DE102012101393A1 - Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component - Google Patents

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component Download PDF

Info

Publication number
DE102012101393A1
DE102012101393A1 DE102012101393A DE102012101393A DE102012101393A1 DE 102012101393 A1 DE102012101393 A1 DE 102012101393A1 DE 102012101393 A DE102012101393 A DE 102012101393A DE 102012101393 A DE102012101393 A DE 102012101393A DE 102012101393 A1 DE102012101393 A1 DE 102012101393A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conversion element
chip
main radiation
light
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102012101393A
Other languages
German (de)
Inventor
Ralph Wagner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102012101393A priority Critical patent/DE102012101393A1/en
Priority to PCT/EP2013/050586 priority patent/WO2013124089A1/en
Publication of DE102012101393A1 publication Critical patent/DE102012101393A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen Leuchtdiodenchip (2) mit einer Strahlungshauptseite (20) sowie ein Konversionselement (3). Das Konversionselement (3) ist zu einer Umwandlung von vom Leuchtdiodenchip (2) emittierter Primärstrahlung in eine hiervon verschiedene Sekundärstrahlung eingerichtet. Eine Dicke und/oder eine Materialzusammensetzung des Konversionselements (3) ist über die Strahlungshauptseite (20) hinweg gezielt variiert.In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component (1), this comprises a light-emitting diode chip (2) with a main radiation side (20) and a conversion element (3). The conversion element (3) is set up to convert primary radiation emitted by the light-emitting diode chip (2) into a different secondary radiation. A thickness and / or a material composition of the conversion element (3) is selectively varied over the main radiation side (20).

Description

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. An optoelectronic semiconductor component is specified. In addition, a method for producing an optoelectronic semiconductor device is specified.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, bei dem ein an einer Strahlungshauptseite mittels eines Konversionselements erzeugter Farbort effizient und gezielt einstellbar ist. An object to be solved is to specify an optoelectronic semiconductor component in which a color location generated on a main radiation side by means of a conversion element can be set efficiently and in a targeted manner.

Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren und durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.This object is achieved inter alia by a method and by an optoelectronic semiconductor component having the features of the independent patent claims. Preferred developments are specified in the dependent claims.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil einen oder mehrere Leuchtdiodenchips auf. Der mindestens eine Leuchtdiodenchip umfasst eine Strahlungshauptseite. Insbesondere ist die Strahlungshauptseite senkrecht zu einer Wachstumsrichtung einer Halbleiterschichtenfolge des Leuchtdiodenchips orientiert. Bevorzugt ist der Leuchtdiodenchip dazu eingerichtet, im Betrieb ultraviolettes, sichtbares und/oder nahinfrarotes Licht zu emittieren. Zum Beispiel emittiert der Leuchtdiodenchip blaues Licht, etwa im Spektralbereich zwischen einschließlich 430 nm und 480 nm. In accordance with at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor component has one or more light-emitting diode chips. The at least one light-emitting diode chip comprises a main radiation side. In particular, the main radiation side is oriented perpendicular to a growth direction of a semiconductor layer sequence of the light-emitting diode chip. The light-emitting diode chip is preferably set up to emit ultraviolet, visible and / or near-infrared light during operation. For example, the LED chip emits blue light, for example in the spectral range between 430 nm and 480 nm inclusive.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil eines oder mehrere Konversionselemente. Das Konversionselement ist zu einer Umwandlung einer vom Leuchtdiodenchip im Betrieb emittierten Primärstrahlung in eine hiervon verschiedene Sekundärstrahlung eingerichtet. Die Sekundärstrahlung weist bevorzugt eine größere Wellenlänge auf als die Primärstrahlung. Das Konversionselement kann einen oder mehrere verschiedene Leuchtstoffe aufweisen. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor component comprises one or more conversion elements. The conversion element is set up to convert a primary radiation emitted by the light-emitting diode chip during operation into a secondary radiation different therefrom. The secondary radiation preferably has a greater wavelength than the primary radiation. The conversion element can have one or more different phosphors.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist das Konversionselement mindestens oder ausschließlich über der Strahlungshauptseite des Leuchtdiodenchips aufgebracht. Das Konversionselement kann unmittelbar auf die Strahlungshauptseite aufgebracht sein. Es kann das Konversionselement die Strahlungshauptseite berühren. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, the conversion element is applied at least or exclusively over the main radiation side of the light-emitting diode chip. The conversion element can be applied directly to the main radiation side. The conversion element can touch the main radiation side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist eine Dicke und/oder eine Materialzusammensetzung des Konversionselements über die Strahlungshauptseite hinweg gezielt variiert. Mit anderen Worten weist das Konversionselement in eine Richtung senkrecht zu und an verschiedenen Stellen über der Strahlungshauptseite, voneinander verschiedene Dicken und/oder voneinander verschiedene Materialzusammensetzungen auf. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, a thickness and / or a material composition of the conversion element is specifically varied over the main radiation side. In other words, the conversion element in a direction perpendicular to and at different locations on the main radiation side, different thicknesses and / or mutually different material compositions.

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses einen Leuchtdiodenchip mit einer Strahlungshauptseite sowie ein Konversionselement. Das Konversionselement ist zu einer Umwandlung von vom Leuchtdiodenchip emittierter Primärstrahlung in eine hiervon verschiedene Sekundärstrahlung eingerichtet. Eine Dicke und/oder eine Materialzusammensetzung des Konversionselements ist über die Strahlungshauptseite hinweg variiert. In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the latter comprises a light-emitting diode chip with a main radiation side and a conversion element. The conversion element is set up to convert primary radiation emitted by the light-emitting diode chip into a different secondary radiation. A thickness and / or a material composition of the conversion element is varied over the main radiation side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform das Halbleiterbauteils weist der Leuchtdiodenchip mehrere elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbare Chipsegmente auf. Bei dem Leuchtdiodenchip kann es sich um einen so genannten Multi-Pixel-Chip handeln. Die Chipsegmente können monolithisch integriert sein. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, the light-emitting diode chip has a plurality of chip segments which can be controlled independently of one another. The light-emitting diode chip may be a so-called multi-pixel chip. The chip segments can be monolithically integrated.

Multi-Pixel-Chip bedeutet insbesondere, dass die einzelnen Chipsegmente eine identische Halbleiterschichtenfolge aufweisen, im Rahmen der Herstellungstoleranzen. Die einzelnen Chipsegmente sind zum Beispiel dadurch erzeugt, dass ein einzelner, vergleichsweise großer Leuchtdiodenchip an einem Träger angebracht wird und dann beispielsweise mittels Ätzen in die Chipsegmente unterteilt wird. Nach dem Vereinzeln zu den Chipsegmenten werden die Chipsegmente nicht mehr relativ zu dem Träger, auf dem der Leuchtdiodenchip angebracht wurde, bewegt. Ebenso kann das Unterteilen in die Chipsegmente an einem Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge erfolgen und ein Umbonden auf den Träger erfolgt erst nach dem Vereinzeln zu den Chipsegmenten. Der Begriff Multi-Pixel-Chip bedeutet somit bevorzugt, dass die einzelnen Chipsegmente des Leuchtdiodenchips nach dem epitaktischen Wachsen nicht mehr relativ zueinander bewegt werden. Ein Abstand zwischen benachbarten Chipsegmenten kann zwischen einschließlich 1 µm und 50 µm oder zwischen einschließlich 1 µm und 10 µm liegen. Multi-pixel chip means, in particular, that the individual chip segments have an identical semiconductor layer sequence, within the scope of the manufacturing tolerances. The individual chip segments are produced, for example, by attaching a single comparatively large light-emitting diode chip to a carrier and then dividing it into the chip segments, for example by means of etching. After singulation to the chip segments, the chip segments are no longer moved relative to the carrier on which the LED chip has been mounted. Likewise, the subdivision into the chip segments can take place on a growth substrate for the semiconductor layer sequence, and re-bonding to the carrier takes place only after singulation to the chip segments. The term multi-pixel chip thus preferably means that the individual chip segments of the light-emitting diode chip are no longer moved relative to each other after the epitaxial growth. A distance between adjacent chip segments may be between 1 μm and 50 μm inclusive, or between 1 μm and 10 μm inclusive.

Monolithisch integriert kann bedeuten, dass die Halbleiterschichtenfolge über alle Chipsegmente eine mindestens stellenweise durchgehende Halbleiterschichtenfolge ist, insbesondere an einer n-dotierten Seite der Halbleiterschichtenfolge. Eine aktive Zone des Leuchtdiodenchips, die parallel zu der Strahlungshauptseite ausgerichtet sein kann, erstreckt sich bevorzugt nicht durchgehend über die einzelnen Chipsegmente. Monolithically integrated can mean that the semiconductor layer sequence over all chip segments is an at least in places continuous semiconductor layer sequence, in particular on an n-doped side of the semiconductor layer sequence. An active zone of the LED chip, which may be aligned parallel to the main radiation side, preferably does not extend continuously over the individual chip segments.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist das Konversionselement in Teilelemente unterteilt. Die Teilelemente sind bevorzugt lateral nebeneinander angeordnet. Lateral nebeneinander bedeutet insbesondere entlang einer Richtung parallel zu der Strahlungshauptseite. Benachbarte Teilelemente des Konversionselements können sich berühren oder können voneinander beabstandet sein.In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, the conversion element is subdivided into subelements. The sub-elements are preferably arranged laterally next to one another. lateral side by side means in particular along a direction parallel to the main radiation side. Adjacent sub-elements of the conversion element may touch or may be spaced apart.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils sind mindestens zwei Chipsegmente mit Teilelementen des Konversionselements versehen. Die Teilelemente unterscheiden sich in ihrer Dicke und/oder ihrer Materialzusammensetzung voneinander. Durch solche Chipsegmente und Teilelemente ist es möglich, eine dichte Packung von elektrisch einzeln ansteuerbaren Pixeln, die im Betrieb etwa unterschiedliche Farben emittieren, herzustellen. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, at least two chip segments are provided with partial elements of the conversion element. The sub-elements differ in their thickness and / or their material composition from each other. By means of such chip segments and sub-elements, it is possible to produce a dense package of individually controllable pixels which emit different colors during operation.

Eine andere Möglichkeit, dies zu erreichen, besteht darin, unterschiedlich emittierende Einzelpixel durch ein Zusammensetzen verschiedener Leuchtdiodenchips mit unterschiedlichen Halbleiterschichtenfolgen und/oder mit unterschiedlichen Konverterschichten herzustellen. Dies führt allerdings zu vergleichsweise großen Abständen zwischen den Einzelpixeln von typischerweise mehr als 100 µm und ist außerdem aufwendig in der Herstellung.Another possibility for achieving this is to produce differently emitting individual pixels by assembling different light-emitting diode chips with different semiconductor layer sequences and / or with different converter layers. However, this leads to comparatively large distances between the individual pixels of typically more than 100 microns and is also expensive to manufacture.

Weiterhin können Multi-Pixel-Chips dadurch hergestellt werden, dass über eine Fototechnik unterschiedlich farbig emittierende Halbleiterschichtenfolgen an verschiedenen Stellen des Leuchtdiodenchips gewachsen werden. Dies ist allerdings mit einem sehr großen Aufwand verbunden. Eine individuelle Farborteinstellung ist mit einem solchen Verfahren nicht möglich.In addition, multi-pixel chips can be produced by growing semiconductor layer sequences having different color emissions at different points of the light-emitting diode chip using a photographic technique. However, this is associated with a very large effort. An individual color setting is not possible with such a method.

Ein Aufkleben von beispielsweise individuellen Konverterplättchen, etwa aus Keramik, für jedes der Pixel ist aufgrund einer herstellungsbedingten Bandbreite der Halbleiterchips und der Keramikplättchen und der geringen geometrischen Dimensionen mit einem großen Logistikaufwand und Handhabungsaufwand verbunden. Diese Schwierigkeiten können durch ein hier beschriebenes Halbleiterbauteil und durch ein hier beschriebenes Verfahren überwunden werden. Sticking, for example, individual converter plates, such as ceramic, for each of the pixels is due to a manufacturing-related bandwidth of the semiconductor chips and ceramic plates and the small geometric dimensions associated with a large logistics effort and handling. These difficulties can be overcome by a semiconductor device described herein and by a method described herein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils bildet der Leuchtdiodenchip eine einzige elektrisch ansteuerbare Einheit. Mit anderen Worten ist der Leuchtdiodenchip dann nicht in Chipsegmente, die einzeln ansteuerbar sind, unterteilt. Bevorzugt weist der Leuchtdiodenchip dann eine vergleichsweise große Strahlungshauptseite auf, beispielsweise von mindestens 0,75 mm × 0,75 mm oder von mindestens 1 mm × 1 mm oder von mindestens 1,4 mm × 1,4 mm. Die Strahlungshauptseite weist, in Draufsicht gesehen, beispielsweise eine quadratische oder rechteckige Grundform auf.In accordance with at least one embodiment of the semiconductor component, the light-emitting diode chip forms a single, electrically controllable unit. In other words, the LED chip is then not divided into chip segments, which are individually controllable. Preferably, the LED chip then has a comparatively large main radiation side, for example of at least 0.75 mm × 0.75 mm or of at least 1 mm × 1 mm or of at least 1.4 mm × 1.4 mm. The main radiation side has, for example, seen in plan view, for example, a square or rectangular basic shape.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Konversionselement oder mindestens eines der Teilelemente des Konversionselements in Form eines Symbols, Piktogramms oder mindestens eines Schriftzeichens strukturiert, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen. Es ist möglich, dass das Konversionselement oder das betreffende Teilelement ein Positiv oder ein Negativ des darzustellenden Zeichens ist. In accordance with at least one embodiment, the conversion element or at least one of the partial elements of the conversion element is structured in the form of a symbol, pictogram or at least one character, viewed in plan view on the main radiation side. It is possible that the conversion element or the relevant subelement is a positive or a negative of the character to be displayed.

Hierdurch ist erreichbar, dass in einem Bereich neben dem Konversionselement oder dem Teilelement eine andere Farbe von dem Halbleiterbauteil emittiert wird als in Bereichen der Strahlungshauptseite, die von dem Konversionselement oder von dem Teilelement bedeckt sind. Somit lässt sich ein Zeichen mit dem Leuchtdiodenchip einfach darstellen.This makes it possible to emit a different color from the semiconductor component in a region next to the conversion element or the subelement than in regions of the main radiation side which are covered by the conversion element or by the subelement. Thus, a character with the LED chip can be easily represented.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils bedeckt das Konversionselement höchstens 40 % oder höchstens 30 % oder höchstens 20 % der Strahlungshauptseite. Mit anderen Worten ist dann ein Großteil der Strahlungshauptseite frei von dem Konversionselement.According to at least one embodiment of the semiconductor device, the conversion element covers at most 40% or at most 30% or at most 20% of the main radiation side. In other words, then a major part of the main radiation side is free of the conversion element.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils bedeckt das Konversionselement mindestens 90 % oder mindestens 95 % der Fläche der Strahlungshauptseite. Mit anderen Worten ist dann die Strahlungshauptseite im wesentlichen vollständig von dem Konversionselement bedeckt. Insbesondere ist die gesamte Strahlungshauptseite, mit Ausnahme von eventuell vorhandenen Anschlussbereichen wie Bondpads, von dem Konversionselement bedeckt.According to at least one embodiment of the semiconductor device, the conversion element covers at least 90% or at least 95% of the area of the main radiation side. In other words, then the main radiation side is substantially completely covered by the conversion element. In particular, the entire main radiation side, with the exception of any connection areas such as bonding pads, is covered by the conversion element.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Konversionselement mindestens zwei der Teilelemente auf. Eines oder mehrere erste Teilelemente bilden ein Positiv des darzustellenden Zeichens. Ein oder mehrere zweite der Teilelemente bilden dann ein Negativ des darzustellenden Zeichens. Die ersten und die zweiten Teilelemente sind bevorzugt lateral nebeneinander angeordnet und können sich berühren oder können voneinander separiert sein. In accordance with at least one embodiment, the conversion element has at least two of the partial elements. One or more first sub-elements form a positive of the character to be displayed. One or more second of the sub-elements then form a negative of the character to be displayed. The first and the second sub-elements are preferably arranged laterally next to one another and can touch or can be separated from one another.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Konversionselement mehrere lateral nebeneinander angeordnete Teilelemente auf, die sich in ihrer Materialzusammensetzung voneinander unterscheiden. Mindestens ein Teil der Teilelemente ist dazu eingerichtet, eine Strahlung einer ersten Wellenlänge zu erzeugen und ein anderer Teil der Teilelemente ist dazu eingerichtet, eine hiervon verschiedene Strahlung zu erzeugen. Beispielsweise dient ein Teil der Teilelemente dazu, zusammen mit der von den Leuchtdiodenchip emittierten Primärstrahlung weißes Licht zu generieren. Der andere Teil der Teilelemente kann dazu eingerichtet sein, beispielsweise rotes oder rot-weißes Licht zu erzeugen. According to at least one embodiment, the conversion element has a plurality of laterally juxtaposed sub-elements, which differ in their material composition from each other. At least a portion of the sub-elements is configured to generate radiation of a first wavelength and another portion of the sub-elements is configured to generate a radiation different therefrom. For example, a part of the sub-elements serves to generate white light together with the primary radiation emitted by the light-emitting diode chip. The other part of the Sub-elements may be configured to produce, for example, red or red-white light.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil eine abbildende Optik. Bei der Optik kann es sich um eine Linse oder um ein Linsensystem handeln. Auch eine abbildende Optik mittels Reflexion ist realisierbar.In accordance with at least one embodiment, the semiconductor component comprises an imaging optic. The optics may be a lens or a lens system. An imaging optic by means of reflection can also be realized.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Optik dazu eingerichtet, die Chipsegmente und/oder die Teilelemente des Konversionselements und/oder das darzustellende Zeichen, zu dem das Konversionselement oder die Teilelemente geformt sind, auf eine zu beleuchtende Fläche zu projizieren. Bei der zu beleuchtenden Fläche kann es sich um eine Fläche außerhalb eines tragbaren Geräts, beispielsweise eines Mobiltelefons, in das das Halbleiterbauteil eingebaut ist, handeln. In accordance with at least one embodiment, the optics is configured to project the chip segments and / or the subelements of the conversion element and / or the character to be displayed, to which the conversion element or the subelements are shaped, onto a surface to be illuminated. The surface to be illuminated may be an area outside a portable device, such as a mobile phone, in which the semiconductor device is incorporated.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Konversionselement mehrere übereinander gestapelte Lagen. Es folgen die Lagen in einer Richtung senkrecht zu der Strahlungshauptseite insbesondere unmittelbar aufeinander. Die benachbarten Lagen können sich berühren. Eine Anzahl der übereinander gestapelten Lagen variiert über die Strahlungshauptseite hinweg. Mit anderen Worten ist an nicht allen Stellen der Strahlungshauptseite eine gleiche Anzahl von Lagen aufgebracht.In accordance with at least one embodiment, the conversion element comprises a plurality of layers stacked one above the other. The layers follow in a direction perpendicular to the main radiation side, in particular directly on one another. The neighboring layers can touch each other. A number of the stacked layers vary across the main radiation side. In other words, an equal number of layers are applied to not all points of the main radiation side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die einzelnen Lagen jeweils eine Dicke zwischen einschließlich 1 µm und 20 µm oder zwischen einschließlich 1 µm und 5 µm auf. Die maximale Anzahl der Lagen, die über der Strahlungshauptseite aufgebracht ist, beträgt bevorzugt mindestens zwei oder mindestens drei oder mindestens zehn. Alternativ oder zusätzlich weist das Konversionselement höchstens 50 Lagen oder höchstens 25 Lagen auf. In accordance with at least one embodiment, the individual layers each have a thickness of between 1 μm and 20 μm, or between 1 μm and 5 μm, inclusive. The maximum number of layers applied over the main radiation side is preferably at least two or at least three or at least ten. Alternatively or additionally, the conversion element has at most 50 layers or at most 25 layers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen alle Lagen, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, die gleiche Materialzusammensetzung auf. Insbesondere weisen die Lagen jeweils die selben Leuchtstoffe in der selben Konzentration oder im selben Konzentrationsverhältnis auf. Hierbei emittiert das Halbleiterbauteil im Betrieb besonders bevorzugt über die gesamte Strahlungshauptseite hinweg Strahlung mit dem gleichen Farbort. Gleicher Farbort kann bedeuten, dass ein lokaler Farbort von einem Mittelwert des Farborts um höchstens 0,02 Einheiten oder um höchstens 0,01 Einheiten in der CIE-Normfarbtafel abweicht. In accordance with at least one embodiment, all the layers have the same material composition, within the scope of the manufacturing tolerances. In particular, the layers each have the same phosphors in the same concentration or in the same concentration ratio. In this case, during operation, the semiconductor component emits radiation with the same color location particularly preferably over the entire main radiation side. The same color locale may mean that a local color location deviates from a mean of the color locus by at most 0.02 units or at most 0.01 units in the CIE standard color chart.

Durch eine unterschiedliche Anzahl von Lagen gleicher Materialzusammensetzung sind insbesondere bei vergleichsweise großen Leuchtdiodenchips Herstellungsschwankungen beim Erzeugen der Halbleiterschichtenfolge oder auch bei der Erzeugung des Konversionselements ausgleichbar. Mit anderen Worten wird lokal die passende Anzahl von Lagen aufgebracht, um einen Zielfarbort der emittierten Strahlung einzustellen.Due to a different number of layers of the same material composition, manufacturing fluctuations in the generation of the semiconductor layer sequence or even in the generation of the conversion element can be compensated, in particular for comparatively large LED chips. In other words, the appropriate number of layers are applied locally to set a target color location of the emitted radiation.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Konversionselement oder mindestens ein Teilelement des Konversionselements als Indikator ausgebildet. Zum Beispiel ist dann das Konversionselement ein Indikator für ionisierende Strahlung, Temperatur und/oder Umgebungsfeuchtigkeit. Das Konversionselement und/oder das Halbleiterbauteil ist dann dazu eingerichtet, abhängig von einer der genannten Größen Strahlung einer bestimmten spektralen Zusammensetzung zu emittieren. Beispielsweise emittiert das Halbleiterbauteil blaues Licht bei niedrigen Temperaturen und rotes oder rötlicheres Licht bei höheren Temperaturen. Das Konversionselement kann also Thermochromfarben und/oder Hydrochromfarben umfassen. In accordance with at least one embodiment, the conversion element or at least one subelement of the conversion element is designed as an indicator. For example, then the conversion element is an indicator of ionizing radiation, temperature and / or ambient humidity. The conversion element and / or the semiconductor component is then configured to emit radiation of a specific spectral composition as a function of one of the variables mentioned. For example, the semiconductor device emits blue light at low temperatures and red or redder light at higher temperatures. The conversion element can thus comprise thermochromic colors and / or hydrochromic colors.

Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Bevorzugt wird mit dem Verfahren ein Halbleiterbauteil hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für das Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt. In addition, a method for producing an optoelectronic semiconductor device is specified. Preferably, the method produces a semiconductor device as specified in connection with one or more of the above embodiments. Features of the method are therefore also disclosed for the semiconductor device and vice versa.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren mindestens oder nur die folgenden Schritte, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge:

  • – Bereitstellen eines oder mehrerer Leuchtdiodenchips mit einer Strahlungshauptseite,
  • – Aufbringen eines oder mehrerer Konversionselemente, die zu einer Umwandlung von vom Leuchtdiodenchip emittierter Primärstrahlung in eine hiervon verschiedene Sekundärstrahlung eingerichtet sind, auf die Strahlungshauptseite, wobei das Konversionselement in über die Strahlungshauptseite hinweg variierender Dicke und/oder Materialzusammensetzung aufgebracht wird.
In at least one embodiment, the process comprises at least or only the following steps, preferably in the order given:
  • Providing one or more light-emitting diode chips with a main radiation side,
  • - Applying one or more conversion elements, which are adapted to a conversion of the light emitting diode chip emitted primary radiation into a different secondary radiation, on the main radiation side, wherein the conversion element is applied in over the main radiation side of varying thickness and / or material composition.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Aufbringen mindestens eines Teils des Konversionselements wenigstens die folgenden Schritte, etwa in der angegebenen Reihenfolge:

  • – Bereitstellen mindestens eines Teils des Konversionselements, wobei das Konversionselement an einer Trägerhauptseite eines Zwischenträgers angebracht ist,
  • – Anordnen des Teils des Konversionselements derart, dass es der Strahlungshauptseite zugewandt ist und einen Abstand zu der Strahlungshauptseite aufweist, und
  • – Ablösen des Teils des Konversionselements von dem Zwischenträger und Aufbringen auf die Strahlungshauptseite mittels Bestrahlen und Erhitzen eines Absorberbestandteils des Konversionselements und/oder einer zwischen dem Konversionselement und dem Zwischenträger befindlichen Ablöseschicht mit einer gepulsten Laserstrahlung, die den Zwischenträger durchstrahlt.
In accordance with at least one embodiment of the method, the application of at least one part of the conversion element comprises at least the following steps, for example in the order indicated:
  • Providing at least part of the conversion element, the conversion element being mounted on a carrier main side of an intermediate carrier,
  • Arranging the part of the conversion element such that it faces the main radiation side and is at a distance from the main radiation side, and
  • Detachment of the part of the conversion element from the intermediate carrier and application to the main radiation side by irradiation and heating of an absorber component of the conversion element and / or a release layer located between the conversion element and the intermediate carrier with a pulsed laser radiation which irradiates the intermediate carrier.

Mit anderen Worten wird durch die gepulste Laserstrahlung das Konversionselement abschnittsweise von dem Zwischenträger entfernt. Der Absorberbestandteil und/oder die Ablöseschicht gehen dabei teilweise oder vollständig in eine Gasphase über. Durch die Volumenausdehnung, die mit dem Übergang vom Festkörper in die Gasphase verbunden ist, wird der entsprechende Teil des Konversionselements von dem Zwischenträger weg beschleunigt hin zu der Strahlungshauptseite. Das Ablösen des Konversionselements von dem Zwischenträger ist bevorzugt nicht oder nicht wesentlich gravitationsgetrieben. In other words, the conversion element is removed in sections from the intermediate carrier by the pulsed laser radiation. The absorber component and / or the release layer are partly or completely converted into a gas phase. Due to the volume expansion, which is connected to the transition from the solid to the gas phase, the corresponding part of the conversion element is accelerated away from the intermediate carrier towards the main radiation side. The detachment of the conversion element from the intermediate carrier is preferably not or not substantially gravitationally driven.

Durch ein solches Verfahren lässt sich eine Vielzahl von Lagen gezielt und lokal auf der Strahlungshauptseite positionieren. Es können gleichartige oder auch voneinander verschiedene Materialien, hinsichtlich ihrer Materialzusammensetzung und/oder Dicke, über der Strahlungshauptseite sequentiell aufgebracht werden.By means of such a method, a multiplicity of layers can be selectively and locally positioned on the main radiation side. Equal or different materials may be applied sequentially, in terms of their material composition and / or thickness, over the main radiation side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird mindestens ein Teil des Konversionselements nacheinander in mehreren, übereinander folgenden Lagen auf der Strahlungshauptseite des Leuchtdiodenchips aufgebracht. Nach dem Aufbringen von zumindest einer der Lagen wird ein Farbort der von dem Leuchtdiodenchip zusammen mit dem bereits auf dem Leuchtdiodenchip angebrachten Teil des Konversionselements emittierten Strahlung ermittelt. Abhängig von dem ermittelten Farbort werden weitere Lagen des Konversionselements auf dem Leuchtdiodenchip aufgebracht. Der Farbort kann lokal gemessen werden, so dass verschiedene Stellen der Strahlungshauptseite mit einer unterschiedlichen Anzahl von Lagen belegbar sind. In accordance with at least one embodiment of the method, at least one part of the conversion element is applied successively in a plurality of successive layers on the main radiation side of the light-emitting diode chip. After the application of at least one of the layers, a color location of the radiation emitted by the light-emitting diode chip together with the part of the conversion element already mounted on the light-emitting diode chip is determined. Depending on the determined color location, further layers of the conversion element are applied to the light-emitting diode chip. The color locus can be measured locally, so that different parts of the main radiation side can be assigned a different number of layers.

Ebenso kann eine lokale Farbortmessung auch über einen Wafer mit einer Vielzahl von Leuchtdiodenchips hinweg erfolgen. Über die lokal unterschiedliche Anzahl der Lagen kann dann der Farbort der von den Leuchtdiodenchips emittierten Strahlung über den gesamten Wafer hinweg reguliert werden. Derart können über den Wafer hinweg auftretende herstellungsbedingte Unterschiede in der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge der Leuchtdiodenchips ausgeglichen werden.Likewise, a local color location measurement can also take place via a wafer with a multiplicity of light-emitting diode chips. By means of the locally different number of layers, the color location of the radiation emitted by the light-emitting diode chips can then be regulated over the entire wafer. In this way, production-related differences in the epitaxially grown semiconductor layer sequence of the light-emitting diode chips occurring across the wafer can be compensated for.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird mindestens ein Teil des Konversionselements mit einem Bestückungsautomaten, englisch Pick and Place Machine, mittels Tampondruck oder mittels Tintenstrahldruck auf die Strahlungshauptseite aufgebracht. Durch solche Verfahren lassen sich vergleichsweise große Dicken des Konversionselements effizient erzielen.In accordance with at least one embodiment of the method, at least part of the conversion element is applied to the main radiation side using a pick and place machine, by means of pad printing or by means of inkjet printing. By such methods, comparatively large thicknesses of the conversion element can be achieved efficiently.

Es ist möglich, dass eines der im vorhergehenden Absatz genannten Verfahren mit dem Laserabhebeverfahren mittels gepulster Laserstrahlung von einem Zwischenträger kombiniert wird. Beispielsweise ist es möglich, dass eine erste, vergleichsweise dicke und durchgehende Schicht mit dem Bestückungsautomaten, mittels Tampondruck oder mittels Tintenstrahldruck erzeugt wird und dass dann eine Korrektur der lokal emittierten Farborte mittels des Laserabhebeverfahrens erzielt wird. It is possible that one of the methods mentioned in the preceding paragraph is combined with the laser lifting method by means of pulsed laser radiation from an intermediate carrier. For example, it is possible for a first, comparatively thick and continuous layer to be produced with the placement machine, by means of pad printing or by means of inkjet printing, and then a correction of the locally emitted color locations is achieved by means of the laser lifting method.

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil sowie ein hier beschriebenes Verfahren unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Hereinafter, an optoelectronic semiconductor device described herein and a method described herein with reference to the drawings using exemplary embodiments will be explained in more detail. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.

Es zeigen:Show it:

1 bis 5 und 7 bis 9 schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, und 1 to 5 and 7 to 9 schematic representations of embodiments of optoelectronic semiconductor devices described herein, and

6 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils. 6 a schematic representation of a method for producing an optoelectronic semiconductor device described here.

In 1A ist in einer schematischen Schnittdarstellung ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 gezeigt. Das Halbleiterbauteil 1 weist einen Leuchtdiodenchip 2 sowie ein Konversionselement 3 auf. Das Konversionselement 3 ist unmittelbar auf einer Strahlungshauptseite 20 des Leuchtdiodenchips 2 angebracht. Die Strahlungshauptseite 20 kann mit einer Aufrauung zur Besserung einer Lichtauskoppeleffizienz versehen sein. In 1A is a schematic sectional view of an embodiment of an optoelectronic semiconductor device 1 shown. The semiconductor device 1 has a LED chip 2 as well as a conversion element 3 on. The conversion element 3 is directly on a main radiation side 20 of the LED chip 2 appropriate. The main radiation side 20 may be provided with a roughening to improve a Lichtauskoppeleffizienz.

Der Leuchtdiodenchip 2 umfasst ein Chipsubstrat 27. Auf dem Chipsubstrat 27 befinden sich mehrere Chipsegmente 23a, 23b. Die Chipsegmente 23a, 23b sind identisch zusammengesetzt, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, und entstammen derselben gewachsenen Epitaxieschichtenfolge. Ein Abstand zwischen den Chipsegmenten 23a, 23b liegt bei wenigen µm. Die einzelnen Chipsegmente 23a, 23b emittieren im Betrieb des Halbleiterbauteils 1 eine Primärstrahlung ungefähr der gleichen Wellenlänge, bevorzugt jeweils blaues Licht.The LED chip 2 includes a chip substrate 27 , On the chip substrate 27 There are several chip segments 23a . 23b , The chip segments 23a . 23b are identically composed, within the manufacturing tolerances, and come from the same grown epitaxial layer sequence. A distance between the chip segments 23a . 23b is a few microns. The individual chip segments 23a . 23b emit during operation of the semiconductor device 1 a primary radiation of approximately the same wavelength, preferably in each case blue light.

Von dem Chipsubstrat 27 her ist eine aktive Zone 25, symbolisiert durch eine Strich-Linie, von elektrischen Leitungen 28a, 28b durchdrungen. Zusammen mit der gemeinsamen elektrischen Leitung 28 sind die Chipsegmente 23a, 23b unabhängig voneinander einzeln elektrisch ansteuerbar. Zur Vereinfachung der Darstellung sind elektrische Isolierungen zwischen den elektrischen Leitungen 28, 28a, 28b nicht dargestellt und für jedes der Chipsegmente 23a, 23b ist vereinfachend nur eine einzige elektrische Leitung 28a, 28b gezeigt. Beispielsweise ist der Leuchtdiodenchip 2 aufgebaut, wie in der Druckschrift US 2011/0101390 A1 angegeben, deren Offenbarungsgehalt durch Rückbezug aufgenommen wird. From the chip substrate 27 her is an active zone 25 , symbolized by a dash line, of electrical wires 28a . 28b penetrated. Together with the common electrical line 28 are the chip segments 23a . 23b independently electrically controllable. For ease of illustration electrical insulation between the electrical lines 28 . 28a . 28b not shown and for each of the chip segments 23a . 23b is simplistic only a single electrical line 28a . 28b shown. For example, the LED chip is 2 constructed, as in the publication US 2011/0101390 A1 whose disclosure is included by reference.

Das Konversionselement 3 ist in mehrere Teilelemente 32a, 32b aufgeteilt. Die Teilelemente 32a, 32b sind gemäß 1A separiert voneinander angeordnet. Abweichend von 1A können sich die Teilelemente 32a, 32b berühren und sich über Seitenflächen der Chipsegmente 23a, 23b erstrecken. The conversion element 3 is in several sub-elements 32a . 32b divided up. The subelements 32a . 32b are according to 1A separated from each other. Deviating from 1A can the sub-elements 32a . 32b touch and over side surfaces of the chip segments 23a . 23b extend.

In den 1B bis 1G sind schematische Draufsichten auf die Strahlungshauptseiten 20 von Ausführungsbeispielen der Halbleiterbauteile 1 gezeigt. In diesen Figuren sind die einzelnen Teilelemente des Konversionselements 3 durch Buchstaben symbolisiert. R steht hierbei für ein rot emittierendes Teilelement, B für ein blau emittierendes, G für ein grün emittierendes Teilelement und P für ein weißes Licht emittierendes Teilelement. Die mit R, G, B, P bezeichneten Teilelemente weisen voneinander verschiedene Materialzusammensetzungen, insbesondere hinsichtlich ihrer Leuchtstoffe, auf. Es ist möglich, dass die blau emittierenden Teilelemente B weggelassen werden, falls der Leuchtdiodenchip 2 im Betrieb bereits blaues Licht der gewünschten Farbe emittiert.In the 1B to 1G are schematic plan views of the main radiation sides 20 of embodiments of the semiconductor devices 1 shown. In these figures, the individual sub-elements of the conversion element 3 symbolized by letters. R stands for a red emitting subelement, B for a blue emitting, G for a green emitting subelement and P for a white light emitting subelement. The sub-elements designated R, G, B, P have mutually different material compositions, in particular with regard to their phosphors, on. It is possible that the blue emitting sub-elements B are omitted if the LED chip 2 already emits blue light of the desired color during operation.

Gemäß der 1B und 1C weist das Halbleiterbauteil 1 3 × 3 Teilelemente auf. In 1B sind die Teilelemente R, B, G streifenförmig angeordnet. Gemäß 1C sind die Teilelemente R, B, G farblich durchmischt auf der Strahlungshauptseite 20 arrangiert. According to the 1B and 1C has the semiconductor device 1 3 × 3 sub-elements. In 1B are the sub-elements R, B, G arranged in strips. According to 1C the sub-elements R, B, G are mixed in color on the main radiation side 20 arranged.

In den schematischen Darstellungen gemäß der 1D und 1E weisen die Halbleiterbauteile 1 jeweils eine größere Anzahl der Teilelemente R, B, G auf. Gemäß 1D sind die Teilelemente R, B, G nach Farben sortiert entlang von Streifen parallel zu Kanten des Halbleiterbauteils 1 angeordnet. Die Anordnung der Teilelemente R, B, G in 1E ist bezüglich der Emissionsfarben diagonal erfolgt. In the schematic representations according to the 1D and 1E have the semiconductor devices 1 each a larger number of sub-elements R, B, G on. According to 1D For example, the sub-elements R, B, G are sorted by color along strips parallel to edges of the semiconductor device 1 arranged. The arrangement of the sub-elements R, B, G in 1E has been done diagonally with respect to the emission colors.

Gemäß der 1B bis 1E sind jeweils nur drei verschiedene Teilelemente R, B, G gezeigt. Abweichend hiervon können auch mehr als drei verschiedenfarbig emittierende Teilelemente vorhanden sein. Zum Beispiel kann durch voneinander verschiedene, lateral benachbart angeordnete Teilelemente ein nahezu kontinuierlicher Farbverlauf realisiert sein. Es können dann mindestens zwei oder mindestens vier in verschiedenen Farbtönen der gleichen Grundfarbe emittierende Teilelemente, zum Beispiel mehrere in verschiedenen Grüntönen emittierende Teilelemente, vorhanden sein.According to the 1B to 1E In each case only three different sub-elements R, B, G are shown. Notwithstanding this, it is also possible for more than three sub-elements emitting different colors to be present. For example, a nearly continuous color gradient can be realized by different sub-elements arranged laterally from one another. At least two or at least four partial elements emitting in different shades of the same primary color, for example a plurality of partial elements emitting in different green shades, can then be present.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 1F kann anstelle eines Multi-Pixel-Chips, wie in 1A illustriert, auch ein Leuchtdiodenchip 2 mit einer einzigen, zusammenhängenden Halbleiterschichtenfolge verwendet sein. Die einzelnen Teilelemente P weisen bevorzugt eine gleiche Materialzusammensetzung auf und sind zur Erzeugung von weißem Licht eingerichtet. Es unterscheiden sich die Teilelemente P insbesondere nur in ihrer Dicke. Hierdurch ist erreichbar, dass über die gesamte Strahlungshauptseite 20 hinweg weißes Licht des gleichen Farborts emittiert wird.According to the embodiment 1F can instead of a multi-pixel chips, as in 1A illustrated, also a LED chip 2 be used with a single, coherent semiconductor layer sequence. The individual subelements P preferably have the same material composition and are set up to produce white light. In particular, the sub-elements P differ only in their thickness. This is achievable that over the entire main radiation side 20 white light of the same color is emitted.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 1G sind an der Strahlungshauptseite 20 mehrere Teilelemente P angebracht, die weißes Licht emittieren, und mehrere Teilelemente R, die weißes Licht mit einem höheren Rotanteil erzeugen. Die einzelnen Teilelemente R, P können separat elektrisch ansteuerbaren Chipsegmenten zugeordnet sein oder auch auf einer einzigen, großen Strahlungshauptseite eines nicht segmentierten Leuchtdiodenchips. In the embodiment according to 1G are at the main radiation side 20 a plurality of sub-elements P are emitted, which emit white light, and a plurality of sub-elements R, which generate white light with a higher proportion of red. The individual sub-elements R, P may be assigned separately electrically controllable chip segments or on a single, large main radiation side of a non-segmented LED chip.

Durch eine solche Anordnung der Teilelemente P, R ist beispielsweise ein Blitzlicht etwa für die Kamera eines Mobiltelefons erzielbar. Durch den höheren Rotanteil insbesondere in einer Bildmitte oder in einem oberen Bereich auf Gesichtshöhe können Effekte wie eine lebendigere und/oder frischere Gesichtsfarbe beim Fotografieren erzielt werden. By such an arrangement of the sub-elements P, R, for example, a flash light about the camera of a mobile phone can be achieved. Due to the higher proportion of red, in particular in the middle of a picture or in an upper area on face height, effects such as a livelier and / or fresher face color can be achieved during photography.

Ebenso sind auf diese Weise Scheinwerfer im Automobilbereich realisierbar. Beispielsweise emittiert ein Teilbereich der Strahlungshauptseite dann mit einem geringeren Blauanteil und wirkt weniger blendend. Auch Spezialleuchten als technisch einfach umsetzbare Individualisierung, insbesondere unterschiedlicher blauer Leuchten für unterschiedliche Absatzmärkte oder als Wertigkeitsmerkmal für unterschiedliche Modellreihen, sind hierdurch einfach herstellbar. Auch eine herstellertypische Farbtemperaturverteilung im Leuchtbild etwa zu einer Markenerkennung ist möglich. Likewise, headlights in the automotive sector can be realized in this way. For example, a subregion of the main radiation side then emits a lower proportion of blue and is less dazzling. Even special lights as a technically easy to implement customization, especially different blue lights for different markets or as a valence feature for different model series, this can be easily produced. A manufacturer-specific color temperature distribution in the light image about a brand recognition is possible.

Weiterhin sind Halbleiterbauteile 1, die etwa als Multi-Pixel-Halbleiterbauteile und/oder als Hochvolt-Halbleiterbauteile ausgeführt sind, in Lampen mit wechselbarer Farbtemperatur einbaubar. Beispielsweise können dann einige separat ansteuerbare Pixel, zusätzlich zu einem Weißlicht erzeugenden Konverter, einen rot oder gelb oder orange verstärkt emittierenden Konverter aufweisen. Zum Beispiel können die Halbleiterbauteile 1 mit einem regelbaren Widerstand versehen sein, womit die Farbtemperatur und/oder eine Gesamthelligkeit verstellbar ist. Hiermit ist auch bei monolithischen Multi-Pixel-Chips eine Farbtemperaturanpassung durch einen Anwender möglich. Ebenso bei der Lampenfertigung ist eine Farbtemperatur hierdurch individuell anpassbar. Furthermore, semiconductor devices 1 , which are designed as multi-pixel semiconductor devices and / or as high-voltage semiconductor devices, can be installed in lamps with changeable color temperature. For example, then some separately controllable pixels, in addition to a white light-generating converter, a red or yellow or orange amplified having emitting converter. For example, the semiconductor devices 1 be provided with a controllable resistance, whereby the color temperature and / or a total brightness is adjustable. This allows a color temperature adjustment by a user even with monolithic multi-pixel chips. Likewise in lamp production, a color temperature is individually adaptable.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 2 ist, anders als gemäß 1A, die Strahlungshauptseite 20 nicht vollständig von dem Konversionselement 3 bedeckt. An der Strahlungshauptseite 20 sind Bondpads zum Anschließen der elektrischen Leitungen 28, die als Bonddrähte geformt sind, vorgesehen.According to the embodiment 2 is different than according to 1A , the main radiation side 20 not completely from the conversion element 3 covered. At the main radiation side 20 are bonding pads for connecting the electrical wires 28 , which are formed as bonding wires, provided.

Die Halbleiterschichtenfolge des Leuchtdiodenchips 2 erstreckt sich, wie in 2 dargestellt, über alle Chipsegmente 23a, 23b. Die einzelnen Chipsegmente 23a, 23b sind durch Gräben voneinander separiert, die sich durch die aktive Zone 25 hindurch erstrecken. The semiconductor layer sequence of the LED chip 2 extends as in 2 represented over all chip segments 23a . 23b , The individual chip segments 23a . 23b are separated by trenches, extending through the active zone 25 extend through.

In 3 ist illustriert, dass über der Strahlungshauptseite 20 des Leuchtdiodenchips 2 mehrere Lagen 35 des Konversionselements 3 aufgebracht sind. Dicken T35 der Lagen 35 liegen im Bereich weniger µm. Eine Gesamtdicke T3 des Konversionselements 3 ergibt sich aus der Summe der Dicken T35 der Lagen 35. Es erstrecken sich die Lagen 35 im Wesentlichen vollständig über die Strahlungshauptseite 20. In 3 is illustrated that above the main radiation side 20 of the LED chip 2 several layers 35 the conversion element 3 are applied. Thickness T35 of the layers 35 are in the range of a few μm. A total thickness T3 of the conversion element 3 results from the sum of the thicknesses T35 of the layers 35 , The layers extend 35 essentially completely over the main radiation side 20 ,

Gemäß 4 sind die Lagen 35, die übereinander gestapelt sind, entlang einer lateralen Richtung unterteilt. Die Lagen 35 überlappen hierbei lateral im Wesentlichen nicht. Bei dem Halbleiterchip 2 kann es sich um einen Multi-Pixel-Chip handeln, wie in Verbindung mit den 1A oder 2 illustriert. Ebenso ist es möglich, dass der Leuchtdiodenchip 2 eine einzige elektrisch ansteuerbare Einheit bildet und unsegmentiert ist. Auch in den Ausführungsformen gemäß der 1B bis 1G und gemäß der 3 und 5 bis 9 kann es sich jeweils um einen Multi-Pixel-Chip oder um einen unsegmentierten Einzelchip handeln. According to 4 are the layers 35 , which are stacked one above the other, divided along a lateral direction. The layers 35 do not overlap laterally substantially. In the semiconductor chip 2 can be a multi-pixel chip, as in connection with the 1A or 2 illustrated. It is also possible that the LED chip 2 forms a single electrically controllable unit and is unsegmented. Also in the embodiments according to the 1B to 1G and according to the 3 and 5 to 9 it can be either a multi-pixel chip or an unsegmented single chip.

Der Leuchtdiodenchip 2 ist auf einem Trägersubstrat 8 aufgebracht, das nicht gezeichnete Leiterbahnen umfassen kann. Abweichend von der Darstellung können auf dem Trägersubstrat 8 auch mehrere der Leuchtdiodenchips 2 montiert sein.The LED chip 2 is on a carrier substrate 8th applied, which may include non-drawn conductor tracks. Notwithstanding the illustration, on the carrier substrate 8th also several of the LED chips 2 be mounted.

Im Ausführungsbeispiel gemäß 5 weisen die Lagen 35 einen lateralen Überlapp auf. Hierdurch ist eine vollständige Bedeckung der Strahlungshauptseite 20 erzielbar.In the embodiment according to 5 show the positions 35 a lateral overlap. This is a complete coverage of the main radiation side 20 achievable.

In 6 ist ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterbauteils 1 in schematischen Schnittdarstellungen gezeigt. Das Verfahren kann ausgeführt werden, wie in Druckschrift DE 10 2010 044 985 A1 angegeben, deren Offenbarungsgehalt durch Rückbezug aufgenommen wird.In 6 is an embodiment of a method for producing the semiconductor device 1 shown in schematic sectional views. The method can be carried out as in citation DE 10 2010 044 985 A1 whose disclosure is included by reference.

An einer Trägeroberseite 40 eines Zwischenträgers 4 ist eine Ablöseschicht 5 angebracht. Die Ablöseschicht 5 ist beispielsweise durch ZnO gebildet. Mit einem gepulsten Laserstrahl 6 wird die Ablöseschicht 5 vollständig oder teilweise verdampft, so dass ein gasförmiges Ablösematerial 56 entsteht. Durch diese Volumenausdehnung wird das Konversionselement 3 aus einer ursprünglich zusammenhängenden Schicht 3’ eines Rohmaterials herausgelöst und zu der Strahlungshauptseite 20 hin beschleunigt. Laterale Abmessungen einzelner Teile des Konversionselements 3 sind kleiner als laterale Abmessungen des Leuchtdiodenchips 2.On a carrier top 40 an intermediary 4 is a release layer 5 appropriate. The release layer 5 is formed for example by ZnO. With a pulsed laser beam 6 becomes the peel layer 5 completely or partially vaporized, leaving a gaseous stripping material 56 arises. This volume expansion becomes the conversion element 3 from an originally contiguous layer 3 ' of a raw material and extracted to the main radiation side 20 accelerated. Lateral dimensions of individual parts of the conversion element 3 are smaller than lateral dimensions of the LED chip 2 ,

Ein Abstand D zwischen der Schicht 3’ und der Strahlungshauptseite 20 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 5 µm und 50 µm. Ein Zwischenraum zwischen der Schicht 3’ und der Strahlungshauptseite 20 kann evakuiert sein oder ein Gasdruck kann reduziert sein. Hierdurch sind Einflüsse auf die aus der Schicht 3’ herausgetrennten Teile des Konversionselements 3 aufgrund eines Luftwiderstands reduzierbar oder vermeidbar. Die aus der Schicht 3’ herausgetrennten Teile sind hierbei, in Draufsicht gesehen, beispielsweise quadratisch, rechteckig, sechseckig oder linienartig geformt.A distance D between the layer 3 ' and the radiation main side 20 is, for example, between 5 μm and 50 μm inclusive. A space between the layer 3 ' and the radiation main side 20 may be evacuated or a gas pressure may be reduced. As a result, influences on the out of the layer 3 ' separated parts of the conversion element 3 due to air resistance reducible or avoidable. The out of the shift 3 ' separated parts are here, seen in plan view, for example, square, rectangular, hexagonal or linear shaped.

Eine laterale Ausdehnung der Laserstrahlung 6 und somit der Teile des Konversionselements 3 liegt beispielsweise zwischen einschließlich 5 µm und 200 µm, bevorzugt zwischen einschließlich 15 µm und 100 µm. Die laterale Ausdehnung der Laserstrahlung 6 kann auch an eine Breite der Chipsegmente, vergleiche etwa die 1A und 4, angepasst sein und den lateralen Abmessungen des Halbleiterchips 2 entsprechen, zum Beispiel mit einer Toleranz von höchstens 20 % oder höchstens 10 %.A lateral extension of the laser radiation 6 and thus the parts of the conversion element 3 is, for example, between 5 μm and 200 μm inclusive, preferably between 15 μm and 100 μm inclusive. The lateral extent of the laser radiation 6 can also be a width of the chip segments, compare about the 1A and 4 , be adapted and the lateral dimensions of the semiconductor chip 2 with a tolerance of not more than 20% or not more than 10%.

Abweichend von der Darstellung gemäß 6 ist es auch möglich, dass das Ablösematerial 56 nicht in der separaten Ablöseschicht 5 angebracht ist, sondern der Schicht 3’ beigemengt ist. Das Ablösematerial 56 ist bevorzugt für die später vom Halbleiterchip 2 erzeugte Strahlung durchlässig. Deviating from the illustration according to 6 It is also possible that the release material 56 not in the separate release layer 5 is appropriate, but the layer 3 ' is added. The detachment material 56 is preferred for the later of the semiconductor chip 2 generated radiation permeable.

In 6B ist zu sehen, wie die einzelnen Teile des Konversionselements 3 auf der Strahlungshauptseite 20 aufgebracht werden. Das resultierende Halbleiterbauteil 1 ist in 6C gezeigt.In 6B you can see how the individual parts of the conversion element 3 on the main radiation side 20 be applied. The resulting semiconductor device 1 is in 6C shown.

Zwischen dem Aufbringen aufeinanderfolgender Lagen ist es möglich, den Halbleiterchip 2 elektrisch zu betreiben und durch eine Einstellung der Anzahl der Lagen, die lokal auf der Strahlungshauptseite 20 aufgebracht werden, einen Farbort der emittierten Strahlung gezielt einzustellen. Between the application of successive layers, it is possible to use the semiconductor chip 2 operate electrically and by adjusting the number of layers locally on the Radiation main page 20 be applied to adjust a color location of the emitted radiation targeted.

Optional liegt das Rohmaterial für das Konversionselement 3, wie ein Silikon, in der Schicht 3’ nur unvollständig vernetzt und/oder unvollständig ausgehärtet vor. Mit anderen Worten ist eine Härte des Rohmaterials an dem Träger 4 zum Beispiel durch Belichten oder Wärmeeinwirkung steigerbar. Ein vollständiges Aushärten und/oder Vernetzen des Rohmaterials erfolgt bevorzugt erst nach dem Aufbringen auf den Leuchtdiodenchip 2. Dadurch, dass das Rohmaterial nur unvollständig vernetzt und/oder ausgehärtet auf den Leuchtdiodenchip 2 aufgebracht wird, ist eine mechanisch zuverlässige Verbindung des Konversionselements 3 mit dem Leuchtdiodenchip 2 sowie der Lagen 35 untereinander erreichbar.Optionally, the raw material for the conversion element 3 , like a silicone, in the layer 3 ' only incompletely cross-linked and / or incompletely hardened. In other words, a hardness of the raw material on the carrier 4 For example, by exposure or heat risigerbar. Complete curing and / or crosslinking of the raw material preferably takes place only after application to the LED chip 2 , Characterized in that the raw material only partially crosslinked and / or cured on the LED chip 2 is applied, is a mechanically reliable connection of the conversion element 3 with the LED chip 2 as well as the layers 35 reachable with each other.

In den 7 und 8 sind Ausführungsbeispiele des Halbleiterbauteils 1 gezeigt, bei denen der Leuchtdiodenchip 2 bevorzugt unsegmentiert ist. Gemäß 7 ist das Konversionselement 3 zu einem Zeichen, siehe die schematischen Draufsichten auf die Strahlungshauptseite 20 in den 8B und 8C, strukturiert. Die Strahlungshauptseite 20 ist nur teilweise von dem Konversionselement 3 bedeckt. Hierdurch ist eine statische Farbverteilung als unveränderliches Muster, beispielsweise zur Erkennung eines Firmenlogos oder eines Symbols zur Anzeige in einem Mobiltelefon auf eine Auflagefläche neben dem Mobiltelefon, realisierbar. Beispielsweise kann mit einem solchen Halbleiterbauteil 1 einfach angezeigt werden, ob eine Nachricht auf dem Mobiltelefon hinterlegt ist.In the 7 and 8th are exemplary embodiments of the semiconductor device 1 shown in which the LED chip 2 is preferably unsegmented. According to 7 is the conversion element 3 to a character, see the schematic plan views on the main radiation side 20 in the 8B and 8C , structured. The main radiation side 20 is only partially of the conversion element 3 covered. As a result, a static color distribution as a fixed pattern, for example, to recognize a company logo or a symbol for display in a mobile phone on a support surface next to the mobile phone, realized. For example, with such a semiconductor device 1 simply indicate whether a message is stored on the mobile phone.

Gemäß 8A berühren sich die lateral benachbarten Teilelemente 32a, 32b. Das Teilelemente 32a ist zu dem darzustellenden Symbol als Positiv und das Teilelemente 32b als Negativ strukturiert. According to 8A The laterally adjacent partial elements touch each other 32a . 32b , The subelements 32a is to the symbol to be represented as positive and the subelements 32b structured as a negative.

In 9 weist das Halbleiterbauteil 1 zusätzlich eine abbildende Optik 9 auf. Eine solche Optik 9 kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein. Mit der Optik 9 ist etwa das Symbol, vgl. die 8B und 8C darstellbar.In 9 has the semiconductor device 1 in addition an imaging optics 9 on. Such an appearance 9 can also be present in all other embodiments. With the optics 9 is about the symbol, cf. the 8B and 8C represented.

Gemäß 9 sind Dicken der Teilelemente 32a, 32b gezielt voneinander verschieden eingestellt. Es können die Teilelemente 32a, 32b eine gleiche Materialzusammensetzung aufweisen. Beispielsweise kann so ein Halbleiterbauteil 1 realisiert werden, wie in Verbindung mit 1G gezeigt.According to 9 are thicknesses of the subelements 32a . 32b specifically set different from each other. It can be the sub-elements 32a . 32b have a same material composition. For example, such a semiconductor device 1 be realized, as in connection with 1G shown.

Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es möglich, dass das Konversionselement 3 oder eines der Teilelemente 32a, 32b eine Indikatorfunktion, etwa für Temperatur, Umgebungsfeuchtigkeit und/oder ionisierende Strahlung, aufweist. Hierbei ist bevorzugt das Konversionselement 3 in Kontakt mit einer das Halbleiterbauteil 1 umgebenden Atmosphäre. Der Leuchtdiodenchip 2 ist dann bevorzugt verkapselt. Solche Verkapselungen sind in den Figuren jeweils nicht dargestellt. As in all other embodiments, it is possible that the conversion element 3 or one of the sub-elements 32a . 32b an indicator function, such as for temperature, ambient humidity and / or ionizing radiation has. Here, the conversion element is preferred 3 in contact with a semiconductor device 1 surrounding atmosphere. The LED chip 2 is then preferably encapsulated. Such encapsulations are not shown in the figures.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede neue Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. The invention described here is not limited by the description based on the embodiments. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every new combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 2011/0101390 A1 [0046] US 2011/0101390 A1 [0046]
  • DE 102010044985 A1 [0063] DE 102010044985 A1 [0063]

Claims (14)

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Leuchtdiodenchips (2) mit einer Strahlungshauptseite (20), – Aufbringen eines Konversionselements (3), das zu einer Umwandlung von vom Leuchtdiodenchip (2) emittierter Primärstrahlung in eine hiervon verschiedene Sekundärstrahlung eingerichtet ist, auf die Strahlungshauptseite (20), wobei das Konversionselement (3) mit einer über die Strahlungshauptseite (20) hinweg variierenden Dicke und/oder Materialzusammensetzung aufgebracht wird.Method for producing an optoelectronic semiconductor component ( 1 ) comprising the steps: - providing a light-emitting diode chip ( 2 ) with a radiation main side ( 20 ), - application of a conversion element ( 3 ), which leads to a conversion of the light-emitting diode chip ( 2 ) emitted primary radiation is arranged in a different secondary radiation, on the main radiation side ( 20 ), wherein the conversion element ( 3 ) with a via the main radiation side ( 20 ) of varying thickness and / or material composition. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Aufbringen mindestens eines Teils des Konversionselements (3) die folgenden Schritte umfasst: – Bereitstellen mindestens eines Teils des Konversionselements (3), wobei das Konversionselement (3) in einer Schicht (3’) an einer Trägerhauptseite (40) eines Zwischenträgers (4) angebracht ist, – Anordnen des Teils des Konversionselements (3) derart, dass es der Strahlungshauptseite (20) zugewandt ist und einen Abstand (D) zu der Strahlungshauptseite (20) aufweist, und – Ablösen des Teils des Konversionselements (3) von dem Zwischenträger (4) und Aufbringen auf die Strahlungshauptseite (20) mittels Bestrahlen und Erhitzen eines Absorberbestandteils (36) des Konversionselements (3) und/oder einer zwischen dem Konversionselement (3) und dem Zwischenträger (4) befindlichen Ablöseschicht (5) mit einer gepulsten Laserstrahlung (6), die den Zwischenträger (4) durchstrahlt, wobei es sich bei dem Leuchtdiodenchip (2) um einen Multipixelchip mit mehreren elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren und monolithisch integrierten Chipsegmenten (23) handelt.Method according to the preceding claim, in which the application of at least a part of the conversion element ( 3 ) comprises the following steps: - providing at least part of the conversion element ( 3 ), wherein the conversion element ( 3 ) in a layer ( 3 ' ) on a carrier main side ( 40 ) of an intermediate carrier ( 4 ), arranging the part of the conversion element ( 3 ) such that it is the main radiation side ( 20 ) and a distance (D) to the main radiation side ( 20 ), and - detaching the part of the conversion element ( 3 ) from the intermediate carrier ( 4 ) and applying to the main radiation side ( 20 ) by irradiation and heating of an absorber component ( 36 ) of the conversion element ( 3 ) and / or one between the conversion element ( 3 ) and the subcarrier ( 4 ) release layer ( 5 ) with a pulsed laser radiation ( 6 ), the intermediate carrier ( 4 ), wherein the light-emitting diode chip ( 2 ) around a multipixel chip with a plurality of electrically independently controllable and monolithically integrated chip segments ( 23 ). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens ein Teil des Konversionselements (3) nacheinander in mehreren, übereinander folgenden Lagen (35) auf der Strahlungshauptseite (20) des Leuchtdiodenchips (2) aufgebracht wird, wobei nach dem Aufbringen von zumindest einer der Lagen (35) ein Farbort der von dem Leuchtdiodenchip (2) zusammen mit dem bereits auf dem Leuchtdiodenchip (2) aufgebrachten Teil des Konversionselements (3) emittierten Strahlung ermittelt wird und, abhängig von dem Farbort, weitere Lagen (35) des Konversionselements (3) auf den Leuchtdiodenchip (2) aufgebracht werden.Method according to one of the preceding claims, in which at least part of the conversion element ( 3 ) successively in several successive layers ( 35 ) on the main radiation side ( 20 ) of the LED chip ( 2 ) is applied, wherein after the application of at least one of the layers ( 35 ) a color locus of the light emitting diode chip ( 2 ) together with the already on the LED chip ( 2 ) applied part of the conversion element ( 3 ) emitted radiation and, depending on the color location, further layers ( 35 ) of the conversion element ( 3 ) on the LED chip ( 2 ) are applied. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens ein Teil des Konversionselements (3) mit einem Bestückungsautomaten, mittels Tampondruck oder mittels Tintenstrahldruck auf die Strahlungshauptseite (20) aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, in which at least part of the conversion element ( 3 ) with a placement machine, by pad printing or by inkjet printing on the main radiation side ( 20 ) is applied. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit – einem Leuchtdiodenchip (2), der eine Strahlungshauptseite (20) aufweist, und – einem Konversionselement (3), das zu einer Umwandlung von vom Leuchtdiodenchip (2) emittierter Primärstrahlung in eine hiervon verschiedene Sekundärstrahlung eingerichtet ist, wobei das Konversionselement (3) in Dicke und/oder Materialzusammensetzung über die Strahlungshauptseite (20) hinweg variiert.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) with - a light-emitting diode chip ( 2 ), which has a radiation main side ( 20 ), and - a conversion element ( 3 ), which leads to a conversion of the light-emitting diode chip ( 2 ) emitted primary radiation is arranged in a different secondary radiation, wherein the conversion element ( 3 ) in thickness and / or material composition over the main radiation side ( 20 ) varies. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Leuchtdiodenchip (2) in mehrere elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbare und monolithisch integrierte Chipsegmente (23) unterteilt ist und das Konversionselement (3) in Teilelemente (32) unterteilt ist, wobei mindestens zwei der Chipsegmente (23) mit Teilelementen (32) versehen sind, die sich in ihrer Dicke und/oder Materialzusammensetzung voneinander unterscheiden.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to the preceding claim, in which the light-emitting diode chip ( 2 ) in several electrically independently controllable and monolithically integrated chip segments ( 23 ) and the conversion element ( 3 ) into subelements ( 32 ), wherein at least two of the chip segments ( 23 ) with subelements ( 32 ) are provided, which differ in their thickness and / or material composition from each other. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 5, bei dem der Leuchtdiodenchip (2) eine einzige elektrisch ansteuerbare Einheit ist, wobei das Konversionselement (3) die Form eines Symbols, eines Piktogramms oder mindestens eines Schriftzeichens aufweist.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to claim 5, in which the light-emitting diode chip ( 2 ) is a single electrically controllable unit, wherein the conversion element ( 3 ) has the form of a symbol, a pictogram or at least one character. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Konversionselement (3) höchstens 40 % der Strahlungshauptseite (30) bedeckt.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to the preceding claim, in which the conversion element ( 3 ) at most 40% of the main radiation side ( 30 ) covered. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 7, bei dem das Konversionselement (3) mindestens 90 % der Strahlungshauptseite (30) bedeckt, wobei das Konversionselement (3) mindestens zwei Teilelemente (32a, 32b) aufweist und eines der Teilelemente (32a) das Symbol, das Piktogramm oder das Schriftzeichen bildet und ein anderes der Teilelemente (32b) ein Negativ hierzu, und wobei die Teilelemente (32a, 32b) lateral nebeneinander angeordnet sind.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to claim 7, wherein the conversion element ( 3 ) at least 90% of the main radiation side ( 30 ), wherein the conversion element ( 3 ) at least two subelements ( 32a . 32b ) and one of the sub-elements ( 32a ) the symbol, the pictogram or the character forms and another of the sub-elements ( 32b ) a negative to this, and wherein the sub-elements ( 32a . 32b ) are arranged laterally side by side. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 5, bei dem der Leuchtdiodenchip (2) eine einzige elektrisch ansteuerbare Einheit ist und das Konversionselement (3) mindestens 90 % der Strahlungshauptseite (30) bedeckt, wobei das Konversionselement (3) lateral nebeneinander angeordnete Teilelemente (32) aufweist, die sich in ihrer Materialzusammensetzung voneinander unterscheiden und die zur Emission von Strahlung voneinander verschiedener Farborte eingerichtet sind.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to claim 5, in which the light-emitting diode chip ( 2 ) is a single electrically controllable unit and the conversion element ( 3 ) at least 90% of the main radiation side ( 30 ), wherein the conversion element ( 3 ) laterally juxtaposed sub-elements ( 32 ), which differ in their material composition differ from each other and are arranged to emit radiation from each other different color locations. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 6 bis 10, das ferner eine abbildende Optik (9) umfasst, wobei die Optik (9) dazu eingerichtet ist, die Chipsegmente (23) und/oder die Teilelemente (32) und/oder das Symbol, Piktogramm oder Schriftzeichen auf eine zu beleuchtende Fläche zu projizieren. Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to one of claims 6 to 10, further comprising an imaging optic ( 9 ), the optics ( 9 ) is adapted to the chip segments ( 23 ) and / or the subelements ( 32 ) and / or to project the symbol, pictogram or character on a surface to be illuminated. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 5, bei dem der Leuchtdiodenchip (2) unsegmentiert und eine einzige elektrisch ansteuerbare Einheit ist und das Konversionselement (3) mindestens 90 % der Strahlungshauptseite (20) bedeckt, wobei das Konversionselement (3) mehrere übereinander gestapelte Lagen (35) aufweist und eine Anzahl der übereinander gestapelten Lagen über die Strahlungshauptseite (20) hinweg variiert.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to claim 5, in which the light-emitting diode chip ( 2 ) is unsegmented and a single electrically controllable unit and the conversion element ( 3 ) at least 90% of the main radiation side ( 20 ), wherein the conversion element ( 3 ) several stacked layers ( 35 ) and a number of the stacked layers over the main radiation side ( 20 ) varies. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem jede der Lagen (35) die gleiche Materialzusammensetzung aufweist und über die gesamte Strahlungshauptseite (20) hinweg im Betrieb Strahlung mit dem gleichen Farbort emittiert wird, wobei die Dicke des Konversionselements (3) über die Strahlungshauptseite (20) hinweg variiert.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to the preceding claim, in which each of the layers ( 35 ) has the same material composition and over the entire main radiation side ( 20 ) is emitted in operation radiation with the same color location, wherein the thickness of the conversion element ( 3 ) over the main radiation side ( 20 ) varies. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 5 bis 13, bei dem mindestens ein Teil des Konversionselements (3) ein Indikator für eine oder mehrere der Parameter ionisierende Strahlung, Temperatur sowie Umgebungsfeuchtigkeit ist, wobei das Konversionselement (3) dazu eingerichtet ist, dass sich abhängig von dem Parameter eine spektrale Zusammensetzung der von dem Konversionselement (3) erzeugten Strahlung ändert.Optoelectronic semiconductor component ( 1 ) according to one of Claims 5 to 13, in which at least a part of the conversion element ( 3 ) is an indicator for one or more of the parameters ionizing radiation, temperature and ambient humidity, wherein the conversion element ( 3 ) is set up so that, depending on the parameter, a spectral composition of the component of the conversion element ( 3 ) radiation changes.
DE102012101393A 2012-02-21 2012-02-21 Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component Withdrawn DE102012101393A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012101393A DE102012101393A1 (en) 2012-02-21 2012-02-21 Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
PCT/EP2013/050586 WO2013124089A1 (en) 2012-02-21 2013-01-14 Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012101393A DE102012101393A1 (en) 2012-02-21 2012-02-21 Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102012101393A1 true DE102012101393A1 (en) 2013-08-22

Family

ID=47624033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012101393A Withdrawn DE102012101393A1 (en) 2012-02-21 2012-02-21 Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102012101393A1 (en)
WO (1) WO2013124089A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017536704A (en) * 2014-12-04 2017-12-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing optoelectronic semiconductor device
CN110392846A (en) * 2017-03-16 2019-10-29 皮克斯量子有限公司 Electromagnetic radiation detection equipment
WO2023011922A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic assembly

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3055944B1 (en) * 2016-09-15 2020-11-13 Valeo Vision LIGHT CONVERSION FOR A HIGH RESOLUTION LIGHT SOURCE

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4223795A1 (en) * 1992-07-20 1994-02-03 Priesemuth W Optoelectronic component
US20080142816A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Philips Lumileds Lighting Company Llc Tunable White Point Light Source Using a Wavelength Converting Element
US7473013B2 (en) * 2003-12-10 2009-01-06 Okaya Electric Industries Co., Ltd. Indicator lamp having a converging lens
DE102008020882A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Light emitting device, has inhomogeneous light source and wavelength converting element positioned in relation to each other such that pre-defined optical characteristics of light is achieved by device
WO2010151600A1 (en) * 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
DE102009037186A1 (en) * 2009-08-12 2011-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor component
US20110101390A1 (en) 2008-02-29 2011-05-05 OSRAM Opio Semiconductors GmbH Monolithic, Optoelectronic Semiconductor Body and Method for the Production Thereof
WO2012032052A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for applying a conversion means to an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic component

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170989A (en) * 2000-12-04 2002-06-14 Sharp Corp Nitride based compound semiconductor light emitting element
KR101525274B1 (en) * 2007-10-26 2015-06-02 크리, 인코포레이티드 Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
DE102009048401A1 (en) * 2009-10-06 2011-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
US8604498B2 (en) * 2010-03-26 2013-12-10 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Single phosphor layer photonic device for generating white light or color lights
JP5759790B2 (en) * 2010-06-07 2015-08-05 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor light emitting device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4223795A1 (en) * 1992-07-20 1994-02-03 Priesemuth W Optoelectronic component
US7473013B2 (en) * 2003-12-10 2009-01-06 Okaya Electric Industries Co., Ltd. Indicator lamp having a converging lens
US20080142816A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Philips Lumileds Lighting Company Llc Tunable White Point Light Source Using a Wavelength Converting Element
US20110101390A1 (en) 2008-02-29 2011-05-05 OSRAM Opio Semiconductors GmbH Monolithic, Optoelectronic Semiconductor Body and Method for the Production Thereof
DE102008020882A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Light emitting device, has inhomogeneous light source and wavelength converting element positioned in relation to each other such that pre-defined optical characteristics of light is achieved by device
WO2010151600A1 (en) * 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
DE102009037186A1 (en) * 2009-08-12 2011-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor component
WO2012032052A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for applying a conversion means to an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic component
DE102010044985A1 (en) 2010-09-10 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for applying a conversion agent to an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic component

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017536704A (en) * 2014-12-04 2017-12-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing optoelectronic semiconductor device
US10586827B2 (en) 2014-12-04 2020-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for fabricating an optoelectronic semiconductor component
CN110392846A (en) * 2017-03-16 2019-10-29 皮克斯量子有限公司 Electromagnetic radiation detection equipment
WO2023011922A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic assembly

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013124089A1 (en) 2013-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2223337B1 (en) Optoelectronic component and production method for an optoelectronic component
DE102012002605B4 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
DE102008005497A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component and a wafer
DE102017106755B4 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
WO2016034388A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip
DE102010051286A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip and method for its production
DE102016221533B4 (en) Method and device for transferring electronic components from a carrier substrate to an intermediate carrier substrate
DE102006015117A1 (en) Electromagnetic radiation emitting optoelectronic headlights, has gallium nitride based light emitting diode chip, which has two emission areas
DE102008005935A1 (en) Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device
EP2294614B1 (en) Method for producing a plurality of optoelectronic components
DE102016220915A1 (en) Process for the production of optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component
DE102012101393A1 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
WO2018234160A1 (en) Semiconductor display, optoelectronic semiconductor component and method for producing same
DE102014108362B4 (en) Method for producing a plurality of optoelectronic components and optoelectronic component
WO2018134132A1 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component
WO2015162023A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
DE102017113573A1 (en) Arrangement with a plurality of lighting modules and method for producing an arrangement with a plurality of lighting modules
DE102017113741A1 (en) Optoelectronic semiconductor component
DE102008047579A1 (en) Lamp
DE102008006988A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102008022542A1 (en) Radiation-emitting component for use in illumination device, has conversion layers including conversion elements for converting portions of primary radiation sent by LED chip into secondary radiation, respectively
DE102008049399B4 (en) Optoelectronic component, optoelectronic device and method for producing an optoelectronic component
DE102016210048A1 (en) LIGHT SOURCE ASSEMBLY FOR A VEHICLE AND LIGHTING DEVICE FOR A VEHICLE WITH THE LIGHT SOURCE ARRANGEMENT
DE102016103632A1 (en) Pixel unit and video display device
WO2019121556A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing optoelectronic semiconductor components

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee