ES2894136T3 - Limitador de tensión con protector de sobretensión - Google Patents
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Abstract
El limitador de tensión con protector de sobretensión, el cual está formado por una cubierta (26) aislante, cerrada por arriba por la primera placa (2) de contacto eléctrica y térmicamente conductora provista del primer punto (1) de conexión y por abajo por la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora provista del segundo punto (9) de conexión, donde dentro de la cubierta (26) aislante está colocada la conexión de dos elementos (5, 13) semiconductores de conmutación orientados en sentidos opuestos y a este conectado paralelamente el elemento (17) de protección, formado por un varistor o más varistores conectados paralelamente, donde este elemento (17) de protección está colocado entre dos placas (3, 11) interiores eléctrica y térmicamente conductoras, mientras que los elementos (5, 13) semiconductores están conectados al mismo tiempo por líneas auxiliares con el dispositivo de control electrónico y por los puntos (1, 9) de conexión y donde el limitador está provisto de una construcción de presión para el sellado y conexión eléctrica mutuos de las partes individuales se caracteriza porque, el primer elemento (5) semiconductor de conmutación está colocado entre la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora, la cual está en contacto con su cátodo (7) y la primera placa (2) de contacto eléctrica y térmicamente conductora que está en contacto con su ánodo (6) y el segundo elemento (13) semiconductor de conmutación está colocado entre la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora, la cual está en contacto con su cátodo (15) y la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora que está en contacto con su ánodo (14), mientras que la primera placa (2) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora están unidas entre sí a través del primer elemento (5) semiconductor de conmutación, la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora y el elemento (17) de protección presionados como mínimo por dos, por los primeros elementos (18) de presión eléctricamente conductores colocados perpendiculares al eje (x), eléctricamente aislados de la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora por el primer casquillo (20) aislante, mientras que la primera placa (2) de contacto y la segunda placa (11) interior están conectadas eléctricamente al mismo tiempo, y la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora están unidas entre sí a través del segundo elemento (13) semiconductor de conmutación, la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora y el elemento (17) de protección presionados como mínimo por dos, por los segundos elementos (19) de presión eléctricamente conductores colocados perpendiculares al eje (x), eléctricamente aislados de la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora por el segundo casquillo (21) aislante, mientras que la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora están conectadas eléctricamente al mismo tiempo.
Description
DESCRIPCIÓN
Limitador de tensión con protector de sobretensión
Campo de la invención
La invención se refiere a un dispositivo de protección cuya función es impedir la aparición de una alta tensión de contacto no permitida y limitar la sobretensión, en especial en infraestructuras ferroviarias, tanto en estaciones de viajeros como en subestaciones de maniobra.
El dispositivo de protección protege frente a tensiones no permitidas producidas por el potencial de las vías durante el funcionamiento y cortocircuitos. Garantiza la conexión temporal del circuito de retorno en tracción con la toma de tierra del aparato de tracción durante el periodo en que se sobrepasa el valor admisible de tensión. Protege así a las personas que pueden ponerse en contacto con estas partes.
Antecedentes de la invención
Los cambios en la legislación en el ámbito de los dispositivos para la protección contra la tensión de contacto en tracción eléctrica y el protector de sobretensión para dispositivos ferroviarios han modificado completamente los requerimientos de los dispositivos de protección. Es posible constatar que algunos dispositivos de protección no cumplen, o en parte, o completamente con sus parámetros sus requerimientos, o en su caso, son técnicamente bastante complicados y costosos.
Es conocida una solución descrita en el documento US2004257742A1 «Voltage limiter», el cual describe la conexión de un varistor, al cual está conectado un elemento de conmutación, formado por dos tiristores antiparalelos y un dispositivo de control que monitorea la aparición de un potencial diferencial y una tensión de contacto peligrosa y la iniciación del tiristor correspondiente elimina la tensión peligrosa. Además, en el documento se describe el diseño del dispositivo de protección, en especial se soluciona la conexión de cada subsistema individual en un todo. La disposición de la construcción es asimétrica, arriba está situado el elemento de protección - el varistor, en medio el dispositivo y abajo, entre dos placas, ambos tiristores. La placa exterior está en contacto con el ánodo del primer tiristor y, al mismo tiempo, con el cátodo del segundo tiristor, mientras que el cátodo del primer tiristor y el ánodo del segundo tiristor están en contacto con la segunda placa. Ésta está colocada dentro de una funda y está aislada del entorno circunstante por una funda y el aislante interior, por lo tanto, no es capaz de transferir la misma cantidad de calor que la placa exterior. La desventaja de esta solución es el desigual enfriamiento del ánodo de uno de los tiristores, como consecuencia de la construcción asimétrica. De esto resulta la carga desigual de los tiristores, siendo necesario elegir parámetros más altos de los tiristores para que sea posible alcanzar los parámetros requeridos incluso en peores condiciones de disipación de calor.
Es asimismo conocida la invención descrita en la literatura de patentes en el documento EP1855365 A1 «Overvoltage protection device module and method for forming the same» que contiene un varistor al cual están conectados de forma antiparalela dos tiristores y un circuito iniciador. El circuito iniciador monitorea la aparición de un potencial diferencial y una tensión de contacto peligrosa y la iniciación del tiristor correspondiente elimina la tensión peligrosa. Además, en el documento se describe el diseño del dispositivo de protección, en especial se soluciona la conexión de cada subsistema individual en un todo y sus posiciones en la placa de montaje. Este dispositivo elimina parcialmente las desventajas de la invención anterior, las desventajas son la demanda de grandes espacios y la complejidad de la construcción. Asimismo, permanecen también desventajas en la solución según el documento US2004257742A1, ya que ambos ánodos no están igualmente fríos.
Otro ejemplo de invención protegida por un modelo de utilidad es el documento CZ 22115 «Power semiconductor surge arrester». Este documento describe una de muchas soluciones de conexión antiparalela de dos bloques semiconductores de potencia idénticos, que contienen una conexión circunferencial de algunos elementos como tiristores, diodos de conexión, diodos Zener, varistor, resistores y condensadores. Concretamente, la propuesta de la disposición mecánica de cada elemento individual del limitador no está descrita.
Además, es conocido de la literatura de patentes el documento DE4217234 «Voltage limiting circuit for current cut out electronic extinction device - has parallel circuit across extinction capacitor limiting capacitor voltage using nonlinear resistance and GTO thyristor», cuya conexión contiene un tiristor y un varistor realizado en SiC. Esta invención se vuelve a tratar solo de la conexión eléctrica de elementos, que no responde a los antecedentes de la invención, especialmente porque los varistores de SiC no tienen la suficiente resistencia frente a impulsos y ahora ya no son fabricados ni utilizados.
Además, es posible indicar, por ejemplo, los documentos WO9623343 «Overvoltage protector» y WO 2011098359 «Surge-limiting device for direct current networks». Si bien la conexión en ellos indicada contiene algunos elementos idénticos como los tiristores, varistores y diodos, los documentos describen, sin embargo, solo las conexiones eléctricas de estos elementos, la disposición mecánica no está resuelta.
De otra literatura de patentes es necesario mencionar algunos documentos que describen la construcción de la funda
del dispositivo semiconductor, por ejemplo, en el documento US2013062749 «Semiconductor module», o en el documento EP0159797A2 «A semiconductor device and a process of producing same field of the invention» respectivamente. Se describen las construcciones de un módulo semiconductor que contiene un chip semiconductor, el cual está en contacto con la primera y segunda placa de electrodo de forma cilíndrica, mientras que ambas placas están presionadas entre ellas mediante una rosca o tornillos. La desventaja de ambas soluciones es que no contiene ningún elemento de protección frente a sobretensiones pulso y falta también un circuito de control.
Otro ejemplo de invención es la construcción descrita en el documento CZ299882 - «Separating member» destinado especialmente para construcciones metálicas de toma de tierra dependientes de la tensión colocadas de forma aislada en la tierra. El dispositivo semiconductor está construido con la base conjunta a un lado, en el cual están colocados al menos dos columnas orientadas antiparalelamente de plaquitas silicio y al otro lado una chapa de salida. Las columnas están apretadas por un perno de construcción de presión. La desventaja de esta solución es que no contiene un elemento de protección frente a sobretensiones pulso ni circuito de control, el cual aseguraría su correcta función.
Sumario de la invención
Las desventajas indicadas anteriormente quedan eliminadas en el limitador de tensión con protector de sobretensión definido en la reivindicación 1. Este limitador está formado por una cubierta aislante cilíndrica, la primera placa de contacto conductora eléctrica y térmica cerrada desde arriba provista del primer punto de conexión y, por abajo, la segunda placa de contacto conductora eléctrica y térmica provista del segundo punto de conexión. Dentro de la cubierta aislante está colocada el conector de los dos elementos semiconductores de conexión orientados en sentido contrario y, paralelamente conectado a este, el elemento de protección formado por un varistor o más varistores conectados paralelamente. Este elemento de protección está situado entre dos placas interiores. Los elementos semiconductores conectores están conectados al mismo tiempo por líneas auxiliares con el dispositivo de control electrónico y los puntos de conexión. El limitador está equipado de una construcción de presión para el apretado recíproco y la conexión eléctrica de las partes individuales. La esencia de la nueva solución es que el primer elemento semiconductor de conmutación está colocado entre la primera placa interior, la cual está en contacto con su cátodo y la primera placa de contacto, la cual está en contacto con su ánodo. El segundo elemento semiconductor de conmutación está colocado entre la segunda placa interior, la cual está en contacto con su cátodo y la segunda placa de contacto, la cual está en contacto con su ánodo. La primera placa de contacto y la segunda placa interior son térmica y eléctricamente conductoras y están unidas entre sí mediante el primer elemento semiconductor de conmutación, la primera placa interior y el elemento de protección presionados como mínimo por dos por los primeros elementos de presión colocados perpendiculares al eje (x), eléctricamente aislados de la primera placa interna por los primeros casquillos aislantes. La primera placa de contacto y la segunda placa interior están, al mismo tiempo, eléctricamente conectadas. La segunda placa de contacto y la primera placa interior son térmica y eléctricamente conductoras y están unidas entre sí mediante el segundo elemento semiconductor de conmutación, la segunda placa interior y el elemento de protección presionados como mínimo por dos por los segundos elementos de presión colocados perpendiculares al eje (x), eléctricamente aislados de la segunda placa interna por los segundos casquillos aislantes. La segunda placa de contacto y la primera placa interior están, al mismo tiempo, eléctricamente conectadas.
Los elementos primeros y segundos de presión son conductores eléctricos.
En una de las realizaciones posibles, el dispositivo de control electrónico está colocado fuera de la cubierta aislante y se compone del primer y segundo dispositivo de control. El primer dispositivo de control está conectado mediante líneas auxiliares con el electrodo conductor del primer elemento semiconductor de conmutación, con la primera placa de contacto y la primera placa interior. El segundo dispositivo de control está conectado mediante líneas con el electrodo conductor del segundo elemento semiconductor de conmutación, con la segunda placa de contacto y la segunda placa interior. En el caso de la aparición de una tensión no permitida entre los puntos de conexión, el dispositivo de control electrónico, dependiendo de su polaridad, acopla uno de los elementos de conmutación, restringiendo así la tensión no permitida.
En la segunda realización posible, el dispositivo de control electrónico está colocado dentro de la cubierta aislante y se compone del primer y segundo dispositivo de control. En este caso, la primera placa interior se compone de la primera placa plana y, ajustadas a su superficie superior, la primera placa adicional con un corte en forma de U invertida. En la primera cavidad formada está colocado el primer dispositivo de control, el cual está conectado, a través de la primera clavija de conexión que atraviesa por la abertura en la primera placa adicional, con el electrodo conductor del primer elemento semiconductor de conmutación, el cual está colocado entre la primera placa adicional y la primera placa de contacto y, mediante líneas auxiliares, está conectado con la primera placa de contacto y con la primera placa adicional. La segunda placa interior se compone de la segunda placa plana y, ajustadas a su superficie inferior, la segunda placa adicional con un corte en forma de U invertida. En la segunda cavidad formada está colocado el segundo dispositivo de control, el cual está conectado, a través de la segunda clavija de conexión que atraviesa por la abertura en la segunda placa adicional, con el electrodo conductor del segundo elemento semiconductor de conmutación, el cual está colocado entre la segunda placa adicional y la segunda placa de contacto y, mediante líneas auxiliares, está conectado con la segunda placa de contacto y con la segunda placa adicional.
El primer y segundo elemento semiconductor de conmutación están formados por tiristores encapsulados o chips semiconductores.
La cubierta aislante está formada ventajosamente de una materia selladora y aislante que rellena el espacio entre la superficie y el resto de los componentes del limitador.
En una realización posible, los primeros y segundos elementos de presión están formados por pernos y tuercas y son conductores eléctricos.
En una realización ventajosa, el elemento de protección está colocado directamente en el eje x de la cubierta aislante y el primer y segundo elemento semiconductor de conmutación están colocados simétricos entre sí con respecto a este eje x.
Es igualmente ventajoso si la primera placa de contacto, la segunda placa de contacto, la primera placa interna simple y compuesta y la segunda placa interior simple y compuesta son cilíndricas.
De lo anteriormente indicado es evidente que el ánodo de los elementos semiconductores de conmutación en la disposición indicada están ambos en contacto con las placas de contacto marginales, así pues, primera placa de contacto o la segunda placa de contacto respectivamente, de esta manera se asegura la misma refrigeración y cargas idénticas en los dos ánodos de los elementos semiconductores de conmutación. En una realización ventajosa la disposición es simétrica, arriba y abajo están colocados los elementos semiconductores de conmutación y en medio en el eje x está colocado el elemento de protección, generalmente un varistor, mientras que la primera placa simple o compuesta y la segunda placa simple o compuesta junto con los elementos de presión eléctricamente conductores conectan, al mismo tiempo, el elemento de protección con los puntos de conexión. La solución presentada, además de la misma refrigeración de los ánodos mencionada, simplifica la construcción, requiere un número menor de componentes y, por lo tanto, también de costes.
El limitador de tensión reacciona a cualquier impulso lento o rápido, corto o largo, continuo o alterno. Elemento de protección - el varistor reacciona a la aparición de un impulso de sobretensión siempre el primero y protege así ambos elementos semiconductores de conmutación y el dispositivo, el detector y el aparato medidor frente a los efectos de sobretensión que aparecen como consecuencia de fenómenos atmosféricos o de conmutación. Sin embargo, un impulso que dure un tiempo más prolongado llevaría a la destrucción del varistor, en este caso con un retraso de cerca de 1 ms, tendría lugar la activación de alguno de los elementos semiconductores de conmutación. El dispositivo de control electrónico monitorea permanentemente la aparición de tensiones no permitidas entre los puntos de conexión y, dependiendo de la polaridad acopla uno de los elementos semiconductores de conmutación y restringe de esta manera la tensión no permitida. El dispositivo de control electrónico es pasivo, no requiere de ninguna fuente de alimentación auxiliar. Los elementos semiconductores de conmutación tienen una potencia disipada baja y pueden conducir una corriente considerable permanentemente o un largo periodo de tiempo respectivamente. Si la corriente que pasa por el elemento semiconductor de conmutación decae por debajo del valor de la corriente de mantenimiento, el limitador se abre y restablece el estado de alta impedancia.
Descripción de los dibujos
El limitador de tensión con protector de sobretensión según la solución mostrada será además descrito mediante los dibujos adjuntos. En la Fig. 1 se muestra, para entender mejor la solución, un esquema de la conexión del limitador de tensión con protector de sobretensión en conexión bipolar que, sin embargo, no es objeto de protección. Fig. 2 muestra esquemáticamente una de las posibles disposiciones del limitador, cuya segunda disposición posible se muestra en la Fig. 3.
Realización preferida de la invención
El limitador de tensión con protector de sobretensión en conexión bipolar según la Fig. 1 está formado por la conexión de los dos elementos semiconductores de conmutación orientados en sentidos opuestos, el primer elemento 5 semiconductor de conmutación y el segundo elemento 13 semiconductor de conmutación y a este conectado paralelamente el elemento 17 de protección, formado por un varistor. Para aumentar la resistencia del impulso puede utilizarse también más varistores conectados paralelamente. Aquí se indica también el dispositivo de control electrónico, formado por el primer dispositivo 4 de control y el segundo dispositivo 12 de control, los cuales sirven para activar los elementos semiconductores de conmutación.
En la Fig. 2 se muestra la primera estructura del limitador de tensión con protector de sobretensión en conexión bipolar. El limitador está formado por una cubierta 26 aislante cilíndrica, cerrada por arriba por la primera placa 2 de contacto eléctrica y térmicamente conductora, provista de un punto 1 de conexión. Por abajo, la cubierta 26 aislante está cerrada por la segunda placa 10 de contacto provista del segundo punto 9 de conexión. La primera placa 2 de contacto y la segunda placa 10 de contacto son eléctrica y térmicamente conductoras. Dentro de la cubierta 26 aislante está colocada la conexión de los dos elementos semiconductores de conmutación orientados en sentidos opuestos, el primer elemento 5 semiconductor de conmutación y el segundo elemento 13 semiconductor de conmutación y a este
conectado paralelamente el elemento 17 de protección, según la Fig. 1. El elemento 17 de protección está aquí colocado entre las dos placas interiores, entre la primera placa 3 interior y la segunda placa 11 interior. El primer elemento 5 semiconductor de conmutación y el segundo elemento 13 semiconductor de conmutación pueden estar formados por tiristores encapsulados o chips semiconductores.
El primer elemento 5 semiconductor de conmutación está colocado entre la primera placa 3 interior, la cual está en contacto con su cátodo 7 y la primera placa 2 de contacto, la cual está en contacto con su ánodo 6. El segundo elemento 13 semiconductor de conmutación está colocado entre la segunda placa 11 interior, la cual está en contacto con su cátodo 15 y la segunda placa 10 de contacto, la cual está en contacto con su ánodo 14. La primera placa 3 interior y la segunda placa 11 interior son eléctrica y térmicamente conductoras. La primera placa 2 de contacto y la segunda placa 11 interior están unidas entre sí por el primer elemento 5 semiconductor de conmutación, la primera placa 3 interior y el elemento 17 de protección presionados como mínimo por dos por los primeros elementos 18 de presión, eléctricamente conductores colocados perpendiculares al eje (x), eléctricamente aislados de la primera placa 3 interior por los primeros casquillos 20 aislantes, mientras que la primera placa 2 de contacto y la segunda placa 11 interior están conectados al mismo tiempo por ellos eléctrica y conductivamente. Analógicamente, la segunda placa 10 de contacto y la primera placa 3 interior están unidas entre sí por el segundo elemento 13 semiconductor de conmutación, la segunda placa 11 interior y el elemento 17 de protección presionados como mínimo por dos por los segundos elementos 19 de presión, eléctricamente conductores colocados perpendiculares al eje (x), eléctricamente aislados de la segunda placa 11 interna por los segundos casquillos 21 aislantes, mientras que la segunda placa 10 de contacto y la primera placa 3 interior están conectados al mismo tiempo por ellos eléctrica y conductivamente. El primer elemento 18 de presión y el segundo elemento 19 de presión forma convenientemente una construcción de presión para el apretamiento mutuo y conecta, a la vez, eléctrica y conductoramente las correspondientes partes del limitador.
Los elementos 5 y 13 semiconductores de conmutación están conectados por líneas auxiliares con el dispositivo de control electrónico. En el ejemplo llevado a cabo en la Fig. 2 este dispositivo de control electrónico está colocado fuera de la cubierta 26 aislante y se compone de dos partes, del primer dispositivo 4 de control, conectado con el electrodo 8 conductor del primer elemento 5 semiconductor de conmutación, con la primera placa 2 de contacto y la primera placa 3 interior y del segundo dispositivo 12 de control, conectado con el electrodo 16 conductor del segundo elemento 13 semiconductor de conmutación, con la segunda placa 10 de contacto y la segunda placa 11 interior. Estos dispositivos 4 y 12 de control colocados fuera de la unidad del limitador pueden estar agrupados en un todo, el cual puede situarse en cualquier lugar adecuado, existiendo varias posibilidades técnicas ventajosas. La superficie de la cubierta 26 aislante está formada de sustancia selladora y aislante. En una realización ventajosa el equipo del limitador está introducido en el molde y, a presión reducida, cubierto de una sustancia selladora y aislante, la cual rellena el espacio entre la superficie de la cubierta aislante y el resto de los componentes del limitador. Del proceso resulta un casquillo herméticamente sellado. La sustancia para verter que es posible utilizar es una gran cantidad, es posible convenientemente usar una sustancia de poliuretano, silicona y epóxido.
El segundo limitador posible realizado en la Fig. 3. Su solución se diferencia en que el dispositivo de control electrónico está colocado dentro del limitador y se compone de nuevo del primer dispositivo 4 de control y del segundo dispositivo 12 de control. Por esta razón la primera placa 3 interior está dividida y se compone de la primera placa 3A plana y en su superficie superior se asienta la primera placa 3B adicional con un corte en forma de U invertida. El dispositivo 4 de control se coloca en la cavidad 24 formada. Este primer dispositivo 4 de control está conectado, a través de la primera clavija 22 de conexión que atraviesa por la abertura en la primera placa 3B adicional conectada con el electrodo 8 conductor del primer elemento 5 semiconductor de conmutación, el cual está colocado entre esta primera placa 3B adicional y la primera placa 2 de contacto. El primer dispositivo 4 de control está conectado con el primer punto 1 de conexión y el segundo punto 9 de conexión mediante líneas auxiliares, convenientemente mediante la primera placa 3A plana y la segunda placa 11A plana. Esta solución, junto con la posición del dispositivo de control electrónico en la cavidad, aporta la simplificación y compacidad a la construcción y la posibilidad de un fácil encapsulado. Analógicamente, la segunda placa 11 interior también está dividida y se compone de se compone de la segunda placa 11A plana y en su superficie inferior se asienta la segunda placa 11B adicional con un corte en forma de U invertida.
El segundo dispositivo 12 de control se coloca en la segunda cavidad 25 formada, este está conectado, a través de la segunda clavija 23 de conexión que atraviesa por la abertura en la segunda placa 11B adicional conectada con el electrodo 16 conductor del segundo elemento 13 semiconductor de conmutación, el cual está colocado entre esta segunda placa 11B adicional y la segunda placa 10 de contacto. El segundo dispositivo 12 de control está conectado con el primer punto 1 de conexión y el segundo punto 9 de conexión mediante líneas auxiliares, convenientemente mediante la primera placa 3A plana y la segunda placa 11A plana.
Analógicamente, como en la disposición según la Fig. 2, el primer elemento 18 de presión y el segundo elemento 19 de presión son eléctricamente conductores y forman convenientemente una construcción de presión para el agarre mutuo y conecta, a la vez, eléctrica y conductoramente las correspondientes partes del limitador. De forma parecida, como en la disposición según la Fig. 2, los primeros elementos 18 de presión están aislados eléctricamente de la primera placa 3B adicional por el primer casquillo 20 aislante y los segundos elementos 19 de presión están aislados eléctricamente de la segunda placa 11B adicional por el segundo casquillo 21 aislante.
En la realización ventajosa el primer casquillo 20 aislante y el segundo casquillo 21 aislante están formados directamente de una sustancia selladora y aislante.
En los dos ejemplos realizados, los primeros elementos 18 de presión y los segundos elementos 19 de presión fueron realizados por pernos eléctricamente conductores. El elemento 17 de protección fue colocado aquí directamente en el eje x de la cubierta 26 aislante y el primer elemento 5 semiconductor de conmutación y el segundo elemento 13 semiconductor de conmutación fueron colocados mutuamente simétricos en relación a este eje x.
La simetría de la construcción asegura que los ánodos 7 y 14 de los elementos 5 y 13 semiconductores de conmutación están ambos en contacto con las placas de contacto marginales, así pues, con la primera placa 2 de contacto o la segunda placa de contacto 10 respectivamente, de esta manera se asegura la misma refrigeración y cargas idénticas en los dos ánodos de los elementos semiconductores de conmutación. En la realización ventajosa los elementos 18 y 19 de presión eléctricamente conductores comprimen mecánicamente y, al mismo tiempo, conectan eléctricamente las partes individuales del limitador de tensión. La solución presentada, además de la misma refrigeración de los ánodos mencionada, simplifica la construcción, requiere un número menor de componentes y, por lo tanto, también de costes.
Desde el punto de vista de la fabricación es ventajoso si la primera placa 2 de contacto, la segunda placa 10 de contacto, la primera placa 3 interna simple y compuesta, 3A y 3B respectivamente, y la segunda placa 11 interior simple y compuesta, 11A y 11B respectivamente, son cilindricas.
El limitador suele estar conectado por el primer punto de conexión al dispositivo protegido y por el segundo punto de conexión a la toma de tierra. El dispositivo protegido se conecta al limitador de tensión con protector de sobretensión mediante el primer punto 1 de conexión y el segundo punto 9 de conexión, normalmente formados por abrazaderas y tornillos o pernos con tuercas.
El limitador de tensión reacciona a cualquier impulso lento o rápido, corto o largo, continuo o alterno. En el caso de la aparición de una tensión no permitida entre el primer punto 1 de conexión y el segundo punto 9 de conexión, esta tensión se lleva, a través del primer elemento 18 de presión y el segundo elemento 19 de presión y en la placa 3 interior y la segunda placa 11 interior, al elemento 17 de protección y, al mismo tiempo, mediante las líneas auxiliares al primer dispositivo 4 de control y el segundo dispositivo 12 de control. El elemento 17 de protección reacciona primero y limita la tensión para que no tenga lugar el daño del primer elemento 5 semiconductor de conmutación o el segundo elemento 13 semiconductor de conmutación, o en su caso, alguno de los dispositivos 4 o 12 de control.
Si la tensión no permitida tiene polaridad positiva y dura más de 1 ms, entonces el primer dispositivo 4 de control reacciona y mediante el electrodo 8 conductor del primer elemento 5 semiconductor de conmutación acopla este primer elemento 5 semiconductor de conmutación y restringe así la tensión no permitida al límite permitido. Los elementos semiconductores de conmutación tienen una potencia disipada baja y pueden conducir una corriente considerable permanentemente o un largo periodo de tiempo respectivamente. Si la corriente que pasa por el elemento semiconductor de conmutación decae por debajo del valor de la corriente de mantenimiento, entonces el elemento semiconductor de conmutación se abre y restablece el estado de alta impedancia.
Si la tensión no permitida tiene polaridad negativa y dura más de 1 ms, entonces el segundo dispositivo 12 de control reacciona analógicamente y mediante el electrodo 16 conductor del segundo elemento 13 semiconductor de conmutación activa este segundo elemento 13 semiconductor de conmutación y restringe así la tensión no permitida al límite permitido. Es necesario apuntar que el tiempo de retardo de la reacción del dispositivo de control de 1 ms solo presenta un valor informativo. Este valor y los demás parámetros técnicos del limitador de tensión, como son el tamaño de la tensión no permitida y otros, difieren según los requisitos definidos en la normativa nacional.
Explotación industrial
La conexión del limitador de tensión con protector de sobretensión según esta solución es aprovechable en todos los lugares donde es necesario garantizar la protección de las personas, máquinas, aparatos y construcciones metálicas contra tensiones de contacto peligrosas, sobretensiones y protección frente al impacto de corrientes eléctricas errantes.
El limitador de tensión protege frente a tensiones no permitidas ocasionadas por el potencial de las vías durante su funcionamiento y cortocircuitos, equilibra el potencial en el dispositivo y limita así la posible tensión de contacto. Se conecta entre el circuito de retorno y la tierra, especialmente en estaciones de viajeros y en subestaciones de maniobra. Garantiza la conexión temporal del circuito de retorno en tracción con la toma de tierra del aparato de tracción cunado se sobrepasa el valor admisible de tensión. Protege así a las personas que pueden ponerse en contacto con estas partes.
Paralelamente la protección de sobretensión conectada elimina efectivamente las altas sobretensiones de impulso inducidas en casos de golpes de rayo al sistema de tracción o los dispositivos ferroviarios u originados durante el funcionamiento.
Claims (10)
1. El limitador de tensión con protector de sobretensión, el cual está formado por una cubierta (26) aislante, cerrada por arriba por la primera placa (2) de contacto eléctrica y térmicamente conductora provista del primer punto (1) de conexión y por abajo por la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora provista del segundo punto (9) de conexión, donde dentro de la cubierta (26) aislante está colocada la conexión de dos elementos (5, 13) semiconductores de conmutación orientados en sentidos opuestos y a este conectado paralelamente el elemento (17) de protección, formado por un varistor o más varistores conectados paralelamente, donde este elemento (17) de protección está colocado entre dos placas (3, 11) interiores eléctrica y térmicamente conductoras, mientras que los elementos (5, 13) semiconductores están conectados al mismo tiempo por líneas auxiliares con el dispositivo de control electrónico y por los puntos (1, 9) de conexión y donde el limitador está provisto de una construcción de presión para el sellado y conexión eléctrica mutuos de las partes individuales se caracteriza porque, el primer elemento (5) semiconductor de conmutación está colocado entre la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora, la cual está en contacto con su cátodo (7) y la primera placa (2) de contacto eléctrica y térmicamente conductora que está en contacto con su ánodo (6) y el segundo elemento (13) semiconductor de conmutación está colocado entre la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora, la cual está en contacto con su cátodo (15) y la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora que está en contacto con su ánodo (14), mientras que la primera placa (2) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora están unidas entre sí a través del primer elemento (5) semiconductor de conmutación, la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora y el elemento (17) de protección presionados como mínimo por dos, por los primeros elementos (18) de presión eléctricamente conductores colocados perpendiculares al eje (x), eléctricamente aislados de la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora por el primer casquillo (20) aislante, mientras que la primera placa (2) de contacto y la segunda placa (11) interior están conectadas eléctricamente al mismo tiempo, y la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora están unidas entre sí a través del segundo elemento (13) semiconductor de conmutación, la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora y el elemento (17) de protección presionados como mínimo por dos, por los segundos elementos (19) de presión eléctricamente conductores colocados perpendiculares al eje (x), eléctricamente aislados de la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora por el segundo casquillo (21) aislante, mientras que la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora están conectadas eléctricamente al mismo tiempo.
2. El limitador de tensión según la reivindicación 1 se caracteriza porque, el dispositivo de control electrónico está colocado fuera de la cubierta (26) aislante y se compone del primer dispositivo (4) de control, conectado con el electrodo (8) conductor del primer elemento (5) semiconductor de conmutación, con la primera placa (2) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y la primera placa (3) interior y eléctrica y térmicamente conductora del segundo dispositivo (12) de control, conectado con el electrodo (16) conductor del segundo elemento (13) semiconductor de conmutación, con la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora.
3. El limitador de tensión según la reivindicación 1 se caracteriza porque, el dispositivo de control electrónico está colocado fuera de la cubierta (26) aislante y se compone del primer dispositivo (4) de control y el segundo dispositivo (12) de control, y después, la primera placa (3) interior eléctrica y térmicamente conductora se compone de la primera placa (3A) plana y en su superficie superior se asienta la primera placa (3B) adicional con un corte en forma de U invertida, donde el primer dispositivo (4) de control se coloca en la primera cavidad (24) formada, el cual está conectado, a través de la primera clavija (22) de conexión que atraviesa por la abertura en la primera placa (3B) adicional conectada con el electrodo (8) conductor del primer elemento (5) semiconductor de conmutación, el cual está colocado entre esta primera placa (3B) adicional y la primera placa (2) de contacto y mediante líneas auxiliares, está conectado con la primera placa (2) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y con la primera placa (3B) adicional, y la segunda placa (11) interior eléctrica y térmicamente conductora se compone de la segunda placa (11A) plana y en su superficie inferior se asienta la segunda placa (11B) adicional con un corte en forma de U invertida, donde el segundo dispositivo (12) de control se coloca en la segunda cavidad (25) formada, el cual está conectado, a través de la segunda clavija (23) de conexión que atraviesa por la abertura en la segunda placa (11B) adicional conectada con el electrodo (16) conductor del segundo elemento (13) semiconductor de conmutación, el cual está colocado entre esta segunda placa (11B) adicional y la segunda placa (10) de contacto y mediante líneas auxiliares, está conectado con la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductora y con la segunda placa (11B) adicional.
4. El limitador de tensión según la reivindicación 1 cualquiera de las reivindicaciones 2 o 3 se caracteriza porque, el primer elemento (5) semiconductor de conmutación y el segundo elemento (13) semiconductor de conmutación están formados por tiristores encapsulados.
5. El limitador de tensión según la reivindicación 1 cualquiera de las reivindicaciones 2 o 3 se caracteriza porque, el primer elemento (5) semiconductor de conmutación y el segundo elemento (13) semiconductor de conmutación están formados por chips semiconductores.
6. El limitador de tensión según la reivindicación 1 y cualquiera de las reivindicaciones 2 a 5 se caracteriza porque, la cubierta (26) aislante está formada de una sustancia selladora y aislante, la cual rellena el espacio entre la superficie y el resto de los componentes del limitador de tensión.
7. El limitador de tensión según la reivindicación 1 cualquiera de las reivindicaciones 2 a 6 se caracteriza porque, los primeros elementos (18) de presión y los segundos elementos (19) de presión eléctrica y térmicamente conductores están formados por pernos y tuercas.
8. El limitador de tensión según la reivindicación 1 cualquiera de las reivindicaciones 2 a 7 se caracteriza porque, el elemento (17) de protección está colocado directamente en el eje (x) de la cubierta (26) aislante y el primer elemento (5) semiconductor de conmutación y el segundo elemento (13) semiconductor de conmutación están colocados mutuamente simétricos con respecto a este eje (x).
9. El limitador de tensión según la reivindicación 1 cualquiera de las reivindicaciones 2 a 8 se caracteriza porque, la primera placa (2) de contacto, la segunda placa (10) de contacto eléctrica y térmicamente conductoras, la primera placa (3) interna simple y compuesta, (3A, 3B) respectivamente, y la segunda placa (11) interior simple y compuesta, (11A, 11B) respectivamente son cilíndricas.
10. El limitador de tensión según la reivindicación 1 cualquiera de las reivindicaciones 2 o 9 se caracteriza porque, el primer dispositivo (4) de control y el segundo dispositivo (12) de control forman un todo.
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