FI107091B - Galvaniskt frånskiljande krets - Google Patents

Galvaniskt frånskiljande krets Download PDF

Info

Publication number
FI107091B
FI107091B FI992147A FI992147A FI107091B FI 107091 B FI107091 B FI 107091B FI 992147 A FI992147 A FI 992147A FI 992147 A FI992147 A FI 992147A FI 107091 B FI107091 B FI 107091B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
terminal
input
galvanically isolated
terminals
isolated circuit
Prior art date
Application number
FI992147A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Inventor
Pentti Mannonen
Original Assignee
Elektroniikkatyoe Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elektroniikkatyoe Oy filed Critical Elektroniikkatyoe Oy
Priority to FI992147A priority Critical patent/FI107091B/sv
Priority to AT00660177T priority patent/ATE295015T1/de
Priority to EP00660177A priority patent/EP1091486B1/en
Priority to DE60019868T priority patent/DE60019868T2/de
Priority to US09/678,672 priority patent/US6549056B1/en
Application granted granted Critical
Publication of FI107091B publication Critical patent/FI107091B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/38DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers
    • H03F3/387DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers with semiconductor devices only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Claims (9)

1. En galvaniskt separerande krets för omvandling av en ingängs-spänning (Uin) till en utgängsstorhet (lout/Uout), varvid kretsen omfattar - en första ingangspol (P1) och en andra ingängspol (N1) för att 5 mottaga ingängsspänningen (Uin), - en första utgängspol (P2) och en andra utgängspol (N2) för att producera utgängsstorheten (lout/Uout), och - en seriekapacitansdel (CS) för att astadkomma en galvanisk separation mellan ingängspolerna (P1, N1) och utgängspolerna (P2, N2), kän- 10 netecknadavatt den galvaniskt separerande kretsen vidare omfattar - första polväxlingsdon (PS1), vilka är anordnade att funktionellt koppia ingängspolerna (P1, N1) till seriekapacitansdelen (CS) under periodisk växling av polariteten, och - andra polväxlingsdon (PS2), vilka är anordnade att funktionellt 15 koppia seriekapacitansdelen (CS) tili utgängspolerna (P2, N2) under periodisk växling av polariteten och i takt med de första polväxlingsdonen.
2. En galvaniskt separerande krets enligt patentkrav 1, känne-te c k n a d av att de första polväxlingsdonen (PS1) omfattar en första om-kopplare (SW11) och en andra omkopplare (SW12) sä att den första om- 20 kopplaren (SW11) omfattar - en styringäng (AToN) för att mottaga en styrsignal med en första halvperiod och en andra halvperiod, - en första transistor (M1) för att koppia den första ingängspolen (P, P1) tili seriekapacitansdelens (CS) första kapacitans (CA) under den första 25 halvperioden, och - en andra transistor (M2) för att koppia den andra ingängspolen (N, N1) tili seriekapacitansdelens (CS) första kapacitans (CA) under den andra halvperioden.
3. En galvaniskt separerande krets enligt patentkrav 2, k ä n n e -30 t e c k n a d av att styringängen är funktionellt kopplad till transistorernas (M1, M2) styrkontakter genom en galvaniskt isolerande koppling.
4. En galvaniskt separerande krets enligt patentkrav 3, k ä n n e -tecknad av att den galvaniskt isolerande kopplingen är en kapacitiv koppling, som är integrerad pä samma chip med transistorerna (M1, M2), och för 35 att isolera styringängen (AToN) frän transistorerna är den förverkligad av kon-.. . taktens första metallskikt, ett isolationsskikt och därunder liggande andra me- 107091 11 tallskikt.
5. En galvaniskt separerande krets enligt patentkrav 3, känne-tecknad avatt den galvaniskt isolerande kopplingen är en optisk koppling.
6. En galvaniskt separerande krets enligt patentkrav 2, känne-5 t e c k n a d av att den första och/eller den andra transistorn (M1, M2) är en MOS-transistor.
7. En galvaniskt separerande krets enligt patentkrav 2, känne-tecknad avatt den första och/eller den andra transistorn (M1, M2) är en bipolär skikttransistor.
8. En galvaniskt separerande krets enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att en andra kapacitansdel CS2 följer de andra polväxlingsdonen (PS2) för att ästadkomma en utgängsspänning Uc.
9. En galvaniskt separerande krets enligt nägot av patenkraven 1 -7, kännetecknad av att aktiva don följer de andra polväxlingsdonen 15 (PS2) för att ästadkomma en utgängsspänning Uout. »* * • ·.
FI992147A 1999-10-05 1999-10-05 Galvaniskt frånskiljande krets FI107091B (sv)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI992147A FI107091B (sv) 1999-10-05 1999-10-05 Galvaniskt frånskiljande krets
AT00660177T ATE295015T1 (de) 1999-10-05 2000-10-03 Galvanisch isolierende schaltung
EP00660177A EP1091486B1 (en) 1999-10-05 2000-10-03 Galvanically isolating circuit
DE60019868T DE60019868T2 (de) 1999-10-05 2000-10-03 Galvanisch isolierende Schaltung
US09/678,672 US6549056B1 (en) 1999-10-05 2000-10-04 Method and apparatus for providing a galvanically isolating circuit for the transfer of analog signals

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI992147 1999-10-05
FI992147A FI107091B (sv) 1999-10-05 1999-10-05 Galvaniskt frånskiljande krets

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FI107091B true FI107091B (sv) 2001-05-31

Family

ID=8555412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI992147A FI107091B (sv) 1999-10-05 1999-10-05 Galvaniskt frånskiljande krets

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6549056B1 (sv)
EP (1) EP1091486B1 (sv)
AT (1) ATE295015T1 (sv)
DE (1) DE60019868T2 (sv)
FI (1) FI107091B (sv)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2922093B1 (en) * 2014-03-19 2017-05-10 Nxp B.V. Hemt temperature sensor
ITUB20159684A1 (it) * 2015-12-22 2017-06-22 St Microelectronics Srl Interruttore elettronico, dispositivo e procedimento corrispondenti

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH393526A (de) * 1961-05-26 1965-06-15 Z Prumyslove Automatisace Naro Schaltungsanordnung mit einem Transistor-Gleichstromverstärker für kleine Spannungen
US3612903A (en) * 1970-02-09 1971-10-12 Avco Corp Floating differential electronic chopper
US3638129A (en) * 1970-05-07 1972-01-25 Rca Corp Chopper stabilized amplifier
US3995174A (en) * 1974-02-26 1976-11-30 The University Of Toledo Chopper and chopper-multiplexer circuitry for measurement of remote low-level signals
JPS5917898B2 (ja) * 1975-12-30 1984-04-24 株式会社山武 アイソレ−タ
US5274343A (en) * 1991-08-06 1993-12-28 Raytheon Company Plural switch circuits having RF propagation networks and RF terminations
CN1027564C (zh) 1992-05-16 1995-02-01 丘雪明 电容耦合的隔离式放大器
US5654984A (en) * 1993-12-03 1997-08-05 Silicon Systems, Inc. Signal modulation across capacitors
US5500895A (en) * 1994-05-24 1996-03-19 Yurgelites; Gerald J. Telephone isolation device
CN1183587C (zh) 1996-04-08 2005-01-05 德克萨斯仪器股份有限公司 用于把两个集成电路直流上相互隔离的方法和设备
US6172630B1 (en) * 1998-08-18 2001-01-09 Tektronix, Inc. Extended common mode input range for a delta-sigma converter

Also Published As

Publication number Publication date
EP1091486A2 (en) 2001-04-11
US6549056B1 (en) 2003-04-15
DE60019868D1 (de) 2005-06-09
EP1091486B1 (en) 2005-05-04
ATE295015T1 (de) 2005-05-15
DE60019868T2 (de) 2006-02-16
EP1091486A3 (en) 2003-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1121076A (en) High voltage switch and capacitive drive
JP3841428B2 (ja) 電荷移送装置
KR100655258B1 (ko) 용량 검출 회로 및 용량 검출 방법
US11175319B1 (en) High accuracy low temperature drift high-side current sensing hardware and method
US4819147A (en) Integrated AC to DC power supply
JP2000500954A (ja) Cmosコンパレータ
CN110199238B (zh) 输出电路和用于提供输出电流的方法
US5079454A (en) Temperature compensated FET power detector
FI107091B (sv) Galvaniskt frånskiljande krets
US9407158B2 (en) Floating bias generator
US20070177323A1 (en) High voltage switch using low voltage cmos transistors
EP0776480B1 (en) Capacitive measuring device with mosfet
US5703518A (en) Absolute value circuit capable of providing full-wave rectification with less distortion
US6353546B1 (en) Coilless AC/DC power supply device
US20210297077A1 (en) Sampling Circuit and Sampling Method
US4338656A (en) Voltage polarity switching circuit
FI80552B (fi) Kopplingsanordning foer laogbrusig matning av impulser som haerroer fraon en sinusformig vaexelspaenning, speciellt 16khz betalningsimpuler.
US6232821B1 (en) System for allowing below-ground and rail-to-rail input voltages
KR100323196B1 (ko) 모스 전계효과 트랜지스터를 이용한 정밀전파정류기
EP0746099A2 (en) A MOS switching circuit
Li et al. Design of high-voltage and high-speed driver
Zojer et al. A 150-V subscriber line interface circuit (SLIC) in a new BiCMOS/DMOS-technology
JPS6016121Y2 (ja) ダイオ−ドゲ−ト形位相検波回路
SU1084951A1 (ru) Двойной балансный смеситель
KR20070081169A (ko) 스위칭 다이오드 온도감지기