Electric Power Research Institute, Inc. Ultra pure tetrachloroethylene dielectric fluid
DE3037205C2 (de) * 1980-10-02 1982-12-16 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München Schutzeinrichtung für optische bzw. IR-Fenster
GB2124253B (en) * 1982-07-02 1985-02-13 Electricity Council Dielectric fluids
JPS6021381A (ja) * 1983-07-12 1985-02-02 Kokusai Electric Co Ltd 光cvd装置の薄膜生成反応炉
US4550684A (en) * 1983-08-11 1985-11-05 Genus, Inc. Cooled optical window for semiconductor wafer heating
JPS60209246A (ja) * 1984-04-02 1985-10-21 Ushio Inc 光化学反応装置
JPS60212220A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Ushio Inc 光化学反応装置
JPS60212221A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Ushio Inc 光化学反応装置
JPS60212225A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Ushio Inc 光化学反応装置
JPS61170573A (ja) * 1985-01-23 1986-08-01 Canon Inc 光cvd装置
JPS62188781A (ja) * 1986-02-15 1987-08-18 Canon Inc 光化学気相成長装置
US4749950A (en) * 1986-03-14 1988-06-07 Farkas Zoltan D Binary power multiplier for electromagnetic energy
US4759950A (en) * 1986-09-26 1988-07-26 Advance Technology Materials, Inc. Method for metallizing filaments
JPS63172421A (ja) * 1987-01-12 1988-07-16 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
US4766665A (en) * 1987-09-11 1988-08-30 Gte Products Corporation Method for machining parts made of tungsten and of tungsten with thoria

Also Published As

Publication number Publication date
FI905152A0 (fi) 1990-10-18
CA2001009C (en) 2000-11-28
NO904512L (no) 1991-04-22
NO303231B1 (no) 1998-06-15
JPH0765175B2 (ja) 1995-07-12
EP0424183B1 (en) 1993-08-18
NO904512D0 (no) 1990-10-18
DE69002812T2 (de) 1993-12-09
CA2001009A1 (en) 1991-04-19
EP0424183A1 (en) 1991-04-24
JPH03134171A (ja) 1991-06-07
FI93554B (fi) 1995-01-13
US5145716A (en) 1992-09-08
DE69002812D1 (de) 1993-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI93554C (fi) Infrapunaikkuna
US3603284A (en) Vapor deposition apparatus
US2516058A (en) Apparatus for plating of metals
WO2004024983A3 (en) Method and apparatus for electroless deposition with temperature-controlled chuck
JP2016516287A (ja) 薄膜堆積反応器及び薄膜層をインサイチューで乾式浄化するプロセス及び方法
US4671952A (en) Vaporizing liquid sulfur dioxide with microwave radiation
CN103290387B (zh) 化学气相沉积反应器过程室清洁方法
CN109292761B (zh) 一种光微波还原氧化石墨烯的方法
WO1991018128A1 (en) Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond
US4042163A (en) Method for the manufacture of a heat exchanger or heat transfer element
JPS6436085A (en) Method and apparatus for forming functional deposition film by microwave plasma cvd method
US4330475A (en) Aerosol direct fluorination method and apparatus
CN101109073A (zh) 用于uv固化系统的富氮冷却空气模块
RU194660U1 (ru) Устройство для газотермического оксидирования металлических изделий
US5479874A (en) CVD diamond production using preheating
US2153644A (en) Method of cooling gases
KR101091973B1 (ko) 열전 박막의 형성 방법 및 열전 박막 제조 장치
JP2006108311A (ja) 気相成長装置
JPS58120510A (ja) 熱分解炭素を析出させる方法
CA2506690A1 (en) Apparatus and process for metal carbonyl vapour deposition
RU194662U1 (ru) Устройство для газотермического оксидирования металлических изделий
CA1234745A (en) Vaporizing liquid sulphur dioxide by microwave radiation
AU2005202460A1 (en) Metal carbonyl vapour deposition apparatus and process
JPH10147870A (ja) 液体原料の気化装置
KR100687010B1 (ko) 저온을 이용한 탄소나노튜브 합성 장치

Legal Events

Date Code Title Description
BB Publication of examined application
FG Patent granted

Owner name: INCO LIMITED