ES2409273T3 - Proceso de tratamiento de superficie para dispositivo médico implantable - Google Patents

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Abstract

Un proceso de tratamiento de superficie para un dispositivo médico implantable que incluye una capa aislantedieléctrica de superficie, comprendiendo el proceso la aplicación de iones sobre dicha capa aislante dieléctrica, ysecar el implante, siendo capaces los iones de formar una carga electrostática y crear, a nivel local, un campoeléctrico asociado con al menos parte de la superficie de dicho dispositivo médico implantable durante la aplicaciónde un líquido, preferentemente una solución electrolítica, a dicha superficie.

Description

Proceso de tratamiento de superficie para dispositivo médico implantable
5 Esta invención se refiere al campo de procesos de tratamiento de superficie para dispositivos médicos implantables y a dispositivos médicos tratados con dichos procesos.
Antecedentes
10 En muchos tipos de dispositivo médico implantado (por ejemplo, implantes ortopédicos, tornillos pediculares, implantes dentales, implantes de columna vertebral y sensores) es deseable contar con una fuerte interacción entre la superficie del dispositivo y los tejidos circundantes (de la forma más común hueso) con el propósito de transmisión de carga y tensión. Dichos dispositivos se usan para estabilizar fracturas, reforzar huesos débiles y anclar prótesis.
15 Las superficies de dichos dispositivos (en lo sucesivo en el presente documento denominados en general como “implantes”) han demostrado integrarse en el hueso cuando están rodeados por éste. La osteointegración (la formación de una conexión estructural entre el implante y el hueso vivo circundante) se produce después de la colocación del implante como resultado de la formación de nuevo hueso o la remodelación del hueso existente que está en contacto directo con la superficie del implante. El hueso puede formarse directamente sobre la superficie del
20 implante o puede haber una capa de proteínas muy fina interpuesta. Dicha osteointegración se ha demostrado en muchos estudios histológicamente, mediante radiografía y con análisis de la retirada, el par de torsión de retirada, la frecuencia de resonancia y otros ensayos mecánicos.
Los implantes típicamente son dispositivos metálicos puros, de aleaciones o cerámicos. Titanio, circonia, hafnio,
25 tántalo, acero inoxidable y cobalto-cromo son materiales usados habitualmente. Se entiende bien que la topografía de la superficie (rugosidad, caracterización de superficie ya sea aleatoria o repetida) del implante puede influir en la velocidad y la calidad de la formación ósea en la interfaz implante-superficie. En general, se considera que los implantes que se han hecho rugosos a la escala nanométrica y micrométrica pueden aumentar la velocidad y la calidad de la formación ósea. La consecuente reducción del tiempo requerido para la consolidación y la
30 osteointegración es altamente deseable, permitiendo una carga temprana y tiempos de tratamiento reducidos. Además, la fuerza y rigidez de la interfaz implante-hueso puede ser mayor con superficies que tienen ciertas topografías.
Existen una serie de métodos bien documentados para la alteración de la topografía o rugosidad de la superficie de
35 implantes. Estos pueden incluir tratamiento con chorro de partículas (grava, arena u otras partículas abrasivas), ataque con ácido, pulverización de plasma, anodizado, oxidación por microarco o una combinación de estos. Esto puede dar como resultado un único nivel de rugosidad o múltiples niveles modulados de rugosidad que varían de una escala de 1 nm a 100 !m. La topografía y las texturas de estos tipos se conocen bien a partir de productos comerciales y, por ejemplo, del documento EP 0 388 576.
40 Los procesos de modificación de superficie descritos anteriormente también pueden alterar la química de la superficie. Típicamente los metales forman óxidos en superficie al quedar expuestos al aire y el agua. Dicha exposición puede producirse durante la producción o la colocación quirúrgica o la manipulación. Una reacción con agua puede producirse en la superficie del implante donde se forman grupos hidroxilo (Boehm H.P., 1971 Acidic and
45 basic properties of hydroxylated metal oxide surfaces, Discussions of the Faraday Society, 52, 264-275). Químicamente, la superficie del implante puede ser el propio metal, un óxido del metal, o una superficie hidroxilada, por ejemplo titanio, óxido de titanio o hidroxilo de titanio. Carbono y otras impurezas pueden estar presente en la superficie del implante como resultado de procedimientos de producción, almacenamiento y manipulación.
50 Es altamente deseable que, cuando un implante se coloca en los tejidos o el hueso, esté completamente humectado con los fluidos tisulares naturales del cuerpo. Los fluidos tisulares contienen nutrientes, electrolitos, proteínas, factores de crecimiento y otras sustancias esenciales en el proceso de consolidación y formación ósea. Los implantes también pueden pre-tratarse con líquidos o geles, factores de crecimiento por ejemplo durante la producción o antes del tratamiento. Cualquier líquido, gel o solución que entre en contacto con un implante debe
55 humectar completamente la superficie y penetrar en cualesquiera elementos topográficos.
Se ha demostrado que existe una correlación entre la biocompatibilidad, bioadhesión y tensión superficial o ángulo de contacto sobre un sustrato o la superficie de un implante (Baier, 1972, The role of surface energy in thrombogenesis, Bull. N.Y. Acad. Med. 48, 257-272). Uno de los principales problemas con implantes que tienen
60 superficies rugosas es la potencial hidrofobia o incapacidad de la superficie para humectarse adecuadamente cuando se le aplican líquidos. Esto puede deberse a la contaminación de la superficie con materia orgánica o hidrófoba o a la geometría de la superficie que impide la penetración de fluido debido a la tensión superficial. La humectación, hidrofilia e hidrofobia de superficies medidas como el ángulo de contacto puede deducirse fácilmente usando un goniómetro o placa de Wihelmy.
65 El artículo de MOLENBERG A ET AL (“Inproved osseointegration of a novel, hydrophilic Ti surface -a review", Materialwissenschaft und Werkstofftechnic, vol. 40, no. 1-2, 1 de enero de 2009 (01/01/2009), páginas 31-35) desvela un estudio que muestra la importancia de las propiedades de un implante con superficie de titanio respecto a la integración ósea. El estudio muestra que los tornillos de titanio tienen una mejor integración ósea cuando
5 presentan una hidrofilia aumentada.
Es esencial que los fluidos tisulares o líquidos aplicados penetren en la topografía de una superficie completamente para garantizar que los nutrientes, proteínas y factores de crecimiento puedan mantener el metabolismo celular, la consolidación y la formación ósea. Sin embargo la naturaleza de la topografía o textura de la superficie es importante. El aumento de la rugosidad de una superficie puede hacer que quede aire atrapado debajo de un líquido impidiendo la humectación. Además, la relación de aspecto (altura o profundidad de depresiones o porosidades con respecto a su anchura o circunferencia) de la topografía es crítica, dado que esto puede causar puenteo y formación de puentes con la imposibilidad de un fluido para penetrar en dichos elementos.
15 Es, por lo tanto, un objeto de la presente invención proporcionar un método de tratamiento de un implante con el cual puede aumentarse la hidrofilia o humectación de la superficie de un implante para aumentar la penetración de líquidos en la superficie. Como alternativa, o además, biomoléculas específicas podrían estar unidas a la superficie. Estos objetos pueden conseguirse en parte o la totalidad de la superficie del implante.
Sumario de la divulgación
De acuerdo con un primer aspecto de la presente invención, se proporciona un proceso de tratamiento de superficie para un dispositivo médico implantable que incluye una capa aislante dieléctrica de superficie, comprendiendo el proceso la aplicación de iones sobre dicha capa aislante dieléctrica, y secar el implante, siendo capaces los iones de
25 formar una carga electrostática y crear, a nivel local, un campo eléctrico asociado con al menos parte de la superficie de dicho dispositivo médico implantable durante la aplicación de un líquido, preferentemente una solución electrolítica, a dicha superficie.
En una realización, dicho campo eléctrico se usa para atraer biomoléculas específicas a dicha capa aislante dieléctrica, por ejemplo mediante electroforesis. Preferentemente las biomoléculas se seleccionan entre el grupo que incluye preferentemente, donde las biomoléculas se seleccionan entre el grupo que incluye péptidos, polipéptidos, proteínas, oligonucleótidos, ácidos nucleicos, ARN, ácidos nucleicos antisentido, ARN interferente pequeño, ribozimas, genes, carbohidratos, factores angiogénicos, inhibidores del ciclo celular y agentes anti-reestenosis. Preferentemente, dicho líquido es una solución electrolítica.
35 Preferentemente, dicha aplicación de iones es sobre parte pero no sobre toda de dicha capa aislante dieléctrica. No es necesario revestir o cubrir completamente la capa aislante dieléctrica con iones.
En una realización, dichos iones aplicados son capaces de modificar la humectabilidad de al menos parte de la superficie de dicho dispositivo médico implantable.
El proceso puede comprender además la producción de un patrón de electrodos y/o características topográficas en dicha capa aislante dieléctrica a la que se aplican dichos iones.
45 Preferentemente, la carga electrostática es insuficiente para iniciar la electrolisis.
En una forma preferida, la capa aislante dieléctrica está provista sobre la superficie de dicho implante intermedia entre una parte metálica de dicho implante y un fluido conductor. La capa aislante dieléctrica puede comprender una capa de óxido metálico, por ejemplo óxido de titanio y/o puede tener un grosor en el intervalo de 1 nm -100 !m.
En una realización, la capa aislante dieléctrica incluye un revestimiento hidrófobo, por ejemplo un revestimiento de vidrio, cerámica o fluoropolímero amorfo.
En una realización, una solución acuosa de dichos iones se aplica a dicha capa aislante dieléctrica pulverizando,
55 sumergiendo o hundiendo parcialmente dicho implante en dicha solución acuosa, incluyendo la solución acuosa preferentemente un compuesto orgánico volátil. Adicionalmente, dicha solución acuosa puede ser una solución salina fisiológicamente isotónica, preferentemente de una concentración del 0,1-2,0%.
Los iones pueden aplicarse a dicha capa aislante dieléctrica mediante deposición en fase de vapor asistida por plasma.
Preferentemente, los iones incluyen iones que se encuentran de forma natural en fluidos corporales. En una realización, dichos iones incluyen cationes de Na+ o K+ o Mg2+ o aniones de Cl-o PO4-.
65 Preferentemente, dichos iones aplicados tienen un grosor en el intervalo de 1 nm -100 !m.
El proceso de tratamiento de superficie preferentemente incluye además la etapa de secar el implante, por ejemplo proporcionando una temperatura elevada, proporcionando un desecante, o colocando al implante en una corriente de aire u otro gas.
5 En una realización alternativa, dicha carga electrostática se aplica usando una fuente de energía de corriente alterna
o continua externa, preferentemente un voltaje en el intervalo de 10 mV -400 V y/o donde dicha carga electrostática tiene una frecuencia en el intervalo de 0 -20 kHz. Dicha carga electrostática puede tener una forma de onda sinusoidal, cuadrada, triangular o en rampa.
De acuerdo con un segundo aspecto de la invención se proporciona un dispositivo médico implantable tratado con el proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de los párrafos anteriores.
De acuerdo con la invención se proporciona un dispositivo médico implantable, preferentemente un implante dental, que comprende una capa metálica sobre la que está ubicada una capa aislante dieléctrica de superficie, teniendo la
15 capa aislante dieléctrica iones sobre ella que son capaces de formar una carga electrostática y crear, a nivel local, un campo eléctrico asociado con al menos parte de la superficie de dicho dispositivo médico implantable durante la aplicación de un líquido a dicha superficie.
De acuerdo con un tercer aspecto de la invención, se proporciona un método de modificación de la humectabilidad de un dispositivo médico implantable que comprende las etapas de:
tratar el dispositivo médico implantable con el proceso de cualquiera de los párrafos anteriores;
poner el dispositivo tratado en contacto con un líquido, con lo cual se inicia la electrohumectación.
25 Preferentemente la electrohumectación se inicia durante la implantación de dicho dispositivo médico. Como alternativa, dicho dispositivo médico se implanta antes de que se inicie la electrohumectación. Preferentemente, dicho líquido es un fluido corporal, por ejemplo sangre.
Características adicionales de la invención se describen en las reivindicaciones adjuntas.
Breve descripción de los dibujos
A continuación se describirán más particularmente realizaciones preferidas de la invención, a modo de ejemplo solamente, en referencia a los dibujos adjuntos, en los que:
35 La figura 1 es una vista de sección transversal esquemática de parte de un implante tratado con el proceso de la presente invención; y
La figura 2 es un gráfico que indica la carga eléctrica en superficie creada en la superficie de un implante tratado con el proceso de la presente invención.
Descripción detallada
La electrohumectación es un proceso conocido en el campo de la microfluídica digital donde las propiedades de 45 humectación de una superficie hidrófoba pueden modificarse usando un campo eléctrico aplicado externamente.
El proceso de electrohumectación se lleva a cabo mediante la producción de patrones de electrodos adecuados o características topográficas en una superficie del sustrato a la que se le aplica una carga electrostática (carga o voltaje) causando variaciones en el ángulo de contacto, cambios en la forma de las gotas, movimiento de fluidos y aumento de la humectabilidad global de la superficie.
Dicha electrohumectación permite la manipulación de fluidos y el desarrollo de superficies con humectabilidad controlable. La electrohumectación es muy exitosa y pueden conseguirse de forma rutinaria variaciones del ángulo de contacto de varias decenas de grados.
55 En el campo de los dispositivos médicos implantables, incluyendo implantes dentales, la aplicación externa de carga electrostática puede ser impráctica y/o indeseable. En un aspecto por lo tanto, la presente invención se refiere a un proceso de tratamiento de superficie para un dispositivo médico implantable que elimina la necesidad de carga electrostática aplicada externamente.
La figura 1 muestra una sección transversal esquemática de parte de un dispositivo médico implantable tratado mediante el proceso descrito a continuación. El implante 1 comprende un cuerpo del implante metálico o de aleación metálica 2 que tiene una capa dieléctrica aislante 3 en la superficie sobre él. El cuerpo del implante 2 puede tener una superficie sometida a chorreo con grava y ataque con ácido, o texturizada de otro modo. La capa dieléctrica 3 65 puede ser una capa de óxido metálico, por ejemplo tal como óxido de titanio que está presente habitualmente en implantes médicos de titanio. La capa dieléctrica puede estar presente de forma inherente sobre la superficie (tal
como la capa de óxido metálico mencionada anteriormente) o crearse mediante una etapa del proceso que implica cubrir el cuerpo del implante 2 con un revestimiento superior hidrófobo fino. Los posibles revestimientos incluyen vidrios, cerámicas y fluoropolímeros amorfos pero pueden estar previstos otros. La capa dieléctrica 3 puede tener un grosor típico en el intervalo de 1 nm -100 !m.
5 La siguiente etapa en el proceso comprende tratar la superficie del implante con iones. En una realización, el implante 1 se hunde o sumerge en una solución de MgCl26H2O al 1% y se agita mediante ultrasonidos para garantizar que no quedan burbujas de aire atrapadas en la superficie rugosa. Pueden estar previstas otras soluciones adecuadas para aplicar iones. Por ejemplo, pueden aplicarse iones Cl-a partir de una solución salina de
10 NaCl.
Los iones pueden aplicarse a la superficie del implante mediante pulverización, inmersión o hundiendo parcial o completamente el implante en una solución acuosa de un electrolito. Como alternativa, puede usarse la deposición en fase de vapor asistida por plasma. La solución puede ser electrolito y agua en solitario o puede añadirse un
15 compuesto orgánico volátil para mejorar la penetración. La concentración del electrolito puede ser variable. Un ejemplo es una solución salina del 0,9% que es fisiológicamente isotónica. Además, la cantidad del compuesto orgánico puede variar.
El implante húmedo se seca a continuación, por ejemplo en un horno 5-15 minutos a 50-90ºC, para repeler el agua y
20 dejar los iones sobre la superficie del implante. El secado del implante puede llevarse a cabo de una serie de maneras posibles, por ejemplo: a una temperatura elevada, en presencia de aire circulante o un desecante o en una corriente de gas o aire. El secado es importante para atraer y depositar los iones en el interior los pozos, poros y elementos capilares de la superficie.
25 El implante seco 1 tiene ahora iones 4 sobre su superficie. Los iones 4 no reviste la superficie del implante en el sentido convencional -los iones no necesitan cubrir toda la superficie del implante. La aplicación de iones, particular aunque no exclusivamente, a los pozos, poros y elementos capilares de la parte rugosa de la superficie del implante creará una concentración local de dichos iones. El grosor de los iones aplicados puede ser variable y puede estar en el intervalo de 1 nm -100 !m. Los iones aplicados no son suficientes para realizar cualquier tipo de función de
30 revestimiento protector para el implante.
Los iones sobre la superficie del implante tratado son capaces de formar una carga electrostática sobre él y de crear, a nivel local, un campo eléctrico asociado con al menos parte de la superficie del implante durante la aplicación de un líquido a la superficie, usando una técnica conocida como electrohumectación sobre dieléctrico (EWOD).
35 Si se aplica un voltaje entre un electrodo de superficie metálica y una solución electrolítica, por debajo del inicio de electrolisis, una capa doble eléctrica se acumula de forma espontánea en la interfaz sólido-líquido constituida por cargas sobre la superficie metálica y una nube de contraiones de carga opuesta en el lado líquido de la interfaz. Esto conduce a un aumento deseable de la humectabilidad. Dicha electrohumectación da como resultado una reducción
40 del ángulo de contacto y la tensión interfacial, aumento de la hidrofilia y penetración de la topografía de la superficie que supera el puenteo y la resistencia capilar.
En el implante tratado, el cuerpo del implante 2 comprende el electrodo. El implante tratado puede hundirse en, revestirse o ponerse en contacto de otro modo con un líquido, por ejemplo una solución electrolítica conductora,
45 para iniciar la EWOD. El líquido puede ser un líquido no conductor que se vuelve conductor en contacto con los iones aplicados al implante tratado. La capa aislante dieléctrica 3 aísla el electrodo del cuerpo del implante de la solución electrolítica que se usará en EWOD. En esta configuración de EWOD, la capa doble eléctrica se acumula en la interfaz dieléctrico-electrolito.
50 La solución electrolítica usada para EWOD puede ser un fluido tisular, sangre, solución salina o un fluido portador que porta fármacos, factores de crecimiento, etc. El tipo o la concentración de la solución electrolítica no tienen una influencia significativa sobre la humectabilidad. La solución puede ser, por lo tanto, una única sal o una combinación
-
de sales. Cationes de metales alcalinos típicos tales como Na+ oK+, con iones correspondientes Cl-, PO4 , son ejemplos de muchos que son adecuados. Dichas soluciones salinas pueden comprender, por lo tanto, fluidos
55 tisulares corporales.
De esta manera, fuerzas electrostáticas locales pueden ser generadas por el implante tratado durante el contacto con una solución electrolítica, sin aplicación de un voltaje externo, aumentando de este modo la hidrofilia de la superficie y permitiendo que los líquidos penetren completamente en la topografía de la superficie.
60 La figura 2 indica la carga eléctrica que se produce cuando un implante tratado se pone en contacto con un líquido adecuado tal como sangre, fluido tisular o solución salina (la flecha indica el punto en el tiempo en el que el implante entra en contacto con el líquido). Dado que el líquido es arrastrado al interior de la superficie del implante, el voltaje disminuye con el tiempo.
65 Si los iones aplicados a la superficie del implante son de sal, Na+Cl-, una ventaja adicional es que la sal se disolverá en la solución electrolítica que, si es fluido corporal, será completamente inofensiva, al ser un constituyente de dicho fluido corporal o fisiológico.
5 El proceso de EWOD puede realizarse igual de bien in vitro que in vivo.
En una realización, el campo eléctrico creado a nivel local puede usarse para atraer biomoléculas específicas a una superficie. Esto puede permitir el nivel preferencial y aumentado de formación ósea en aproximación directa a la superficie. Una lista no exhaustiva de biomoléculas ejemplares incluye: péptidos, polipéptidos, proteínas,
10 oligonucleótidos, ácidos nucleicos, ARN, ácidos nucleicos antisentido, ARN interferente pequeño, ribozimas, genes, carbohidratos, factores angiogénicos, inhibidores del ciclo celular y agentes anti-reestenosis.
En una realización alternativa, un voltaje aplicado a un circuito que comprende una superficie del implante metálico con capa dieléctrica y fluido adecuado (éste puede ser fluido tisular, o un fluido portador que porte fármacos factores 15 de crecimiento, etc.) causará electrohumectación que da como resultado una reducción del ángulo de contacto, aumento de la hidrofilia y la penetración en la topografía de la superficie superando el puenteo y la resistencia capilar. Como alternativa, o además, el proceso puede usarse para atraer biomoléculas específicas, tales como las enumeradas anteriormente a una superficie. El voltaje aplicado puede ser de corriente continua o alterna y en intervalo de 10 mV -400 V y frecuencia de 0 -20 kHz y con forma de onda sinusoidal, cuadrada, triangular, en
20 rampa o arbitraria.

Claims (14)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Un proceso de tratamiento de superficie para un dispositivo médico implantable que incluye una capa aislante dieléctrica de superficie, comprendiendo el proceso la aplicación de iones sobre dicha capa aislante dieléctrica, y
    5 secar el implante, siendo capaces los iones de formar una carga electrostática y crear, a nivel local, un campo eléctrico asociado con al menos parte de la superficie de dicho dispositivo médico implantable durante la aplicación de un líquido, preferentemente una solución electrolítica, a dicha superficie.
  2. 2. El proceso de tratamiento de superficie de la reivindicación 1, en el que dicho campo eléctrico se usa para atraer biomoléculas específicas a dicha capa aislante dieléctrica, por ejemplo mediante electroforesis, preferentemente donde las biomoléculas se seleccionan entre el grupo que incluye péptidos, polipéptidos, proteínas, oligonucleótidos, ácidos nucleicos, ARN, ácidos nucleicos antisentido, ARN interferente pequeño, ribozimas, genes, carbohidratos, factores angiogénicos, inhibidores del ciclo celular y agentes anti-reestenosis.
    15 3. El proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones anteriores donde dicha aplicación de iones es sobre parte pero no toda de dicha capa aislante dieléctrica; y/o donde dichos iones aplicados son capaces de modificar la humectabilidad de al menos parte de la superficie de dicho dispositivo médico implantable; y/o donde dicha carga electrostática es insuficiente para iniciar la electrolisis.
  3. 4.
    El proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones anteriores, que comprende además la producción de un patrón de electrodos y/o características topográficas en dicha capa aislante dieléctrica a la que se aplican dichos iones.
  4. 5.
    El proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones anteriores
    25 donde dicha capa aislante dieléctrica está provista sobre la superficie de dicho implante intermedia entre una parte metálica de dicho implante y un fluido conductor; y/o donde dicha capa aislante dieléctrica comprende una capa de óxido metálico, por ejemplo óxido de titanio; y/o donde dicha capa aislante dieléctrica tiene un grosor en el intervalo de 1 nm -100 !m; y/o donde dicha capa aislante dieléctrica incluye un revestimiento hidrófobo, por ejemplo un revestimiento de vidrio, cerámica o fluoropolímero amorfo.
  5. 6. El proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones anteriores, donde una solución acuosa de dichos iones se aplica a dicha capa aislante dieléctrica pulverizando, sumergiendo o hundiendo parcialmente dicho implante en dicha solución acuosa, preferentemente,
    35 donde dicha solución acuosa incluye un compuesto orgánico volátil y, más preferentemente, donde dicha solución acuosa es una solución salina fisiológicamente isotónica, preferentemente con una concentración del 0,1-2,0%.
  6. 7.
    El proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones 1-5, donde dichos iones se aplican a dicha capa aislante dieléctrica mediante deposición en fase de vapor asistida por plasma.
  7. 8.
    El proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones anteriores, donde dichos iones incluyen iones que se encuentran en fluidos corporales; y/o donde dichos iones aplicados tienen un grosor en el intervalo de 1 nm -100 !m.
    45 9. El proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones 1-7, donde dichos iones incluyen cationes Na+ o K+ o Mg2+ o donde dichos iones incluyen aniones Cl-o PO4-.
  8. 10.
    El proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones anteriores, donde la etapa de secado del implante es, por ejemplo, proporcionando una temperatura elevada, proporcionando un desecante, o colocando el implante en una corriente de aire u otro gas.
  9. 11.
    El proceso de tratamiento de superficie de la reivindicación 2 o cualquiera de las reivindicaciones 3-10 cuando dependen de la reivindicación 2, donde dicha carga electrostática se aplica usando una fuente de energía externa y, preferentemente, donde dicha carga electrostática es un voltaje en el intervalo de 10 mV -400 V.
  10. 12.
    El proceso de tratamiento de superficie de la reivindicación 11, donde dicha carga electrostática se genera a partir de corriente continua; o donde dicha carga electrostática tiene una frecuencia en el intervalo de 0 -20 kHz; y/o donde dicha carga electrostática tiene una forma de onda sinusoidal, cuadrada, triangular o en rampa.
  11. 13.
    Un dispositivo médico implantable tratado con el proceso de tratamiento de superficie de cualquiera de las reivindicaciones anteriores.
  12. 14.
    El dispositivo médico implantable de la reivindicación 13, preferentemente un implante dental, que comprende una capa metálica sobre la que está ubicada una capa aislante dieléctrica de superficie, teniendo la capa aislante
    65 dieléctrica iones sobre ella que son capaces de formar una carga electrostática capaz de crear, a nivel local, un campo eléctrico asociado con al menos parte de la superficie de dicho dispositivo médico implantable durante la aplicación de un líquido a dicha superficie.
  13. 15. Un método de modificación de la humectabilidad de un dispositivo médico implantable, que comprende las etapas de:
    5 tratar el dispositivo médico implantable con el proceso de cualquiera de las reivindicaciones 1-12; poner el dispositivo tratado en contacto con un líquido, con lo cual se inicia la electrohumectación.
  14. 16. El método de la reivindicación 15, donde la electrohumectación se inicia durante la implantación de dicho
    10 dispositivo médico, o donde dicho dispositivo médico se implanta antes de que se inicie la electrohumectación y, preferentemente, donde dicho líquido es un fluido corporal, por ejemplo sangre.
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