EP3578014B1 - Source de plasma - Google Patents

Source de plasma Download PDF

Info

Publication number
EP3578014B1
EP3578014B1 EP17832280.6A EP17832280A EP3578014B1 EP 3578014 B1 EP3578014 B1 EP 3578014B1 EP 17832280 A EP17832280 A EP 17832280A EP 3578014 B1 EP3578014 B1 EP 3578014B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
antenna
plasma
diameter
plasma source
enclosure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
EP17832280.6A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP3578014A1 (fr
Inventor
Pascal Sortais
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polygon Physics
Original Assignee
Polygon Physics
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Polygon Physics filed Critical Polygon Physics
Priority to PL17832280T priority Critical patent/PL3578014T3/pl
Publication of EP3578014A1 publication Critical patent/EP3578014A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP3578014B1 publication Critical patent/EP3578014B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/08—Ion sources
    • H01J2237/0815—Methods of ionisation
    • H01J2237/0817—Microwaves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes

Definitions

  • this gas is capable of ionizing and forming a plasma in an area where the high-frequency electromagnetic field has sufficient intensity.
  • the internal diameter of the enclosure is of the order of 10 mm.
  • the same elements have been designated by the same references in the various figures. For the sake of clarity, only the elements useful for understanding the embodiments described have been shown and are detailed.
  • the plasma source elements surrounding the plasma chamber such as in particular a gas inlet, permanent magnets, high frequency signal connections and extraction electrodes are not shown.
  • the figures 2A to 2C are sectional views of 100 cylindrical plasma chambers, all identical, in which quarter-wave antennas 102 of different diameters are arranged.
  • a quarter-wave antenna is understood here to mean an antenna whose length is approximately equal to a quarter of the wavelength of the excitation signal of this antenna.
  • the antennas of figures 2A, 2B and 2C have respective diameters of 1, 3 and 6 mm.
  • Each plasma chamber 100 includes an extraction opening or grid 104 through which plasma ions can be extracted.
  • the inventors consider a first region 106 in each plasma formation zone. This region 106 is located on the side of the opening or extraction grid 104.
  • the region 106 here called useful region, contains a plasma which will be called the useful plasma, that is to say the plasma from from which ions can be extracted to form an ion source.
  • Region 108 contains a plasma which will be referred to as unnecessary plasma. Unnecessary plasma cannot be extracted from the plasma source, and therefore has no useful role but turns out to be the cause of the degradation of the antenna 102 described in the patent application JPH09245658.
  • plasma chambers 100 with an internal diameter equal to 10 mm are considered.
  • the antenna 102 has a diameter of 1 mm. This corresponds to the dimensions of the antenna and the plasma chamber illustrated in the aforementioned Japanese patent application.
  • the antenna 102 has a diameter of 3 mm.
  • the unnecessary region 108 has a smaller volume than in the case of the figure 2A , resulting in reduced degradation.
  • the useful region 106 retains a similar volume.
  • the antenna 102 has a diameter of 6 mm.
  • the unnecessary region 108 has a further reduced volume.
  • the volume of the working region 106 is also reduced.
  • An advantageous diameter of the antenna 102 is therefore a diameter which makes it possible to keep a volume of useful region 106 as large as possible while reducing the volume of unnecessary region 108 as much as possible.
  • an advantageous diameter of the antenna is approximately 3 mm, for example between 2.5 and 3.3 mm, for an internal diameter of the plasma chamber 100 of 10 mm. This corresponds to a diameter of the antenna of a plasma source of between a quarter and a third of the internal diameter of the plasma chamber.
  • the figure 4 is a schematic sectional view of one embodiment of a plasma chamber 200.
  • the plasma chamber 200 includes a cylindrical enclosure 202.
  • a quarter-wave antenna 204 is disposed within the enclosure 202.
  • the base of the The antenna 204 is isolated from the enclosure by an insulator 206.
  • the enclosure 202 includes an opening 208 facing the end of the antenna 204.
  • the opening 208 is, in this example, a circular opening.
  • the opening 208 can also be an extraction grid.
  • the internal diameter d 1 of the enclosure is in this example 10 mm.
  • an optimum value of the diameter d of the antenna 204 is between a quarter and a third of the internal diameter d 1 of the enclosure, that is to say approximately between 2.5 and 3.3 mm .
  • the internal diameter d 1 of the plasma chamber is described here as having a value of 10 mm. This diameter can be chosen differently.
  • the diameter of the opening 208 can vary between 1 ⁇ m and the internal diameter d 1 of the enclosure.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

  • La présente demande de brevet revendique la priorité de la demande de brevet français FR17/50978 .
    • Domaine
  • La présente invention concerne une source de plasma gazeux et plus particulièrement une source dans laquelle le plasma est obtenu par interaction entre un rayonnement électromagnétique haute fréquence et un gaz à basse pression.
    • Exposé de l'art antérieur
  • Il est connu qu'en appliquant un rayonnement électromagnétique à un gaz à basse pression, ce gaz est susceptible de s'ioniser et de former un plasma dans une zone où le champ électromagnétique haute fréquence présente une intensité suffisante.
  • La figure 1 ci-joint reprend la figure 1 de la demande de brevet japonais de numéro de publication JPH09245658 décrivant une source de plasma. Seuls certains éléments de cette figure seront décrits ci-après. On pourra se référer à la demande de brevet japonais pour des explications plus complètes. La source de plasma représentée dans cette figure comprend une chambre à plasma 1, dans laquelle est disposée une antenne quart d'onde 6. L'antenne 6 est isolée de l'enceinte de la chambre à plasma 1 à sa base par un isolant 2. L'extrémité libre de l'antenne 6 est située en regard d'une électrode perforée 8. Une entrée 4 permet l'introduction de gaz dans l'enceinte à basse pression de la chambre 1. L'antenne est excitée par un champ électromagnétique haute fréquence et un plasma 5 se forme dans la chambre 1 aux emplacements où le champ électromagnétique est maximum, comme cela est indiqué par un nuage de points. Des aimants permanents 3 sont disposés autour de l'enceinte de la chambre à plasma 1, de manière à confiner le plasma. Des charges du plasma sont susceptibles d'être extraites par une ouverture ou grille d'extraction 14.
  • Dans le paragraphe [0020] de la demande de brevet japonais JPH09245658 , l'antenne 6 est décrite comme ayant une durée de vie de deux à trois heures, et ceci est attribué au fait que l'antenne 6 est soumise à une pulvérisation, de même que les parois de la chambre 1. Il est précisé qu'il est donc nécessaire de changer régulièrement l'antenne 6 et de nettoyer la chambre à plasma 1. En conséquence, il est nécessaire de sortir régulièrement la source de plasma de l'enceinte à vide dans laquelle elle est utilisée, ce qui entraîne des opérations relativement longues de maintenance et de restauration du vide.
  • Il serait souhaitable d'avoir une source de plasma ayant une durée de vie supérieure à celle décrite dans la demande de brevet JPH09245658 .
  • US 5 361 737 divulgue un exemple de source de plasma basée sur un résonateur coaxial à haute fréquence.
    • Résumé
  • Ainsi, un mode de réalisation prévoit une source de plasma comprenant une antenne quart d'onde située dans une enceinte cylindrique munie d'une ouverture en face de l'extrémité de l'antenne, dans laquelle : le diamètre de l'antenne est compris entre le tiers et le quart du diamètre interne de l'enceinte, la distance entre l'extrémité de l'antenne et l'ouverture est comprise entre 2/3 et 5/3 du diamètre de l'antenne.
  • Selon un mode de réalisation, le diamètre interne de l'enceinte est de l'ordre de 10 mm.
  • Selon un mode de réalisation, le diamètre interne de l'enceinte est de 10 mm.
  • Selon un mode de réalisation, l'ouverture est une ouverture circulaire de diamètre compris entre 1 µm et le diamètre interne de l'enceinte.
  • Selon un mode de réalisation, l'ouverture est une grille d'extraction.
  • Selon un mode de réalisation, la fréquence d'excitation de l'antenne est 2,45 GHz.
  • Un mode de réalisation prévoit une source de plasma de grande étendue comprenant un assemblage de sources de plasma, telles que celles décrites précédemment, disposées côte à côte.
    • Brève description des dessins
  • Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
    • la figure 1, décrite précédemment, est une vue en coupe d'une source de plasma, et reprend la figure 1 de la demande de brevet JPH09245658 ;
    • les figures 2A à 2C représentent des chambres à plasma munies d'antennes de différents diamètres ;
    • les figures 3A et 3B sont des diagrammes représentant l'énergie moyenne E rayonnée par l'antenne dans diverses zones en fonction du diamètre d de l'antenne ; et
    • la figure 4 est une vue de face schématique d'un mode de réalisation d'une source de plasma.
    Description détaillée
  • De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. Par souci de clarté, seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les éléments de source à plasma entourant la chambre à plasma, tels que notamment une entrée de gaz, des aimants permanents, des connexions de signaux hautes fréquences et des électrodes d'extraction ne sont pas représentés.
  • Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement" et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.
  • Les figures 2A à 2C sont des vues en coupe de chambres à plasma 100 cylindriques, toutes identiques, dans lesquelles sont disposées des antennes quart d'onde 102 de diamètres différents. On entend ici par antenne quart d'onde une antenne dont la longueur est approximativement égale au quart de la longueur d'onde du signal d'excitation de cette antenne. Les antennes des figures 2A, 2B et 2C ont des diamètres respectifs de 1, 3 et 6 mm. Chaque chambre à plasma 100 comprend une ouverture ou grille d'extraction 104 à travers laquelle des ions du plasma peuvent être extraits.
  • Dans chaque chambre 100, une surface 105 délimite une zone de formation de plasma. Cette zone de formation de plasma correspond à la zone entourant l'antenne dans laquelle le champ électromagnétique a une valeur suffisamment élevée pour permettre la formation du plasma. Cette valeur peut par exemple être de l'ordre de 104 V/m.
  • Les inventeurs considèrent une première région 106 dans chaque zone de formation de plasma. Cette région 106 est située du côté de l'ouverture ou grille d'extraction 104. La région 106, appelée ici région utile, contient un plasma que l'on appellera le plasma utile, c'est-à-dire le plasma à partir duquel on peut extraire des ions pour former une source d'ion.
  • Les inventeurs considèrent, de plus, une seconde région 108 dans chaque zone de formation de plasma. Cette région 108 est située autour de l'antenne 102 sur au moins une partie de sa longueur. La région 108, appelée ici région inutile, contient un plasma que l'on appellera le plasma inutile. Le plasma inutile ne peut être extrait de la source de plasma, et n'a donc pas de rôle utile mais s'avère être la cause de la dégradation de l'antenne 102 décrite dans la demande de brevet JPH09245658.
  • Les inventeurs ont donc cherché à maximiser le volume de plasma utile tout en réduisant le volume de plasma inutile. Pour cela les inventeurs ont étudié l'incidence du diamètre de l'antenne 102 d'une chambre à plasma 100 sur ces régions de plasma utile et inutile.
  • Dans les figures 2A à 2C, ainsi que dans les figures suivantes, on considère à titre d'exemple des chambres à plasma 100 d'un diamètre interne égal à 10 mm.
  • En figure 2A, l'antenne 102 a un diamètre de 1 mm. Ceci correspond aux dimensions de l'antenne et de la chambre à plasma illustrées dans la demande de brevet japonais susmentionnée.
  • En figure 2B, l'antenne 102 a un diamètre de 3 mm. La région inutile 108 a un volume moins important que dans le cas de la figure 2A, ce qui entraîne une dégradation réduite. La région utile 106 conserve par contre un volume similaire.
  • En figure 2C, l'antenne 102 a un diamètre de 6 mm. La région inutile 108 a un volume encore réduit. Cependant, le volume de la région utile 106 est également réduit.
  • Les figures 3A et 3B sont des diagrammes représentant respectivement l'énergie E stockée dans la région utile 106 et dans la région inutile 108, en fonction du diamètre d de l'antenne 102, pour une même puissance rayonnée d'une intensité de 5 W à une fréquence de 2,45 GHz.
  • En figure 3A, on remarque que l'énergie E stockée dans la région utile 106, pour des diamètres d de l'antenne 102 compris entre 1 et 3 mm, est approximativement constante, et voisine de 6.10-11 J. On remarque aussi que, pour des diamètres d compris entre 3 et 6 mm, l'énergie E stockée dans la région utile 106 décroit nettement jusqu'à atteindre une valeur sensiblement moitié, voisine de 3.10-11 J pour un diamètre d de l'antenne 102 de 6 mm.
  • En figure 3B, on remarque que l'énergie E stockée dans la région inutile 108 décroit d'un facteur sensiblement égal à 3, de 2.10-9 J à 6,4.10-10 J, quand le diamètre de l'antenne 102 augmente de 1 à 6 mm.
  • Comme le montre la figure 3B, une augmentation du diamètre de l'antenne provoque une diminution du volume de la région inutile 108, c'est-à-dire une diminution de la quantité de plasma inutile susceptible de détériorer l'antenne 102. De plus, comme le montre la figure 3A, la région utile 106 contient une quantité sensiblement constante de plasma utile pour des diamètres de l'antenne 102 approximativement compris entre 1 et 3 mm.
  • Un diamètre avantageux de l'antenne 102 est donc un diamètre qui permet de conserver un volume de région utile 106 aussi grand que possible tout en réduisant le plus possible le volume de la région inutile 108.
  • Les inventeurs ont donc déterminé qu'un diamètre de l'antenne avantageux est d'environ 3 mm, par exemple compris entre 2,5 et 3,3 mm, pour un diamètre interne de la chambre à plasma 100 de 10 mm. Cela correspond à un diamètre de l'antenne d'une source de plasma compris entre un quart et un tiers du diamètre interne de la chambre à plasma.
  • La figure 4 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'une chambre à plasma 200. La chambre à plasma 200 comprend une enceinte cylindrique 202. Une antenne quart d'onde 204 est disposée dans l'enceinte 202. La base de l'antenne 204 est isolée de l'enceinte par un isolant 206. L'enceinte 202 comprend une ouverture 208 en face de l'extrémité de l'antenne 204. L'ouverture 208 est, dans cet exemple, une ouverture circulaire. L'ouverture 208 peut aussi être une grille d'extraction. Le diamètre interne d1 de l'enceinte est dans cet exemple de 10 mm. Comme déterminé précédemment, une valeur optimale du diamètre d de l'antenne 204 est comprise entre un quart et un tiers du diamètre interne d1 de l'enceinte, c'est-à-dire approximativement entre 2,5 et 3,3 mm. La distance l entre l'extrémité de l'antenne 204 et l'ouverture 208 a une valeur par exemple comprise entre 2/3 et 5/3 du diamètre de l'antenne 204. De même, le diamètre d2 de l'ouverture 208 dans l'exemple de la figure 4, a un diamètre approximativement égal au diamètre d de l'antenne 208, par exemple compris entre 4/5 et 6/5 du diamètre d de l'antenne 204.
  • Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, le diamètre interne d1 de la chambre à plasma est décrit ici comme ayant une valeur de 10 mm. Ce diamètre peut être choisi différemment.
  • De plus, le diamètre de l'ouverture 208 peut varier entre 1 µm et le diamètre interne d1 de l'enceinte.
  • De telles sources de plasma peuvent être associées entre elles pour former une source de plasma étendue.
  • La portée de l'invention est définie par les revendications.

Claims (7)

  1. Source de plasma comprenant une antenne (204) quart d'onde située dans une enceinte cylindrique (202) munie d'une ouverture (208) en face de l'extrémité de l'antenne (204), dans laquelle :
    le diamètre (d) de l'antenne (204) est compris entre le tiers et le quart du diamètre (d1) interne de l'enceinte (202),
    la distance (l) entre l'extrémité de l'antenne (204) et l'ouverture (208) est comprise entre 2/3 et 5/3 du diamètre (d) de l'antenne (204).
  2. Source de plasma selon la revendication 1, dans laquelle le diamètre (d1) interne de l'enceinte (202) est de l'ordre de 10 mm.
  3. Source de plasma selon la revendication 2, dans laquelle le diamètre (d1) interne de l'enceinte (202) est de 10 mm.
  4. Source de plasma selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'ouverture (208) est une ouverture circulaire de diamètre compris entre 1 µm et le diamètre (d1) interne de l'enceinte (202).
  5. Source de plasma selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'ouverture (208) est une grille d'extraction.
  6. Source de plasma selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle la fréquence d'excitation de l'antenne est 2,45 GHz.
  7. Source de plasma de grande étendue comprenant un assemblage de sources de plasma selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 disposées côte à côte.
EP17832280.6A 2017-02-06 2017-12-21 Source de plasma Active EP3578014B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17832280T PL3578014T3 (pl) 2017-02-06 2017-12-21 Źródło plazmy

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1750978A FR3062770B1 (fr) 2017-02-06 2017-02-06 Source de plasma
PCT/FR2017/053798 WO2018142036A1 (fr) 2017-02-06 2017-12-21 Source de plasma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP3578014A1 EP3578014A1 (fr) 2019-12-11
EP3578014B1 true EP3578014B1 (fr) 2020-10-28

Family

ID=58547698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP17832280.6A Active EP3578014B1 (fr) 2017-02-06 2017-12-21 Source de plasma

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10798810B2 (fr)
EP (1) EP3578014B1 (fr)
JP (1) JP6847267B2 (fr)
KR (1) KR102526862B1 (fr)
CN (1) CN110383957B (fr)
DK (1) DK3578014T3 (fr)
FR (1) FR3062770B1 (fr)
PL (1) PL3578014T3 (fr)
WO (1) WO2018142036A1 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3136104A1 (fr) 2022-05-30 2023-12-01 Polygon Physics Dispositif à faisceau d’électrons pour le traitement d’une surface

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3023055A1 (de) * 1979-07-12 1981-02-05 Emi Ltd Antenne
FR2480552A1 (fr) * 1980-04-10 1981-10-16 Anvar Generateur de plasmaŸ
US5361737A (en) * 1992-09-30 1994-11-08 West Virginia University Radio frequency coaxial cavity resonator as an ignition source and associated method
US7103460B1 (en) * 1994-05-09 2006-09-05 Automotive Technologies International, Inc. System and method for vehicle diagnostics
JPH09245658A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Nissin Electric Co Ltd 永久磁石によるｅｃｒ共鳴を利用するプラズマ生成機構
US5961772A (en) * 1997-01-23 1999-10-05 The Regents Of The University Of California Atmospheric-pressure plasma jet
US20070095823A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Sedlmayr Steven R Microwave nucleon-electron-bonding spin alignment and alteration of materials
CN100388559C (zh) * 2005-12-29 2008-05-14 上海交通大学 自重构等离子体天线
WO2009060213A1 (fr) * 2007-11-06 2009-05-14 Microoncology Limited Système de stérilisation de plasmas à micro-ondes et applicateurs associés
KR101012345B1 (ko) * 2008-08-26 2011-02-09 포항공과대학교 산학협력단 저 전력 휴대용 마이크로파 플라즈마 발생기
FR2937494B1 (fr) * 2008-10-17 2012-12-07 Centre Nat Rech Scient Source de plasma gazeux basse puissance
US20110248002A1 (en) * 2010-04-13 2011-10-13 General Electric Company Plasma generation apparatus
EP2928011B1 (fr) * 2014-04-02 2020-02-12 Andrew Wireless Systems GmbH Résonateur à cavité micro-ondes

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110383957A (zh) 2019-10-25
FR3062770B1 (fr) 2019-03-29
FR3062770A1 (fr) 2018-08-10
JP6847267B2 (ja) 2021-03-24
WO2018142036A1 (fr) 2018-08-09
EP3578014A1 (fr) 2019-12-11
CN110383957B (zh) 2021-09-17
DK3578014T3 (da) 2020-11-30
KR102526862B1 (ko) 2023-04-27
JP2020506526A (ja) 2020-02-27
US10798810B2 (en) 2020-10-06
US20190394866A1 (en) 2019-12-26
KR20190109749A (ko) 2019-09-26
PL3578014T3 (pl) 2021-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2617051B1 (fr) Dispositif multiplicateur d'électrons a couche de nanodiamant
EP2433002B1 (fr) Propulseur a plasma a effet hall
FR2743193A1 (fr) Procede et dispositif de depot d'au moins une couche de silicium hydrogene microcristallin ou nanocristallin intrinseque, et cellule photovoltaique et transistor a couches minces obtenus par la mise en oeuvre de ce procede
EP1445829A1 (fr) Reflecteur secondaire pour antenne hyperfrequence de type cassegrain
EP0650557A1 (fr) Moteur a plasma a derive fermee d'electrons.
EP3578014B1 (fr) Source de plasma
FR2856525A1 (fr) Alimentation pour une antenne a reflecteur.
EP2338318B1 (fr) Source de plasma gazeux basse puissance
FR2600269A1 (fr) Procede et agencement pour pulveriser une matiere par decharge a haute frequence
EP2873307B1 (fr) Applicateur d'onde de surface et procédé pour la production de plasma
EP2567431B1 (fr) Cavité laser à extraction centrale par polarisation pour couplage cohérent de faisceaux intracavité intenses
EP1717915B1 (fr) Système de pompage optique pour source laser et source laser comportant un tel système de pompage optique
EP0669461B1 (fr) Système d'optique ionique à trois grilles
FR2885267A1 (fr) Element actif pour source laser et source laser comportant un tel element actif.
WO2007138013A1 (fr) Source laser pour application lidar
FR2706078A1 (fr) Tube à faisceau d'électrons.
EP2873090B1 (fr) Lampe a decharge luminescente
EP0048690A1 (fr) Tube à gaz à décharge pour émission laser de puissance à très haute stabilité
FR3067519A1 (fr) Panneau solaire comportant notamment une structure et au moins deux cellules photovoltaiques
BE1004442A3 (fr) Installation de pulverisation cathodique a taux eleve.
WO2023110540A1 (fr) Elément de cellule photovoltaïque, cellule photovoltaïque et procédés de fabrication de tels élément et cellule
EP0611482B1 (fr) Systeme d'optique ionique pour source d'ions a decharge dans un gaz
WO2024115153A1 (fr) Procede de fabrication de sous-cellules photovoltaïques
CA1105120A (fr) Laser a longeueurs d'onde l'emission multiples
WO2018189189A1 (fr) Source de lumiere ultraviolette

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: UNKNOWN

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20190820

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAV Request for validation of the european patent (deleted)
DAX Request for extension of the european patent (deleted)
GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20200605

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE PATENT HAS BEEN GRANTED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 602017026549

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 1329582

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20201115

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: FRENCH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: NV

Representative=s name: ISLER AND PEDRAZZINI AG, CH

Ref country code: DK

Ref legal event code: T3

Effective date: 20201123

REG Reference to a national code

Ref country code: SE

Ref legal event code: TRGR

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: FP

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: MK05

Ref document number: 1329582

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20201028

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210128

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210129

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210301

Ref country code: RS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG4D

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210228

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210128

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 602017026549

Country of ref document: DE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20210729

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20201221

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20201221

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210228

Ref country code: TR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: MT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201028

P01 Opt-out of the competence of the unified patent court (upc) registered

Effective date: 20230314

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 20231124

Year of fee payment: 7

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20231221

Year of fee payment: 7

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Payment date: 20231218

Year of fee payment: 7

Ref country code: IT

Payment date: 20231211

Year of fee payment: 7

Ref country code: FR

Payment date: 20231228

Year of fee payment: 7

Ref country code: DK

Payment date: 20231129

Year of fee payment: 7

Ref country code: DE

Payment date: 20231208

Year of fee payment: 7

Ref country code: CZ

Payment date: 20231122

Year of fee payment: 7

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: PL

Payment date: 20231120

Year of fee payment: 7

Ref country code: BE

Payment date: 20231212

Year of fee payment: 7

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 20240102

Year of fee payment: 7