ES2300396T3 - Procedimiento de revestimiento al arco electrico con catodos rotativos. - Google Patents
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Abstract
Método para revestir objetos (10) - en una cámara de vacío (20) en la cual se puede efectuar una deposición física en fase vapor (PVD), en donde - la cámara comprende al menos un medio de ánodo (30), al menos un cátodo (40) y al menos una fuente de campo magnético (42), en donde puede ser ignitado un arco eléctrico entre al menos un medio de ánodo (30) y al menos un cátodo (40), - la fuente o fuentes de campo magnético (42) pueden ser giradas con respecto al cátodo o cátodos (40) y - los objetos (10) a revestir están dispuestos en la cámara, - en donde se libera material del cátodo o cátodos, caracterizado por una etapa en donde la fuente de campo magnético (42) es girada antes de iniciarse el procedimiento de revestimiento, de manera que el material liberado del cátodo o cátodos no reviste los objetos (10) que han de ser revestidos en el procedimiento de revestimiento.
Description
Procedimiento de revestimiento al arco eléctrico
con cátodos rotativos.
\global\parskip0.900000\baselineskip
La presente invención se refiere a un método
para revestir superficies de objetos (sustratos) mediante Deposición
Física en Fase Vapor (PVD) empleando un arco eléctrico.
La DE-A-43 29
155 ha descrito ya un método para mantener el arco eléctrico sobre
el punto diana, es decir, sobre el cátodo, por medio de un campo
magnético que transcurre aproximadamente paralelo a la superficie de
un punto diana PVD, consiguiendo con ello una evaporación mejorada,
especialmente uniforme, del material diana.
La
WO-A-2002/50864 describe un aparato
genérico por el cual se puede aplicar material a un objeto por medio
de un método físico en vacío, con la finalidad de revestir un
objeto (sustrato) o una pluralidad de sustratos. En este caso, los
objetos (sustratos) están situados en una cámara de vacío, tal como
allí se describe.
En la cámara de revestimiento están dispuestos
uno o varios cátodos sustancialmente cilíndricos y la deposición de
material es controlada con ayuda de fuentes magnéticas. Las fuentes
magnéticas están dispuestas preferentemente en los cátodos y el
cátodo es girado con respecto a la fuente de campo magnético o bien
la fuente de campo magnético es girada con respecto al cátodo, para
conseguir la separación uniforme de material del punto diana. Este
material es depositado entonces sobre los sustratos.
En dicha cámara, los sustratos se colocan
normalmente sobre una mesa giratoria y se revisten sucesivamente a
medida que gira la mesa. De acuerdo con el estado de la técnica, el
cátodo se coloca, por ejemplo, en el centro de la mesa giratoria, de
manera que se pueden revestir varios objetos en una sola cámara. Sin
embargo, ya se ha descrito en
WO-A-2002/50864 que el cátodo - en
el caso allí descrito, dos cátodos - se puede disponer también en el
borde de la cámara de vacío, permaneciendo la mesa giratoria en el
centro de la cámara. En
WO-A-2002/50864 se ha descrito
también el uso de cátodos, en donde la fuente de campo magnético
puede ser girada.
Por ejemplo, se pueden emplear compuestos de TiN
para el revestimiento, en donde el titanio se separa de una diana
(cátodo) metálica de titanio en una atmósfera de nitrógeno por
medio de un arco eléctrico y el TiN así formado se aplica al objeto
(sustrato) a revestir por medio de una diferencia de voltaje entre
el cátodo y el sustrato.
Normalmente, en este caso, el procedimiento de
revestimiento real viene precedido por procedimientos de mordentado.
En primer lugar, la cámara se limpia empleando una atmósfera de gas
inerte, de acuerdo con el estado de la técnica conocido para métodos
de revestimiento, en donde se puede utilizar argón como gas inerte,
por ejemplo. En dicho procedimiento, se separa titanio metálico, no
TiN, del cátodo. Sin embargo, dado que este procedimiento está
destinado a una operación de limpieza y no al revestimiento del
sustrato, es conveniente que al menos parte del titanio metálico así
separado no llegue al sustrato.
También existe el problema de que al comienzo
del procedimiento de revestimiento se liberan partículas más
grandes del punto diana (conocidas como gotitas). Estas partículas
más grandes tampoco deberán llegar al sustrato.
Además, cuando se revisten objetos en dicha
cámara o en otra cámara de acuerdo con el estado de la técnica,
surge el problema de un grosor no uniforme del revestimiento. Esto
es debido a que durante dichos procedimientos de revestimiento la
eficiencia del aparato de deposición (fuente magnética y cátodo)
difiere en relación a la altura. Sin tomar medidas especiales, el
espesor del revestimiento en el centro, con respecto a la altura,
es por tanto mayor que el espesor en la parte superior y parte
inferior.
De este modo, la materia objeto de la invención
consiste en proporcionar un método de revestimiento en donde se
puede tener en cuenta el problema de las partículas más grandes
(gotitas) y de la contaminación previa al comienzo del
procedimiento de deposición.
La invención consigue este objeto mediante un
método de acuerdo con la reivindicación 1. Las medidas tomadas en
la invención dan como resultado en primer lugar un procedimiento de
limpieza que puede ser efectuado en la cámara de revestimiento, en
donde se optimiza el tamaño de las partículas y se depositan
cualesquiera partículas contaminantes (por ejemplo, carbono
procedente de acetileno), preferentemente en una pared opuesta a los
sustratos, con respecto a las dianas.
\global\parskip1.000000\baselineskip
Con la modificación controlada del campo
magnético, puede ser controlado el espesor del revestimiento y
conseguirse una constancia mejorada.
En una modalidad de la invención, se puede
controlar la distribución vertical del espesor del revestimiento, en
donde preferentemente se selecciona un espesor de capa uniforme.
Aquí, los imanes se mueven desde la parte superior a la inferior o
en sentido contrario con el fin de poder utilizar toda la altura de
la cámara cuando se revisten los sustratos. Esto tiene lugar
preferentemente por el hecho de que la deposición en las regiones
superior e inferior es realizada con la mayor precisión posible en
la dirección del objeto a revestir, mientras que en la región
central, en donde sin las medidas de la invención, se conseguiría
un revestimiento más grueso, la dirección de deposición se gira en
aproximadamente 5 a 20º, preferentemente en 10º aproximadamente, y
de esta manera la velocidad de revestimiento así como el espesor
del revestimiento se reducen de un modo eficaz para la misma unidad
de tiempo.
Las referidas etapas de procedimiento y aquellas
reivindicadas y descritas en los siguientes ejemplos de una
modalidad a utilizar de acuerdo con la invención, así como los
elementos relevantes, no constituyen condiciones de exclusión
especiales en términos de su dimensión, diseño, uso de materiales y
concepción técnica, de manera que pueden aplicarse, sin restricción
alguna, los criterios de selección conocidos en el campo particular
de la invención.
Otros detalles, características y ventajas de la
materia objeto de la invención se derivan de la siguiente
descripción de los dibujos relevantes en donde se explica el método
según la presente invención.
\vskip1.000000\baselineskip
En los dibujos se muestra lo siguiente:
La figura 1 es un diagrama esquemático de la
cámara con dos cátodos y fuentes de campo magnético que se
encuentran en la misma en una posición de parada;
La figura 2 es un diagrama esquemático de la
alineación de la fuente magnética en la posición normal;
La figura 3 es un diagrama esquemático de la
alineación de la fuente magnética en la posición de limpieza y/o
antes de iniciarse el revestimiento en el caso de que primeramente
se separen las gotitas;
La figura 4 es un diagrama esquemático de la
alineación de la fuente magnética en la posición de
revestimiento;
La figura 5 es un diagrama esquemático del
movimiento ascendente y descendente de los imanes con el fin de
revestir los sustratos en toda su altura;
La figura 6 es un diagrama esquemático de la
alineación de la fuente magnética en el caso de que los imanes se
sitúen aproximadamente en sus puntos más altos o más bajos con
respecto a su movimiento ascendente y descendente;
La figura 7 es un diagrama esquemático de la
alineación de la fuente magnética girada hacia el exterior en
aproximadamente 45º en el caso de que los imanes se sitúen
aproximadamente en su punto intermedio con respecto a su movimiento
ascendente y descendente.
\vskip1.000000\baselineskip
En una cámara de vacío representada en su
conjunto por el número de referencia 20 en la figura 1, está
dispuesta una mesa giratoria 50 con objetos (sustratos) 10 situados
sobre la misma aproximadamente en el centro de la cámara. Los
sustratos han de ser revestidos mediante el método PVD por
aplicación de un campo eléctrico entre un ánodo 30 y los cátodos
40, con lo que - en la presente modalidad ejemplificativa en donde
se utiliza un dispositivo de
ignición - se genera un arco eléctrico en la dirección de los cátodos 40, con lo que se libera material de los cátodos y se acelera hacia los sustratos 10 mediante un voltaje bajo de corriente continua entre el cátodo 40 y los sustratos 10. Como se ha descrito en WO-A-2002/50864, los cátodos 40 son aproximadamente cilíndricos, en donde el cilindro está construido de manera que está situado aproximadamente vertical en la cámara de vacío 20, pudiendo ser también elíptica la superficie de base del cilindro catódico. Durante el procedimiento de revestimiento, los cátodos 40 son enfriados mediante un flujo de agua. En los cátodos 40 están dispuestas fuentes de campo magnético 42 que, como en WO-A-2002/50864, están diseñadas de modo que las mismas mueven el punto del arco eléctrico sobre los cátodos 40 aproximadamente en donde el campo magnético es el más fuerte paralelamente a la superficie del cátodo.
ignición - se genera un arco eléctrico en la dirección de los cátodos 40, con lo que se libera material de los cátodos y se acelera hacia los sustratos 10 mediante un voltaje bajo de corriente continua entre el cátodo 40 y los sustratos 10. Como se ha descrito en WO-A-2002/50864, los cátodos 40 son aproximadamente cilíndricos, en donde el cilindro está construido de manera que está situado aproximadamente vertical en la cámara de vacío 20, pudiendo ser también elíptica la superficie de base del cilindro catódico. Durante el procedimiento de revestimiento, los cátodos 40 son enfriados mediante un flujo de agua. En los cátodos 40 están dispuestas fuentes de campo magnético 42 que, como en WO-A-2002/50864, están diseñadas de modo que las mismas mueven el punto del arco eléctrico sobre los cátodos 40 aproximadamente en donde el campo magnético es el más fuerte paralelamente a la superficie del cátodo.
Para el procedimiento de revestimiento, los
imanes 42 se mueven ahora ascendente y descendentemente por el
interior del cátodo 40, con lo que el punto del arco eléctrico y de
este modo la fuente del flujo de partículas hacia los cátodos 40
migran hacia arriba y hacia abajo. Puesto que por motivos
geométricos, se depositaría de un modo más eficaz una capa más
gruesa sobre el sustrato sin tener en cuenta las medidas de acuerdo
con la invención, en las posiciones de altura central, el campo
magnético y de esta manera la fuente de corriente de partículas es
girado ahora en aproximadamente 45º con respecto al eje geométrico
entre la diana adecuada y el sustrato, obligando así a que el flujo
de partículas tenga un recorrido más prolongado eficaz en
comparación con aquel en la posición de altura más alta y más baja
de la fuente magnética 42 dentro de la diana (cátodo 40). En la
modalidad ejemplificativa, el perfil se elige de acuerdo con una
función de coseno. En este caso, el giro más grande de la fuente de
campo magnético 42 respecto del eje geométrico entre la diana 40 y
el sustrato 10, se elige en relación al desvío más pequeño respecto
del centro.
Antes de comenzar el procedimiento de
revestimiento real, la fuente de campo magnético 42 es girada en
aproximadamente 180º respecto del eje geométrico entre la diana y el
sustrato, con lo que las partículas liberadas de la diana impactan
sobre la pared 24 de la cámara. Esta medida presenta el efecto de
que pueden evaporarse inicialmente los contaminantes sobre la diana
como resultado de los procedimientos de revestimiento previos. Esta
medida tiene también el efecto de que las gotitas más grandes
formadas al comienzo del efecto de evaporación no llegan al
sustrato, sino que también se depositan sobre la pared posterior de
la cámara. Después de este procedimiento de limpieza e inicio, la
fuente de campo magnético 42 es entonces girada en la dirección del
eje geométrico entre la diana 40 y el sustrato 10 (0º) y se inicia
el procedimiento descrito anteriormente.
Para el experto en la materia será evidente que
la medida para controlar el espesor del revestimiento en términos
de su altura mediante el giro de la fuente de campo magnético 42,
que no forma parte de la invención aquí reivindicada, también se
puede aplicar convenientemente cuando, por cualquier motivo, no se
utiliza la medida de girar la fuente de campo magnético 42 antes de
iniciarse el procedimiento de revestimiento, de modo que las
partículas separadas impacten sobre una pared de la cámara
alejándose rotativamente de los objetos que han de ser
revestidos.
- 10
- sustrato
- 20
- cámara de vacío
- 24
- puerta (o pared de la cámara) o blindaje de la parte posterior
- 30
- medio de ánodo
- 40
- cátodo
- 42
- fuente de campo magnético
- 50
- mesa giratoria
- 60
- posición de limpieza del punto diana y posición para la deposición de partículas grandes contra la pared
- 62
- posición de deposición (0º)
- 70
- distancia normal entre cátodos y sustratos (imanes en 0º)
- 72
- distancia incrementada entre cátodos y sustratos con el campo magnético desviado en 45º aproximadamente para la deposición del revestimiento más grueso.
Claims (10)
1. Método para revestir objetos (10)
- -
- en una cámara de vacío (20) en la cual se puede efectuar una deposición física en fase vapor (PVD), en donde
- -
- la cámara comprende al menos un medio de ánodo (30), al menos un cátodo (40) y al menos una fuente de campo magnético (42), en donde puede ser ignitado un arco eléctrico entre al menos un medio de ánodo (30) y al menos un cátodo (40),
- -
- la fuente o fuentes de campo magnético (42) pueden ser giradas con respecto al cátodo o cátodos (40) y
- -
- los objetos (10) a revestir están dispuestos en la cámara,
- -
- en donde se libera material del cátodo o cátodos,
caracterizado por
una etapa en donde la fuente de campo magnético
(42) es girada antes de iniciarse el procedimiento de revestimiento,
de manera que el material liberado del cátodo o cátodos no reviste
los objetos (10) que han de ser revestidos en el procedimiento de
revestimiento.
2. Método según la reivindicación 1,
caracterizado porque dicho medio de ánodo está constituido
por el alojamiento de dicha cámara (20).
3. Método según la reivindicación 1 o 2,
caracterizado porque el arco eléctrico para el procedimiento
de deposición física es activado entre la pared de la cámara como
medio de ánodo y al menos uno de los cátodos (40).
4. Método según la reivindicación 1,
caracterizado porque el arco eléctrico para el procedimiento
de deposición física es activado entre un ánodo en forma de varilla
o placa dispuesto en la cámara como el medio de ánodo y el cátodo o
cátodos (40).
5. Método según cualquiera de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el arco
eléctrico para el procedimiento de deposición física se produce por
medio de dos cátodos, en donde al menos uno de los cátodos (40) está
construido como un cátodo tubular sustancialmente cilíndrico y la
fuente o fuentes de campo magnético (42) están construidas como un
imán permanente o de bobina dispuesto en el cátodo tubular y en
donde el cátodo o cátodos tubulares se desvían del eje geométrico de
su configuración cilíndrica durante el procedimiento de
revestimiento.
6. Método según cualquiera de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque la fuente
de campo magnético (12) se gira antes de iniciarse el procedimiento
de revestimiento, de manera que las partículas liberadas del cátodo
o cátodos (40) impactan sobre una pared de la cámara alejada de los
objetos que han de ser revestidos (10).
7. Método según cualquiera de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque la
dirección de deposición antes de iniciarse el procedimiento de
revestimiento, es girada en aproximadamente 150º a 180º, con
preferencia en aproximadamente 180º, con respecto a la dirección de
los objetos que han de ser revestidos (10).
8. Método según cualquiera de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque comprende
las etapas de llevar a cabo sucesivamente el revestimiento, en donde
la fuente de campo magnético (42) se mueve ascendente y
descendentemente y la fuente de campo magnético (42) es girada con
respecto al cátodo (40) durante el movimiento ascendente y
descendente y, de este modo, se cambia la velocidad de
revestimiento durante el movimiento de la fuente de campo magnético
(42).
9. Método según la reivindicación 8,
caracterizado porque en la región superior y en la región
inferior del procedimiento de deposición, la fuente de campo
magnético (42) asume una dirección en la cual la velocidad de
revestimiento es mayor que en la región central.
10. Método según la reivindicación 9,
caracterizado porque, en la región central, la fuente de
campo magnético (42) es girada hacia el exterior en aproximadamente
45º respecto de la dirección entre el cátodo (40) y el objeto (10)
que ha de ser revestido.
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| EP2163661B1 (de) | 2008-09-05 | 2012-08-01 | LMT Fette Werkzeugtechnik GmbH & Co. KG | Wälzfräswerkzeug mit einer Beschichtung und Verfahren zur Neubeschichtung eines Wälzfräswerkzeuges |
| CZ304905B6 (cs) * | 2009-11-23 | 2015-01-14 | Shm, S.R.O. | Způsob vytváření PVD vrstev s pomocí rotační cylindrické katody a zařízení k provádění tohoto způsobu |
| EP2521159A1 (en) | 2011-05-06 | 2012-11-07 | Pivot a.s. | Glow discharge apparatus and method with lateral rotating arc cathodes |
| US10304665B2 (en) | 2011-09-07 | 2019-05-28 | Nano-Product Engineering, LLC | Reactors for plasma-assisted processes and associated methods |
| US9761424B1 (en) | 2011-09-07 | 2017-09-12 | Nano-Product Engineering, LLC | Filtered cathodic arc method, apparatus and applications thereof |
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| RU2554252C2 (ru) * | 2013-11-18 | 2015-06-27 | Аскар Джамилевич Мингажев | Способ нанесения покрытия и электродуговой испаритель для осуществления способа |
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|---|---|---|---|---|
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| NL8700620A (nl) * | 1987-03-16 | 1988-10-17 | Hauzer Holding | Kathode boogverdampingsinrichting alsmede werkwijze voor het bedrijven daarvan. |
| ATE80184T1 (de) * | 1987-06-29 | 1992-09-15 | Hauzer Holding | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von aushoehlungen von gegenstaenden. |
| US6103074A (en) * | 1998-02-14 | 2000-08-15 | Phygen, Inc. | Cathode arc vapor deposition method and apparatus |
| CA2305938C (en) * | 2000-04-10 | 2007-07-03 | Vladimir I. Gorokhovsky | Filtered cathodic arc deposition method and apparatus |
-
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