FI123487B - Anordning för att utföra atomskiktsodling på ytan av ett substrat - Google Patents

Anordning för att utföra atomskiktsodling på ytan av ett substrat Download PDF

Info

Publication number
FI123487B
FI123487B FI20095676A FI20095676A FI123487B FI 123487 B FI123487 B FI 123487B FI 20095676 A FI20095676 A FI 20095676A FI 20095676 A FI20095676 A FI 20095676A FI 123487 B FI123487 B FI 123487B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
vacuum
chambers
substrates
chamber
vacuum chambers
Prior art date
Application number
FI20095676A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20095676A (sv
FI20095676A0 (sv
Inventor
Pekka Soininen
Jarmo Skarp
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20095676A priority Critical patent/FI123487B/sv
Publication of FI20095676A0 publication Critical patent/FI20095676A0/sv
Priority to CN201080026506.XA priority patent/CN102803558B/zh
Priority to US13/320,982 priority patent/US20120067284A1/en
Priority to EP10744971A priority patent/EP2462256A1/en
Priority to PCT/FI2010/050492 priority patent/WO2010146234A1/en
Priority to TW099119401A priority patent/TW201116647A/zh
Publication of FI20095676A publication Critical patent/FI20095676A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI123487B publication Critical patent/FI123487B/sv

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (12)

1. Anordning (1) för att utföra en atomskiktsodling pa ytan av ett substrat genom att utsätta substratets yta för turvisa ytreaktioner av utgängs-ämnen, vilken anordning omfattar tvä eller flera undertryckskammare (2), tvä 5 eller flera separata flyttbara reaktionskammare (8, 12), vilka är anordnade att placeras inuti undertryckskamrarna (2) samt ätminstone ett för de tva eller flera undertryckskamrarna (2) gemensamt tillförselsystem (5) för utgangsämnen för att utföra atomskiktsodlingen, kännetecknad av att anordningen omfattar ätminstone en laddningsanordning (6), som är anordnad att ladda och avio lägsna substrat (11) fran den flyttbara reaktionskammaren (8, 12) samt ladda och avlägsna de flyttbara reaktionskamrarna (8, 12) vidare fran undertryckskamrarna (2).
2. Anordning (1) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att substraten är anordnade att placeras inuti undertryckskamrarna (2) med 15 atomsskiktsodlingsförfarandet för processering.
3. Anordning (1) för patentkrav 2, k ä n n e t e c k n a d av att undertryckskamrarna (2) är placerade i anordningen parallellt, ovanpä varandra eller i en matris.
4. Anordning (1) enligt nagot av de föregaende patentkraven, 20 kännetecknad av att anordningen (1) omfattar uppvärmningsmedel för uppvärmning av de i respektive undertryckskammare (2) laddade substraten oberoende av de andra undertryckskamrarna (2).
5. Anordning (1) enligt patentkrav 4, k ä n n e t e c k n a d av att var och en undertryckskammare (2) omfattar separata uppvärmningsmedel.
6. Anordning (1) enligt nagot av de föregaende patentkraven 1 - 5, co kännetecknad av att anordningen omfattar en eller flera uppvärmnings- ^ kammare för uppvärmning av substraten före laddning i undertryckskammaren S (2)·
7. Anordning (1) enligt nagot av de föregaende patentkraven 1 - 6, x 30 kännetecknad av att utgangsämnenas tillförselsystem (5) är anordnat att mata utgangsämnen samtidigt tili en eller flera undertryckskammare (2).
8. Anordning (1) enligt patentkrav 7, k ä n n e t e c k n a d av att ut- CD g gangsämnenas tillförselsystem (5) är anordnat att mata tili tva eller flera under- o tryckskammare (2) samma utgangsämnen eller olika utgangsämnen samtidigt 35 eller vid olika tidpunkter.
9. Anordning (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 8, kännetecknad avatt anordningen (1) omfattar ett styrsystem (4) för att styra undertryckskamrarnas (2) och/eller reaktionskamrarnas (8) och/eller till-förselsystemets (5) för utgängsämnen och/eller laddningsanordningens (6) 5 och/eller uppvärmningsmedlens och/eller uppvärmningskammarens funktion.
10. Anordning (1) enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d av att styrsystemet (4) är anordnat att samtidigt använda uppvärmningsmedel för uppvärmning av substraten i en eller flera undertryckskammare (2) eller upp-värmningskammare och tillförselmedel (5) för utgängsmedel för att utföra en 10 beläggningsprocess samtidigt i en eller flera undertryckskammare (2).
11. Anordning (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 -10, kännetecknad av att undertryckskamrarna (2) omfattar en ladd-ningslucka för att ladda reaktionskammaren (8) och/eller substraten i under-tryckskammaren (2) samt en tömningslucka för att avlägsna reaktionskamma- 15 ren (8) och/eller substraten frän undertryckskammaren (2).
12. Anordning (1) enligt patentkrav 11, kännetecknad av att laddningsluckan och tömningsluckan har ästadkommits pä motstäende sidor av undertryckskammaren (2). CO δ c\j o X CC CL CD CD LO O) O O C\l
FI20095676A 2009-06-15 2009-06-15 Anordning för att utföra atomskiktsodling på ytan av ett substrat FI123487B (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095676A FI123487B (sv) 2009-06-15 2009-06-15 Anordning för att utföra atomskiktsodling på ytan av ett substrat
CN201080026506.XA CN102803558B (zh) 2009-06-15 2010-06-14 原子层沉积设备
US13/320,982 US20120067284A1 (en) 2009-06-15 2010-06-14 Apparatus
EP10744971A EP2462256A1 (en) 2009-06-15 2010-06-14 Apparatus
PCT/FI2010/050492 WO2010146234A1 (en) 2009-06-15 2010-06-14 Apparatus
TW099119401A TW201116647A (en) 2009-06-15 2010-06-15 Apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095676A FI123487B (sv) 2009-06-15 2009-06-15 Anordning för att utföra atomskiktsodling på ytan av ett substrat
FI20095676 2009-06-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20095676A0 FI20095676A0 (sv) 2009-06-15
FI20095676A FI20095676A (sv) 2010-12-16
FI123487B true FI123487B (sv) 2013-05-31

Family

ID=40825379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20095676A FI123487B (sv) 2009-06-15 2009-06-15 Anordning för att utföra atomskiktsodling på ytan av ett substrat

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120067284A1 (sv)
EP (1) EP2462256A1 (sv)
CN (1) CN102803558B (sv)
FI (1) FI123487B (sv)
TW (1) TW201116647A (sv)
WO (1) WO2010146234A1 (sv)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI20115073A0 (sv) 2011-01-26 2011-01-26 Beneq Oy Apparatur, förfarande och reaktionskammare
CN102644063A (zh) * 2012-04-20 2012-08-22 北京七星华创电子股份有限公司 用于实现原子层沉积工艺的设备
CN110724937A (zh) * 2018-07-16 2020-01-24 江苏迈纳德微纳技术有限公司 用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统
FI129627B (sv) * 2019-06-28 2022-05-31 Beneq Oy Atomskiktsodlingsapparatur
FI129580B (sv) * 2021-03-30 2022-05-13 Beneq Oy Laddningsanordning, arrangemang och förfarande för att ladda en reaktionskammare
FI130387B (sv) * 2021-03-30 2023-08-07 Beneq Oy Atomskiktsodlingsanordning

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3707672A1 (de) * 1987-03-10 1988-09-22 Sitesa Sa Epitaxieanlage
JPH06188229A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Tokyo Electron Yamanashi Kk エッチングの後処理方法
JP3380652B2 (ja) * 1995-05-26 2003-02-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
FI118343B (sv) * 1999-12-28 2007-10-15 Asm Int Anordning för framställning av tunnfilmer
WO2003038145A2 (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
JP2003297901A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Supurauto:Kk 基板処理システムおよびその処理方法
JP3702257B2 (ja) * 2002-08-23 2005-10-05 ファナック株式会社 ロボットハンドリング装置
US6916374B2 (en) * 2002-10-08 2005-07-12 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods and atomic layer deposition tools
US20090016853A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-15 Woo Sik Yoo In-line wafer robotic processing system
US8282334B2 (en) * 2008-08-01 2012-10-09 Picosun Oy Atomic layer deposition apparatus and loading methods

Also Published As

Publication number Publication date
EP2462256A1 (en) 2012-06-13
TW201116647A (en) 2011-05-16
WO2010146234A1 (en) 2010-12-23
FI20095676A (sv) 2010-12-16
US20120067284A1 (en) 2012-03-22
CN102803558A (zh) 2012-11-28
CN102803558B (zh) 2015-06-17
FI20095676A0 (sv) 2009-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI123487B (sv) Anordning för att utföra atomskiktsodling på ytan av ett substrat
US10190214B2 (en) Deposition apparatus and deposition system having the same
JP5977886B2 (ja) 原子層堆積法による基板ウェブのコーティング
TWI608122B (zh) Chemical vapor deposition apparatus and method for producing chemical vapor deposition film
CN101044260A (zh) 薄膜形成装置及其方法
CN111354657B (zh) 半导体多站处理腔体
FI126315B (sv) Dyshuvud, apparatur och förfarande för att utsätta en substratyta för på varandra följande ytreaktioner
US20140261174A1 (en) Apparatus for processing wafers
JP2013082951A (ja) 薄膜製造装置及び薄膜製造方法、並びに薄膜製造装置のメンテナンス方法
JP2022528786A (ja) リチウム金属アノードアセンブリならびに装置およびその製造方法
TWI425111B (zh) 成膜裝置
KR101478151B1 (ko) 대면적 원자층 증착 장치
KR102215965B1 (ko) 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20210078799A (ko) 가스공급장치, 이를 가지는 기판처리장치, 기판처리시스템 및 기판처리방법
US20090165714A1 (en) Method and system for processing substrates in chambers
KR20200100928A (ko) 분말의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 분말의 표면 처리 방법
CN102534551A (zh) 半导体设备
US10519542B2 (en) Purging method
CN102644063A (zh) 用于实现原子层沉积工艺的设备
EP3843122B1 (en) Plasma treatment apparatus
CN102308021A (zh) Ald反应器，用来装载ald反应器的方法，和生产线
US9745661B2 (en) Method and apparatus for forming a substrate web track in an atomic layer deposition reactor
KR101634694B1 (ko) 멀티형 증착 장치 및 방법
KR101610771B1 (ko) 박막 증착 장치
CN207877856U (zh) 一种原子层沉积自动镀膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 123487

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B