FI66656C - Foerfarande foer tillverkning av titannitridbelaeggning vid lag temperatur med hjaelp av glimurladdning - Google Patents

Foerfarande foer tillverkning av titannitridbelaeggning vid lag temperatur med hjaelp av glimurladdning Download PDF

Info

Publication number
FI66656C
FI66656C FI821826A FI821826A FI66656C FI 66656 C FI66656 C FI 66656C FI 821826 A FI821826 A FI 821826A FI 821826 A FI821826 A FI 821826A FI 66656 C FI66656 C FI 66656C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
coating
workpiece
titannitridbelaeggning
glimurladdning
temperatur
Prior art date
Application number
FI821826A
Other languages
English (en)
Other versions
FI821826A (fi
FI821826A0 (fi
FI66656B (fi
Inventor
Martti Seppo Sulonen
Original Assignee
Equipment Oy K
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Equipment Oy K filed Critical Equipment Oy K
Priority to FI821826A priority Critical patent/FI66656C/fi
Publication of FI821826A0 publication Critical patent/FI821826A0/fi
Publication of FI821826A publication Critical patent/FI821826A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI66656B publication Critical patent/FI66656B/fi
Publication of FI66656C publication Critical patent/FI66656C/fi

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

1 66656
MENETELMÄ TITAANINITRIDIPINNOITTEEN VALMISTAMISEKSI MATALASSA LÄMPÖTILASSA HOHTOPURKAUSTA HYVÄKSI KÄYTTÄEN
Keksinnön kohteena on hohtopurkausmenetelmä kulutusta kestävän titaaninitridipinnoitteen valmistamiseksi. Menetelmän avulla voidaan työkappaleen pinnalle synnyttää ohut titaani-nitridikerros höyrystämällä tyhjökammioon titaania ja johta-5 maila sinne typpikaasua.
Kulutusta kestäviä pinnoitteita on pyritty valmistamaan monin eri tavoin. Ennestään on tunnettua, että titaaninitridipinnoitteen valmistamiseen soveltuvat ns. CVD (Chemical Vapor Deposition)- ja PVD (Physical Vapor Deposition)-mene-10 telmät. CVD-prosessit ovat nykyään laajassa teollisessa käytössä pinnoitettaessa kovametallista valmistettuja lastuavan työstön teriä. CVD-prosessi edellyttää kuitenkin varsin korkeita lämpötiloja (jopa 1000°C tai yli), koska pinnoitus perustuu pinnoitteen synnyttämiseen kemiallisella reak-15 tiolla kaasumaisista lähtöaineista. Tällöin esim. karkaistun teräksen pinnoittaminen muodostuu vaikeaksi ja edellyttää ylimääräistä lämpökäsittelyä perusaineen lujuuden säilyttämiseksi. Lisäksi prosessin kaasut (esim. kloori) saattavat reagoida perusaineen kanssa ja korkeissa lämpötiloissa 20 voi esiintyä myös hiilenkatoa.
Mainituista seikoista johtuen on kiinnitetty runsaasti huomiota matalammissa lämpötiloissa toimivien PVD-prosessien kehittämiseksi. Merkittävistä edistysaskeleista huolimatta nämä menetelmät eivät toistaiseksi ole levinneet laajaan 25 teolliseen käyttöön kulutusta kestävien kappaleiden pinnoituksessa. Yleisimpiä PVD-menetelmiä titaaninitridipinnoi-tuksessa ovat ns. sputterointimenetelmät (Thornton, 1981), aktivoidut reaktiiviset höyrystysmenetelmät (Bunshah, 1981) sekä ionipinnoitusmenetelmät (Matthews, 1980).
30 Ongelmana PVD-menetelmiä sovellettaessa on ollut, ettei prosessimuuttujia ole kyetty muutamia poikkeuksia lukuun- 2 66656 ottamatta toistaiseksi hallitsemaan teollisen tuotannon edellyttämällä tavalla. Myös kappalekoko on ollut ongelma. Lähinnä on pystytty käsittelemään pieniä koekappaleita tai pieniä työkaluja.
5 Oleellista mainittujen PVD- tai hohtopurkausmenetelmien soveltamisessa on plasman hyväksikäyttö pinnoitteen muodostamiseksi tarvittavien reaktioiden aikaan saamiseksi. Jotta työkappaleen pinnalle saataisiin alhaisessa lämpötilassa tiivis titaaninitridikerros, on työkappaleelle saatava ai-10 kaan sopivan suuruinen ionivirran tiheys ja tasainen pinnoitteen kasvunopeus. Tämän aikaansaamiseksi on hohtopur-kausta tehostettava ja titaani-ionien sekä -atomien törmäys-tiheys tasoitettava kappaleen eri osille. Mikäli esimerkiksi pinnoitteen kasvunopeus on liian suuri, saattaa pinnoittees-15 sa esiintyä huokoisuutta ja kovuus jäädä pieneksi (Kennedy ja Scheuermann, 1975).
Hohtopurkauksen tehostamiseksi on käytetty erilaisia menetelmiä, kuten matalajännite-elektronisuihkun elektroniemis-siota (Moll ja Daxinger, 1980), ylimääräisiä kuumia elek-20 trodeja (Matsubara, 1976) sekä näitä yhdistettynä magneettikenttään (Tisone ja Cruzon, 1975). Samaan tarkoitukseen on esitetty myös ns. negatiivisen hehkulangan käyttämistä ioni-pinnoituksessa (Matthews, 1980). Mainittu menetelmä eroaa em. kuumista elektrodeista siinä, ettei erillistä positii-25 vista kohtiota (anodia) käytetä lainkaan.
Nyt käsillä olevassa keksinnössä hohtopurkauksen tehostamiseen käytetään negatiivista hehkulankaa ja poiketen perinnäisestä ionipinnoituksesta, jossa jännite on korkea (esim.
4 kV), on työkappaleen jännite keksinnön mukaisessa mene-30 telmässä vain 0 - 500 V. Itse työkappale toimii katodina, ja hohtopurkaus ympäröi mahdollisimman tarkkaan vain käsiteltävää kappaletta. Keksinnön mukaisessa menetelmässä hehkulangan lämpötilaa, negatiivista jännitettä runkoon nähden sekä virtaa säätämällä lisätään kaasuplasman elektroni- 3 66656 määrää, jolloin sen positiivisten ionien määrä myös kasvaa ja pienenkin negatiivisen jännitteen omaavalle katodille saadaan suuri ionivirta.
Keksinnön mukaisessa järjestelyssä on ionivirta säädettä-5 vissä riippumatta työkappaleen (katodin) jännitteestä, jolloin tätä jännitteen ylimääräistä säätömahdollisuutta voidaan käyttää tehon ja kappaleen lämpötilan tarkkaan säätöön pinnoituksen aikana.
Jotta pinnoitteen rakenne olisi pinnoitettavan kappaleen 10 eri osissa samanlainen, tulee pintaan saapuvien titaani- ja typpiatomien ja -ionien suhde olla sama eri kohdissa. Erityisesti tämä tulee kysymykseen käsiteltäessä suuria kappaleita. Keksinnön mukaisessa menetelmässä titaanin virtausta voidaan ohjata varjostimella, joka estää suoraan höyrystys-15 lähteestä saapuvien atomien saapumisen työkappaleen pinnalle. Typen ja titaanin suhdetta voidaan edelleen tasoittaa syöttämällä typpeä useasta eri pisteestä höyrystyslähteen läheisyydestä.
Keksinnön mukaisilla järjestelyillä eli negatiivisen hehku-20 langan, työkappaleen alhaisen jännitteen, suoran höyrystymisen estävän varjostimen sekä typen tasaisen virtauksen avulla voidaan ratkaisevasti parantaa ionipinnoituksella valmistettavien pinnoitteiden rakennetta sekä sen tasaisuutta eri puolilla työkappaletta.
25 Seuraavassa keksintö selitetään yksityiskohtaisesti oheiseen piirustukseen viittaamalla. Kuvio 1 esittää laitteistoa kaavamaisesti .
Menetelmässä työkappale 1 on kytketty ulkoisen tasajännitelähteen 2 katodiksi. Tyhjökammiossa 3 pinnoitettavan kappa-30 leen 1 ympärille muodostuu hohtopurkaus kammioon monirei-käisestä suulakkeesta 4 päästettävän typpi- tai typpi- ja argonkaasujen ionisoituessa. Hohtopurkausta tehostetaan 4 66656 ja laajennetaan kammiossa hehkulangalla 5. Titaani höyrys-tetäSn elektronisuihkuhöyrystimellä 6. Katodi ja hehkulanka ovat eristetyt kammion seinämistä läpivientien 7 avulla. Pinnoitus- ja elektronisuihkuhöyrystimen kammioiden paine 5 säädetään tyhjöpumppujen 8 avulla. Höyrystyslähteestä suoraan etenevien titaaniatomien törmääminen työkappaleeseen estetään varjostimella 9, joka voidaan asettaa rungon tai katodin potentiaaliin.
Pinnoitusprosessin aikana pidetään kammiossa 1... 10 m Torrin 10 (0/13...1/3 Pa) paine ja titaania höyrystetään tasaisesti pyrkien n. 0/5 ym/min kasvunopeuteen. Pinnoitteen kemiallista rakennetta voidaan säätää säätämällä typen osuutta kammiossa. Ionivirran tiheydellä 2 mA/cm sekä katodijännitteellä -300 V saadaan aikaan tiivis, pienirakeinen ja 15 kova TiN-pinnoite 400°C lämpötilassa.
Keksinnön mukainen menetelmä poikkeaa aiemmista siinä, että sillä voidaan säätää pinnoitettavan kappaleen lämpötilaa jännitettä säätämällä muuttamatta prosessin muita suureita. Samoin voidaan ionivirran tiheyttä, titaanin höyrystysno-20 peutta ja kammioon tuotavan typen määrää säätää toisistaan riippumatta, jolloin pinnoitteen kemiallisen koostumuksen ja mikrorakenteen säätely on mahdollista. Lisäksi keksinnön mukaisella menetelmällä saadaan aikaan tasalaatuinen pinnoite monimutkaisenkin muotoisen työkappaleen kaikille pinnoille.
«

Claims (1)

  1. 66656 Patenttivaatimus Menetelmä titaaninitridipinnoitteen valmistamiseksi hohto-purkausta hyväksikäyttäen, jolloin käsiteltävän työkappa-leen (1) jännite on alhainen (0-500 V), tunnettu siitä, että hohtopurkauksen tehostamiseksi käytetään negatiivisesti varattua hehkulankaa (5), ja höyrystyslähteestä (6) suoraan etenevien titaaniatomien saapuminen työkappa-leelle estetään varjostimella (9). Förfarande för framställning av en titannitridytbeläggning med hjälp av glimurladdning, varvid ytbieläggningsobjektets (1) spänning är lag (0-500 V),kännetecknat av att glimurladdningen intensifieras med hjälp av en negativt laddad glödträd (5), och de titanatomer som rör sig rätlinjigt ifrän titanevaporatorkällan förhindras med hjälp av en skugg-skärm (3) frän att nä ytbeläggningsobjektet.
FI821826A 1982-05-21 1982-05-21 Foerfarande foer tillverkning av titannitridbelaeggning vid lag temperatur med hjaelp av glimurladdning FI66656C (fi)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI821826A FI66656C (fi) 1982-05-21 1982-05-21 Foerfarande foer tillverkning av titannitridbelaeggning vid lag temperatur med hjaelp av glimurladdning

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI821826 1982-05-21
FI821826A FI66656C (fi) 1982-05-21 1982-05-21 Foerfarande foer tillverkning av titannitridbelaeggning vid lag temperatur med hjaelp av glimurladdning

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI821826A0 FI821826A0 (fi) 1982-05-21
FI821826A FI821826A (fi) 1983-11-22
FI66656B FI66656B (fi) 1984-07-31
FI66656C true FI66656C (fi) 1984-11-12

Family

ID=8515570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI821826A FI66656C (fi) 1982-05-21 1982-05-21 Foerfarande foer tillverkning av titannitridbelaeggning vid lag temperatur med hjaelp av glimurladdning

Country Status (1)

Country Link
FI (1) FI66656C (fi)

Also Published As

Publication number Publication date
FI821826A (fi) 1983-11-22
FI821826A0 (fi) 1982-05-21
FI66656B (fi) 1984-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2148939B1 (de) Vakuumbehandlungsanlage und vakuumbehandlungsverfahren
KR960002632B1 (ko) 재료의 플라즈마 증진 마그네트론 스퍼터 전착 장치 및 방법
US4197175A (en) Method and apparatus for evaporating materials in a vacuum coating plant
US4992153A (en) Sputter-CVD process for at least partially coating a workpiece
US3791852A (en) High rate deposition of carbides by activated reactive evaporation
KR100800223B1 (ko) 아크 이온 도금장치
JPH0211669B2 (fi)
Koval et al. Generation of low-temperature gas discharge plasma in large vacuum volumes for plasma chemical processes
US20100276283A1 (en) Vacuum coating unit for homogeneous PVD coating
US4619748A (en) Method and apparatus for the reactive vapor deposition of layers of oxides, nitrides, oxynitrides and carbides on a substrate
JPS6319590B2 (fi)
JP2009543951A (ja) 電気絶縁皮膜の堆積方法
US5246787A (en) Tool or instrument with a wear-resistant hard coating for working or processing organic materials
JPH11124668A (ja) 低電圧アーク放電からのイオンを用いて基体を処理するための方法および装置
CN107002228B (zh) 用于金属零件表面的热化学处理的等离子处理和反应器
JPH01129958A (ja) 高密着窒化チタン膜形成方法
FI66656C (fi) Foerfarande foer tillverkning av titannitridbelaeggning vid lag temperatur med hjaelp av glimurladdning
US20050040037A1 (en) Electron beam enhanced large area deposition system
KR102335906B1 (ko) HiPIMS에 의해 성장 결함이 감소된 TiCN
RU2752334C1 (ru) Газоразрядное распылительное устройство на основе планарного магнетрона с ионным источником
US11214861B2 (en) Arrangement for coating substrate surfaces by means of electric arc discharge
RU2256724C1 (ru) Способ нанесения композиционных покрытий в вакууме
JPH0625835A (ja) 真空蒸着方法及び真空蒸着装置
RU2146724C1 (ru) Способ нанесения композиционных покрытий
RU2676720C1 (ru) Способ вакуумного ионно-плазменного низкотемпературного осаждения нанокристаллического покрытия из оксида алюминия

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed
MM Patent lapsed

Owner name: PLASMATEKNIIKKA OY (505.930)