EP2760787A1 - Verfahren zum herstellen von graphen-nanobändern - Google Patents

Verfahren zum herstellen von graphen-nanobändern

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EP2760787A1
EP2760787A1 EP12769382.8A EP12769382A EP2760787A1 EP 2760787 A1 EP2760787 A1 EP 2760787A1 EP 12769382 A EP12769382 A EP 12769382A EP 2760787 A1 EP2760787 A1 EP 2760787A1
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EP
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nanoribbons
graphene nanoribbons
heating
precursor material
metal surface
Prior art date
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Withdrawn
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EP12769382.8A
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Dingyong Zhong
Lifeng Chi
Helmut Zacharias
Harald Fuchs
Klaus MÜLLEN
Xinliang Feng
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Westfaelische Wilhelms Universitaet Muenster
Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
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Westfaelische Wilhelms Universitaet Muenster
Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
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Publication date
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    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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    • C01B2204/06—Graphene nanoribbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/17—Nanostrips, nanoribbons or nanobelts, i.e. solid nanofibres with two significantly differing dimensions between 1-100 nanometer

Definitions

  • the present invention relates to the field of graphene nanoribbons (also called “graphene nanoribbons, GNR”)
  • graphene nanoribbons are quasi one-dimensional molecules that can reach lengths of tens of nanometers, such graphene nanoribbons, inter alia, in Cai et al., Nature 466 , 470 (2010), for example, have great potential for future electronic circuits.
  • the object is to find a method for the production of graphene nanoribbons, which allows to adjust the spatial orientation of the resulting nanoribbons with higher accuracy.
  • This object is achieved by a method according to claim 1 of the present invention. Accordingly, a method for producing graphene nanoribbons is presented, comprising the step a) heating a suitable precursor material in vacuo in the presence of an anisotropic metal surface of a metal having a redox potential of -0.5 V.
  • the spatial orientation of the graphene nanoribbons can be at least partially, depending on the specific application also largely adjusted. In most cases, this is based on the anisotropy of the metal surface; thus, it is presumed (though this is not a definition) that the anisotropy of the metal surface largely controls the orientation of the graphene nanoribbons.
  • graphene nanoribbons is understood in particular to mean molecules which are one-dimensional, covalently bonded
  • anisotropic metal surface is understood in particular to mean stepped single-crystal surfaces, preferably with high indexing, for example (775), (788)
  • the metal is selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, Fe, Co, Ni, Pd, Pt, Ir, Ru, Rh or mixtures thereof. These metals have proven themselves in practice.
  • the anisotropic metal surface is selected from the group comprising [12, 11, 11], [11, 9, 9], [433], [755], [322], [11, 12, 12 ], [455], [577], [233], [788] and [775] surfaces, especially of gold and silver. It has been found that the quality of the resulting graphene nanoribbons can often be greatly improved.
  • the precursor material comprises an aromatic halide having at least two halogens and at least three aromatic rings. It should be noted that the term
  • Precursor material although written in the singular, does not mean that a mixture of substances can not be used; on the contrary, it does occur in practice.
  • Preferred halides are chloride, bromide, iodide, especially bromide and / or chloride.
  • the precursor material comprises an aromatic halide in which two aromatic rings are linked via a single bond (analogous to biphenyl). It has been found that this often greatly improves the formation tendency of the nanoribbons. Even more preferred are materials in which one or more halides are p-position to such a "biphenyl" bond.
  • the precursor material comprises an aromatic halide having at least one polynuclear aromatic system. Two- to cooperatekernige systems are preferred.
  • the precursor material comprises a plurality of such aromatic systems, which are preferably connected via carbon-carbon single bonds (analogously in biphenyl).
  • the precursor material may be designed so that all carbon atoms are part of aromatic rings or ring systems; however, alternative and equally preferred are materials in which also aliphatic carbons (preferably as alkyl or
  • Halogenalkylreste occur. Particularly preferred in this case are fused
  • step a) is carried out with heating to a temperature between> 150 ° C and ⁇ 500 ° C; This has proven particularly useful in practice.
  • step a) is carried out at a pressure of> 1 * 10 "11 mbar and ⁇ 5 * 10 " 4 mbar, preferably at a pressure of> 1 * 10 "10 mbar, more preferably> 1 * 10 "9 mbar and ⁇ 5 * 10 ⁇ 10 mbar.
  • step a) comprises a step al) and a2): al) heating to a temperature of> 150 ° C and ⁇ 300 ° C a2) heating to a temperature of> 300 ° C and ⁇ 500 ° C, preferably for a duration of> 5 min. and ⁇ 20 min
  • the method additionally comprises a step aO): aO) cleaning the anisotropic metal surface which is carried out before step a) or al) or a2).
  • Step aO) preferably comprises an argon sputtering step. and / or an annealing step.
  • annealing in the context of the present invention means in particular that the surface is heated above the temperature used in step a) and / or al).
  • Example 1 is a graph of the length distribution of graphene nanoribbons produced according to a first embodiment of the invention (Example I)
  • FIG. 2 shows an STM image of the graphene nanoribbons according to Example I.
  • EXAMPLE I Preparation of graphene nanoribbons on a [788] gold surface
  • the precursor material for Example I was 10,10'-dibromo-9,9'-bianthryl, which has the following structure:
  • the gold surface was cleaned by argon sputtering (several cycles from 1.7 to 0.9 kv) and annealing at about 500 ° C. Then, the nano tapes were in the ultra-vacuum (10 mbar 3 * 10 ") made at surface temperatures of 162 ° C to 200 ° C, there was a Cyclodehydrogentechnik at 317 ° C. Subsequently, the nanoribbons were examined by STM microscopy.
  • FIG. 1 shows the length distribution of the nanoribbons
  • FIG. 2 shows an STM image (with partial enlargement).
  • the nanoribbons are spatially oriented almost uniformly, the average length is 22 nm (FIG. 1).
  • the precursor material for Example II was 6,11-dibromo-1,2,3,4-tetraphenyltriphenylene, which has the following structure:
  • FIG. 3 shows the length distribution of the nanoribbons
  • FIG. 4 shows an STM image (with partial enlargement).
  • the nanoribbons are spatially oriented almost uniformly, the
  • Example III Preparation of graphene nanoribbons on a [775] silver surface
  • Example III the same precursor material was used as in Example II.
  • the silver surface was cleaned by argon sputtering (several cycles of 1.7 to 0.9 kv) and annealing at about 500 ° C.
  • the nano tapes were in the ultra-vacuum (10 mbar 3 * 10 ") made at surface temperatures of 162 ° C to 200 ° C, there was a Cyclodehydrogentechnik at 320 ° C.
  • the nanoribbons were examined by STM microscopy.
  • FIG. 5 shows an STM image of the nanobands that are formed, and here too the resulting uniform orientation is clearly visible.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Graphen-Nanobändern in Gegenwart einer anisotropischen Metalloberfläche, welche eine räumliche Orientierung Nanobänder induziert.

Description

Verfahren zum Herstellen von Graphen-Nanobändern
Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Graphen-Nanobänder (auch„Graphene Nanoribbons, GNR"). Graphen-Nanobänder sind quasi eindimensionale Moleküle, die Längen von mehreren Dutzend Nanometern erreichen können. Derartige Graphen- Nanobänder, u.a. in Cai et al. Nature 466, 470 (2010) beschrieben, haben z.B. grosses Potential für zukünftige elektronische Schaltkreise.
Die bisherig verfügbaren Verfahren zur Herstellung von Graphen-Nanobändern haben jedoch den Nachteil, dass es oftmals nicht oder nur unter grossen Schwierigkeiten möglich ist, die Graphen-Nanobänder in räumlich definierter und ausgerichteter Orientierung herzustellen.
Somit stellt sich die Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung von Graphen-Nanobändern zu finden, welches erlaubt, die räumliche Orientierung der entstehenden Nanobänder mit höherer Genauigkeit einzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung gelöst. Demgemäß wird ein Verfahren zum Herstellen von Graphen-Nanobändern vorgestellt, umfassend den Schritt a) Erhitzen eines geeigneten Vorläufermaterials im Vakuum in Gegenwart einer anisotropen Metalloberfläche eines Metalls mit einem Redoxpotential von > -0.5 V.
Überraschenderweise hat sich herausgestellt, dass durch diese Vorgehensweise die räumliche Orientierung der Graphen-Nanobänder zumindest zum Teil, je nach konkreter Anwendung auch weitgehend eingestellt werden kann. Zumeist orientiert sich diese an der Anisotropie der Metalloberfläche; somit wird vermutet (auch wenn dies keine Festlegung bedeutet) dass die Anisotropie der Metalloberfläche weitgehend die Orientierung der Graphen-Nanobänder steuert.
Unter dem Term„Graphen-Nanobänder" im Sinne der vorliegenden Erfindung werden insbesondere Moleküle verstanden, die eindimensionale, kovalent gebundene
Graphenschichten mit geometrisch scharfen und auf molekularer Skale wohldefinierte Grenzen ausbilden können, z.B. lineare oder Zickzackstrukturen.
Unter dem Term„anisotrope Metalloberfläche" im Sinne der vorliegenden Erfindung wird insbesondere verstanden, dass gestufte Einkristalloberflächen, vorzugsweise mit hoher Indizierung, z.B. (775), (788) eingesetzt werden. Unter dem Term„Redoxpotential" im Sinne der vorliegenden Erfindung wird insbesondere das Potential eines Metalls (Mn+ + n e" => M) der elektrochemischen Spannungsreihe (Standardpotentiale bei 25 °C; 101,3 kPa; pH=0; Ionenaktivitäten= 1) verstanden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Metall ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Au, Ag, Cu, Fe, Co, Ni, Pd, Pt, Ir, Ru, Rh oder Mischungen daraus. Diese Metalle haben sich in der Praxis bewährt. Gemäß einer bevorzugten Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindung ist die anisotrope Metalloberfläche ausgewählt aus der Gruppe enthaltend [12, 11, 11], [11, 9, 9], [433], [755], [322], [11, 12, 12], [455], [577], [233], [788] und [775] -Oberflächen, insbesondere von Gold und Silber. Es hat sich herausgestellt, dass so die Qualität der entstehenden Graphen- Nanobänder oftmals stark verbessert werden kann.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Vorläufermaterial ein aromatisches Halogenid mit mindestens zwei Halogenen und mindestens drei aromatischen Ringen. Es sei darauf hingewiesen, dass der Term
„Vorläufermaterial", obwohl im Singular geschrieben, nicht bedeutet, dass nicht auch eine Mischung von Stoffen eingesetzt werden kann, im Gegenteil, dies kommt in der Praxis durchaus vor.
Bevorzugte Halogenide sind Chlorid, Bromid, Iodid, besonders Bromid und/oder Chlorid.
Bevorzugt umfasst das Vorläufermaterial ein aromatisches Halogenid, bei dem zwei aromatische Ringe über eine Einfachbindung (analog im Biphenyl) verbunden sind. Es hat sich herausgestellt, dass dies die Bildungstendenz der Nanobänder oftmals stark verbessert. Noch bevorzugt sind Materialien, bei denen ein oder mehrere Halogenide sich in p-Stellung zu einer derartigen„Biphenyl"-Bindung befinden.
Bevorzugt umfasst das Vorläufermaterial ein aromatisches Halogenid mit mindestens einem mehrkernigen aromatischen System. Dabei sind zwei- bis vierkernige Systeme bevorzugt. Bevorzugt umfasst das Vorläufermaterial mehrere derartige aromatische Systeme, die bevorzugt über Kohlenstoff- Kohlenstoff-Einfachbindungen (analog im Biphenyl) verbunden sind.. Das Vorläufermaterial kann so ausgestaltet sein, dass alle Kohlenstoffatome Bestandteil von aromatischen Ringen oder Ringsystemen sind; alternativ und ebenso bevorzugt sind jedoch Materialien, bei denen auch aliphatische Kohlenstoffe (bevorzugt als Alkyl- oder
Halogenalkylreste) vorkommen. Besonders bevorzugt sind in diesem Fall anellierte
Cyclohexanringe (analog im Tetralin). Es hat sich herausgestellt, dass so die Nanobänder „verbreitert" werden können.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird Schritt a) unter Erhitzen auf eine Temperatur zwischen >150°C und <500°C durchgeführt; dies hat sich in der Praxis besonders bewährt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird Schritt a) bei einem Druck von >1 * 10"11 mbar und <5 * 10"4 mbar durchgeführt, bevorzugt bei einem Druck von >1 * 10"10 mbar, noch bevorzugt >1 * 10"9 mbar und <5 * 10~10 mbar.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst Schritt a) einen Schritt al) und a2): al) Erhitzen auf eine Temperatur von >150°C und <300°C a2) Erhitzen auf eine Temperatur von >300°C und <500°C, bevorzugt für eine Dauer von >5 min. und <20 min
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Verfahren zusätzlich einen Schritt aO): aO) Reinigen der anisotropen Metalloberfläche der vor Schritt a) bzw. al) oder a2) durchgeführt wird. Schritt aO) umfasst bevorzugt einen Argonsputteringschritt. und/oder einen Annealingschritt.
Dabei bedeutet der Term„Annealing" im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere, dass die Oberfläche über die in Schritt a) und/oder al) verwendete Temperatur erhitzt wird.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile des Gegenstandes der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie aus der nachfolgenden Beschreibung der zugehörigen Zeichnungen, in denen - beispielhaft - mehrere Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt sind. In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 ein Diagramm der Längenverteilung von Graphen-Nanobänder hergestellt nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung (Beispiel I)
Fig. 2 eine STM-Aufnahme der Graphen-Nanobänder gemäß Beispiel I
Fig. 3 ein Diagramm der Längenverteilung von Graphen-Nanobänder hergestellt nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung (Beispiel II)
Fig. 4 eine STM-Aufnahme der Graphen-Nanobänder gemäß Beispiel II
Fig. 5 eine STM-Aufnahme von Graphen-Nanobänder hergestellt nach einer dritten
Ausführungsform der Erfindung (Beispiel III)
Die nachfolgenden Beispiele sind rein illustrativ und nicht einschränkend zu verstehen und dienen allein zum weiteren Verständnis der Erfindung.
BEISPIEL I: Herstellung von Graphen-Nanobänder auf einer [788]-Goldoberfläche Als Vorläufermaterial für Beispiel I wurde 10,10'-Dibromo-9,9'-bianthryl gewählt, welches folgende Struktur hat:
Zunächst wurde die Goldoberfiäche durch Argonsputtering (mehrere Zyklen von 1,7 bis 0,9 kv) sowie Annealing bei ca. 500°C gesäubert. Anschließend wurden die Nanobänder im Ultravakuum (3* 10"10 mbar) bei Oberflächentemperaturen von 162°C bis 200°C hergestellt, es erfolgte eine Cyclodehydrogenierung bei 317°C. Anschließend wurden die Nanobänder mittels STM-Mikroskopie untersucht.
Fig. 1 zeigt die Längenverteilung der Nanobänder, Fig. 2 eine STM- Aufnahme (mit ausschnittsweiser Vergrößerung). Wie aus Fig. 2 gut zu sehen, sind die Nanobänder räumlich nahezu einheitlich orientiert, die durchschnittliche Länge beträgt 22 nm (Fig. 1)
BEISPIEL II: Herstellung von Graphen-Nanobändern auf einer [788]-Goldoberfiäche
Als Vorläufermaterial für Beispiel II wurde 6,11-Dibromo- 1,2,3,4 tetraphenyltriphenylen gewählt, welches folgende Struktur hat:
Die Herstellung der Nanobänder entsprach Beispiel I. Fig. 3 zeigt die Längenverteilung der Nanobänder, Fig. 4 eine STM-Aufnahme (mit ausschnittsweiser Vergrößerung). Wie aus Fig. 4 gut zu sehen, sind die Nanobänder räumlich nahezu einheitlich orientiert, die
durchschnittliche Länge beträgt 28 nm (Fig. 3).
Beispiel III: Herstellung von Graphen-Nanobändern auf einer [775]-Silberoberfläche Für Beispiel III wurde dasselbe Vorläufermaterial wie bei Beispiel II verwendet.
Zunächst wurde die Silberoberfläche durch Argonsputtering (mehrere Zyklen von 1,7 bis 0,9 kv) sowie Annealing bei ca. 500°C gesäubert. Anschließend wurden die Nanobänder im Ultravakuum (3* 10"10 mbar) bei Oberflächentemperaturen von 162°C bis 200°C hergestellt, es erfolgte eine Cyclodehydrogenierung bei 320°C. Abschließend wurden die Nanobänder mittels STM-Mikroskopie untersucht. Fig. 5 zeigt eine STM- Aufnahme der entstehenden Nanobänder, auch hier ist die entstehende einheitliche Orientierung gut ersichtlich.
Die einzelnen Kombinationen der Bestandteile und der Merkmale von den bereits erwähnten Ausführungen sind exemplarisch; der Austausch und die Substitution dieser Lehren mit anderen Lehren, die in dieser Druckschrift enthalten sind mit den zitierten Druckschriften werden ebenfalls ausdrücklich erwogen. Zitierte Druckschriften werden duch Zitierung inkorporiert. Der Fachmann erkennt, dass Variationen, Modifikationen und andere
Ausführungen, die hier beschrieben werden, ebenfalls auftreten können ohne von dem Erfindungsgedanken und dem Umfang der Erfindung abzuweichen.
Entsprechend ist die obengenannte Beschreibung beispielhaft und nicht als beschränkend anzusehen. Das in den Ansprüchen verwendetet Wort„umfassen" schließt nicht andere Bestandteile oder Schritte aus. Der unbestimmte Artikel„ein" schließt nicht die Bedeutung eines Plurals aus. Die bloße Tatsache, dass bestimmte Maße in gegenseitig verschiedenen Ansprüchen rezitiert werden, verdeutlicht nicht, dass eine Kombination von diesen Maßen nicht zum Vorteil benutzt werde kann. Der Umfang der Erfindung ist in den folgenden Ansprüchen definiert und den dazugehörigen Äquivalenten.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zur Herstellung von Graphen-Nanobändern, umfassend den Schritt a) Erhitzen eines geeigneten Vorläufermaterials im Vakuum in Gegenwart einer anisotropen Metalloberfläche eines Metalls mit einem Redoxpotential von > -0.5 V.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metall ausgewählt ist aus der Gruppe
enthaltend Au, Ag, Cu, Fe, Co, Ni, Pd, Pt, Ir, Ru, Rh oder Mischungen daraus
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die anisotrope Metalloberfläche ausgewählt ist aus der Gruppe enthaltend [12, 11, 11], [11, 9, 9], [433], [755], [322], [11, 12, 12], [455], [577], [233], [788] und [775] -Oberflächen
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Vorläufermaterial ein
aromatisches Halogenid mit mindestens zwei Halogenen und mindestens drei aromatischen Ringen umfasst
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei Schritt a) unter Erhitzen auf eine Temperatur zwischen >150°C und <500°C durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei Schritt a) bei einem Druck von >1 * 10"11 mbar und <5 * 10"4 mbar durchgeführt wird
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei Schritt a) einen Schritt al) und a2) umfasst: al) Erhitzen auf eine Temperatur von >150°C und <300°C a2) Erhitzen auf eine Temperatur von >300°C und <500°C
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7 zusätzlich umfassend einen Schritt aO) aO) Reinigen der anisotropen Metalloberfläche der vor Schritt a) bzw. al oder a2 durchgeführt wird
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei Schritt aO) einen Argonsputteringschritt und/oder einen Annealingschritt umfasst.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI562960B (en) * 2011-11-14 2016-12-21 Basf Se Segmented graphene nanoribbons
CN110291676B (zh) * 2017-02-17 2022-08-30 明斯特威斯特法伦威廉大学 用于锂离子电池系统的电解质添加剂
CN115676812A (zh) * 2022-07-04 2023-02-03 昆明理工大学 一种在Au（111）基底上制备手性石墨烯纳米带的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005019104A2 (en) * 2003-08-18 2005-03-03 President And Fellows Of Harvard College Controlled nanotube fabrication and uses
DE102007041820A1 (de) * 2007-09-03 2009-03-05 Universität Bielefeld Graphitschichten
GB0913011D0 (en) * 2009-07-27 2009-09-02 Univ Durham Graphene
US8426309B2 (en) * 2009-09-10 2013-04-23 Lockheed Martin Corporation Graphene nanoelectric device fabrication
US20120261644A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 International Business Machines Corporation Structure and method of making graphene nanoribbons

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SOLDANO C ET AL: "Production, properties and potential of graphene", CARBON, ELSEVIER, OXFORD, GB, vol. 48, no. 8, 1 July 2010 (2010-07-01), pages 2127 - 2150, XP026996062, ISSN: 0008-6223, [retrieved on 20100204] *

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CN103906707A (zh) 2014-07-02
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CN103906707B (zh) 2016-05-04
WO2013045579A1 (de) 2013-04-04
IL231782A0 (en) 2014-05-28
SG11201401027QA (en) 2014-08-28
TW201328970A (zh) 2013-07-16

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