EP2801113B1 - Procédé de production à basse température de nanostructures semi-conductrices à jonction radiale, dispositif a jonction radiale et cellule solaire comprenant des nanostructures à jonction radiale - Google Patents

Procédé de production à basse température de nanostructures semi-conductrices à jonction radiale, dispositif a jonction radiale et cellule solaire comprenant des nanostructures à jonction radiale Download PDF

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EP2801113B1
EP2801113B1 EP13701815.6A EP13701815A EP2801113B1 EP 2801113 B1 EP2801113 B1 EP 2801113B1 EP 13701815 A EP13701815 A EP 13701815A EP 2801113 B1 EP2801113 B1 EP 2801113B1
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EP
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semiconductor
doped
radial
junction
electronic
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Linwei Yu
Pere Roca I Cabarrocas
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Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Ecole Polytechnique
TotalEnergies Marketing Services SA
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Ecole Polytechnique
Total Marketing Services SA
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Publication date
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    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Definitions

  • the present invention generally relates to the manufacture of radial-junction electronic structures (for example of the n-i-p, p-i-n, n-p, p-n or tandem-cell type) formed from a network of semiconductor nanowires.
  • the invention finds particular applications in the manufacture of solar photovoltaic cells at low cost.
  • Solar energy is the most abundant source of renewable energy to support the sustainable development of human society. It is essential to promote photovoltaic energy technologies to reduce greenhouse gas emissions. However, it is also critical for photovoltaic technologies to achieve parity in terms of cost per watt compared to a conventional electricity tariff grid.
  • the first generation of solar cells which was based on the use of crystalline silicon wafers, has dominated the photovoltaic market since its introduction some fifty years ago.
  • the crystalline silicon band structure makes it not very efficient in terms of light absorption, which requires a crystalline silicon thickness of 100 to 300 microns.
  • the size of the solar cells is limited by the size of the crystalline silicon wafers. This leads to a high cost of materials for solar cells based on crystalline silicon.
  • the second generation of solar cells has adopted thin film deposition technology of polycrystalline silicon or amorphous silicon.
  • the thin-film solar cell technology is low cost and can easily be adapted to different media sizes (up to 6 m 2 on glass and on rolls over 1 km long).
  • a stack of layers having different doping is deposited to produce a junction, for example of pin or nip type, between two thin-film electrodes.
  • the electrodes are used to collect the current of photo-generated carriers.
  • the light absorption is all the more important as the thickness of amorphous or polycrystalline silicon is large.
  • the inter-electrode distance must be limited. A compromise must therefore be sought in a planar solar cell in thin layers between on the one hand a large thickness to ensure a sufficient level of light absorption in the material and on the other hand a sufficiently large diffusion length compared to the thickness of the cell to allow collection of most photo-generated carriers. Note that more than diffusion, it is the electric field generated by the doped layers that allows the separation of the electron-hole pairs.
  • the performance of thin-film solar cells is generally limited by the poor electrical properties of amorphous or microcrystalline silicon.
  • An electronic junction having a radial junction type design p-i-n has recently been proposed to overcome these limitations and disadvantages.
  • This new radial junction design consists first of all in manufacturing a network of nanowires serving as physical support for a pin electronic junction obtained by deposition of a p-doped semiconductor layer, then of an intrinsic semiconductor layer (i) and finally of an n-doped semiconductor layer.
  • a 3D-structure p-i-n radial junction is thus produced over a network of nanowires.
  • the nanowire forest has omnidirectional light trapping and allows absorption over a wide range of wavelengths of the visible and near infrared spectrum.
  • a radial junction structure decouples the light absorption length from the separation distance of the carriers.
  • the silicon nanowire arrays that are suitable for this application can be obtained either by top-down etching techniques in crystalline silicon (Garnett and Yang 2010; Lu and Lal 2010) or by a bottom-up growth technique, for example vapor-liquid-solid (VLS) technique (Schmid, Bjork et al., 2008, Yuan, Zhao and others 2009, Schmidt and Wittemann et al., 2010).
  • VLS vapor-liquid-solid
  • the VLS approach consists of using liquid phase catalyst drops to catalyze the growth of nanowires from gas phase precursors and to grow solid one-dimensional structures such as nanowires.
  • the VLS technique improves the process of manufacturing nanowires in several aspects.
  • the process of manufacturing nanowires by VLS is better controllable.
  • the VLS process allows scaling on large substrates with high efficiency.
  • the VLS method is also compatible with a low growth temperature and applies to many low cost substrates.
  • the growth of silicon nanowires by VLS method is most commonly based on the use of gold as a metal catalyst.
  • gold has the major disadvantage of introducing electronic defects at deep levels in the middle of forbidden band silicon. The gold-induced contamination and its very high cost explain why a residual gold recovery step is carried out between the growth step VLS and the deposition step of a stack of thin layers.
  • the growth of silicon nanowires by VLS process has already been carried out using indium, tin or gallium as the metal catalyst (Alet, Yu et al 2008, Yu Alet et al., 2008, Yu ODonnell et al. ).
  • a metal catalyst such as tin, having a low melting point, allows the growth of silicon nanowires at temperatures below 200 ° C (Yu, Alet et al., 2008; Yu, O'Donnell et al 2009). Moreover, tin does not introduce electronic defects in the middle of the forbidden band of silicon, as is the case for Au.
  • the doping of an electronic junction (pn, np, pin or nip) performed by chemical vapor deposition generally relies on the use of several doping gases during the chemical vapor deposition process. This is for example the case in FR 2928939 .
  • the manufacture of an electronic junction commonly requires the use of at least two doping gases, a first doping gas for n-type doping and another doping gas for p-type doping.
  • the use of several doping gases introduces complicated problems for cleaning the deposition chamber so as to avoid cross-contamination between the various layers deposited.
  • the doping gases indeed cover the inner walls of the deposition chamber and are recycled during the next step of deposition of a different doping layer.
  • One of the aims of the invention is to simplify the method of manufacturing a solar cell.
  • Another object of the invention is to reduce the contamination of the intrinsic layer of a pin or nip junction by the dopants used in the reactor or by the dopant of an underlying layer. In particular, it is essential to avoid the creation of electronic trapping centers in the center of the forbidden band of the semiconductor material. It is also crucial to avoid cross-contamination of the n and p doped layers of an electronic junction.
  • Another object of the invention is to limit the use of toxic doping gases such as B 2 H 6 or PH 3 .
  • the method for producing at least one radial electronic junction semiconductor nanostructure comprises an intermediate step between step c) of inactivation of residual metal clusters and step d) of chemical deposition.
  • said intermediate step comprising a step of chemical vapor deposition in the presence of one or more precursor gases of another thin layer of a third undoped (or intrinsic) semiconductor material conformingly on said doped semiconductor nanowires, said nanowires doped semiconductors being p-type doped and said at least one thin layer of a second semiconductor material being doped with -n to form semiconductor nanostructures with pin-type radial electronic junction, or said semiconductor nanowires respectively; doped conductors being doped of the -n type and said at least one thin layer of a second semiconductor material being doped with -p to form nip-type radial electronic junction semiconductor nanostructures.
  • said thin layer of a third intrinsic semiconductor material comprises amorphous silicon
  • said method comprises an additional step after step c) of inactivation of the residual metal aggregates and before the step for depositing said intrinsic amorphous silicon thin film, said additional step comprising a step of chemical vapor deposition in the presence of one or more precursor gases of an amorphous thin film of a semiconductor material having the same type of doping as the semiconductor nanowires doped conformally on said doped semiconductor nanowires.
  • the invention also relates to a device with a radial electronic junction comprising a substrate, at least one semiconductor nanowire doped with a first semiconductor material doped with a first type of doping, said at least one doped semiconductor nanowire extending from said substra in which said first material is selected from silicon and germanium, and wherein the bismuth is the n-type dopant, respectively wherein the gallium is the p-type dopant, at least one thin layer of a second semiconductor material with a second doping type, said at least one thin layer of a second semiconductor material being conformally deposited on said at least one doped semiconductor nanowire to form at least one semiconductor nanostructure with radial electronic junction between said doped semiconductor nanowire and said at least one thin layer of a second doped semiconductor material.
  • the radial electronic junction device further comprises another thin layer of a third intrinsic semiconductor material conformably deposited on said at least one doped semiconductor nanowire and below said at least one thin layer of a second semiconductor material, said at least one doped semiconductor nanowire being p-type doped and said at least one thin layer of a second semiconductor material being doped -n to form at least one a pin-type radial electronic junction semiconductor nanostructure, or respectively said at least one doped semiconductor semiconductor wire being doped with -n type and said at least one thin layer of a second semiconductor material being doped -p to form at least one semiconductor nanostructure with a nip type radial electronic junction.
  • the radial electronic junction device further comprises at least one other stack of a plurality of thin semiconductor layers, said at least one other layer of thin layers being conformally deposited on said at least one a radial electronic junction semiconductor nanostructure and said plurality of semiconductor thin films having a respective doping adapted to form at least one semiconductor nanostructure with radial electronic double junction (in other words a tandem cell).
  • the radial electronic junction device comprises at least one doped nanowire of silicon.
  • the invention also relates to a solar cell comprising a plurality of nanostructures with radial electronic junction according to one of the embodiments of the invention.
  • the invention will find a particularly advantageous application in the low cost manufacture of high efficiency solar cells.
  • the present invention also relates to the features which will emerge in the course of the description which follows and which will have to be considered individually or in all their technically possible combinations.
  • metal-supported silicon nanowires solves the problem of contamination of a layer of intrinsic semiconductor material by the doping gas of the underlying doped layer, as explained below.
  • the use of a catalyst such as indium and tin with a low melting point enables the growth of silicon nanowires at temperatures below 200 ° C while avoiding contamination at deep levels in a forbidden band environment which are created by a catalyst such as gold.
  • the invention uses the metal catalysis growth step to dope by in situ catalysis n-type or p-type semiconductor nanowires without the use of a doping gas.
  • metal catalysts to effect the doping of the nanowires of semiconductors, for example silicon nanowires.
  • silicon nanowires for example, bismuth is used to introduce shallow n-type doping into silicon nanowires.
  • Gallium or indium leads to p-type doping in silicon nanowires.
  • the incorporation of dopant during the growth of the semiconductor nanowires can be carried out in situ during a VLS-type nanowire growth process in a conventional plasma-assisted chemical deposition (PECVD) device.
  • PECVD plasma-assisted chemical deposition
  • the deposition temperature is precisely controlled to be as low as possible.
  • the reduction of the deposition temperature is an important point for the incorporation of semiconductor nanowires into low cost thin film structure deposition processes.
  • the metal catalyst bismuth or a bismuth alloy to produce silicon nanowires at low temperature and to control the doping by incorporation of the metal catalyst into the silicon nanowires.
  • the bismuth introduces n-type doping at a shallow level, 160mV below the silicon conduction band.
  • the Figures 1A and 1B represent silicon nanowires produced from (pure) bismuth droplets in a VLS process at 350 ° C.
  • the Figure 1B represents an enlargement of a silicon nanowire of the figure 1 A .
  • silicon nanowires obtained from a pure bismuth catalyst have curvatures and random relative orientations. The catalyst can therefore also be used to control the morphology of the silicon nanowires.
  • the nanowires have a length ranging from a few tens of nanometers to several hundred nanometers, or even several micrometers.
  • the figures 2 and 3 represent silicon nanowires obtained by a VLS process at a temperature of 500 ° C.
  • the metal catalyst used is an alloy of bismuth and tin in the case of figure 2 and pure tin in the case of the figure 3 .
  • the addition of tin to form an alloy of bismuth and tin leads to a more straightforward nanowire morphology as seen on the figure 3 and at a faster rate of nanowire growth at the same temperature. Pure tin does not introduce silicon doping.
  • the figure 4 represents the phase diagram of an alloy of bismuth and tin as a function of the relative proportion of the two elements.
  • the liquidus curve delimits the domain (indicated L) on which the Bi-Sn alloy is entirely liquid.
  • the solidus curve delimits the domain on which the Bi-Sn alloy is entirely solid. Between the solidus curve and the liquidus curve, the alloy is partly liquid and partly solid.
  • the figure 5 schematically represents the steps of a method of manufacturing nanostructures with radial electronic junction according to one embodiment of the invention.
  • silicon nanowires are grown from pure bismuth-based metal catalyst nanoparticles - steps a) and b).
  • Pretreatment of the substrate (consisting of a glass plate covered with a 1 ⁇ m layer of Al doped ZnO and a thin layer of bismuth) by a hydrogen plasma makes it possible to clean the oxidized surface of the Bi during the transfer of the substrate into the PECVD reactor.
  • a hydrogen plasma applied to the Bi removes a layer of residual oxide on the surface, which would make the bismuth inactive.
  • the hydrogen plasma also makes it possible to transform the bismuth or metal alloy film into nanodroplets.
  • Nanowires are grown in the presence of metal catalyst nanoparticles and precursor gas, the substrate being at a temperature at which the catalyst is in the liquid state.
  • the growth temperature is, for example, 275 ° C. (higher than the melting point of pure bismuth at 271.33 ° C., cf. figure 4 ).
  • the substrate is heated to a temperature greater than or equal to the liquefaction temperature of the alloy, that is to say at a temperature above the liquidus curve on the phase diagram of the alloy under consideration.
  • a substrate coated with n-doped silicon nanowires is thus obtained.
  • the silicon nanowires have a length of about 0.5 to 10 microns.
  • the temperature of the substrate is reduced to a value below the solidification temperature of the catalyst, for example 180 ° C where the pure bismuth is solid and inactive as a catalyst (step c of the process of the invention).
  • the temperature is then reduced to pass below the solidus curve on the phase diagram of the alloy considered.
  • a thin layer of intrinsic amorphous silicon is deposited to conformally cover the silicon nanowires (step e), not shown in FIG. figure 5 ).
  • an intrinsic silicon layer is deposited by plasma deposition in the presence of a mixture of a precursor gas (silane) and hydrogen, to form an undoped hydrogenated amorphous silicon layer. It is important that the thickness of the intrinsic silicon layer is uniform to optimize the current-voltage performance of the radial junction structure.
  • the deposition of a p + doped hydrogenated amorphous silicon thinner layer is always carried out in the same deposition chamber from a mixture of precursor gas (for example silane) and a p- type doping gas (for example). example of trimethylboron or TMB less toxic than B 2 H 6 ) (step d of the process of the Figure 5 ). This gives a complete radial junction nanostructure pine type.
  • a single doping gas is used to produce this nanostructure with a radial junction, the doping of the core of the nanowires from only the metal catalyst.
  • the use of a single doping gas makes it possible to select a doping gas such as TMB, which is classified as a much less dangerous gas than doping gases such as diborane and phosphine (PH 3 ), which allows a safety increased manufacturing process.
  • the n-doped silicon nanowires at the heart of the radial junction are in crystalline silicon. It is easy to obtain growth of microcrystalline silicon nanowires at a temperature below 200 ° C. and to continue growth with a microcrystalline p doped layer (forming a nip radial junction in which the absorber is microcrystalline silicon) .
  • the method comprises an additional step of forming an amorphous layer called buffer layer, deposited on the nanowires before the deposition of the silicon layer.
  • the buffer layer having the same type of doping as the nanowire. This buffer layer with a large gap and the same type of doping as the crystalline nanowire makes it possible to reduce the recombination of electron-hole pairs at the interface between the nanowire and the intrinsic layer and thus to increase the efficiency of the cell.
  • Another way to render the catalyst inactive after the completion of the growth of the n-doped silicon nanowires is to etch the remaining catalyst by bringing a hydrogen plasma back into the same reactor as the one where the growth of the silicon nanowires is carried out. and the deposition of thin layers forming the radial junction.
  • the duration of application of the etching plasma is limited in order to avoid reducing the dimensions of the nanowires or to engrave them completely.
  • the catalyst may have been completely consumed at the end of the nanowire growth step, in which case it is not necessary to inactivate the catalyst before proceeding to the layer deposition step. thin conform on doped semiconductor nanowires.
  • the manufacturing process of the invention is carried out entirely in a single deposition chamber at a temperature of between 200 ° C. and 400 ° C.
  • the advantage of the metal catalyst used is that it is possible to render it inactive or to remove it in the same nanowire growth and deposition reactor. thin layers. It is not necessary to open the vacuum deposition chamber, remove the sample or transfer it to another chamber to remove the catalyst at the end of nanowire growth. By comparison, in VLS processes where gold is used as As a catalyst, it is necessary to remove all remaining gold at the end of nanowire growth to avoid contamination of the intrinsic layer.
  • the figure 6 schematically represents a radial junction nanostructure obtained according to the preferred embodiment of the invention.
  • the substrate 1 is for example a low-cost substrate, such as a glass substrate coated with a ZnO layer.
  • the core of the nanowire 2 is n-doped; the nanowire 2 is conformably covered by a thin layer 3 of intrinsic silicon and then a thin layer 4 of p-doped silicon.
  • the thin layer 3 of intrinsic silicon is used for the absorption of sunlight, for example.
  • the n-doped nanowire 2 and the p-doped thin film which form the radial junction are very close and produce an increased separation of the carriers, thanks to the high internal electric field.
  • the Figures 7A, 7B and 7C represent microscope views of radial junction nanostructures obtained according to one embodiment of the invention.
  • the radial junction nanostructures form a forest of elementary radial junctions, which improves the trapping of light.
  • the total thickness of the radial junction structure remains however less than 200 nm.
  • the manufacturing time is reduced to about 20 minutes.
  • the production time of microcrystalline solar cells having a thickness of the order of 2 microns is about 2 hours.
  • the cost of manufacturing a radial junction silicon nanowire structure is therefore much lower than that of planar polycrystalline silicon junction.
  • the figure 8 represents current-voltage (or IV) curves of different electronic junctions and in particular radial junction nanostructures obtained according to two embodiments of the invention.
  • the curve represented by squares corresponds to a reference sample, that is to say a planar-type pin junction without bismuth doped silicon nanowires.
  • the curve represented by circles corresponds to a sample of nanostructures with pin radial junction from bismuth-doped silicon nanowires, in which the nanowires have a length of approximately 0.5 ⁇ m.
  • the curve represented by triangles corresponds to a sample of radial pin-junction nanostructures from bismuth doped silicon nanowires, in which the nanowires have a length of approximately 1 ⁇ m.
  • One of the aims of the invention is to produce a solar cell having an efficiency of 10-12% for a single junction and 14% for a tandem junction.
  • the optimal texture obtained with the doped silicon nanowires makes it possible to avoid resorting to a method for texturing the surface of a glass substrate or ZnO, which involves an additional cost.
  • the process for manufacturing nanostructures with radial junction being carried out at low temperature.
  • the temperature of the substrate remains below a temperature of 350 to 400 degrees compatible with the deposition of thin layers by PECVD.
  • the catalyst is bismuth
  • the temperature may remain below about 275 ° C.
  • an alloy of tin and bismuth (for example with ⁇ 10% Bi) is used to manufacture n-doped nanowires, or else an alloy of tin and gallium (for example with 10% de Ga) to make p-doped nanowires.
  • the method is applicable to many low cost substrates, such as glass substrate, low cost metal, polymer or plastic sheet.
  • the invention is applicable to different sizes of substrate and compatible with current production lines of amorphous silicon and microcrystalline silicon solar cells.
  • the radial junction structure of the invention has almost no Staebler-Wronski effect. Since the thickness of the layers of the radial junction is small, the Staebler-Wronski effect is limited to a saturation value of about 4% instead of 20% in an amorphous silicon thin film structure.
  • the method of the invention could be a key step to allow the manufacture of electronic junctions of radial structure having a high efficiency.
  • the method of the invention is simplified compared to prior art, since it requires only one doping gas.
  • metal catalysts such as bismuth or an alloy of bismuth and tin to catalyze the growth of silicon nanowires is not an electronic poison for the semiconductor material.
  • the gold which is generally used as a catalyst in the growth of silicon nanowires must be entirely removed in a specific treatment chamber to avoid any contamination of the silicon.
  • Another advantage of the metal catalysts used is their lower cost compared to the cost of gold.
  • the invention advantageously makes it possible to manufacture a radial junction of photovoltaic nanowires in a layered solar cell configuration. thin with a pn junction or pin.
  • the manufacture and doping of nanowires can be carried out in a single step by a catalysis process.
  • the metal catalyst advantageously has a melting point at a low temperature of less than 275 ° C in the case of Bi.
  • the invention allows the use of only one doping gas in a single thin film deposition chamber, which simplifies the manufacturing process. The manufacturing process is also faster, which reduces the cost of the entire manufacturing process.
  • the invention makes it possible to manufacture radial junction structures having a high efficiency for a small thickness of deposition.
  • the invention applies in particular to the method of manufacturing solar cells.

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Description

  • La présente invention se rapporte généralement à la fabrication de structures électroniques à jonction radiale (par exemple de type n-i-p, p-i-n, n-p, p-n ou de cellules tandem) formées à partir d'un réseau de nanofils semi-conducteurs. L'invention trouve notamment des applications dans la fabrication de cellules solaires photovoltaïques à bas coût.
  • L'énergie solaire est la source d'énergie renouvelable la plus abondante pour supporter un développement durable de la société humaine. Il est essentiel de promouvoir les technologies d'énergie photovoltaïques pour réduire les émissions de gaz à effet de serre. Toutefois, il est aussi critique pour les technologies photovoltaïques d'atteindre la parité en termes de coût par watt par rapport à une grille tarifaire d'électricité conventionnelle.
  • La première génération de cellules solaires, qui était basée sur l'utilisation de tranches de silicium cristallin, a dominé le marché photovoltaïque depuis son introduction, il y a une cinquantaine d'années. La structure de bandes du silicium cristallin le rend peu efficace en termes d'absorption lumineuse ce qui requiert une épaisseur de silicium cristallin de 100 à 300 microns. De plus, la taille des cellules solaires est limitée par la taille des tranches de silicium cristallin. Ceci conduit à un coût élevé de matériaux pour les cellules solaires à base de silicium cristallin. Dans le but de réduire le coût par watt, la deuxième génération de cellules solaires a adopté la technologie de dépôt de couches minces de silicium polycristallin ou de silicium amorphe. La technologie de cellules solaires en couches minces est de faible coût et peut être adaptée aisément à des tailles de supports différentes (jusqu'à 6 m2 sur verre et sur des rouleaux de plus de 1 Km de long). Dans une cellule solaire en couches minces, on dépose un empilement de couches ayant des dopages différents pour produire une jonction par exemple de type p-i-n ou n-i-p entre deux électrodes en couches minces. Les électrodes servent à collecter le courant de porteurs photo-générés. L'absorption lumineuse est d'autant plus importante que l'épaisseur de silicium amorphe ou polycristallin est grande. Cependant, du fait de la faible longueur de diffusion des porteurs photo-générés, la distance inter-électrodes doit être limitée. Un compromis doit donc être recherché dans une cellule solaire planaire en couches minces entre d'une part une épaisseur grande pour assurer un niveau suffisant d'absorption lumineuse dans le matériau et d'autre part une longueur de diffusion assez grande par rapport à l'épaisseur de la cellule pour permettre de collecter la plupart des porteurs photo-générés. A noter que plus que la diffusion, c'est le champ électrique généré par les couches dopées qui permet la séparation des paires électron-trou. La performance des cellules solaires en couches minces se trouve en général limitée par les mauvaises propriétés électriques du silicium amorphe ou microcristallin.
  • D'autres types de jonctions électroniques pour cellules solaires que les jonctions planaires en couches minces ont été développés. Une jonction électronique ayant un design de type jonction radiale p-i-n a récemment été proposé pour dépasser ces limites et inconvénients. Ce nouveau design de jonction radiale consiste tout d'abord à fabriquer un réseau de nanofils servant de support physique à une jonction électronique p-i-n obtenue par dépôt d'une couche semiconductrice dopée p, puis d'une couche semiconductrice intrinsèque (i) et enfin d'une couche semiconductrice dopée n. On réalise ainsi une jonction radiale p-i-n à structure en 3D, par dessus un réseau de nanofils. La forêt de nanofils présente un piégeage de la lumière omnidirectionnel et permet une absorption sur un large domaine de longueurs d'ondes du spectre visible et proche infrarouge. Une structure à jonction radiale permet de découpler la longueur d'absorption lumineuse de la distance de séparation des porteurs.
  • La faisabilité de cellules solaires à jonction radiale a premièrement été vérifiée sur un seul nanofil de silicium (Tian, Zheng et al 2007) ou sur un nanofil de semi-conducteur de type III-V (Thunich, Prechtel et al. 2009). Des cellules solaires à jonction radiale ont aussi été réalisées par-dessus un réseau de nanofils de silicium ordonnés ou aléatoirement verticaux (Tsakalakos, Balch et al. 2007 ; Yu, O'Donnell et al. 2010). Les réseaux de nanofils de silicium qui conviennent à cette application peuvent être obtenus, soit par des techniques de gravure top-down dans du silicium cristallin (Garnett and Yang 2010 ; Lu and Lal 2010) ou par une technique de croissance bottom-up par exemple la technique vapeur-liquide-solide (VLS) (Schmid, Bjork et al. 2008 ; Yuan, Zhao et al. 2009 ; Schmidt, Wittemann et al. 2010).
  • L'approche VLS consiste à utiliser des gouttes de catalyseur en phase liquide pour catalyser la croissance de nanofils à partir de précurseurs en phase gazeuse et faire croître des structures solides à une dimension telles que des nanofils. La technique VLS améliore le procédé de fabrication de nanofils selon plusieurs aspects. Le procédé de fabrication de nanofils par VLS est mieux contrôlable. Le procédé VLS permet une mise à l'échelle sur des substrats de grandes dimensions, avec un fort rendement. Enfin le procédé VLS est également compatible avec une température de croissance faible et s'applique à de nombreux substrats à faible coût. Toutefois, les performances d'une cellule solaire à jonction radiale réalisée par la technique VLS sur nanofils de silicium sont encore assez limitées, l'efficacité étant actuellement de l'ordre 0.1 à 2 % (Tsakalakos, Balch et al. 2007; Th, Pietsch et al. 2008 : Gunawan et Guha 2009; Perraud, Poncet et al. 2009). Cette efficacité limitée témoigne du fait que le transfert de connaissances établies pour le silicium cristallin planaire ou pour les cellules en couches minces vers une structure radiale en 3D n'est pas une tâche triviale. Le design optique d'une jonction radiale p-i-n est jusqu'à présent réalisé par-dessus un réseau de nanofils de silicium. Cette nouvelle structure introduit des aspects complètement nouveaux dans le design et la fabrication de cellules solaires de haute performance dans une architecture en 3D. Aujourd'hui, on fabrique des cellules à jonction radiale dont le rendement atteint 5-6%.
  • La croissance de nanofils de silicium par procédé VLS repose le plus communément sur l'utilisation de l'or en tant que catalyseur métallique. Cependant, le point de fusion de l'or (Tf = 1064°C) nécessite une température de substrat élevée. De plus, l'or a pour inconvénient majeur d'introduire des défauts électroniques à des niveaux profonds en milieu de bande interdite du silicium. La contamination induite par l'or ainsi que son coût très élevé expliquent qu'une étape de récupération de l'or résiduel soit mise en oeuvre entre l'étape de croissance VLS et l'étape de dépôt d'un empilement de couches minces. La croissance de nanofils de silicium par procédé VLS a déjà été réalisée en utilisant comme catalyseur métallique de l'indium, de l'étain ou du gallium (Alet, Yu et al 2008; Yu Alet et al. 2008, Yu ODonnell et al 2009). L'utilisation d'un catalyseur métallique tel que l'étain, ayant un faible point de fusion, permet la croissance de nanofils de silicium à des températures inférieures à 200°C (Yu, Alet et al. 2008 ; Yu, O'Donnell et al. 2009). Qui plus est, l'étain n'introduit pas de défauts électroniques au milieu de la bande interdite du silicium, comme c'est le cas pour l'Au.
  • D'autre part, le dopage d'une jonction électronique (p-n, n-p, p-i-n ou n-i-p) réalisée par dépôt chimique en phase vapeur repose généralement sur l'utilisation de plusieurs gaz dopants pendant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur. C'est pour exemple le cas dans FR 2928939 . La fabrication d'une jonction électronique nécessite couramment l'utilisation d'au moins deux gaz dopants, un premier gaz dopant pour le dopage de type n et un autre gaz dopant pour le dopage de type p. Or, l'utilisation de plusieurs gaz dopants introduit des problèmes compliqués pour le nettoyage de la chambre de dépôt de manière à éviter les contaminations croisées entre les différentes couches déposées. Les gaz dopants recouvrent en effet les murs intérieurs de la chambre de dépôt et sont recyclés pendant l'étape suivante de dépôt d'une couche de dopage différent. Dans le cas d'une jonction de type p-i-n ou n-i-p, il est très difficile d'éviter une contamination de la couche intrinsèque par le dopant p ou n de la couche sous-jacente à la couche intrinsèque déposée dans le même réacteur de dépôt. D'autre part, les gaz dopants tels que B2H6 ou PH3 sont des gaz toxiques.
  • Un des buts de l'invention est de simplifier le procédé de fabrication d'une cellule solaire. Un autre but de l'invention est de réduire la contamination de la couche intrinsèque d'une jonction p-i-n ou n-i-p par les dopants utilisés dans le réacteur ou par le dopant d'une couche sous jacente. En particulier, il est essentiel d'éviter la création de centres de piégeage électronique au centre de la bande interdite du matériau semi-conducteur. II, est également crucial d'éviter la contamination croisée des couches dopées n et p d'une jonction électronique. Un autre but de l'invention est de limiter l'utilisation de gaz dopants toxiques tels que B2H6 ou PH3.
  • La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients des techniques antérieures et concerne plus particulièrement un procédé de production à basse température d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale sur un substrat comprenant les étapes suivantes:
    1. a) formation d'agrégats métalliques sur ledit substrat, lesdits agrégats niétalliques dopant électroniquement un premier matériau semi-conducteur avec un premier type de dopage,
    2. b) croissance en phase vapeur de nanofils semi-conducteurs dopés en ledit premier matériau semi-conducteur sur ledit substrat recouvert d'agrégats métalliques, ledit substrat étant chauffé à une température supérieure ou égale à la température eutectique desdits agrégats métalliques, la croissance en phase vapeur de nanofils semi-conducteurs dopés étant catalysée par lesdits agrégats métalliques en présence d'un ou plusieurs gaz précurseurs dudit premier matériau semi-conducteur, lesdites un ou plusieurs gaz précurseurs étant non dopants,
    3. c) inactivation des agrégats métalliques résiduels,
    4. d) dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un ou plusieurs gaz précurseurs et d'un gaz dopant d'au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur sur lesdits nanofils semi-conducteurs dopés, ledit gaz dopant étant apte à doper électroniquement ledit second matériau semi-conducteur avec un second type de dopage, et ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur étant déposée de manière conforme sur lesdits nanofils semi-conducteurs dopés pour former au moins une nanostructure à jonction électronique radiale entre ledit nanofil semi-conducteur dopé avec un premier type de dopage et ladite au moins une couche mince dopée avec un second type de dopage,
      • lesdites étapes a) de formation d'agrégats métalliques, b) de croissance de nanofils semi-conducteurs dopés, c) d'inactivation des agrégats métalliques et d) de dépôt chimique en phase vapeur étant réalisées successivement dans une même enceinte de dépôt sous vide.
  • Selon un mode de réalisation préféré, le procédé de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale comprend une étape intermédiaire entre l'étape c) d'inactivation des agrégats métalliques résiduels et l'étape d) de dépôt chimique en phase vapeur d'au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur dopé, ladite étape intermédiaire comprenant une étape de dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un ou plusieurs gaz précurseurs d'une autre couche mince d'un troisième matériau semi-conducteur non dopé (ou intrinsèque) de manière conforme sur lesdits nanofils semi-conducteurs dopés, lesdits nanofils semi-conducteurs dopés étant dopés de type -p et ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur étant dopée -n pour former des nanostructures semi-conductrices à jonction électronique radiale de type p-i-n, ou respectivement lesdits nanofils semi-conducteurs dopés étant dopés de type -n et ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur étant dopée -p pour former des nanostructures semi-conductrices à jonction électronique radiale de type n-i-p.
  • Selon différents aspects particuliers du procédé de l'invention :
    • l'étape c) d'inactivation des agrégats métalliques résiduels comprend une étape de diminution de la température jusqu'à une température inférieure à la température eutectique desdits agrégats métalliques et/ou une étape de gravure chimique en phase vapeur et/ou une étape d'application d'un plasma réducteur d'hydrogène ;
    • l'étape d) de dépôt chimique d'au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur dopé comprend une étape de dépôt chimique en phase vapeur ou une étape de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, en présence d'un mélange de gaz comprenant un gaz précurseur du second matériau semi-conducteur et un gaz dopant ;
    • ledit premier matériau semi-conducteur, ledit second matériau semi-conducteur et/ou ledit troisième matériau semi-conducteur sont choisis parmi du silicium, et du germanium ;
    • ledit premier matériau semi-conducteur est du silicium cristallin dopé de type -p et ledit second matériau semi-conducteur est du silicium amorphe dopé de type -n, et/ou ledit troisième matériau semi-conducteur est du silicium amorphe intrinsèque ;
    • l'étape a) de formation d'agrégats métalliques comprend la formation d'agrégats constitués de bismuth, de gallium ou d'un alliage d'étain et d'un matériau choisi parmi le bismuth, l'indium et le gallium, le bismuth et l'alliage de bismuth et d'étain produisant un dopage électronique de type -n dans du silicium, le gallium et l'alliage d'étain et de gallium ou d'indium produisant un dopage électronique de type -p dans du silicium.
  • Selon un mode de réalisation particulier, ladite couche mince d'un troisième matériau semi-conducteur, intrinsèque comporte du silicium amorphe, et ledit procédé comporte une étape supplémentaire après l'étape c) d'inactivation des agrégats métalliques résiduels et avant l'étape de dépôt de ladite couche mince de silicium amorphe intrinsèque, ladite étape supplémentaire comprenant une étape de dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un ou plusieurs gaz précurseurs d'une couche mince amorphe d'un matériau semi-conducteur ayant le même type de dopage que les nanofils semi-conducteurs dopés de manière conforme sur lesdits nanofils semi-conducteurs dopés.
  • Selon d'autres aspects particuliers du procédé de l'invention :
    • la température du substrat pendant les étapes a) b) c) et d) reste inférieure à 400°C;
    • le substrat est un substrat métallique non texturé, en silicium cristallin ou polycristallin, en verre, en polymère ou en matériau plastique.
  • Selon un mode de réalisation particulier, le procédé de l'invention comprend au moins une étape supplémentaire suivante après l'étape d) :
    • e) dépôt d'au moins un autre empilement d'une pluralité de couches minces de matériau semi-conducteur, ledit au moins un autre empilement de couches minces étant déposé de manière conforme sur ladite au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale et ladite pluralité de couches minces ayant un dopage respectif adapté pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à double jonction électronique radiale (cellule tandem).
  • L'invention concerne aussi un dispositif à jonction électronique radiale comprenant un substrat, au moins un nanofil semi-conducteur dopé en un premier matériau semi-conducteur dopé avec un premier type de dopage, ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé s'étendant à partir dudit substra dans lequel ledit premier matériau est choisi parmi du silicium et du germanium, et dans lequel le bismuth est le dopant de type n, respectivement dans lequel le gallium est le dopant de type p, au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur avec un second type de dopage, ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur étant déposée de manière conforme sur ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale entre ledit nanofil semi-conducteur dopé et ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur dopé.
  • Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif à jonction électronique radiale comprend en outre une autre couche mince d'un troisième matériau semi-conducteur intrinsèque déposée de manière conforme sur ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé et en dessous ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur, ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé étant dopé de type -p et ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur étant dopée -n pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale de type p-i-n, ou respectivement ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé étant dopé de type -n et ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur étant dopée -p pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale de type n-i-p.
  • Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif à jonction électronique radiale comprend en outre au moins un autre empilement d'une pluralité de couches minces semi-conductrices, ledit au moins un autre empilement de couches minces étant déposé de manière conforme sur ladite au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale et ladite pluralité de couches minces semi-conductrices ayant un dopage respectif adapté pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à double jonction électronique radiale (autrement dit une cellule tandem).
  • Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif à jonction électronique radiale comprend au moins un nanofil dopé de silicium.
  • L'invention concerne aussi une cellule solaire comprenant une pluralité de nanostructures à jonction électronique radiale selon l'un des modes de réalisation de l'invention.
  • L'invention trouvera une application particulièrement avantageuse dans la fabrication à bas coût de cellules solaires de grande efficacité.
  • La présente invention concerne également les caractéristiques qui ressortiront au cours de la description qui va suivre et qui devront être considérées isolément ou selon toutes leurs combinaisons techniquement possibles.
  • L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, détails, caractéristiques et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description d'un (des) mode(s) de réalisation.particulier(s) de l'invention donné(s) uniquement à titre illustratif et non limitatif en référence aux dessins annexés. Sur ces dessins :
    • la figure 1 A représente une microphotographie de nanofils de silicium obtenus par croissance VLS à partir d'un catalyseur de bismuth liquide pur ; la figure 1 B représente un agrandissement d'un nanofil de la fig. 1A ;
    • la figure 2 représente une microphotographie de nanofils de silicium obtenus par croissance VLS à partir d'un catalyseur formé d'un alliage de bismuth et d'étain;
    • la figure 3 représente une microphotographie de nanofils de silicium obtenus par croissance VLS à partir d'un catalyseur formé d'étain pur;
    • la figure 4 représente le diagramme de phase d'un alliage de bismuth et d'étain en fonction de la proportion relative des deux éléments et en fonction de la température ;
    • la figure 5 représente schématiquement les étapes de production de nanostructures à jonction électronique radiale selon un mode de réalisation de l'invention;
    • la figure 6 représente schématiquement une vue éclatée d'une nanostructure à jonction électronique radiale selon un mode de réalisation de l'invention ;
    • la figure 7A représente une microphotographie de nanostructures à jonction électronique radiale formées à partir de nanofils de silicium obtenus par le procédé de production de l'invention ; la figure 7B représente un agrandissement d'une nanostructure à jonction électronique radiale de la fig. 7A ; la figure 7C représente une vue en coupe d'une nanostructure à jonction électronique radiale de la fig. 7A ;
    • la figure 8 représente des courbes courant-tension (ou I-V) de différentes nanostructures à jonction électronique.
  • Nous utilisons un procédé de fabrication de type VLS pour produire de manière simplifiée des nanostructures à jonction électronique radiale.
  • Plus précisément, la croissance de nanofils de silicium par catalyse métallique permet de résoudre le problème de contamination d'une couche de matériau semi-conducteur intrinsèque par le gaz dopant de la couche dopée sous-jacente, comme il est explicité plus loin.
  • Nous avons développé une technique spéciale pour incorporer la structure de nanofils de silicium dans une structure de cellules solaires en couches minces dans un système de dépôt par plasma de type PECVD conventionnel. L'utilisation de catalyseur tel que l'indium et l'étain ayant un faible point de fusion permet la croissance de nanofils de silicium à des températures inférieures à 200°C tout en évitant la contamination à des niveaux profonds en milieu de bande interdite qui sont créés par un catalyseur tel que l'or. L'invention utilise l'étape de croissance par catalyse métallique pour doper par catalyse in situ des nanofils semi-conducteurs de type n ou de type p sans utilisation de gaz dopant.
  • Nous utilisons différents catalyseurs métalliques pour effectuer le dopage du coeur des nanofils de semi-conducteurs, par exemple de nanofils de silicium. Par exemple, le bismuth est utilisé pour introduire un dopage de type n peu profond dans des nanofils de silicium. Le gallium ou l'indium conduisent à un dopage de type p dans des nanofils de silicium. L'incorporation de dopant pendant la croissance des nanofils semi-conducteurs peut être réalisée in situ pendant un procédé de croissance de nanofils de type VLS dans un dispositif conventionnel de dépôt chimique assisté par plasma (PECVD).
  • Afin d'éviter la diffusion de dopants dans une structure radiale de type p-n ou p-i-n, la température de dépôt est contrôlée précisément pour être la plus faible possible. La réduction de la température de dépôt est un point important pour l'incorporation de nanofils semi-conducteurs dans les procédés de dépôt de structures en couches minces à faible coût. Nous sélectionnons le bismuth ou son alliage avec l'étain pour réduire la température de croissance des nanofils semi-conducteurs.
  • Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, nous utilisons comme catalyseur métallique du bismuth ou un alliage de bismuth pour produire des nanofils de silicium à basse température et pour contrôler le dopage par incorporation du catalyseur métallique dans les nanofils de silicium. Le bismuth introduit un dopage de type n à un niveau peu profond, à 160mV en dessous de la bande de conduction du silicium. Les figures 1 A et 1 B représentent des nanofils de silicium produits à partir de gouttelettes de bismuth (pur) dans un procédé VLS à 350°C. La figure 1B représente un agrandissement d'un nanofil de silicium de la figure 1 A. Comme on l'observe sur les figures 1 A et 1 B, les nanofils de silicium obtenus à partir d'un catalyseur de bismuth pur présentent des courbures et des orientations relatives aléatoires. Le catalyseur peut donc aussi être utilisé pour contrôler la morphologie des nanofils de silicium.
  • Les nanofils ont une longueur pouvant aller de quelques dizaines de nanomètres à plusieurs centaines de nanomètres, voire plusieurs micromètres.
  • Les figures 2 et 3 représentent des nanofils de silicium obtenus par un procédé VLS à une température de 500°C. Le catalyseur métallique utilisé est un alliage de bismuth et d'étain dans le cas de la figure 2 et de l'étain pur dans le cas de la figure 3. L'addition d'étain pour former un alliage de bismuth et d'étain conduit à une morphologie de nanofils plus rectiligne comme on l'observe sur la figure 3 et à une vitesse de croissance des nanofils plus rapide à une même température. L'étain pur n'introduit pas de dopage du silicium.
  • Nous proposons de contrôler précisément la température de croissance des nanofils de silicium en utilisant un alliage de bismuth pour le dopage de type n des nanofils de silicium ou un alliage de gallium pour le dopage de type p des nanofils de silicium. Plus précisément, la température de fusion d'un alliage de bismuth (ou de gallium) et d'étain peut être réduite significativement. La figure 4 représente le diagramme de phase d'un alliage de bismuth et d'étain en fonction de la proportion relative des deux éléments. La courbe de liquidus délimite le domaine (indiqué L) sur lequel l'alliage Bi-Sn est entièrement liquide. La courbe de solidus délimite le domaine sur lequel l'alliage Bi-Sn est entièrement solide. Entre la courbe de solidus et la courbe de liquidus, l'alliage est en partie liquide et en partie solide. Sur un large domaine de composition d'un alliage de Bi-Sn, pour une proportion de Bi comprise entre 0% et 43%, la température de fusion de l'alliage reste inférieure à 232°C. Pour une concentration relative de 43% de Bi, le point eutectique est abaissé à seulement 139°C. Ceci permet de réduire de manière très significative la température de croissance de nanofils de silicium et offre des perspectives très intéressantes pour le développement des applications de nanofils de silicium.
  • Nous proposons aussi une méthode pour contrôler de manière effective la concentration de dopant incorporé pendant la croissance des nanofils de silicium, en utilisant un alliage de bismuth (pour le dopage de type n) ou de gallium (pour le dopage de type p). En effet, l'étain n'introduit pas de dopage dans des nanofils de silicium. Combiné aux autres paramètres de croissance (notamment la température), le contrôle de la concentration en bismuth ou respectivement en gallium dans un alliage avec l'étain est une manière efficace de contrôler l'incorporation de dopant Bi ou Ga dans les nanofils de silicium. Cette approche permet aussi de contrôler la morphologie des nanofils de silicium.
  • Basé sur des nanofils de silicium par un procédé de type VLS utilisant un catalyseur métallique comprenant du bismuth, nous avons réalisé une cellule solaire à structure de jonction électronique radiale.
  • La figure 5 représente schématiquement les étapes d'un procédé de fabrication de nanostructures à jonction électronique radiale selon un mode de réalisation de l'invention.
  • Selon un mode de réalisation, on fait croître des nanofils de silicium à partir de nanogouttes de catalyseur métallique à base de bismuth pur - étapes a) et b). Un prétraitement du substrat (constitué d'une plaque de verre recouverte d'une couche de ∼1 µm de ZnO dopé Al et d'une fine couche de bismuth) par un plasma d'hydrogène permet de nettoyer la surface oxydée du Bi pendant le transfert du substrat dans le réacteur de PECVD. Un plasma d'hydrogène appliqué sur le Bi permet d'enlever une couche d'oxyde résiduel en surface, qui rendrait le bismuth inactif. Le plasma d'hydrogène permet aussi de transformer le film de bismuth ou d'alliage métallique en nanogouttes. On effectue la croissance des nanofils en présence des nanogouttes de catalyseur métallique et de gaz précurseur, le substrat étant à une température à laquelle le catalyseur est à l'état liquide. Dans le cas où le catalyseur est du bismuth pur, la température de croissance est par exemple de 275°C (supérieure au point de fusion du bismuth pur à 271.33°C, cf. figure 4). Dans le cas où le catalyseur est un alliage, le substrat est chauffé à une température supérieure ou égale à la température de liquéfaction de l'alliage, c'est-à-dire à une température située au-dessus de la courbe de liquidus sur le diagramme de phase de l'alliage considéré. On obtient ainsi un substrat recouvert de nanofils de silicium dopé n. Les nanofils de silicium ont une longueur d'environ 0.5 à 10 microns. Ensuite, on réduit la température du substrat à une valeur inférieure à la température de solidification du catalyseur, par exemple de 180°C où le bismuth pur est solide et inactif en tant que catalyseur (étape c du procédé de la Figure 5). Dans le cas où le catalyseur est un alliage, la température est alors réduite pour passer en-dessous de la courbe de solidus sur le diagramme de phase de l'alliage considéré. On effectue, à cette température de 180°C et dans la même chambre de dépôt, un dépôt d'une couche mince de silicium amorphe intrinsèque pour recouvrir de manière conforme les nanofils de silicium (étape e) non représentée sur la figure 5). Par exemple, on dépose une couche de silicium intrinsèque par dépôt plasma en présence d'un mélange d'un gaz précurseur (du silane) et d'hydrogène, pour former une couche de silicium amorphe hydrogéné non dopé. Il est important que l'épaisseur de la couche de silicium intrinsèque soit uniforme pour optimiser les performances courant tension de la structure à jonction radiale. Enfin, on effectue le dépôt d'une couche mince de silicium amorphe hydrogéné dopé p+ toujours dans la même chambre de dépôt à partie d'un mélange de gaz précurseur (du silane par exemple) et d'un gaz dopant de type p (par exemple du triméthylbore ou TMB moins toxique que B2H6) (étape d du procédé de la Figure 5). On obtient ainsi une nanostructure à jonction radiale complète de type p-i-n. On observe qu'un seul gaz dopant est utilisé pour réaliser cette nanostructure à jonction radiale, le dopage du coeur des nanofils provenant uniquement du catalyseur métallique. L'utilisation d'un seul gaz dopant, permet de sélectionner un gaz dopant tel que le TMB qui est classé comme un gaz beaucoup moins dangereux que les gaz dopants tels que le diborane et la phosphine (PH3), ce qui permet une sécurité accrue du procédé de fabrication.
  • Avantageusement, les nanofils de silicium dopés n au coeur de la jonction radiale sont en silicium cristallin. Il est aisé d'obtenir une croissance de nanofils à base de silicium microcristallin à une température inférieure à 200°C et de continuer la croissance avec une couche dopé p microcristalline (formant une jonction radiale nip dans laquelle l'absorbeur est du silicium microcristallin).
  • Selon un mode de réalisation particulier, dans le cas où la couche intrinsèque est à base de silicium amorphe, le procédé comporte une étape supplémentaire de formation d'une couche amorphe dite couche buffer, déposée sur le nanofils avant le dépôt de la couche de silicium intrinsèque, la couche buffer ayant le même type de dopage que le nanofil. Cette couche buffer à grand gap et de même type de dopage que le nanofil cristallin permet de réduire la recombinaison de paires électron-trou à l'interface entre le nanofil et la couche intrinsèque et donc augmenter le rendement de la cellule.
  • Selon un autre aspect particulier, on peut compléter avec le dépôt dans le même réacteur d'une deuxième couche dopée n amorphe, une couche i amorphe et une couche p amorphe, obtenant ainsi une cellule tandem NIP/NIP.
  • Une autre manière pour rendre le catalyseur inactif après l'achèvement de la croissance des nanofils de silicium dopé n, est de graver le catalyseur restant en rappliquant un plasma d'hydrogène dans le même réacteur que celui où est réalisée la croissance des nanofils de silicium et le dépôt de couches minces formant la jonction radiale. Dans ce cas, la durée d'application du plasma de gravure est limitée afin d'éviter de réduire les dimensions des nanofils ou de les graver complètement. Dans un autre mode de réalisation, le catalyseur peut avoir été complètement consommé à la fin de l'étape de croissance des nanofils, auquel cas il n'est pas nécessaire d'inactiver le catalyseur avant de passer à l'étape de dépôt de couche mince conforme sur les nanofils semiconducteurs dopés.
  • Le procédé de fabrication de l'invention est réalisé entièrement dans une seule chambre de dépôt, à une température comprise entre 200°C et 400°C.
  • L'avantage du catalyseur métallique utilisé, à base de bismuth ou d'un alliage d'étain et de bismuth, est qu'il est possible de le rendre inactif ou de l'enlever dans le même réacteur de croissance des nanofils et de dépôt des couches minces. Il n'est pas nécessaire d'ouvrir la chambre de dépôt sous vide, de retirer l'échantillon ni de la transférer dans une autre chambre pour retirer le catalyseur à la fin de la croissance des nanofils. Par comparaison, dans les procédés VLS où l'or est utilisé comme catalyseur, il est nécessaire de retirer tout l'or restant à la fin de la croissance des nanofils pour éviter une contamination de la couche intrinsèque.
  • La figure 6 représente schématiquement une nanostructure à jonction radiale obtenue selon le mode de réalisation préféré de l'invention. Le substrat 1 est par exemple un substrat à faible coût, tel qu'un substrat de verre recouvert d'une couche de ZnO. Le coeur du nanofil 2 est dopé n ; le nanofil 2 est recouvert de manière conforme par une couche mince 3 de silicium intrinsèque puis d'une couche mince 4 de silicium dopé p. La couche mince 3 de silicium intrinsèque est utilisée pour l'absorption de lumière solaire par exemple. Le nanofil 2 dopé n et la couche mince dopée p qui forment la jonction radiale sont très proches et produisent une séparation accrue des porteurs, grâce au champ électrique interne élevé.
  • Les figures 7A, 7B et 7C représentent des vues au microscope de nanostructures à jonction radiale obtenues selon un mode de réalisation de l'invention. Les nanostructures à jonction radiale forment une forêt de jonctions radiales élémentaires, qui améliore le piégeage de la lumière. L'épaisseur totale de la structure à jonction radiale reste cependant inférieure à 200nm. Pour des nanostructures à jonction radiale selon l'invention, ayant une épaisseur de 20nm et présentant une densité de courant de 11-13mA/cm2, la durée de fabrication est réduite à environ 20 minutes. Pour comparaison, la durée de fabrication de cellules solaires microcristallines ayant une épaisseur de l'ordre de 2 microns, est d'environ 2 heures. Le coût de fabrication de structure à jonction radiale en nanofils de silicium est par conséquent beaucoup plus faible que celui de jonction planaire de silicium polycristallin.
  • La figure 8 représente des courbes courant-tension (ou I-V) de différentes jonctions électroniques et en particulier de nanostructures à jonction radiales obtenues selon deux modes de réalisation de l'invention. La courbe représentée par des carrés correspond à un échantillon de référence, c'est-à-dire une jonction p-i-n de type planaire sans nanofils de silicium dopés au bismuth. La courbe représentée par des ronds correspond à un échantillon de nanostructures à jonction radiale p-i-n à partir de nanofils de silicium dopés au bismuth, dans laquelle les nanofils ont une longueur d'environ 0,5 µm. La courbe représentée par des triangles correspond à un échantillon de nanostructures à jonction radiale p-i-n à partir de nanofils de silicium dopés au bismuth, dans laquelle les nanofils ont une longueur d'environ 1 µm. On observe sur les courbes I-V de la figure 8, que l'utilisation du bismuth comme catalyseur-dopant et donc de nanofils de silicium dopés, augmente la valeur de la tension Voc de 0.54 V à 0.72 V. De plus, on observe clairement une augmentation du courant de court circuit, en utilisant des nanofils longs plutôt que des nanofils courts. Les nanofils longs permettent un meilleur effet de piégeage de la lumière, le courant électrique augmentant de 6mA/cm2 à 8mA/cm2 pour les nanofils courts (lié à un piégeage de lumière limité) et à 12mA/cm2 pour les nanofils longs (lié à un fort piégeage de lumière). Ceci confirme la faisabilité de la fabrication de cellules solaires à structure de jonction radiale à partir de nanofils de silicium utilisant le bismuth comme catalyseur. Les courbes I-V confirment aussi, de part leur Voc, le dopage effectif de type n induit par le catalyseur métallique dans les nanofil de silicium, ce dopage effectif produisant une augmentation de la tension Voc en l'absence de tout gaz dopant de type n dans le réacteur de dépôt.
  • Un des buts de l'invention est de réaliser une cellule solaire ayant une efficacité de 10-12% pour une jonction simple et de 14% pour une jonction tandem. La texture optimale obtenue avec les nanofils de silicium dopé permet d'éviter de recourir à un procédé pour texturer la surface d'un substrat de verre ou de ZnO, qui implique un coût supplémentaire.
  • Le procédé de fabrication de nanostructures à jonction radiale étant effectué à basse température. Avantageusement, la température du substrat reste inférieure à une température de 350 à 400 degrés compatible avec le dépôt de couches minces par PECVD. Dans le cas où le catalyseur est du bismuth, la température peut rester inférieure à environ 275°C. Selon un mode de réalisation préféré, on utilise un alliage d'étain et de bismuth (par exemple avec ∼10% de Bi) pour fabriquer des nanofils dopés n, ou encore un alliage d'étain et de gallium (par exemple avec 10% de Ga) pour fabriquer des nanofils dopés p. Le procédé est applicable sur de nombreux substrats de faible coût, tel que substrat de verre, de métal à bas coût, de polymère ou de feuille plastique. De plus, l'invention est applicable à différentes tailles de substrat et compatible avec les lignes de production actuelles de cellules solaires à base de silicium amorphe et silicium microcristallin.
  • La structure à jonction radiale de l'invention ne présente quasiment pas d'effet Staebler-Wronski. Du fait que l'épaisseur des couches de la jonction radiale est faible, l'effet Staebler-Wronski est limité à une valeur de saturation d'environ 4% au lieu de 20% dans une structure en couches minces de silicium amorphe.
  • Le procédé de l'invention pourrait être une étape clé pour permettre la fabrication de jonctions électroniques de structure radiale ayant une forte efficacité. De plus, le procédé de l'invention est simplifié comparé aux techniques antérieures, puisqu'il ne nécessite qu'un seul gaz dopant.
  • L'utilisation de catalyseurs métalliques tels que le bismuth ou un alliage de bismuth et d'étain pour catalyser la croissance de nanofils de silicium ne constitue pas un poison électronique pour le matériau semi-conducteur. Au contraire, l'or qui est généralement utilisé comme catalyseur dans la croissance ce nanofils de silicium, doit être entièrement retiré dans une chambre de traitement spécifique pour éviter toute contamination du silicium. Un autre avantage des catalyseurs métalliques utilisés est leur moindre coût comparé au coût de l'or.
  • L'invention permet avantageusement de fabriquer une jonction radiale de nanofils photovoltaïques dans une configuration de cellules solaires en couches minces avec une jonction p-n ou p-i-n. La fabrication et le dopage de nanofils peuvent être réalisés en une seule étape par un procédé de catalyse.
  • Le catalyseur métallique présente avantageusement un point de fusion à une température faible inférieure à 275°C dans le cas du Bi. L'invention permet l'utilisation de seulement un gaz dopant dans une seule chambre de dépôt de couches minces, ce qui permet de simplifier le procédé de fabrication. Le procédé de fabrication est aussi plus rapide ce qui permet de réduire le coût de l'ensemble du procédé de fabrication. L'invention permet de fabriquer des structures à jonction radiale ayant un rendement élevé pour une faible épaisseur de dépôt. L'invention s'applique notamment au procédé de fabrication de cellules solaires.

Claims (14)

  1. Procédé de production à basse température d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale sur un substrat (1), ledit procédé comprenant les étapes suivantes :
    a) formation d'agrégats métalliques en nanogouttes sur ledit substrat (2), lesdits agrégats métalliques dopant électroniquement un premier matériau semi-conducteur avec un premier type de dopage, ledit premier matériau semi-conducteur étant choisi parmi du silicium et du germanium et lesdits agrégats métalliques étant constitués de bismuth, de gallium ou d'un alliage d'étain et d'un matériau choisi parmi le bismuth et le gallium, le bismuth ou l'alliage de bismuth et d'étain produisant un dopage électronique de type n dans du silicium dans lequel le bismuth est le dopant de type n, respectivement le gallium ou l'alliage de gallium et d'étain produisant un dopage électronique de type p dans du silicium dans lequel le gallium est le dopant de type p ;
    b) croissance en phase vapeur de nanofils semi-conducteurs dopés (2) en ledit premier matériau semi-conducteur sur ledit substrat (2) recouvert d'agrégats métalliques, ledit substrat (1) étant chauffé à une température supérieure ou égale à la température eutectique desdits agrégats métalliques, la croissance en phase vapeur de nanofils semi-conducteurs dopés (2) étant catalysée par lesdits agrégats métalliques en présence d'un ou plusieurs gaz précurseurs dudit premier matériau semi-conducteur, lesdits un ou plusieurs gaz précurseurs étant non dopants,
    c) inactivation des agrégats métalliques résiduels,
    d) dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un ou plusieurs gaz précurseurs et d'un gaz dopant d'au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur sur lesdits nanofils semi-conducteurs dopés (2), ledit second matériau semi-conducteur étant choisi parmi du silicium et du germanium, ledit gaz dopant étant apte à doper électroniquement ledit second matériau semiconducteur avec un second type de dopage, et ladite au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur étant déposée de manière conforme sur lesdits nanofils semi-conducteurs dopés (1) pour former au moins une nariostructure à jonction électronique radiale entre ledit nanofil semi-conducteur dopé (2) avec un premier type de dopage et ladite au moins une couche mince dopée (4) avec un second type de dopage,
    - lesdites a) étapes de formation d'agrégats métalliques, b) de croissance de nanofils semi-conducteurs dopés, c) d'inactivation des agrégats métalliques et d) de dépôt chimique en phase vapeur étant réalisées successivement dans une même enceinte de dépôt sous vide.
  2. Procédé de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale selon la revendication 1, comprenant une étape intermédiaire entre l'étape c) d'inactivation des agrégats métalliques résiduels et l'étape d) de dépôt chimique en phase vapeur d'au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur dopé, ladite étape intermédiaire comprenant une étape de dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un ou plusieurs gaz précurseurs d'une autre couche mince (3) d'un troisième matériau semi-conducteur intrinsèque de manière conforme sur lesdits nanofils semi-conducteurs dopés (2), ledit troisième matériau semi-conducteur étant choisi parmi du silicium et du germanium, lesdits nanofils semi-conducteurs dopés (2) étant dopés de type p et ladite au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur étant dopée n pour former des nanostructures semi-conductrices à jonction électronique radiale de type p-i-n, ou respectivement lesdits nanofils semi-conducteurs dopés (2) étant dopés de type n et ladite au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur étant dopée p pour former des nanostructures semi-conductrices à jonction électronique radiale de type n-i-p.
  3. Procédé de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape c) d'inactivation des agrégats métalliques résiduels comprend une étape de diminution de la température jusqu'à une température inférieure à la température eutectique desdits agrégats métalliques et/ou une étape de gravure chimique en phase vapeur et/ou une étape d'application d'un plasma réducteur d'hydrogène.
  4. Procédé de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape d) de dépôt chimique d'au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur dopé comprend une étape de dépôt chimique en phase vapeur, ou une étape de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, en présence d'un mélange de gaz comprenant un gaz précurseur du second matériau semi-conducteur et un gaz dopant.
  5. Procédé de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale selon la revendication 1 à 4, dans lequel ledit premier matériau semi-conducteur est du silicium cristallin dopé de type p et ledit second matériau semi-conducteur est du silicium amorphe dopé de type n, et/ou ledit troisième matériau semi-conducteur est du silicium amorphe intrinsèque.
  6. Procédé de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale selon l'une des revendications 2 à 5, dans lequel ladite couche mince (3) d'un troisième matériau semi-conducteur intrinsèque comporte du silicium amorphe, et en ce que ledit procédé comporte une étape supplémentaire après l'étape c) d'inactivation des agrégats métalliques résiduels et avant l'étape de dépôt de ladite couche mince (3) de silicium amorphe intrinsèque, ladite étape supplémentaire comprenant une étape de dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un ou plusieurs gaz précurseurs d'une couche mince amorphe d'un matériau semi-conducteur ayant le même type de dopage que les nanofils semi-conducteurs dopés (2) de manière conforme sur lesdits nanofils semi-conducteurs dopés (2).
  7. Procédé de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant au moins une étape supplémentaire suivante après l'étape d) :
    e) Dépôt d'au moins un autre empilement d'une pluralité de couches minces de matériau semi-conducteur, ledit au moins un autre empilement de couches minces étant déposé de manière conforme sur ladite au moins une nanostructures semi-conductrice à jonction électronique radiale et ladite pluralité de couches minces ayant un dopage respectif adapté pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à double jonction électronique radiale.
  8. Procédé .de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la température du substrat pendant les étapes a) b) c) et d) reste inférieure à 400°C.
  9. Procédé de production d'au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le substrat est un substrat métallique non texture, en silicium cristallin ou polycristallin, en verre, en polymère, ou en matériau plastique.
  10. Dispositif à jonction électronique radiale comprenant :
    - un substrat (1) ;
    - au moins un nanofil semi-conducteur dopé (2) en un premier matériau semi-conducteur dopé avec un premier type de dopage, ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé s'étendant à partir dudit substrat, dans lequel ledit premier matériau est choisi parmi du silicium et du germanium, et dans lequel le bismuth est le dopant de type n, respectivement dans lequel le gallium est le dopant de type p.
    - au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur avec un second type de dopage, ladite au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur étant déposée de manière conforme sur ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé (2) pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale entre ledit nanofil semi-conducteur dopé (2) et ladite au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur dopé, ledit second matériau semi-conducteur étant choisi parmi du silicium et du germanium,
  11. Dispositif à jonction électronique radiale selon la revendication 10 comprenant en outre une autre couche mince (3) d'un troisième matériau semi-conducteur intrinsèque déposée de manière conforme sur ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé (2) et en dessous ladite au moins une couche mince d'un second matériau semi-conducteur, ledit troisième matériau semi-conducteur étant choisi parmi du silicium et du germanium, ledit au moins un nanofil semiconducteur dopé (2) étant dopé de type p et ladite au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur étant dopée n pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale de type p-i-n, ou respectivement ledit au moins un nanofil semi-conducteur dopé (2) étant dopé de type n et ladite au moins une couche mince (4) d'un second matériau semi-conducteur étant dopée p pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale de type n-i-p.
  12. Dispositif à jonction électronique radiale selon la revendication 10 ou la revendication 11, comprenant en outre au moins un autre empilement d'une pluralité de couches minces semi-conductrices, ledit au moins un autre empilement de couches minces étant déposé de manière conforme sur ladite au moins une nanostructure semi-conductrice à jonction électronique radiale et ladite pluralité de couches minces semi-conductrices ayant un dopage respectif adapté pour former au moins une nanostructure semi-conductrice à double jonction électronique radiale.
  13. Dispositif à jonction électronique radiale selon l'une des revendications 10 à 12, dans laquelle ladite au moins une nanostructure semi-conductrice dopée comprend au moins un nanofil dopé (2) de silicium.
  14. Cellule solaire comprenant une pluralité de nanostructures à jonction électronique radiale selon l'une des revendications 10 à 13.
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