FI78782B - Foerfarande foer framstaellning av ett piezoresistivt motstaondselement samt en anordning som tillaempar foerfarandet och en med foerfarandet framstaelld givare speciellt en tryckgivare eller motsvarande. - Google Patents
Foerfarande foer framstaellning av ett piezoresistivt motstaondselement samt en anordning som tillaempar foerfarandet och en med foerfarandet framstaelld givare speciellt en tryckgivare eller motsvarande. Download PDFInfo
- Publication number
- FI78782B FI78782B FI860120A FI860120A FI78782B FI 78782 B FI78782 B FI 78782B FI 860120 A FI860120 A FI 860120A FI 860120 A FI860120 A FI 860120A FI 78782 B FI78782 B FI 78782B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- growth
- substrate
- laser
- laser beam
- gas
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
- H01C10/10—Adjustable resistors adjustable by mechanical pressure or force
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
- G01L1/2293—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges of the semi-conductor type
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
78782 1 Menetelmä pletsoreslstllvlsen vastuselementin valmistamiseksi sekä menetelmää soveltava laite ja menetelmällä valmistettu anturi etenkin paineanturi tai vastaava.
Förfarande för framställnlng av ett piezoresistlvt motständselement samt 5 en anordning som tillämpar förfarandet och en med förfarandet framställd givare speciellt en tryckgivare eller motsvarande 10 Keksinnön kohteena on menetelmä pietsoresistiivisen vastuselementin valmistamiseksi, jolla menetelmällä eristesubstraatille tehdään kemiallisena kaasufaasikasvatuksena pietsoresistiivinen vastuselementtl tai -elementit.
15 Keksinnön kohteena on myös keksinnön menetelmän toteuttamiseen tarkoitettu laitteisto.
Keksinnön kohteena on lisäksi keksinnön menetelmällä ja/tai laitteella valmistettu anturi.
20
Pietsoresistlivisessä paineantureissa, voima-antureissa tai vastaavissa käytetään ennestään tunnetusti mittavastuselementteinä jonkin sopivan eristekiteen esim. keinotekoisen safiirin pinnalle epitaktisestl kasvatettuja puolijohdenauhoja tai -kuvioita. Vastuselementtien materiaalina 25 voi olla joko pii, germanium tai jokin muu puolijohde, jolla on sopivat pietsoresistiiviset ominaisuudet ja joka voi muodostaa epitaktisen eril-liskidekerroksen kyseisen eristekiteen kuten safiirin pinnalle. Mainittujen mittavastuselementtien ennestään tunnettu valmistusmenetelmä on vastuskuvion muodostaminen fotolitograafisesti yhtenäisestä epitakti-30 sesta puolijohdekerroksesta ennestään tunnetuilla menetelmillä.
Esimerkiksi eräästä ennestään tunnetusta paineanturista, joka tulee kyseeseen keksinnön mukaisessa menetelmässä, viitataan FI-patenttihake-mukseen no 810667 (hakupäivä 3.3.1981) sekä vastaavaan US-patenttiin no 35 A 373 399 (myönnetty 15.2.1983). Lisäksi tekniikan tason osalta viitataan US-patenttiin A 127 8A0. Näissä viitteissä on esitetty puolijohde-paineanturi, joka sisältää mittavasfuksen, jona on yksikiteinen safiiri-alustalle valmistettu, johtavuudeltaan p-tyypin piierä valmistettu jän- 2 78782 1 nitysanturi tai differentiaalipiiri. Mainitussa vastuselementin piissä 19 20 -3 on aukkojen tiheys välillä 3,3 x 10 -3 x 10 cm . Edellä esitettyihin patenttijulkaisuihin on viitattu vain eräänä esimerkkinä siitä millaisiin sovellutuksiin tämä keksintö voi liittyä.
5
Edellä mainittu tunnettu litografiameneteImä kyseisten vastuselementtien valmistamiseksi on teknisesti vaativa ja monivaiheinen prosessi, jonka laitekustannukset tulevat huomattavan suuriksi.
10 Esillä olevan keksinnön tarkoituksena onkin aikaansaada uusi menetelmä, sillä valmistettu vastuselementti ja menetelmää soveltava laite, jolla laitekustannuksia voidaan olennaisesti pienentää jopa noin yhdellä kertaluokalla.
15 Tarkoituksena on myös aikaansaada sellainen uusi menetelmä ja laite, joiden yksinkertaisuutta el ole tarvinnut aikaansaada valmistettavan tuotteen ominaisuuksien tai laadun kustamuiksella.
Lisäksi keksinnön tarkoituksena on aikaansaada menetelmä ja laite, jossa 20 anturiin tarvittavat metallijohdotukset voidaan tehdä samalla menetelmällä ja tarvittaessa samassa yhteydessä.
Edellä esitettyihin ja myöhemmin selviäviin päämääriin pääsemiseksi keksinnölle on pääasiallisesti tunnusomaista se, että mainittu vastusele-25 mentti tai -elementit kasvatetaan erilliskiteiselle eristesubstraatille laserkaasufaasikasvatuksena siten, että laservalolla eristesubstraattia kuumennetaan paikallisesti ja täten kasvatuskaasumolekyylejä hajotetaan termisesti erlstesubstraatin pinnalle, jolloin kasvatuskaasusta vastus-elementiksi syntyy pääosiltaan erllliskiteinen puolijohdenauha tai 30 -kuvio, jolla on tietty kideorientaatio, jonka eristesubstraattl määrää ja että eristesubstraattia ja vastuselemeuttikuviota "piirtävää" lasersädettä siirretään toistensa suhteen halutun vastuskuvion kasvattamiseksi .
35 Keksinnön mukaiselle laitteelle on puolestaan pääasiallisesti tunnusomaista se, että laite käsittää kombinaationa kasvatuskammion, jossa on imupumppuun kytkettävä imuyhde sekä yhteet kasvatuskaasun tuontia ja poistoa varten, 3 78782 1 laseryksikön, jolla on kohdistettavissa ja fokusoitavissa lasersäde kas-vatussubstraat11 le, substraattialustan, jolle kasvatussubstraatti on kiinnitettävissä, 5 laitteet, joilla on aikaansaatavissa suhteellinen liike kasvatusalustan ja lasersäteen fokuksen kesken vastuskuvlon piirtämiseksi kasvatussubstraa-tille, ja 10 ohjausyksikön, jolla on ohjattavissa laserin toimintaa sekä substraatti-alustan ja lasersäteen fokuksen keskinäistä liikettä.
Keksinnön mukaiselle vastuselementille on puolestaan pääasiallisesti 15 tunnusomaista se, että anturi käsittää keinotekoiselle safiirikalvolle tai vastavalle eristeainesubstraatille laserkaasufaasikasvatuksella tehdyn vastuskuvioinnin joka vastuskuviointi on muodostettu pääosiltaan erilliskitelsistä pllnauhoista, tai vastaavista puolijohdenauholsta joiden orientaatio on eristesubstraatin määräämä.
20
Keksinnön menetelmässä ja laitteessa sovellettava puolijohteen laserkaa-sufaasikasvatus, LCVD Laser chemical vapor deposition, on ennestään tunnettu prosessi, jonka osalta viitataan esimerkkinä seuraaviin julkaisuihin: Journal of Crystal Growth 22 (1974) 125-148, (H.M. Manasevit) "A 25 survey of the heteroepltaxial growth of semiconductor films on Insulating substrates"; D.J. Ehrlich and J.Y. Tsao, "A review of laser-mlcroche-mical processing"; ja Brit.J.Appi.Phys., 1976, Vol. 18, (J.D. Fllby and Nielsen) "Single-crystal films of silicon on insulators".
30 Keksinnön mukaisesti ovat puolijohtelset vastuskuviot muodostettavissa suoraan laserkaasufaasikasvatuksella (LCVD) niin, että kasvatetaan vain halutun vastuskuvlon muotoinen epltaktlnen puolijohdekldenauha lasersädettä ja kasvatusalustaa toisllnsä nähden sopivasti siirtämällä. Keksinnön menetelmän mukainen piin heteroepltaktinen kaasufaasikasvatus (LCVD) 35 tapahtuu esimerkiksi siten, että sopivaa kaasumaista puolijohdeyhdistet-tä esimerkiksi silaania hajotetaan laserin avulla korotetussa lämpötilassa substraatin pinnalla. Substraattina on esimerkiksi o(-alumiinioksi-dikide eli keinotekoinen safiiri, kvartsi tai spinelli.
a 78782 1 Keksinnön mukaisen menetelmän avulla aikaansaatu kaasufaasikasvetus ei luonteeltaan ratkaisevasti poikkea piin homoepitaktisesta laserkasvatuk-sesta, jota on käsitelty esimerkiksi seuraavassa viitteessä D. Bauerle et ai: Appi Phys. A 30 147-149 (1983). Eräs tärkeä ero on kuitenkin se, 5 että safiiri on hyvin läpinäkyvää käytetyillä aallonpituuksilla, joten sen lämmittäminen laserilla perustuu pääasiallisesti pinnalle jo kasvaneen piin tai vastaavan kykyyn absorboida riittävästi säteilyä niin, että prosessi saadaan jatkuvaksi. Keksinnön puitteissa on myös mahdollista, että kasvatus suoritetaan sellaiselle substraatin pinnalle, jossa 10 on jo valmiina tasavahva piikerros tai vastaava, joka myöhemmin syövytetään pois. Lämpötilan on kasvamiskohdassa oltava paikallisesti varsin korkea (noin 1300..1400°C), jotta saataisiin syntymään erilliskiteistä piitä tai vastaavaa. Jotta ei syntyisi lilan suuria lämpötilaeroja, voidaan tarvittaessa käyttää substraatin esilämmitystä.
15
Keksinnön mukaisesti anturin vastuskuvio muodostetaan liikuttamalla lasersädettä substraatin pintaan nähden asetetun ohjelman mukaan. Säätämällä kasvatuskaasun esim. sllaanln painetta, laserin tehoa, sen kohdistus ja/tai lasersäteen liikkumisnopeutta voidaan vaikuttaa kasvavan 20 puolijohdenauhan paksuuteen, leveyteen ja laatuun. Lisäksi säätöparamet-rina voidaan tarvittaessa käyttää substraatin mainittua esilämmitystä. Seuraavassa keksintöä selostetaan yksityiskohtaisesti viittaamalla oheisen piirustuksen kuvioissa esitettyihin keksinnön eräisiin sovellutus-eslmerkkeihin, joiden yksityiskohtiin keksintöä ei ole mitenkään ahtaas- 25 ti rajoitettu.
Kuvio 1 esittää, osittain lohkokaaviona, keksinnön mukaista menetelmää soveltavaa laitteistoa.
30 Kuvio 2 esittää keskeistä aksiaalileikkausta keksinnön mukaisesta piet-soresistiivisestä paineanturista.
Kuvio 3 esittää samaa kuin kuvio 2 päältäpäin nähtynä.
35 Kuvio 4 havainnollistaa kaaviollisena sivukuvana keksinnön mukaista vas-tuskuvion kasvatustapahtumaa.
5 78782 1 Kuvio 5 esittää samaa kuin kuvio 4 päältäpäin nähtynä.
Kuviossa 1 esitetty laserkasvatuslaitteisto käsittää laserin 10 esim.
Nd: YAG, jolla peilin 11 välityksellä kohdistetaan lasersäde LB optiikan 5 18 kautta eristesubstraatllle 20, johon vastuskuvlo 35 kasvatetaan.
Laitteisto käsittää kammion 12, jota evakuoidaan lmupumpulla 16 yhteen 17 välityksellä. Kammio 12 on liitetty yhteisiin 14, 15, joista yhteen 14 kautta syytetään (G^) kammion sisään piitä sisältävää kaasua, esim. silaanla (SiH^). Kasvatuskaasua kierrätetään kammiossa 12 imemällä 10 (G ) sitä yhteen 15 kautta. Kasvatuskaasun paine on esim. p - 0,1 bar. Kasvatuskammion 12 sisälle on sovitettu alusta 19, jota liikutetaan laitteilla 21 ja 22. Laitteet 21 ja 22 voivat olla esim. sinänsä tunnettuja x-y-koordinaattimekanismeja. Laitteiston toimintaa ohjaa ohjausyksikkö 25 asetetun ohjelman mukaisesti. Ohjausyksikkö 25 valvoo laserin 15 10 toimintaa sekä alustan 19 liikkeen ohjausyksikköä 24, joka puolestaan ohjaa alustan 19 siirtomekanismin 21,22 toimilaitetta 23. Alustan 19 yhteydessä on lämmitysvastus 27, johon syöttää säädettävissä olevaa läm-mitysvirtaa lämmitysyksikköön 26, joka on tarvittaessa ohjausyksikön 25 ohjaama.
20
Kammion 12 seinämässä on laserin 10 valoa mahdollisimman hyvin läpäisevä Ikkuna 13. Alustalle 19 on kiinnitetty substraatiksi 20 esim. kiillotettu safiirikide, jolle vastuskuvion 35 kasvatus tapahtuu. Lasersäde LB on optiikan 18 avulla kohdistettu niin, että säteen LB polttopiste osuu 25 juuri safliriklteen 20 pintaan. Kidettä 20 lämmitetään alustan 19 lämmi-tyslaitteella 26,27 esim. lämpötilaan n. T ·= 200°C - 600°C.
Keksinnön mukainen menetelmä toimii seuraavasti. Kun lasersäteen LB fokus L osuu eristesubstraatln 20 esim. safliriklteen pinnalle, sille 30 alkaa paikallisesti kohonneen lämpötilan ansiosta kasvatuskaasusta esim. SiH^:stä kiteytyä alueella 28' piitä erilliskiteiksi niin, että muodostuu kuvioissa 4 ja 5 esitetty erilliskiteiden nauha 28, kun samalla alustaa 19 ja sillä olevaa erilliskiteistä substraattia 20 siirretään kuvioissa 4 ja 5 nuolen A suuntaan. Keksinnön menetelmässä lasersäde LB 35 lämmittää substraatin 20 pinnan paikallisesti niin korkeaan lämpötilaan, että pinnan välittömässä läheisyydessä olevat kaasumolekyylit hajoavat. Niistä syntyy piitä ja mahdollisesti pieni määrä haluttua seosainetta.
6 78782 1 Lämpötila on niin korkea ja muut olosuhteet sellaiset, että pii kasvaa safiirin 20 pinnalle nauhamaiseksi erilliskiteeksi 28 kun laserin fokusta F siirretään. Olennaista keksinnön mukaisessa kasvutapahtumassa on se, että pllklteen 28 orientaatio määräytyy safiirikiteen 20 suuntauksen 5 mukaan epltaktieena orientaatiosuhteena.
Kasvatuksen kaasufaasl voi sisältää myös sopivan puolljohdepltoisen kaasun lisäksi jotain inerttiä kantajakaasua, kuten vetyä tai typpeä sekä tarvittaessa pienen määrän puolijohteen seostukseen tarvittavaa 10 ainetta sisältävää kaasua esim. diboraania (p-tyyppi) tai arslinia
AsH^ (n-tyyppi). Liikuttamalla alustaa x-y-koordinaattimekanismilla 21,22 tai vastaavalla asetetun ohjelman mukaisesti "piirretään" lasersäteen LB fokuksella F safiirisubstraatille 20 sopiva pietsoresistilvinen vastuskuvio 35, josta näkyy eräs esimerkki kuviossa 3.
15
Vastuskuvion 35 kasvua voidaan hallita laserin 10 tehoa, polttopisteen kokoa (säädetään optiikan 18 avulla tai substraatin 19 etäisyyttä lasersäteen LB suunnassa muuttamalla), fokuksen F ja substraatin 20 kulkunopeutta, kasvatuskaasun koostumusta, painetta ja/tai kasvatussubstraatin 20 20 lämpötilaa säätämällä.
Seuraavassa esitetään eräs keksintöä kuvaava, ei rajoittava esimerkki.
Kuvioissa 2 ja 3 on esitetty eräs esimerkki keksinnön menetelmällä ja 25 laitteella valmistetusta pietsoresistiivisesta paineanturista, joka käsittää runko-osan 30, jonka sisälle rajoittuu kammio 31, johon mitattava paine P johdetaan. Runko-osassa 30 on kierre 32, jolla paineanturi liitetään esim. painelähettimessä tai vastaavassa olevaan kierrekappa-leeseen. Runko-osan 30 toinen pääty on suljettu safiirikalvolla 20, ( 30 johon on keksinnön mukaisella menetelmällä tehty pietsoresistilvinen mit-tavastuskuvio 35. Mittavastuskuvio 35 muodostuu vastuselementeistä 35a,35b,35c,35d jotka on kytketty sillaksi metalloinneilla 37a,37b,37c,-37d. Mainittuihin metallointeihin 37 on juotettu johtimet 36a,36b,36c,-36d, jotka kytketään mittauselektroniikkaan. Safiirikalvon 33 pinnalla 35 oleville pietsoresistiivisia vastuselementtejä 35 yhdistävät metalloinnit 37 tehdään edullisesti keksinnön mukaisella laitteistolla samassa yhteydessä kuin vastuselementit 35. Tällöin kammioon 1? johdetaan sopi- 7 78782 ^ vaa metallia sisältävää kaasua, josta lasersäteen F fokuksella piirretään vastuselementtlen 35 väliset metalloinnit 37.
Kuvioissa 2 ja 3 esitetty paineanturi toimii siten, että mitattava paine P 5 aiheuttaa kidekalvoon 20 muodonmuutokset, jotka puolestaan aikaansaavat vastuselementtien 35 vastuksen muutokset venymäliuskojen tapaan. Vastusele-mentlt 35a,35b,35c,35d on kytketty esim. sillaksi, jonka tasapaino muuttuu kalvon 20 muodonmuutosten vaikuttaeessa eri tavalla eri vastuselementteihin 35a,35b,35c,35d. Sillan tasapainoa havaitaan mlttauselektronllkan (ei esi-10 tetty) avulla, ja vastuselementtien 35 muodostamasta siltakytkennästä saadaan sähköinen signaali, joka on verrannollinen mitattavaan paineeseen P.
Tässä yhteydessä korostettakoon, että keksinnOn menetelmä ja laitteisto ei ole millään tavoin rajoitettu kuviossa ja esitettyyn paineanturiin, joka on-15 kin selostettu vain erääksi esimerkiksi keksinnOn sovellutusalueesta.
Seuraavassa esitetään ei-rajoittava keksinnön koe-esimerkki, jossa todettiin, että kasvamista tapahtuu seuraavissa olosuhteissa:
20 laser Nd:YAG
aallonpituus 1.319 pm laserin teho 20 W (jatkuva) kasvatuskaasu n. 50 Z SIR. +50 Z Ar 4 kaasunpalne n. 360 mbar 25 polttopisteen koko n. 10 pm säteen siirtonopeus n. 10-30 pm/s substraatin lämpStlla 25°C.
Em. esimerkissä kasvatus tapahtui siten, että lasersädettä pidettiin ensin 00 palkallaan, kunnes kasvaminen alkaa, minkä jälkeen lasersädettä siirrettiin sellaisella nopeudella, että syntyvä nauha kasvoi tasaisesti. Optimaaliset olosuhteet saavutettiin säätämällä laserin tehoa, joka puolestaan vaikutti siirtonopeuteen.
00 Seuraavassa esitetään patenttivaatimukset, joiden määrittelemän keksin-nöllisen ajatuksen puitteissa keksinnön eri yksityiskohdat voivat vaihdella ja poiketa edellä vain esimerkinomaisesti esitetyistä.
Claims (12)
1 Patenttivaatimukset
1. Menetelmä pietsoresistiivisen vastuselementin (35) valmistamiseksi, jolla menetelmällä eristesubstraatille (20) tehdään kemiallisena 5 kaasufaasikasvatuksena (CVD) pietsoresistiivinen vastuselementtl tai -elementit (35), tunnettu siitä, että mainittu vastuselementti tai -elementit (35) kasvatetaan erilliskiteiselle eristesubstraatille (20) laserkaasufaasikasvatuksena (LCVD) siten, että laservalolla eris-tesubstraattia (20) kuumennetaan paikallisesti ja täten kasvatuskaasu-10 molekyylejä hajotetaan termisesti eristesubstraatin pinnalle, jolloin kasvatuskaasusta vastuselementiksi syntyy pääosiltaan erilliskiteinen puolijohdenauha tai -kuvio, jolla on tietty kideorientaatio, jonka eristesubstraatti (20) määrää ja että eristesubstraattia (20) ja vas-tuselementtikuviota (35) "piirtävää" lasersädettä (LB) siirretään tois-15 tensa suhteen halutun vastuskuvion kasvattamiseksi.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kasvatussubstraattina (20) käytetään sopivaa eristekidettä, jonka pinnalle vastuskuvion kasvatus suoritetaan epitaktisesti. 20
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittuna kasvatussubstraattina (20) käytetään keinotekoista sa-fiirikidettä, jonka pinta, jolle kasvatus suoritetaan, on kiillotettu.
4. Jonkin patenttivaatimuksen 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että pietsoresistiivisten vastuselementtien (35) väliset metal-lijohtimet (37) tai muut vastaavat johtavat osat kasvatetaan samalla laitteistolla ja sopivimmin samassa yhteydessä metallikaasusta laserkaa-sufaasikasvatuksella (LCVD). 30
5. Jonkin patenttivaatimuksen 1-4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että menetelmässä johdetaan kasvatuskammioon (12) silaania (SiH^) tai muuta vastaavaa puolijohdetta sisältävää kaasua ja lisäksi tarvittaessa inerttiä kantajakaasua. 35
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kasvatuskaasuun on lisätty sopiva määrä seostuskaasua, kuten dibor- aania B„H tai arsiinia AsH . L O j 9 78782
7. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukaisen menetelmän toteuttamiseen tarkoitettu laitteisto, tunnettu siltä, että laitteisto käsittää kombinaationa 5 kasvatuskammion (12), jossa on imupumppuun (16) kytkettävä imuyhde (17) sekä yhteet (14,15) kasvatuskaasun tuontia (G^) ja poistoa (Gout) varten, laseryksikön (10), jolla on kohdistettavissa ja fokusoitavissa lasersäde 10 (LB) kasvat ussubstraatille (20), substraattialustan (19), jolle kasvatussubstraatti (20) on kiinnitettävissä, 15 laitteet (21,22,23,24), joilla on aikaansaatavissa suhteellinen liike kasvatusalustan (19) ja lasersäteen (LB) fokuksen (F) kesken vastusku-vion 35 piirtämiseksi kasvatussubstraatille (20) , ja ohjausyksikön (20), jolla on ohjattavissa laserin (10) toimintaa sekä substraattialustan (19) ja lasersäteen (LB) fokuksen (F) keskinäistä 20 liikettä.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että lasersäteen (LB) fokuksen (F) paikka on järjestetty olennaisesti kiinteäksi ja että kasvatusalusta (19) on järjestetty x-y-koordinaatti- 25 mekanismilla tai vastaavalla siirrettäväksi lasersäteen (LB) tulosuuntaan nähden pääasiallisesti kohtisuorassa tasossa.
9. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että kasvatusalusta on kiinteä ja lasersäde on järjestetty liikkuvaksi. 30
10. Patenttivaatimuksen 7, 8 tai 9 mukainen laite, tunnettu siitä, että lasersäde (LB) kohdistetaan kasvatuskammion (12) sisälle sen seinämään tehdyn ikkunan (13) kautta. 35 n. Jonkin patenttivaatimuksen 7-9 mukainen laite, tunnettu siitä, että substraattialustan (19) yhteydessä on lämmitysvastus (27), johon syötetään säädettävä lämmityssähkövirta lämmitysyksiköstä (26). 10 78782 ^ 12. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukaisella menetelmällä ja/tai jonkin patenttivaatimuksen 7-11 mukaisella laitteistolla valmistettu anturi, etenkin paine- tai voima-anturi, tunnettu siitä, että anturi käsittää keinotekoiselle safiirikalvolle (20) tai vastaavalle eristeai-5 nesubstraatille laserkaasufaasikasvatuksella (LCVD) tehdyn vastuskuvi-oinnin (35), joka vastuskuviointi on muodostettu pääosiltaan erillis-kiteisistä plinauhoista (28) tai vastaavista puolijohdenauhoista, joiden orientaatio on eristesubstraatin määräämä.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen pietsoresistiivinen voima- tai paine- anturi, tunnettu siitä, että vastuselementtejä (35a-d) yhdistävät metallijohtimet (37), ja/tai muut kuvioinnit, kuten johtavat osat on tehty laserkaasufaasikasvatuksena samassa yhteydessä kuin piistä kasvatetut vastuskuviot (35). 15 20 25 30 35 il 78782
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI860120A FI78782C (fi) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Foerfarande foer framstaellning av ett piezoresistivt motstaondselement samt en anordning som tillaempar foerfarandet och en med foerfarandet framstaelld givare speciellt en tryckgivare eller motsvarande. |
| EP19870900813 EP0253860A1 (en) | 1986-01-10 | 1987-01-09 | Procedure for manufacturing a piezoresistive resistance element and apparatus applying said procedure, and pick-up manufactured by the procedure, in particular a pressure pick-up or equivalent |
| JP50072287A JPS63502710A (ja) | 1986-01-10 | 1987-01-09 | ピエゾ抵抗型抵抗要素を製造する方法および前記方法を実施する装置、およびその方法によつて製造されたピツクアツプ、とくに圧力ピツクアツプまたは同効物 |
| PCT/FI1987/000003 WO1987004300A1 (en) | 1986-01-10 | 1987-01-09 | Procedure for manufacturing a piezoresistive resistance element and apparatus applying said procedure, and pick-up manufactured by the procedure, in particular a pressure pick-up or equivalent |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI860120 | 1986-01-10 | ||
| FI860120A FI78782C (fi) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Foerfarande foer framstaellning av ett piezoresistivt motstaondselement samt en anordning som tillaempar foerfarandet och en med foerfarandet framstaelld givare speciellt en tryckgivare eller motsvarande. |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI860120A0 FI860120A0 (fi) | 1986-01-10 |
| FI860120A FI860120A (fi) | 1987-07-11 |
| FI78782B true FI78782B (fi) | 1989-05-31 |
| FI78782C FI78782C (fi) | 1989-09-11 |
Family
ID=8521945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI860120A FI78782C (fi) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Foerfarande foer framstaellning av ett piezoresistivt motstaondselement samt en anordning som tillaempar foerfarandet och en med foerfarandet framstaelld givare speciellt en tryckgivare eller motsvarande. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0253860A1 (fi) |
| JP (1) | JPS63502710A (fi) |
| FI (1) | FI78782C (fi) |
| WO (1) | WO1987004300A1 (fi) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2827041B1 (fr) | 2001-07-03 | 2003-12-12 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif piezoresistif et procedes de fabrication de ce dispositif |
| FI127245B (fi) * | 2016-07-11 | 2018-02-15 | Forciot Oy | Voima- ja/tai paine-anturi |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699649A (en) * | 1969-11-05 | 1972-10-24 | Donald A Mcwilliams | Method of and apparatus for regulating the resistance of film resistors |
| US4042006A (en) * | 1973-01-05 | 1977-08-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Pyrolytic process for producing a band-shaped metal layer on a substrate |
| US4021898A (en) * | 1976-05-20 | 1977-05-10 | Timex Corporation | Method of adjusting the frequency of vibration of piezoelectric resonators |
| US4127840A (en) * | 1977-02-22 | 1978-11-28 | Conrac Corporation | Solid state force transducer |
| US4340617A (en) * | 1980-05-19 | 1982-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing a material on a surface |
| US4373399A (en) * | 1981-02-05 | 1983-02-15 | Beloglazov Alexei V | Semiconductor strain gauge transducer |
| EP0111482A4 (en) * | 1982-06-14 | 1986-12-01 | Gte Prod Corp | APPARATUS FOR ADJUSTING PIEZOELECTRIC COMPONENTS. |
-
1986
- 1986-01-10 FI FI860120A patent/FI78782C/fi not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-01-09 EP EP19870900813 patent/EP0253860A1/en not_active Withdrawn
- 1987-01-09 WO PCT/FI1987/000003 patent/WO1987004300A1/en not_active Application Discontinuation
- 1987-01-09 JP JP50072287A patent/JPS63502710A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI78782C (fi) | 1989-09-11 |
| FI860120A (fi) | 1987-07-11 |
| WO1987004300A1 (en) | 1987-07-16 |
| FI860120A0 (fi) | 1986-01-10 |
| JPS63502710A (ja) | 1988-10-06 |
| EP0253860A1 (en) | 1988-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Dang et al. | Recent progress in the synthesis of hybrid halide perovskite single crystals | |
| US4363828A (en) | Method for depositing silicon films and related materials by a glow discharge in a disiland or higher order silane gas | |
| CA1124409A (en) | Semiconductor plasma oxidation | |
| GB2163000A (en) | Apparatus for forming crystal of semiconductor | |
| US3142596A (en) | Epitaxial deposition onto semiconductor wafers through an interaction between the wafers and the support material | |
| EP1755154B1 (en) | Method for manufacturing a zinc oxide thin film at low temperatures | |
| JPWO2006003782A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JP2013525254A (ja) | 制御された炭化ケイ素成長方法およびその方法により作製された構造 | |
| US5089802A (en) | Diamond thermistor and manufacturing method for the same | |
| FI78782B (fi) | Foerfarande foer framstaellning av ett piezoresistivt motstaondselement samt en anordning som tillaempar foerfarandet och en med foerfarandet framstaelld givare speciellt en tryckgivare eller motsvarande. | |
| US5079425A (en) | Radiation detecting element | |
| Zhang et al. | Kr+ laser‐induced chemical vapor deposition of W | |
| US5252498A (en) | Method of forming electronic devices utilizing diamond | |
| US4591408A (en) | Liquid phase growth of crystalline polyphosphide | |
| EP0393869B1 (en) | Process for forming deposition film | |
| RU2135648C1 (ru) | Способ получения кристаллических фуллеренов | |
| US20090117683A1 (en) | Method of manufacturing single crystal substate and method of manufacturing solar cell using the same | |
| US3565704A (en) | Aluminum nitride films and processes for producing the same | |
| KR101075080B1 (ko) | 이온 주입용 스텐실 마스크 | |
| JPH01313974A (ja) | 珪素基体上の珪素の多結晶半導体抵抗層の製造方法及びこれにより製造する珪素圧力センサ | |
| WO2005062974A2 (en) | Nanoelectrical compositions | |
| US4125425A (en) | Method of manufacturing flat tapes of crystalline silicon from a silicon melt by drawing a seed crystal of silicon from the melt flowing down the faces of a knife shaped heated element | |
| KR102189799B1 (ko) | 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법 및 이를 이용한 광전자 소자 | |
| SU1001234A1 (ru) | Способ осаждени слоев полупроводниковых соединений типа А @ В @ из газовой фазы | |
| Nishino et al. | Preparation of ZnO by a nearby vaporizing chemical vapor deposition method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: VALMET OY |