EP2300791A1 - Multispektraler sensor - Google Patents
Multispektraler sensorInfo
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 62
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 claims description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011897 real-time detection Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/30—Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
- G01J3/36—Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/42—Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/184—Infrared image sensors
- H10F39/1847—Multispectral infrared image sensors having a stacked structure, e.g. NPN, NPNPN or multiple quantum well [MQW] structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
- H10F39/193—Infrared image sensors
Definitions
- FIG. 1 shows a plan view of an embodiment of a multispectral sensor according to the invention.
- the sensor 1 according to the invention comprises a complementary metal-oxide-semiconductor substrate 2 with a circuit (not shown).
- Such substrates are also commonly referred to as CMOS (complementary metal oxide semiconductor) substrates
- at least one antenna-3 receiver means-4 combination devices for detecting terahertz radiation at least one device 5 for detecting arranged medium infrared radiation and at least one diode 6 for detecting radiation of the visible to near infrared range.
- the detection interval of the sensor 1 according to the invention in the middle infrared range can be both> 20 terahertz to ⁇ 300 terahertz and> 21.4 terahertz to
- the senor 1 according to the invention has at least two different antenna-3 receiver means-4.
- the senor 1 according to the invention can have at least two different devices 5 for detecting medium infrared radiation with different detection frequency bands spaced apart from one another or adjoining one another or overlapping.
- a sensor 1 preferably has a multiplicity, for example the same and / or different (not shown), antenna 3.
- Receiver means 4 combination devices, means 5 for detecting medium infrared radiation and diodes 6 for detecting radiation of the visible to near infrared range.
- the devices 5 for detection of medium infrared radiation and the diodes 6 for the detection of visible to near infrared radiation are preferably designed and arranged in the context of the present invention such that the antenna-3 receiver-4 combination devices, the Devices 5 for the detection of medium infrared radiation and the diodes 6 for the detection of radiation of the visible to near infrared range, in particular independently of each other, can be connected and / or read.
- the sensor 1 according to the invention preferably has an electronic evaluation system.
- the sensor preferably has a multispectral optics, for example a reflective optic based on mirrors. Such a multispectral optic is expediently arranged on the radiation side with respect to the components 3, 4, 5, 6 arranged on the CMOS substrate 2.
- the evaluation electronics and multispectral optics can, but need not, be integrated into the monolithic part of the sensor 1.
- Figure 1 shows that the antenna-3 receiver means-4 combination devices, the medium-infrared radiation detection devices 5, and the visible-to-near infrared radiation detection diodes 6 may be arranged in a grid pattern. Accordingly, the antenna-3 receiver-4 combination devices, the medium-infrared radiation detection devices 5, and the visible-to-near infrared radiation detection diodes 6 may also be referred to as "pixels.” In one embodiment of the present invention Invention are the antenna-3
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft einen multispektralen Sensor (1), der ein komplementäres Metall-Oxid-Halbleiter-Substrat (2) mit Schaltkreis, mindestens eine Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)-Kombinationsvorrichtung zur Detektion von Terahertzstrahlung, mindestens ein weiteres Bolometer (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung, und mindestens eine Diode (6) zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs umfasst, ein multispektrales Bildgebungs- und/oder Spektroskopie-System, Verfahren zur Detektion und/oder Untersuchung von Lebewesen, Gegenständen und Materialien mit einem derartigen System sowie die Verwendung eines derartigen Sensors (1) und Systems.
Description
Titel
Multispektraler Sensor
Beschreibung
Die vorliegende Erfindung betrifft einen multispektralen Sensor zur Detektion von Terahertzstrahlung, Infrarotstrahlung und Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs, ein multispektrales Bildgebungs- und/oder Spektroskopie-System, ein Verfahren zur Detektion und/oder Untersuchung von Lebewesen, Gegenständen und Materialien mit einem derartigen
System sowie die Verwendung eines derartigen Sensors und Systems.
Stand der Technik
Das elektromagnetische Spektrum kann im Bereich des Terahertz-Frequenzbandes Informationen über die komplexe chemische Zusammensetzung von Stoffen, sowie über die dielektrischen Eigenschaften von Gegenständen geben. Für diese Anwendung werden derzeit recht komplexe Systeme verwendet, die beispielsweise gepulste Laserquellen enthalten. Ein wesentlicher Schwachpunkt der angebotenen Terahertz- Systeme besteht neben der Komplexität darin, dass eine Messung allein im Terahertz-Frequenzband wenig aussagekräftig ist und häufig durch parallele Messungen im sichtbaren oder infraroten Frequenzband ergänzt werden muss. Dies erfolgt herkömmlicherweise durch die parallele Verwendung mehrerer Detektoren oder Detektierungssysteme, die eine komplexe gegenseitige optische Ausrichtung erfordern, was hohe Kosten des Gesamtsystems zur Folge hat.
Offenbarung der Erfindung
Vorteile der Erfindung
Der erfindungsgemäße multispektrale Sensor umfassend ein komplementäres Metall-Oxid-Halbleiter-Substrat mit Schaltkreis, und mindestens eine Antenne-Empfängermittel-Kombinationsvorrichtung zur Detektion von Terahertzstrahlung, und mindestens eine Vorrichtung zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung, und mindestens eine Diode zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot- Bereichs hat zum einen den Vorteil, dass alle Bauelemente des Sensors bei Raumtemperatur betrieben werden können. Daher bedarf ein erfindungsgemäßer Sensor 1 keiner Kühlung, insbesondere keiner kryoskopischen Kühlung. Zum anderen hat der erfindungsgemäße Sensor 1 den Vorteil, dass darauf verschiedenen Funktionen auf einem einzigen Bauteil vereint werden, wodurch vorteilhafterweise ein einziger Sensor zur Bewältigung komplexer Detektierungsanwendungen genügt. Darüber hinaus entfällt vorteilhafterweise das aufwendige Einstellen verschiedener Sensoren und es wird nur eine einzige breitbandige, vorzugsweise reflektive, Optik benötigt.
Der erfindungsgemäße Sensor ermöglicht weiterhin vorteilhafterweise eine parallele, im Idealfall Echtzeit-Detektion von elektromagnetischer Strahlung im sichtbaren-nah-infraroten, mittel- infraroten und Terahertz-Bereich. Ferner können die erfindungsgemäßen Sensoren langfristig betrachtet zu niedrigen Produktionsstückkosten hergestellt werden, was auch eine Anwendung in Massenprodukten ermöglicht.
Zeichnungen
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Gegenstandes werden durch die Zeichnungen veranschaulicht und in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Dabei ist zu beachten, dass die Figuren nur beschreibenden Charakter haben und nicht dazu gedacht sind, die Erfindung in irgendeiner Form einzuschränken.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen multispektralen Sensors.
Figur 1 zeigt, dass der erfindungsgemäße Sensor 1 ein komplementäres Metall-Oxid-Halbleiter- Substrat 2 mit einem nicht dargestellten Schaltkreis umfasst. Derartige Substrate werden üblicherweise auch als CMOS-Substrat („complementary metal oxide semiconductor") bezeichnet. Erfindungsgemäß sind auf dem CMOS-Substrat 2 mindestens eine Antenne-3- Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen zur Detektion von Terahertzstrahlung, mindestens eine Vorrichtung 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und mindestens eine Diode 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs angeordnet.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird unter dem Begriff „Terahertzstrahlung" elektromagnetische Strahlung in einem Bereich von etwa > 15 μm bis etwa < 1000 μm, und unter dem Begriff „mittlerer Infrarotstrahlung" elektromagnetische Strahlung in einem Bereich von etwa > 1 μm bis etwa < 15 μm, und unter dem Begriff „Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs" elektromagnetische Strahlung in einem Bereich von etwa > 0,380 μm bis etwa < 1 μm, verstanden.
Das Detektierungsintervall des erfindungsgemäßen Sensors 1 kann im Terahertz-Bereich sowohl > 0,3 Terahertz bis < 20 Terahertz als auch beispielsweise > 0,3 Terahertz oder
> 0,5 Terahertz oder > 1 Terahertz bis < 3 Terahertz oder < 5 Terahertz oder < 10 Terahertz, sein. Entsprechend kann das Detektierungsintervall des erfindungsgemäßen Sensors 1 im
Terahertz-Bereich sowohl > 15 μm bis < 1000 μm als auch beispielsweise > 30 μm oder
> 60 μm oder > 100 μm bis < 300 μm oder < 600 μm oder < 1000 μm, sein.
Ebenso kann das Detektierungsintervall des erfindungsgemäßen Sensors 1 im mittleren Infrarot- Bereich sowohl > 20 Terahertz bis < 300 Terahertz als auch > 21,4 Terahertz bis
< 37,5 Terahertz oder > 60 Terahertz oder < 100 Terahertz, sein. Entsprechend kann das Detektierungsintervall des erfindungsgemäßen Sensors 1 im mittleren Infrarot-Bereich sowohl
> 1 μm bis etwa < 15 μm als auch beispielsweise > 3 μm bis < 5 μm oder > 8 μm bis < 14 μm, sein.
Analog kann das Detektierungsintervall des erfindungsgemäßen Sensors 1 im sichtbaren bis nah-infraroten Bereich > 300 Terahertz bis < 790 Terahertz sein.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung muss eine Antenne-3-Empfängermittel-4- Kombinationsvorrichtungen zur Detektion von Terahertzstrahlung beziehungsweise eine
Vorrichtung 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung beziehungsweise eine Diode 6 zur
- A -
Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs folglich nicht den kompletten jeweiligen Strahlungsbereich detektieren.
Im Rahmen einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist der erfindungsgemäße Sensor 1 mindestens zwei unterschiedliche Antenne-3-Empfängermittel-4-
Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern auf.
Eine Unterteilung des Terahertz-Bereichs in mindestens zwei, insbesondere schmalbandige, Unterbänder, hat den Vorteil, dass sich schmalbandige Antennen 3 besser an das
Empfangsmittel 4 anpassen, insbesondere koppeln, lassen, wodurch bei geeigneter Anordnung die Empfindlichkeit („Performance") des Gesamtsystems verbessert werden kann.
Der erfindungsgemäße Sensor 1 weist daher vorzugsweise mindestens zwei unterschiedliche Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen auf, die derart ausgebildet sind, dass der Terahertz-Bereich in mindestens zwei, insbesondere schmalbandige, Unterbänder aufgeteilt wird, welche den Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen zugeordnet sind.
Darüber hinaus kann der erfindungsgemäße Sensor 1 mindestens zwei unterschiedliche Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern aufweisen.
Ferner kann der erfindungsgemäße Sensor 1 auch mindestens zwei unterschiedliche Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern aufweisen.
Wie Figur 1 zeigt, weist ein erfindungsgemäßer Sensor 1 vorzugsweise eine Vielzahl, beispielsweise gleicher und/oder unterschiedlicher (nicht dargestellt), Antenne-3-
Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen, Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot- Bereichs auf.
Als Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtung haben sich im Rahmen der vorliegenden Erfindung Antenne-Bolometer-Kombinationsvorrichtungen und/oder Antenne-
Diode-Kombinationsvorrichtungen, insbesondere Antenne-Bolometer-, Antenne- Schottky- Diode- und/oder Antenne-MIM-Diode-Kombinationsvorrichtungen, als besonders vorteilhaft erwiesen, da derartige Kombinationsvorrichtungen keine Kühlung, insbesondere keine kryoskopische Kühlung benötigen. Dabei wird im Sinn der vorliegenden Erfindung unter einer MIM-Diode eine Metall-Isolator-Metall-Diode („metal insulator metal diode") verstanden. Die
Variation dieser unterschiedlichen 3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen bietet eine Möglichkeit unterschiedliche Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern zur Verfügung zu stellen.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung weist eine Antenne-3-Empfängermittel-4- Kombinationsvorrichtung mindestens eine an das Empfängermittel 4, insbesondere kapazitiv, gekoppelte Antennen 3 auf. Die Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtung kann jedoch auch mindestens zwei Antennen 3 aufweisen, welche an das Empfängermittel 4, insbesondere kapazitiv, gekoppelt sind. Die Zahl der Antennen bietet eine weitere Möglichkeit unterschiedliche Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern zur Verfügung zu stellen.
Beim Einsatz eines Bolometers als Empfängermittel 4 dient die Antenne 3 dazu Terahertzstrahlung zu absorbieren, welche in dem mit der Antenne 3, insbesondere kapazitiv, gekoppelten Bolometer in Wärme umgewandelt wird, wobei eine resultierende Widerstandsänderung des Bolometers gemessen wird. Bei dem Bolometer kann es sich dabei um ein Mikrobolometer handeln. Das Bolometer 4 kann im Rahmen der vorliegenden Erfindung ein in etwa > 25 μm2 bis < 4900 μm2, insbesondere > 625 μm2 bis < 2500 μm2, großes schichtformiges Substrat aufweisen, welches mittels zwei elektrisch leitenden Stützen beabstandet zu dem CMOS-Substrat 2 angeordnet ist. Dabei kann das schichtformige Substrat sowohl polygon, insbesondere rechteckig und/oder viereckig, als auch im Wesentlichen unrund, insbesondere ellipsoid oder kreisförmig, ausgestaltet sein. Das schichtformige Substrat kann dabei amorphes Silizium oder Vanadiumoxid umfassen. Das schichtformige Substrat kann beispielsweise parallel zu dem CMOS-Substrat 2 angeordnet sein. Die Bolometerausgestaltung bietet eine weitere Möglichkeit unterschiedliche Antenne-3-Empfängermittel-4- Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern zur Verfügung zu stellen.
Beim Einsatz einer Diode 4, insbesondere einer Schottky- oder MIM-Diode, als Empfängermittel 4 wird das von der Antenne 3 empfangene Terahertzsignal gleichgerichtet beziehungsweise bei einer heterodynen Empfangslösung mit einem weiteren Terahertzsignal in ein Zwischenfrequenzsignal gemischt. Die Diodenausgestaltung bietet eine weitere Möglichkeit unterschiedliche Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern zur Verfügung zu stellen.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung können mehrere, insbesondere alle, Antennen 3, wie in Figur 1 gezeigt, in einer Ebene angeordnet sein. Ebenso können im Rahmen der vorliegenden
Erfindung mehrere, insbesondere alle, Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung beziehungsweise mehrere, insbesondere alle, Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs jeweils in einer Ebene angeordnet sein. Wie in Figur 1 gezeigt, können die Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen
Infrarot-Bereichs dabei in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sein.
Im Rahmen einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist mindestens eine Antenne 3 beziehungsweise sind die Antennen 3 der Antennenebene bezüglich mindestens einer Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und/oder mindestens einer Diode
6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs, insbesondere bezüglich der Ebene der Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und/oder der Ebene der Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs, strahlungsseitig angeordnet.
Durch unterschiedliche Antennendesigns können Antenne-3-Empfängermittel-4- Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichen Absorptionseigenschaften hinsichtlich Frequenz und Polarisation im Terahertzband realisiert werden. Unterschiedliche Antennendesigns bieten eine weitere, insbesondere bevorzugte, Möglichkeit unterschiedliche Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern zur Verfügung zu stellen.
Dabei kann eine Antenne 3 sowohl wie in Figur 1 gezeigt flächig als auch nicht-flächig ausgestaltet sein. Beispielsweise kann eine Antenne 3 im Rahmen der vorliegenden Erfindung
polygon, insbesondere dreieckig, rechteckig und/oder viereckig, im Wesentlichen unrund, insbesondere ellipsoid oder kreisförmig, oder spiralförmig ausgestaltet sein.
Im Rahmen einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist der erfindungsgemäße Sensor 1 mindestens zwei Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichem Antennendesign auf. Beispielsweise können mehrere Antennendesigns, insbesondere selektiv, auf einem Sensor 1 kombiniert werden, welche mehrere, beispielsweise beabstandete, Frequenzbänder im Terahertz-Bereich zur Folge haben, welche auf spezielle zu detektierende Frequenzbereiche, beispielsweise für Sprengstoffe charakteristische Frequenzbereiche, abgestimmt sind und dadurch dem erfindungsgemäßen Sensor 1 vorteilhafterweise eine Spektroskopie- und/oder Frequenzselektions-Funktion verleihen.
Im Rahmen einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist der erfindungsgemäße Sensor 1 daher mindestens zwei unterschiedliche Antenne-3- Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen auf, die, insbesondere durch unterschiedliche
Antennendesigns, auf spezielle/bevorzugt zu detektierende Frequenzbereiche im Terahertz- Bereich abgestimmt sind.
Im Rahmen einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Antenne 3 eine, insbesondere dünne, Metallschicht und/oder Halbleiterschicht und/oder eine
Schicht aus einem oder mehreren elektrisch leitenden Polymeren und/oder eine auf Kohlenstoffnanoröhren („carbon nanotubes") basierende Schicht. Insbesondere kann eine Antenne 3 dabei aus einer, insbesondere dünnen, Metallschicht oder Halbleiterschicht oder Schicht aus einem oder mehreren elektrisch leitenden Polymeren oder auf Kohlenstoffnanoröhren („carbon nanotubes") basierenden Schicht ausgebildet sein.
Beispielsweise kann die Metallschicht aus Gold ausgebildet sein. Die Halbleiterschicht kann aus einem Halbleiter mit einer breiten Bandlücke („wide band gap semiconductor"), beispielsweise Indium-Zinn- Oxyd, Zinkoxid, Alluminiumnitrid, Galliumnitrid, und/oder Siliciumcarbid, insbesondere dotiertes Indium-Zinn-Oxyd, Zinkoxid, Alluminiumnitrid, Galliumnitrid, und/oder Siliciumcarbid, ausgebildet sein.
Im Rahmen einer besonders bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Metallschicht und/oder Halbleiterschicht durchlässig für Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs und/oder des mittleren Infrarot-Bereichs. Dies hat den Vorteil, dass unterhalb der Antenne/n 3 einer Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtung eine oder mehrere Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und/oder eine oder
mehrere Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs angeordnet sein können. Dabei dient der Begriff „unterhalb" nicht dazu die Ausrichtung bezüglich der Gravitationsrichtung, sondern bezüglich der erwarteten Strahlungsrichtung zu definieren, wobei „unterhalb einer Antenne" als auf der strahlungsabgewandten Seite einer Antenne 3 zu verstehen ist.
Im Rahmen der in Figur 1 gezeigten Ausführungsform sind unterhalb den Antennen 3 beziehungsweise zwischen den Antennen 3 und dem komplementären Metall-Oxid-Halbleiter- Substrat 2 zahlreiche Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs angeordnet. Dabei besteht zwischen den Antennen 3 und den Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung beziehungsweise den Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs keine galvanisch leitende Verbindung. Dabei bedeutet „keine galvanisch leitende Verbindung", dass keine „direkte" Leitung über eine, beispielsweise metallische, Leitung vorliegt, wobei eine kapazitive und/oder induktive „indirekte" Leitung nicht ausgeschlossen ist. Eine galvanisch leitende Verbindung zwischen den Antennen 3 und den Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung beziehungsweise den Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs kann beispielsweise dadurch vermieden werden, dass die Antennen 3 auf einem oder mehreren, nicht dargestellten, Träger/n, beispielsweise einer Trägerschicht, insbesondere aus einem oder mehreren nicht galvanisch leitenden Polymeren, aus einem galvanisch nicht- leitenden Material angeordnet sind.
Als Vorrichtung 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung können im Rahmen der vorliegenden Erfindung Bolometer und/oder MIM-Dioden eingesetzt werden. Der Einsatz von Bolometern und MIM-Dioden bietet daher eine Möglichkeit unterschiedliche Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern zur Verfügung zu stellen. Beim Einsatz von Bolometern 5 als Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung sind die Bolometer 5 vorzugsweise, wie in Figur 1 gezeigt, freistehend ausgebildet und angeordnet.
Als Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung eignet sich beispielsweise ein Bolometer, welches ein in etwa > 25 μm bis < 4900 μm , insbesondere > 625 μm bis < 2500 μm , großes schichtförmiges Substrat aufweist. Das schichtförmige Substrat kann dabei insbesondere mittels zwei galvanisch leitenden Stützen beabstandet zu dem CMOS-Substrat 2 angeordnet sein. Dabei kann das schichtförmige Substrat sowohl polygon, insbesondere
rechteckig und/oder viereckig, als auch im Wesentlichen unrund, insbesondere ellipsoid oder kreisförmig, ausgestaltet sein. Das schichtförmige Substrat kann dabei amorphes Silizium oder Vanadiumoxid umfassen. Das schichtförmige Substrat ist vorzugsweise parallel zu dem CMOS- Substrat 2 angeordnet. Durch den Abstand zwischen dem schichtförmigen Substrat und dem CMOS-Substrat 2 kann dabei vorteilhafterweise der Wellenlängenbereich der zu detektierenden
Strahlung eingestellt werden. Für eine optimale Detektion entspricht der Abstand vorzugsweise einem Viertel der Wellenlänge der zu detektierenden Strahlung. Eine Änderung des Abstands zwischen dem schichtförmigen Substrat und dem CMOS-Substrat 2 bietet daher eine weitere Möglichkeit unterschiedliche Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden
Detektionsfrequenzbändern zur Verfügung zu stellen.
Als Dioden eignen sich beispielsweise Dioden, insbesondere Fotodioden, die in CMOS- bildgebenden Detektoren verwendet werden.
Wie Figur 1 veranschaulicht kann der erfindungsgemäße Sensor 1, insbesondere ein Teil des erfindungsgemäßen Sensors 1, beispielsweise das CMOS-Substrat 2, die Antenne-3- Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtung/en, die Vorrichtung/en 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Diode/n 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs des Sensors 1, vorteilhafterweise monolithisch ausgestaltet sein. Dabei bedeutet der Begriff „monolithisch", dass die Einheiten 2, 3, 4, 5, 6 des Sensors 1 eine, insbesondere untrennbare, Einheit bilden. Insbesondere kann es sich bei dem erfindungsgemäßen Sensor um einen monolithisch integrierten Chip handeln.
Der in Figur 1 nicht dargestellte Schaltkreis, die Antenne-3-Empfängermittel-4-
Kombinationsvorrichtungen, die Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs sind im Rahmen der vorliegenden Erfindung vorzugsweise derart ausgebildet und angeordnet, dass die Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen, die Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs, insbesondere unabhängig voneinander, beschaltet und/oder ausgelesen werden können. Zum Auswerten der ausgelesenen Messergebnisse weist der erfindungsgemäße Sensor 1 vorzugsweise eine Auswertelektronik auf. Darüber hinaus weist der Sensor vorzugsweise eine multispektrale Optik, beispielsweise eine reflektive Optik auf der Basis von Spiegeln, auf. Eine derartige multispektrale Optik ist zweckmäßigerweise bezüglich der auf dem CMOS-Substrat 2 angeordneten Bauelemente 3, 4, 5, 6 strahlungsseitig angeordnet.
Die Auswertelektronik und multispektrale Optik kann, muss jedoch nicht, in den monolithischen Teil des Sensors 1 integriert sein.
Figur 1 zeigt, dass die Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen, die Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs rasterförmig angeordnet sein können. Dementsprechend können die Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen, die Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs auch als „Pixel" bezeichnet werden. Im Rahmen einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Antenne-3-
Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen, die Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs als Pixel eines Rasters von mindestens 20 mal 20, beispielsweise von mindestens 50 mal 50, insbesondere von mindestens 100 mal 100, Pixeln auf dem Sensor 1 angeordnet. Die Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen, die Vorrichtungen
5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs können dabei in einem symmetrischen Muster auf dem Sensor 1 angeordnet sein. Vorzugsweise sind die Antenne-3-Empfängermittel-4- Kombinationsvorrichtungen, die Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs dabei, wie in Figur 1 gezeigt, gleichmäßig auf dem Sensor 1 verteilt angeordnet. Insbesondere können dabei die Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und die Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs alternierend angeordnet sein. Die Zahl an Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen kann im Rahmen der vorliegenden Erfindung geringer als die der Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer
Infrarotstrahlung und der Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs sein. Die Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen können dann beispielsweise, wie in Figur 1 gezeigt, in regelmäßigen Abständen anstelle von einer Vorrichtung 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung oder Diode 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs in der ansonsten alternierenden Anordnung von Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs angeordnet werden.
Das Verhältnis von Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen zu Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung kann im Rahmen der vorliegenden Erfindung in einem Bereich von > 1 :100 bis < 100:1, beispielsweise von > 1 :50
bis < 50:1, insbesondere von > 1 :30 bis < 30:1, und/oder das Verhältnis von Antenne-3- Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen zu Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs in einem Bereich von > 1 :100 bis < 100:1, beispielsweise von > 1 :50 bis < 50:1, insbesondere von > 1 :30 bis < 30:1, und/oder das Verhältnis von Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung zu Dioden 6 zur Detektion von
Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs in einem Bereich von > 1 :50 bis < 50:1, beispielsweise von > 1 :10 bis < 10:1, insbesondere von > 1 :3 bis < 3:1, liegen. Beispielsweise kann das Verhältnis von Antenne-3-Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen zu Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung > 1 :5, beispielsweise > 1 :10, insbesondere > 1 :20 , und/oder das Verhältnis von Antenne-3-Empfängermittel-4-
Kombinationsvorrichtungen zu Dioden 6 > 1 :5, beispielsweise > 1 :10, insbesondere von > 1 :20, und/oder das Verhältnis von Vorrichtungen 5 zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung zu Dioden 6 zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs etwa 1 :1, sein.
Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein multispektrales Bildgebungs- und/oder Spektroskopie-System, welches einen erfindungsgemäßen Sensor 1, welcher als Detektor dient, und eine Terahertzstrahlungsquelle aufweist. Dabei können der Sensor 1 und die Terahertzstrahlungsquelle bezüglich des zu untersuchenden Objektes sowohl derart angeordnet sein, dass der Sensor 1 die nach dem Durchstrahlen des Objektes verbleibende Strahlung detektiert als auch dass der Sensor 1 die von dem Objekt reflektierte und/oder gestreute Strahlung detektiert. Folglich können die Terahertzstrahlungsquelle, der Sensor 1 und das Objekt sowohl entlang einer Achse angeordnet sein, wobei das Objekt zwischen der Terahertzstrahlungsquelle und dem Sensor angeordnet ist, als auch nicht entlang einer Achse zueinander angeordnet sein.
Das erfindungsgemäße System ermöglicht vorteilhafterweise eine Echtzeit-Spektroskopie im Terahertz-Bereich sowie eine bildgebende Detektierung im Terahertz-Bereich sowie im Infrarot- und sichtbaren und nah- infraroten Bereich.
Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Detektion und/oder Untersuchung von Lebewesen, insbesondere Menschen und Tieren, Gegenständen und Materialien, mit einem erfindungsgemäßen System. Insbesondere kann dieses Verfahren auf Frequenzbereichsspektroskopie basieren. Vorzugsweise strahlt die Terahertzquelle in dem erfindungsgemäßen Verfahren ein schmales Terahertzband, beispielsweise mit einer Breite von
etwa > 20 Gigahertz bis etwa < 200 Gigahertz, insbesondere von etwa > 60 Gigahertz bis etwa < 100 Gigahertz, aus, welches innerhalb eines breiten Frequenzbereichs, beispielsweise in einem Bereich von etwa > 0,3 Terahertz bis etwa < 20 Terahertz, beispielsweise von > 0,3 Terahertz oder von > 0,5 Terahertz oder von > 1 Terahertz bis < 3 Terahertz oder bis < 5 Terahertz oder bis < 10 Terahertz, verändert wird, wobei die transmittierte, reflektierte und/oder gestreute Strahlung durch den erfindungsgemäßen Sensor 1 detektiert, insbesondere gemessen wird. Das Messergebnis des erfindungsgemäßen Sensors 1 kann dabei durch ein Ausgabegerät, beispielsweise ein Display, einen Bildschirm oder einen Drucker, ausgegeben werden.
Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung die Verwendung eines erfindungsgemäßen Sensors 1, eines erfindungsgemäßen Systems und/oder eines erfindungsgemäßen Verfahrens im Überwachungs/Sicherheitstechnik-, Transport-, Produktions-, Life-Science- und/oder Gesundheitsbereich. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung die Verwendung eines erfindungsgemäßen Sensors 1, eines erfindungsgemäßen Systems und/oder eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Detektion und/oder Untersuchung von Lebewesen, insbesondere Menschen und Tieren, Gegenständen und Materialien, insbesondere Sprengstoffen, beispielsweise bei Sicherheitskontrollen an Grenzen, in Transitgebäuden, wie Flughäfen und Bahnhöfen, in Transportmitteln, wie Bahnen, Bussen, Flugzeugen und/oder
Schiffen, und/oder bei Großveranstaltungen, zur Einbruchssicherung von Gebäuden, Räumen und Fortbewegungsmitteln, zu medizinischen Zwecken und/oder zur zerstörungsfreien Überprüfung eines Werkstücks („non-destructive testing"), insbesondere von Werkstücken aus Kunststoff.
Claims
1. Multispektraler Sensor (1), umfassend ein komplementäres Metall-Oxid-Halbleiter-Substrat (2) mit Schaltkreis, und mindestens eine Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)-Kombinationsvorrichtung zur Detektion von Terahertzstrahlung, und mindestens eine Vorrichtung (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung, und mindestens eine Diode (6) zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs.
2. Sensor (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)-Kombinationsvorrichtung eine Antenne- Bolometer-Kombinationsvorrichtung oder eine Antenne-Diode- Kombinationsvorrichtung, insbesondere eine Antenne-Bolometer-, Antenne-Schottky- Diode- oder eine Antenne-Metall-Isolator-Metall-Diode-Kombinationsvorrichtung, und/oder die Vorrichtung (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung ein Bolometer oder eine Metall-Isolator-Metal-Diode, ist.
3. Sensor (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (1) mindestens zwei unterschiedliche Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)- Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern; und/oder mindestens zwei unterschiedliche Vorrichtungen (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern, und/oder, mindestens zwei unterschiedliche Diode (6) zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs mit unterschiedlichen zueinander beabstandeten oder aneinander angrenzenden oder überlappenden Detektionsfrequenzbändern, aufweist.
4. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (1) mindestens zwei unterschiedliche Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)- Kombinationsvorrichtungen aufweist, die derart ausgebildet sind, dass der Terahertz- Bereich in mindestens zwei Unterbänder aufgeteilt wird, welche den Antenne-3- Empfängermittel-4-Kombinationsvorrichtungen zugeordnet sind.
5. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (1) mindestens zwei Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)-Kombinationsvorrichtungen mit unterschiedlichem Antennendesign aufweist.
6. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (1) mindestens zwei unterschiedliche Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)- Kombinationsvorrichtungen auf, die auf bevorzugt zu detektierende Frequenzbereiche im Terahertz-Bereiche abgestimmt sind.
7. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (1) eine Vielzahl von Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)- Kombinationsvorrichtungen, Vorrichtungen (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und Dioden (6) zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs aufweist, wobei die Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)-
Kombinationsvorrichtungen, Vorrichtungen (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und Dioden (6) zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs rasterförmig angeordnet sind.
8. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die
Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)-Kombinationsvorrichtungen, Vorrichtungen (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und Dioden (6) zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs als Pixel eines Rasters von mindestens 20 mal 20, beispielsweise von mindestens 50 mal 50, insbesondere von mindestens 100 mal 100, Pixeln auf dem Sensor (1) angeordnet sind.
9. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)-Kombinationsvorrichtungen, Vorrichtungen (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und Dioden (6) zur Detektion von Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs in einem symmetrischen Muster auf dem Sensor (1) angeordnet sind.
10. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Antenne/n (3) eine Metallschicht und/oder eine Halbleiterschicht und/oder eine Schicht aus einem oder mehreren elektrisch leitenden Polymeren und/oder eine auf Kohlenstoffhanoröhren basierende Schicht umfassen, welche durchlässig für Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs und/oder Infrarotstrahlung ist.
11. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb der Antenne/n (3) einer Antenne-(3)-Empfängermittel-(4)- Kombinationsvorrichtungen eine oder mehrere Vorrichtungen (5) zur Detektion von mittlerer Infrarotstrahlung und/oder eine oder mehrere Dioden (6) zur Detektion von
Strahlung des sichtbaren bis nahen Infrarot-Bereichs angeordnet sind.
12. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die
Antenne/n (3) auf einem oder mehreren Träger/n aus einem galvanisch nicht-leitenden Material angeordnet sind.
13. Sensor (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (1) eine multispektrale Optik, insbesondere eine reflektive Optik, und/oder eine Auswertelektronik aufweist.
14. Multispektrales Bildgebungs- und/oder Spektroskopie- System, umfassend einen Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche und eine Terahertzstrahlungsquelle.
15. Verfahren zur Detektion und/oder Untersuchung von Lebewesen, insbesondere Menschen und Tieren, Gegenständen und Materialien, mit einem System nach Anspruch 14, in dem die Terahertzquelle ein schmales Terahertzband ausstrahlt, welches innerhalb eines breiten Frequenzbereichs verändert wird, wobei die transmittierte, reflektierte und/oder gestreute Strahlung durch den erfindungsgemäßen Sensor (1) detektiert wird.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008002270A DE102008002270A1 (de) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | Multispektraler Sensor |
| PCT/EP2009/056603 WO2009147085A1 (de) | 2008-06-06 | 2009-05-29 | Multispektraler sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EP2300791A1 true EP2300791A1 (de) | 2011-03-30 |
Family
ID=41066480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EP09757467A Ceased EP2300791A1 (de) | 2008-06-06 | 2009-05-29 | Multispektraler sensor |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8816282B2 (de) |
| EP (1) | EP2300791A1 (de) |
| DE (1) | DE102008002270A1 (de) |
| RU (1) | RU2532650C2 (de) |
| WO (1) | WO2009147085A1 (de) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US9472699B2 (en) | 2007-11-13 | 2016-10-18 | Battelle Energy Alliance, Llc | Energy harvesting devices, systems, and related methods |
| US8149170B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-04-03 | The Regents Of The University Of California | Carbon nanotube based variable frequency patch-antenna |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| CN102128841B (zh) * | 2010-01-13 | 2015-04-08 | 东南大学 | 一种太赫兹成像系统的探测装置 |
| US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| CN103081128B (zh) | 2010-06-18 | 2016-11-02 | 西奥尼克斯公司 | 高速光敏设备及相关方法 |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| JP2014525091A (ja) * | 2011-07-13 | 2014-09-25 | サイオニクス、インク． | 生体撮像装置および関連方法 |
| US8389939B1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-03-05 | Rockwell Collins, Inc. | System and method of dual energy radiation detection |
| EP2618128A1 (de) * | 2012-01-19 | 2013-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Erkennungsvorrichtung, Detektor und Bilderzeugungsvorrichtung damit |
| US8847824B2 (en) | 2012-03-21 | 2014-09-30 | Battelle Energy Alliance, Llc | Apparatuses and method for converting electromagnetic radiation to direct current |
| US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| RU2507542C2 (ru) * | 2012-08-27 | 2014-02-20 | Асхат Хайдарович Кутлубаев | Способ визуализации электромагнитных излучений и устройство для его реализации |
| US8975594B2 (en) | 2012-11-09 | 2015-03-10 | Ge Aviation Systems Llc | Mixed-material multispectral staring array sensor |
| WO2014127376A2 (en) | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Sionyx, Inc. | High dynamic range cmos image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| JP2014235146A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波検出装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
| WO2014209421A1 (en) | 2013-06-29 | 2014-12-31 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
| CN103398776A (zh) * | 2013-08-20 | 2013-11-20 | 西北核技术研究所 | 一种过模大功率脉冲太赫兹功率探测器 |
| DE102015204137A1 (de) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitervorrichtung mit einer Trench-Schottky-Barrier-Schottky-Diode |
| US10340459B2 (en) * | 2016-03-22 | 2019-07-02 | International Business Machines Corporation | Terahertz detection and spectroscopy with films of homogeneous carbon nanotubes |
| US11237103B2 (en) * | 2018-05-31 | 2022-02-01 | Socovar Sec | Electronic device testing system, electronic device production system including same and method of testing an electronic device |
| CN112802827B (zh) * | 2019-11-14 | 2024-03-01 | 华为技术有限公司 | 像素结构和图像传感器 |
| US11888233B2 (en) * | 2020-04-07 | 2024-01-30 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd | Tailored terahertz radiation |
| CN113418891B (zh) * | 2021-07-14 | 2024-12-27 | 青岛大学 | 一种检测车辆底部安全的太赫兹地面检测系统及其检测方法 |
| WO2025023859A1 (ru) * | 2023-07-24 | 2025-01-30 | Общество с ограниченной ответственностью "Терагерцовая фотоника" | Детектор терагерцового излучения |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050122269A1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-09 | Frazier Gary A. | Method and apparatus for detecting radiation at one wavelength using a detector for a different wavelength |
| US20070170359A1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-07-26 | Syllaios Athanasios J | Systems and methods for integrating focal plane arrays |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD281104A7 (de) | 1987-12-16 | 1990-08-01 | Univ Dresden Tech | Multispektraler sensor |
| US5446284A (en) * | 1994-01-25 | 1995-08-29 | Loral Infrared & Imaging Systems, Inc. | Monolithic detector array apparatus |
| US6310346B1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-10-30 | University Of Central Florida | Wavelength-tunable coupled antenna uncooled infrared (IR) sensor |
| US6465786B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-10-15 | Micron Technology, Inc. | Deep infrared photodiode for a CMOS imager |
| US20020160711A1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-10-31 | Carlson Bradley S. | Imager integrated CMOS circuit chip and associated optical code reading systems |
| US20040256561A1 (en) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Allyson Beuhler | Wide band light sensing pixel array |
| US7064328B2 (en) * | 2003-10-22 | 2006-06-20 | Northrop Grumman Corporation | Ultra sensitive silicon sensor millimeter wave passive imager |
| US6987484B2 (en) * | 2003-11-07 | 2006-01-17 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Detector for electromagnetic radiation and a method of detecting electromagnetic radiation |
| US7095027B1 (en) * | 2004-02-25 | 2006-08-22 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Multispectral multipolarization antenna-coupled infrared focal plane array |
| WO2007070540A2 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Irina Puscasu | Thin film emitter-absorber apparatus and methods |
| JP4221424B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2009-02-12 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
| WO2008028512A1 (de) | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bolometer und verfahren zum herstellen eines bolometers |
| RU2325729C1 (ru) * | 2006-10-17 | 2008-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) | Неохлаждаемый металлический болометр |
| JP4398972B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2010-01-13 | 株式会社東芝 | 電磁波センサ、撮像素子及び撮像装置 |
| US7705309B1 (en) * | 2007-02-27 | 2010-04-27 | Agiltron Corporation | Radiation detector with extended dynamic range |
| JP2008241465A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| US7501636B1 (en) * | 2007-09-20 | 2009-03-10 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Nanotunneling junction-based hyperspectal polarimetric photodetector and detection method |
| US7847254B2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-12-07 | Ncr Corporation | Photoconductive device |
-
2008
- 2008-06-06 DE DE102008002270A patent/DE102008002270A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-05-29 US US12/989,436 patent/US8816282B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-29 RU RU2010154507/28A patent/RU2532650C2/ru active
- 2009-05-29 EP EP09757467A patent/EP2300791A1/de not_active Ceased
- 2009-05-29 WO PCT/EP2009/056603 patent/WO2009147085A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050122269A1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-09 | Frazier Gary A. | Method and apparatus for detecting radiation at one wavelength using a detector for a different wavelength |
| US20070170359A1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-07-26 | Syllaios Athanasios J | Systems and methods for integrating focal plane arrays |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| See also references of WO2009147085A1 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102008002270A1 (de) | 2009-12-17 |
| RU2532650C2 (ru) | 2014-11-10 |
| WO2009147085A1 (de) | 2009-12-10 |
| US8816282B2 (en) | 2014-08-26 |
| RU2010154507A (ru) | 2012-07-20 |
| US20110194100A1 (en) | 2011-08-11 |
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Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
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| AK | Designated contracting states |
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| RIN1 | Information on inventor provided before grant (corrected) |
Inventor name: MOTTIN, ERIC Inventor name: ARNAUD, AGNES Inventor name: KUNDERMANN, STEFAN Inventor name: KALLMANN, ULRICH Inventor name: THIEL, MICHAEL |
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Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES Owner name: ROBERT BOSCH GMBH |
|
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| REG | Reference to a national code |
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|
| RAP1 | Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred) |
Owner name: ROBERT BOSCH GMBH Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES |
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