ES2335081T3 - Conexion de proteccion para una conexion en serie constituida por una etapa final de semiconductor de potencia y por un consumidor inductivo. - Google Patents
Conexion de proteccion para una conexion en serie constituida por una etapa final de semiconductor de potencia y por un consumidor inductivo. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2335081T3 ES2335081T3 ES00971241T ES00971241T ES2335081T3 ES 2335081 T3 ES2335081 T3 ES 2335081T3 ES 00971241 T ES00971241 T ES 00971241T ES 00971241 T ES00971241 T ES 00971241T ES 2335081 T3 ES2335081 T3 ES 2335081T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- voltage
- connection
- pulse width
- idle
- comparator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
- H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
- H02H9/047—Free-wheeling circuits
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Conexión de protección en combinación con una conexión en serie, que está constituida por una etapa final de semiconductor de potencia (T1) y por un consumidor (M) inductivo así como por un circuito de marcha en vacío, conectado en paralelo con el consumidor (M) inductivo, que está constituido por un diodo de marcha en vacío (D1) y por un conmutador semiconductor protector contra la inversión de la polaridad (T2), que está conectado en serie, pudiendo ser llevada a cabo la conexión y la desconexión de la etapa final de semiconductor de potencia (T1), en función de un valor teórico (Soll) predeterminado, con una señal de control modulada por anchura de impulsos, y se monitoriza en el circuito de marcha en vacío, que está constituido por el diodo de marcha en vacío (D1) y por el conmutador semiconductor protector contra la inversión de la polaridad (T2), o en la conexión en serie, que está constituida por el consumidor (M) inductivo y por la etapa final de semiconductor de potencia (T1), un punto con respecto a una tensión o a una corriente eléctrica, caracterizada porque el conmutador semiconductor protector contra la inversión de la polaridad (T2) puede ser controlado de forma no conductora por medio de una bomba de carga (LP) cuando la tensión de alimentación presente una inversión de la polaridad, y pude ser iniciada la desconexión de la activación de la etapa final de semiconductor de potencia (T1) por medio de la tensión, o bien por medio de la corriente eléctrica, que se presenta, o bien que cae, en el punto cuando se produce una falta de funcionamiento del circuito de marcha en vacío.
Description
Conexión de protección para una conexión en
serie constituida por una etapa final de semiconductor de potencia y
por un consumidor inductivo.
La invención se refiere a una conexión de
protección, en combinación con una conexión en serie, que está
constituida por una etapa final de semiconductor de potencia y por
un consumidor inductivo así como por un circuito de marcha en
vacío, que está conectado en paralelo con el consumidor inductivo,
cuyo circuito está constituido por un diodo de marcha en vacío y
por un conmutador semiconductor protector contra la inversión de la
polaridad, que está conectado en serie, pudiendo ser conectada y
desconectada la etapa final de semiconductor de potencia, en
función de un valor teórico predeterminado, con una señal de control
con modulación por anchura de impulsos y se monitoriza en un punto
una tensión o una corriente eléctrica en el circuito de marcha en
vacío, que está constituido por un diodo de marcha en vacío y por
un conmutador semiconductor protector contra la inversión de la
polaridad o en la conexión en serie, que está constituida por el
consumidor inductivo y por la etapa final del semiconductor de
potencia. Se conoce una conexión de protección de este tipo, por
ejemplo, por la publicación DE 19817 792 A1.
Las conexiones de protección, de este tipo,
proporcionan una protección contra la inversión de la polaridad
suficiente con elementos componentes exentos de defectos, es decir
que proporcionan una protección de los elementos componentes frente
a la sobrecarga y a la destrucción, cuando la tensión de
alimentación sea aplicada con inversión de la polaridad. Con objeto
de obtener una protección eficaz contra la inversión de la
polaridad, es conocida la conexión de un conmutador semiconductor
de potencia, adicional, en el circuito de marcha en vacío. Este
conmutador semiconductor de potencia, adicional, es controlado por
la bomba de carga y, concretamente, de tal manera, que esta bomba
sea conductora en el circuito en marcha en vacío en caso de
funcionamiento normal, mientras que, en el caso de una tensión de
alimentación con inversión de la polaridad, este conmutador
interrumpe el flujo de corriente eléctrica a través del diodo de
marcha en vacío por medio del estado no conductor.
Cuando se presenten irregularidades en la
conexión, cuyas irregularidades no controlen en esta forma al
conmutador semiconductor de potencia, entonces se presentan
sobretensiones incontroladas en la conexión, que conducen a la
destrucción de los elementos componentes. Como consecuencia del
defecto pueden ser provocados incendios, que pueden conducir al
incendio del vehículo, especialmente cuando la conexión sea aplicada
en un vehículo automóvil.
La tarea de la invención consiste en mejorar una
conexión de protección, del tipo que ha sido citado al principio,
de tal manera, que puedan ser reconocidos defectos en la bomba de
carga o del conmutador semiconductor protector contra la inversión
de la polaridad, que conduzcan a un circuito de marcha en vacío que
no funcione correctamente, y que puedan ser tomadas medidas para la
protección de los elementos componentes de la conexión, que eviten
su destrucción.
Esta tarea se resuelve, de conformidad con la
invención, porque puede ser iniciada la desconexión de la activación
de la etapa final del semiconductor de potencia con la tensión o
bien con la corriente eléctrica, que se presenta o bien que cae
cuando deje de funcionar el circuito de marcha en vacío.
Con esta monitorización de la tensión o de la
corriente eléctrica se reconoce la falta de funcionamiento del
circuito de marcha en vacío - aumento de la tensión a través de una
caída predeterminada de la tensión o de la corriente eléctrica - y
se desconecta la activación de la etapa final del semiconductor de
potencia de tal manera, que los elementos componentes críticos en
la conexión quedan protegidos con seguridad frente a la sobrecarga.
Entonces la etapa final de semiconductor de potencia es siempre no
conductora, es decir que es altamente óhmica.
De conformidad con una configuración, la
activación de la etapa final de semiconductor de potencia se lleva
a cabo porque la etapa final de semiconductor de potencia puede ser
activada mediante un control por medio de una modulación por
anchura de impulsos (PWM), y porque la tensión acrecentada, o la
caída de corriente eléctrica, que se presenta en caso de fallo en
el circuito de marcha en vacío, desconecta el control por medio de
una modulación por anchura de impulsos.
Con objeto de conseguir una protección absoluta
contra la destrucción de los elementos componentes, es ventajosa
una configuración caracterizada porque la desconexión del control
por medio de una modulación por anchura de impulsos se lleva a cabo
en un tiempo predeterminado, que es igual o menor que 10 ms, después
de la aparición del caso de fallo.
Cuando esté conectado un condensador de tampón
en el punto de conexión, que está entre el diodo de marcha en vacío
y el conmutador semiconductor protector contra la inversión de la
polaridad, con objeto de eliminar ampliamente reacciones del
funcionamiento cíclico del consumidor sobre la tensión de
alimentación, se detecta la tensión en el condensador de tampón
cuando se produzca un aumento sobre un valor predeterminado. La
tensión acrecentada en el condensador de tampón es transmitida al
control por medio de una modulación por anchura de impulsos en
forma de señal de desconexión. En este caso, puede estar previsto,
para simplificar la desconexión del control por medio de una
modulación por anchura de impulsos, que la tensión acrecentada en el
condensador de tampón pueda ser retransmitida al control por medio
de una modulación por anchura de impulsos a través de un
transformador analógico-digital, en forma de señal
digital de desconexión.
De conformidad con otro desarrollo, la
retransmisión de la señal de desconexión por parte del condensador
de tampón puede ser llevada a cabo de tal manera, que la tensión en
el condensador de tampón sea reducida por medio de un divisor de
tensión y pueda ser retransmitida al transformador
analógico-digital, nuevamente filtrada.
De conformidad con una configuración, se
consigue una onda de respuesta definida en el circuito de
monitorización porque la tensión en el condensador de tampón, o la
tensión reducida, puede ser comparada en un comparador con una
tensión de referencia predeterminada y porque el comparador
transmite al control por medio de una modulación por anchura de
impulsos una señal digital de desconexión cuando la tensión en el
condensador de tampón, o la tensión reducida, sobrepase a la
tensión de referencia.
La desconexión del control por medio de una
modulación por anchura de impulsos puede ser ejercida de manera
segura cuando la configuración se lleve a cabo de tal manera, que el
comparador esté dotado con un circuito con conmutación automática,
que mantenga el estado de desconexión y que pueda eliminar el estado
de desconexión estable del comparador por medio de una señal de
reposición, que puede ser enviada al comparador por parte del
control por medio de una modulación por anchura de impulsos. La
señal de reposición es necesaria para conmutar nuevamente en estado
listo para su funcionamiento a la conexión, una vez eliminado el
defecto.
Puede conseguirse una monitorización equivalente
de la tensión porque la tensión de toma de tierra
drain-ground de la etapa final de semiconductor de
potencia es monitorizada en la conexión del lado de baja
low-side, porque la tensión de toma de tierra
drain-ground puede ser comparada en un comparador
con una tensión de referencia predeterminada, porque el comparador
emite una señal digital de desconexión al control por medio de una
modulación por anchura de impulsos, cuando la tensión de toma de
tierra drain-ground sobrepase a la tensión de
referencia y porque puede ser impedida la activación de la etapa
final de semiconductor de potencia con la señal de desconexión y
puede ser conmutada de manera inactiva la tensión de referencia para
el comparador. En la protección está incorporada claramente también
la etapa final de semiconductor de potencia junto con esta conexión
de protección.
Se obtiene una monitorización sencilla de la
tensión porque el circuito de marcha en vacío monitoriza la caída
de la corriente eléctrica en marcha en vacío, cíclica.
La invención se explica con mayor detalle por
medio de varios ejemplos de realización, representados en el
dibujo. Se muestra:
en la figura 1 una conexión de protección con
monitorización de la tensión en el condensador de tampón y señal
analógica de desconexión,
en la figura 2 una conexión de protección con
monitorización de la tensión en el condensador de tampón y
comparación con una tensión de referencia predeterminada para emitir
una señal digital de desconexión,
en la figura 3 una conexión de protección
similar a la de la figura 3, con circuito de bloqueo automático y
señal de reposición y
en la figura 4 una conexión de protección con
monitorización de la tensión de toma de tierra
drain-ground en la etapa final de semiconductor de
potencia.
Tal como muestra la figura 1, la tensión de
alimentación de corriente eléctrica continua Ubatt alimenta un
control por medio de una modulación por anchura de impulsos
PWM-St y una bomba de carga LP, así como una
conexión en serie, que está constituida por una etapa final de
semiconductor de potencia T1 y un motor, a título de consumidor
inductivo M, que acciona, por ejemplo, un ventilador. En función de
un valor teórico Soll, que puede ser determinado de ante mano, el
control por medio de una modulación por anchura de impulsos
PWM-St controla la puerta de la etapa final de
semiconductor de potencia T1 con señales de control moduladas por
anchura de impulso en funcionamiento cíclico. La etapa final de
semiconductor de potencia T1 es altamente óhmica en las pausas de
las señales de control y la tensión de desconexión, que aparece
sobre el motor, es eliminada en el circuito de marcha en vacío, que
está conectado en paralelo con el motor y que está constituido por
una conexión en serie formada por el diodo de marcha en vacío D1 y
por un conmutador semiconductor protector contra la inversión de la
polaridad T2, adicional. Este conmutador semiconductor protector
contra la inversión de la polaridad T2 es controlado de manera
conductora por medio de la bomba de carga LP, al menos en las
secciones exentas de corriente eléctrica en la etapa final de
semiconductor de potencia T1 de tal manera, que puede fluir la
corriente eléctrica de marcha en vacío. Si se aplica con inversión
de la polaridad la tensión de alimentación Ubatt, entonces la bomba
de carga LP controla al conmutador semiconductor protector contra la
inversión de la polaridad T2 hasta el estado no conductor de tal
manera, que éste evita un flujo de corriente eléctrica no deseado a
través del diodo de marcha en vacío D. Las conexiones de protección,
de conformidad con la figura 2 hasta 4, trabajan de la misma manera
de tal manera que, en estas figuras, únicamente se ha puesto de
manifiesto la diferencia con respecto a la conexión de protección de
conformidad con la figura 1.
En el punto de conexión entre el conmutador
semiconductor protector contra la inversión de la polaridad T2 y el
diodo de marcha en vacío D1 se ha conectado un condensador de tampón
C1, en el cual puede aumentar la tensión incontroladamente por
encima de un valor de funcionamiento predeterminado en caso de un
funcionamiento defectuoso del circuito de marcha en vacío - defecto
de la bomba de carga LP o del conmutador semiconductor protector
contra la inversión de la polaridad T2 -. La tensión en el
condensador de tampón C1 se reduce por medio de un divisor de la
tensión constituido por las resistencias R1 y R2 y se filtra de
nuevo por medio de otro condensador C2. La tensión, obtenida de
este modo, se envía a un transformador
analógico-digital en el control por medio de una
modulación por anchura de impulsos PWM-St, que emite
una señal digital de desconexión para el control por medio de una
modulación por anchura de impulsos PWM-St cuando sea
sobrepasado un valor de la tensión predeterminado, que tiene como
consecuencia que deje de funcionar el circuito de marcha en vacío.
De este modo, se inhibe la activación de la etapa final de
semiconductor de potencia T1 de tal manera, que se concluye el
aumento adicional de la tensión en el condensador de tampón C1 y
quedan protegidos todos los elementos componentes de la conexión
frente a la sobrecarga y a la destrucción.
En la conexión de protección, de conformidad con
la figura 2, se envía a un comparador V la tensión reducida en el
condensador C2, cuyo comparador la compara con una tensión de
referencia, tomada en el distribuidor de tensión, que está
constituido por las resistencias R3 y R4, y emite una señal digital
de desconexión en una etapa de conexión S del control por medio de
una modulación por anchura de impulsos PWM-St,
cuando la tensión en el condensador C2 sobrepase a la tensión de
referencia en el condensador C3. La resistencia R7 a la salida del
comparador V sirve para derivar la señal digital de desconexión
cuando el potencial sea modificado en la salida del comparador
V.
Así mismo, en el ejemplo de realización, de
conformidad con la figura 3, se ha previsto en el comparador V un
circuito de conmutación automática, que presenta los diodos D2 y D3
y que es alimentado por el divisor de la tensión y por las
resistencias R3 y R4. Tan pronto como el comparador V pasa al estado
conmutado, que indica que se ha sobrepasado la tensión de
referencia, se mantiene el estado de conmutación del comparador V
hasta que sea enviada al comparador una señal de reposición r por
parte del control por medio de una modulación por anchura de
impulsos PWM-St. Esto puede ser llevado a cabo una
vez concluido el error en el conjunto de la conexión.
Por último, la figura 4 muestra un ejemplo de
realización, según el cual se monitoriza la tensión de toma de
tierra drain-ground de la etapa final de
semiconductor de potencia T1, que trabaja en la conexión del lado
de baja low-side, como canal N de transistor con
efecto de campo metal-óxido semiconductor
(N-canal-MOS-FET).
Esta tensión es reducida en un divisor de la tensión, que está
constituido por las resistencias R5 y R6, es tomada y es enviada a
un condensador C4. La tensión en el condensador C4 es enviada al
comparador V, igual que la tensión de referencia en el condensador
C5, que es tomada en el distribuidor de tensión, que está
constituido por las resistencias R8 y R9 y por el conmutador
semiconductor T3. El conmutador semiconductor T3 es controlado por
la señal de control de una modulación por anchura de impulsos
correspondiente al control por medio de una modulación por anchura
de impulsos PWM-St, a través de la resistencia R11.
A través de la resistencia R10 la tensión de referencia se
encuentra en el condensador C5. Cuando a la salida del comparador V
se presente la señal digital de desconexión, la etapa de
conmutación S en el control por medio de una modulación por anchura
de impulsos PWM-St interrumpe la activación de la
etapa final de semiconductor de potencia T1 y controla la tensión
de referencia a través del conmutador semiconductor T3 de tal
manera, que el comparador V no emite ninguna señal digital de
desconexión.
Claims (10)
1. Conexión de protección en combinación con una
conexión en serie, que está constituida por una etapa final de
semiconductor de potencia (T1) y por un consumidor (M) inductivo así
como por un circuito de marcha en vacío, conectado en paralelo con
el consumidor (M) inductivo, que está constituido por un diodo de
marcha en vacío (D1) y por un conmutador semiconductor protector
contra la inversión de la polaridad (T2), que está conectado en
serie, pudiendo ser llevada a cabo la conexión y la desconexión de
la etapa final de semiconductor de potencia (T1), en función de un
valor teórico (Soll) predeterminado, con una señal de control
modulada por anchura de impulsos, y se monitoriza en el circuito de
marcha en vacío, que está constituido por el diodo de marcha en
vacío (D1) y por el conmutador semiconductor protector contra la
inversión de la polaridad (T2), o en la conexión en serie, que está
constituida por el consumidor (M) inductivo y por la etapa final de
semiconductor de potencia (T1), un punto con respecto a una tensión
o a una corriente eléctrica, caracterizada porque el
conmutador semiconductor protector contra la inversión de la
polaridad (T2) puede ser controlado de forma no conductora por
medio de una bomba de carga (LP) cuando la tensión de alimentación
presente una inversión de la polaridad, y pude ser iniciada la
desconexión de la activación de la etapa final de semiconductor de
potencia (T1) por medio de la tensión, o bien por medio de la
corriente eléctrica, que se presenta, o bien que cae, en el punto
cuando se produce una falta de funcionamiento del circuito de marcha
en vacío.
2. Conexión de protección según la
reivindicación 1, caracterizada porque la etapa final de
semiconductor de potencia (T1) puede ser activada a través de un
control por medio de una modulación por anchura de impulsos
(PWM-St), y porque la tensión acrecentada, o la
caída de corriente eléctrica, que aparece en caso de fallo en el
circuito de marcha en vacío, desconecta el control por medio de una
modulación por anchura de impulsos (PWM-St).
3. Conexión de protección según la
reivindicación 2, caracterizada porque la desconexión del
control por medio de una modulación por anchura de impulsos
(PWM-St) se lleva a cabo en un tiempo predeterminado
que es igual o menor que 10 ms, después de la aparición del caso de
fallo.
4. Conexión de protección según una de las
reivindicaciones 1 a 3, caracterizada porque se conecta un
condensador de tampón (C1) en el punto de conexión entre el diodo
de marcha en vacío (D1) y el conmutador semiconductor protector
contra la inversión de la polaridad (T2), porque en caso de fallo
aumenta la tensión en el condensador de tampón (C1) por encima de
un valor predeterminado, y porque la tensión acrecentada en el
condensador de tampón (C1) puede ser retransmitida al control por
medio de una modulación por anchura de impulsos
(PWM-St), en forma de señal de desconexión.
5. Conexión de protección según la
reivindicación 4, caracterizada porque la tensión acrecentada
en el condensador de tampón (C1) puede ser retransmitida al control
por medio de una modulación por anchura de impulsos
(PWM-St) a través de un transformador
analógico-digital, en forma de señal digital de
desconexión.
6. Conexión de protección según la
reivindicación 4 o 5, caracterizada porque la tensión en el
condensador de tampón (C1) es reducida por medio de un divisor de
la tensión (R1, R2) y puede ser retransmitida al transformador
analógico-digital, nuevamente filtrada (C2).
7. Conexión de protección según una de las
reivindicaciones 4 a 6, caracterizada porque la tensión en el
condensador de tampón (C1), o la tensión reducida, puede ser
comparada en un comparador (V) con una tensión de referencia
predeterminada, y porque el comparador (V) retransmite una señal
digital de desconexión al control por medio de una modulación por
anchura de impulsos (PWM-St), cuando la tensión en
el condensador de tampón (C1), o la tensión reducida, sobrepase a
la tensión de referencia.
8. Conexión de protección según la
reivindicación 7, caracterizada porque el comparador (V) está
dotado con un circuito de bloqueo automático (D2, D3, R3), que
mantiene el estado de desconexión y porque el estado estable de
desconexión del comparador (V) puede ser eliminado por medio de una
señal de reposición (r) que puede ser enviada al comparador (V) por
el control por medio de una modulación por anchura de impulsos
(PWM-St).
9. Conexión de protección según la
reivindicación 1, caracterizada porque se monitoriza la
tensión de toma de tierra drain-ground de la etapa
final de semiconductor de potencia (T1) en la conexión del lado de
baja low-side, porque la tensión de toma de tierra
drain-ground puede ser comparada en un comparador
(V) con una tensión de referencia predeterminada, porque el
comparador (V) emite una señal digital de desconexión al control
por medio de una modulación por anchura de impulsos
(PWM-St) cuando la tensión de toma de tierra
drain-ground sobrepase a la tensión de referencia,
y porque puede ser inhibida la activación de la etapa final de
semiconductor de potencia (T1) con la señal de desconexión y puede
ser conectada de manera inactiva la tensión de referencia para el
comparador (V).
10. Conexión de protección según la
reivindicación 1, caracterizada porque el circuito de marcha
en vacío monitoriza la caída de la corriente eléctrica de marcha en
vacío, cíclica.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19941489 | 1999-09-01 | ||
DE19941489A DE19941489A1 (de) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | Schutzschaltung für eine Reihenschaltung aus Leistungshalbleiter-Endstufe und induktivem Verbraucher |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2335081T3 true ES2335081T3 (es) | 2010-03-22 |
Family
ID=7920314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES00971241T Expired - Lifetime ES2335081T3 (es) | 1999-09-01 | 2000-08-26 | Conexion de proteccion para una conexion en serie constituida por una etapa final de semiconductor de potencia y por un consumidor inductivo. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6577482B1 (es) |
EP (1) | EP1125351B1 (es) |
DE (2) | DE19941489A1 (es) |
ES (1) | ES2335081T3 (es) |
WO (1) | WO2001017088A1 (es) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10040879A1 (de) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Thomson Brandt Gmbh | Netzteil mit einer Batterie |
US6969971B2 (en) * | 2002-12-05 | 2005-11-29 | International Rectifier Corporation | Reverse battery protection circuit |
DE10313520A1 (de) * | 2003-03-26 | 2004-10-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Steuerschaltung zum Feststellen eines Betriebszustandes bei der Ansteuerung eines Lüftermotors |
DE202004021675U1 (de) * | 2003-05-06 | 2010-05-12 | Enecsys Ltd., Cambridge | Leistungsversorgungsschaltungen |
DE102005007123A1 (de) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Audi Ag | Bordnetz mit Tiefsetzsteller für ein Kraftfahrzeug |
DE102005061215B4 (de) * | 2005-12-21 | 2019-06-06 | Lucas Automotive Gmbh | Motorsteuerungsschaltung mit Fehlerüberwachung |
DE102006029332A1 (de) | 2006-06-23 | 2008-01-03 | Automotive Components Holdings, LLC, Dearborn | Motorsteuerung zur PWM-modulierten Steuerung eines Elektromotors |
US7969704B2 (en) * | 2007-10-01 | 2011-06-28 | Broadcom Corporation | Snubber circuit |
US7692908B2 (en) * | 2008-01-02 | 2010-04-06 | Glj, Llc | Protection of polarity-sensitive components connected in parallel with a direct current motor or inductor |
DE102009027665A1 (de) | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Robert Bosch Gmbh | Elektronisch kommutierter Elektromotor mit einem Verpol- und Überspannungsschutz und Verfahren |
CN102539887A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-04 | 范示德汽车技术(上海)有限公司 | 风机电流检测方法 |
WO2015074689A1 (en) | 2013-11-20 | 2015-05-28 | Siemens Aktiengesellschaft | A high voltage converter circuit equipped with a voltage monitoring device |
KR20150089270A (ko) | 2014-01-27 | 2015-08-05 | 엘에스산전 주식회사 | 배터리 역접속 방지 장치 및 그 동작 방법 |
DE102015110672B4 (de) * | 2015-07-02 | 2024-04-11 | Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Überwachung einer Freilaufdiode, sowie Verwendung der Schaltungsanordnung |
DE102016102264A1 (de) * | 2016-02-10 | 2017-08-10 | Robert Bosch Automotive Steering Gmbh | MOSFET-Schutz durch EKM-Messung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0154062B1 (en) * | 1984-02-29 | 1988-07-20 | International Business Machines Corporation | Power switching circuit |
US4680512A (en) * | 1986-05-19 | 1987-07-14 | Caterpillar Industrial Inc. | Fault protection apparatus for traction motor circuit |
US5546268A (en) * | 1994-07-28 | 1996-08-13 | Eaton Corporation | Electromagnetic device with current regulated closure characteristic |
US5625518A (en) | 1995-12-04 | 1997-04-29 | Ford Motor Company | Clamping circuit with reverse polarity protection |
DE19732094A1 (de) | 1997-07-25 | 1999-01-28 | Bosch Gmbh Robert | Steuerschaltung für einen Gleichstrommotor |
DE19817792A1 (de) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Siemens Ag | Verpolschutzschaltung |
-
1999
- 1999-09-01 DE DE19941489A patent/DE19941489A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-08-26 ES ES00971241T patent/ES2335081T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-26 EP EP00971241A patent/EP1125351B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-26 WO PCT/DE2000/002936 patent/WO2001017088A1/de active Application Filing
- 2000-08-26 US US09/830,731 patent/US6577482B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-26 DE DE50015792T patent/DE50015792D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1125351A1 (de) | 2001-08-22 |
EP1125351B1 (de) | 2009-11-11 |
WO2001017088A1 (de) | 2001-03-08 |
DE19941489A1 (de) | 2001-03-15 |
DE50015792D1 (de) | 2009-12-24 |
US6577482B1 (en) | 2003-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES2335081T3 (es) | Conexion de proteccion para una conexion en serie constituida por una etapa final de semiconductor de potencia y por un consumidor inductivo. | |
KR100938135B1 (ko) | 전기 모터를 과부하로부터 보호하기 위한 방법 및 회로 장치 | |
US20230082734A1 (en) | Photovoltaic System, Direct Current Hybrid Switching Device, Use and Method for Switching a Photovoltaic String On and Off | |
JP6498199B2 (ja) | 突入電流制限装置 | |
JP2020508032A (ja) | 低電圧dc電圧ネットワークに接続可能な負荷用の電子回路遮断器 | |
ES2433241T3 (es) | Protección frente al sobrevoltaje para un dispositivo de bus | |
US6104149A (en) | Circuit and method for improving short-circuit capability of IGBTs | |
KR100749181B1 (ko) | 반도체 디바이스 보호장치 | |
ES2595382T3 (es) | Dispositivo de limitación de sobretensión para redes de corriente continua | |
EP1701424B1 (en) | Combined device of electric protection at low voltage against transient and extended over-voltage with automatic reconnection | |
JP2011135665A (ja) | 保護装置 | |
KR20210079492A (ko) | 전력반도체 스위칭 소자의 과전압 보호회로 | |
US7333308B2 (en) | Control arrangement | |
ES2211888T3 (es) | Aparato de mando con una disposicion de circuito para proteccion del aparato de mando en el caso de interrupcion de la masa del aparato de mando. | |
ES2246411T3 (es) | Disposicion de circuito para un interruptor de corriente de defecto. | |
CN211390920U (zh) | 一种汽车天窗控制电路、系统及汽车 | |
US10027104B2 (en) | Electronic circuit arrangement | |
JP2605854B2 (ja) | 過電圧保護回路を備えたスイッチ回路 | |
US8649149B1 (en) | Dual level surge protector circuit for telecommunication line | |
RU215453U1 (ru) | Устройство ограничения выходного напряжения постоянного тока без разрыва цепи питания при воздействии на вход высоковольтных импульсов | |
EP0392733A2 (en) | Improvements relating to solid state electric switching arrangements | |
ES2350025T3 (es) | Dispositivo combinado de protección eléctrica contra sobretensiones transitorias, temporales y permanentes. | |
JP3679524B2 (ja) | トランジスタの過電流保護回路 | |
CA2843143C (en) | Lamp assembly and circuits for protection against miswiring in a lamp controller | |
US20240128855A1 (en) | Charging voltage converter on a vehicle, having reverse current blocking device |