EP4374425A1 - Assembly for cooling a high-voltage part - Google Patents

Assembly for cooling a high-voltage part

Info

Publication number
EP4374425A1
EP4374425A1 EP22751037.7A EP22751037A EP4374425A1 EP 4374425 A1 EP4374425 A1 EP 4374425A1 EP 22751037 A EP22751037 A EP 22751037A EP 4374425 A1 EP4374425 A1 EP 4374425A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
filler material
gap filler
voltage component
cooling
heat sink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP22751037.7A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Sven Ebschke
Christian Hirschauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kostal Automobil Elektrik GmbH and Co KG
Original Assignee
Kostal Automobil Elektrik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kostal Automobil Elektrik GmbH and Co KG filed Critical Kostal Automobil Elektrik GmbH and Co KG
Publication of EP4374425A1 publication Critical patent/EP4374425A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3731Ceramic materials or glass

Definitions

  • the invention relates to an arrangement for cooling a high-voltage component, with a high-voltage component that is arranged on a circuit carrier and is coupled to a heat sink, with an insulating layer and a thermally conductive paste being arranged between the high-voltage component and the heat sink.
  • SMD surface-mounted devices
  • these components cool through the carrier substrate, i.e. through the printed circuit board.
  • the thermal resistance can become too great.
  • the resulting thermal energy is not sufficiently dissipated and the service life of the semiconductor components is reduced.
  • these devices use the underlying surface area for thermal vias or other thermal elements, reducing electrical wiring area.
  • chip manufacturers are attempting to offer components that do not dissipate their heat loss downwards into the circuit board via the soldering surface, but instead provide a metal surface on top through which the heat can be dissipated. This means that the area underneath the component can be used for additional wiring levels. Especially at high switching frequencies, this offers advantages in the
  • Thick gap pads which can be used as insulators due to their reproducible dielectric strength, are suitable for insulation.
  • thin gap pads, ceramic plates or insulating films with a defined breakdown voltage are also suitable as insulators.
  • a thermally conductive gap filler material can be used to compensate for tolerances.
  • Bonded insulation foils are usually produced very thin (minimum thicknesses of 25 gm with more than 5 kV insulation voltage are common), since they have a very poor thermal conductivity of usually below 0.5 W/(m * K) and at higher Layer thicknesses, a significant thermal resistance arises.
  • an insulating film is usually combined with a layer of gap filler material, which compensates for the tolerances.
  • this object is achieved in that the insulation layer is covered on both sides with a gap filler material. It is therefore proposed to embed the sensitive insulation layer on both sides in gap filler material in order to protect it from damage by two buffer layers.
  • the insulation layer can be formed particularly advantageously by an insulation film.
  • the inventive approach here is to place the isolation sheet between two layers of gap filler material so that it can be pushed away in either direction if the pressure becomes too great.
  • the gap filler material is designed in such a way that it holds the shape into which it was brought and also has adhesive properties, the foil is glued to the housing by the gap filler material after this work step.
  • gap filler dots are then applied again, into which the components dip during assembly of the printed circuit board. superfluous Material is pushed to the edge and the gap filler material crosslinks in exactly the right gap height for the respective component and its tolerances.
  • the thermal resistance Rth is about 15% lower than when an insulating film is placed or glued on as a self-adhesive variant.
  • the gap filler material binds better to the contact surfaces. Even if these are very smooth, the gap filler material can flow even better into bumps and thus wet a larger area, which leads to more effective heat transport.
  • the gap filler material is optimized with regard to its thermal conductivity and thus has a significantly better thermal resistance Rth.
  • the proposed design offers both the advantage of protecting the insulating film and a cost-effective way of improving the thermal conductivity of the connection.
  • the type of structure is of course not limited to an insulating film as an insulator, but can also be used for the thermal connection of ceramic plates.
  • the structure is then carried out in the same way here, with the difference that instead of the insulating film, one or more ceramic plates are pressed into a first layer of gap filler material, whereupon a further layer of gap filler material is then applied in a further step.
  • This type of construction has the advantage that the insulation material conducts the heat much better on the one hand and, on the other hand, that the heat is dissipated over a larger area of the heat sink by the relatively well-conducting ceramic plate. This reduces the thermal resistance due to heat spreading.
  • the application decides which type of structure is required with which thermal resistance and ultimately also the permitted costs. Because ceramic plates are good but also relatively expensive insulators.
  • FIG. 6 shows a fully assembled arrangement
  • FIG. 7 shows a high-voltage component shown in section.
  • FIGS. 1-10 To explain the structure of an arrangement for cooling a high-voltage component, different production phases of the arrangement are shown schematically in FIGS.
  • the production of the arrangement begins with a heat sink 1.1, onto which a portion of a gap filler material 1.2 is applied approximately in the middle, and with an insulating film 1.3. is covered.
  • the insulating film 2.3 is pressed parallel in the direction of the heat sink 2.1 by means of a pressure plate 2.9 shown in FIG. After this has happened, the pressure plate 2.9 is lifted again and removed.
  • a further portion of the gap filler material 3.4 is placed on the outside of the insulating film 3.3.
  • the free side of a high-voltage component 3.5 is pressed into the gap filler material 3.4.
  • the high-voltage component 3.5 is a housed SMD component whose connections 3.6 are connected electrically and mechanically to a circuit carrier 3.8 by means of soldering points 3.7.
  • the circuit carrier 3.8, 4.8 which can be embodied as a printed circuit board, thus forms an outside of the arrangement that is outlined in FIG. It can be seen that the high-voltage component 4.5 is pressed into the material of the gap filler material 4.4, which forms a predetermined layer thickness between the insulating film 4.3 and the high-voltage component 4.5. Excess gap filler material 4.4 is displaced laterally from the intermediate space between high-voltage component 4.5 and insulating film 4.3 and rests on high-voltage component 4.5 as a bead.
  • the circuit carrier 5.8 and the heat sink 5.1 are finally fixed to one another, as indicated in FIG.
  • the heat sink 5.1 has several screw domes 5.10 for adjusting the distance and for fixing the circuit carrier 5.8.
  • FIG. A layer structure can be seen, consisting of the successive layers of heat sink 6.1, a first layer of gap filler material 6.2, an insulating film 6.3, a second layer of gap filler material 6.4 and the high-voltage component 6.5, which is connected to the printed circuit board 6.8 arranged above it.
  • FIG. 7 outlines the structure of a high-voltage component 7.5, which forms a semiconductor switch by way of example.
  • the high-voltage component 7.5 has a semiconductor chip 7.11, which is surrounded by a plastic injection-molded body 7.13. Connected to the semiconductor chip 7.11 are a number of connections 7.6, which are brought out of the plastic injection-molded body 7.13. In contact with the semiconductor chip 7.11 is a metallic cooling surface 7.12, which at the same time forms part of an outer surface of the plastic injection-molded body 7.13.
  • the metallic cooling surface 7.12 rests against the second layer of the gap filler material 7.4 and is connected to the heat sink 7.1 via the insulating film 7.3 and the first layer of the gap filler material 7.2.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Described is an assembly for cooling a high-voltage part, comprising a high-voltage part which is arranged on a circuit substrate and is coupled to a heat sink, a gap filler material and an insulation layer being arranged between the high-voltage part and the heat sink, the insulation layer being coated on both sides with a gap filler material.

Description

Anordnung zur Kühlung eines Hochvoltbauteils Arrangement for cooling a high-voltage component
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Kühlung eines Hochvoltbauteils, mit einem Hochvoltbauteil, das auf einem Schaltungsträger angeordnet ist, und an einen Kühlkörper angekoppelt ist, wobei zwischen dem Hochvoltbauteil und dem Kühlkörper eine Isolationsschicht und eine wärmeleitende Paste angeordnet ist. The invention relates to an arrangement for cooling a high-voltage component, with a high-voltage component that is arranged on a circuit carrier and is coupled to a heat sink, with an insulating layer and a thermally conductive paste being arranged between the high-voltage component and the heat sink.
Aufgrund höherer Taktfrequenzen und kompakterer Bauformen steigen in der Leistungselektronik die Leistungsdichten und damit die Verlustleistungen, die aus den einzelnen Bauteilen abgeführt werden müssen. Due to higher clock frequencies and more compact designs, the power densities in power electronics and thus the power losses that have to be dissipated from the individual components are increasing.
Eine konventionelle Kühlmethode von Halbleiterbauteilen, die als Surface- Mounted Devices (SMD) ausgebildet sind, also von Bauteilen, welche über die Oberfläche montiert werden, wird über die Lötfläche realisiert. Damit kühlen diese Bauteile durch das Trägersubstrat, also durch die Leiterplatte. Gerade bei höheren Verlustleistungen ist das allerdings nicht immer ausreichend, da, je nach Trägersubstrat, der thermische Widerstand zu groß werden kann. In diesem Fall wird die entstehende Wärmeenergie nicht ausreichend abgeführt und es kommt zu einer Lebensdauerreduktion der Halbleiterbauelemente. Des Weiteren nutzten diese Bauteile die unter ihnen liegende Fläche für thermische Durchkontaktierungen (engl. VIAs) oder andere thermische Elemente, was die elektrische Verdrahtungsfläche reduziert. A conventional method of cooling semiconductor components that are designed as surface-mounted devices (SMD), ie components that are mounted on the surface, is implemented using the soldering surface. As a result, these components cool through the carrier substrate, i.e. through the printed circuit board. In the case of higher power losses, however, this is not always sufficient since, depending on the carrier substrate, the thermal resistance can become too great. In this case, the resulting thermal energy is not sufficiently dissipated and the service life of the semiconductor components is reduced. Furthermore, these devices use the underlying surface area for thermal vias or other thermal elements, reducing electrical wiring area.
Daher gibt es bei den Chipherstellern Bestrebungen, Bauteile anzubieten, die ihre Verlustwärme nicht über die Lötfläche nach unten in die Leiterplatte abgeben, sondern die an der Oberseite eine Metallfläche bereitstellen, über die die Wärme abgeführt werden kann. Dadurch kann die unter dem Bauteil liegende Fläche für weitere Verdrahtungsebenen genutzt werden. Insbesondere bei hohen Schaltfrequenzen bietet dies Vorteile bei derFor this reason, chip manufacturers are attempting to offer components that do not dissipate their heat loss downwards into the circuit board via the soldering surface, but instead provide a metal surface on top through which the heat can be dissipated. This means that the area underneath the component can be used for additional wiring levels. Especially at high switching frequencies, this offers advantages in the
Reduktion von Leiterbahnlängen und deren induktiven Einfluss. Ein weiterer Vorteil ist der kurze Weg zu einem gegebenenfalls vorhandenen Kühlkanal, beispielsweise wenn die Bauteile auf der Unterseite der Leiterplatte in Richtung Kühlkörper angebunden sind. Reduction of track lengths and their inductive influence. Another The advantage is the short distance to any existing cooling channel, for example if the components are connected on the underside of the circuit board in the direction of the heat sink.
Bei Hochspannung führenden Geräte kann an diesen Kühlflächen ein hohes elektrisches Potential aus der Schaltung anliegen. Hier muss, je nach Bauteil, eine Isolation für bis zu mehreren Kilovolt gewährleistet sein, um Kurzschlüsse, beispielsweise zum Kühlkanal zu vermeiden. In the case of high-voltage devices, a high electrical potential from the circuit can be present on these cooling surfaces. Depending on the component, insulation for up to several kilovolts must be guaranteed here in order to avoid short circuits, for example to the cooling channel.
Zur Isolation eignen sich dicke Gappads, die aufgrund ihrer reproduzierbaren Durchschlagsfestigkeit als Isolator verwendet werden können. Als Isolator eigenen sich alternativ auch dünne Gappads, Keramikplättchen oder Isolationsfolien mit definierter Durchschlagspannung. Zum Toleranzausgleich kann ein thermisch leitendes Gapfillermaterial verwendet werden. Thick gap pads, which can be used as insulators due to their reproducible dielectric strength, are suitable for insulation. Alternatively, thin gap pads, ceramic plates or insulating films with a defined breakdown voltage are also suitable as insulators. A thermally conductive gap filler material can be used to compensate for tolerances.
In den meisten Montagevorschlägen, die auf eine Ausführung mit Gapfillermaterial und einer Isolationsfolie abzielen, wird von einer selbstklebenden Isolationsfolie ausgegangen, die entweder auf den Kühlkörper oder auf das Bauteil aufgeklebt wird. In most of the assembly suggestions that aim at a design with gap filler material and an insulation foil, a self-adhesive insulation foil is assumed, which is glued either to the heat sink or to the component.
Es kann so vorgesehen werden, eine selbstklebende Isolationsfolie auf den Kühlkörper aufzubringen, dann Gapfillermaterial aufzutragen und anschließend die Leiterplatte mit den, auf der Unterseite angelöteten, oberflächig gekühlten Halbleiterbauelementen einzudrücken und zu fixieren. Provision can thus be made for applying a self-adhesive insulating film to the heat sink, then applying gap filler material and then pressing in and fixing the printed circuit board with the surface-cooled semiconductor components soldered to the underside.
Diese Lösung ist in einem Serienprozess abbildbar. Allerdings sind die Klebstoffe, die auf dem Isolationsfilm vorab aufgebracht werden hinsichtlich ihrer Wärmeleitfähigkeit und der Fähigkeit, Unebenheiten zu füllen, limitiert. Reicht der sich ergebende Wärmewiderstand Rth nicht aus, so muss ein teureres Gapfillermaterial mit einer besseren Wärmeleitfähigkeit verwendet werden. This solution can be mapped in a series process. However, the adhesives that are pre-applied to the insulation film are limited in their thermal conductivity and ability to fill in imperfections. If the resulting thermal resistance Rth is not sufficient, a more expensive gap filler material with better thermal conductivity must be used.
Aufgeklebte Isolationsfolien werden in der Regel sehr dünn produziert (minimale Stärken von 25 gm bei mehr als 5 kV Isolationsspannung sind gängig), da sie eine sehr schlechte Wärmeleitfähigkeit von in der Regel unter 0,5 W/(m*K) aufweisen und bei höheren Schichtdicken ein erheblicher thermischer Widerstand entsteht. Bonded insulation foils are usually produced very thin (minimum thicknesses of 25 gm with more than 5 kV insulation voltage are common), since they have a very poor thermal conductivity of usually below 0.5 W/(m * K) and at higher Layer thicknesses, a significant thermal resistance arises.
Ein wesentliches Problem besteht darin, dass diese dünnen Folien eine Isolationsfestigkeit von mehreren Kilovolt über ihre Lebenszeit realisieren müssen. Werden sie aber beispielsweise durch metallische Schmutzpartikel durchstochen, ist die Isolationsfestigkeit nicht mehr gegeben. A major problem is that these thin foils have to achieve an insulation resistance of several kilovolts over their lifetime. However, if they are punctured by metallic dirt particles, for example, the insulation strength is no longer guaranteed.
In derzeit gängigen Aufbauten wird also meist eine Isolationsfolie mit einer Schicht Gapfillermaterial kombiniert, die die Toleranzen ausgleicht. Diese Aufbauart kann die empfindliche Isolationsschicht allerdings nicht zuverlässig vor Beschädigungen schützen, denn diese Folienschicht wird durch minimale Verschmutzungen (25 gm = 1/40 mm!), durch thermische Ausdehnungen und durch Maximaltoleranzen einem erhöhten Stress ausgesetzt. Diese Effekte können zu elektrischen Durchbrüchen in der Isolationsfolie führen. In currently common structures, an insulating film is usually combined with a layer of gap filler material, which compensates for the tolerances. However, this type of structure cannot reliably protect the sensitive insulation layer from damage, because this film layer is exposed to increased stress due to minimal contamination (25 gm = 1/40 mm!), thermal expansion and maximum tolerances. These effects can lead to electrical breakdowns in the insulating film.
Es stellte sich daher die Aufgabe, eine einfache und kostengünstige Anordnung zur Kühlung eines Flochvoltbauteils zu schaffen, welches bei hoher Kühlleistung deutlich weniger empfindlich gegenüber Beschädigungen ist. The task therefore arose of creating a simple and cost-effective arrangement for cooling a braided voltage component which, with a high cooling capacity, is significantly less sensitive to damage.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Isolationsschicht beidseitig mit einem Gapfillermaterial belegt ist. Es wird somit vorgeschlagen die empfindliche Isolationsschicht beidseitig in Gapfillermaterial zu betten, um diese durch zwei Pufferschichten vor Beschädigungen zu schützen. According to the invention, this object is achieved in that the insulation layer is covered on both sides with a gap filler material. It is therefore proposed to embed the sensitive insulation layer on both sides in gap filler material in order to protect it from damage by two buffer layers.
Besonders vorteilhaft kann die Isolationsschicht durch eine Isolationsfolie ausgebildet sein. Der erfinderische Ansatz hierbei ist, die Isolationsfolie zwischen zwei Lagen Gapfillermaterial zu platzieren, so dass sie in beide Richtungen weggedrückt werden kann, wenn der Druck zu groß wird. The insulation layer can be formed particularly advantageously by an insulation film. The inventive approach here is to place the isolation sheet between two layers of gap filler material so that it can be pushed away in either direction if the pressure becomes too great.
Auf diese Weise wird ein sehr viel robusterer Aufbau erreicht als durch die derzeit häufig praktizierte Variante mit einer selbstklebenden Isolationsfolie. In this way, a much more robust construction is achieved than with the variant with a self-adhesive insulating film that is frequently practiced at present.
Speziell wird vorgeschlagen, jeweils den zweifachen Wert der maximalen Partikelgröße eines Gapfillermaterials als Minimalspalt vorzusehen, um ausreichend Puffer bereit zu stellen und die Kräfte auf das Bauteil gering zu halten und das Gapfillermaterial über eine Dispensiernadel an verschiedenen Stellen als sogenannte Klebedots aufzubringen. In particular, it is proposed to provide twice the value of the maximum particle size of a gap filler material as the minimum gap in order to provide sufficient buffers and to keep the forces on the component low and to apply the gap filler material at various points as so-called adhesive dots via a dispensing needle.
In einem weiteren Schritt kann dann die minimale Gapfillermaterialschicht nach oben beschriebener Relation eingestellt werden und die dünne Isolationsfolie flächig durch eine Druckplatte angepresst werden. Das Gapfillermaterial hat so noch die Möglichkeit weiter nachzugeben und die Isolationsfolie kann nicht mehr durchstochen werden. In a further step, the minimum gap filler material layer can then be set according to the relationship described above and the thin insulating film can be pressed flat by a pressure plate. The gap filler material thus still has the opportunity to yield further and the insulation film can no longer be punctured.
Da das Gapfillermaterial derart ausgelegt ist, dass es eine Form hält, in die es gebracht wurde und zusätzlich auch adhäsive Eigenschaften mitbringt, ist die Folie nach diesem Arbeitsschritt durch das Gapfillermaterial an das Gehäuse angeklebt. Since the gap filler material is designed in such a way that it holds the shape into which it was brought and also has adhesive properties, the foil is glued to the housing by the gap filler material after this work step.
In einem weiteren Schritt werden dann erneut Gapfillerdots aufgebracht, in die die Bauteile bei der Montage der Leiterplatte eintauchen. Überflüssiges Material wird an den Rand verdrängt und das Gapfillermaterial vernetzt in genau der richtigen Spalthöhe für das jeweilige Bauteil und dessen Toleranzen. In a further step, gap filler dots are then applied again, into which the components dip during assembly of the printed circuit board. superfluous Material is pushed to the edge and the gap filler material crosslinks in exactly the right gap height for the respective component and its tolerances.
In durchgeführten Tests hat es sich überraschenderweise gezeigt, dass der Wärmewiderstand Rth dabei um etwa 15 % geringer ist, als wenn eine Isolationsfolie aufgelegt oder als selbstklebende Variante aufgeklebt ist. In tests that have been carried out, it has surprisingly been shown that the thermal resistance Rth is about 15% lower than when an insulating film is placed or glued on as a self-adhesive variant.
Diese Verbesserung wird auf zwei Effekte zurückgeführt. Zum einen bindet das Gapfillermaterial besser an die Kontaktflächen an. Auch wenn diese sehr glatt sind, kann das Gapfillermaterial noch besser in Unebenheiten fließen und so eine größere Fläche benetzen, was zu einem effektiveren Wärmetransport führt. This improvement is attributed to two effects. On the one hand, the gap filler material binds better to the contact surfaces. Even if these are very smooth, the gap filler material can flow even better into bumps and thus wet a larger area, which leads to more effective heat transport.
Hinzu kommt, dass während der Klebstoff der selbstklebenden Folien wahrscheinlich vorwiegend hinsichtlich guter Klebeeigenschaften ausgelegt ist, das Gapfillermaterial hinsichtlich seiner Wärmeleitfähigkeit optimiert ist und so über einen deutlich besseren thermischen Widerstand Rth verfügt. Die vorgeschlagene Aufbauart bietet damit sowohl den Vorteil, die Isolationsfolie zu schützen als auch eine kosteneffektive Möglichkeit, die thermische Leitfähigkeit der Anbindung zu verbessern. In addition, while the adhesive of the self-adhesive foils is probably primarily designed with regard to good adhesive properties, the gap filler material is optimized with regard to its thermal conductivity and thus has a significantly better thermal resistance Rth. The proposed design offers both the advantage of protecting the insulating film and a cost-effective way of improving the thermal conductivity of the connection.
Die Art des Aufbaus beschränkt sich natürlich nicht nur auf eine Isolationsfolie als Isolator sondern kann auch für die thermische Anbindung von Keramikplättchen verwendet werden. Hier wird der Aufbau dann auf gleiche Weise durchgeführt, mit dem Unterschied, dass anstelle der Isolationsfolie ein bzw. mehrere Keramikplättchen in eine erste Schicht Gapfillermaterial gedrückt werden, worauf dann in einem weiteren Schritt eine weitere Schicht Gapfillermaterial appliziert wird. Diese Aufbauart hat den Vorteil, dass das Isolationsmaterial zum einen deutlich besser die Wärme leitet und zum anderen, dass die Wärme durch das relativ gutleitende Keramikplättchen auch auf einer größeren Fläche in den Kühlkörper abgegeben wird. Hierdurch wird den thermischen Widerstand durch Wärmespreizung verringert. Hierbei entscheidet die Anwendung, welche Aufbauart mit welchem thermischen Widerstand erforderlich ist und letztendlich auch die erlaubten Kosten. Denn Keramikplättchen sind gute aber auch relativ teure Isolatoren. The type of structure is of course not limited to an insulating film as an insulator, but can also be used for the thermal connection of ceramic plates. The structure is then carried out in the same way here, with the difference that instead of the insulating film, one or more ceramic plates are pressed into a first layer of gap filler material, whereupon a further layer of gap filler material is then applied in a further step. This type of construction has the advantage that the insulation material conducts the heat much better on the one hand and, on the other hand, that the heat is dissipated over a larger area of the heat sink by the relatively well-conducting ceramic plate. This reduces the thermal resistance due to heat spreading. The application decides which type of structure is required with which thermal resistance and ultimately also the permitted costs. Because ceramic plates are good but also relatively expensive insulators.
Nachfolgend sollen ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung dargestellt und näher erläutert werden. Es zeigen An exemplary embodiment of the invention is to be illustrated and explained in more detail below with reference to the drawing. Show it
Figuren 1 bis 5 Montageschritte zur Herstellung einer erfindungsgemäßenFigures 1 to 5 assembly steps for the production of an inventive
Anordnung, Arrangement,
Figur 6 eine fertig montierte Anordnung, Figur 7 ein geschnitten dargestelltes Hochvoltbauteil. FIG. 6 shows a fully assembled arrangement, FIG. 7 shows a high-voltage component shown in section.
Zur Erläuterung des Aufbaus einer Anordnung zur Kühlung eines Hochvoltbauteils werden in den Figuren 1 bis 5 jeweils verschiedene Herstellungsphasen der Anordnung schematisch dargestellt. To explain the structure of an arrangement for cooling a high-voltage component, different production phases of the arrangement are shown schematically in FIGS.
Die Herstellung der Anordnung beginnt gemäß der Figur 1 mit einem Kühlkörper 1.1 , auf den etwa mittig eine Portion eines Gapfillermaterials 1.2 aufgetragen und mit einer Isolationsfolie 1.3. abgedeckt wird. According to FIG. 1, the production of the arrangement begins with a heat sink 1.1, onto which a portion of a gap filler material 1.2 is applied approximately in the middle, and with an insulating film 1.3. is covered.
Mittels einer in der Figur 2 dargestellten Druckplatte 2.9 wird die Isolationsfolie 2.3 parallel in Richtung des Kühlkörpers 2.1 gepresst, wodurch das zwischen Isolationsfolie 2.3 und Kühlkörper 2.1 befindliche Gapfillermaterial 2.2 zu einer gleichmäßigen Schicht in einer gewünschten Schichtdicke verteilt wird. Nachdem dieses geschehen ist, wird die Druckplatte 2.9 wieder abgehoben und entfernt. Im nächsten Herstellungsschritt, dargestellt in der Figur 3, wird eine weitere Portion des Gapfillermaterials 3.4 auf die außenliegende Seite der Isolationsfolie 3.3 gesetzt. In das Gapfillermaterial 3.4 wird die freie Seite eines Hochvoltbauteils 3.5 gedrückt. Das Hochvoltbauteil 3.5 ist hier ein gehaustes SMD-Bauteil, dessen Anschlüsse 3.6 mittels Lötstellen 3.7 elektrisch und mechanisch mit einem Schaltungsträger 3.8 verbunden sind. The insulating film 2.3 is pressed parallel in the direction of the heat sink 2.1 by means of a pressure plate 2.9 shown in FIG. After this has happened, the pressure plate 2.9 is lifted again and removed. In the next manufacturing step, shown in FIG. 3, a further portion of the gap filler material 3.4 is placed on the outside of the insulating film 3.3. The free side of a high-voltage component 3.5 is pressed into the gap filler material 3.4. The high-voltage component 3.5 is a housed SMD component whose connections 3.6 are connected electrically and mechanically to a circuit carrier 3.8 by means of soldering points 3.7.
Der Schaltungsträger 3.8, 4.8, der etwa als Leiterplatte ausgeführt sein kann, bildet dadurch eine Außenseite der Anordnung, die in der Figur 4 skizziert ist. Erkennbar ist, dass das Hochvoltbauteil 4.5 in das Material des Gapfillermaterials 4.4 hineingedrückt ist, welches zwischen Isolationsfolie 4.3 und Hochvoltbauteil 4.5 eine vorgegebene Schichtdicke ausbildet. Überschüssiges Gapfillermaterial 4.4 ist seitlich aus dem Zwischenraum zwischen Hochvoltbauteil 4.5 und Isolationsfolie 4.3 verdrängt und liegt als Wulst an dem Hochvoltbauteil 4.5 an. The circuit carrier 3.8, 4.8, which can be embodied as a printed circuit board, thus forms an outside of the arrangement that is outlined in FIG. It can be seen that the high-voltage component 4.5 is pressed into the material of the gap filler material 4.4, which forms a predetermined layer thickness between the insulating film 4.3 and the high-voltage component 4.5. Excess gap filler material 4.4 is displaced laterally from the intermediate space between high-voltage component 4.5 and insulating film 4.3 and rests on high-voltage component 4.5 as a bead.
Der Schaltungsträger 5.8 und der Kühlkörper 5.1 werden, wie in der Figur 5 angedeutet, abschließend aneinander fixiert. Dazu weist der Kühlkörper 5.1 mehrere Anschraubdome 5.10 zum Einstellen des Abstandes und zum Fixieren des Schaltungsträgers 5.8 auf. The circuit carrier 5.8 and the heat sink 5.1 are finally fixed to one another, as indicated in FIG. For this purpose, the heat sink 5.1 has several screw domes 5.10 for adjusting the distance and for fixing the circuit carrier 5.8.
Die fertiggestellte Anordnung ist ausschnittsweise in der Figur 6 dargestellt. Ersichtlich ist ein Schichtaufbau, bestehend aus den aufeinander folgenden Schichten von Kühlkörper 6.1 , einer ersten Schicht Gapfillermaterial 6.2, einer Isolationsfolie 6.3, einer zweiten Schicht Gapfillermaterial 6.4 und dem Hochvoltbauteil 6.5, welches mit der darüber angeordneten Leiterplatte 6.8 verbunden ist. The completed arrangement is shown in detail in FIG. A layer structure can be seen, consisting of the successive layers of heat sink 6.1, a first layer of gap filler material 6.2, an insulating film 6.3, a second layer of gap filler material 6.4 and the high-voltage component 6.5, which is connected to the printed circuit board 6.8 arranged above it.
Die Figur 7 skizziert in einer geschnittenen Ansicht den Aufbau eines Hochvoltbauteils 7.5, welches beispielhaft einen Halbleiterschalter ausbildet. Das Hochvoltbauteil 7.5 weist einen Halbleiterchip 7.11 auf, der von einem Kunststoffspritzgusskörper 7.13 umgeben ist. Mit dem Halbleiterchip 7.11 verbunden sind mehrere Anschlüsse 7.6, die aus dem Kunststoffspritzgusskörper 7.13 herausgeführt sind. In Kontakt mit dem Halbleiterchip 7.11 steht eine metallische Kühlfläche 7.12, welche zugleich ein Teilstück einer Außenfläche des Kunststoffspritzgusskörpers 7.13 bildet. In a sectional view, FIG. 7 outlines the structure of a high-voltage component 7.5, which forms a semiconductor switch by way of example. The high-voltage component 7.5 has a semiconductor chip 7.11, which is surrounded by a plastic injection-molded body 7.13. Connected to the semiconductor chip 7.11 are a number of connections 7.6, which are brought out of the plastic injection-molded body 7.13. In contact with the semiconductor chip 7.11 is a metallic cooling surface 7.12, which at the same time forms part of an outer surface of the plastic injection-molded body 7.13.
Bei der vollständig montierten Anordnung liegt die metallische Kühlfläche 7.12 an der zweiten Schicht des Gapfillermaterials 7.4 an und ist über die Isolationsfolie 7.3 und der ersten Schicht des Gapfillermaterials 7.2 mit dem Kühlkörper 7.1 verbunden. In the fully assembled arrangement, the metallic cooling surface 7.12 rests against the second layer of the gap filler material 7.4 and is connected to the heat sink 7.1 via the insulating film 7.3 and the first layer of the gap filler material 7.2.
Bezugszeichen Reference sign
1.1 , 2.1 , 3.1 , 5.1 , 6.1 , 7.1 Kühlkörper 1.2, 2.2, 3.2, 6.2, 7.2 Gapfillermaterial (erste Schicht) 1.3, 2.3, 3.3, 4.3, 6.3, 7.3 Isolationsfolie (Isolationsschicht)1.1 , 2.1 , 3.1 , 5.1 , 6.1 , 7.1 heatsink 1.2, 2.2, 3.2, 6.2, 7.2 gap filler material (first layer) 1.3, 2.3, 3.3, 4.3, 6.3, 7.3 insulation foil (insulation layer)
3.4, 4.4, 6.4, 7.4 Gapfillermaterial (zweite Schicht)3.4, 4.4, 6.4, 7.4 gap filler material (second layer)
3.5, 4.5, 5.5, 6.5, 7.5 Hochvoltbauteil 3.5, 4.5, 5.5, 6.5, 7.5 high-voltage component
3.6, 7.6 Anschlüsse (des Hochvoltbauteils) 3.7 Lötstelle 3.8, 4.8, 5.8, 6.8 Schaltungsträger (Leiterplatte)3.6, 7.6 Connections (of the high-voltage component) 3.7 Solder point 3.8, 4.8, 5.8, 6.8 Circuit carrier (printed circuit board)
2.9 Druckplatte 2.9 pressure plate
5.10 Anschraubdome 5.10 screw domes
7.11 Halbleiterchip 7.11 Semiconductor Chip
7.12 Kühlfläche des Hochvoltbauteils 7.13 Kunststoffspritzgusskörper 7.12 Cooling surface of the high-voltage component 7.13 Plastic injection molded body

Claims

Patentansprüche patent claims
1. Anordnung zur Kühlung eines Hochvoltbauteils (3.5, 4.5, 5.5, 6.5, 7.5), mit einem Hochvoltbauteil (3.5, 4.5, 5.5, 6.5, 7.5), das auf einem Schaltungsträger (3.8, 4.8, 5.8, 6.8) angeordnet ist, und an einen Kühlkörper (1.1, 2.1 , 3.1 , 5.1 , 6.1 , 7.1) angekoppelt ist, wobei zwischen dem Hochvoltbauteil (3.5, 4.5, 5.5, 6.5, 7.5) und dem Kühlkörper (1.1, 2.1 , 3.1 , 5.1 , 6.1 , 7.1) ein Gapfillermaterial (1.2, 2.2, 3.2, 6.2, 7.2, 3.4, 4.4, 6.4, 7.4) und eine Isolationsschicht (1.3, 2.3, 3.3, 4.3, 6.3, 7.3) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationsschicht (1.3, 2.3, 3.3, 4.3, 6.3, 7.3) beidseitig mit einem Gapfillermaterial (1.2, 2.2, 3.2, 6.2, 7.2, 3.4, 4.4, 6.4, 7.4) belegt ist. 2. Anordnung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die1. Arrangement for cooling a high-voltage component (3.5, 4.5, 5.5, 6.5, 7.5), with a high-voltage component (3.5, 4.5, 5.5, 6.5, 7.5), which is arranged on a circuit carrier (3.8, 4.8, 5.8, 6.8), and is coupled to a heat sink (1.1, 2.1, 3.1, 5.1, 6.1, 7.1), wherein between the high-voltage component (3.5, 4.5, 5.5, 6.5, 7.5) and the heat sink (1.1, 2.1, 3.1, 5.1, 6.1, 7.1 ) a gap filler material (1.2, 2.2, 3.2, 6.2, 7.2, 3.4, 4.4, 6.4, 7.4) and an insulation layer (1.3, 2.3, 3.3, 4.3, 6.3, 7.3) is arranged, characterized in that the insulation layer (1.3, 2.3, 3.3, 4.3, 6.3, 7.3) is covered on both sides with a gap filler material (1.2, 2.2, 3.2, 6.2, 7.2, 3.4, 4.4, 6.4, 7.4). 2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the
Isolationsschicht (1.3, insulation layer (1.3,
2.3, 3.3, 4.3, 6.3, 7.3) als Isolationsfolie ausgeführt ist. 2.3, 3.3, 4.3, 6.3, 7.3) is designed as an insulating film.
3. Anordnung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationsschicht (1.3, 2.3, 3.3, 3. Arrangement according to claim 1, characterized in that the insulating layer (1.3, 2.3, 3.3,
4.3, 6.3, 7.3) durch mindestens ein Keramikplättchen ausgeführt ist. 4.3, 6.3, 7.3) is carried out by at least one ceramic plate.
EP22751037.7A 2021-07-22 2022-07-12 Assembly for cooling a high-voltage part Pending EP4374425A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102021003748.0A DE102021003748A1 (en) 2021-07-22 2021-07-22 Arrangement for cooling a high-voltage component
PCT/EP2022/069478 WO2023001637A1 (en) 2021-07-22 2022-07-12 Assembly for cooling a high-voltage part

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP4374425A1 true EP4374425A1 (en) 2024-05-29

Family

ID=82799895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP22751037.7A Pending EP4374425A1 (en) 2021-07-22 2022-07-12 Assembly for cooling a high-voltage part

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP4374425A1 (en)
DE (1) DE102021003748A1 (en)
WO (1) WO2023001637A1 (en)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19603224A1 (en) 1996-01-30 1997-07-31 Wolfgang Dipl Ing Schuster Power semiconductor mechanical apparatus for e.g. power switch or rectifier
JP3468420B2 (en) * 2000-06-07 2003-11-17 持田商工株式会社 Heat radiating sheet and method of manufacturing the same
ES2476596T3 (en) 2008-04-29 2014-07-15 Agie Charmilles Sa Printed circuit board unit and manufacturing procedure
DE102009045063C5 (en) * 2009-09-28 2017-06-01 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with molded-on heat sink, power semiconductor module system and method for producing a power semiconductor module
US9693481B2 (en) * 2013-06-25 2017-06-27 Henkel IP & Holding GmbH Thermally conductive dielectric interface
DE102014111930A1 (en) 2014-08-20 2016-02-25 Rupprecht Gabriel Thermally highly conductive, electrically insulating housing with electronic components and manufacturing processes
US11869824B2 (en) * 2019-11-04 2024-01-09 Intel Corporation Thermal interface structures for integrated circuit packages

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023001637A1 (en) 2023-01-26
DE102021003748A1 (en) 2023-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013219833B4 (en) SEMICONDUCTOR MODULE WITH CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR MODULE WITH A CIRCUIT BOARD
DE102009033321B4 (en) Power semiconductor device
DE10130517C2 (en) High-voltage module and method for its production
DE10221891A1 (en) Semiconductor device
DE102011088218B4 (en) Electronic power module with thermal coupling layers to a cooling element and method of manufacture
DE102014213564A1 (en) Semiconductor device and method for its production
DE102014116662B4 (en) ELECTRICAL CONNECTION ASSEMBLY, SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR MODULE
DE69923374T2 (en) Semiconductor device
DE102018121403A1 (en) Method of making a stabilized board
DE102013226544A1 (en) Semiconductor device
DE102014115815B4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING A CIRCUIT CARRIER, METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR OPERATING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR MODULE
DE4133199C2 (en) Semiconductor component with an insulation-coated metal substrate
EP1063700B1 (en) Substrate for high voltage modules
DE10065495C2 (en) The power semiconductor module
DE69728648T2 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH FREQUENCY BIPOLAR TRANSISTOR ON AN INSULATING SUBSTRATE
DE112014006796B4 (en) Semiconductor arrangement
EP4374425A1 (en) Assembly for cooling a high-voltage part
EP1107310A2 (en) Isolation improvement of high power semiconductor modules
DE102019115573B4 (en) Power electronic switching device and method of manufacture
WO2021069459A1 (en) Contact assembly for an electronic component, and method for producing an electronic component
DE10123232A1 (en) Semiconductor module used as a MOSFET, JFET or thyristor has a damping material having electromagnetically damping properties provided in a sealing composition arranged within a housing
DE102015204905A1 (en) Electronic control device
DE102018111534A1 (en) Device for dissipating heat from a printed circuit board
DE102019126311B3 (en) Conductive cooling element, system and method for heat dissipation from power electronic components on circuit boards
DE112018003636T5 (en) Power semiconductor module

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: UNKNOWN

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20231220

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR