ES2823727T3 - Sistema de medición de presión que discrimina una avería de una sobrepresión o de una depresión - Google Patents
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Abstract
Sistema de medición de presión que comprende: - un sensor de presión (1) que comprende: - una membrana deformable (11); - un sistema (12, 12') de limitación de las deformaciones de la membrana deformable (11) que comprende: - un tope inferior (12) apto para limitar las deformaciones de la membrana deformable (11), estando dicho tope inferior (12) dispuesto por debajo de la membrana deformable (11); y - un tope superior (12') apto para limitar las deformaciones de la membrana deformable (11), estando dicho tope superior (12') dispuesto por encima de la membrana deformable (11); - un puente (10) resistivo dispuesto sobre la membrana deformable (11), estando dicho puente resistivo configurado para suministrar una tensión de puente (Ve) representativa de una deformación de la membrana deformable (11) provocada por una presión (P, P') aplicada sobre dicha membrana deformable, estando el sistema (12, 12') de limitación configurado por lo tanto para limitar la tensión de puente (Ve) en caso de sobrepresión o de depresión a nivel de la membrana deformable; - un circuito (2) electrónico de amplificación conectado al puente resistivo apto para suministrar una tensión de salida (Vs) en función de la tensión de puente (Ve); en el que el sistema (12, 12') de limitación y el circuito electrónico (2) están configurados conjuntamente para que la tensión de salida (Vs) permita distinguir un caso de avería del sensor de presión (1) y/o del circuito (2) electrónico de un caso de sobrepresión o de depresión a nivel de la membrana deformable, estando el sistema de limitación y el circuito electrónico configurados conjuntamente para que: - en funcionamiento nominal, la tensión de salida (Vs) varíe linealmente entre dos valores Vsmin y Vsmax para una presión a nivel de la membrana deformable comprendida entre Pmin y Pmax; - en caso de sobrepresión a nivel de la membrana deformable, la tensión de salida (Vs) crezca para saturar con una tensión de saturación Vs_sat_max para una presión a nivel de la membrana deformable (11) superior a Pmax; - en caso de depresión a nivel de la membrana deformable, la tensión de salida (Vs) decrezca para saturar con una tensión de saturación Vsat_min para un diferencial de presión a nivel de la membrana inferior a Pmin; - en caso de avería del sensor de presión (1) y/o del circuito (2) electrónico, la tensión de salida (Vs) alcance una tensión comprendida entre una tensión de defecto alto Vdefecto_alto y una tensión de alimentación del circuito electrónico V2, o alcance una tensión comprendida entre 0 y una tensión de defecto bajo Vdefecto_bajo, en el que la tensión de defecto alto Vdefecto_alto es estrictamente superior a la tensión de saturación Vs_sat_max, la tensión de saturación Vs_sat_max es estrictamente superior al valor de tensión nominal Vsmax, la tensión de defecto bajo Vdefecto_bajo es estrictamente inferior a la tensión de saturación Vs_sat_min, y la tensión de saturación Vsat_min es estrictamente inferior al valor de tensión nominal Vsmin.
Description
DESCRIPCIÓN
Sistema de medición de presión que discrimina una avería de una sobrepresión o de una depresión Campo técnico general
La invención se refiere al campo de los sistemas de medición de presión, a los que comprenden en particular un sensor de presión con membrana deformable.
Estado de la técnica
Un sistema de medición de presión comprende clásicamente un sensor de presión que permite suministrar una señal eléctrica representativa de una presión detectada y un circuito electrónico de amplificación que permite amplificar la señal eléctrica procedente del sensor con el fin de obtener una señal de salida.
El circuito electrónico permite amplificar la señal procedente del sensor. Los intervalos alto y bajo de la tensión de la señal de salida permiten señalar una avería. Por ejemplo, el circuito electrónico puede amplificar la señal eléctrica procedente del sensor guardando al mismo tiempo unos intervalos como unas zonas de detección de avería. Los documentos US 2002/0097034 y FR 2966241 proponen detectar unas averías del sensor de presión cuando la tensión de la señal de salida está por debajo o por encima del intervalo de funcionamiento del sensor. Por otro lado, el documento DE 102010040373 propone detectar unas zonas de sobrepresión y de depresión limitando las variaciones de la tensión de la señal de salida en caso de sobrepresión y de depresión. No obstante, a la salida del sensor, la señal eléctrica crece en función de la presión, de manera que la señal de salida Vs, versión amplificada de la señal procedente del sensor Ve, pueda alcanzar la zona alta de tensión dedicada a las averías en caso de sobrepresión mientras que el sistema de medición de presión no está defectuoso.
El documento US 2004/0189480 describe un sistema de medición de presión capaz de emitir una señal de accidente cuando la tensión es inferior a un valor de tensión predeterminado.
El documento US 5,062,302 describe un sensor de presión que comprende un tope que limita la deflección de la célula del sensor.
Existe por lo tanto una necesidad de poder discriminar un caso de sobrepresión de un caso de avería del sensor.
Presentación de la invención
La invención propone discriminar un caso de sobrepresión de un caso de avería del sensor.
Con este fin, la invención propone un sistema de medición de presión que comprende:
- un sensor de presión que comprende:
o una membrana deformable;
o un sistema de limitación de las deformaciones de la membrana deformable que comprende:
■ un tope inferior apto para limitar las deformaciones de la membrana deformable, estando dicho tope inferior dispuesto por debajo de la membrana deformable; y
■ un tope superior apto para limitar las deformaciones de la membrana deformable, estando dicho tope superior dispuesto por encima de la membrana deformable;
o un puente resistivo dispuesto sobre la membrana deformable, estando dicho puente resistivo configurado para suministrar una tensión de puente representativa de una deformación de la membrana deformable provocada por una presión aplicada sobre dicha membrana deformable, estando el sistema de limitación configurado por consiguiente para limitar la tensión de puente en caso de sobrepresión o de depresión a nivel de la membrana deformable;
- un circuito electrónico de amplificación conectado al puente resistivo apto para suministrar una tensión de salida en función de la tensión de puente.
El sistema de limitación y el circuito electrónico están configurados conjuntamente para que la tensión de salida permita distinguir un caso de avería del sensor de presión y/o del circuito electrónico de un caso de sobrepresión o de depresión a nivel de la membrana deformable, estando el sistema de limitación y el circuito electrónico configurados conjuntamente para que:
- en funcionamiento nominal, la tensión de salida varíe linealmente entre dos valores Vsmin y Vsmax para una presión a nivel de la membrana deformable comprendida entre Pmin y Pmax;
- en caso de sobrepresión a nivel de la membrana deformable, la tensión de salida crezca para saturar con una tensión de saturación Vs_sat_max para una presión a nivel de la membrana deformable superior a Pmax;
- en caso de depresión a nivel de la membrana deformable, la tensión de salida decrezca para saturar con una tensión Vsat_min para un diferencial de presión a nivel de la membrana inferior a Pmin;
- en caso de avería del sensor de presión y/o del circuito electrónico, la tensión de salida alcance una tensión comprendida entre una tensión de defecto alto Vdefecto_alto y una tensión de alimentación del circuito electrónico V2, o alcance una tensión comprendida entre 0 y una tensión de defecto bajo Vdefecto_bajo. La tensión de defecto alto Vdefecto_alto es estrictamente superior a la tensión de saturación Vs_sat_max, la tensión de saturación Vs_sat_max es estrictamente superior al valor de tensión nominal Vsmax, la tensión de defecto bajo Vdefecto_bajo es estrictamente inferior a la tensión de saturación Vs_sat_min, y la tensión de saturación Vsat_min es estrictamente inferior al valor de tensión nominal Vsmin.
La invención está completada ventajosamente por las características siguientes, consideradas solas o en cualquiera de sus combinaciones técnicamente posibles:
- la membrana deformable comprende una primera parte y una segunda parte que rodea la primera parte, presentando la segunda parte un grosor superior al grosor de la primera parte de manera que defina un espacio libre, estando la membrana suspendida por encima del espacio libre;
- el tope inferior comprende unos islotes que se extienden en el espacio libre hacia la membrana a partir de una superficie plana del tope inferior, formando los islotes una estructura en relieve de manera que, en caso de contacto entre los islotes y la primera parte de la membrana, la superficie de contacto entre los islotes y la primera parte de la membrana sea débil con respecto a las dimensiones de la primera parte de la membrana:
- el sistema de limitación comprende un vaciado central pasante, siendo entonces el sistema de medición apto para medir una presión de manera diferencial.
- el sistema de limitación es de un material seleccionado de entre los materiales siguientes: vidrio; cuarzo; alúmina; cerámica; aleaciones; Si; SiC; zafiro.
La invención permite que, en caso de sobrepresión, el sistema de limitación permita "detener" el desplazamiento de la membrana, lo cual tiene como consecuencia limitar la tensión de puente del sensor de presión y circunscribir así la tensión de salida Vs del sistema de medición de presión.
La invención se basa así en un ajuste conjunto del circuito electrónico de amplificación y de un dimensionamiento del sensor de presión y en particular del sistema de deformación (en funcionamiento nominal) con el fin de circunscribir la tensión de salida Vs en una zona asignada a la sobrepresión y por considguiente diferenciarla de una tensión de saturación del circuito electrónico reveladora de una avería del sensor y/o del circuito electrónico.
Presentación de las figuras
Otras características, objetivos y ventajas de la invención se desprenderán de la descripción siguiente, que es puramente ilustrativa y no limitativa, y que debe ser leída con respecto a los dibujos adjuntos, en los que:
- la figura 1 ilustra un sistema de medición de presión según un primer modo de realización de la invención; - la figura 2 ilustra un sistema de medición de presión según un segundo modo de realización de la invención; - la figura 3 ilustra un esquema eléctrico de un sistema de medición de presión según la invención;
- la figura 4 ilustra un funcionamiento del sistema de medición de presión según el primer modo de realización de la invención;
- la figura 5 ilustra un funcionamiento del sistema de medición de presión según el segundo modo de realización de la invención;
- la figura 6 ilustra un modo de realización de un sistema de limitación de las deformaciones de una membrana
deformable de un sistema de medición de presión de acuerdo con la invención.
En el conjunto de las figuras, los elementos similares llevan referencias idénticas.
Descripción detallada de la invención
En relación con las figuras 1 y 2, un sistema de medición de presión, según un primer y un segundo modos de realización, comprende un sensor de presión 1, 1' apto para suministrar una tensión Ve representativa de una presión detectada y un circuito electrónico 2 de amplificación conectado al sensor de presión 1, 1'.
El circuito electrónico 2 es apto para suministrar una tensión de salida Vs en función de la tensión Ve procedente del sensor de presión 1, 1'.
El sensor de presión 1, 1' comprende en particular una membrana deformable 11 en la que está dispuesto un puente resistivo 10 que permite suministrar la tensión Ve denominada tensión de puente. Esta tensión de puente Ve es por lo tanto representativa de una presión P, P' aplicada sobre la membrana 11 deformable (por encima o por debajo de la membrana).
La figura 3 ilustra un esquema eléctrico de los sistemas de medición según los primer y segundo modos de realización ilustrados en las figuras 1 y 2 respectivamente.
El puente resistivo 10 está constituido en particular por cuatro elementos resistivos R1, R2, R3, R4 constituidos por cuatro medidores de deformación que permiten traducir la deformación de la membrana 11 deformable en variaciones de resistencias eléctricas.
Volviendo a las figuras 1 y 2, el sistema de medición de presión 1, 1' comprende además un sistema 12, 12' de limitación de las deformaciones de la membrana 11 apto para limitar la tensión de puente Ve en caso de sobrepresión o de depresión a nivel de la membrana deformable del sensor de presión 1, 1'.
En particular, el sistema 12, 12' de limitación y el circuito 2 electrónico están configurados conjuntamente para que la tensión de salida Vs permita distinguir un caso de avería del sensor de presión 1 y/o del circuito electrónico 2 de un caso de sobrepresión o de depresión a nivel del sensor de presión 1.
El sensor de presión 1 (y por lo tanto el puente resistivo) está alimentado por una tensión de alimentación de puente V1 y el circuito electrónico de amplificación está alimentado por una tensión de alimentación del circuito electrónico V2.
En régimen nominal, el circuito electrónico 2 amplifica la tensión de puente Ve con el fin de que la tensión de salida Vs varíe entre un valor comprendido entre Vsmin y Vsmax para unos valores de presión a nivel de la membrana deformable comprendidos en un intervalo [Pmin-Pmax].
En el caso de un sensor de presión 1 absoluto, se aplica una presión P por encima de la membrana 11 deformable, denominada presión superior P En este caso, una sobrepresión a nivel de la membrana deformable 11 corresponde a una presión superior Psuperior a un umbral Pmax.
En el caso de un sensor de presión 1, 1' diferencial, se aplica una presión superior P por encima de la membrana 11 deformable y otra presión P' se aplica por debajo de la membrana 11 deformable denominada presión inferior. En este caso, una sobrepresión a nivel de la membrana 11 corresponde a un diferencial de presión P-P'>Pmax y una depresión a nivel de la membrana 11 corresponde a un diferencial P-P'<Pmin. El régimen nominal está comprendido, por lo tanto, para un diferencial de presión, entre Pmin y Pmax.
Según el primer modo de realización ilustrado en la figura 1, el sistema de limitación 12 es apto por lo tanto para limitar una presión P aplicada por encima de la membrana deformable 11. Según este modo de realización, sólo se pueden distinguir los casos de sobrepresión de un caso de avería del sensor de presión 1 y/o del circuito 2 electrónico.
En particular, según este primer modo de realización, el sistema de limitación 12 se presenta en forma de un tope inferior 12 dispuesto en el espacio libre 3 por debajo de la membrana deformable 11.
El tope inferior 12 y la membrana deformable están dispuestos preferentemente sobre un sustrato de soporte 13 que puede ser un material a base de vidrio, de silicio cuarzo, Pyrex™, zafiro, alúmina, Si, SiC.
El grosor del sustrato de soporte 13 está comprendido típicamente entre 500 pm o 2000 pm.
La membrana 11 y el tope inferior 12 están conectados al sustrato de soporte 13 por sellado anódico o por medio de una unión molecular o atómica con o sin capa intermedia, o por sinterización o por soldadura.
De manera complementaria, el tope inferior 12, en relación con la figura 1, es de forma general trapezoidal, estando la base grande dispuesta sobre el sustrato 13 de soporte y la base pequeña está dispuesta directamente por debajo de la membrana 11, en particular bajo su segunda parte 11b, definiendo esta base pequeña una superficie plana del tope.
En el caso de un sensor de presión diferencial, el tope inferior 12 comprende un vaciado 120 central pasante típicamente en forma de cono.
La figura 4 ilustra un funcionamiento del sistema de medición de presión según el primer modo de realización (con un tope inferior 12). En esta figura 3, la tensión de salida Vs (voltios) depende de la presión P (bar) aplicada sobre la membrana 11 del sensor de presión 1, la tensión de salida Vs viene dada por la relación siguiente Vs = G x Ve offset, siendo G un coeficiente de amplificación y offset un desplazamiento de escala.
Todavía en relación con la figura 4, el funcionamiento nominal define una primera zona Z1 (para Vs comprendida entre Vsmin y Vsmax), el caso de sobrepresión define una segunda zona Z2 denominada zona de sobrepresión (para Vs comprendida entre Vsmax y Vs_sat_max para una presión P entre Pmax y Psobrepresión_max), algunas averías del sensor de presión 1 y/o de un circuito electrónico definen una zona de defecto alto: tercera zona Z3 (para Vs comprendida entre una tensión Vdefecto_alto y la tensión de alimentación V2), y otras averías del sensor de presión 1 y/o de un circuito electrónico definen una zona de defecto bajo de tensión: cuarta zona Z4 (para Vs comprendida entre 0 y Vdefecto_bajo).
Preferentemente, la tensión de saturación Vs_sat_max es superior a la tensión nominal Vsmax. Por otro lado, la tensión de defecto Vdefecto_alto está comprendida preferentemente entre la tensión de saturación Vs_sat_max y la tensión de alimentación V2. Por último, la tensión de defecto Vdefecto_bajo es preferentemente inferior a la tensión nominal Vsmin, siendo al mismo tiempo no nula.
Según el segundo modo de realización, en relación con la figura 2, además de los elementos que constituyen el sistema de medición de presión 1 según el primer modo de realización, el sistema de medición de presión 1' según el segundo modo de realización comprende un sistema de limitación apto, además de para limitar una presión aplicada por encima de la membrana, para limitar una presión P' (presión inferior) aplicada por debajo de la membrana 11 (en particular en el caso de un sistema de medición de presión diferencial). En particular, el sistema de limitación 12' permite detectar además los casos de sobrepresión, los casos de depresión cuando el diferencial P-P' es negativo.
Según este segundo modo de realización, el sistema de limitación comprende además del tope inferior 12, un tope superior 12' dispuesto por encima de la membrana deformable 11.
El tope superior 12' presenta unos vaciados 120' en su centro y está conectado a la membrana 11 por medio de un sellado anódico o por medio de una unión molecular o covalente con o sin capa intermedia, o por sinterización o por soldadura.
El sistema de limitación 12, 12' está constituido preferentemente por un material idéntico al de la membrana 11 o por aleaciones, zafiro, alúmina, cerámica, cuarzo o vidrio. Puede incluso estar constituido por un material idéntico al del sustrato de soporte 13.
La figura 5 ilustra un funcionamiento del sistema de medición de presión según el segundo modo de realización (con los topes inferior 12 y superior 12').
En esta figura 5, la tensión Vs (voltios) depende del diferencial de presión P-P' (bar) aplicado sobre la membrana 11 del sensor de presión 1, la tensión de salida Vs viene dada por la relación siguiente Vs = G x Ve offset, siendo G un coeficiente de amplificación y offset un desplazamiento de escala.
En esta figura 5, además de la primera zona Z1, la segunda zona Z2, la tercera zona Z3, y la cuarta zona Z4, una quinta zona Z5 denominada zona de depresión para Vs comprendida entre Vsat_min y Vsmin para un diferencial de presión P'-P<0 a nivel de la membrana 11 comprendida entre Pdepresión_min y Pmin.
Preferentemente, la tensión de saturación Vsat_min es inferior a la tensión nominal Vsmin. Por otro lado, la tensión de defecto Vdefecto_bajo es preferentemente inferior a la tensión de saturación Vsat_min.
Por consiguiente, el sistema de limitación 12, 12' y el circuito electrónico están configurados conjuntamente para que
- en funcionamiento nominal, la tensión de salida Vs varíe linealmente entre dos valores Vsmin y Vsmax para el intervalo de presión predeterminado [Pmin-Pmax];
- en caso de sobrepresión, la tensión de salida Vs crezca para saturar con una tensión de saturación Vs_sat_max para una presión (o diferencial de presión) a nivel de la membrana deformable superior a Pmax;
- en caso de avería del sensor de presión 1 y/o del circuito 2 electrónico, la tensión de salida Vs alcance una tensión Vdefecto_alto (Z3) o Vdefecto_bajo (Z4) del circuito electrónico tal que una avería del sensor de presión 1 y/o del circuito electrónico no sea considerada como un caso de sobrepresión o de depresión a nivel del sensor de presión 1;
- en caso de depresión, la tensión de salida decrezca para variar entre dos valores Vsat_min y Vs_min (Z5) para un diferencial de presión P'-P<Pmin a nivel de la membrana deformable 11.
De manera ventajosa, el sensor de presión es un sensor de presión absoluto, o diferencial, tal como se describe en la solicitud de patente publicada con el número FR 2859281 o FR 2982023, a saber, un sensor de presión que comprende una membrana 11 suspendida por encima de un espacio libre, espacio libre en el que está dispuesto el sistema de limitación de presión que se presenta en forma de un tope. Se pueden considerar también otras formas de sensor de presión, como la descrita en la solicitud internacional WO 90/04701, por cuanto que el sensor de presión comprende un sistema para limitar una presión a nivel de la membrana deformable.
De manera preferida, como se ilustra en las figuras 1 y 2, la membrana deformable 11 comprende una primera parte 11a y una segunda parte 11b que rodea la primera parte 11a, presentando la segunda parte 11b un grosor superior al grosor de la primera parte 11a de manera que se defina un espacio libre 3, estando la membrana 11 suspendida por encima del espacio libre 3.
El grosor de la primera parte 11a está comprendido típicamente entre 20 y 100 pm, siendo el valor definido según el intervalo de la magnitud mecánica o dinámica que se debe medir.
La figura 6 ilustra un modo de realización de un tope inferior utilizado en el sistema de medición de presión según los primer y segundo modos de realización en el que el tope comprende unos islotes 121-128 que se extienden en el espacio libre 3 hacia la membrana 11 a partir de una superficie plana del tope inferior 12.
Dichos islotes 121-128 forman una estructura en relieve de manera que en caso de contacto entre los islotes 121 128 y la primera parte 11a de la membrana 11, la superficie de contacto entre los islotes 121-128 y la primera parte 11a de la membrana 11 sea baja con respecto a las dimensiones de la segunda parte 11b de la membrana 11. Los islotes así formados permiten una circulación óptima del fluido en el espacio entre la membrana 11 y el tope inferior 12 en el caso de un sistema de medición apto para medir una presión de manera diferencial.
Los islotes 121-128 comprenden ventajosamente unas facetas inclinadas que están orientadas según unos ángulos agudos superiores a cero grados con respecto a la superficie plana del tope inferior. Están en particular en forma de meseta.
Los islotes 121-128 permiten minimizar asimismo los errores debidos a la variación de densidad del fluido (en caso de variación de temperaturas durante la utilización del sistema de medición de presión, por ejemplo desde -50°C hasta 180°C) en el espacio situado entre el tope inferior 12 y la membrana 11.
Los islotes tienen una altura comprendida preferentemente entre 10 pm y 50 pm, y una anchura en la base comprendida entre 20 pm y 200 pm.
Por otro lado, los islotes 121-128 están dimensionados para que la primera parte de la membrana y los islotes estén espaciados por una distancia comprendida entre 5 y 30 pm, preferentemente 10 pm.
Tal como se ha mencionado anteriormente, existe una separación entre el tope inferior 12 y la membrana 11. Esta separación representa la distancia máxima de deformación de la membrana 11. De esta manera, una deformación más importante que esta separación coloca entonces la membrana 11 apoyada contra el tope inferior 12, lo cual impide una sobredeformación relacionada con una sobrepresión. Es en particular contra los islotes donde la membrana 11 pasa a apoyarse en el caso de una sobrepresión aplicada sobre el sensor de presión 1.
De manera ventajosa, el valor de esta separación se puede seleccionar en función de los parámetros de resistencia a la deformación de la membrana 11 (que depende en particular de su grosor y del material que la constituye) con una separación umbral a partir de la cual la membrana corre el riesgo de deteriorarse.
De esta manera, es posible ajustar los parámetros del tope inferior 12 en función de la aplicación considerada.
Claims (5)
1. Sistema de medición de presión que comprende:
- un sensor de presión (1) que comprende:
o una membrana deformable (11);
o un sistema (12, 12') de limitación de las deformaciones de la membrana deformable (11) que comprende:
■ un tope inferior (12) apto para limitar las deformaciones de la membrana deformable (11), estando dicho tope inferior (12) dispuesto por debajo de la membrana deformable (11); y
■ un tope superior (12') apto para limitar las deformaciones de la membrana deformable (11), estando dicho tope superior (12') dispuesto por encima de la membrana deformable (11);
o un puente (10) resistivo dispuesto sobre la membrana deformable (11), estando dicho puente resistivo configurado para suministrar una tensión de puente (Ve) representativa de una deformación de la membrana deformable (11) provocada por una presión (P, P') aplicada sobre dicha membrana deformable, estando el sistema (12, 12') de limitación configurado por lo tanto para limitar la tensión de puente (Ve) en caso de sobrepresión o de depresión a nivel de la membrana deformable;
- un circuito (2) electrónico de amplificación conectado al puente resistivo apto para suministrar una tensión de salida (Vs) en función de la tensión de puente (Ve);
en el que el sistema (12, 12') de limitación y el circuito electrónico (2) están configurados conjuntamente para que la tensión de salida (Vs) permita distinguir un caso de avería del sensor de presión (1) y/o del circuito (2) electrónico de un caso de sobrepresión o de depresión a nivel de la membrana deformable, estando el sistema de limitación y el circuito electrónico configurados conjuntamente para que:
- en funcionamiento nominal, la tensión de salida (Vs) varíe linealmente entre dos valores Vsmin y Vsmax para una presión a nivel de la membrana deformable comprendida entre Pmin y Pmax;
- en caso de sobrepresión a nivel de la membrana deformable, la tensión de salida (Vs) crezca para saturar con una tensión de saturación Vs_sat_max para una presión a nivel de la membrana deformable (11) superior a Pmax;
- en caso de depresión a nivel de la membrana deformable, la tensión de salida (Vs) decrezca para saturar con una tensión de saturación Vsat_min para un diferencial de presión a nivel de la membrana inferior a Pmin;
- en caso de avería del sensor de presión (1) y/o del circuito (2) electrónico, la tensión de salida (Vs) alcance una tensión comprendida entre una tensión de defecto alto Vdefecto_alto y una tensión de alimentación del circuito electrónico V2, o alcance una tensión comprendida entre 0 y una tensión de defecto bajo Vdefecto_bajo,
en el que la tensión de defecto alto Vdefecto_alto es estrictamente superior a la tensión de saturación Vs_sat_max, la tensión de saturación Vs_sat_max es estrictamente superior al valor de tensión nominal Vsmax, la tensión de defecto bajo Vdefecto_bajo es estrictamente inferior a la tensión de saturación Vs_sat_min, y la tensión de saturación Vsat_min es estrictamente inferior al valor de tensión nominal Vsmin.
2. Sistema de medición de presión según la reivindicación 1, en el que la membrana deformable (11) comprende una primera parte (11a) y una segunda parte (11b) que rodea la primera parte (11a), presentando la segunda parte (11b) un grosor superior al grosor de la primera parte (11a) de manera que se defina un espacio libre (3), estando la membrana suspendida por encima del espacio libre (3).
3. Sistema de medición de presión según cualquiera de las reivindicaciones 1 o 2, en el que el tope inferior comprende unos islotes (121-128) que se extienden en el espacio libre (3) hacia la membrana (11) a partir de una superficie plana del tope inferior (12), formando los islotes (121-128) una estructura en relieve de manera que en caso de contacto entre los islotes (121-128) y la primera parte (11a) de la membrana (11), la superficie de contacto entre los islotes (121-128) y la primera parte (11a) de la membrana (11) sea pequeña con respecto a las dimensiones de la primera parte (11a) de la membrana (11).
4. Sistema de medición de presión según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en el que el sistema de limitación (12, 12') comprende un vaciado (120, 120') central pasante, siendo entonces el sistema de medición apto para medir una presión de manera diferencial.
5. Sistema de medición de presión según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, en el que el sistema de limitación (12, 12') es de un material seleccionado de entre los materiales siguientes: vidrio; cuarzo; alúmina; cerámica; aleaciones; Si; SiC, zafiro.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1355668A FR3007134B1 (fr) | 2013-06-17 | 2013-06-17 | Systeme de mesure de pression discriminant une panne d'une surpression ou d'une depression |
PCT/EP2014/062576 WO2014202533A1 (fr) | 2013-06-17 | 2014-06-16 | Systeme de mesure de pression discriminant une panne d'une surpression ou d'une depression |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2823727T3 true ES2823727T3 (es) | 2021-05-10 |
Family
ID=49274803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES14731233T Active ES2823727T3 (es) | 2013-06-17 | 2014-06-16 | Sistema de medición de presión que discrimina una avería de una sobrepresión o de una depresión |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9891129B2 (es) |
EP (1) | EP3011294B1 (es) |
JP (1) | JP6412930B2 (es) |
CN (1) | CN105518426B (es) |
BR (1) | BR112015031197B1 (es) |
CA (1) | CA2914832C (es) |
ES (1) | ES2823727T3 (es) |
FR (1) | FR3007134B1 (es) |
WO (1) | WO2014202533A1 (es) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9719872B2 (en) * | 2015-09-29 | 2017-08-01 | Rosemount Inc. | High over-pressure capable silicon die pressure sensor with extended pressure signal output |
US10060813B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-08-28 | Rosemount Inc. | High over-pressure capable silicon die pressure sensor |
US10197462B2 (en) * | 2016-05-25 | 2019-02-05 | Honeywell International Inc. | Differential pressure sensor full overpressure protection device |
JP6808990B2 (ja) * | 2016-06-16 | 2021-01-06 | 富士電機株式会社 | 半導体物理量センサ装置 |
US10203258B2 (en) | 2016-09-26 | 2019-02-12 | Rosemount Inc. | Pressure sensor diaphragm with overpressure protection |
US10767673B2 (en) * | 2018-10-24 | 2020-09-08 | Mueller International, Llc | Over-pressure protection system |
WO2020084902A1 (ja) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 富士電機株式会社 | 圧力センサ |
US11630015B2 (en) * | 2020-08-17 | 2023-04-18 | Rosemount Aerospace Inc. | Verification of correct operation of a physical parameter sensor |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06105787B2 (ja) * | 1983-02-25 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | 高耐圧圧力センサ |
US4679567A (en) * | 1986-02-04 | 1987-07-14 | Deseret Medical, Inc. | Pressure transducer |
US5062302A (en) * | 1988-04-29 | 1991-11-05 | Schlumberger Industries, Inc. | Laminated semiconductor sensor with overpressure protection |
US5557972A (en) * | 1994-09-13 | 1996-09-24 | Teledyne Industries, Inc. | Miniature silicon based thermal vacuum sensor and method of measuring vacuum pressures |
JPH11304615A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 圧力センサ |
JP2002013995A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Denso Corp | 力学量検出センサ |
US6434456B1 (en) * | 2000-09-07 | 2002-08-13 | Kelsey-Hayes Company | High reliability pressure sensor |
JP4438222B2 (ja) * | 2000-12-06 | 2010-03-24 | 株式会社デンソー | 物理量検出装置 |
JP4296811B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2009-07-15 | 株式会社デンソー | 物理量センサ装置 |
DE502004011268D1 (de) * | 2004-09-24 | 2010-07-22 | Grundfos As | Drucksensor |
CN103052870B (zh) * | 2010-08-30 | 2014-10-08 | Ifm电子股份有限公司 | 具有诊断功能的电阻式压力测量单元 |
DE102010040373B4 (de) * | 2010-09-08 | 2024-03-21 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Drucksensorelement |
FR2966241A1 (fr) * | 2010-10-19 | 2012-04-20 | Peugeot Citroen Automobiles Sa | Capteur apte a determiner un dysfonctionnement interne et procede de diagnostic pour un tel capteur |
FR2982023B1 (fr) * | 2011-10-26 | 2015-03-06 | Auxitrol Sa | Structure micromecanique a membrane deformable et a protection contre de fortes deformations |
-
2013
- 2013-06-17 FR FR1355668A patent/FR3007134B1/fr active Active
-
2014
- 2014-06-16 WO PCT/EP2014/062576 patent/WO2014202533A1/fr active Application Filing
- 2014-06-16 EP EP14731233.4A patent/EP3011294B1/fr active Active
- 2014-06-16 ES ES14731233T patent/ES2823727T3/es active Active
- 2014-06-16 BR BR112015031197-0A patent/BR112015031197B1/pt active IP Right Grant
- 2014-06-16 JP JP2016520418A patent/JP6412930B2/ja active Active
- 2014-06-16 CN CN201480035976.0A patent/CN105518426B/zh active Active
- 2014-06-16 US US14/897,219 patent/US9891129B2/en active Active
- 2014-06-16 CA CA2914832A patent/CA2914832C/fr active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2914832C (fr) | 2021-04-13 |
JP6412930B2 (ja) | 2018-10-24 |
FR3007134B1 (fr) | 2018-11-16 |
US20160146687A1 (en) | 2016-05-26 |
BR112015031197A2 (pt) | 2017-07-25 |
CA2914832A1 (fr) | 2014-12-24 |
US9891129B2 (en) | 2018-02-13 |
CN105518426B (zh) | 2018-03-30 |
EP3011294A1 (fr) | 2016-04-27 |
WO2014202533A1 (fr) | 2014-12-24 |
JP2016524716A (ja) | 2016-08-18 |
EP3011294B1 (fr) | 2020-07-22 |
FR3007134A1 (fr) | 2014-12-19 |
BR112015031197B1 (pt) | 2020-12-01 |
CN105518426A (zh) | 2016-04-20 |
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