EP3189673A1 - Lautsprecheranordnung - Google Patents

Lautsprecheranordnung

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EP3189673A1
EP3189673A1 EP15757479.9A EP15757479A EP3189673A1 EP 3189673 A1 EP3189673 A1 EP 3189673A1 EP 15757479 A EP15757479 A EP 15757479A EP 3189673 A1 EP3189673 A1 EP 3189673A1
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EP
European Patent Office
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cavity
housing
shielding wall
loudspeaker
loudspeaker arrangement
Prior art date
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Application number
EP15757479.9A
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English (en)
French (fr)
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EP3189673B1 (de
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Andrea Rusconi Clerici
Ferruccio Bottoni
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USound GmbH
Original Assignee
USound GmbH
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Publication date
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Publication of EP3189673A1 publication Critical patent/EP3189673A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP3189673B1 publication Critical patent/EP3189673B1/de
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    • H04R1/00Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/22Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only 
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    • H04R1/00Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/02Casings; Cabinets ; Supports therefor; Mountings therein
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    • H04R3/12Circuits for transducers, loudspeakers or microphones for distributing signals to two or more loudspeakers
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    • H04R2201/00Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003Mems transducers or their use

Definitions

  • the present invention relates to a loudspeaker arrangement for a plurality of MEMS loudspeakers for generating sound waves in the audible wavelength spectrum.
  • the loudspeaker arrangement comprises a housing which has a sonic hollow space and at least one sound exit opening, and at least two MEMS loudspeakers which are arranged opposite one another and spaced apart from one another in the interior of the housing and each have a cavity in the area of their side facing away from one another.
  • MEMS microelectromechanical systems. From US 2012/0039499 A1 a microphone arrangement with a first and a second converter is known, wherein these are opposite each other and have a common volume. In such a construction, the sound waves of the transducer can influence each other, which can have a negative impact on the quality of the system, so that this manufacturing technology good MEMS arrangement is unsuitable for loudspeaker applications.
  • Object of the present invention is thus to provide a simple to manufacture speaker assembly with good sound quality.
  • a loudspeaker arrangement is proposed for MEMS loudspeakers for generating sound waves in the audible wave spectrum.
  • the loudspeaker arrangement has a housing and at least two MEMS loudspeakers.
  • the housing has a Schallleithohlraum and at least one sound outlet opening.
  • the two MEMS loudspeakers are opposite each other located above and spaced from each other by the Schallleithohlraum arranged inside the housing. In the region of their side facing away from each other, the MEMS loudspeakers each have a cavity.
  • the term "cavity” is understood to mean a cavity by means of which the sound pressure of the MEMS loudspeakers can be amplified
  • the loudspeaker arrangement comprises a shielding wall for the acoustic decoupling of the two MEMS loudspeakers from one another MEMS loudspeakers are arranged such that the sound cavity is subdivided into a first and second cavity area respectively associated with one of the two MEMS loudspeakers
  • the sound waves emanating from the MEMS loudspeakers strike and are reflected by the shielding wall
  • sound waves can not penetrate as far as the respective other MEMS loudspeaker, in particular into the respective other cavity area, so that the two MEMS loudspeakers facing one another are acoustically decoupled from one another Do not negatively affect the quality of the opposing MEMS speaker.
  • the sound waves are directed in the direction of the sound exit opening via the respectively assigned first or second cavity area and can escape from the housing through the latter.
  • the shielding wall extends from a first side inner surface of the sonic cavity at least as far as the two MEMS loudspeakers and / or parallel thereto into the sonic cavity.
  • the first side inner surface is in particular the sound outlet opposite.
  • the shielding wall must therefore extend at least the full length and width of the MEMS speakers in order to avoid at least a direct impact of the foreign sound.
  • the shielding wall is advantageously arranged in its edge region directly and / or acoustically sealingly on the inner surface of the Schallleithohlraums.
  • substantially the entire circumference of the shielding wall is arranged directly thereon.
  • the shielding wall In order to shield the sound waves of the two MEMS loudspeakers from one another, in particular to decouple them acoustically, the shielding wall must be designed such that the sound waves can not circulate them undesirably.
  • the housing comprises a sound-conducting channel, by means of which the sound waves of the two cavity regions which are separated from one another by the shielding wall can be brought together via the respective MEMS loudspeaker.
  • the sound can thus be amplified and / or directed specifically in one direction.
  • the sound conduction channel is arranged in the region of a first opening of the first cavity region and a second opening of the second cavity region.
  • the sound waves can thus be guided from the two MEMS speakers, starting via their respective cavity areas through the associated openings in the Schallleitkanal.
  • the Schallleitkanal is connected at its one end to the Schallleithohlraum and / or at its other end to the sound outlet opening.
  • the sound channel is connected in particular to both cavity regions of the sonic cavity.
  • the Schallleitkanal preferably extends from one of the first side inner surface opposite second side inner surface of the Schallleithohlraums starting to the sound outlet opening. He runs in particular straight-line.
  • the sound generated by the MEMS speakers can thus be specifically directed in one direction or to one side of the loudspeaker arrangement.
  • the shielding wall extends starting from the first side inner surface into the region of the sound conduction channel.
  • the shielding wall terminates at or extends partially into this area.
  • Such a design of the shielding wall allows the sound waves in the two cavity regions to be completely decoupled from one another as far as the sound conduction channel, so that the two MEMS loudspeakers can not have a negative effect.
  • the shielding wall and / or the sound conducting channel is / are arranged centrally in the housing and / or coaxially with one another. Additionally or alternatively, the thickness of the shielding wall is smaller than the width of the Schallleitkanals. In this case, the shielding wall and the Schallleitkanal are arranged in particular on an axis of symmetry of the housing. The two cavity areas for the propagation of the sound thus have the same size and can be performed under the same conditions through the Schallleitkanal to the outside. The thickness of the shielding wall should be less than the width of the Schallleitkanals, since the sound waves can not otherwise enter the Schallleitkanal. The path would be closed by the shielding wall and the second side inner surface.
  • the shield is made in one piece with the housing.
  • the recommended material is silicon.
  • the shielding wall and the housing represent separate components, wherein preferably the shielding wall, in particular with its edge region, is positively, positively and / or materially connected to the housing.
  • the shielding wall and the housing are made of mutually different materials, wherein preferably the material of the shielding wall compared to the material of the housing has a higher rigidity.
  • the housing is advantageously made of silicon and / or the shielding wall made of a metal, in particular aluminum, a ceramic and / or a composite material.
  • the housing is produced in particular in layers.
  • the printed circuit boards of the MEMS loudspeaker arrangement are preferably constructed as a sandwich of a plurality of layers arranged one above the other and / or connected to one another.
  • the housing comprises two interconnected housing halves, which preferably each receive one of the two MEMS speakers.
  • the housing halves advantageously have one of the two cavity areas, wherein the shielding wall is arranged and / or fixed in its connection area.
  • the attachment takes place in particular form, material and / or non-positive.
  • the housing halves can thus be manufactured in each case by means of the layer-by-layer production method and then be connected to one another via the shielding wall, which can be an insert. Thus, a cost-effective manufacturing process is made possible.
  • the cavity of at least one MEMS loudspeaker is formed by a carrier substrate cavity of the MEMS loudspeaker itself and / or by a cavity cavity of the housing.
  • the volume of the cavity, which is formed at least by the one MEMS loudspeaker can be additionally increased by the volume of the cavity cavity of the housing.
  • the loudspeaker arrangement comprises two loudspeaker units, each of which is preferably designed in accordance with the preceding description, wherein said features may be present individually or in any desired combination.
  • the speaker units are preferably arranged one behind the other, so that the sound waves generated by the rear speaker unit must be passed through the front.
  • the shielding wall of the first loudspeaker unit preferably comprises at least one passage channel which extends in its longitudinal direction, via which sound waves of the second loudspeaker unit, in particular from one of its two cavity regions, can be passed through and / or to the sound exit opening. It is possible to space several MEMS pairs of speakers within a housing, in particular behind one another, to arrange.
  • the two cavity regions of the second loudspeaker unit are advantageously separated from one another by means of a second shielding wall and in each case connected by means of a separate through-channel of the first shielding wall to the one common sound-conducting duct.
  • the sound waves of the MEMS loudspeakers of the second loudspeaker unit can be decoupled from one another and be guided in the direction of the sound conduction channel without influencing the sound waves of the first loudspeaker unit.
  • FIG. 1 is a perspective view of the loudspeaker arrangement
  • FIG. 2 shows a side sectional view of the loudspeaker arrangement with two MEMS loudspeakers and a shielding wall
  • Figure 3 shows a second embodiment of the speaker assembly in a side sectional view with two speaker units
  • Figure 4 shows a third embodiment of the speaker assembly in a side sectional view with two speaker units and two separate passageways.
  • FIG. 1 and FIG. 2 show a first exemplary embodiment of a loudspeaker arrangement 1 in a schematic view (FIG. 1) and in a plan view (FIG. 2).
  • the loudspeaker arrangement 1 comprises a housing 2, two MEMS loudspeakers 5a, 5b and a shielding wall 7.
  • the housing 2 comprises two housing halves 17a, 17b, which preferably each receive one of the two MEMS loudspeakers 5a, 5b.
  • the loudspeaker arrangement 1 has a sound-conducting cavity 3 and a sound outlet 4, which is arranged at the end of a sound-conducting channel 12.
  • the two MEMS loudspeakers 5a, 5b are arranged opposite each other and spaced apart from one another by the sound-conducting cavity 3 in the interior of the housing 2, in particular in each case in a housing half 17a, 17b.
  • the sound-conducting cavity 3 is subdivided into a first and second cavity region 8, 9 assigned to one of the two MEMS loudspeakers 5a, 5b. It is also arranged centrally on a symmetry axis 1 6 of the housing 2.
  • the two cavity regions 8, 9 are separated from each other by the shielding wall 7. In the region of a first opening 13 of the first cavity area 8 and a second opening 14 of the second cavity area 9, the sound-conducting channel 12 is arranged.
  • the two cavity regions 8, 9 thus open via their respective opening 13, 14 in the common Schallleitkanal 12.
  • the Schallleitkanal 12 is at its one end to the Schallleithohlraum 3, in particular with two cavity regions 8, 9, and at its other end with the sound outlet opening 4 connected.
  • the two housing halves 17a, 17b respectively receive one of the two MEMS loudspeakers 5a, 5b, which each have one of the two cavity regions 8, 9.
  • the shielding wall 7 is connected to the housing halves 17a, 17b in particular in a positive, material and / or non-positive manner.
  • the housing 2 may also be formed in one piece, wherein the shielding wall 7 in this case is preferably fixed by means of a layered structure of the housing 2 as an insert in the housing.
  • the two MEMS loudspeakers 5a, 5b are each assigned a cavity 6, of which only one is provided with a reference numeral for reasons of clarity.
  • the cavity 6 is formed in each case by a carrier substrate cavity 18 and a cavity cavity 19 of the housing 2.
  • the carrier substrate cavity 18 is arranged on the side of the MEMS loudspeaker 5 facing away from the acoustic cavity 3.
  • the cavity cavity 19 of the housing 2 in the illustrated first embodiment directly adjoins the carrier substrate cavity 18.
  • the shielding wall 7 extends from the first side inner surface 10 of the sonic cavity 3 via the two MEMS loudspeakers 5 to a second side inner surface 15 of the acoustic cavity 3.
  • the first side inner surface 10 is arranged on the side of the housing 2 opposite the sound channel 12.
  • the second side inner surface 15 is opposite the first side inner surface 1 1 and is in particular in Area of the first and second openings 13, 14 of the first and second cavity area 8, 9 are arranged.
  • the shielding wall 7 extends over the entire height and width of the housing 2, so that the sound waves emanating from the MEMS loudspeakers 5a, 5b have no possibility to surround the shielding wall 7 into the cavity area 8, 9 of the respective to get to another MEMS speaker.
  • the shielding wall 7 is furthermore connected to the housing 2 in a form-fitting, force-fitting and / or materially bonded manner.
  • FIG. 3 and FIG. 4 show a second and third embodiment of the loudspeaker arrangement 1.
  • the speaker assembly 1 comprises two speaker units 20, 21, first and second shielding walls 23, 24, at least one with the sound conducting channel 12 and at least one through-channel 22.
  • Both loudspeaker units 20, 21 are substantially like the loudspeaker arrangement 1 described in FIGS built up. Consequently, two housing halves 17 each form a loudspeaker unit 20, 21.
  • the housing halves 17 are positively, positively and / or materially connected via the first and / or second shielding wall 23, 24 with each other such that the MEMS speakers 5 disposed therein are opposite.
  • the two speaker units 20, 21 are also positively, positively and / or cohesively in the longitudinal direction, in particular coaxially connected to each other.
  • the first loudspeaker unit 20 has, on the side opposite the second loudspeaker unit 21, the sound exit opening 4 and the sound conduction channel 12 connected thereto.
  • the cavities 8, 9 of the MEMS loudspeakers 5 together form a sonic cavity 3, in the region of which the first shielding wall 23 is formed.
  • the first shielding wall 23 extends from the first side inner surface 10 to the second side inner surface 15, in particular to the sound outlet opening 4.
  • the cavity 6 of the MEMS loudspeakers 5 is formed by the cavity cavity 19 of the housing 2.
  • the carrier Substrate cavity 18 is arranged on the side facing away from the Kavticianshohlraum 19 of the MEMS speakers 5, wherein the orientation of the MEMS speaker 5 shown in Figure 2 is conceivable.
  • the second loudspeaker unit 21 likewise has two openings 13, 15 on the side opposite the first side inner surface 10 and is connected to the sound conduction channel 12 via the latter, in particular by means of a through-channel 22.
  • the through-passage 22 extends from the two openings 13, 15 of the second loudspeaker unit 21 to the sound-conducting channel 12.
  • the through-channel 22 is formed in the first shielding wall 23.
  • the embodiment shown in Figure 4 has two separate through channels 22.
  • the second loudspeaker unit 21 has a second shielding wall 24, as already described in FIG. It extends according to the embodiment shown in Figure 4, starting from the first side inner surface 10 of the second speaker unit 21 up to the Schallleitkanal 12, which is arranged on the first speaker unit 20. As a result, the shielding wall 24 of the second loudspeaker unit 21 forms the two mutually separate through-channels 22.
  • the sound waves of the second loudspeaker unit 21 are combined in the single through-channel 22 and guided to the sound-conducting channel 12.
  • the embodiment illustrated in Figure 4 thus corresponds to the embodiment shown in Figure 3 except for the formation of the Ableitkanal 12, which is connected to the sound outlet opening 4 of the first speaker unit 20 and is formed by the first and second shielding wall 23, 24.
  • the shielding wall 7 can be integrated in the layered manufacturing process, for example in the form of an insert in the speaker assembly 1. From the sound outlet opening 4 of the second speaker unit 21, in particular the first side inner surface 10 of the first speaker unit 20, up to the Schallleitkanal 12 extend parallel to the shield 7 on both sides of the two separate through channels 22.
  • the sound waves of the second speaker unit 21 are decoupled from each other by the first or second cavity region 8, 9 of the MEMS loudspeaker 5 up to the respective opening 12, 13 in the region of the sound outlet opening 4 of the second loudspeaker unit 21. From there, the sound waves arrive respectively in the adjacent passageway 22 and are guided to the sound channel 12.
  • the sound waves of the first loudspeaker unit 20 are also decoupled from the shielding wall 7 or the through-channel 22 to the sound guiding channel 12.
  • Schallleitkanal 12 in particular in the region adjacent to the sound outlet 4, meet the sound waves of the four MEMS speakers 5 to each other and are bundled out of the housing 2 out.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Lautsprecheranordnung (1) für mehrere MEMS-Lautsprecher (5) zum Erzeugen von Schallwellen im hörbaren Wellenlängenspektrum mit einem Gehäuse (2), das einen Schallleithohlraum (3) und zumindest eine Schallaustrittsöffnung (4) aufweist, zumindest zwei MEMS-Lautsprechern (5), die zueinander gegenüberliegend und voneinander durch den Schallleithohlraum (3) beabstandet im Inneren des Gehäuses (2) angeordnet sind und jeweils im Bereich ihrer voneinander abgewandten Seite eine Kavität (6) aufweisen. Erfindungsgemäß umfasst die Lautsprecheranordnung (1) eine Abschirmwand (7) zum akustischen Entkoppeln der beiden MEMS-Lautsprecher (5) voneinander, die im Inneren des Gehäuses (2) derart zwischen den beiden MEMS-Lautsprechern (5) angeordnet ist, dass der Schallleithohlraum (3) in einen jeweils einem der beiden MEMS-Lautsprecher (5) zugeordneten ersten und zweiten Hohlraumbereich (8, 9) unterteilt ist.

Description

Lautsprecheranordnunq
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Lautsprecheranordnung für mehrere MEMS-Lautsprecher zum Erzeugen von Schallwellen im hörbaren Wellenlängenspektrum. Die Lautsprecheranordnung umfasst ein Gehäuse, das einen Schallleithohlraum und zumindest eine Schallaustrittsöffnung aufweist, und zumindest zwei MEMS-Lautsprecher, die zueinander gegenüberliegend und voneinander beabstandet im Inneren des Gehäuses angeordnet sind und jeweils im Bereich ihrer voneinander abgewandten Seite eine Kavität aufweisen.
Die Bezeichnung MEMS steht für mikroelektromechanische Systeme. Aus der US 2012/0039499 A1 ist eine Mikrofonanordnung mit einem ersten und einem zweiten Wandler bekannt, wobei sich diese gegenüberliegen und ein gemeinsames Volumen haben. Bei einer derartigen Bauweise können sich die Schallwellen der Wandler gegenseitig beeinflussen, was negative Auswirkungen auf die Qualität des Systems haben kann, so dass diese herstellungstechnisch gute MEMS-Anordnung für Lautsprecheranwendungen ungeeignet ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es somit, eine einfach herzustellende Lautsprecheranordnung mit guter Klangqualität zu schaffen.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Lautsprecheranordnung mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 .
Vorgeschlagen wird eine Lautsprecheranordnung für MEMS-Lautsprecher zum Erzeugen von Schallwellen im hörbaren Wellenspektrum. Die Lautsprecheranordnung weist ein Gehäuse und zumindest zwei MEMS-Lautsprecher auf. Das Gehäuse weist einen Schallleithohlraum und zumindest eine Schallaustrittsöffnung auf. Die zwei MEMS-Lautsprecher sind zueinander gegen- überliegend und voneinander durch den Schallleithohlraum beabstandet im Inneren des Gehäuses angeordnet. Im Bereich ihrer voneinander abgewandten Seite weisen die MEMS-Lautsprecher jeweils eine Kavität auf. Unter der Begrifflichkeit„Kavität" ist ein Hohlraum zu verstehen, mittels dem der Schalldruck der MEMS-Lautsprecher verstärkt werden kann. Die Lautsprecheranordnung umfasst eine Abschirmwand zum akustischen Entkoppeln der beiden MEMS-Lautsprecher voneinander. Die Abschirmwand ist im Inneren des Gehäuses derart zwischen den beiden MEMS-Lautsprechern angeordnet, dass der Schallleithohlraum in einen jeweils einem der beiden MEMS- Lautsprecher zugeordneten ersten und zweiten Hohlraumbereich unterteilt ist. Die von den MEMS-Lautsprechern ausgehenden Schallwellen treffen auf die Abschirmwand und werden von dieser reflektiert. Die in einen der beiden Hohlraumbereiche eingebrachten Schallwellen können somit nicht bis zum jeweils anderen MEMS-Lautsprecher, insbesondere in den jeweils anderen Hohlraumbereich, vordringen. Die beiden einander zugewandten MEMS- Lautsprecher sind somit voneinander akustisch entkoppelt. Die Schallwellen der beiden MEMS-Lautsprecher können somit die akustische Qualität des jeweils gegenüberliegenden MEMS-Lautsprechers nicht negativ beeinflussen. Über den jeweils zugeordneten ersten oder zweiten Hohlraumbereich werden die Schallwellen in Richtung der Schallaustrittsöffnung geleitet und können durch diese aus dem Gehäuse austreten.
Von Vorteil ist es, wenn sich die Abschirmwand in einer Seitenansicht der Lautsprecheranordnung von einer ersten Seiteninnenfläche des Schallleithohlraums ausgehend zumindest bis über die beiden MEMS-Lautsprecher hinweg und/oder zu diesen parallel in den Schallleithohlraum hineinerstreckt. Die erste Seiteninnenfläche liegt dabei insbesondere der Schallaustrittsöffnung gegenüber. Um eine akustische Entkopplung der beiden MEMS-Lautsprecher voneinander zu bewirken, müssen die Schallwellen voneinander abgeschirmt werden. Die Abschirmwand muss sich daher zumindest über die volle Länge und Breite der MEMS-Lautsprecher erstrecken, um zumindest ein direktes Auftreffen des fremden Schalls vermeiden zu können. Die Abschirmwand ist in ihrem Randbereich vorteilhafterweise unmittelbar und/oder akustisch abdichtend an der Innenfläche des Schallleithohlraums angeordnet. Dabei ist im Wesentlichen der gesamte Umfang der Abschirmwand unmittelbar daran angeordnet. Um die Schallwellen der beiden MEMS- Lautsprecher voneinander abzuschirmen, insbesondere akustisch zu entkoppeln, muss die Abschirmwand derart ausgebildet sein, dass die Schallwellen diese nicht unerwünscht umlaufen können.
Einen weiteren Vorteil stellt es dar, wenn das Gehäuse einen Schallleitkanal umfasst, mittels dem die über den jeweiligen MEMS-Lautsprecher einbringbaren Schallwellen der beiden durch die Abschirmwand voneinander getrennten Hohlraumbereiche zusammenführbar sind. Der Schall kann somit verstärkt und/oder gezielt in eine Richtung gelenkt werden.
Vorteilhafterweise ist der Schallleitkanal im Bereich einer ersten Öffnung des ersten Hohlraumbereiches und einer zweiten Öffnung des zweiten Hohlraumbereiches angeordnet. Die Schallwellen können somit von den beiden MEMS-Lautsprechern ausgehend über ihre jeweiligen Hohlraumbereiche durch die dazugehörigen Öffnungen in den Schallleitkanal geführt werden.
Von Vorteil ist es zudem, wenn der Schallleitkanal an seinem einen Ende mit dem Schallleithohlraum und/oder an seinem anderen Ende mit der Schallaustrittsöffnung verbunden ist. Dabei ist der Schallkanal insbesondere mit beiden Hohlraumbereichen des Schallleithohlraums verbunden. Der Schallleitkanal erstreckt sich vorzugsweise von einer der ersten Seiteninnenfläche gegenüberliegenden zweiten Seiteninnenfläche des Schallleithohlraums ausgehend bis zur Schallaustrittsöffnung. Er verläuft dabei insbesondere gradlinig. Der von den MEMS-Lautsprechern erzeugte Schall kann somit gezielt in eine Richtung bzw. zu einer Seite der Lautsprecheranordnung gelenkt werden. Zudem ist es vorteilhaft, wenn sich die Abschirmwand von der ersten Seiteninnenfläche ausgehend bis in den Bereich des Schallleitkanals erstreckt. Vorzugsweise endet die Abschirmwand an diesem Bereich oder erstreckt sich teilweise in diesen hinein. Durch eine derartige Ausbildung der Abschirmwand können die Schallwellen in den beiden Hohlraumbereichen vollständig bis zum Schallleitkanal voneinander entkoppelt werden, so dass sich die beiden MEMS-Lautsprecher nicht negativ beeinflussen können.
Vorteilhafterweise ist/sind die Abschirmwand und/oder der Schallleitkanal mittig im Gehäuse und/oder zueinander koaxial angeordnet. Zusätzlich oder alternativ ist die Dicke der Abschirmwand kleiner als die Breite des Schallleitkanals. Dabei sind die Abschirmwand und der Schallleitkanal insbesondere auf einer Symmetrieachse des Gehäuses angeordnet. Die beiden Hohlraumbereiche zur Ausbreitung des Schalls weisen somit die gleiche Größe auf und können unter denselben Bedingungen durch den Schallleitkanal nach außen geführt werden. Die Dicke der Abschirmwand sollte dabei geringer als die Breite des Schallleitkanals sein, da die Schallwellen ansonsten nicht in den Schallleitkanal eintreten können. Der Weg würde dabei von der Abschirmwand und der zweiten Seiteninnenfläche verschlossen sein.
Einen weiteren Vorteil stellt es dar, wenn die Abschirmwand zusammen mit dem Gehäuse einteilig hergestellt ist. Als Material wird hier Silizium empfohlen. Alternativ ist auch denkbar, dass die Abschirmwand und das Gehäuse separate Bauteile darstellen, wobei vorzugsweise die Abschirmwand, insbesondere mit ihrem Randbereich, form-, kraft- und/oder stoffschlüssig mit dem Gehäuse verbunden ist.
Des Weiteren ist es von Vorteil, wenn die Abschirmwand und das Gehäuse aus zueinander unterschiedlichen Materialien hergestellt sind, wobei vorzugsweise das Material der Abschirmwand im Vergleich zum Material des Gehäuses eine höhere Steifigkeit aufweist. Durch eine hohe Steifigkeit kann sichergestellt werden, dass die Abschirmwand nicht selbst zum Schwingen angeregt wird und in Folge dessen der jeweils andere MEMS-Lautsprecher unerwünscht beeinflusst wird.
Das Gehäuse ist vorteilhafterweise aus Silizium und/oder die Abschirmwand aus einem Metall, insbesondere Aluminium, einer Keramik und/oder einem Verbundwerkstoff hergestellt. Das Gehäuse wird insbesondere schichtweise hergestellt. Die Leiterplatten der MEMS-Lautsprecheranordnung sind vorzugsweise sandwichartig aus mehreren übereinander angeordneten und/oder miteinander verbundenen Schichten aufgebaut. Hierdurch kann mittels eines Herstellungsverfahrens die gesamte Lautsprecheranordnung samt Gehäuse und darin einlegerartig integrierter Abschirmwand sowie MEMS- Lautsprechern gefertigt werden. Die Lautsprecheranordnung kann somit kostengünstig und sehr bauraumsparend ausgebildet werden.
Zusätzlich ist es ferner von Vorteil, wenn das Gehäuse zwei miteinander verbundene Gehäusehälften umfasst, die vorzugsweise jeweils einen der beiden MEMS-Lautsprecher aufnehmen. Die Gehäusehälften weisen dabei vorteilhafterweise einen der beiden Hohlraumbereiche auf, wobei in deren Verbindungsbereich die Abschirmwand angeordnet und/oder befestigt ist. Die Befestigung erfolgt dabei insbesondere form-, stoff- und/oder kraftschlüssig. Die Gehäusehälften können somit jeweils mittels des schichtweisen Herstellungsverfahrens gefertigt werden und anschließend über die Abschirmwand, welche ein Einleger sein kann, miteinander verbunden werden. Somit wird ein kostengünstiges Herstellungsverfahren ermöglicht.
Zur Ausbildung einer möglichst großen Kavität ist es vorteilhaft, wenn die Kavität zumindest eines MEMS-Lautsprechers durch einen Trägersubstrathohlraum des MEMS-Lautsprechers selbst und/oder durch einen Kavitäts- hohlraum des Gehäuses ausgebildet ist. Hierdurch kann das Volumen der Kavität, die zumindest durch den einen MEMS-Lautsprecher ausgebildet ist, zusätzlich durch das Volumen des Kavitätshohlraums des Gehäuses vergrößert werden. Je nach Bedarf ist es jedoch auch denkbar, die MEMS-Laut- Sprecher um 180° gedreht einzubauen, so dass der Trägersubstrathohlraum zum Hohlraumbereich hin zu orientiert ist.
In einer vorteilhaften Weiterbildung umfasst die Lautsprecheranordnung zwei Lautsprechereinheiten, die jeweils vorzugsweise gemäß der vorangegangenen Beschreibung ausgebildet sind, wobei die genannten Merkmale einzeln oder in beliebiger Kombination vorhanden sein können. Die Lautsprechereinheiten sind vorzugsweise hintereinander angeordnet, so dass die von der hinteren Lautsprechereinheit erzeugten Schallwellen durch die vordere hindurchgeführt werden müssen.
Die Abschirmwand der ersten Lautsprechereinheit umfasst hierfür vorzugsweise zumindest einen sich in ihrer Längsrichtung ersteckenden Durchgangskanal, über den Schallwellen der zweiten Lautsprechereinheit, insbesondere aus einem ihrer beiden Hohlraumbereiche, durch- und/oder zur Schallaustrittsöffnung hinführbar sind. Es wird ermöglicht, mehrere MEMS- Lautsprecherpaare bauraumsparend innerhalb eines Gehäuses, insbesondere hintereinander, anzuordnen.
Die zwei Hohlraumbereiche der zweiten Lautsprechereinheit sind vorteilhafterweise mittels einer zweiten Abschirmwand voneinander getrennt und jeweils mittels eines separaten Durchgangskanals der ersten Abschirmwand mit dem einen gemeinsamen Schallleitkanal verbunden. Somit können die Schallwellen der MEMS-Lautsprecher der zweiten Lautsprechereinheit voneinander entkoppelt und ohne die Schallwellen der ersten Lautsprechereinheit zu beeinflussen in Richtung des Schallleitkanals geführt werden.
Einen weiteren Vorteil stellt es dar, wenn die Abschirmwände der beiden Lautsprechereinheiten zueinander und/oder zum Schallleitkanal koaxial angeordnet sind, da hierdurch die Fertigungskosten reduziert werden können. Weitere Vorteile der Erfindung sind in den nachfolgenden Ausführungsbeispielen beschrieben. Es zeigt:
Figur 1 eine perspektivische Ansicht der Lautsprecheranordnung,
Figur 2 eine seitliche Schnittansicht der Lautsprecheranordnung mit zwei MEMS-Lautsprechern und einer Abschirmwand,
Figur 3 ein zweites Ausführungsbeispiel der Lautsprecheranordnung in einer seitlichen Schnittansicht mit zwei Lautsprechereinheiten und
Figur 4 ein drittes Ausführungsbeispiel der Lautsprecheranordnung in einer seitlichen Schnittansicht mit zwei Lautsprechereinheiten und zwei voneinander getrennten Durchgangskanälen.
Figur 1 und Figur 2 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel einer Lautsprecheranordnung 1 in einer schematischen Ansicht (Fig. 1 ) sowie in einer Draufsicht (Fig. 2). Die Lautsprecheranordnung 1 umfasst ein Gehäuse 2, zwei MEMS-Lautsprecher 5a, 5b und eine Abschirmwand 7. Das Gehäuse 2 umfasst dabei zwei Gehäusehälften 17a, 17b, die vorzugsweise jeweils einen der beiden MEMS-Lautsprecher 5a, 5b aufnehmen. Des Weiteren weist die Lautsprecheranordnung 1 einen Schallleithohlraum 3 und eine Schallaustrittsöffnung 4 auf, die am Ende eines Schallleitkanals 12 angeordnet ist.
Die zwei MEMS-Lautsprecher 5a, 5b sind zueinander gegenüberliegend und voneinander durch den Schallleithohlraum 3 beabstandet im Inneren des Gehäuses 2, insbesondere jeweils in einer Gehäusehälfte 17a, 17b angeordnet. Der Schallleithohlraum 3 ist in einen, jeweils einem der beiden MEMS- Lautsprecher 5a, 5b zugeordneten, ersten und zweiten Hohlraumbereich 8, 9 unterteilt. Er ist ferner mittig auf einer Symmetrieachse 1 6 des Gehäuses 2 angeordnet. Die beiden Hohlraumbereiche 8, 9 sind durch die Abschirmwand 7 voneinander getrennt. Im Bereich einer ersten Öffnung 13 des ersten Hohlraumbereichs 8 und einer zweiten Öffnung 14 des zweiten Hohlraumbereichs 9 ist der Schallleitkanal 12 angeordnet. Die beiden Hohlraumbereiche 8, 9 münden somit über ihre jeweilige Öffnung 13, 14 in den gemeinsamen Schallleitkanal 12. Der Schallleitkanal 12 ist an seinem einen Ende mit dem Schallleithohlraum 3, insbesondere mit beiden Hohlraumbereichen 8, 9, und an seinem anderen Ende mit der Schallaustrittsöffnung 4 verbunden. Die beiden Gehäusehälften 17a, 17b nehmen demnach jeweils einen der beiden MEMS- Lautsprecher 5a, 5b auf, welche jeweils einen der beiden Hohlraumbereiche 8, 9 aufweisen. Die Abschirmwand 7 ist mit den Gehäusehälften 17a, 17b insbesondere form-, Stoff- und/oder kraftschlüssig verbunden. Alternativ kann das Gehäuse 2 aber auch einteilig ausgebildet sein, wobei die Abschirmwand 7 hierbei vorzugsweise mittels eines schichtweisen Aufbaus des Gehäuses 2 als Einleger in dem Gehäuse fixiert ist.
Den beiden MEMS-Lautsprechern 5a, 5b ist jeweils eine Kavität 6 zugeordnet, von denen aus Gründen der Übersichtlichkeit lediglich eine mit einem Bezugszeichen versehen ist. Die Kavität 6 wird jeweils durch einen Trägersubstrathohlraum 18 und einen Kavitätshohlraum 19 des Gehäuses 2 ausgebildet. Der Trägersubstrathohlraum 18 ist auf der dem Schallleithohlraum 3 abgewandten Seite der MEMS-Lautsprecher 5 angeordnet. Der Kavitätshohlraum 19 des Gehäuses 2 grenzt im dargestellten ersten Ausführungsbeispiel direkt an den Trägersubstrathohlraum 18 an.
Die Abschirmwand 7 erstreckt sich von der ersten Seiteninnenfläche 10 des Schallleithohlraums 3 ausgehend über die beiden MEMS-Lautsprecher 5 hinweg bis zu einer zweiten Seiteninnenfläche 15 des Schallleithohlraums 3. Die erste Seiteninnenfläche 10 ist auf der dem Schallleitkanal 12 gegenüberliegenden Seite des Gehäuses 2 angeordnet. Die zweite Seiteninnenfläche 15 liegt der ersten Seiteninnenfläche 1 1 gegenüber und ist insbesondere im Bereich der ersten und zweiten Öffnung 13, 14 des ersten und zweiten Hohlraumbereiches 8, 9 angeordnet. Wie in Figur 1 dargestellt, erstreckt sich die Abschirmwand 7 über die ganze Höhe und Breite des Gehäuses 2, sodass die von den MEMS-Lautsprechern 5a, 5b ausgehenden Schallwellen keine Möglichkeit haben, um die Abschirmwand 7 herum in den Hohlraumbereich 8, 9 des jeweils anderen MEMS-Lautsprechers zu gelangen. Die Abschirmwand 7 ist hierfür ferner form-, kraft- und/oder stoffschlüssig mit dem Gehäuse 2 verbunden.
Figur 3 und Figur 4 zeigen eine zweite und dritte Ausführungsform der Lautsprecheranordnung 1 . Hierin umfasst die Lautsprecheranordnung 1 zwei Lautsprechereinheiten 20, 21 , eine erste und zweite Abschirmwand 23, 24, zumindest eine mit dem Schallleitkanal 12 und zumindest einen Durchgangskanal 22. Beide Lautsprechereinheiten 20, 21 sind im Wesentlichen wie die in Figuren 1 und 2 beschriebene Lautsprecheranordnung 1 aufgebaut. Folglich bilden jeweils zwei Gehäusehälften 17 eine Lautsprechereinheit 20, 21 aus. Die Gehäusehälften 17 sind form-, kraft- und/oder stoffschlüssig über die erste und/oder zweite Abschirmwand 23, 24 miteinander derart verbunden, dass sich die darin angeordneten MEMS-Lautsprecher 5 gegenüberliegen. Die beiden Lautsprechereinheiten 20, 21 sind ebenfalls form-, kraft- und/oder stoffschlüssig in Längsrichtung, insbesondere koaxial, miteinander verbunden.
Die erste Lautsprechereinheit 20 weist auf der der zweiten Lautsprechereinheit 21 gegenüberliegenden Seite die Schallaustrittsöffnung 4 und den mit dieser verbundenen Schallleitkanal 12 auf. Wie auch im ersten Ausführungsbeispiel bilden die Hohlräume 8, 9 der MEMS-Lautsprecher 5 gemeinsam einen Schallleithohlraum 3 aus, in dessen Bereich die erste Abschirmwand 23 ausgebildet ist. Die erste Abschirmwand 23 erstreckt sich von der ersten Seiteninnenfläche 10 bis zur zweiten Seiteninnenfläche 15, insbesondere bis zur Schallaustrittsöffnung 4. Die Kavität 6 der MEMS-Lautsprecher 5 wird durch den Kavitätshohlraum 19 des Gehäuses 2 ausgebildet. Der Träger- substrathohlraum 18 ist auf der dem Kavitätshohlraum 19 abgewandten Seite der MEMS-Lautsprecher 5 angeordnet, wobei auch die in Figur 2 gezeigte Ausrichtung des MEMS-Lautsprechers 5 denkbar ist.
Die zweite Lautsprechereinheit 21 weist ebenso auf der der ersten Seiteninnenfläche 10 gegenüberliegenden Seite zwei Öffnungen 13, 15 auf und ist über diese, insbesondere mittels eines Durchgangskanals 22, mit dem Schallleitkanal 12 verbunden. Der Durchgangskanal 22 erstreckt sich von den beiden Öffnungen 13, 15 der zweiten Lautsprechereinheit 21 bis zum Schallleitkanal 12.
Im den in Figur 3 und 4 dargestellten Ausführungsbeispielen ist der Durchgangskanal 22 in der ersten Abschirmwand 23 ausgebildet. Im Gegensatz zu dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel weist das in Figur 4 dargestellte Ausführungsbeispiel zwei voneinander getrennte Durchgangskanäle 22 auf. Die zweite Lautsprechereinheit 21 weist bei beiden Ausführungsbeispielen eine zweite Abschirmwand 24 auf, wie sie in Figur 1 bereits beschrieben ist. Sie erstreckt sich gemäß den in Figur 4 dargestellten Ausführungsbeispiel von der ersten Seiteninnenfläche 10 der zweiten Lautsprechereinheit 21 ausgehend bis zum Schallleitkanal 12, der an der ersten Lautsprechereinheit 20 angeordnet ist. Hierdurch bildet die Abschirmwand 24 der zweiten Lautsprechereinheit 21 die beiden voneinander getrennten Durchgangskanäle 22 aus.
Im Gegensatz dazu werden bei dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel die Schallwellen der zweiten Lautsprechereinheit 21 in dem einzigen Durchgangskanal 22 zusammengeführt und bis zum Schallleitkanal 12 geleitet.
Das in Figur 4 dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht somit bis auf die Ausbildung der Abschirmwände 7, 24 dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel. Die Abschirmwand 7 erstreckt sich jedoch von der ersten Sei- teninnenfläche 10 der zweiten Lautsprechereinheit 21 durchgehend bis hin zum Schallleitkanal 12, welcher mit der Schallaustrittsöffnung 4 der ersten Lautsprechereinheit 20 verbunden ist und wird von der ersten und der zweiten Abschirmwand 23, 24 ausgebildet.
Die Abschirmwand 7 kann dabei im schichtweisen Herstellungsverfahren beispielsweise in Form eines Einlegers in die Lautsprecheranordnung 1 integriert werden. Von der Schallaustrittsöffnung 4 der zweiten Lautsprechereinheit 21 , insbesondere der erste Seiteninnenfläche 10 der ersten Lautsprechereinheit 20, ab bis hin zum Schallleitkanal 12 erstrecken sich parallel zur Abschirmwand 7 beidseitig die beiden voneinander getrennten Durchgangskanäle 22. Die Schallwellen der zweiten Lautsprechereinheit 21 werden voneinander entkoppelt durch den ersten oder zweiten Hohlraumbereich 8, 9 der MEMS-Lautsprecher 5 bis hin zur jeweiligen Öffnung 12, 13 im Bereich der Schallaustrittsöffnung 4 der zweiten Lautsprechereinheit 21 geleitet. Von dort gelangen die Schallwellen jeweils in den angrenzenden Durchgangskanal 22 und werden bis zum Schallleitkanal 12 geführt. Die Schallwellen der ersten Lautsprechereinheit 20 werden ebenso von der Abschirmwand 7 bzw. dem Durchgangskanal 22 entkoppelt bis zum Schallleitkanal 12 geführt. Im Schallleitkanal 12, insbesondere im Bereich der an die Schallaustrittsöffnung 4 angrenzt, treffen die Schallwellen der vier MEMS-Lautsprecher 5 aufeinander und werden gebündelt aus dem Gehäuse 2 heraus geführt.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die dargestellten und beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Abwandlungen im Rahmen der Patentansprüche sind ebenso möglich wie eine Kombination der Merkmale, auch wenn diese in unterschiedlichen Ausführungsbeispielen dargestellt und beschrieben sind. Bezuqszeichenliste
1 . Lautsprecheranordnung
2. Gehäuse
3. Schallleithohlraum
4. Schallaustrittsöffnung
5. MEMS-Lautsprecher
6. Kavität
7. Abschirmwand
8. Erster Hohlraumbereich
9. Zweiter Hohlraumbereich
1 0. Erste Seiteninnenfläche
1 1 . Innenfläche des Schallleithohlraums
12. Schallleitkanal
13. Erste Öffnung
14. Zweite Öffnung
15. Zweite Seiteninnenfläche
1 6. Symmetrieachse
17. Gehäusehälften
18. Trägersubstrathohlraum
19. Kavitätshohlraum
20. Erste Lautsprechereinheit
21 . Zweite Lautsprechereinheit
22. Durchgangskanal
23. Erste Abschirmwand
24. Zweite Abschirmwand

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e
1 . Lautsprecheranordnung (1 ) für mehrere MEMS-Lautsprecher (5) zum Erzeugen von Schallwellen im hörbaren Wellenlängenspektrum mit einem Gehäuse (2), das einen Schallleithohlraum (3) und zumindest eine Schallaustrittsöffnung (4) aufweist,
zumindest zwei MEMS-Lautsprechern (5), die zueinander gegenüberliegend und voneinander durch den Schallleithohlraum (3) beabstandet im Inneren des Gehäuses (2) angeordnet sind und jeweils im Bereich ihrer voneinander abgewandten Seite eine Kavität (6) aufweisen,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lautsprecheranordnung (1 ) eine Abschirmwand (7) zum akustischen Entkoppeln der beiden MEMS-Lautsprecher (5) voneinander umfasst,
die im Inneren des Gehäuses (2) derart zwischen den beiden MEMS- Lautsprechern (5) angeordnet ist, dass der Schallleithohlraum (3) in einen jeweils einem der beiden MEMS-Lautsprecher (5) zugeordneten ersten und zweiten Hohlraumbereich (8, 9) unterteilt ist.
2. Lautsprecheranordnung nach dem vorherigen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Abschirmwand (7) in einer Seitenansicht der Lautsprecheranordnung (1 ) von einer, insbesondere der Schallaustrittsöffnung (4) gegenüberliegenden, ersten Seiteninnenfläche (10) des Schallleithohlraums (3) ausgehend zumindest bis über die beiden MEMS-Lautsprechern (5) hinweg und/oder zu diesen parallel in den Schallleithohlraum (3) hineinerstreckt.
3. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmwand (7) in ihrem Randbereich, insbesondere im Wesentlichen über ihren gesamten Umfang hinweg, unmittelbar und/oder akustisch abdichtend an der Innenfläche (1 1 ) des Schallleithohlraums (3) angeordnet ist.
4. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (2) einen Schallleitkanal (12) umfasst, mittels dem die über den jeweiligen MEMS-Lautsprecher (5) einbringbaren Schallwellen der beiden durch die Abschirmwand (7) voneinander getrennten Hohlraumbereiche (8, 9) zusammenführbar sind.
5. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schallleitkanal (12) im Bereich einer ersten Öffnung (13) des ersten Hohlraumbereiches (8) und einer zweiten Öffnung (14) des zweiten Hohlraumbereiches (9) angeordnet ist.
6. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schallleitkanal (12) an seinem einen Ende mit dem Schallleithohlraum (3), insbesondere mit beiden Hohlraumbereichen (8, 9), und/oder an seinem anderen Ende mit der Schallaustrittsöffnung (4) verbunden ist,
wobei sich der Schallleitkanal (12) vorzugsweise von einer der ersten Seiteninnenfläche (10) gegenüberliegenden zweiten Seiteninnenfläche (15) des Schallleithohlraums (3) ausgehend, insbesondere geradlinig, bis zur Schallaustrittsöffnung (4) erstreckt.
7. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Abschirmwand (7) von der ersten Seiteninnenfläche (10) ausgehend bis in den Bereich des Schallleitkanals (12) erstreckt, vorzugsweise an diesem endet oder sich teilweise in diesen hineinerstreckt.
8. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmwand (7) und/oder der Schallleitkanal (12) mittig im Gehäuse (2), insbesondere auf einer Symmetrieachse (1 6) des Gehäuses (2), und/oder zueinander koaxial angeordnet sind und/oder
dass die Dicke der Abschirmwand (7) kleiner ist als die Höhe des Schallleitkanals (12).
9. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmwand (7) zusammen mit dem Gehäuse (2) einteilig, insbesondere aus Silizium, hergestellt ist oder
dass die Abschirmwand (7) und das Gehäuse (2) separate Bauteile darstellen, wobei vorzugsweise die Abschirmwand (7), insbesondere in ihrem Randbereich, form-, kraft- und/oder stoffschlüssig, mit dem Gehäuse (2) verbunden ist.
10. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmwand (7) und das Gehäuse (2) aus zueinander unterschiedlichen Materialen hergestellt sind, wobei vorzugsweise das Material der Abschirmwand (2) im Vergleich zum Material des Gehäuses (2) eine höhere Steifigkeit aufweist.
1 1 . Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (2), insbesondere schichtweise, aus Silizium und/oder die Abschirmwand (7) aus einem Metall, insbesondere Aluminium, einer Keramik und/oder einem Verbundwerkstoff hergestellt ist.
12. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (2) zwei mit- einander verbundene Gehäusehälften (17) umfasst, die vorzugsweise jeweils einen der beiden MEMS-Lautsprecher (5) aufnehmen,
die jeweils einen der beiden Hohlraumbereiche (8, 9) aufweisen und/oder
in deren Verbindungsbereich die Abschirmwand (7), insbesondere form-, stoff- und/oder kraftschlüssig, befestigt ist.
13. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (6) zumindest eines MEMS-Lautsprechers (5) durch einen Trägersubstrathohlraum (18) des MEMS-Lautsprechers (5) selbst und/oder durch einen Kavi- tätshohlraum (19) des Gehäuses (2) ausgebildet ist.
14. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lautsprecheranordnung (1 ) zwei Lautsprechereinheiten (20, 21 ) umfasst, die vorzugsweise jeweils nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche ausgebildet sind, und/oder
dass die Abschirmwand (7) der ersten Lautsprechereinheit (21 ) zumindest einen sich in ihrer Längsrichtung erstreckenden Durchgangskanal (22) umfasst, über den Schallwellen der zweiten Lautsprechereinheit (21 ), insbesondere aus einem ihrer beiden Hohlraumbereiche (8, 9), durch- und/oder zur Schallaustrittsöffnung (4) hinführbar sind.
15. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei voneinander mittels einer zweiten Abschirmwand (4) getrennten Hohlraumbereiche (8, 9) der zweiten Lautsprechereinheit (21 ) mittels jeweils eines separaten Durchgangskanals (22) mit dem einen Schallleitkanal (12) verbunden sind.
16. Lautsprecheranordnung nach einem oder mehreren der vorherigen
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmwände (7) der beiden Lautsprechereinheiten (20, 21 ) zueinander und/oder zum Schallleitkanal (12) koaxial angeordnet sind.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3672277B1 (de) * 2018-12-19 2024-04-03 Sonion Nederland B.V. Miniaturlautsprecher mit mehreren schallhohlräumen
CN112261562A (zh) * 2020-09-29 2021-01-22 瑞声科技(南京)有限公司 Mems扬声器
TWI741928B (zh) * 2021-01-04 2021-10-01 富祐鴻科技股份有限公司 雙面揚聲器
CN217116396U (zh) * 2022-03-03 2022-08-02 瑞声开泰科技(武汉)有限公司 Mems扬声器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1079675B (de) * 1957-02-22 1960-04-14 Philips Patentverwaltung Lautsprecheranordnung
AU4256778A (en) 1977-12-19 1979-07-05 Commw Of Australia Reduction of feedback in electroacoustic systems
US7392880B2 (en) * 2002-04-02 2008-07-01 Gibson Guitar Corp. Dual range horn with acoustic crossover
DK1895811T3 (en) 2006-08-28 2016-08-29 Sonion Nederland Bv Several speakers with a common acoustic tube
CN101222784B (zh) * 2007-01-12 2011-08-24 富准精密工业(深圳)有限公司 音箱结构及采用该音箱结构的移动电子设备
US8199953B2 (en) * 2008-10-30 2012-06-12 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-aperture acoustic horn
KR20120014591A (ko) 2009-05-18 2012-02-17 노우레스 일렉트로닉스, 엘엘시 감소된 진동 감도를 갖는 마이크로폰
US8452038B2 (en) * 2010-04-29 2013-05-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-throat acoustic horn for acoustic filtering
US8804982B2 (en) * 2011-04-02 2014-08-12 Harman International Industries, Inc. Dual cell MEMS assembly
TWM453318U (zh) * 2012-11-21 2013-05-11 Ozaki Int Co Ltd 入耳式耳機

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