FI108378B - Emitteruppf÷ljare - Google Patents

Emitteruppf÷ljare Download PDF

Info

Publication number
FI108378B
FI108378B FI992766A FI19992766A FI108378B FI 108378 B FI108378 B FI 108378B FI 992766 A FI992766 A FI 992766A FI 19992766 A FI19992766 A FI 19992766A FI 108378 B FI108378 B FI 108378B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
current
transistor
node
emitter follower
control loop
Prior art date
Application number
FI992766A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI19992766A (sv
Inventor
Tero Sillanpoo
Original Assignee
Micro Analog Syst Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micro Analog Syst Oy filed Critical Micro Analog Syst Oy
Priority to FI992766A priority Critical patent/FI108378B/sv
Priority to PCT/FI2000/001131 priority patent/WO2001047104A1/en
Priority to AT00987550T priority patent/ATE343247T1/de
Priority to EP00987550A priority patent/EP1260018B1/en
Priority to DE60031445T priority patent/DE60031445D1/de
Priority to AU23800/01A priority patent/AU2380001A/en
Publication of FI19992766A publication Critical patent/FI19992766A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI108378B publication Critical patent/FI108378B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/301Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in MOSFET amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/50Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
    • H03F3/505Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Primary Cells (AREA)
  • Auxiliary Devices For And Details Of Packaging Control (AREA)

Claims (6)

1. Emitterföljarkrets, som omfattar en PNP-bipolär transistor (Q1), vars emitter (E10) är kopplad tili en last och via ett förspänningsmedel (RB) tili en första driftspänningspotentia! (VDD) och vars kollektor (C10) är kopplad tili 5 en andra driftspänningspotential (GND), kännetecknad av en regler-slinga som reglerar en genom förspänningsmedlet passerande första Ström (11) sä att en kollektorström (I2) för transistorn oberoende av fluktuationer i en lastström (I3) häller sig väsentligen vid ett standardvärde, vars motsvarande parasitiska pol i emitterföljarens frekvensfunktion ligger pä en önskad fre-10 kvens.
2. Emitterföljarkrets enligt patentkrav 1, kännetecknad av att reglerslingan reglerar den genom förspänningsmedlet (RB) passerande första strömmen (11) i motsatt riktning mot en ändring i kollektorströmmen (I2) sä att kollektorströmmen atergär tili sitt standardvärde.
3. Emitterföljarkrets enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknad av att förspänningsmedlet (RB) omfattar en förspänningstransistor (MP4) och att reglerslingan reglerar förspänningstransistorns styrspänning sä att kollektorströmmen (I2) hälls väsentligen vid ett standardvärde.
4. Emitterföljarkrets enligt patentkrav 3, kännetecknad av att 20 reglerslingan omfattar . - en knutpunkt (N1) tili vilken en styrelektrod för förspänningstran- . sistorn (MP4) är kopplad, - första medel (MC 10, MC11) som i förhällande tili kollektorström- . men (I2) bildar en omvänt proportionell andra Ström (I5) som gar fran nämnda I..* 25 knutpunkt (N1) tili nämnda andra driftspänningspotential (GND), • · · - andra medel (MC12) som matar en standardström (I6) tili nämnda *·* ' knutpunkt (N1), varvid reglerslingan är i jämvikt och kollektorströmmen (I2) vid ett standardvärde, när nämnda andra Ström (I5) och nämnda standardström ”·”· (I6) är lika Stora.
5. Emitterföljarkrets enligt patentkrav 3, kännetecknad av att .v. reglerslingan omfattar • · « !. *. - en första knutpunkt (N2), ·;·* - en första strömgenerator (MP3) som alstrar en första standard- v*: ström (14) tili nämnda första knutpunkt (N2), . : 35 - en första strömspegel (MC10) som alstrar en i förhällande tili kol lektorströmmen (I2) direkt proportionell andra Ström som gär frän nämnda 10 1 08378 första knutpunkt (N2), - en andra knutpunkt (N1) tili vilken förspänningstransistorns (MP4) styrelektrod är kopplad, - en andra strömspegel (MC11) som är kopplad tili nämnda första 5 knutpunkt (N2) för att alstra en tredje Ström (I5) som är proportionell mot skill- naden för nämnda första standardström (I4) och nämnda andra Ström, vilken tredje Ström gär frän nämnda andra knutpunkt (N1) tili den andra driftspän-ningspotentialen (GND) och - en andra strömgenerator (MP2) som alstrar den andra standard-10 strömmen (I6) tili nämnda andra knutpunkt, varvid reglerslingan är i jämvikt och kollektorströmmen (I2) vid ett standardvärde, när den tredje strömmen (I5) och nämnda andra standardström (I6) är lika Stora.
6. Emitterföljarkrets enligt nagot av patentkraven 3-5, känne-t e c k n a d av att tilläggskapacitans (C1) är kopplad tili förspänningstransis-15 torns (MP4) styrelektrod för förbättring av frekvensstabiliteten. • · · • ♦ • 1 · • · ♦ • · · • · · • · 1 » 1 I « 1 t i r • » • · · ·
FI992766A 1999-12-22 1999-12-22 Emitteruppf÷ljare FI108378B (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI992766A FI108378B (sv) 1999-12-22 1999-12-22 Emitteruppf÷ljare
PCT/FI2000/001131 WO2001047104A1 (en) 1999-12-22 2000-12-21 Emitter follower with constant collector current biasing means
AT00987550T ATE343247T1 (de) 1999-12-22 2000-12-21 Emittenfolger mit mitteln zur polarisierung auf einen konstanten kollektorstrom
EP00987550A EP1260018B1 (en) 1999-12-22 2000-12-21 Emitter follower with constant collector current biasing means
DE60031445T DE60031445D1 (de) 1999-12-22 2000-12-21 Emittenfolger mit mitteln zur polarisierung auf einen konstanten kollektorstrom
AU23800/01A AU2380001A (en) 1999-12-22 2000-12-21 Emitter follower with constant collector current biasing means

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI992766A FI108378B (sv) 1999-12-22 1999-12-22 Emitteruppf÷ljare
FI992766 1999-12-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI19992766A FI19992766A (sv) 2001-06-23
FI108378B true FI108378B (sv) 2002-01-15

Family

ID=8555799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI992766A FI108378B (sv) 1999-12-22 1999-12-22 Emitteruppf÷ljare

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1260018B1 (sv)
AT (1) ATE343247T1 (sv)
AU (1) AU2380001A (sv)
DE (1) DE60031445D1 (sv)
FI (1) FI108378B (sv)
WO (1) WO2001047104A1 (sv)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8302902A (nl) * 1983-08-18 1985-03-18 Philips Nv Transistorbeveiligingsschakeling.
US4751404A (en) * 1986-10-31 1988-06-14 Applied Micro Circuits Corporation Multi-level ECL series gating with temperature-stabilized source current
US4847566A (en) * 1988-02-09 1989-07-11 Linear Technology Corporation CMOS Amplifier having enhanced current sinking and capacitance load drive
US5281873A (en) * 1989-11-21 1994-01-25 Fujitsu Limited Sense amplifier control circuit
DE19616443A1 (de) * 1996-04-25 1997-10-30 Cafer Borucu Gegentakt-Endstufe für analoge und digitale Schaltungen

Also Published As

Publication number Publication date
EP1260018A1 (en) 2002-11-27
WO2001047104A1 (en) 2001-06-28
EP1260018B1 (en) 2006-10-18
AU2380001A (en) 2001-07-03
FI19992766A (sv) 2001-06-23
ATE343247T1 (de) 2006-11-15
DE60031445D1 (de) 2006-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7570035B2 (en) Voltage regulator with a hybrid control loop
US10254778B1 (en) Pole-zero tracking compensation network for voltage regulators
US8766613B2 (en) Method of operating voltage regulator
TWI434166B (zh) 類比低壓差穩壓器中過衝及下衝錯誤改正方法及裝置
US7304540B2 (en) Source follower and current feedback circuit thereof
KR100924293B1 (ko) 저전압 강하 레귤레이터
WO2022007744A1 (zh) 一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法
US7391263B2 (en) Operational amplifier
JP2011150526A (ja) 基準電圧発生回路及びそれを用いた集積回路
US9117507B2 (en) Multistage voltage regulator circuit
US7728669B2 (en) Output stage circuit and operational amplifier thereof
TW201602750A (zh) 用於穩壓器之電流源及其穩壓器
US7233195B2 (en) Generator for supplying reference voltage and reference current of stable level regardless of temperature variation
KR101173482B1 (ko) 온도보상형 발진기
FI108378B (sv) Emitteruppf÷ljare
JP2005316788A (ja) 電源回路
US7521997B2 (en) Low-power variable gain amplifier
US20030076171A1 (en) Power amplifier
US8138742B2 (en) Semiconductor circuits capable of mitigating unwanted effects caused by input signal variations
TWI699964B (zh) 偏壓電路
FI113312B (sv) Komparatorkrets
KR20160012858A (ko) 저 드롭아웃 레귤레이터
US12007800B2 (en) Power voltage supply device with automatic temperature compensation
JP2015070774A (ja) スイッチング電源装置
JP2000031756A (ja) カレントミラー回路及びチャージポンプ回路

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed