DE102008051050A1 - Opto-electronic semiconductor module for e.g. projection application, has semiconductor segments characterized by operating voltages, where one of voltage range includes weighted sum of natural numbers with different voltage ranges - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Modul mit optoelektronischen Halbleiterelementen.The The invention relates to a module with optoelectronic semiconductor elements.
Optoelektronische Halbleiterelemente werden für eine Vielzahl verschiedener Lichtanwendungen verwendet. Sie bieten sich vor allem an, wenn eine hohe Lichtausbeute auf einem geringen Raum erforderlich ist. Beispiele für die Verwendung von optoelektronischen Halbleiterelementen finden sich in Projektionsanwendungen und auch im Automotivbereich, dort unter anderem in der Verwendung von Frontscheinwerfern.Optoelectronic Semiconductor elements are used for used a variety of different lighting applications. they offer especially when a high luminous efficacy on a small Space is required. Examples of the use of optoelectronic Semiconductor elements are found in projection applications and also in the automotive sector, there among other things in the use of headlights.
Bei Schaltungen mit optoelektronischen Halbleiterelementen, die in verschiedenen Farben abstrahlen, werden die verschiedenfarbigen Halbleiterelemente mit separaten Treiberkomponenten angesteuert. Die Treiberkomponenten stellen die verschiedenen Betriebsspannungen und Leistungen für die verschiedenfarbigen Halbleiterelemente bereit.at Circuits with optoelectronic semiconductor elements, which in different Color radiate become the different colored semiconductor elements controlled with separate driver components. The driver components represent the different operating voltages and powers for the differently colored ones Semiconductor elements ready.
Erfindungsgemäß ist ein Modul mit optoelektronischen Halbleiterelementen vorgesehen, wobei jedes optoelektronisches Halbleiterelement des Moduls in Reihe geschaltete zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung geeignete Halbleitersegmente umfasst. Jedes Halbleitersegment ist durch eine Segmentbetriebsspannung charakterisiert. Die Segmentbetriebsspannung der in Reihe geschalteten Halbleitersegmente bestimmt im Wesentlichen eine Betriebsspannung des optoelektronischen Halbleiterelements. Die Betriebsspannungen der optoelektronischen Halbleiterelemente liegen innerhalb eines Spannungsbereichs oder innerhalb eines Spannungsbereichs einer Gruppe von vorgegebenen Spannungsbereichen, wobei einer der Spannungsbereiche die Summe der mit natürlichen Zahlen gewichteten anderen Spannungsbereiche umfasst.According to the invention is a Module provided with optoelectronic semiconductor elements, each Optoelectronic semiconductor element of the module connected in series comprises semiconductor segments suitable for the emission of electromagnetic radiation. Each semiconductor segment is characterized by a segment operating voltage. The segment operating voltage of the series connected semiconductor segments essentially determines an operating voltage of the optoelectronic Semiconductor element. The operating voltages of the optoelectronic Semiconductor elements are within a voltage range or within a voltage range of a group of predetermined voltage ranges, where one of the voltage ranges is the sum of natural Includes numbers weighted other voltage ranges.
Bei der ersten Alternative sind die Betriebspannungen der Halbleiterelemente gleich oder derart in einem einzigen Spannungsbereich liegend, dass die Halbleiterelemente in einer Spaltungsanordnung parallel schaltbar sind.at The first alternative is the operating voltages of the semiconductor elements equal or in a single voltage range, that the semiconductor elements in a cleavage arrangement in parallel switchable are.
Bei der zweiten Alternative sind die Betriebsspannungen der Halbleiterelemente derart verteilt, dass eine Reihenschaltung von Halbleiterelementen parallel zu einem weiteren Halbleiterelement schaltbar ist. Die Summe der Betriebspannungen der in Reihe geschalteten Halbleiterelemente ist gleich der Betriebsspannung des weiteren Halbleiterelements. Die Betriebsspannung des weiteren Halbleiterelements ist gleich der mit natürlichen Zahlen gewichteten anderen Betriebsspannungen. Die natürlichen Zahlen sind 0, 1, 2, 3, 4, ....at The second alternative is the operating voltages of the semiconductor elements distributed such that a series circuit of semiconductor elements in parallel can be switched to a further semiconductor element. The sum of Operating voltages of the series-connected semiconductor elements equal to the operating voltage of the further semiconductor element. The Operating voltage of the further semiconductor element is the same with natural Numbers weighted other operating voltages. The natural numbers are 0, 1, 2, 3, 4, ....
Folgendes Beispiel mag die zweite Alternative verdeutlichen. Ein Ausführungsbeispiel umfasst ein erstes Halbleiterelement mit einer Betriebspannung von ungefähr 2 Volt, ein zweites Halbleiterelement mit einer Betriebsspannung von ungefähr 4 Volt und ein drittes Halbleiterelement mit einer Betriebspannung von ungefähr 6 Volt. Eine Reihenschaltung des ersten und des zweiten Halbleiterelements ließe sich parallel zum dritten Halbleiterelement schalten. Die Betriebsspannung des dritten Halbleiterelements ist die Summe der Betriebsspannungen der anderen Halbleiterelemente. Dabei sind die Summanden jeweils mit 1 gewichtet.following Example may clarify the second alternative. An embodiment comprises a first semiconductor element with an operating voltage of approximately 2 volts, a second semiconductor element with an operating voltage of about 4 volts and a third semiconductor element with an operating voltage of about 6 volts. A series connection of the first and the second semiconductor element could be switch parallel to the third semiconductor element. The operating voltage of the third semiconductor element is the sum of the operating voltages the other semiconductor elements. The summands are respectively weighted with 1.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel umfasst ein erstes Halbleiterelement mit einer Betriebspannung von ungefähr 2 Volt, ein zweites Halbleiterelement mit einer Betriebspannung von ungefähr 8 Volt und ein drittes Halbleiterelement mit einer Betriebspannung von ungefähr 12 Volt. Die Reihenschaltung von zwei ersten Halbleiterelementen und einem zweiten Halbleiterelement ließe sich parallel zum dritten Halbleiterelement schalten. Dessen Betriebsspannung ist die Summe der Betriebsspannungen der anderen Halbleiterelemente. Bei der Summenbildung wird die Betriebsspannung des ersten Halbleiterelements mit 2 gewichtet und die Betriebsspannung des zweiten Halbleiterelements mit 1 gewichtet.One another embodiment comprises a first semiconductor element with an operating voltage of approximately 2 volts, a second semiconductor element with an operating voltage of about 8 volts and a third semiconductor element with an operating voltage of about 12 volts. The series connection of two first semiconductor elements and a second semiconductor element could be parallel to the third Switch semiconductor element. Its operating voltage is the sum the operating voltages of the other semiconductor elements. At the summation the operating voltage of the first semiconductor element is weighted by 2 and the operating voltage of the second semiconductor element is weighted by one.
Ein derartiger spannungsangepasster Satz optoelektronischer Halbleiterelemente erlaubt es Schaltungsanordnungen aufzubauen, sodass sie mit einer selben Versorgungsspannung betreibbar sind, was Platz, Aufwand und Kosten sparend ist.One such voltage-matched set of optoelectronic semiconductor elements allows it to build circuit arrangements, so they with a same supply voltage can be operated, giving space, effort and Cost saving is.
Ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterelements ist ein Chip mit einem Halbleiterkörper. Ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterelements ist ein Halbleiterbauelement. In einem Ausführungsbeispiel sind als Halbleitersegmente Chips oder Halbleiterkörper vorgesehen.One embodiment a semiconductor element is a chip with a semiconductor body. An embodiment a semiconductor element is a semiconductor device. In one Embodiment are provided as semiconductor segments chips or semiconductor body.
In einer Ausgestaltung unterscheiden sich die optoelektronischen Halbleiterelemente hinsichtlich ihrer abstrahlbaren elektromagnetischen Strahlung, sodass durch eine Kombination der Halbleiterelemente deren emittierte Strahlungen überlagert werden.In In one embodiment, the optoelectronic semiconductor elements differ with regard to their radiant electromagnetic radiation, so that emitted by a combination of the semiconductor elements Radiation superimposed become.
In einer Ausgestaltung haben die Halbleitersegmente eines Halbleiterelements gleiche Segmentbetriebsspannungen, sodass die Betriebsspannung des Halbleiterelements ein Vielfaches der Segmentbetriebsspannung ist.In In one embodiment, the semiconductor segments of a semiconductor element same segment operating voltages, so that the operating voltage of Semiconductor element is a multiple of the segment operating voltage.
In einer Ausgestaltung mit einem ersten optoelektronischen Halbleiterelement, dessen in Reihe geschaltete Halbleitersegmente jeweils eine erste Segmentbetriebsspannung haben, und einem zweiten optoelektronischen Halbleiterelement, dessen in Reihe geschaltete Halbleitersegmente jeweils eine zweite Segmentbetriebsspannung haben, umfasst der vorgegebene Spannungsbereich ein gemeinsames Vielfaches der ersten und zweiten Segmentbetriebsspannung. Die gemeinsame Betriebsspannung beider Halbleiterelemente wird durch die unterschiedliche Anzahl der Halbleitersegmente bestimmt. Die Betriebsspannung geteilt durch die Segmentbetriebsspannung ist die Anzahl der für die Betriebsspannung benötigten Segmente.In one embodiment, with a first optoelectronic semiconductor element, whose semiconductor segments connected in series each have a first segment operating voltage, and a second optoelectronic semiconductor element, whose series-connected semiconductor segments each have one second segment operating voltage, the predetermined voltage range comprises a common multiple of the first and second segment operating voltage. The common operating voltage of both semiconductor elements is determined by the different number of semiconductor segments. The operating voltage divided by the segment operating voltage is the number of segments required for the operating voltage.
Vorteilhafterweise unterscheiden sich die Halbleiterelemente hinsichtlich der Farbe des Lichts, das sie abstrahlen. Die Halbleiterelemente lassen sich kombinieren, um eine Mischfarbe zu generieren.advantageously, The semiconductor elements differ in color the light they emit. The semiconductor elements can be combine to create a mixed color.
Um weißes Licht zu mischen, werden vorteilhafterweise optoelektronische Halbleiterelemente in den Farben rot, grün und blau kombiniert. Alternativ können auch optoelektronische Halbleiterelemente in den Farben weiß-grün und rot, insbesondere tiefrot, verwendet werden, um warm-weißes Licht zu mischen. Weiße Lichtquellen können für eine Allgemeinbeleuchtung oder eine Display-Hinterleuchtung verwendet werden.Around white Light to be mixed, are advantageously optoelectronic semiconductor elements in the colors red, green and blue combined. Alternatively, optoelectronic Semiconductor elements in the colors white-green and red, especially deep red, used become warm white To mix light. white Light sources can for one General lighting or a display backlight used become.
Die Halbleitersegmente umfassen in einer Ausführung eine aktive Schicht, die geeignet ist elektromagnetische Strahlung zu emittieren. In einer Ausgestaltung unterscheiden sich die Halbleitersegmente verschiedener Halbleiterelemente und/oder die Halbleitersegmente eines Halbleiterelements hinsichtlich ihrer Art und/oder ihrer Dimensionierung.The Semiconductor segments in one embodiment comprise an active layer, which is suitable for emitting electromagnetic radiation. In In one embodiment, the semiconductor segments differ from one another Semiconductor elements and / or the semiconductor segments of a semiconductor element in terms of their nature and / or their dimensions.
Durch die Dimensionierung der Halbleitersegmente lässt sich auch bei unterschiedlicher Stromeffizienz der verschiedenen Segmenttypen ein gewünschter Gesamtfarbton einstellen, wie im Folgenden verdeutlicht. Ein erstes Halbleitersegment, das eine erste Farbe abstrahlt, jedoch eine geringere Stromeffizienz hat als ein zweites Halbleitersegment, welches eine zweite Farbe abstrahlt, strahlt in einer Ausgestaltung, bei der das erste und das zweite Halbleitersegment gleich dimensioniert sind, mit geringerer Intensität ab. Wenn das erste Halbleitersegment jedoch größer dimensioniert ist als das zweite, lässt sich der Intensitätsunterschied ausgleichen.By The dimensioning of the semiconductor segments can also be achieved with different current efficiency set the desired overall color tone for the various segment types, as illustrated below. A first semiconductor segment, the emits a first color, but less power efficiency has as a second semiconductor segment, which is a second color radiates, radiates in an embodiment in which the first and the second semiconductor segment are the same size, with less intensity from. However, if the first semiconductor segment is larger than that second, lets the intensity difference compensate.
Halbleitersegmente unterschiedlicher Art unterscheiden sich beispielsweise durch das verwendete Materialsystem oder die Art, Dicke oder Struktur von Wellenlängenkonversionsschichten, die über der aktiven, emittierenden Schicht angeordnet sind. Die Wellenlängenkonversionsschicht beeinflusst das Spektrum des von der aktiven Schicht abgestrahlten Lichts.Semiconductor segments different types differ for example by the used material system or the type, thickness or structure of Wavelength conversion layers, the above the active, emitting layer are arranged. The wavelength conversion layer affects the spectrum of the light emitted by the active layer.
Somit ist die Gestaltung der Halbleitersegmente ein geeignetes Mittel, um die abgestrahlte Strahlung hinsichtlich ihres Spektrums, aber auch hinsichtlich ihrer Intensität zu beeinflussen.Consequently is the design of the semiconductor segments a suitable means to the radiated radiation in terms of its spectrum, but also in terms of their intensity to influence.
Eine Ausführung des Moduls mit den optoelektronischen Halbleiterelementen umfasst vorteilhafterweise ein erstes optoelektronisches Halbleiterelement und ein zweites optoelektronisches Halbleiterelement, welche parallel geschaltet sind. Auf Grund der gleichen Betriebsspannungen der Halbleiterelemente ist diese Art der Verschaltung möglich.A execution of the module with the optoelectronic semiconductor elements Advantageously, a first optoelectronic semiconductor element and a second optoelectronic semiconductor element which is parallel are switched. Due to the same operating voltages of the semiconductor elements this type of interconnection is possible.
In einer alternativen Ausgestaltung ist ein erstes optoelektronisches Halbleiterelement parallel zu einer Reihenschaltung von Halbleiterelementen mit zumindest einem zweiten Halbleiterelement geschaltet. Die Reihenschaltung kann beispielsweise zwei Halbleiterelemente verschiedenen oder gleichen Typs umfassen. Die optoelektronischen Halbleiterelemente haben verschiedene Betriebsspannungen, die derart gewählt sind, dass die Parallelschaltung mit der Reihenschaltung kombinierbar ist.In an alternative embodiment is a first optoelectronic Semiconductor element in parallel with a series circuit of semiconductor elements with connected at least a second semiconductor element. The series connection For example, two semiconductor elements may be different or the same Type include. The optoelectronic semiconductor elements have different Operating voltages chosen such that the parallel connection can be combined with the series connection.
Bei einer platz- und kosteneffizienten Ausgestaltung sind die Halbleiterelemente in einem Gehäuse oder auf einer Trägerplatte, einem so genannten Board, angeordnet.at a space and cost efficient design are the semiconductor elements in a housing or on a carrier plate, a so-called board.
Vorteilhafterweise ist eine gemeinsame Treiberkomponente für die Halbleiterelemente vorgesehen, die es erlaubt, die parallel angeordneten Halbleiterelemente gleichzeitig anzusteuern. Es ist nicht mehr erforderlich, dass verschiedene Treiberkomponenten für die verschiedenen Halbleiterelemente vorgesehen sind.advantageously, a common driver component is provided for the semiconductor elements, which allows the semiconductor elements arranged in parallel at the same time head for. It is no longer necessary that different driver components for the various semiconductor elements are provided.
In einer Ausgestaltung sind die Halbleiterelemente der Schaltungsanordnung derart dimensioniert und angeordnet, dass die Mischung des abgestrahlten Lichts der optoelektronischen Halbleiterelemente weiß ist.In In one embodiment, the semiconductor elements of the circuit arrangement dimensioned and arranged so that the mixture of the radiated Light of the optoelectronic semiconductor elements is white.
Damit sich die Farbe, die durch die Kombination der Halbleiterelemente abgestrahlt wird, auch während des Alterungsprozesses der Halbleiterelemente oder unter Temperatureinfluss nicht verändert, haben die optoelektronischen Halbleiterelemente ein ähnliches Alterungs- beziehungsweise Temperaturverhalten.In order to the color caused by the combination of semiconductor elements is emitted even during the aging process of the semiconductor elements or under the influence of temperature not changed, have the optoelectronic semiconductor elements a similar aging or Temperature behavior.
In einem Ausführungsbeispiel erfolgt die Reihenschaltung der Halbleitersegmente durch leitende Verbindungen auf der von einer Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleitersegmente. Die Kontaktierung der Halbleitsegmente erfolgt auf der von der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite durch Kontaktschichten, die zumindest teilweise überlappen. Die Kontaktelemente zur Kontaktierung der Elemente sind auf der von der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite der Halbleitersegmente vorgesehen, dabei kann die Kontaktierung auf der Rückseite oder im Seitenbereich der Halbleitersegmente erfolgen. Die Kontaktelemente sind mit den Kontaktschichten verbunden oder zugängliche Bereiche der Kontaktschichten. Somit wird die Reihenschaltung der Halbleitersegmente innerhalb der Halbleiterelemente durch eine leitende Verbindung der Kontaktelemente realisiert, die sich auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite der Strahlung emittierenden Schicht befinden.In one exemplary embodiment, the series connection of the semiconductor segments is effected by conductive connections on the side of the optoelectronic semiconductor segments which faces away from a radiation passage area. The contacting of the semiconductor segments takes place on the side facing away from the radiation passage area side by contact layers which overlap at least partially. The contact elements for contacting the elements are provided on the side facing away from the radiation passage surface side of the semiconductor segments, while the contact can be made on the back or in the side region of the semiconductor segments. The contact elements are with the contact layers connected or accessible areas of the contact layers. Thus, the series connection of the semiconductor segments within the semiconductor elements is realized by a conductive connection of the contact elements, which are located on the side facing away from the radiation passage surface of the radiation-emitting layer.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen erläutert.in the The invention will be explained with reference to drawings.
Es zeigen:It demonstrate:
Ein
erstes optoelektronische Halbleiterelement
Des
Weiteren sind zwei Kontakte
Ein
zweites optoelektronisches Halbleiterelement
Ein
drittes optoelektronisches Halbleiterelement
Die
Kombination von grünem,
blauem und rotem Licht ergibt weißes Licht, sodass der dargestellte
Chipsatz
Die
optoelektronischen Halbleiterelemente
Die
Betriebsspannung jedes Chips
Im
dargestellten Ausführungsbeispiel
fällt, bei
gleichen Halbleitersegmenten in einem Chip, die Hälfte der
Betriebsspannung über
den Halbleitersegmenten
Wegen
der Reihenschaltung der Halbleitersegmente
Wenn
beispielsweise über
den grünen
und blauen Halbleitersegmenten
Bei
den roten Halbleitersegmenten
Bei
diesem Ausführungsbeispiel
ist die Betriebsspannung das kleinste gemeinsame Vielfache der Segmentbetriebsspannungen
der Halbleitersegmente
Die
emittierenden Halbleitersegmente
Derartig Dimensionsunterschiede sind geeignet, bei unterschiedlicher Stromeffizienz der Halbleitersegmente Helligkeitsunterschiede auszugleichen und einen gewünschten Farbton einzustellen, der durch eine Kombination der Chips erreicht werden soll.Such Dimensional differences are appropriate, with different current efficiency the semiconductor segments to compensate for brightness differences and a desired one Adjust hue achieved by a combination of chips shall be.
Bei
gleichem Stromfluss durch die Segmente ist das abgestrahlte Licht
pro Flächeneinheit
der Halbleitersegmente
Ein
erstes optoelektronische Halbleiterelement
Des
Weiteren sind zwei Kontakte
Ein
zweites optoelektronische Halbleiterelement
Ein
drittes optoelektronische Halbleiterelement
Der
dargestellte Chipsatz
Die
zum Betrieb der Halbleiterelemente
Ausgehend
von den in
Die
Schaltungsanordnung, die als Modul ausgebildet sein kann, umfasst
einen Satz mit zwei optoelektronischen Halbleiterelementen
Ausführungsbeispiele grün-weißes Licht emittierender Halbleitersegmente haben eine aktive Schicht, die blaues Licht emittiert und eine darüber angeordnete Wellenlängenkonversationsschicht. Die Wellenlängenkonversationsschicht bewirkt, dass das Spektrum des Lichts verändert wird und das Segment grün-weißes Licht abstrahlt.embodiments green-white light emitting Semiconductor segments have an active layer that emits blue light and one above it Wavelength conversation layer. The wavelength conversion layer causes the spectrum of light to change and the segment green-white light radiates.
Des
Weiteren ist ein zweiter Chip
Die
Betriebsspannung beider Chips
Der
erste und der zweite Chip
Die
Schaltungskontakte
Zum
Betrieb der Schaltungsanordnung wird die Betriebsspannung an die
Schaltungskontakte
Auf
einem Board
Der
erste Chip
Auch rotes, grünes, gelbes und blaues Licht emittierende Chips sind in Kombination geeignet, weißes Licht zu emittieren.Also red, green, Yellow and blue light emitting chips are suitable in combination, white light to emit.
Natürlich ist das Prinzip nicht auf solche Kombinationen von Chips beschränkt, die weißes Licht emittieren. Durch geeignete Kombination verschiedene Farben emittierender Chips kann auch farbiges Licht emittiert werden.of course is the principle is not limited to such combinations of chips that White light emit. By suitable combination different colors emitting Chips can also be emitted colored light.
Im
in
Ferner
sind Kontaktbereiche
Zur Kontaktierung der Chips sind neben Bonddrähten oder Leiterbahnen auch andere Kontaktierungsmöglichkeiten denkbar, beispielsweise Folienverbindung (CPHF).to Contacting the chips are in addition to bonding wires or traces as well other contacting options conceivable, for example, film connection (CPHF).
Die Kombination verschiedenfarbiger spannungsangepasster Chips auf engem Raum bietet die Möglichkeit, eine homogene Farbmischung bereits im geringen Abstand zur Lichtquelle zu erreichen.The Combination of different colored voltage-matched chips on narrow Space offers the opportunity a homogeneous color mixture even at a small distance to the light source to reach.
In
diesem Ausführungsbeispiel
umfasst der Chipsatz zwei verschiedene Chips,
In
diesem Ausführungsbeispiel
sind zwei erste Chips
Die
ersten Chips
Die
ersten Chips
Zur
Kontaktierung des Boards
Es
sei bemerkt, dass auch die in den
Die
Versorgungsspannung für
die in
Die
ersten Chips
Bei der Verwendung mehrerer Chips einer Farbe in einem Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung können die Chips derart anordnet werden, dass Farbhomogenität verbessert wird, beispielsweise indem grün-weiß emittierenden Chips zu beiden Seiten eines rot emittierenden Chips angeordnet werden. Auch die erforderliche Spannung für den Betrieb der Schaltung kann geringer sein, als wenn lediglich parallel geschaltete Chips verwendet werden.When using multiple chips one Color in one embodiment of the circuit arrangement, the chips can be arranged so that color homogeneity is improved, for example, by green-white emitting chips are arranged on both sides of a red-emitting chip. Also, the required voltage for the operation of the circuit may be less than if only parallel-connected chips are used.
Es sei bemerkt, dass die gezeigten Schaltungsanordnungen nur beispielhaft sind. Die Merkmale der Ausführungsbeispiele sind kombinierbar.It It should be noted that the circuit arrangements shown only by way of example are. The features of the embodiments can be combined.
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele optoelektronischer Halbleiterelemente beschrieben.in the Below, embodiments become opto-electronic Semiconductor elements described.
Eine Ausführungsform eines optoelektronischen Halbleiterelements umfasst eine im Wesentlichen flächig angeordnete Halbleiterschichtfolge mit einer ersten und einer zweiten Hauptseite sowie eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht.A embodiment an optoelectronic semiconductor element comprises a substantially flat arranged semiconductor layer sequence with a first and a second Main page and one for generating electromagnetic radiation suitable active layer.
Die aktive Schicht kann hierbei einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfachquantentopf (SQW, single quantum well) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung aufweisen. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur entfaltet keinerlei Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst im Allgemeinen unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte sowie jede Kombination dieser Strukturen.The active layer can in this case a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well (SQW) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation. The Designation Quantum well structure unfolds no significance regarding the dimensionality the quantization. It generally includes, among others, quantum wells, quantum wires and Quantum dots as well as any combination of these structures.
In einer Ausgestaltung ist die erste Hauptseite zur Emission elektromagnetischer Strahlung vorgesehen. Des Weiteren ist zumindest die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge durch einen die aktive Schicht durchdringenden Graben in wenigstens zwei elektrisch voneinander isolierte aktive Teilschichten unterteilt. Mit anderen Worten durchtrennt der Graben die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge, wodurch elektrisch voneinander isolierte aktive Teilschichten in der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet sind.In In one embodiment, the first main side for emission is electromagnetic Radiation provided. Furthermore, at least the active layer the semiconductor layer sequence by a penetrating the active layer Digging into at least two electrically isolated active ones Sublayers divided. In other words, the trench cuts through the active layer of the semiconductor layer sequence, thereby electrically mutually isolated active partial layers in the semiconductor layer sequence are formed.
Das optoelektronische Halbleiterelement umfasst weiterhin jeweils eine auf der zweiten Hauptseite angeordnete erste und zweite Anschlussschicht zur Kontaktierung der aktiven Teilschichten. Dabei bedeutet der Begriff einer auf der zweiten Hauptseite angeordneten Anschlussschicht, dass zumindest ein Teil der ersten beziehungsweise zweiten Anschlussschicht der Halbleiterschichtfolge in Richtung von der Vorderseite zur Rückseite hin nachfolgt. Es ist dabei jedoch nicht notwendig, dass die erste beziehungsweise zweite Anschlussschicht direkt auf der zweiten Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist. Auch muss die erste und zweite Anschlussschicht die zweite Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge nicht vollständig überdecken. Vielmehr sind die erste und zweite Anschlussschicht zur Kontaktierung der aktiven Teilschichten zumindest teilweise auf der zweiten Hauptseite angeordnet. Sie sind somit der zweiten Hauptseite näher als der ersten Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge.The Optoelectronic semiconductor element further comprises one each on the second main page arranged first and second connection layer to Contacting of the active partial layers. The term means a connection layer arranged on the second main side, that at least a part of the first and second connection layer the semiconductor layer sequence in the direction from the front to the back succeeds. However, it is not necessary that the first or second connection layer directly on the second main page the semiconductor layer sequence is applied. Also, the first one must and second terminal layer not the second main side of the semiconductor layer sequence completely cover up. Rather, the first and second connection layer for contacting the active partial layers at least partially on the second main page arranged. They are thus closer to the second main page than the first main side of the semiconductor layer sequence.
Erfindungsgemäß sind die ersten und zweiten Anschlussschichten, welche jeweils die wenigstens zwei elektrisch isolierten aktiven Teilschichten kontaktieren, derart miteinander elektrisch leitend verbunden, dass die aktiven Teilschichten eine Serienschaltung bilden.According to the invention first and second terminal layers, each of which at least Contact two electrically isolated active sub-layers, such electrically connected to each other, that the active sub-layers form a series connection.
Mit anderen Worten sind die beiden Anschlussschichten der aktiven Teilschichten so miteinander verbunden, dass die aktiven Teilschichten eine Serienschaltung bilden.With In other words, the two attachment layers are the active sublayers interconnected so that the active sublayers are connected in series form.
Das optoelektronische Halbleiterelement ist somit in Teilbereiche aufgeteilt, die elektrisch miteinander unter Bildung einer Serienschaltung durch die verschiedenen Anschlussschichten verbunden sind. Das optoelektronische Halbleiterelement kann somit spannungsgetrieben bei gleichzeitig niedrigen Strömen gespeist werden. Dadurch lassen sich beispielsweise teure Treiberstufen sowie Hochstromquellen durch entsprechende Hochspannungsquellen ersetzen, welche leichter zu fertigen sind. Durch die Unterteilung in Teilbereiche kann das optoelektronische Halbleiterelement somit mit verschiedenen abhängig von der Unterteilung wählbaren Spannungen betrieben werden.The Optoelectronic semiconductor element is thus divided into subareas, electrically interconnecting to form a series circuit the different terminal layers are connected. The optoelectronic Semiconductor element can thus voltage driven at the same time low currents be fed. This allows, for example, expensive driver stages as well as high current sources through corresponding high voltage sources replace which are easier to manufacture. By subdivision in partial areas, the optoelectronic semiconductor element can thus with different depending on the subdivision selectable Voltages are operated.
In einer Ausgestaltung ist das Halbleiterelement ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip.In In one embodiment, the semiconductor element is a thin-film light-emitting diode chip.
Die
In den Ausführungsbeispielen sind die Größenverhältnisse der dargestellten Elemente grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente etwa Schichten zum besseren Verständnis und/oder zur besseren Darstellbarkeit übertrieben groß beziehungsweise dick dargestellt sein.In the embodiments are the proportions the elements shown in principle not to scale consider. Rather, you can individual elements such as layers for better understanding and / or exaggerated for better presentation big or fat be shown.
Zwischen
unterschiedlich dotierten Schichten
Die
Halbleiterschichtenfolge
Ein III/V-Verbindungs-Halbleitermaterial weist wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe, wie beispielsweise Al, Ga, In, und ein Element aus der V-Hauptgruppe, wie beispielsweise B, N, P, As, auf. Insbesondere umfasst der Begriff ”III/V-Verbindungs-Halbleitermaterial” die Gruppe der binären, ternären oder quaternären Verbindungen, die wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der fünften Hauptgruppe enthalten, insbesondere Nitrid- und Phosphid-Verbindungs-Halbleiter. Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Zu den III/V-Verbindungs-Halbleitermaterialen gehören beispielsweise Nitrid-III-Verbindungs-Halbleitermaterial und Phosphid-III-Verbindungs-Halbleitermaterial, etwa GaN, GaAs, und InGaAlP. Ebenso wird das Materialsystem AlGaN/GaN zu den oben genannten Verbindungshalbleitern gezählt.One III / V compound semiconductor material has at least one element from the third main group, such as Al, Ga, In, and an element of the V main group, such as B, N, P, As, on. In particular, the term "III / V compound semiconductor material" includes the group the binary, ternary or quaternary Compounds containing at least one element from the third main group and contain at least one element from the fifth main group, in particular nitride and phosphide compound semiconductors. Such binary, ternary or quaternary In addition, compound can, for example, one or more dopants as well as additional Have constituents. The III / V compound semiconductor materials include, for example Nitride III-compound semiconductor material and phosphide III compound semiconductor material, about GaN, GaAs, and InGaAlP. Likewise, the material system AlGaN / GaN counted to the above compound semiconductors.
Entsprechend weist ein II/VI-Verbindungs-Halbleitermaterial wenigstens ein Element aus der zweiten Hauptgruppe, wie beispielsweise Be, Mg, Ca, Sr, und ein Element aus der sechsten Hauptgruppe, wie beispielsweise O, S, Se, auf. Insbesondere umfasst ein II/VI-Verbindungs-Halbleitermaterial eine binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung, die wenigstens ein Element aus der zweiten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der sechsten Hauptgruppe umfasst. Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Zu den II/VI-Verbindungs- Halbleitermaterialen gehören zum Beispiel ZnO, ZnMgO, CdS, CnCdS, MgBeO.Corresponding For example, an II / VI compound semiconductor material comprises at least one element the second main group such as Be, Mg, Ca, Sr, and a member of the sixth main group, such as O, S, Se, up. In particular, an II / VI compound semiconductor material comprises a binary, ternary or quaternary Compound comprising at least one element from the second main group and at least one element of the sixth main group. Such a binary, ternary or quaternary In addition, compound can, for example, one or more dopants as well as additional Have constituents. The II / VI compound semiconductor materials include Example ZnO, ZnMgO, CdS, CnCdS, MgBeO.
Abhängig von der gewünschten Wellenlänge oder dem gewünschten Wellenlängenspektrum können eine oder auch mehrere der oben genannten Verbindungen als Materialsystem für ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt werden.Depending on the desired Wavelength or the desired one Wavelength spectrum can one or more of the above compounds as a material system for a Optoelectronic device can be provided.
Eine
Kontaktierung des Halbleiterkörpers
erfolgt jeweils im Randbereich durch die Kontaktelemente
Auf
die Schicht
Die
leitende Schicht
Eine
nichtleitende Schicht
Eine
zweite Anschlussschicht
Die
zweite Anschlussschicht
Zwischen
dem linken und dem rechten Teilbereich des optoelektronischen Halbleiterkörpers ist, wie
in der Schnittfigur
Zur Verbesserung der Emission kann die obere Hauptseite der Schichtenfolge strukturiert sein. Ebenso ist es möglich, auf die obere Hauptseite ein Konversionsmaterial aufzubringen, um so die emittierte elektromagnetische Strahlung in eine zweite Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge zu verwandeln. Bei einem entsprechend geeigneten Konversionsmaterial sowie bestimmten Materialsystemen für die aktive Schicht kann dadurch weißes Licht beispielsweise für Frontscheinwerfer oder Projektionssysteme erzeugt werden.to Improvement of the emission can be the upper main side of the layer sequence be structured. It is also possible on the upper main page apply a conversion material so as to emit the emitted electromagnetic To convert radiation into a second radiation of different wavelengths. For a suitable conversion material and certain Material systems for the active layer can thereby white Light for example for Front headlights or projection systems are generated.
Die
Darstellung des Schnitts gemäß
Dadurch wird bei dem optoelektronischen Halbleiterelement nach dem vorgeschlagenen Prinzip eine Serienschaltung aus vier jeweils zwei hintereinander geschalteten Dioden realisiert. Im Betrieb der Anordnung wird demzufolge eine höhere Betriebsspannung notwendig.Thereby is in the optoelectronic semiconductor element according to the proposed Principle a series connection of four each two consecutive realized diodes realized. In the operation of the arrangement is consequently a higher one Operating voltage necessary.
Durch
die Unterteilung in vier Teilbereiche wird der für den Betrieb notwendige Strom
des optoelektronischen Halbleiterelements verringert, dafür jedoch
aufgrund der Serienschaltung die für den Betrieb notwendige Spannung
erhöht.
In diesem Ausführungsbeispiel
ist das optoelektronische Bauelement in vier Teilbereiche
Durch die elegante Kombination aus mehreren Serienschaltungen in der Epitaxieschicht können teure Treiberstufen und Hochstromquellen eingespart werden, da die Leistungen nunmehr spannungsgetrieben bei niedrigen Strömen in den optoelektronischen Halbleiterelement gespeist wird. Zudem ergibt sich eine optimierte Flächennutzung durch Vermeidung von absorbierenden Kontakten, da alle Licht erzeugenden Bestandteile Strom sparend auf einem einzelnen Halbleiterkörper realisierbar sind. Zudem lässt sich eine Serienschaltung von Chips auch nur mit nur einem Topkontakt und einem leitenden Träger ausführen.By the elegant combination of several series circuits in the epitaxial layer can be expensive Driver stages and high current sources can be saved as the benefits now voltage-driven at low currents in the opto-electronic Semiconductor element is fed. In addition, there is an optimized Land use by Avoidance of absorbing contacts, since all light-generating Components can be realized saving energy on a single semiconductor body are. In addition, leaves a series connection of chips even with only one top contact and a senior wearer To run.
Ein
derartiges Beispiel ist in
Auf
der strukturierten Oberseite
Daneben
kann die Stromaufweitungsschicht
Zur
Kontaktierung ist die Stromaufweitungsschicht über Zuführungsdurchbrüche
In
dem Ausführungsbeispiel
nach
In den bisherigen Ausführungsbeispielen wurde eine Serienschaltung vor allem durch eine entsprechende Anordnung der Anschlussschichten innerhalb des Halbleiterkörpers realisiert. Darüber hinaus ist es jedoch auch denkbar, einen Teil der Serienschaltung beziehungsweise Verschaltungsvarianten extern auszubilden, um so sowohl Serien- als auch Parallelschaltung und Kombinationen davon zu realisieren. Dadurch kann durch eine entsprechende Ansteuerelektronik charakteristische Eigenschaften des Halbleiterkörpers je nach Anwendung verändert werden. Beispielsweise ist es denkbar, im Fall von Lichtscheinwerfern durch ein entsprechendes hinzu- beziehungsweise wegschalten einzelner Teilbereiche des Halbleiterkörpers die Lichtstärke zu variieren.In the previous embodiments has been a series connection especially by a corresponding arrangement realized the connection layers within the semiconductor body. Furthermore However, it is also conceivable, a part of the series circuit or Externally develop interconnection variants so that both serial as well as parallel connection and to realize combinations thereof. This can be characteristic by a corresponding control electronics Properties of the semiconductor body changed depending on the application become. For example, it is conceivable in the case of light projectors by a corresponding addition or disconnect individual Subareas of the semiconductor body the light intensity to vary.
Ferner kann das Fernfeld der emittierten Gesamtstrahlung durch die Anwesenheit von diftraktiven und streuenden Strahlungsdurchtrittsflächen homogenisiert oder anderweitig beeinflusst werden. Diese können auf der Außenseite des Moduls oder Boards befestigt sein.Further can the far field of the emitted total radiation by the presence homogenized by diffractive and scattering radiation passage surfaces or otherwise affected. These can be on the outside attached to the module or board.
Auch die Winkelverteilung der Gesamtstrahlung kann durch die Form des Modulkörpers oder zusätzliche Reflektoren variiert werden.Also The angular distribution of the total radiation can be determined by the shape of the module body or additional Reflectors are varied.
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---|---|
DE (1) | DE102008051050A1 (en) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010048159A1 (en) * | 2010-10-11 | 2012-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED chip |
DE102011015821A1 (en) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
DE102011015726A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip, display with a plurality of semiconductor chips and method for their production |
CN102891140A (en) * | 2012-09-13 | 2013-01-23 | 惠州雷曼光电科技有限公司 | Light emitting diode (LED) wafer and power type LED |
DE102012112530A1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor chips and optoelectronic semiconductor chip |
DE102013101367A1 (en) * | 2013-02-12 | 2014-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip |
DE102013103409A1 (en) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module |
DE102013212294A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
DE102014100773A1 (en) * | 2014-01-23 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device |
DE102015107526A1 (en) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module |
DE102016106831A1 (en) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
DE102018125281A1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
DE102019126026A1 (en) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | RADIATION EMITTING SEMI-CONDUCTOR CHIP |
DE102021201131A1 (en) | 2021-02-08 | 2022-08-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A GOLD LAYER IN THE REGION |
-
2008
- 2008-10-09 DE DE102008051050A patent/DE102008051050A1/en not_active Withdrawn
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010048159B4 (en) | 2010-10-11 | 2023-10-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED chip |
CN103140927A (en) * | 2010-10-11 | 2013-06-05 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | Light-emitting diode chip |
CN103140927B (en) * | 2010-10-11 | 2017-02-15 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | Light-emitting diode chip |
DE102010048159A1 (en) * | 2010-10-11 | 2012-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED chip |
US9548433B2 (en) | 2010-10-11 | 2017-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip |
DE102011015726B9 (en) | 2011-03-31 | 2023-07-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Semiconductor chip, display with a plurality of semiconductor chips and method for their production |
US9112089B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-08-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip, display comprising a plurality of semiconductor chips and methods for the production thereof |
DE102011015726A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip, display with a plurality of semiconductor chips and method for their production |
DE102011015726B4 (en) | 2011-03-31 | 2023-04-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Semiconductor chip, display with a plurality of semiconductor chips and method for their production |
US9343642B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-05-17 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
DE102011015821B4 (en) | 2011-04-01 | 2023-04-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelectronic semiconductor chip |
DE102011015821A1 (en) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
CN102891140B (en) * | 2012-09-13 | 2016-05-18 | 惠州雷曼光电科技有限公司 | A kind of power-type LED |
CN102891140A (en) * | 2012-09-13 | 2013-01-23 | 惠州雷曼光电科技有限公司 | Light emitting diode (LED) wafer and power type LED |
US20150333047A1 (en) * | 2012-12-18 | 2015-11-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor chips, and optoelectronic semiconductor chip |
DE102012112530A1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor chips and optoelectronic semiconductor chip |
US9379161B2 (en) | 2013-02-12 | 2016-06-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Monolithic semiconductor chip array |
DE102013101367A1 (en) * | 2013-02-12 | 2014-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip |
DE102013103409A1 (en) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module |
US9947847B2 (en) | 2013-04-05 | 2018-04-17 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module |
DE102013212294A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
CN105934834B (en) * | 2014-01-23 | 2019-11-08 | 欧司朗光电半导体有限公司 | Semiconductor devices and the method being used for producing the semiconductor devices |
CN105934834A (en) * | 2014-01-23 | 2016-09-07 | 欧司朗光电半导体有限公司 | Semiconductor component and method for producing semiconductor component |
DE102014100773A1 (en) * | 2014-01-23 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device |
US10217903B2 (en) | 2015-05-13 | 2019-02-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module |
DE102015107526A1 (en) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module |
DE102016106831A1 (en) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
US10629777B2 (en) | 2016-04-13 | 2020-04-21 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
DE102018125281A1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
DE102019126026A1 (en) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | RADIATION EMITTING SEMI-CONDUCTOR CHIP |
DE102021201131A1 (en) | 2021-02-08 | 2022-08-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A GOLD LAYER IN THE REGION |
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