EP2465139A1 - Radiation-emitting semiconductor component - Google Patents

Radiation-emitting semiconductor component

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Publication number
EP2465139A1
EP2465139A1 EP10740230A EP10740230A EP2465139A1 EP 2465139 A1 EP2465139 A1 EP 2465139A1 EP 10740230 A EP10740230 A EP 10740230A EP 10740230 A EP10740230 A EP 10740230A EP 2465139 A1 EP2465139 A1 EP 2465139A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
radiation
emission
emitting semiconductor
semiconductor component
led chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP10740230A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Norwin Von Malm
Ralph Wirth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP2465139A1 publication Critical patent/EP2465139A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
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    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
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    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
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    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • Radiation-emitting Semiconductor Device There is a radiation-emitting semiconductor device
  • conversion elements in the beam path of the primary radiation emitted by the light-emitting diode chip can be used in order to convert part of the short-wave primary radiation into longer-wave secondary radiation.
  • Secondary radiation determines the emission color of the emitted light.
  • the wavelengths of the primary radiation of different light-emitting diode chips differ - even if they are produced together and originate, for example, from a single wafer - and, on the other hand, the optical thicknesses of the conversion elements are such that they become one
  • LED chips with emission colors within certain desired limits LED chips are sorted (so-called binning).
  • One problem to be solved is to
  • Specify radiation-emitting semiconductor device in which the color of the emitted light can be adjusted.
  • Radiation-emitting semiconductor device includes the
  • the LED chip comprises at least two independently operable emission regions.
  • the LED chip is in at least two
  • Emission areas separated which can be operated independently.
  • electromagnetic radiation can be generated at the same or at different times.
  • the emission regions can be energized with different current intensity, so that electromagnetic radiation with mutually different intensities can be generated by the emission regions.
  • Radiation-emitting semiconductor device includes the
  • LED chip at least two differently configured conversion elements. "Differently designed" means that the conversion elements, if they are with
  • Electromagnetic radiation of the same wavelength and the same intensity are irradiated from each other
  • the conversion elements may differ from each other in terms of their geometric dimensions, such as their thickness, and / or their composition.
  • a first conversion element may contain a first phosphor, while the second conversion element contains a second phosphor. Also, the first conversion element may contain a first phosphor, while the second conversion element contains a second phosphor. Also, the first conversion element may contain a first phosphor, while the second conversion element contains a second phosphor. Also, the first conversion element may contain a first phosphor, while the second conversion element contains a second phosphor. Also, the
  • each of the emission regions of the light-emitting diode chip is in
  • the emission regions can each have an active zone in which electromagnetic radiation can be generated during the operation of the light-emitting diode chip.
  • the emission regions can have identically formed active zones, so that the primary radiation generated in the emission regions always has the same wavelength.
  • the emission regions can be generated, for example, by structuring a contact of the LED chip. Preference is given to the contact, the
  • the emission regions may then comprise a common active layer extending through all emission regions
  • the semiconductor body of the light-emitting diode chip to separate the light-emitting diode chip into a plurality of emission regions itself is structured so that, for example, an active layer is severed.
  • each emission region of the light-emitting diode chip has a
  • Primary radiation is coupled out of the LED chip.
  • the emission surfaces are arranged, for example, in a main surface of the LED chip on its upper side.
  • the conversion elements are for absorbing at least part of the primary radiation and for re-emission of
  • the primary radiation is electromagnetic radiation from the wavelength range of blue light.
  • Conversion elements can then be provided for re-emission of yellow light as secondary radiation.
  • Primary radiation and secondary radiation can mix to white light.
  • each emission region of the light-emitting diode chip each have an emission surface, wherein each emission surface is a conversion element
  • the mixed light emitted by the two emission surfaces also differs from each other.
  • Radiation-emitting semiconductor device includes the Radiation-emitting semiconductor device, an electrical resistance element.
  • the electrical resistance element is a component which has a predeterminable, preferably adjustable electrical resistance.
  • the electrical resistance element is connected in series or in parallel with at least one of the emission regions.
  • the semiconductor device can also be several electrical
  • Emission areas can be assigned.
  • LED chips are connected in series or in parallel.
  • electrical resistance elements can be connected in parallel with the emission regions in the case of series connection, and in the case of the parallel connection electrical resistance elements can be connected in series.
  • the parallel connection of the emission regions offers the advantage of a common cathode or anode, which reduces the outlay for the production of the light-emitting diode chip of the
  • a semiconductor component is provided to emit white light, wherein, for example, blue light generated in the emission regions is at least partially wavelength-converted by the conversion elements in such a way that white light results.
  • the emission regions are preferably connected in parallel in this case, the
  • Resistor element is connected in series. It proves to be particularly advantageous if the resistance element is connected in series in front of an emission region whose Emission surface downstream of a conversion element, which converts the light generated by the emission region or the electromagnetic radiation generated by the emission region less than other existing in the semiconductor device conversion elements.
  • the conversion element is thinner or the concentration of a
  • Phosphor is smaller in this conversion element than in other conversion elements. In other words that's it
  • Resistor element connected in series to an emission region, which emits, for example, together with its conversion element, more blue light than other pairs of
  • the LED chip comprises at least two independently operable
  • the electrical resistance element is connected in series or in parallel at least one of the emission regions.
  • the LED chip further comprises at least two differently configured conversion elements. Each of the emission regions of the LED chip is in operation for
  • each emission region has an emission surface through which at least a portion of the primary radiation from the LED chip is coupled out.
  • the conversion elements are provided for absorbing at least part of the primary radiation and for re-emitting secondary radiation, wherein the differently configured conversion elements are arranged downstream of different emission surfaces.
  • LED chip with at least two emission areas, whose emission areas separate from each other
  • Conversion elements for the emission areas can be different
  • Resistive elements are set. Overall, a semiconductor device is specified in this way, in which a total emission of defined color can be set.
  • Conversion element is arranged downstream. From the associated emission surface is then in operation, for example
  • Emission surfaces may then comprise a conversion element or conversion elements that over-convert a little. That is, that radiated from these pairs of emission areas with emission areas and conversion elements
  • the electrical resistance element is a component that is spatially separated from the light-emitting diode chip.
  • the light-emitting diode chip can comprise, for each emission region, at least one contact point at which an external electrical
  • Resistance element can be connected.
  • the electrical resistance element can then, for example, a
  • the electrical resistance element may be mounted on a common carrier of
  • Such a carrier may be arranged.
  • Such a carrier may be arranged.
  • Radiation-emitting semiconductor device is the
  • the resistance element can, for example, in a carrier be integrated for the emission regions of the LED chip. Furthermore, it is possible for the resistance element to be arranged on an outer surface of the light-emitting diode chip. Both cases allow a radiation-emitting semiconductor device, which is designed to be particularly compact.
  • Radiation-emitting semiconductor device is the
  • Resistance element formed as a layer on a
  • the layer may be formed, for example, as a metal layer or as a layer of a doped semiconductor material.
  • the layer can for example be applied directly to the semiconductor body of the
  • the layer is applied to the main surface of the light-emitting diode chip, which also includes the emission surfaces of the individual emission regions. That means the layer is
  • the resistance element is arranged below the emission surfaces.
  • the resistance element can be arranged, for example, between the light-emitting diode chip and a carrier.
  • Radiation-emitting semiconductor device the layer forming the resistive element, a plurality of
  • the electrically conductive portions are for example strip-shaped and connected at least in places.
  • the portions of the layer may form a grid-like grid. At least one of the sections can be used for adjustment be severed by the resistance of the resistive element.
  • connection points of the resistive element reduced, so that the electrical resistance of the resistive element can be increased by the cutting.
  • the resistance can also be changed by providing predetermined electrically conductive partial structures
  • Conductive compounds can be applied, for example, by conductive adhesive materials or by electroplating.
  • the mixed light of the individual emission surfaces mixes for the viewer in turn to a total light.
  • the mixed light of different emission surfaces may be in terms of its color location and / or its
  • Color temperature and / or its brightness differ.
  • Radiation-emitting semiconductor device differ differently configured conversion elements with respect to their thicknesses.
  • the thickness of the conversion element is measured, for example, in a direction perpendicular to the first main surface of the LED chip runs, in which also the emission surfaces of the LED chip are.
  • conversion elements can be applied to all
  • Material removal over an emission surface - for example by grinding or sawing with stepped tools or by location-selective removal by means of etching or ablation - is adjustable.
  • Emission surfaces has different thicknesses of its layers. Alternatively, it is possible to differentiate each other on different emission surfaces
  • Conversion elements set up which are present for example in the form of ceramic plates, which may consist of a ceramic phosphor. According to at least one embodiment of the
  • At least one of the emission surfaces in the lateral direction is enclosed by at least one other emission surface of the radiation-emitting semiconductor component.
  • the lateral direction is that direction which is parallel to the first main surface of the light-emitting diode chip and which faces the emission surfaces
  • the light-emitting diode chip comprises a
  • Emission surface which is arranged centrally on the first main surface. Further emission surfaces or a further emission surface are arranged around this first emission surface. Such an arrangement of emission surfaces can contribute to a mixed light mixture of the total light of the LED chip already taking place at the chip level, so that in the far field the LED chip is uniform
  • Emission surface in the lateral direction is thus a
  • Radiation-emitting semiconductor device lead in which the total light is emitted particularly homogeneous. According to at least one embodiment of the
  • Radiation-emitting semiconductor device is at least one conductor for contacting at least one of
  • Emission regions of the LED chip disposed below at least one emission surface.
  • One of the advantages of this embodiment is that the first main surface of the light-emitting diode chip can be used particularly efficiently for coupling out electromagnetic radiation, since the emission surfaces are not covered by conductor tracks on the first
  • Light-emitting diode chips can then also be made from only one side, for example from the bottom or the top side.
  • the radiation-emitting semiconductor component described here will be explained in more detail on the basis of exemplary embodiments and the associated figures.
  • the radiation-emitting semiconductor component comprises a light-emitting diode chip 1.
  • the light-emitting diode chip 1 has two emission surfaces 21, 22.
  • the first emission surface 21 is central in a first
  • Main surface Ia arranged at the top of the LED chip 1.
  • the first emission surface 21 is at least in places in the lateral direction of the second
  • Each emission surface is a conversion element 31, 32 arranged downstream, wherein the two conversion elements differ from each other.
  • the two conversion elements differ from each other.
  • Operation of the LED chip 1 can be emitted from the emission surfaces 21, 22 forth at the same times mixed light that is made of the respective primary radiation and the
  • the radiation-emitting semiconductor device further comprises an electrical resistance element 4.
  • the electrical resistance element 4 is integrated into the LED chip by being applied to an outer surface of the light-emitting diode chip
  • the resistance element 4 is formed as a metal layer having a plurality of electrically conductive portions 41 which are arranged like a grid.
  • the metal layer consists for example of gold, nickel or
  • the resistance element 4 also has Through openings 42, which cut through some of the electrically conductive portions 41 such that in the operation of the
  • the severing of the sections 41 can be carried out, for example, by melting or thermal decomposition of the section 41. This is possible, for example, by impressing a high current or by bombardment with a laser beam.
  • the setting of the resistance of the resistance element can furthermore be carried out as follows: First, the light-emitting diode chip 1 is still in the wafer composite after a first measurement of the
  • Photoresist coated This is followed by chip-selective, ie individually for each LED chip 1, an exposure of the photoresist to the parts to be separated or connected, for example, the electrically conductive portions 41,
  • the resistance elements defined in this way are separated by etching or bonding by galvanic growth of metals or by surface coating, for example by evaporation with metals and subsequent lifting of the photoresist.
  • a film with a metallic coating can be placed over the wafer, this metallic coating is then transferred to the points to be joined of the resistive element by a laser pulse or by laser pulses to the wafer. That is, the compounds are made by laser-induced metal transfer.
  • a metal for forming the portions of the resistive element may also be a semiconductor material
  • Resistance element which is formed with a semiconductor material, can then also be done by appropriate doping - for example by ion bombardment - of the semiconductor material.
  • a resistance element can, for example, also in a carrier for the emission regions of
  • the emission regions 2a, 2b are contacted via the contact points 5a, 5b.
  • the emission regions are connected in parallel, the resistive element is connected in series with one of the emission regions. It is also possible that the other emission region is also a resistor element 4 connected in series.
  • the emission regions 2a, 2b are connected in series and a resistive element 4 is connected in parallel to one of the emission regions 2a.
  • FIGS. 2A to 2D show, in schematic plan views, further exemplary embodiments of what is described here
  • Conversion element 32 surrounded by four further emission surfaces 22, 23, 24, 25, which corresponding conversion elements 32, 33, 34, 35 are arranged downstream.
  • Radiation-emitting semiconductor device thus includes five different emission regions with different
  • an emission surface 21 with the associated conversion element 31 is of a further emission surface 22 with the associated one
  • the light-emitting diode chip 1 of the radiation-emitting semiconductor component has three
  • the light-emitting diode chip 1 of the radiation-emitting semiconductor component has two
  • the light-emitting diode chips of the radiation-emitting semiconductor component described here can be made very flexible with regard to their emission regions, the associated emission surfaces and the associated conversion elements. Several different emission surfaces can be accommodated in a relatively small space, so that even without further optical element in the far field a uniform color impression of the radiated total light, the one
  • Emission regions 2a, 2b of the LED chip 1 below the emission surfaces 21, 22 are arranged.
  • the light-emitting diode chip 1 in this exemplary embodiment comprises two emission regions 2a, 2b.
  • the emission regions 2a, 2b are provided by electrically insulating separation layers 61
  • the contact point 5a is electrically conductively connected to the conductor track 65, which extends below the emission surface 21 of the emission region 2a.
  • the contact point 5b is electrically conductively connected to the conductor track 65, which runs below the emission surface 22 of the emission region 2b.
  • the electric current is over, for example
  • the emission surfaces 21, 22 may include roughenings 63 that increase the likelihood of leakage of electromagnetic radiation.
  • the emission regions may each comprise mirrors 68, which are provided for the reflection of electromagnetic radiation toward the emission surfaces 21, 22.
  • the light-emitting diode chip 1 further comprises a carrier 67, which is connected by means of a connecting material 66 to the
  • the carrier may be formed electrically insulating. Similar contacting schemes, in which printed conductors run below emission surfaces, are explained in more detail, for example, in the document DE 10 2007 022 947 A1, the disclosure content of which is hereby expressly incorporated by reference.
  • a resistance element 4 is arranged below the emission surfaces 21, 22.
  • the resistance element 4 is arranged between the light-emitting diode chip 1 and the carrier 67.
  • the resistance element 4 is formed as a metal layer having a plurality of electrically conductive portions 41
  • the resistance element 4 has, which are arranged like a grid (see also the figure IA).
  • the resistance element 4 it is also possible for the resistance element 4 to be integrated below the light-emitting diode chip 1 in the carrier 67. In any case, the resistance element 4 is then from
  • LED chip covers and does not lead to a
  • Emission surfaces 21, 22 of the LED chip 1 is arranged.

Abstract

A radiation-emitting semiconductor component is provided, comprising: a light-emitting diode chip (1) having at least two emission regions (2a, 2b) that can be operated independently of each other, at least two differently designed conversion elements (31, 32), wherein during operation of the light-emitting diode chips (1) each of the emission regions (2a, 2b) is provided for generating electromagnetic primary radiation, each emission region (2a, 2b) has an emission surface (21, 22) by which at least part of the primary radiation is decoupled from the light-emitting diode chip (1), the conversion elements (31, 32) are provided for absorbing at least part of the primary radiation and for re-emitting secondary radiation, the differently designed conversion elements (31, 32) are disposed downstream of different emission surfaces, and an electric resistance element (4), which is connected in series or parallel to at least one of the emission regions (2a, 2b).

Description

Beschreibung description
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil Radiation-emitting Semiconductor Device There is a radiation-emitting semiconductor device
angegeben . indicated.
Die Druckschrift US 2007/0252512 Al beschreibt ein The document US 2007/0252512 Al describes a
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil . Radiation-emitting semiconductor component.
Um mit Leuchtdiodenchips mischfarbiges, insbesondere weißes Licht, zu erzeugen, können Konversionselemente im Strahlengang der vom Leuchtdiodenchip emittierten Primärstrahlung genutzt werden, um einen Teil der kurzwelligen Primärstrahlung in längerwellige Sekundärstrahlung zu konvertieren. In order to produce mixed-color, in particular white, light-emitting diode chips, conversion elements in the beam path of the primary radiation emitted by the light-emitting diode chip can be used in order to convert part of the short-wave primary radiation into longer-wave secondary radiation.
Das Intensitätsverhältnis von Primärstrahlung zu The intensity ratio of primary radiation to
Sekundärstrahlung bestimmt die Emissionsfarbe des emittierten Lichts. In der Praxis differieren zum einen die Wellenlängen der Primärstrahlung unterschiedlicher Leuchtdiodenchips - auch wenn diese gemeinsam hergestellt sind und zum Beispiel aus einem einzigen Wafer stammen - und zum anderen die optischen Dicken der Konversionselemente, so dass es zu einer Secondary radiation determines the emission color of the emitted light. In practice, on the one hand, the wavelengths of the primary radiation of different light-emitting diode chips differ - even if they are produced together and originate, for example, from a single wafer - and, on the other hand, the optical thicknesses of the conversion elements are such that they become one
unerwünschten Verteilung der resultierenden Emissionsfarbe kommt. undesirable distribution of the resulting emission color comes.
Dieses Problem könnte dadurch gelöst werden, dass aus einem genügend großen Produktionsvolumen durch Messung von This problem could be solved by measuring a sufficiently large volume of production by measuring
Leuchtdiodenchips mit Emissionsfarben innerhalb bestimmter gewünschter Grenzen Leuchtdiodenchips sortiert werden (so genanntes Binning) . Der dabei resultierende Ausschuss, der nicht verwertbar ist, führt dazu, dass dieses Verfahren nur eingeschränkt wirtschaftlich betrieben werden kann. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein LED chips with emission colors within certain desired limits LED chips are sorted (so-called binning). The resulting rejects, which can not be recycled, mean that this process can only be operated to a limited extent economically. One problem to be solved is to
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil anzugeben, bei dem die Farbe des emittierten Lichts eingestellt werden kann.  Specify radiation-emitting semiconductor device, in which the color of the emitted light can be adjusted.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das Radiation-emitting semiconductor device includes the
Halbleiterbauteil einen Leuchtdiodenchip. Der Leuchtdiodenchip umfasst zumindest zwei unabhängig voneinander betreibbare Emissionsbereiche. Semiconductor component a LED chip. The LED chip comprises at least two independently operable emission regions.
Das heißt, der Leuchtdiodenchip ist in zumindest zwei That is, the LED chip is in at least two
Emissionsbereiche separiert, die unabhängig voneinander betrieben werden können. In den Emissionsbereichen kann zu gleichen oder zu unterschiedlichen Zeiten elektromagnetische Strahlung erzeugt werden. Ferner können die Emissionsbereiche mit unterschiedlicher Stromstärke bestromt werden, so dass von den Emissionsbereichen elektromagnetische Strahlung mit voneinander unterschiedlicher Intensität erzeugt werden kann. Emission areas separated, which can be operated independently. In the emission areas electromagnetic radiation can be generated at the same or at different times. Furthermore, the emission regions can be energized with different current intensity, so that electromagnetic radiation with mutually different intensities can be generated by the emission regions.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst der Radiation-emitting semiconductor device includes the
Leuchtdiodenchip zumindest zwei unterschiedlich ausgestaltete Konversionselemente. „Unterschiedlich ausgestaltet" bedeutet dabei, dass die Konversionselemente, wenn sie mit LED chip at least two differently configured conversion elements. "Differently designed" means that the conversion elements, if they are with
elektromagnetischer Strahlung derselben Wellenlänge und derselben Intensität durchstrahlt werden, voneinander Electromagnetic radiation of the same wavelength and the same intensity are irradiated from each other
unterschiedliche Sekundärstrahlung emittieren. Beispielsweise können sich die Konversionselemente hinsichtlich ihrer geometrischen Abmessungen, wie beispielsweise ihrer Dicke, und/oder ihrer Zusammensetzung voneinander unterscheiden. emit different secondary radiation. For example, the conversion elements may differ from each other in terms of their geometric dimensions, such as their thickness, and / or their composition.
Beispielsweise kann ein erstes Konversionselement einen ersten Leuchtstoff enthalten, während das zweite Konversionselement einen zweiten Leuchtstoff enthält. Auch kann sich die For example, a first conversion element may contain a first phosphor, while the second conversion element contains a second phosphor. Also, the
Konzentration der Leuchtstoffe unterschiedlicher Concentration of the phosphors different
Konversionselemente unterscheiden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist jeder der Emissionsbereiche des Leuchtdiodenchips im Distinguish conversion elements. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, each of the emission regions of the light-emitting diode chip is in
Betrieb zur Erzeugung von elektromagnetischer Primärstrahlung vorgesehen. Die Emissionsbereiche können beispielsweise jeweils eine aktive Zone aufweisen, in der im Betrieb des Leuchtdiodenchips elektromagnetische Strahlung erzeugt werden kann. Die Emissionsbereiche können gleichartig gebildete aktive Zonen aufweisen, so dass die in den Emissionsbereichen erzeugte Primärstrahlung jeweils die gleiche Wellenlänge aufweist . Operation for generating electromagnetic primary radiation provided. For example, the emission regions can each have an active zone in which electromagnetic radiation can be generated during the operation of the light-emitting diode chip. The emission regions can have identically formed active zones, so that the primary radiation generated in the emission regions always has the same wavelength.
Die Erzeugung der Emissionsbereiche kann beispielsweise durch die Strukturierung eines Kontaktes des Leuchtdiodenchips erfolgen. Bevorzugt wird dabei der Kontakt, der die The emission regions can be generated, for example, by structuring a contact of the LED chip. Preference is given to the contact, the
schlechtere Querleitfähigkeit aufweist, strukturiert. Die Emissionsbereiche können dann eine gemeinsame aktive Schicht umfassen, die sich durch sämtliche Emissionsbereiche has poorer transverse conductivity, structured. The emission regions may then comprise a common active layer extending through all emission regions
erstreckt, so dass die aktiven Zonen der Emissionsbereiche gleichartig aufgebaut sind. Die Strukturierung des Kontakts kann durch vollständige extends, so that the active zones of the emission regions are of similar construction. The structuring of the contact can be complete
Abwesenheit des Kontaktes an den Stellen zwischen den Absence of contact at the places between the
Emissionsbereichen realisiert sein. Ferner ist es möglich, dass zwischen den Emissionsbereichen Stellen mit hohem Emission areas be realized. It is also possible that between the emission areas places with high
Kontaktwiderstand vorhanden sind, die zu einer elektrischen Entkoppelung der Emissionsbereiche führen. Ferner ist es möglich, dass zur Separierung des Leuchtdiodenchips in mehrere Emissionsbereiche der Halbleiterkörper des Leuchtdiodenchips selbst strukturiert ist, so dass beispielsweise eine aktive Schicht durchtrennt ist. Contact resistance are present, which lead to an electrical decoupling of the emission areas. Furthermore, it is possible for the semiconductor body of the light-emitting diode chip to separate the light-emitting diode chip into a plurality of emission regions itself is structured so that, for example, an active layer is severed.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils weist jeder Emissionsbereich des Leuchtdiodenchips eine In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, each emission region of the light-emitting diode chip has a
Emissionsfläche auf, durch welche zumindest ein Teil der Emission surface through which at least a portion of
Primärstrahlung aus dem Leuchtdiodenchip ausgekoppelt wird. Die Emissionsflächen sind beispielsweise in einer Hauptfläche des Leuchtdiodenchips an seiner Oberseite angeordnet. Primary radiation is coupled out of the LED chip. The emission surfaces are arranged, for example, in a main surface of the LED chip on its upper side.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils sind die Konversionselemente zur Absorption zumindest eines Teils der Primärstrahlung und zur Re-Emission von In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, the conversion elements are for absorbing at least part of the primary radiation and for re-emission of
Sekundärstrahlung vorgesehen. Beispielsweise handelt es sich bei der Primärstrahlung um elektromagnetische Strahlung aus dem Wellenlängenbereich von blauem Licht. Die Secondary radiation provided. By way of example, the primary radiation is electromagnetic radiation from the wavelength range of blue light. The
Konversionselemente können dann zur Re-Emission von gelbem Licht als Sekundärstrahlung vorgesehen sein. Primärstrahlung und Sekundärstrahlung können sich zu weißem Licht mischen. Conversion elements can then be provided for re-emission of yellow light as secondary radiation. Primary radiation and secondary radiation can mix to white light.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils sind unterschiedlich ausgestaltete Konversionselemente According to at least one embodiment of the semiconductor device are differently configured conversion elements
unterschiedlichen Emissionsflächen des Leuchtdiodenchips nachgeordnet. Das heißt, zumindest zwei der Emissionsbereiche des Leuchtdiodenchips weisen jeweils eine Emissionsfläche auf, wobei jeder Emissionsfläche ein Konversionselement downstream of different emission surfaces of the LED chip. That is, at least two of the emission regions of the light-emitting diode chip each have an emission surface, wherein each emission surface is a conversion element
nachgeordnet ist und sich die Konversionselemente in ihrer Ausgestaltung voneinander unterscheiden. Auf diese Weise unterscheidet sich auch das von den beiden Emissionsflächen her emittierte Mischlicht voneinander. is downstream and the conversion elements differ in their design from each other. In this way, the mixed light emitted by the two emission surfaces also differs from each other.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil ein elektrisches Widerstandselement. Bei dem elektrischen Widerstandselement handelt es sich um ein Bauelement, das einen vorgebbaren, bevorzugt einstellbaren elektrischen Widerstand aufweist. Das elektrische Widerstandselement ist zumindest zu einem der Emissionsbereiche in Reihe oder parallel geschaltet. Das Halbleiterbauteil kann dabei auch mehrere elektrische Radiation-emitting semiconductor device includes the Radiation-emitting semiconductor device, an electrical resistance element. The electrical resistance element is a component which has a predeterminable, preferably adjustable electrical resistance. The electrical resistance element is connected in series or in parallel with at least one of the emission regions. The semiconductor device can also be several electrical
Widerstandselemente aufweisen, welche unterschiedlichen Have resistive elements, which are different
Emissionsbereichen zugeordnet sein können. Emission areas can be assigned.
Beispielsweise können die Emissionsbereiche des For example, the emission ranges of the
Leuchtdiodenchips in Reihe oder parallel verschaltet werden. Um das Intensitätsverhältnis der von den Emissionsbereichen emittierten Primärstrahlung einstellen zu können, können im Falle der Reihenschaltung elektrische Widerstandselemente parallel zu den Emissionsbereichen geschaltet werden und im Falle der Parallelschaltung können den Emissionsbereichen elektrische Widerstandselemente in Reihe geschaltet werden. Die Parallelschaltung der Emissionsbereiche bietet dabei den Vorteil einer gemeinsamen Kathode oder Anode, was den Aufwand für die Herstellung des Leuchtdiodenchips des LED chips are connected in series or in parallel. In order to be able to set the intensity ratio of the primary radiation emitted by the emission regions, electrical resistance elements can be connected in parallel with the emission regions in the case of series connection, and in the case of the parallel connection electrical resistance elements can be connected in series. The parallel connection of the emission regions offers the advantage of a common cathode or anode, which reduces the outlay for the production of the light-emitting diode chip of the
Halbleiterbauteils reduzieren kann. Can reduce semiconductor device.
Beispielsweise ist das Strahlungsemittierende For example, the radiation-emitting
Halbleiterbauteil im Betrieb dazu vorgesehen, weißes Licht abzustrahlen, wobei in den Emissionsbereichen erzeugtes, beispielsweise blaues Licht von den Konversionselementen zumindest teilweise derart wellenlängenkonvertiert wird, dass weißes Licht resultiert. Die Emissionsbereiche werden in diesem Fall bevorzugt parallel zueinander geschaltet, dasDuring operation, a semiconductor component is provided to emit white light, wherein, for example, blue light generated in the emission regions is at least partially wavelength-converted by the conversion elements in such a way that white light results. The emission regions are preferably connected in parallel in this case, the
Widerstandselement wird in Reihe geschaltet. Dabei erweist es sich als besonders vorteilhaft, wenn das Widerstandselement vor einen Emissionsbereich in Reihe geschaltet ist, dessen Emissionsfläche ein Konversionselement nachgeordnet ist, welches das vom Emissionsbereich erzeugte Licht oder die vom Emissionsbereich erzeugte elektromagnetische Strahlung weniger stark konvertiert als andere im Halbleiterbauteil vorhandene Konversionselemente. Beispielsweise ist das Konversionselement dazu dünner ausgebildet oder die Konzentration eines Resistor element is connected in series. It proves to be particularly advantageous if the resistance element is connected in series in front of an emission region whose Emission surface downstream of a conversion element, which converts the light generated by the emission region or the electromagnetic radiation generated by the emission region less than other existing in the semiconductor device conversion elements. For example, the conversion element is thinner or the concentration of a
Leuchtstoffs ist in diesem Konversionselement kleiner als in anderen Konversionselementen. Mit anderen Worten ist das Phosphor is smaller in this conversion element than in other conversion elements. In other words that's it
Widerstandselement einem Emissionsbereich in Reihe geschaltet, der zusammen mit seinem Konversionselement zum Beispiel blaueres Licht emittiert als andere Paare von Resistor element connected in series to an emission region, which emits, for example, together with its conversion element, more blue light than other pairs of
Emissionsbereichen und Konversionselementen oder als alle anderen Paare von Emissionsbereichen und Konversionselementen des Halbleiterbauteils. Es hat sich nun gezeigt, dass durch diese Maßnahme wenigstens zum Teil die Effizienzänderung des Konversionselements mit steigender Temperatur kompensiert werden kann. Ferner führt diese Maßnahme beim Dimmen des Emission regions and conversion elements or as all other pairs of emission regions and conversion elements of the semiconductor device. It has now been shown that this measure at least partially compensates for the change in efficiency of the conversion element with increasing temperature. Furthermore, this measure results in dimming the
Bauteils zu einer Verschiebung der Farbtemperatur in Richtung Warmweiß, was vom Benutzer des Halbleiterbauteils als angenehm empfunden wird. Component to a shift in the color temperature towards warm white, which is perceived by the user of the semiconductor device as pleasant.
Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil It becomes a radiation-emitting semiconductor device
angegeben, das einen Leuchtdiodenchip und ein elektrisches Widerstandselement aufweist. Der Leuchtdiodenchip umfasst zumindest zwei unabhängig voneinander betreibbare specified, which has a LED chip and an electrical resistance element. The LED chip comprises at least two independently operable
Emissionsbereiche, das elektrische Widerstandselement ist zumindest einem der Emissionsbereiche in Reihe oder parallel geschaltet. Der Leuchtdiodenchip umfasst ferner zumindest zwei unterschiedlich ausgestaltete Konversionselemente. Jeder der Emissionsbereiche des Leuchtdiodenchips ist im Betrieb zur Emission regions, the electrical resistance element is connected in series or in parallel at least one of the emission regions. The LED chip further comprises at least two differently configured conversion elements. Each of the emission regions of the LED chip is in operation for
Erzeugung von elektromagnetischer Primärstrahlung vorgesehen und jeder Emissionsbereich weist eine Emissionsfläche auf, durch welche zumindest ein Teil der Primärstrahlung aus dem Leuchtdiodenchip ausgekoppelt wird. Die Konversionselemente sind zur Absorption zumindest eines Teils der Primärstrahlung und zur Re-Emission von Sekundärstrahlung vorgesehen, wobei die unterschiedlich ausgestalteten Konversionselemente unterschiedlichen Emissionsflächen nachgeordnet sind. Generating electromagnetic primary radiation provided and each emission region has an emission surface through which at least a portion of the primary radiation from the LED chip is coupled out. The conversion elements are provided for absorbing at least part of the primary radiation and for re-emitting secondary radiation, wherein the differently configured conversion elements are arranged downstream of different emission surfaces.
Es wird also gemäß zumindest einer Ausführungsform ein It is thus according to at least one embodiment
Halbleiterbauteil angegeben, das einen segmentierten Semiconductor device specified, which has a segmented
Leuchtdiodenchip mit zumindest zwei Emissionsbereichen umfasst, dessen Emissionsbereiche separat voneinander LED chip with at least two emission areas, whose emission areas separate from each other
elektrisch ansteuerbar sind. Konversionselemente für die Emissionsbereiche können unterschiedliche are electrically controlled. Conversion elements for the emission areas can be different
Emissionswellenlängen und/oder unterschiedliche Emission wavelengths and / or different
Emissionsintensitäten aufweisen. Entsprechend einer ersten Messung können die Intensitäten der in den Emissionsbereichen erzeugten Primärstrahlung mittels des elektrischen Have emission intensities. According to a first measurement, the intensities of the primary radiation generated in the emission regions by means of the electric
Widerstandselements eingestellt werden. Insgesamt ist auf diese Weise ein Halbleiterbauteil angegeben, bei dem eine Gesamtemission definierter Farbe eingestellt werden kann. Resistive elements are set. Overall, a semiconductor device is specified in this way, in which a total emission of defined color can be set.
Dabei ist es insbesondere auch möglich, dass zumindest einer Emissionsfläche eines Emissionsbereichs kein In this case, it is also possible, in particular, for at least one emission surface of an emission region not to be present
Konversionselement nachgeordnet ist. Von der zugeordneten Emissionsfläche wird im Betrieb dann beispielsweise Conversion element is arranged downstream. From the associated emission surface is then in operation, for example
unkonvertiertes, zum Beispiel blaues Licht abgestrahlt. Die verbleibende Emissionsfläche oder die verbleibenden unconverted, for example, blue light emitted. The remaining emission area or the remaining
Emissionsflächen können dann ein Konversionselement oder Konversionselemente umfassen, die ein wenig überkonvertieren. Das heißt, das von diesen Paaren von Emissionsbereichen mit Emissionsflächen und Konversionselementen abgestrahlte Emission surfaces may then comprise a conversion element or conversion elements that over-convert a little. That is, that radiated from these pairs of emission areas with emission areas and conversion elements
Mischlicht ist leicht in Richtung der Farbe des vom Mixed light is slightly towards the color of the
Konversionselement abgestrahlten Lichts verschoben. Auf diese Weise kann einerseits mit einer kleinen Widerstandsänderung eine große Farbänderung erreicht werden und andererseits kann mit hohen Widerstandswerten für den Serienwiderstand Conversion element emitted light shifted. In this way, on the one hand, with a small resistance change a large color change can be achieved and on the other hand can with high resistance values for the series resistance
gearbeitet werden, was zu einer verbesserten Effizienz des Halbleiterbauteils führt. be worked, resulting in an improved efficiency of the semiconductor device.
Beim vorliegenden Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil ist es gemäß zumindest einer Ausführungsform möglich, dass das elektrische Widerstandselement ein Bauelement ist, das vom Leuchtdiodenchip räumlich getrennt ist. Beispielsweise kann der Leuchtdiodenchip für jeden Emissionsbereich zumindest eine Kontaktstelle umfassen, an der ein externes elektrisches In the case of the present radiation-emitting semiconductor component, it is possible according to at least one embodiment that the electrical resistance element is a component that is spatially separated from the light-emitting diode chip. For example, the light-emitting diode chip can comprise, for each emission region, at least one contact point at which an external electrical
Widerstandselement angeschlossen werden kann. Das elektrische Widerstandselement kann dann beispielsweise einen Resistance element can be connected. The electrical resistance element can then, for example, a
einstellbaren Widerstand aufweisen, so dass das have adjustable resistance, so that the
Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil eine farblich Radiation-emitting semiconductor component a color
durchstimmbare Lichtquelle darstellt. represents tunable light source.
Beispielsweise kann das elektrische Widerstandselement in dieser Ausführungsform auf einem gemeinsamen Träger von For example, in this embodiment, the electrical resistance element may be mounted on a common carrier of
Leuchtdiodenchip und elektrischem Widerstandselement LED chip and electrical resistance element
angeordnet sein. Bei einem solchen Träger kann es sich be arranged. Such a carrier may be
beispielsweise um eine Leiterplatte handeln, auf der auch weitere elektronische Bauelemente, wie zum Beispiel eine elektronische Speichereinheit, angeordnet sind. Mittels der Speichereinheit können verschiedene Ansteuerungsmuster und Intensitätsverhältnisse für die von den Emissionsbereichen erzeugte Primärstrahlung gespeichert und für den Betrieb des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils abrufbar sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des For example, to act on a circuit board on which other electronic components, such as an electronic storage unit, are arranged. By means of the memory unit, different activation patterns and intensity ratios for the primary radiation generated by the emission regions can be stored and retrievable for the operation of the radiation-emitting semiconductor component. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist das  Radiation-emitting semiconductor device is the
Widerstandselement in den Leuchtdiodenchip integriert. Das Widerstandselement kann dazu beispielsweise in einen Träger für die Emissionsbereiche des Leuchtdiodenchips integriert sein. Ferner ist es möglich, dass das Widerstandselement auf einer Außenfläche des Leuchtdiodenchips angeordnet ist. Beide Fälle erlauben ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, das besonders kompakt aufgebaut ist. Resistor element integrated in the LED chip. The resistance element can, for example, in a carrier be integrated for the emission regions of the LED chip. Furthermore, it is possible for the resistance element to be arranged on an outer surface of the light-emitting diode chip. Both cases allow a radiation-emitting semiconductor device, which is designed to be particularly compact.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist das Radiation-emitting semiconductor device is the
Widerstandselement als Schicht ausgebildet, die auf eine Resistance element formed as a layer on a
Außenfläche des Leuchtdiodenchips aufgebracht ist. Die Schicht kann zum Beispiel als Metallschicht oder als Schicht aus einem dotierten Halbleitermaterial ausgebildet sein. Die Schicht kann beispielsweise direkt auf den Halbleiterkörper des Outside surface of the LED chip is applied. The layer may be formed, for example, as a metal layer or as a layer of a doped semiconductor material. The layer can for example be applied directly to the semiconductor body of the
Leuchtdiodenchips aufgebracht sein. Beispielsweise ist die Schicht auf diejenige Hauptfläche des Leuchtdiodenchips aufgebracht, welche auch die Emissionsflächen der einzelnen Emissionsbereiche umfasst. Das heißt die Schicht ist Be applied LED chips. By way of example, the layer is applied to the main surface of the light-emitting diode chip, which also includes the emission surfaces of the individual emission regions. That means the layer is
beispielsweise an der Oberseite des Leuchtdiodenchips auf diesem angeordnet. for example, arranged on the top of the LED chip on this.
Ferner ist es möglich, dass das Widerstandselement unterhalb den Emissionsflächen angeordnet ist. Das Widerstandselement kann zum Beispiel zwischen dem Leuchtdiodenchip und einem Träger angeordnet sein. Furthermore, it is possible that the resistance element is arranged below the emission surfaces. The resistance element can be arranged, for example, between the light-emitting diode chip and a carrier.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils weist die Schicht, die das Widerstandselement bildet, eine Vielzahl von  Radiation-emitting semiconductor device, the layer forming the resistive element, a plurality of
elektrisch leitenden Abschnitten auf. Die elektrisch leitenden Abschnitte sind beispielsweise streifenförmig ausgebildet und zumindest stellenweise miteinander verbunden. Beispielsweise können die Abschnitte der Schicht ein netzartiges Gitter bilden. Zumindest einer der Abschnitte kann zur Einstellung des Widerstands des Widerstandselements durchtrennt sein. electrically conductive sections. The electrically conductive portions are for example strip-shaped and connected at least in places. For example, the portions of the layer may form a grid-like grid. At least one of the sections can be used for adjustment be severed by the resistance of the resistive element.
Durch diesen Abschnitt kann im Betrieb des Leuchtdiodenchips dann kein Strom fließen. Durch die Durchtrennung zumindest eines der elektrisch leitenden Abschnitte wird die Anzahl der elektrisch leitenden Verbindungen zwischen zwei Through this section, no current can then flow during operation of the LED chip. By severing at least one of the electrically conductive sections, the number of electrically conductive connections between two
Anschlussstellen des Widerstandselements reduziert, so dass sich der elektrische Widerstand des Widerstandselements durch das Durchtrennen vergrößern lässt. Alternativ kann der Widerstand auch dadurch verändert werden, dass vorgegebene elektrisch leitfähige Teilstrukturen  Connection points of the resistive element reduced, so that the electrical resistance of the resistive element can be increased by the cutting. Alternatively, the resistance can also be changed by providing predetermined electrically conductive partial structures
zumindest teilweise miteinander verbunden werden. Die at least partially interconnected. The
leitfähigen Verbindungen können zum Beispiel durch leitfähige Klebematerialien oder galvanisch aufgebracht werden. Conductive compounds can be applied, for example, by conductive adhesive materials or by electroplating.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist jeder Radiation-emitting semiconductor device is each
Emissionsfläche des Leuchtdiodenchips ein Konversionselement nachgeordnet, wobei sich die Primärstrahlung und die Emission surface of the LED chip downstream of a conversion element, wherein the primary radiation and the
Sekundärstrahlung jeweils zu weißem Mischlicht mischen. Das heißt, in dieser Ausführungsform emittiert der Mix secondary radiation to white mixed light. That is, in this embodiment, the emits
Leuchtdiodenchip von jeder Emissionsfläche her weißes LED chip from each emission surface white
Mischlicht. Das Mischlicht der einzelnen Emissionsflächen mischt sich für den Betrachter wiederum zu einem Gesamtlicht. Das Mischlicht unterschiedlicher Emissionsflächen kann sich dabei hinsichtlich seines Farbortes und/oder seiner Mixed light. The mixed light of the individual emission surfaces mixes for the viewer in turn to a total light. The mixed light of different emission surfaces may be in terms of its color location and / or its
Farbtemperatur und/oder seiner Helligkeit unterscheiden. Color temperature and / or its brightness differ.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils unterscheiden sich unterschiedlich ausgestaltete Konversionselemente hinsichtlich ihrer Dicken. Die Dicke des Konversionselements wird dabei beispielsweise in einer Richtung gemessen, die senkrecht zur ersten Hauptfläche des Leuchtdiodenchips verläuft, in welcher sich auch die Emissionsflächen des Leuchtdiodenchips befinden. Zur Herstellung der unterschiedlich ausgestalteten Radiation-emitting semiconductor device differ differently configured conversion elements with respect to their thicknesses. The thickness of the conversion element is measured, for example, in a direction perpendicular to the first main surface of the LED chip runs, in which also the emission surfaces of the LED chip are. For the production of differently designed
Konversionselemente kann beispielsweise auf alle For example, conversion elements can be applied to all
Emissionsflächen dasselbe Konversionselement aufgebracht werden, wobei die Dicke des Konversionselements zum Beispiel durch Spritzgießen in gestuften Formen oder durch Emission surfaces the same conversion element are applied, wherein the thickness of the conversion element, for example, by injection molding in stepped shapes or by
Materialabtrag über einer Emissionsfläche - zum Beispiel durch Schleifen oder Sägen mit gestuften Werkzeugen oder durch ortsselektives Abtragen mittels Ätzen oder Ablatieren - einstellbar ist. Material removal over an emission surface - for example by grinding or sawing with stepped tools or by location-selective removal by means of etching or ablation - is adjustable.
Alternativ oder zusätzlich zur Verwendung von Alternatively or in addition to the use of
Konversionselementen mit unterschiedlichen Dicken ist es auch möglich, dass Konversionselemente unterschiedlicher Conversion elements with different thicknesses, it is also possible that conversion elements different
Materialzusammensetzung zum Einsatz kommen. Ferner ist die Verwendung von mehrlagigen Konversionselementen möglich, wobei zum Beispiel unterschiedliche Lagen des Konversionselements unterschiedliche Leuchtstoffe umfassen können. Auch bei solchen Konversionselementen kann eine Einstellung des  Material composition are used. Furthermore, the use of multilayer conversion elements is possible, wherein, for example, different layers of the conversion element may comprise different phosphors. Even with such conversion elements can be a setting of
Farborts des resultierenden Mischlichts durch die Einstellung der Dicke der einzelnen Lagen des Konversionselements  Color locus of the resulting mixed light by adjusting the thickness of the individual layers of the conversion element
erfolgen. Beispielsweise kann es sich dann bei dem respectively. For example, it may be at the
Konversionselement um ein zusammenlaminiertes, mehrschichtiges Konversionselement handeln, das über unterschiedlichen Conversion element to a zusammenlaminiertes, multi-layer conversion element, the on different
Emissionsflächen unterschiedliche Dicken seiner Schichten aufweist. Alternativ ist es möglich, auf unterschiedliche Emissionsflächen voneinander unterschiedliche  Emission surfaces has different thicknesses of its layers. Alternatively, it is possible to differentiate each other on different emission surfaces
Konversionselemente aufzusetzen, die beispielsweise in Form von Keramik-Plättchen vorliegen, die aus einem keramischen Leuchtstoff bestehen können. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Conversion elements set up, which are present for example in the form of ceramic plates, which may consist of a ceramic phosphor. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist zumindest eine der Emissionsflächen in lateraler Richtung von zumindest einer anderen Emissionsfläche umschlossen. Die laterale Richtung ist dabei diejenige Richtung, die parallel zur ersten Hauptfläche des Leuchtdiodenchips, welche auf die Emissionsflächen  At least one of the emission surfaces in the lateral direction is enclosed by at least one other emission surface of the radiation-emitting semiconductor component. The lateral direction is that direction which is parallel to the first main surface of the light-emitting diode chip and which faces the emission surfaces
umfasst, verläuft. includes, runs.
Beispielsweise umfasst der Leuchtdiodenchip eine For example, the light-emitting diode chip comprises a
Emissionsfläche, die zentral auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist. Weitere Emissionsflächen oder eine weitere Emissionsfläche sind um diese erste Emissionsfläche herum angeordnet. Eine solche Anordnung von Emissionsflächen kann dazu beitragen, dass eine Mischlichtmischung des Gesamtlichtes des Leuchtdiodenchips bereits auf Chipebene stattfindet, so dass im Fernfeld der Leuchtdiodenchip als einheitlich Emission surface, which is arranged centrally on the first main surface. Further emission surfaces or a further emission surface are arranged around this first emission surface. Such an arrangement of emission surfaces can contribute to a mixed light mixture of the total light of the LED chip already taking place at the chip level, so that in the far field the LED chip is uniform
emittierend erscheint. Auf zusätzliche optische Elemente zur Lichtmischung wie beispielsweise diffus streuende Scheiben kann dann verzichtet werden. Durch das Umschließen zumindest einer Emissionsfläche durch wenigstens eine andere appears emitting. On additional optical elements for light mixing such as diffuse scattering discs can be omitted. By enclosing at least one emission surface by at least one other
Emissionsfläche in lateraler Richtung ist also ein Emission surface in the lateral direction is thus a
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil realisiert, bei dem das Gesamtlicht homogener abgestrahlt wird, als dies Radiation-emitting semiconductor device realized in which the total light is emitted more homogeneously than this
beispielsweise bei der Anordnung von Emissionsflächen entlang einer geraden Linie der Fall wäre. For example, in the arrangement of emission surfaces along a straight line would be the case.
Auch eine streifenförmige Anordnung der einzelnen Also a strip-shaped arrangement of the individual
Emissionsflächen, bei der die Emissionsflächen jeweils als Streifen ausgebildet sind, die zum Beispiel parallel Emission surfaces in which the emission surfaces are each formed as strips, for example, parallel
zueinander angeordnet sind, kann zu einem can be arranged to one another
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil führen, bei dem das Gesamtlicht besonders homogen abgestrahlt wird. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Radiation-emitting semiconductor device lead, in which the total light is emitted particularly homogeneous. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist zumindest eine Leiterbahn zur Kontaktierung zumindest eines der  Radiation-emitting semiconductor device is at least one conductor for contacting at least one of
Emissionsbereiche des Leuchtdiodenchips unterhalb zumindest einer Emissionsfläche angeordnet. Diese Ausführungsform hat unter anderem den Vorteil, dass die erste Hauptfläche des Leuchtdiodenchips besonders effizient zur Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung genutzt werden kann, da die Emissionsflächen nicht durch Leiterbahnen auf der ersten Emission regions of the LED chip disposed below at least one emission surface. One of the advantages of this embodiment is that the first main surface of the light-emitting diode chip can be used particularly efficiently for coupling out electromagnetic radiation, since the emission surfaces are not covered by conductor tracks on the first
Hauptfläche reduziert werden. Eine Kontaktierung des Main area can be reduced. A contact of the
Leuchtdiodenchips kann dann auch von nur einer Seite her, beispielsweise von der Unterseite oder der Oberseite her, erfolgen . Im Folgenden wird das hier beschriebene Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.  Light-emitting diode chips can then also be made from only one side, for example from the bottom or the top side. In the following, the radiation-emitting semiconductor component described here will be explained in more detail on the basis of exemplary embodiments and the associated figures.
Anhand der schematischen Darstellung der Figuren IA, IB, IC, 2A, 2B, 2C, 2D und 3 sind verschiedene Ausführungsbeispiele des hier beschriebenen Strahlungsemittierenden With reference to the schematic representation of Figures IA, IB, IC, 2A, 2B, 2C, 2D and 3 are various embodiments of the radiation emitting described here
Halbleiterbauteils näher beschrieben. Semiconductor device described in more detail.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures and the proportions of the elements shown in the figures with each other are not to scale
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Die Figur IA zeigt ein hier beschriebenes consider. Rather, individual elements may be exaggerated in size for better representability and / or better understanding. The figure IA shows a described here
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil in einer Radiation-emitting semiconductor device in one
schematischen Draufsicht. Das Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil umfasst einen Leuchtdiodenchip 1. Der Leuchtdiodenchip 1 weist in diesem Ausführungsbeispiel zwei Emissionsflächen 21, 22 auf. Die erste Emissionsfläche 21 ist zentral in einer ersten schematic plan view. The radiation-emitting semiconductor component comprises a light-emitting diode chip 1. In this embodiment, the light-emitting diode chip 1 has two emission surfaces 21, 22. The first emission surface 21 is central in a first
Hauptfläche Ia an der Oberseite des Leuchtdiodenchips 1 angeordnet. Die erste Emissionsfläche 21 wird in lateraler Richtung zumindest stellenweise von der zweiten Main surface Ia arranged at the top of the LED chip 1. The first emission surface 21 is at least in places in the lateral direction of the second
Emissionsfläche 22 umschlossen. Emission area 22 enclosed.
Jeder Emissionsfläche ist ein Konversionselement 31, 32 nachgeordnet, wobei sich die beiden Konversionselemente voneinander unterscheiden. Beispielsweise sind die Each emission surface is a conversion element 31, 32 arranged downstream, wherein the two conversion elements differ from each other. For example, the
Konversionselemente unterschiedlich dick ausgebildet. Im Conversion elements formed differently thick. in the
Betrieb des Leuchtdiodenchips 1 kann von den Emissionsflächen 21, 22 her zu gleichen Zeiten Mischlicht emittiert werden, dass sich aus der jeweiligen Primärstrahlung und der Operation of the LED chip 1 can be emitted from the emission surfaces 21, 22 forth at the same times mixed light that is made of the respective primary radiation and the
jeweiligen Sekundärstrahlung zusammensetzt. composed of respective secondary radiation.
Das Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil umfasst ferner ein elektrisches Widerstandselement 4. Vorliegend ist das elektrische Widerstandselement 4 in den Leuchtdiodenchip integriert, indem es auf eine Außenfläche des The radiation-emitting semiconductor device further comprises an electrical resistance element 4. In the present case, the electrical resistance element 4 is integrated into the LED chip by being applied to an outer surface of the light-emitting diode chip
Leuchtdiodenchips, nämlich der ersten Hauptfläche Ia, LED chips, namely the first main surface Ia,
angeordnet ist. Das Widerstandselement 4 ist als Metallschicht ausgebildet, welche eine Vielzahl von elektrisch leitenden Abschnitten 41 aufweist, die gitterartig angeordnet sind. Die Metallschicht besteht zum Beispiel aus Gold, Nickel oder is arranged. The resistance element 4 is formed as a metal layer having a plurality of electrically conductive portions 41 which are arranged like a grid. The metal layer consists for example of gold, nickel or
Platin, das auf den Halbleiterkörper des Leuchtdiodenchips 1 abgeschieden ist. Das Widerstandselement 4 weist ferner Durchtrennungen 42 auf, welche manche der elektrisch leitenden Abschnitte 41 derart durchtrennen, dass im Betrieb des Platinum, which is deposited on the semiconductor body of the LED chip 1. The resistance element 4 also has Through openings 42, which cut through some of the electrically conductive portions 41 such that in the operation of the
Leuchtdiodenchips durch diese Abschnitte kein Strom fließt. Das Durchtrennen der Abschnitte 41 kann beispielsweise durch Aufschmelzen oder thermische Zersetzung des Abschnittes 41 erfolgen. Dies ist zum Beispiel durch das Einprägen eines hohen Stroms oder durch Beschuss mit Laserstrahl möglich. LED chips through these sections no current flows. The severing of the sections 41 can be carried out, for example, by melting or thermal decomposition of the section 41. This is possible, for example, by impressing a high current or by bombardment with a laser beam.
Das Einstellen des Widerstands des Widerstandselements kann ferner wie folgt erfolgen: Zunächst wird der Leuchtdiodenchip 1 noch im Waferverbund nach einer ersten Messung des The setting of the resistance of the resistance element can furthermore be carried out as follows: First, the light-emitting diode chip 1 is still in the wafer composite after a first measurement of the
Halbleiterchips mit Fotolack beschichtet. Bevorzugt werden dabei sämtliche Leuchtdiodenchips 1 im Waferverbund mit Semiconductor chips coated with photoresist. In this case, all light-emitting diode chips 1 in the wafer composite are preferred
Fotolack beschichtet. Danach erfolgt chipselektiv, also individuell für jeden Leuchtdiodenchip 1, eine Belichtung des Fotolacks an den zu trennenden oder verbindenden Stellen zum Beispiel der elektrisch leitenden Abschnitte 41, Photoresist coated. This is followed by chip-selective, ie individually for each LED chip 1, an exposure of the photoresist to the parts to be separated or connected, for example, the electrically conductive portions 41,
beispielsweise mittels Laserdirektschreibens. Nachfolgend erfolgt ein Trennen der derart definierten Widerstandselemente durch Ätzen oder ein Verbinden durch galvanisches Aufwachsen von Metallen oder durch flächiges Beschichten beispielsweise mittels Verdampfen mit Metallen und anschließendes Abheben des Fotolacks . In einem alternativen Verfahren kann über den Wafer eine Folie mit einer metallischen Beschichtung gelegt werden, diese metallische Beschichtung wird dann an den zu verbindenden Stellen des Widerstandselements durch einen Laserpuls oder durch Laserpulse auf den Wafer übertragen. Das heißt, die Verbindungen werden mittels Laser-induzierten Metalltransfers hergestellt . Alternativ zu einem Metall zur Bildung der Abschnitte des Widerstandselements kann auch ein Halbleitermaterial for example by means of laser direct writing. Subsequently, the resistance elements defined in this way are separated by etching or bonding by galvanic growth of metals or by surface coating, for example by evaporation with metals and subsequent lifting of the photoresist. In an alternative method, a film with a metallic coating can be placed over the wafer, this metallic coating is then transferred to the points to be joined of the resistive element by a laser pulse or by laser pulses to the wafer. That is, the compounds are made by laser-induced metal transfer. As an alternative to a metal for forming the portions of the resistive element may also be a semiconductor material
Verwendung finden. Der elektrische Widerstand eines Find use. The electrical resistance of a
Widerstandselements, das mit einem Halbleitermaterial gebildet ist, kann dann auch durch entsprechende Dotierung - beispielsweise durch Ionenbeschuss - des Halbleitermaterials erfolgen. Ein solches Widerstandselement kann beispielsweise auch in einen Träger für die Emissionsbereiche des Resistance element, which is formed with a semiconductor material, can then also be done by appropriate doping - for example by ion bombardment - of the semiconductor material. Such a resistance element can, for example, also in a carrier for the emission regions of
Leuchtdiodenchips integriert sein. Be integrated LED chips.
Anhand der schematischen Schaltungsanordnungen der Figuren IB und IC sind verschiedene Möglichkeiten zur Verschaltung der Emissionsbereiche 2a, 2b des Leuchtdiodenchips 1 mit dem With reference to the schematic circuit arrangements of Figures IB and IC are different ways to interconnect the emission regions 2a, 2b of the LED chip 1 with the
Widerstandselement 4 gezeigt. In beiden Fällen werden die Emissionsbereiche 2a, 2b über die Kontaktstellen 5a, 5b kontaktiert. Im Ausführungsbeispiel der Figur IB sind die Emissionsbereiche parallel geschaltet, das Widerstandselement ist einem der Emissionsbereiche in Reihe geschaltet. Dabei ist es auch möglich, dass dem anderen Emissionsbereich ebenfalls ein Widerstandselement 4 in Reihe geschaltet ist. Resistance element 4 shown. In both cases, the emission regions 2a, 2b are contacted via the contact points 5a, 5b. In the embodiment of Figure IB, the emission regions are connected in parallel, the resistive element is connected in series with one of the emission regions. It is also possible that the other emission region is also a resistor element 4 connected in series.
Im Ausführungsbeispiel der Figur IC sind die Emissionsbereiche 2a, 2b in Reihe geschaltet und ein Widerstandselement 4 ist einem der Emissionsbereiche 2a parallel geschaltet. In the embodiment of FIG. 1C, the emission regions 2a, 2b are connected in series and a resistive element 4 is connected in parallel to one of the emission regions 2a.
Die Figuren 2A bis 2D zeigen in schematischen Draufsichten weitere Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen FIGS. 2A to 2D show, in schematic plan views, further exemplary embodiments of what is described here
Strahlungsemittierenden HaIbleiterbauteilen. Im Ausführungsbeispiel der Figur 2A ist eine zentral Radiation-emitting semiconductor components. In the embodiment of Figure 2A is a central
angeordnete Emissionsfläche 21 mit dem zugeordneten arranged emission surface 21 with the associated
Konversionselement 32 von vier weiteren Emissionsflächen 22, 23, 24, 25 umgeben, denen entsprechende Konversionselemente 32, 33, 34, 35 nachgeordnet sind. Ein solches Conversion element 32 surrounded by four further emission surfaces 22, 23, 24, 25, which corresponding conversion elements 32, 33, 34, 35 are arranged downstream. Such
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil umfasst also fünf unterschiedliche Emissionsbereiche mit unterschiedlichen Radiation-emitting semiconductor device thus includes five different emission regions with different
Konversionselementen. Von jedem der Emissionsflächen her kann weißes Mischlicht abgestrahlt werden, wobei sich das Conversion elements. From each of the emission surfaces, white mixed light can be emitted, with the
Mischlicht der unterschiedlichen Emissionsflächen hinsichtlich des Farbortes, der Farbtemperatur und/oder der Helligkeit unterscheiden kann. Im Ausführungsbeispiel der Figur 2B ist eine Emissionsfläche 21 mit dem zugeordneten Konversionselement 31 von einer weiteren Emissionsfläche 22 mit dem zugeordneten  Mixed light of the different emission surfaces with respect to the color locus, the color temperature and / or brightness can distinguish. In the exemplary embodiment of FIG. 2B, an emission surface 21 with the associated conversion element 31 is of a further emission surface 22 with the associated one
Konversionselement 32 lateral umschlossen. Im Ausführungsbeispiel der Figur 2C weist der Leuchtdiodenchip 1 des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils drei Conversion element 32 laterally enclosed. In the exemplary embodiment of FIG. 2C, the light-emitting diode chip 1 of the radiation-emitting semiconductor component has three
unterschiedliche Emissionsflächen mit zugeordneten different emission surfaces with associated
Konversionselementen auf. Im Ausführungsbeispiel der Figur 2C weist der Leuchtdiodenchip 1 des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils zwei Conversion elements. In the exemplary embodiment of FIG. 2C, the light-emitting diode chip 1 of the radiation-emitting semiconductor component has two
unterschiedliche Emissionsflächen 21, 22 mit zugeordneten Konversionselementen 31, 32 die jeweils streifenförmig different emission surfaces 21, 22 with associated conversion elements 31, 32 each strip-shaped
ausgebildet sind, auf. Die einzelnen Streifen verlaufen dabei parallel zueinander und sind abwechselnd angeordnet. Von jedem der Emissionsflächen 21, 22 her kann weißes Mischlicht are trained on. The individual strips run parallel to one another and are arranged alternately. From each of the emission surfaces 21, 22 ago can white mixed light
abgestrahlt werden, wobei sich das Mischlicht der are radiated, with the mixed light of the
unterschiedlichen Emissionsflächen hinsichtlich des Farbortes, der Farbtemperatur und/oder der Helligkeit unterscheiden kann. Die streifenartige Anordnung erlaubt dabei eine besonders gute Mischung des abgestrahlten Lichts. Insgesamt können die Leuchtdiodenchips des hier beschriebenen Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils hinsichtlich ihrer Emissionsbereiche, der zugeordneten Emissionsflächen und der zugeordneten Konversionselemente sehr flexibel ausgebildet werden. Mehrere unterschiedliche Emissionsflächen können auf relativ kleinem Raum untergebracht werden, so dass sich auch ohne weiteres optisches Element im Fernfeld ein einheitlicher Farbeindruck des abgestrahlten Gesamtlichtes, das eine different emission surfaces in terms of color location, color temperature and / or brightness can distinguish. The strip-like arrangement allows a particularly good mix of the emitted light. Overall, the light-emitting diode chips of the radiation-emitting semiconductor component described here can be made very flexible with regard to their emission regions, the associated emission surfaces and the associated conversion elements. Several different emission surfaces can be accommodated in a relatively small space, so that even without further optical element in the far field a uniform color impression of the radiated total light, the one
Überlagerung der Mischlichte von den einzelnen Overlaying the mixed lights of the individual
Emissionsflächen her darstellt, ergibt. Represents emission surfaces forth results.
In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 3 ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils näher erläutert, bei dem Leiterbahnen 65 zur Kontaktierung der In conjunction with the schematic sectional view of Figure 3, an embodiment of a radiation-emitting semiconductor device described here is explained in more detail, in the conductor tracks 65 for contacting the
Emissionsbereiche 2a, 2b des Leuchtdiodenchips 1 unterhalb der Emissionsflächen 21, 22 angeordnet sind.  Emission regions 2a, 2b of the LED chip 1 below the emission surfaces 21, 22 are arranged.
Der Leuchtdiodenchip 1 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel zwei Emissionsbereiche 2a, 2b. Die Emissionsbereiche 2a, 2b sind durch elektrisch isolierende Trennschichten 61 The light-emitting diode chip 1 in this exemplary embodiment comprises two emission regions 2a, 2b. The emission regions 2a, 2b are provided by electrically insulating separation layers 61
voneinander elektrisch entkoppelt. electrically decoupled from each other.
Die Kontaktstelle 5a ist mit der Leiterbahn 65 elektrisch leitend verbunden ist, welche unterhalb der Emissionsfläche 21 des Emissionsbereiches 2a verläuft. Die Kontaktstelle 5b ist mit der Leiterbahn 65 elektrisch leitend verbunden ist, welche unterhalb der Emissionsfläche 22 des Emissionsbereiches 2b verläuft . The contact point 5a is electrically conductively connected to the conductor track 65, which extends below the emission surface 21 of the emission region 2a. The contact point 5b is electrically conductively connected to the conductor track 65, which runs below the emission surface 22 of the emission region 2b.
Der elektrische Strom wird beispielsweise über The electric current is over, for example
StromaufWeitungsschichten 62 von der Leiterbahn 65 in die aktiven Zonen 64 der Emissionsbereiche 2a, 2b eingeprägt. Die Emissionsflächen 21, 22 können beispielsweise Aufrauungen 63 umfassen, welche die Wahrscheinlichkeit für einen Austritt von elektromagnetischer Strahlung erhöhen. Current spreading layers 62 of the conductor track 65 in the active zones 64 of the emission regions 2a, 2b imprinted. For example, the emission surfaces 21, 22 may include roughenings 63 that increase the likelihood of leakage of electromagnetic radiation.
Ferner können die Emissionsbereiche jeweils Spiegel 68 umfassen, die zur Reflexion von elektromagnetischer Strahlung hin zu den Emissionsflächen 21, 22 vorgesehen sind. Der Leuchtdiodenchip 1 umfasst vorliegend ferner einen Träger 67, der mittels eines Verbindungsmaterials 66, mit den Furthermore, the emission regions may each comprise mirrors 68, which are provided for the reflection of electromagnetic radiation toward the emission surfaces 21, 22. In the present case, the light-emitting diode chip 1 further comprises a carrier 67, which is connected by means of a connecting material 66 to the
weiteren Bereichen des Leuchtdiodenchips 1 verbunden ist. Der Träger kann elektrisch isolierend ausgebildet sein. Ähnliche Kontaktierungsschemata, bei denen Leiterbahnen unterhalb von Emissionsflächen verlaufen, sind beispielsweise in der Druckschrift DE 10 2007 022 947 Al näher erläutert, deren Offenbarungsgehalt hiermit ausdrücklich unter Rückbezug aufgenommen wird. other areas of the LED chip 1 is connected. The carrier may be formed electrically insulating. Similar contacting schemes, in which printed conductors run below emission surfaces, are explained in more detail, for example, in the document DE 10 2007 022 947 A1, the disclosure content of which is hereby expressly incorporated by reference.
Ein Widerstandselement 4 ist unterhalb den Emissionsflächen 21, 22 angeordnet. Das Widerstandselement 4 ist zwischen dem Leuchtdiodenchip 1 und dem Träger 67 angeordnet. Vorliegend ist das elektrische Widerstandselement 4 in den A resistance element 4 is arranged below the emission surfaces 21, 22. The resistance element 4 is arranged between the light-emitting diode chip 1 and the carrier 67. In the present case, the electrical resistance element 4 in the
Leuchtdiodenchip integriert, in dem es auf eine Außenfläche des Leuchtdiodenchips, nämlich der zweiten Hauptfläche Ib an der Unterseite des Leuchtdiodenchips 1, angeordnet ist. Das Widerstandselement 4 ist als Metallschicht ausgebildet, welche eine Vielzahl von elektrisch leitenden Abschnitten 41 Integrated light-emitting diode chip, in which it is arranged on an outer surface of the LED chip, namely the second main surface Ib at the bottom of the LED chip 1. The resistance element 4 is formed as a metal layer having a plurality of electrically conductive portions 41
aufweist, die gitterartig angeordnet sind (siehe dazu auch die Figur IA) . Alternativ ist es auch möglich, dass das Widerstandselement 4 unterhalb des Leuchtdiodenchips 1 in den Träger 67 integriert ist. In jedem Fall ist das Widerstandelement 4 dann vom has, which are arranged like a grid (see also the figure IA). Alternatively, it is also possible for the resistance element 4 to be integrated below the light-emitting diode chip 1 in the carrier 67. In any case, the resistance element 4 is then from
Leuchtdiodenchip überdeckt und führt nicht zu einer LED chip covers and does not lead to a
Verringerung der Emissionsfläche des Leuchtdiodenchips 1. Das Widerstandselement 4 ist dann also unterhalb der Reduction of the emission surface of the LED chip 1. The resistance element 4 is then below the
Emissionsflächen 21, 22 des Leuchtdiodenchips 1 angeordnet. Emission surfaces 21, 22 of the LED chip 1 is arranged.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 037 186.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2009 037 186.9, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination vonThe invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention includes every new feature as well as any combination of
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Features, which includes in particular any combination of features in the claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly in the
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Claims or embodiments is given.

Claims

Patentansprüche claims
1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil umfassend 1. A radiation-emitting semiconductor component comprising
- einen Leuchtdiodenchip (1) mit  - A LED chip (1) with
- zumindest zwei unabhängig voneinander betreibbaren  - At least two independently operable
Emissionsbereichen (2a, 2b) ,  Emission areas (2a, 2b),
- zumindest zwei unterschiedlich ausgestalteten  - at least two differently designed
Konversionselementen (31, 32), wobei  Conversion elements (31, 32), wherein
- jeder der Emissionsbereiche (2a, 2b) im Betrieb des Leuchtdiodenchips (1) zur Erzeugung von  - Each of the emission regions (2a, 2b) in the operation of the LED chip (1) for generating
elektromagnetischer Primärstrahlung vorgesehen ist,  electromagnetic primary radiation is provided,
- jeder Emissionsbereich (2a, 2b) eine Emissionsfläche (21, 22) aufweist, durch welche zumindest ein Teil der Primärstrahlung aus dem Leuchtdiodenchips (1) ausgekoppelt wird,  each emission region (2a, 2b) has an emission surface (21, 22) through which at least part of the primary radiation is coupled out of the light-emitting diode chip (1),
- die Konversionselemente (31, 32) zur Absorption  - The conversion elements (31, 32) for absorption
zumindest eines Teils der Primärstrahlung und zur ReEmission von Sekundärstrahlung vorgesehen sind,  at least part of the primary radiation and for the emission of secondary radiation are provided,
- die unterschiedlich ausgestalteten Konversionselemente (31, 32) unterschiedlichen Emissionsflächen nachgeordnet sind,  the differently configured conversion elements (31, 32) are arranged downstream of different emission surfaces,
- einem elektrischen Widerstandselement (4), das zu zumindest einem der Emissionsbereiche (2a, 2b) in Reihe oder parallel geschaltet ist.  - An electrical resistance element (4) which is connected to at least one of the emission regions (2a, 2b) in series or in parallel.
2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach dem 2. Radiation-emitting semiconductor device according to the
vorherigen Anspruch, previous claim,
- bei dem das Widerstandselement (4) in den Leuchtdiodenchip (1) integriert ist.  - In which the resistance element (4) in the LED chip (1) is integrated.
3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, - bei dem das Widerstandselement (4) auf eine Außenfläche des Leuchtdiodenchips (1) aufgebracht ist. 3. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims, - In which the resistance element (4) is applied to an outer surface of the LED chip (1).
4. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 4. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem das Widerstandselement (4) unterhalb der  - In which the resistance element (4) below the
Emissionsflächen (21, 22) des Leuchtdiodenchips (1) angeordnet ist . Emission surfaces (21, 22) of the LED chip (1) is arranged.
5. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 5. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem das Widerstandselement (4) als Schicht ausgebildet ist, die auf eine Außenfläche des Leuchtdiodenchips  - In which the resistance element (4) is formed as a layer, which on an outer surface of the LED chip
aufgebracht ist. is applied.
6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach dem vorherigen Anspruch, 6. A radiation-emitting semiconductor component according to the preceding claim,
- bei dem die Schicht eine Vielzahl von elektrisch leitenden Abschnitten (41) aufweist, wobei zumindest einer der  - In which the layer has a plurality of electrically conductive portions (41), wherein at least one of
Abschnitte zur Einstellung des Widerstands des Sections for adjusting the resistance of the
Widerstandselements (4) durchtrennt ist, so dass im Betrieb des Leuchtdiodenchips (1) durch diesen Abschnitt kein Strom fließt.  Resistive element (4) is severed, so that during operation of the LED chip (1) no current flows through this section.
7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 7. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem die Schicht auf derjenigen Hauptfläche (Ia) des Leuchtdiodenchips (1) angeordnet ist, die auch die  - In which the layer on the main surface (Ia) of the LED chip (1) is arranged, which is also the
Emissionsflächen (21, 22) umfasst. Emission surfaces (21, 22).
8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, - bei dem die Schicht auf derjenigen Hauptfläche (Ib) des Leuchtdiodenchips (1) angeordnet ist, die den Emissionsflächen8. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims, - In which the layer on the main surface (Ib) of the LED chip (1) is arranged, which the emission surfaces
(21, 22) gegenüber liegt. (21, 22) is opposite.
9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 9. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem die Schicht aus einem Metall besteht.  - In which the layer consists of a metal.
10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 10. A radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem die Schicht aus einem dotierten Halbleitermaterial besteht, wobei der Widerstand des Widerstandselements (4) zusätzlich oder alternativ zu Durchtrennungen (42) der  - In which the layer consists of a doped semiconductor material, wherein the resistance of the resistive element (4) additionally or alternatively to cuts (42) of the
Abschnitte (41) mittels der Dotierung eingestellt ist. Sections (41) is set by means of the doping.
11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 11. A radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem jeder Emissionsfläche (21, 22) ein  at each emission surface (21, 22)
Konversionselement (31, 32) nachgeordnet ist, wobei sich die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung jeweils zu weißem Mischlicht mischt. Conversion element (31, 32) is arranged downstream, wherein the primary radiation and the secondary radiation is mixed to white mixed light.
12. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 12. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem sich die unterschiedlich ausgestalteten - in which the differently designed
Konversionselemente (31, 32) hinsichtlich ihrer Dicke (D) unterscheiden .  Conversion elements (31, 32) differ in thickness (D).
13. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 13. A radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem im Betrieb des Leuchtdiodenchips (1) von jeder  - In the operation of the LED chip (1) of each
Emissionsfläche (21, 22) her weißes Mischlicht emittiert wird, wobei sich das Mischlicht von zumindest zwei unterschiedlichen Emissionsbereiche (2a, 2b) hinsichtlich Farbort und/oder Farbtemperatur und/oder Helligkeit unterscheidet. Emission surface (21, 22) is emitted here white mixed light, wherein the mixed light of at least two different Emission regions (2a, 2b) with respect to color location and / or color temperature and / or brightness differs.
14. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 14. A radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem zumindest eine Emissionsfläche (21) in lateraler Richtung von zumindest einer anderen Emissionsfläche (22, 23, 24, 25) umschlossen ist.  - Wherein at least one emission surface (21) in the lateral direction of at least one other emission surface (22, 23, 24, 25) is enclosed.
15. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 15. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
- bei dem zumindest eine Leiterbahn (65) zur Kontaktierung zumindest eines Emissionsbereichs (2a, 2b) des  - In which at least one conductor track (65) for contacting at least one emission region (2 a, 2 b) of the
Leuchtdiodenchips (1) unterhalb zumindest einer LED chips (1) below at least one
Emissionsfläche (21, 22) angeordnet ist. Emission surface (21, 22) is arranged.
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