EP2612373A1 - Leuchtdiodenchip - Google Patents

Leuchtdiodenchip

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Publication number
EP2612373A1
EP2612373A1 EP11748397.4A EP11748397A EP2612373A1 EP 2612373 A1 EP2612373 A1 EP 2612373A1 EP 11748397 A EP11748397 A EP 11748397A EP 2612373 A1 EP2612373 A1 EP 2612373A1
Authority
EP
European Patent Office
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layer
led chip
protective layer
mirror layer
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP11748397.4A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Karl Engl
Markus Maute
Stefanie Rammelsberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP2612373A1 publication Critical patent/EP2612373A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L33/40—Materials therefor
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    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the invention relates to a light-emitting diode chip.
  • Lot Mrs is connected to a carrier substrate.
  • Radiation exit surface of the LED chip is in this case opposite to a carrier substrate
  • the side of the semiconductor layer sequence facing the carrier substrate is provided with a mirror layer in order to radiate radiation emitted in the direction of the carrier in the direction of the light source
  • silver is particularly suitable as material for the mirror layer.
  • Silver is characterized by a high reflection in the visible spectral range and is suitable for producing a good electrical contact with the semiconductor material.
  • Silver is susceptible to corrosion and migration of silver into adjacent layers may occur.
  • a protective layer is usually applied to the silver layer.
  • a protective layer is in particular a
  • the invention is based on the object, a
  • the light-emitting diode chip contains a semiconductor layer sequence, which has one for generating Having electromagnetic radiation suitable active layer.
  • the light-emitting diode chip has on a front side a radiation exit surface through which the electromagnetic radiation emitted by the active layer emerges from the semiconductor layer sequence.
  • the front side of the light-emitting diode chip is understood here and below to mean the side of the light-emitting diode chip at which the
  • Radiation exit surface is arranged. At one of the radiation exit surface opposite
  • the LED chip at least partially on a mirror layer containing silver.
  • On the mirror layer is a protective layer for
  • the protective layer advantageously contains Pt or consists thereof.
  • the protective layer is thus structured in such a way that it does not cover the entire surface of the mirror layer in particular
  • the mirror layer thus has subregions that are uncovered by the protective layer. Due to the fact that the mirror layer is not completely covered by the
  • Protective layer is covered, the diffusion of constituents of the protective layer is reduced in the mirror layer.
  • the invention makes use of the finding that, surprisingly, a protective layer of Pt can function as a protective layer for a silver-containing mirror layer even if it does not have the mirror layer
  • Protective layer which at least partially penetrates into the mirror layer, such as an effect as a catalyst or the storage of hydrogen, a positive
  • the area fraction of the mirror layer covered by the protective layer is between 10% and 70% inclusive.
  • the protective layer covers an area fraction of between 30% and 50% inclusive of the mirror layer. This way will be a good one
  • the protective layer preferably has a thickness between 1 nm and 200 nm, particularly preferably between 10 nm and 40 nm.
  • the protective layer may be configured to include a plurality of spaced apart portions.
  • the sections can be regular or
  • a distance between adjacent subregions is on average between 2 ⁇ and 20 ⁇ inclusive. Below the distance, the shortest distance between the edges becomes adjacent
  • the protective layer has a plurality of openings, wherein the protective layer provided with the openings of one or more contiguous structures on the surface of
  • Mirror layer forms.
  • the protective layer is first applied over the entire surface of the mirror layer and subsequently a plurality of openings in the protective layer is produced.
  • the structuring of the protective layer can be carried out in particular by means of photolithography.
  • the openings preferably have on average a lateral extent between 2 ⁇ and 20 ⁇ .
  • the protective layer has a grid structure with a plurality of rows and columns.
  • the grid structure may be a rectangular grid structure.
  • the protective layer forms a stripe pattern on the interface of the mirror layer, the strips preferably extending in two mutually perpendicular directions across the interface of the mirror layer.
  • the distances of the rows and columns are in each case between 2 ⁇ and 20 ⁇ .
  • openings are formed in the protective layer through the grid structure, whose lateral extent is in each case between 2 ⁇ and 20 ⁇ .
  • the protective layer has a around the edge of the mirror layer
  • the protective layer is therefore preferably not of openings
  • One of the protective layer opposite interface of the mirror layer is preferably adjacent to the
  • the properties desired for the mirror layer can be achieved by good adhesion to the semiconductor material, good electrical connection to the semiconductor material and protection against corrosion and silver migration with a protective layer structured on one of the
  • the mirror layer is applied.
  • the mirror layer may in particular be connected to a p-type semiconductor region of
  • the LED chip is preferably at one of the
  • the carrier substrate is, in particular, a substrate which is different from a growth substrate of the semiconductor layer sequence and which is connected to the semiconductor layer sequence, for example, by means of a solder layer.
  • a growth substrate used for the epitaxial growth of the semiconductor layer sequence is preferably of the
  • the LED chip detached.
  • the LED chip thus preferably has no growth substrate.
  • FIG. 1A shows a schematic representation of a cross section through a light-emitting diode chip according to a first exemplary embodiment along the line AB of the plan view shown in FIG. 1B
  • FIG. 1B shows a plan view of the one with a structured view
  • Figure 2 is a schematic representation of a plan view of the provided with a protective layer
  • Figure 3 is a schematic representation of a plan view of the provided with a protective layer
  • Figure 4 is a schematic representation of a cross section through a LED chip according to another embodiment.
  • the light-emitting diode chip 1 illustrated in FIG. 1B in a view from below and in FIG. 1A in a cross-section along the line AB drawn in FIG. 1B contains one
  • semiconductor region 3 of a first conductivity type and a second semiconductor region 5 of a second conductivity type are semiconductor regions 3 of a first conductivity type and a second semiconductor region 5 of a second conductivity type.
  • the first semiconductor region 3 is a p-type semiconductor region and the second semiconductor region 5 is an n-type semiconductor region. Between the first semiconductor region 3 is a p-type semiconductor region and the second semiconductor region 5 is an n-type semiconductor region. Between the first semiconductor region 3 and the second semiconductor region 5 is an n-type semiconductor region.
  • the active region 4 of the LED chip 1 can, for example, be in the form of a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure or a multiple quantum well structure
  • quantum well structure encompasses any structure, in the case of the charge carriers
  • Quantization includes quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
  • the semiconductor layer sequence 2 may in particular be based on a nitride compound semiconductor. "On one
  • Nitride compound semiconductor based "means in
  • the semiconductor layer sequence 2 or at least one layer thereof comprises a III-nitride compound semiconductor material, preferably In x Al y Gai- x - y N, where 0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1 and x + y ⁇ 1
  • a III-nitride compound semiconductor material preferably In x Al y Gai- x - y N, where 0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1 and x + y ⁇ 1
  • composition according to the above formula may contain one or more dopants as well as additional
  • the LED chip 1 emits electromagnetic radiation 10 through a radiation exit surface 11, which at the
  • Front of the LED chip 1 is arranged. to
  • Radiation exit surface 11 may be provided with a roughening or a coupling-out structure (not shown).
  • the light-emitting diode chip 1 has a region at one side opposite the radiation exit surface 11
  • radiation which is emitted from the active layer 4 to the rear side of the light-emitting diode chip 1 is deflected towards the radiation exit surface 11.
  • the mirror layer 6 advantageously contains silver or consists thereof.
  • a mirror layer of silver advantageously has a high reflection in the visible spectral range. Furthermore, silver is characterized by a high electrical
  • the mirror layer 6 can, in particular, adjoin the first semiconductor region 3, in particular a p-type semiconductor region, and in this way form one of the electrical connections of the semiconductor layer sequence 2 of the light-emitting diode chip 1.
  • Protective layer 7 preferably contains Pt or consists thereof.
  • the platinum-containing protective layer 7 is characterized in that it is chemically inert and thus protects the mirror layer 6 from corrosion.
  • the protective layer 7 is structured in such a way that it covers the mirror layer 6 only in partial regions 8.
  • the protective layer is, for example, structured such that it has a plurality of spaced-apart portions 8.
  • the protective layer 7 is formed by a plurality of circular sections 8.
  • the subregions 8 of the protective layer 7 may alternatively assume other regular or irregular shapes.
  • Subregions 8 on the surface of the mirror layer 6 be regular or irregular.
  • the partial diffusion of the material of the protective layer 7 in the mirror layer 6 may be disadvantageous to the
  • Reflectivity of the mirror layer 6 at the interface 16 to the semiconductor layer sequence 2 effect, especially when the material of the protective layer 7 reaches the interface 16. It turned out that one Reduction of the reflection at the interface 16 between the semiconductor layer sequence 2 and the mirror layer 6 can thereby reduce that the protective layer 7 only on
  • Mirror layer 6 is applied, it is possible to achieve a good compromise between a sufficient protection of the mirror layer 6 against corrosion on the one hand and a high reflectivity of the interface 16 between the
  • the protective layer 7 has an area fraction between
  • the thickness of the protective layer is advantageously between 1 nm and 200 nm inclusive, more preferably between 10 nm and 40 nm inclusive.
  • the distance between the spaced apart portions 8 of the protective layer 7 is preferably in the middle between
  • FIG. 2 shows a plan view of the mirror layer 6 provided with the protective layer 7 in another Embodiment of the LED chip 1 shown.
  • the embodiment differs from the embodiment shown in Figure 1 in that the
  • Protective layer 7 has a circumferential around the edge of the mirror layer 6 edge web 9. In addition, on the surface of the mirror layer 6 as in the first
  • the edge web 9 which surrounds the edge of the mirror layer 6 has the advantage that in this way the mirror layer 6 is well protected by the covering with the protective layer 7 in its edge region, in which the risk of corrosion is particularly great.
  • Edge region of the mirror layer 6 is the risk of
  • FIG. 3 shows a further exemplary embodiment of the mirror layer 6 provided with the protective layer 7 in a plan view.
  • the mirror layer 6 provided with the protective layer 7 in a plan view.
  • Protective layer 7 a lattice structure 12 of a plurality of rows 13 and columns 14, which are each formed of rigid-shaped regions of the protective layer.
  • the grid structure 12 may be a rectangular grid structure with regularly arranged rows 13 and columns 14.
  • the rows 13 and columns 14 preferably each have widths between 2 ⁇ and 20 ⁇ on. Furthermore, the distances of the adjacent rows and / or columns are also between 2 ⁇ and 20 ⁇ . The spacing of the rows or columns is understood to mean the distance between the edges of the strips of the protective layer 7 forming the rows or columns.
  • the grid structure 12 generates on the surface the mirror layer 6 a plurality of preferably equal openings 15. The openings 15 preferably have on average a lateral extent between 2 ⁇ and 20 ⁇ on.
  • the lattice structure 12 as in the embodiment described above, also forms an edge web 9 that surrounds the edge of the mirror layer 6, so that the
  • Mirror layer 6 is particularly protected in its edge region from corrosion.
  • structured protective layer 7 provided mirror layer 6 can in various embodiments of LED chips
  • Radiation exit surface 11 opposite rear side have a mirror layer 6.
  • FIG. 4 shows a cross section through an exemplary embodiment of a so-called thin-film LED chip 1, which has a mirror layer 6 provided with a structured protective layer 7. Like the embodiment shown in FIG. 1A, the thin-film light-emitting diode chip 1 has a p-type semiconductor layer sequence 2
  • LED chip 1 is at one of the radiation exit surface
  • the LED chip 1 has no growth substrate.
  • Semiconductor layer sequence 2 used growth substrate from the now serving as the radiation exit surface 11
  • a barrier layer 17 may be arranged, in particular, a diffusion of constituents of the solder layer 18 in the
  • Barrier layer 17 may be, for example, a Ti layer or a TiW (N) layer.
  • the barrier layer may also comprise a plurality of sub-layers (not shown),
  • a Ti / Pt / TiWN layer sequence for example, a Ti / Pt / TiWN layer sequence.
  • Barrier layer 17 can simultaneously as
  • the carrier substrate 19 may be, for example, a silicon or germanium substrate.
  • the electrical contacting of the LED chip 1 takes place for example by means of a first contact layer 20 on the back of the carrier substrate and a second contact layer 21 on portions of the surface of the LED chip 1.
  • a first contact layer 20 on the back of the carrier substrate and a second contact layer 21 on portions of the surface of the LED chip 1.

Abstract

Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (10) geeignete aktive Schicht (4) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (11) aufweist, der Leuchtdiodenchip (1) an einer der Strahlungsaustrittsfläche (11) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (6) aufweist, die Silber enthält, wobei auf der Spiegelschicht (6) eine Schutzschicht (7) angeordnet ist, die Pt enthält, und die Schutzschicht (7) eine derartige Struktur aufweist, dass sie die Spiegelschicht (6) nur in Teilbereichen (8) bedeckt.

Description

Beschreibung
Leuchtdiodenchip Die Erfindung betrifft einen Leuchtdiodenchip.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 036 269.7, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Es sind so genannte Dünnfilm-Leuchtdiodenchips bekannt, bei denen das ursprüngliche Aufwachssubstrat der
Halbleiterschichtenfolge abgelöst und stattdessen die
Halbleiterschichtenfolge an einer dem ursprünglichen
Aufwachssubstrat gegenüberliegenden Seite mittels einer
Lotschicht mit einem Trägersubstrat verbunden ist. Die
Strahlungsaustrittsfläche des Leuchtdiodenchips ist in diesem Fall an einer dem Trägersubstrat gegenüberliegenden
Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge angeordnet, also an der Seite des ursprünglichen Aufwachssubstrats. Bei einem derartigen Leuchtdiodenchip ist es vorteilhaft, wenn die dem Trägersubstrat zugewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge mit einer Spiegelschicht versehen ist, um in die Richtung des Trägers emittierte Strahlung in die Richtung der
Strahlungsaustrittsfläche umzulenken und dadurch die
Strahlungsausbeute zu erhöhen.
Für den sichtbaren Spektralbereich ist insbesondere Silber als Material für die Spiegelschicht geeignet. Silber zeichnet sich durch eine hohe Reflexion im sichtbaren Spektralbereich aus und ist dazu geeignet, einen guten elektrischen Kontakt an das Halbleitermaterial herzustellen. Andererseits ist Silber aber anfällig gegenüber Korrosion und es kann eine Migration des Silbers in benachbarte Schichten auftreten.
Um eine Spiegelschicht aus Silber vor Korrosion zu schützen, wird in der Regel eine Schutzschicht auf die Silberschicht aufgebracht. Als Schutzschicht ist insbesondere eine
Platinschicht geeignet. Es hat sich aber herausgestellt, dass die Reflexion der Grenzfläche zwischen der Spiegelschicht und der Halbleiterschichtenfolge durch das Aufbringen einer
Schutzschicht aus Platin auf die der Halbleiterschichtenfolge gegenüberliegende Grenzfläche der Spiegelschicht
beeinträchtigt werden kann. Dadurch wird die Lichtauskopplung und somit die Effizienz des Leuchtdiodenchips verringert. Dieser Effekt beruht möglicherweise darauf, dass das Platin bei den für das Aufbringen der Schichten üblichen
Prozesstemperaturen in die Silberschicht eindringen und sogar bis an die gegenüberliegende Grenzfläche zwischen der
Spiegelschicht und der Halbleiterschicht gelangen kann. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen
Leuchtdiodenchip mit einer rückseitigen Spiegelschicht anzugeben, die mittels einer Schutzschicht vor Korrosion geschützt wird, wobei gleichzeitig aber die Reflexion der Grenzfläche zwischen der Silberschicht und der
Halbleiterschichtenfolge nur geringfügig beeinträchtigt wird.
Diese Aufgabe wird durch einen Leuchtdiodenchip gemäß dem unabhängigen Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der
abhängigen Ansprüche.
Gemäß einer Aus führungs form enthält der Leuchtdiodenchip eine Halbleiterschichtenfolge, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht aufweist. Der Leuchtdiodenchip weist an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche auf, durch die die von der aktiven Schicht emittierte elektromagnetische Strahlung aus der Halbleiterschichtenfolge austritt. Unter der Vorderseite des Leuchtdiodenchips wird hier und im Folgenden die Seite des Leuchtdiodenchips verstanden, an der die
Strahlungsaustrittsfläche angeordnet ist. An einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegenden
Rückseite weist der Leuchtdiodenchip zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht auf, die Silber enthält.
Auf der Spiegelschicht ist eine Schutzschicht zur
Verminderung der Korrosion der Spiegelschicht angeordnet. Die Schutzschicht enthält vorteilhaft Pt oder besteht daraus.
Die Schutzschicht weist vorteilhaft eine derartige Struktur auf, dass sie die Spiegelschicht nur in Teilbereichen
bedeckt. Die Schutzschicht ist also derart strukturiert, dass sie die Spiegelschicht insbesondere nicht ganzflächig
bedeckt. Die Spiegelschicht weist also Teilbereiche auf, die von der Schutzschicht unbedeckt sind. Dadurch, dass die Spiegelschicht nicht ganzflächig von der
Schutzschicht bedeckt ist, vermindert sich die Diffusion von Bestandteilen der Schutzschicht in die Spiegelschicht.
Insbesondere wird dadurch, dass die Schutzschicht die
Spiegelschicht nur in Teilbereichen bedeckt, eine Diffusion von Pt in die Spiegelschicht und/oder bis an die Grenzfläche zwischen der Spiegelschicht und der Halbleiterschichtenfolge im Vergleich zu einer ganzflächig aufgebrachten Schutzschicht vermindert. Auf diese Weise erhöht sich vorteilhaft die Reflexion der Grenzfläche zwischen der
Halbleiterschichtenfolge und der Spiegelschicht, wodurch sich die Lichtauskopplung des Leuchtdiodenchips verbessert und somit die Effizienz erhöht.
Die Erfindung macht sich die Erkenntnis zunutze, dass eine Schutzschicht aus Pt überraschenderweise selbst dann als Schutzschicht für eine Silber enthaltende Spiegelschicht fungieren kann, wenn sie die Spiegelschicht nicht
vollständig, sondern nur in Teilbereichen bedeckt.
Für diesen Effekt gibt es mehrere mögliche Erklärungen. Zum einen ist es denkbar, dass das Material der Schutzschicht aus den Teilbereichen, welche die Spiegelschicht bedecken, in die Spiegelschicht eindringt und dort bevorzugt entlang der
Silber-Korngrenzen diffundiert. Dies könnte zu einer
Stabilisierung des Materials der Spiegelschicht beitragen, da Korrosionseffekte in der Regel an den metallischen
Korngrenzen ansetzen. Weiterhin ist es denkbar, dass das Material der Schutzschicht entsprechend seiner Stellung in der elektrochemischen Spannungsreihe die auftretenden
elektrischen Potenziale derart modifiziert, dass
Korrosionseffekte unterdrückt werden. Weiterhin ist es auch möglich, dass eine andere Eigenschaft des Materials der
Schutzschicht, das zumindest teilweise in die Spiegelschicht eindringt, wie beispielsweise eine Wirkung als Katalysator oder die Speicherung von Wasserstoff, einen positiven
Einfluss auf die Beständigkeit der Spiegelschicht hat. Durch die zuvor genannten möglichen Effekte ergibt sich eine
Schutzwirkung für die Spiegelschicht selbst dann, wenn die aufgebrachte Schutzschicht die Oberfläche der Spiegelschicht nicht vollständig bedeckt. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung beträgt der Flächenanteil der Spiegelschicht, der von der Schutzschicht bedeckt wird, zwischen einschließlich 10 % und einschließlich 70 %. Besonders bevorzugt bedeckt die Schutzschicht einen Flächenanteil zwischen einschließlich 30 % und einschließlich 50 % der Spiegelschicht. Auf diese Weise wird ein guter
Kompromiss zwischen der Schutzwirkung der Schutzschicht zum Schutz der Spiegelschicht vor Korrosion und der durch das zumindest teilweise Eindringen des Materials der
Schutzschicht in die Spiegelschicht bedingten Verminderung der Reflexion an der Grenzfläche zwischen dem
Halbleitermaterial und der Spiegelschicht erzielt.
Insbesondere hat sich herausgestellt, dass sich mit einem Flächenanteil der Schutzschicht auf der Spiegelschicht von 10 % bis 70 % und bevorzugt von 30 % bis 50 % eine weitgehend gegen Korrosion stabile Spiegelschicht bei einer nur geringen Verminderung der Reflexion der Spiegelschicht im Vergleich zu einer Spiegelschicht ohne Schutzschicht aus Pt erzielen lässt .
Die Schutzschicht weist vorzugsweise eine Dicke zwischen 1 nm und 200 nm, besonders bevorzugt zwischen 10 nm und 40 nm auf.
Die Schutzschicht kann derart ausgestaltet sein, dass sie eine Vielzahl von voneinander beabstandeten Teilbereichen aufweist. Die Teilbereiche können regelmäßig oder
unregelmäßig auf der von der Halbleiterschichtenfolge
abgewandten Grenzfläche der Spiegelschicht verteilt sein. Es ist von Vorteil, wenn die Abstände zwischen den benachbarten Teilbereichen der Schutzschicht einerseits nicht zu groß sind, sodass die Schutzschicht eine ausreichende
Schutzwirkung für die Spiegelschicht hat. Andererseits sollten die Abstände auch nicht zu klein sein, da ansonsten, wie im Falle einer vollständigen Bedeckung der
Spiegelschicht, eine nicht unerhebliche Verminderung der Reflexion durch das Eindringen des Materials des
Schutzschicht in die Spiegelschicht auftreten würde.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn ein Abstand benachbarter Teilbereiche im Mittel zwischen einschließlich 2 μπι und einschließlich 20 μπι beträgt. Unter dem Abstand wird dabei die kürzeste Distanz zwischen den Rändern benachbarter
Teilbereiche verstanden.
Bei einer alternativen vorteilhaften Ausgestaltung weist die Schutzschicht eine Vielzahl von Öffnungen auf, wobei die mit den Öffnungen versehene Schutzschicht eines oder mehrere zusammenhängende Gebilde auf der Oberfläche der
Spiegelschicht ausbildet. Es ist beispielsweise möglich, dass die Schutzschicht zunächst ganzflächig auf die Spiegelschicht aufgebracht wird und nachfolgend eine Vielzahl von Öffnungen in der Schutzschicht erzeugt wird. Das Strukturieren der Schutzschicht kann insbesondere mittels Fotolithografie erfolgen. Die Öffnungen weisen bevorzugt im Mittel eine laterale Ausdehnung zwischen 2 μπι und 20 μπι auf.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die Schutzschicht eine Gitterstruktur mit mehreren Zeilen und Spalten auf.
Insbesondere kann es sich bei der Gitterstruktur um eine rechtwinklige Gitterstruktur handeln. In diesem Fall bildet die Schutzschicht ein Streifenmuster auf der Grenzfläche der Spiegelschicht aus, wobei die Streifen vorzugsweise in zwei zueinander senkrechten Richtungen über die Grenzfläche der Spiegelschicht verlaufen.
Die Breiten der Zeilen und Spalten der Gitterstruktur
betragen vorzugsweise jeweils zwischen 2 μπι und 20 μπι. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die Abstände der Zeilen und Spalten jeweils zwischen 2 μπι und 20 μπι betragen. In diesem Fall werden durch die Gitterstruktur Öffnungen in der Schutzschicht ausgebildet, deren laterale Ausdehnung jeweils zwischen 2 μπι und 20 μπι beträgt.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die Schutzschicht einen um den Rand der Spiegelschicht
umlaufenden Randsteg auf. In diesem Randbereich wird die Schutzschicht also vorzugsweise nicht von Öffnungen
unterbrochen. Dies ist vorteilhaft, da die Spiegelschicht insbesondere an ihren Seitenrändern von Korrosion gefährdet ist . Eine der Schutzschicht gegenüberliegende Grenzfläche der Spiegelschicht grenzt vorzugsweise an die
Halbleiterschichtenfolge an. Zwischen der
Halbleiterschichtenfolge und der Spiegelschicht ist also insbesondere keine Zwischenschicht wie beispielsweise eine Haftvermittlerschicht angeordnet, welche zu einer
Verminderung der Reflexion an der Grenzfläche zwischen der Spiegelschicht und der Halbleiterschichtenfolge führen könnte. Es hat sich vielmehr herausgestellt, dass sich die für die Spiegelschicht gewünschten Eigenschaften einer guten Haftung auf dem Halbleitermaterial, eines guten elektrischen Anschlusses an das Halbleitermaterial und eines Schutzes vor Korrosion und Silbermigration mit einer Schutzschicht erreichen lassen, die strukturiert auf eine der
Halbleiterschichtenfolge gegenüberliegende Seite der
Spiegelschicht aufgebracht ist. Die Spiegelschicht kann insbesondere an einen p-Typ Halbleiterbereich der
Halbleiterschichtenfolge angrenzen . Der Leuchtdiodenchip ist vorzugsweise an einer von der
Spiegelschicht aus gesehen der Halbleiterschichtenfolge gegenüberliegenden Seite mit einem Trägersubstrat verbunden. Bei dem Trägersubstrat handelt es sich insbesondere um ein von einem Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge verschiedenes Substrat, das beispielsweise mittels einer Lotschicht mit der Halbleiterschichtenfolge verbunden ist.
Ein zum epitaktischen Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge verwendetes Aufwachssubstrat ist vorzugsweise von dem
Leuchtdiodenchip abgelöst. Der Leuchtdiodenchip weist also vorzugsweise kein Aufwachssubstrat auf. Dadurch, dass das Aufwachssubstrat von dem Leuchtdiodenchip abgelöst ist und die in Richtung des Trägersubstrats emittierte Strahlung mittels der Spiegelschicht zur Strahlungsauskoppelfläche hin reflektiert wird, wird ein Leuchtdiodenchip mit einer hohen Effizienz erzielt.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von
Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 4 näher erläutert.
Es zeigen: Figur 1A eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Leuchtdiodenchip gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel entlang der Linie AB der in Figur 1B dargestellten Aufsicht, Figur 1B eine Aufsicht auf die mit einer strukturierten
Schutzschicht versehene Spiegelschicht des in Figur 1A dargestellten Ausführungsbeispiels eines
Leuchtdiodenchips , Figur 2 eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf die mit einer Schutzschicht versehene
Spiegelschicht bei einem Leuchtdiodenchip gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
Figur 3 eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf die mit einer Schutzschicht versehene
Spiegelschicht bei einem Leuchtdiodenchip gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, und
Figur 4 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Leuchtdiodenchip gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel .
Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die
dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
Der in Figur 1B in einer Ansicht von unten und in Figur 1A in einem Querschnitt entlang der in Fig. 1B eingezeichneten Linie AB dargestellte Leuchtdiodenchip 1 enthält eine
Halbleiterschichtenfolge 2, die einen ersten
Halbleiterbereich 3 eines ersten Leitungstyps und einen zweiten Halbleiterbereich 5 eines zweiten Leitungstyps aufweist. Vorzugsweise ist der erste Halbleiterbereich 3 ein p-Typ Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich 5 ein n-Typ Halbleiterbereich. Zwischen dem ersten
Halbleiterbereich 3 und dem zweiten Halbleiterbereich 5 ist eine aktive Zone 4 angeordnet. Die aktive Zone 4 des Leuchtdiodenchips 1 kann zum Beispiel als pn-Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfach- Quantentopfstruktur oder Mehrfach-Quantentopfstruktur
ausgebildet sein. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst dabei jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch
Einschluss (Confinement ) eine Quantisierung ihrer
Energiezustände erfahren. Insbesondere beinhaltet die
Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die
Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
Die Halbleiterschichtenfolge 2 kann insbesondere auf einem Nitridverbindungshalbleiter basieren. „Auf einem
Nitridverbindungshalbleiter basierend" bedeutet im
vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge 2 oder zumindest eine Schicht davon ein III-Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial , vorzugsweise InxAlyGai-x-yN umfasst, wobei 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte
Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche
Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen
physikalischen Eigenschaften des InxAlyGai-x-yN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (In, AI, Ga, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können. Der Leuchtdiodenchip 1 emittiert elektromagnetische Strahlung 10 durch eine Strahlungsaustrittsfläche 11, die an der
Vorderseite des Leuchtdiodenchips 1 angeordnet ist. Zur
Verbesserung der Strahlungsauskopplung kann die Strahlungsaustrittsfläche 11 mit einer Aufrauung oder einer Auskoppelstruktur versehen sein (nicht dargestellt) .
Um die Effizienz des Leuchtdiodenchips 1 zu verbessern, weist der Leuchtdiodenchip 1 an einer der Strahlungsaustrittsfläche 11 gegenüberliegenden Rückseite bereichsweise eine
Spiegelschicht 6 auf. Durch die Spiegelschicht 6 wird
vorteilhaft Strahlung, die von der aktiven Schicht 4 zur Rückseite des Leuchtdiodenchips 1 hin emittiert wird, zur Strahlungsaustrittsfläche 11 hin umgelenkt.
Die Spiegelschicht 6 enthält vorteilhaft Silber oder besteht daraus. Eine Spiegelschicht aus Silber weist vorteilhaft eine hohe Reflexion im sichtbaren Spektralbereich auf. Weiterhin zeichnet sich Silber durch eine hohe elektrische
Leitfähigkeit aus. Die Spiegelschicht 6 kann insbesondere an den ersten Halbleiterbereich 3, insbesondere einen p-Typ Halbleiterbereich, angrenzen und auf diese Weise einen der elektrischen Anschlüsse der Halbleiterschichtenfolge 2 des Leuchtdiodenchips 1 ausbilden.
Bei einer Spiegelschicht 6 aus Silber kann das Problem auftreten, dass diese vergleichsweise anfällig gegenüber Korrosion ist, was insbesondere nach einer langen
Betriebsdauer des Leuchtdiodenchips 1 zu einer Verminderung der Strahlungsausbeute führen könnte. Um die Spiegelschicht 6 vor Korrosion zu schützen, ist auf der von der
Halbleiterschichtenfolge 2 abgewandten Grenzfläche 16 der Spiegelschicht 6 eine Schutzschicht 7 angeordnet. Die
Schutzschicht 7 enthält vorzugsweise Pt oder besteht daraus. Die Platin enthaltende Schutzschicht 7 zeichnet sich dadurch aus, dass sie chemisch inert ist und somit die Spiegelschicht 6 vor Korrosion schützt. Die Schutzschicht 7 ist derart strukturiert, dass sie die Spiegelschicht 6 nur in Teilbereichen 8 bedeckt. Die
Spiegelschicht 6 ist also insbesondere nicht vollständig von der Schutzschicht 7 bedeckt. Wie in der Aufsicht auf die
Spiegelschicht 6 in Figur 1B zu sehen, ist die Schutzschicht beispielsweise derart strukturiert, dass sie eine Vielzahl von voneinander beabstandeten Teilbereichen 8 aufweist. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Schutzschicht 7 durch eine Vielzahl von kreisförmigen Teilbereichen 8 gebildet. Die Teilbereiche 8 der Schutzschicht 7 können alternativ aber auch andere regelmäßige oder unregelmäßige Formen annehmen. Ebenso kann auch die Anordnung der
Teilbereiche 8 auf der Oberfläche der Spiegelschicht 6 regelmäßig oder unregelmäßig sein.
Es hat sich vorteilhaft herausgestellt, dass die
Schutzschicht 7 die Spiegelschicht 6 selbst dann vor
Korrosion schützt, wenn sie die Spiegelschicht 6 nur
teilweise bedeckt. Dieser Effekt kann insbesondere darauf beruhen, dass das Material der Schutzschicht 7 teilweise in die Spiegelschicht 6 hinein diffundiert, wobei es
insbesondere entlang der Silber-Korngrenzen der
Spiegelschicht 6 diffundiert und auf diese Weise eine
typischerweise an den Korngrenzen beginnende Korrosion verhindert .
Das teilweise Eindiffundieren des Materials der Schutzschicht 7 in die Spiegelschicht 6 kann sich nachteilig auf die
Reflektivität der Spiegelschicht 6 an der Grenzfläche 16 zur Halbleiterschichtenfolge 2 auswirken, insbesondere wenn das Material der Schutzschicht 7 bis an die Grenzfläche 16 gelangt. Es hat sich herausgestellt, dass sich eine Verminderung der Reflexion an der Grenzfläche 16 zwischen der Halbleiterschichtenfolge 2 und der Spiegelschicht 6 dadurch reduzieren lässt, dass die Schutzschicht 7 nur auf
Teilbereiche der Spiegelschicht 6 aufgebracht wird. Dadurch, dass die Schutzschicht 7 nur auf Teilbereiche der
Spiegelschicht 6 aufgebracht wird, ist es möglich, einen guten Kompromiss zwischen einem ausreichenden Schutz der Spiegelschicht 6 vor Korrosion einerseits und einer hohen Reflektivität der Grenzfläche 16 zwischen der
Halbleiterschichtenfolge 2 und der Spiegelschicht 6
andererseits zu finden.
Es hat sich insbesondere herausgestellt, dass gleichzeitig eine vergleichsweise hohe Reflexion und ein guter Schutz der Spiegelschicht 6 vor Korrosion erzielt werden können, wenn die Schutzschicht 7 einen Flächenanteil zwischen
einschließlich 10 % und einschließlich 70 % der
Spiegelschicht 6 bedeckt. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Schutzschicht 7 einen Flächenanteil zwischen
einschließlich 30 % und einschließlich 50 % der
Spiegelschicht 6 bedeckt.
Die Dicke der Schutzschicht beträgt vorteilhaft zwischen einschließlich 1 nm und einschließlich 200 nm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 10 nm und einschließlich 40 nm.
Der Abstand der voneinander beabstandeten Teilbereiche 8 der Schutzschicht 7 beträgt bevorzugt im Mittel zwischen
einschließlich 2 μπι und einschließlich 20 μπι.
In Figur 2 ist eine Aufsicht auf die mit der Schutzschicht 7 versehene Spiegelschicht 6 bei einem weiteren Ausführungsbeispiel des Leuchtdiodenchips 1 dargestellt. Das Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass die
Schutzschicht 7 einen um den Rand der Spiegelschicht 6 umlaufenden Randsteg 9 aufweist. Zusätzlich sind auf der Oberfläche der Spiegelschicht 6 wie bei dem ersten
Ausführungsbeispiel eine Vielzahl von voneinander
beabstandeten Teilbereichen 8 angeordnet. Der um den Rand der Spiegelschicht 6 umlaufende Randsteg 9 hat den Vorteil, dass auf diese Weise die Spiegelschicht 6 in ihrem Randbereich, in dem die Gefahr einer Korrosion besonders groß ist, durch die Bedeckung mit der Schutzschicht 7 gut geschützt ist. Im
Randbereich der Spiegelschicht 6 ist die Gefahr einer
Korrosion erhöht, da beispielsweise Feuchtigkeit von den Rändern des Leuchtdiodenchips 1 bis in diese Bereiche
vordringen könnte.
In Figur 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der mit der Schutzschicht 7 versehenen Spiegelschicht 6 in einer Aufsicht dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel weist die
Schutzschicht 7 eine Gitterstruktur 12 aus einer Vielzahl von Zeilen 13 und Spalten 14 auf, die jeweils aus steifenförmigen Bereichen der Schutzschicht gebildet sind. Die Gitterstruktur 12 kann insbesondere eine rechtwinklige Gitterstruktur mit regelmäßig angeordneten Zeilen 13 und Spalten 14 sein.
Die Zeilen 13 und Spalten 14 weisen vorzugsweise jeweils Breiten zwischen 2 μπι und 20 μπι auf. Weiterhin betragen auch die Abstände der benachbarten Zeilen und/oder Spalten jeweils zwischen 2 μπι und 20 μπι. Unter den Abständen der Zeilen oder Spalten wird dabei der Abstand zwischen den Rändern der die Zeilen oder Spalten ausbildenden Streifen der Schutzschicht 7 verstanden. Die Gitterstruktur 12 erzeugt auf der Oberfläche der Spiegelschicht 6 eine Vielzahl von vorzugsweise gleich großen Öffnungen 15. Die Öffnungen 15 weisen vorzugsweise im Mittel eine laterale Ausdehnung zwischen 2 μπι und 20 μπι auf. Vorzugsweise bildet die Gitterstruktur 12 wie bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel auch einen um den Rand der Spiegelschicht 6 umlaufenden Randsteg 9 auf, sodass die
Spiegelschicht 6 in ihrem Randbereich besonders vor Korrosion geschützt ist. Die zuvor beschriebenen Ausführungen einer mit einer
strukturierten Schutzschicht 7 versehenen Spiegelschicht 6 können in verschiedene Ausgestaltungen von Leuchtdiodenchips
I integriert werden, die an einer der
Strahlungsaustrittsfläche 11 gegenüberliegenden Rückseite eine Spiegelschicht 6 aufweisen.
In Figur 4 ist ein Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines so genannten Dünnfilm-Leuchtdiodenchips 1 dargestellt, der eine mit einer strukturierten Schutzschicht 7 versehene Spiegelschicht 6 aufweist. Wie das in Figur 1A dargestellte Ausführungsbeispiel weist der Dünnfilm-Leuchtdiodenchip 1 eine Halbleiterschichtenfolge 2 mit einem p-Typ
Halbleiterbereich 3, einem n-Typ Halbleiterbereich 5 und einer dazwischen angeordneten aktiven Zone 4 auf. Der
Leuchtdiodenchip 1 ist an einer der Strahlungsaustrittsfläche
II gegenüberliegenden Rückseite beispielsweise mit einer Lotschicht 18 mit einem Trägersubstrat 19 verbunden. Der Leuchtdiodenchip 1 weist kein Aufwachssubstrat auf.
Insbesondere ist ein zum epitaktischen Aufwachsen der
Halbleiterschichtenfolge 2 verwendetes Aufwachssubstrat von der nun als Strahlungsaustrittsfläche 11 dienenden
Grenzfläche der Halbleiterschichtenfolge 2 abgelöst worden. Zwischen der mit der strukturierten Schutzschicht 7
versehenen Spiegelschicht 6 und der Lotschicht 18 kann eine Barriereschicht 17 angeordnet sein, die insbesondere eine Diffusion von Bestandteilen der Lotschicht 18 in die
Spiegelschicht 6 und umgekehrt vermindert. Die
Barriereschicht 17 kann beispielsweise eine Ti-Schicht oder eine TiW (N) -Schicht sein. Die Barriereschicht kann auch mehrere Teilschichten (nicht dargestellt) umfassen,
beispielsweise eine Ti/Pt/TiWN-Schichtenfolge . Die
Barriereschicht 17 kann gleichzeitig als
Planarisierungsschicht für die strukturierte Schutzschicht 7 fungieren .
Das Trägersubstrat 19 kann beispielsweise ein Silizium- oder Germaniumsubstrat sein. Die elektrische Kontaktierung des Leuchtdiodenchips 1 erfolgt beispielsweise mittels einer ersten Kontaktschicht 20 an der Rückseite des Trägersubstrats und einer zweiten Kontaktschicht 21 auf Teilbereichen der Oberfläche des Leuchtdiodenchips 1. Alternativ sind
selbstverständlich auch beliebige andere Anordnungen der Kontaktschichten des Leuchtdiodenchips 1 denkbar.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (10) geeignete aktive Schicht (4) aufweist, wobei
- der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (11) aufweist,
- der Leuchtdiodenchip (1) an einer der
Strahlungsaustrittsfläche (11) gegenüberliegenden
Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (6) aufweist, die Silber enthält,
- auf der Spiegelschicht (6) eine Schutzschicht (7) angeordnet ist, die Pt enthält, und
- die Schutzschicht (7) eine derartige Struktur
aufweist, dass sie die Spiegelschicht (7) nur in
Teilbereichen (8) bedeckt.
Leuchtdiodenchip nach Anspruch 1,
wobei die Schutzschicht (7) einen Flächenanteil zwischen einschließlich 10 % und einschließlich 70 % der
Spiegelschicht (6) bedeckt.
Leuchtdiodenchip nach Anspruch 2,
wobei die Schutzschicht (7) einen Flächenanteil zwischen einschließlich 30 % und einschließlich 50 % der
Spiegelschicht (6) bedeckt.
Leuchtdiodenchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei die Schutzschicht (7) eine Dicke zwischen 1 nm und 200 nm aufweist. Leuchtdiodenchip nach Anspruch 4,
wobei die Schutzschicht (7) eine Dicke zwischen 10 nm und 40 nm aufweist.
Leuchtdiodenchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei die Schutzschicht (7) eine Vielzahl von
voneinander beabstandeten Teilbereichen (8) aufweist, wobei ein Abstand benachbarter Teilbereiche (8) im
Mittel zwischen einschließlich 2 μπι und einschließlich 20 μπι beträgt.
Leuchtdiodenchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei die Schutzschicht (7) eine Vielzahl von Öffnungen (15) aufweist, wobei die Öffnungen (15) im Mittel eine laterale Ausdehnung zwischen 2 μπι und 20 μπι aufweisen.
Leuchtdiodenchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei die Schutzschicht (7) eine Gitterstruktur (12) mit mehreren Zeilen (13) und Spalten (14) aufweist.
Leuchtdiodenchip nach Anspruch 8,
wobei die Breiten der Zeilen (13) und Spalten (14) jeweils zwischen 2 μπι und 20 μπι betragen.
Leuchtdiodenchip nach Anspruch 8 oder 9,
wobei die Abstände der Zeilen (13) und Spalten (14) jeweils zwischen 2 μπι und 20 μπι betragen.
11. Leuchtdiodenchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei die Schutzschicht (7) einen um einen Rand der Spiegelschicht (6) umlaufenden Randsteg (9) aufweist.
12. Leuchtdiodenchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei die der Schutzschicht (7) gegenüberliegende
Grenzfläche (16) der Spiegelschicht (6) an die
Halbleiterschichtenfolge (2) angrenzt.
13. Leuchtdiodenchip nach Anspruch 12,
wobei ein an die Spiegelschicht (6) angrenzender Bereich der Halbleiterschichtenfolge (2) ein p-Typ
Halbleiterbereich (3) ist.
14. Leuchtdiodenchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer von der
Spiegelschicht (6) aus gesehen der
Halbleiterschichtenfolge (2) gegenüberliegenden Seite mit einem Trägersubstrat (19) verbunden ist.
15. Leuchtdiodenchip nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei der Leuchtdiodenchip (1) kein Aufwachssubstrat aufweist .
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