FI85426C - Anordning och foerfarande foer maetning av halten av en gas. - Google Patents
Anordning och foerfarande foer maetning av halten av en gas. Download PDFInfo
- Publication number
- FI85426C FI85426C FI903858A FI903858A FI85426C FI 85426 C FI85426 C FI 85426C FI 903858 A FI903858 A FI 903858A FI 903858 A FI903858 A FI 903858A FI 85426 C FI85426 C FI 85426C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- gas
- radiation
- cathode
- radiation source
- measured
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 46
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003546 flue gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/10—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry
- G01J3/108—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry for measurement in the infrared range
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
- G01N2201/06166—Line selective sources
- G01N2201/06173—IR sources from heated molecular species
Description
85426
Laitteisto ja menetelmä kaasun pitoisuuden mittaamiseksi Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto kaasun pitoisuuden mittaamiseksi.
Keksinnön kohteena on myös menetelmä kaasun pitoisuuden mittaamiseksi.
Keksintö on tarkoitettu käytettäväksi erityisesti kaasujen tai nesteiden pitoisuusmittauksessa käyttäen optista absorptiota.
Tunnetun tekniikan mukaisissa ratkaisuissa käytetään pienikokoisia ja riittävän tehokkaita puolijohde-LED:ejä sekä -lasereita, joiden aallonpituusalue sijoittuu näkyvälle ja lähi-IR-alueelle. Käytetään myös laajakaistaisia halogeeni-hehkulamppuja ja ns. "globar"-lähdettä.
Puolijohde-LED:it ja -laserit ovat erittäin käyttökelpoisia säteilylähteitä absorptiomittauksiin pienen kokonsa ja tehontarpeensa ansiosta. Niiden epäkohtana on se, että aallonpituus ei aina satu mitattavan kaasun tai nesteen absorptiokaistalle. Lisäksi niiden suurin aallonpituus ei juurikaan ylitä 1,5 pm:ä. Hehkulamput ja globar ovat massiivisia ja runsaasti tehoa kuluttavia säteilylähteitä, joiden spektri on lähinnä mustan kappaleen laajakaistaista säteilyä. Tällaisesta säteilystä on halutut aallonpituudet yleensä erotettava suodattimille, jotka tekevät rakenteesta mekaanisesti monimutkaisen, varsinkin, jos suodattimia 1i ikutellaan modulointi tarkoituksessa.
US-patentista 3 725 701 tunnetaan kaasuanalysaattori, jossa tutkittavaa kaasua on pantu säiliöön ja kaasua valaistaan mustan kappaleen emittoimalla infrapunasäteily1lä. Syntyvää fluoresenssisäteilyä käytetään tutkittavan kaasun ilmaisuun. Ratkaisun epäkohtana on se, että siinä tarvitaan runsaasti tehoa kuluttava kuuma musta kappale, joka emittoi säteilyn, jolla mitattava kaasu viritetään. Mitattava kaasu käyttäytyy kuten kapeakaistainen suodin, joka 2 85426 erottaa mustan kappaleen säteilystä halutut aallonpituudet. Mitattavan kaasun säteilyn intensiteetti ei siten voi olla korkeampi kuin virittävän mustan kappaleen säteilyn intensiteetti kyseisellä kapealla kaistalla. Niinpä käytettävä intensiteetti jää pakosta varsin alhaiseksi, murto-osaksi mustan kappaleen kokonaissäteilyintensiteetistä.
EP-patenttihakemuksessa 231 639 on kuvattu valolähderat-kaisu, jossa kaasu viritetään sähköpurkauksella. Ratkaisun epäkohtana on se, että valolähteen sisältämä kaasu ionisoituu sähköpurkauksessa. Ionisaatio tarkoittaa toisaalta kaasun korkeaa lämpötilaa ja Doppler-leviämistä spektri-viivoissa ja toisaalta sitä, että kaasu on reaktiivista ja muuttu ajan mittaan kompositioltaan kemiallisten reaktioiden takia. Valolähteen elinikä jää täten muutamaan tuhanteen tuntiin, vaikka valolähteessä on kaasuvarasto, joka puolestaan tekee valolähteestä suurikokoisen.
Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä kuvatun tekniikan puutteellisuudet ja aikaansaada aivan uudentyyppinen laitteisto ja menetelmä kaasun pitoisuuden mittaamiseksi.
Keksintö perustuu siihen, että säteilylähde sisältää samanlaisia molekyylejä kuin tutkittavassa aineessa on, jolloin säteilylähteen emittoima valo sisältää juuri oikeat aallonpituudet. Säteilevää kaasua ei ionisoida ja dissosi-aatio pidetään minimaalisena. Keksinnön mukaisesti emittoivan kaasun vibraatio- ja rotaatiotilat viritetään sopivassa paineessa elektronipommituksella.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle laitteistolle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
Keksinnön mukaiselle menetelmälle puolestaan, on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 5 tunnusmerkkiosassa .
3 85426
Keksinnön avulla saavutetaan merkittäviä etuja.
Koska keksinnön mukaisen säteilylähteen elektroniemitteri on termiseltä teholtaan erittäin pieni, tyypillisesti n. 150 mW, kaasutäytteinen ontelo on matala, eikä ionisaa-tiota tapahdu, pysyy kaasun ja samalla koko pienikokoisen säteilylähteen lämpötila lähellä ympäristön lämpötilaa. Tästä seuraa, että valoaallon viivanleveys on kapea, koska Dopp1er-siirtymä on pienempi kuin kaasun ollessa kuuma, kuten asian laita on purkausputkissa. Absorptiomittauksen kannalta alhaisen lämpötilan säilyttäminen mittauksessa on edullista, koska mitattava kaasu on yleensä lähellä huoneen lämpötilaa ja sen absorptioviiva on kapea. Toisaalta, mikäli säteilylähde ympäristön korkean lämpötilan vuoksi lämpenee esimerkiksi savukaasujen mittauksen yhteydessä, ei lämpenemisestä aiheutuvalla viivanleveyden kasvulla ole mainittavaa mittaustarkkuutta heikentävää vaikutusta, koska myös mitattavan kaasun viivanleveys kasvaa vastaavasti. Pienikokoinen mittauslaitteisto on myös helposti asennettavissa itse mitattavan kaasun ympäröimäk-si.
Pii-lasi rakenteiselle säteilylähteelle on ominaista, että se voidaan rakentaa osaksi integroitua optista rakennetta, jossa optisten aaltoputkien materiaalina on pii. Käyttökelpoinen aallonpituusalue alkaa tällöin noin 1 pm:stä ja jatkuu pidemmille aallonpituuksille piin IR-läpäisyn mukaan. Käytännössä tärkeä alue, noin 1 pm -12 pm on saavutettavissa keksinnön mukaisella rakenteella. Alle 1 pm:n aallonpituudet synnytetään keksinnön vaihtoehtoisilla ratkaisuilla.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa tarkastelemaan oheisen piirustusten mukaisten suoritusesimerkkien avulla.
Kuvio 1 esittää halkileikattuna sivukuvantona keksinnön mukaista säteilylähdettä.
4 o b 4 2 6
Kuvio 2 esittää yläkuvantona kuvion 1 mukaisen säteily-lähteen runko-osaa.
Kuvio 3 esittää halkileikattuna sivukuvantona antiheijas-tuskalvoi 1 la varustettua vaihtoehtoista keksinnön mukaista säteilylähderatkaisua.
Kuvio 4 esittää halkileikattuna sivukuvantona näkyvälle ja lähi-IR alueelle tarkoitettua keksinnön mukaista säteily-lähde ratkaisua .
Kuvio 5 esittää halkileikattuna sivukuvantona virtaavaa kaasua varten tarkoitettua keksinnön mukaista säteilylähdettä .
Kuvio 6 esittää halkileikattuna sivukuvantona referenssi-kanavalla varustettua keksinnön mukaista mittausjärjestelyä.
Säteilylähde voidaan tehdä yksikiteisestä piistä ja lasista käyttäen tunnettuja pii-mikromekaanisia menetelmiä. Näitä ovat lasin sähköstaattinen liittäminen piihin, piin anisotrooppinen syövytys sekä ohutkalvometalloinnit. Tarkoitukseen sopiva pii on esimerkiksi P-tyyppinen, (100)-orintoitu ja paksuudeltaan 0,4 mm - 1,3 mm. Valmistaminen tehdään kiekkotasolla. Runko-osa 10 muodostuu piikerrok-sesta 1 ja lasikerroksesta 2. Väliosa 20 on piitä ja kan-siosa 30 muodostuu piikerroksesta 4 ja lasikerroksesta 5. Piikerroksen 1 ja väliosan 20 resist!ivisyys voi olla tyypillisesti alueella 0,01 Ω cm - 1 Ω cm. Kansiosan piikerroksen 4 resistiivisyys voi olla suurempikin kuin 1 Ω cm, jotta säteilyn absorptio siihen jäisi pieneksi. Runko-osan 10 valmistamiseksi bondataan piikiekon yläpinnalle esim. Corning 7070 lasikiekko 2, joka ohennetaan 100 pm - 200 pm:n paksuuteen esimerkiksi timanttihionnalla. Tämän jälkeen lasipinta 2 kiillotetaan mahdollisen läppäyksen jälkeen. Tämän jälkeen lasikerrokseen syövytetään kuopat 6 ja 5 «5426 7 esimerkiksi BHF:llä, jolloin katodina toimiva hehkulanka 9 tulee jäämään itsekantavaksi kuopan 7 kohdalla. Seu-raavaksi tehdään apujohtimet 8 normaalilla ohutkalvometal-loinnilla käyttäen mekaanista maskia. Apujohtimien tehtävänä on muodostaa sähkökontakti aukon 6 kautta runko-osaan 1 ja toisaalta puristus/dif fuusioiiitoksen kautta vä-liosaan 20. Hehkulanka 9 voidaan tehdä esimerkiksi volfra-mista syövyttämällä se ohuesta pellistä (lead-frame tekniikka). Hehkulanka kiinnitetään apujohtimiin 8 esimerkiksi ultraäänihitsauksella. Katodina voidaan käyttää myös ns. kenttäemissiokatodia, jollainen on kuvattu kirjassa 1. Brodie and J.Muray, The physics of microfabrication", Plenum Press, 1983. Väliosaan 20 tehdään ensin aukot normaaleilla pii-mikromekaanisi1 la menetelmillä syövyttäen pii-kiekko puhki joko toiselta tai molemmilta puolilta ja sitten kontaktimetallointi 13 käyttäen mekaanista maskia. Kansiosan 30 muodostavan piikiekon pintaan bondataan ensin lasikiekko 5, joka kiillotetaan samalla tavoin kuin la-siosa 2. Seuraavaksi syövytetään lasiin 5 kuoppa piihin asti. Onkalo 12 syntyy syövyttämällä esimerkiksi KOH:lla piiosaa 4 anisotrooppisesti lasissa olevan kuopan kohdalla, kunnes kuopan pohjan paksuus on n. 100 pm. Kuopan pohja toimii säteilylähteen optisena ikkunana 15. Kontaktime-tallointi 11 tehdään seuraavaksi. Tämän jälkeen kaikki kolme kiekkoa 10, 20 ja 30 bondataan yhteen esimerkiksi sähköstaattisella bondauksella. Bonderissa on samaan aikaan haluttu kaasuseos sopivassa paineessa, jolloin chi-pin sisälle jää oikea seos ja paine. Lopuksi kiekkopaketti 10, 20, 30 sahataan chipeiksi. Jännite hehkulankaan tuo daan väliosan 20 kontaktin 13 ja runko-osan 1 kontaktin 3 kautta. Käytetty hehkuteho vaihtelee välillä 100 - 200 mW, sopivimmin n. 150 mW. Katodina toimivan hehkulangan 9 ja anodina toimivan kansiosan 4 välille järjestetään pienjän-nite, jonka suuruus on n. 0,5 - 5 volttia. Jännitteen suuruus on riippuvainen mm. käytetystä täytekaasusta. Anodin 4 ja katodin 9 välinen jännite määrää viritystapahtuman voimakkuuden, niinpä keksinnön mukaisesti on oleellista säilyttää jännite alhaisena, jottei viritettävän kaasun β 65426 ionisaatiota tapahdu. Säteilylähdechipin koko voi olla esimerkiksi 3*3*4 mm3 ja se voidaan asentaa esimerkiksi TO-5 koteloon sellaisella die-bonding tekniikalla, jossa runko-osa 1 tekee sähköisen kontaktin mainittuun metal-likoteloon. Kotelon kanteen tehdään sopivan kokoinen reikä valoa varten.
Koska piin taitekerroin on n. 3,5 lähi-IR alueella, tapahtuu rajapinnoilla voimakas heijastus, joka on noin 30 % rajapintaan tulevasta intensiteetistä. Heijastusta voidaan tuntuvasti pienentää käyttämällä kuvion 3 mukaisia anti-heijastuskalvoja 31 ikkunan 15 molemmilla rajapinnoilla.
Joissakin tapauksissa saattaa haluttu aallonpituus olla näkyvällä alueella, jota pii-ikkuna ei läpäise. Tällöin voidaan käyttää kuvion 4 mukaista rakennetta, jossa pii-ikkuna on korvattu lasi-ikkunalla 40. Lasi-ikkuna 40 läpäisee valoa tyypillisesti alueella 0,3 - 3 pm. Sähköinen kontakti tehdään kansiosan johtavilla pii-alueilla 44 olevilla metalloinneilla 42.
Säteilylähdettä voi käyttää myös systeemissä, jossa kaasu virtaa. Tällöin kuvion 5 mukaisesti säteilylähde kiinnitetään virtausputkeen 60, jossa ylläpidetään säteilylähteen edullisen toiminnan mukaista painetta. Runko-osaan 62 tehdään tässä muunnelmassa läpivientireikä 64. Runko-osan 62 yläpuolelle järjestetään esimerkiksi kuvion 1 mukaiset väli- ja kansiosat. Säteilevän valon aallonpituudet ja intensiteetti riippuvat putkessa kulkevan kaasun laadusta ja konsentraatiosta, joten kuvion mukaisella ratkaisulla voidaan tutkia/valvoa kaasuputken sisältöä tosiaikaisesti.
Keksinnön edul1isimmassa suoritusmuodossa säteilylähdettä käytetään kaksikanavaisessa absorptiomittauksessa kuvion 6 mukaisesti. Säteilylähteen 70 intensiteettiä moduloidaan esimerkiksi muuttamalla sen anodi jännitettä esimerkiksi kilohertsin taajuudella, jolloin mittaussysteemin hitaat ryöminnät (drift) eivät vaikuta. Käytännössä modulointi 7 85426 toteutetaan amplitudimodulointina siten, että anodijännite kytketään puolijaksoksi maahan ja toisen puolijakson anodi on normaalijännitteessään (0,5 - 5 V). Anodin ja katodin välinen polariteetti ei siis muutu. Referenssikanavan 75 tarkoituksena on eliminoida säteilylähteessä 70 tapahtuvat muutokset siten, että mittauskanavan signaali suhteutetaan referenssikanavan 75 signaaliin. Referenssikanava 75 ei sisällä mitattavaa kaasua 79. Mittauskanavan ilmaisimen 74 sekä referenssikanavan ilmaisimen edessä olevilla suodattimi 1la 76 voidaan tarvittaessa valita joku tietty säteilylähteen aallonpituus. Mitattavan kaasun 79 lämpötila Tj on likimain säteilylähteen 72 ja samalla tämän täytekaasun lämpötilan Tg suuruinen.
Keksinnön mukaisen säteilylähteen kaasutäyte voi olla myöskin kaasuseos, jolloin aallonpituusvalikoima ja hyötysuhde kasvavat.
Säteilylähde voidaan rakentaa piistä ja lasista, jolloin aina rakenteen mukaan saadaan aallonpituuksia lähi-UV:sta keski IR-alueelle saakka.
Molekyylien vibraatio- ja rotaatiotilojen asemasta voidaan käyttää normaaleja atomien viritystiloja, jolloin valo on vastaavasti lyhytaaltoisempaa.
Claims (10)
1. Laitteisto kaasun (79) pitoisuuden mittaamiseksi, joka laitteisto käsittää - säteilylähteen (70) säteilyn kohdistamiseksi mitattavaan kaasuun (79), joka säteilylähde (70) käsittää - anodin (4) ja katodin (9), sekä emittoivana kaasuna samaa kaasua kuin mitattava kaasu (79), ja - säteilynilmaisimen (74), jolla kaasun (79) läpäissyt säteily on ilmaistavissa, tunnettu siitä, että - katodi (9) toimii elektroniemitterinä, ja - anodin (4) ja katodin (9) välille on kytketty niin matala jännite, että emittoitava kaasu ei ionisoidu eikä . oleelliseti dis-sosioidu.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto tunnettu siitä, että katodi (9) on hehkulanka.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto t unn et tu siitä, että katodi (9) on kenttäemis-siokatodi.
4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laitteisto tunnettu siitä, että anodin (4) ja katodin (9) välille on järjestetty alle 5 V:n jännite.
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laitteis- 9 35426 to tunnettu siitä, että säteilylähde (70) on valmistettu piikerrosrakenteesta (10, 20, 30), jonka sisälle säteilyn lähteenä toimiva kaasu on järjestetty kerrosten yhdistysvaiheessa.
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laitteisto tunnettu siitä, että säteilylähteen (70) sätei-lyikkunana (15) toimii piirakenne.
7. Menetelmä kaasun pitoisuuden ilmaisemiseksi, jossa menetelmässä kohdistetaan mitattavaan kaasuun säteilyä, - kaasun läpäissyt säteily ilmaistaan, tunnettu siitä, että säteily synnytetään virittämällä ionisoimatta samaa kaasua kuin mitattava kaasu käyttämällä matalajännitteistä elektroniemittoin-t ia.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, t unnettu siitä, että emittoivan kaasun vibraatio-ja rotaatiotilat viritetään hehkulangan avulla.
8 85426
9. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä t un nett u siitä, että emittoiva kaasu viritetään elektroniemitteri1lä (9), jonka terminen teho on n. 100 -200 mW, sopivimmin n. 150 mW.
10. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä tunnettu siitä, että anodin (4) ja katodin (9) välille muodostetaan korkeintaan 5 V:n jännite.
10 H 5 4 2 6
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI903858A FI85426C (fi) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | Anordning och foerfarande foer maetning av halten av en gas. |
| EP19910306271 EP0469733A3 (en) | 1990-08-03 | 1991-07-11 | Apparatus and method for measuring gas concentrations |
| US07/731,971 US5160843A (en) | 1990-08-03 | 1991-07-18 | Apparatus and method for measuring gas concentrations |
| JP3216644A JPH04250337A (ja) | 1990-08-03 | 1991-08-02 | 気体集束作用を測定するための装置および方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI903858A FI85426C (fi) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | Anordning och foerfarande foer maetning av halten av en gas. |
| FI903858 | 1990-08-03 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI903858A0 FI903858A0 (fi) | 1990-08-03 |
| FI85426B FI85426B (fi) | 1991-12-31 |
| FI903858A FI903858A (fi) | 1991-12-31 |
| FI85426C true FI85426C (fi) | 1992-04-10 |
Family
ID=8530879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI903858A FI85426C (fi) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | Anordning och foerfarande foer maetning av halten av en gas. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5160843A (fi) |
| EP (1) | EP0469733A3 (fi) |
| JP (1) | JPH04250337A (fi) |
| FI (1) | FI85426C (fi) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2264169B (en) * | 1992-02-07 | 1995-08-02 | Alan John Hayes | Fluid monitoring |
| US5510269A (en) * | 1992-11-20 | 1996-04-23 | Sensors, Inc. | Infrared method and apparatus for measuring gas concentration including electronic calibration |
| FR2713770B1 (fr) * | 1993-12-10 | 1996-02-09 | Sextant Avionique | Procédé et appareil de mesure optique de la pression d'un mélange gazeux. |
| KR100260957B1 (ko) * | 1995-12-28 | 2000-07-01 | 츠치야 히로오 | 박판형상의 기판 이송방법 및 이송장치 |
| US6124145A (en) | 1998-01-23 | 2000-09-26 | Instrumentarium Corporation | Micromachined gas-filled chambers and method of microfabrication |
| US6586885B2 (en) * | 2001-08-20 | 2003-07-01 | Motorola, Inc. | MHCD and microfluidic apparatus and method |
| DE10342800A1 (de) * | 2003-09-16 | 2005-04-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Absorption und/oder Emission von Strahlung, Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung und Verfahren zur Analyse von Fluiden |
| DE102007029536A1 (de) * | 2007-06-25 | 2009-01-02 | GEA Process Engineering (NPS) Ltd., Eastleigh | Vorrichtung zur optischen Messung von Stoffkonzentrationen |
| US8785874B2 (en) | 2010-12-30 | 2014-07-22 | Walter Kidde Portable Equipment, Inc. | Ionization window |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3249754A (en) * | 1962-03-26 | 1966-05-03 | Beckman Instruments Inc | Double beam fluorometer using an alternately activated double beam lamp |
| US3600091A (en) * | 1970-05-13 | 1971-08-17 | Atomic Energy Commission | Bright-line emission source for absorption spectroscopy |
| US3725701A (en) * | 1971-10-26 | 1973-04-03 | Andros Inc | Fluorescent source non-dispersive infrared gas analyzer |
| IN142576B (fi) * | 1974-03-04 | 1977-07-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| US4274063A (en) * | 1976-12-30 | 1981-06-16 | Ali Javan | Infrared spectroscopic lamps and gas detectors incorporating such lamps |
| IL77494A (en) * | 1986-01-01 | 1989-12-15 | Irad Technologies Ltd | Gas analyzer |
| US4780613A (en) * | 1986-09-22 | 1988-10-25 | Spectral Sciences, Inc. | Infrared species specific emission source |
| US4721885A (en) * | 1987-02-11 | 1988-01-26 | Sri International | Very high speed integrated microelectronic tubes |
| US4967089A (en) * | 1987-11-19 | 1990-10-30 | Honeywell Inc. | Pulsed optical source |
-
1990
- 1990-08-03 FI FI903858A patent/FI85426C/fi not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-07-11 EP EP19910306271 patent/EP0469733A3/en not_active Withdrawn
- 1991-07-18 US US07/731,971 patent/US5160843A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-02 JP JP3216644A patent/JPH04250337A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI85426B (fi) | 1991-12-31 |
| EP0469733A2 (en) | 1992-02-05 |
| JPH04250337A (ja) | 1992-09-07 |
| FI903858A0 (fi) | 1990-08-03 |
| EP0469733A3 (en) | 1992-05-27 |
| FI903858A (fi) | 1991-12-31 |
| US5160843A (en) | 1992-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10890533B1 (en) | Spectroscopic chemical analysis methods and apparatus | |
| KR100508666B1 (ko) | 개량된 형광 감지 장치 | |
| US4687329A (en) | Spectrophotometer | |
| US8351032B2 (en) | Radiation generation device for generating electromagnetic radiation having an adjustable spectral composition, and method of producing same | |
| FI85426C (fi) | Anordning och foerfarande foer maetning av halten av en gas. | |
| US8395770B1 (en) | Spectroscopic chemical analysis methods and apparatus | |
| JPH10503288A (ja) | 空洞内レーザースペクトル測定法（ｉｌｓ）による長高感度ガス検出のためのダイオード・レーザーポンプ線形空洞レーザーシステム | |
| JPS59206745A (ja) | 赤外吸収ガス検出モニタヘツドおよび検出器 | |
| CA1186402A (en) | Flow type photoacoustic detector | |
| US5668376A (en) | Double radiation source assembly and transducer | |
| WO1980000273A1 (en) | Sample introduction system for flameless emission spectroscopy | |
| CN109490750B (zh) | 一种检测led芯片的仪器和方法 | |
| CN108139322A (zh) | 具有非暴露电极的气体放电单元中的示踪气体的光学检测 | |
| CA2326626C (en) | Method and apparatus for analysis of gas compositions | |
| US4446719A (en) | Electroreflectance vibrational spectroscopy | |
| JPS6049857B2 (ja) | 視界測定装置 | |
| US3489942A (en) | Resonance spectral lamp | |
| JP4636311B2 (ja) | 紫外線（ｕｖ）光の強度を測定するための装置及び方法 | |
| JP3683461B2 (ja) | キセノンエキシマランプの光強度測定装置 | |
| JP3347264B2 (ja) | 濃度分析計 | |
| JP2005520132A (ja) | サンプルの特性パラメータを偏光測定する方法と装置 | |
| US3503686A (en) | Atomic absorption spectrophotometer | |
| US11815452B2 (en) | Gas sensor device and method of manufacturing the same | |
| JPH08233650A (ja) | 真空紫外光検出器 | |
| US3504216A (en) | Resonance lamp for atomic absorption spectroscopy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: VAISALA OY |