EP1756645A1 - Apparatus and method for inspecting microstructures in reflected or transmitted infrared light - Google Patents

Apparatus and method for inspecting microstructures in reflected or transmitted infrared light

Info

Publication number
EP1756645A1
EP1756645A1 EP05745043A EP05745043A EP1756645A1 EP 1756645 A1 EP1756645 A1 EP 1756645A1 EP 05745043 A EP05745043 A EP 05745043A EP 05745043 A EP05745043 A EP 05745043A EP 1756645 A1 EP1756645 A1 EP 1756645A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
sample
microstructured
light illumination
inspecting
transmitted light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP05745043A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Uwe Graf
Lambert Danner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Tencor MIE GmbH
Original Assignee
Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vistec Semiconductor Systems GmbH filed Critical Vistec Semiconductor Systems GmbH
Publication of EP1756645A1 publication Critical patent/EP1756645A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/06—Means for illuminating specimens
    • G02B21/08—Condensers
    • G02B21/088—Condensers for both incident illumination and transillumination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/59—Transmissivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks

Definitions

  • the invention relates to an apparatus for the optical inspection of microstructured samples with a sample holder to which the sample can be applied for inspection, and to a method for the optical inspection of microstructured samples in which a sample holder is provided to which the sample is applied for inspection and an observation device, in particular a microscope, with which the sample is observed.
  • microstructured samples e.g. wafers
  • Masks or a microstructured component on a substrate are particularly suitable for optical devices.
  • the surface can be examined by evaluating rays which are retroreflected by the surface of the wafer.
  • Optical devices are also known which can recognize a wide variety of structures on the surface of the sample of a wafer by image recognition.
  • the sample is usually illuminated in the bright field and scanned with a camera, such as a matrix or line scan camera.
  • a camera such as a matrix or line scan camera.
  • US Pat. No. 6,587,193 it is also known to examine the surface of a wafer, an illumination being selected which scans the wafer in the form of a line.
  • the illumination line is guided over the surface of the wafer in such a way that a two-dimensional image can be generated.
  • a method and a device for examining a wafer is also known. Illumination is irradiated onto the wafer in such a way that an edge of the wafer is hit. The edge of the wafer can thus be detected and processed by an image processing unit. Wafers of the wafer can then be determined by comparing the edge image determined with a stored comparison image.
  • the known systems for inspecting wafers are designed almost exclusively for incident light inspection in the visual or UV range and for inspecting microstructured samples e.g. encapsulated or embedded objects or wafers structured on both sides as well as stack structures from several wafers are generally not suitable or not suitable.
  • the object of the present invention is to further develop the known sample inspection technique in such a way that it is also suitable for the inspection of encapsulated or embedded objects or wafers structured on both sides and stacked structures composed of several wafers.
  • this object is achieved by a device for inspecting microstructured samples with the features according to claim 1 and a method for inspecting microstructured samples with the features according to claim 9.
  • an inspection device in particular a microscope, which enables simultaneous or separate incident and transmitted light illumination of the samples in the IR and additionally offers visual incident light illumination.
  • the incident light illumination has an incident light source and a filter device for filtering radiation from the optical spectral range.
  • a light source that emits radiation with components from the infrared spectral range (IR) can be used as the illumination device for the transmitted light device.
  • the desired wavelength can be selected together with interchangeable filters for wavelength selection.
  • the light is preferably coupled into the system via a light guide. With this illumination, which is different in incident and transmitted light, it is possible to combine the advantages of IR illumination with those of visual incident light illumination.
  • transmitted light the sample only passes IR light at the locations that are transparent for it. This creates a very high-contrast image.
  • the simultaneous IR incident light illumination enables the display of objects that cannot be displayed in transmitted light due to the shading effect of metallization layers.
  • the result is a detailed, high-contrast image with structures that are not visible in the reflected light due to the lack of transparency of many layers.
  • the usual visual incident light image is available for orientation. Both pictures, i.e.
  • the combined incident / transmitted light IR image and the visual incident light image can be simultaneously displayed on an IR special camera and a normal visual color or B / W CC D camera via a wavelength-selective double TV outlet and on a computer on a monitor output: This functionality can be further improved by adjusting the light wavelengths used, in particular using exchangeable filters for incident and transmitted light illumination.
  • the device can be further improved by using switchable shutters in the beam path of the incident and transmitted light illumination.
  • the acquisition of the images of the samples takes place depending on the set wavelength with conventional lenses and tube lenses or with IR lenses, in particular with special, corresponding sample thicknesses.
  • the entire system can be automated, which is particularly advantageous for inline use in the production of wafers.
  • the images of the incident and transmitted light system can be combined with one another in such a way that they can be output together on an output device, in particular a monitor.
  • FIG. Schematically an overview of a wafer inspection device
  • the single figure shows schematically a characteristic structure according to the invention of a wafer inspection device 10, in particular a microscope for observing a wafer 28.
  • wafer inspection device 10 should not be construed as a limitation.
  • microstructured samples such as. B. wafers, masks or microstructured components (encapsulated or unencapsulated) on a substrate (usually a semiconductor substrate), are examined.
  • the wafer inspection device 10 has an incident light illumination device 50. This essentially consists of an incident light source 12, the light of which can be coupled directly or indirectly onto the wafer 28. For this purpose, the incident light beam 11 can be guided through a collector 14.
  • the light wavelength desired for illumination can be filtered out of the optical spectral range.
  • a switchable diaphragm 15 can be provided in order to select the part desired for illuminating the wafer 28 from the incident light beam 11.
  • About a divider 18 can the incident light beam is then directed onto the wafer 28, which is fixed in the substrate holder 26.
  • the light from the incident light source 12 can also be coupled directly, for example with the aid of an optical fiber.
  • the light reflected by the wafer 28 is captured with a conventional objective 22, which is provided on an objective turret 20, and fed to a CCD camera 44 via an exchangeable tube lens 40.
  • the image data generated in this way are processed in a computing unit, in particular a PC 46, and output with an output device, in particular a monitor 48.
  • a transmitted light illumination 52 is simultaneously provided according to the invention, with the aid of which the wafer can additionally be illuminated in transmitted light.
  • This transmitted light illumination 52 has a transmitted light source 38, a collector 36 and a filter device 34.
  • the Filterein device makes it possible to filter a desired IR spectral component from the light of the light source 38, which is to be used for the transmitted light illumination of the wafer.
  • An optical waveguide 32 for example in the form of an optical waveguide bundle, is preferably used to couple in the IR light.
  • the IR transmitted light After the IR transmitted light has passed through an intermediate optical system 33, it can be directed onto the wafer 28 via a splitter mirror 30.
  • a condenser which is combined with a switchable diaphragm, is usually arranged between the divider mirror 30 and the wafer 28.
  • the image can thus be fed to an IR camera 42 and the data generated thereby can be forwarded to a computing unit, for example the PC 46.
  • the data can in turn be processed and output via the monitor 48.
  • the wafer can be focused manually or automatically via an auto focus system, which makes a significant contribution to the complete automation of the entire examination process.
  • the data originating from the IR incident and transmitted light examination and the VIS incident light examination can be fed to a special, wavelength-selective TV double output 41, which, as shown, with a visual CCD camera and an IR Camera is equipped.
  • Both images can be processed in the PC 46 in such a way that they can be displayed either individually or as an overall image on the monitor 48. It is precisely the combination of the two imaging methods that makes it possible to structurally capture inner elements of the wafer or structures on the underside and to combine them with the data obtained from the visual incident light illumination. In this way, the monitoring of the production process of wafers or the other samples mentioned can be significantly increased.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

Previously used examination devices and methods mostly operate with reflected visible or UV light to analyze microstructured samples of a wafer (38), for example. The aim of the invention is to increase the possible uses of said devices, i.e. particularly in order to represent structural details, e.g. of wafers that are structured on both sides, which are not visible in VIS or UV because coatings or intermediate materials are not transparent. Said aim is achieved by using IR light as reflected light while creating transillumination (52) which significantly improves contrast in the IR image, among other things, thus allowing the sample to be simultaneously represented in reflected or transmitted IR light and in reflected visible light.

Description

Vorrichtung und Verfahren zur optischen Auf- und/oder Durchlichtinspektion von MikroStrukturen im IR Device and method for optical incident and / or transmitted light inspection of micro structures in the IR
Die Erfindung betrifft Vorrichtung zur optischen Inspektion von mikrostruktu- rierten Proben mit einem Probenhalter, auf den die Probe zur Inspektion aufgebracht werden kann sowie ein Verfahren zur optischen Inspektion von mikrostrukturierten Proben bei dem ein Probenhalter vorgesehen ist, auf den die Probe zur Inspektion aufgebracht wird und einer Beobachtungseinrichtung, insbesondere einem Mikroskop, mit der die Probe beobachtet wird.The invention relates to an apparatus for the optical inspection of microstructured samples with a sample holder to which the sample can be applied for inspection, and to a method for the optical inspection of microstructured samples in which a sample holder is provided to which the sample is applied for inspection and an observation device, in particular a microscope, with which the sample is observed.
Zur Inspektion der Oberfläche von mikrostrukturierten Proben, z.B. Wafern,For inspection of the surface of microstructured samples, e.g. wafers,
Masken oder ein mikrostrukturierten Bauteilen auf einem Substrat, eignen sich insbesondere optische Vorrichtungen. So kann die Untersuchung der Oberfläche beispielsweise, wie aus der EP 455857 bekannt ist, durch die Auswertung von Strahlen erfolgen, die von der Oberfläche des Wafers retroreflektiert werden.Masks or a microstructured component on a substrate are particularly suitable for optical devices. For example, as is known from EP 455857, the surface can be examined by evaluating rays which are retroreflected by the surface of the wafer.
Auch sind optische Vorrichtungen bekannt, die durch Bilderkennung verschiedenste Strukturen auf der Oberfläche der Probe eines Wafers erkennen lassen. Hierbei wird die Probe üblicherweise im Hellfeld beleuchtet und mit einer Kamera, etwa einer Matrix- oder Zeilenkamera, abgetastet. Aus der US 6,587,193 ist weiterhin bekannt, die Oberfläche eines Wafers zu untersuchen, wobei eine Beleuchtung gewählt wird, die den Wafer in Form einer Line abtastet. Die Beleuchtungslinie wird so über die Oberfläche des Wafers geführt, dass ein zweidimensionales Bild erzeugt werden kann.Optical devices are also known which can recognize a wide variety of structures on the surface of the sample of a wafer by image recognition. The sample is usually illuminated in the bright field and scanned with a camera, such as a matrix or line scan camera. From US Pat. No. 6,587,193 it is also known to examine the surface of a wafer, an illumination being selected which scans the wafer in the form of a line. The illumination line is guided over the surface of the wafer in such a way that a two-dimensional image can be generated.
Aus der US 2003/0202178 A1 ist weiterhin ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Untersuchung eines Wafers bekannt. Hierbei wird eine Beleuchtung so auf den Wafer eingestrahlt, dass eine Kante des Wafers getroffen wird. Damit kann die Kante des Wafers erfasst und von einer Bildverarbeitungseinheit verarbeitet werden. Fehler des Wafers können dann durch einen Vergleich des ermittelten Kantenbildes mit einem gespeicherten Vergleichsbild ermittelt werden.From US 2003/0202178 A1, a method and a device for examining a wafer is also known. Illumination is irradiated onto the wafer in such a way that an edge of the wafer is hit. The edge of the wafer can thus be detected and processed by an image processing unit. Wafers of the wafer can then be determined by comparing the edge image determined with a stored comparison image.
Die bekannten Systeme zur Inspektion von Wafern sind nahezu ausschließlich für die Auflicht-Iπspektion im visuellen oder UV-Bereich konzipiert und zur Inspektion von mikrostrukturierten Proben z.B. gekapselten oder eingebetteten Objekten oder beidseitig strukturierten Wafern sowie Stapelstrukturen aus mehreren Wafern im allgemeinen nicht oder nicht gut geeignet.The known systems for inspecting wafers are designed almost exclusively for incident light inspection in the visual or UV range and for inspecting microstructured samples e.g. encapsulated or embedded objects or wafers structured on both sides as well as stack structures from several wafers are generally not suitable or not suitable.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die bekannte Probeninspektionstechnik so weiterzubilden, dass sie auch zur Inspektion von gekapselten oder eingebetteten Objekten oder beidseitig strukturierten Wafern sowie Stapel- Strukturen aus mehreren Wafern geeignet ist.The object of the present invention is to further develop the known sample inspection technique in such a way that it is also suitable for the inspection of encapsulated or embedded objects or wafers structured on both sides and stacked structures composed of several wafers.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung zur Inspektion von mikrostrukturierten Proben mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren zur Inspektion von mikrostrukturierten Proben mit den Merkmalen gemäß Anspruch 9 gelöst.According to the invention, this object is achieved by a device for inspecting microstructured samples with the features according to claim 1 and a method for inspecting microstructured samples with the features according to claim 9.
Erfindungsgemäß wird also eine Inspektionseinrichtung, insbesondere ein Mikroskop vorgeschlagen, das eine gleichzeitige oder getrennte Auf- und Durchlichtbeleuchtung der Proben im IR ermöglicht sowie zusätzlich eine visuelle Auflichtbeleuchtung bietet. Um ein sehr kontrastreiches Bild zu erzielen weist in einer bevorzugten Ausführungsform die Auflichtbeleuchtung eine Auflichtquelle und eine Filtereinrichtung zum Filtern von Strahlung aus dem optischen Spektralbereich auf.According to the invention, therefore, an inspection device, in particular a microscope, is proposed which enables simultaneous or separate incident and transmitted light illumination of the samples in the IR and additionally offers visual incident light illumination. In order to achieve a very high-contrast image, in a preferred embodiment the incident light illumination has an incident light source and a filter device for filtering radiation from the optical spectral range.
Als Beleuchtungseinrichtung für die Durchlichteinrichtung kann eine Lichtquel- le eingesetzt werden, die eine Strahlung mit Bestandteilen aus dem infraroten Spektralbereich (IR) abgibt. Zusammen mit wechselbaren Filtern zur Wellenlängenselektion ist die gewünschte Wellenlänge wählbar. Das Licht wird bevorzugt über einen Lichtleiter in das System eingekoppelt. Mit dieser im Auf- und Durchlicht unterschiedlichen Beleuchtung wird es möglich, die Vorteile der IR-Beleuchtung mit denen der visuellen Auflichtbeleuchtung zu kombinieren. Im Durchlicht passiert die Probe nur IR-Licht an den Stellen, die dafür transparent sind. Dadurch entsteht ein sehr kontrastreiches Bild. Die gleichzeitig mögliche IR Auflichtbeleuchtung ermöglicht die Darstellung von Objekten , die infolge der Abschattwirkung von Metallisierungsschichten im Durchlicht nicht darstellbar sind. Es entsteht zusammen ein detailreiches, kontraststarkes Bild mit Strukturen, die im visuellen Auflicht infolge nicht vorhandenen Transparenz vieler Schichten gar nicht sichtbar sind. Zusätzlich steht aber das gewohnte visuelle Auflichtbild zur Orientierung zur Verfügung. Beide Bilder, d.h. das kombinierte Auf-/Durchlicht IR-Bild sowie das visuelle Auflichtbild können über einen wellenlängenselektiven TV-Doppelabgang gleichzeitig auf eine IR- Spezialkamera sowie eine normale visuelle Farb-oder S/W-CC D-Kamera abgebildet werden und über einen Rechner auf einen Monitor ausgegeben werden: Diese Funktionalität kann weiter verbessert werden, in dem die verwendeten Lichtwellenlängen einstellbar sind, wobei insbesondere wechselbare Filter für die Auf- und Durchlichtbeleuchtung eingesetzt werden.A light source that emits radiation with components from the infrared spectral range (IR) can be used as the illumination device for the transmitted light device. The desired wavelength can be selected together with interchangeable filters for wavelength selection. The light is preferably coupled into the system via a light guide. With this illumination, which is different in incident and transmitted light, it is possible to combine the advantages of IR illumination with those of visual incident light illumination. In transmitted light, the sample only passes IR light at the locations that are transparent for it. This creates a very high-contrast image. The simultaneous IR incident light illumination enables the display of objects that cannot be displayed in transmitted light due to the shading effect of metallization layers. The result is a detailed, high-contrast image with structures that are not visible in the reflected light due to the lack of transparency of many layers. In addition, the usual visual incident light image is available for orientation. Both pictures, i.e. The combined incident / transmitted light IR image and the visual incident light image can be simultaneously displayed on an IR special camera and a normal visual color or B / W CC D camera via a wavelength-selective double TV outlet and on a computer on a monitor output: This functionality can be further improved by adjusting the light wavelengths used, in particular using exchangeable filters for incident and transmitted light illumination.
Die Vorrichtung kann durch den Einsatz von schaltbaren Blenden im Strah- leπgang der Auf- und Durchlichtbeleuchtung weiter verbessert werden.The device can be further improved by using switchable shutters in the beam path of the incident and transmitted light illumination.
Die Erfassung der Bilder der Proben erfolgt in Abhängigkeit von der eingestellten Wellenlänge mit konventionellen Objektiven und Tubuslinsen oder über IR-Objektive, insbesondere über spezielle, entsprechend Probendicke korri- gierbare IR-Objektive und sowie spezielle IR-Tubuslinsen.The acquisition of the images of the samples takes place depending on the set wavelength with conventional lenses and tube lenses or with IR lenses, in particular with special, corresponding sample thicknesses. adjustable IR lenses and special IR tube lenses.
Durch den Einsatz eines Autofokussystems zum Fokussieren auf die Probe, Wafer, Maske oder Substrat mit mikrostrukturiertem Bauteil lässt sich das Gesamtsystem automatisieren, was besonders im Inline-Einsatz bei der Produk- tion von Wafern vorteilhaft ist. Mit Hilfe eines PCs lassen sich die Bilder des Auf- und Durchlichtsystems so miteinander kombinieren, dass sie zusammen auf einem Ausgabegerät, insbesondere einem Monitor ausgegeben werden können.By using an autofocus system to focus on the sample, wafer, mask or substrate with a microstructured component, the entire system can be automated, which is particularly advantageous for inline use in the production of wafers. With the help of a PC, the images of the incident and transmitted light system can be combined with one another in such a way that they can be output together on an output device, in particular a monitor.
Weitere Vorteile und eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung sind Gegenstand der nachfolgenden einzigen Figur sowie deren Beschreibungsteil.Further advantages and an advantageous embodiment of the invention are the subject of the following single figure and its description part.
Es zeigt :It shows :
Fig. schematisch eine Waferinspektionseinrichtung im ÜberblickFig. Schematically an overview of a wafer inspection device
Die einzige Figur zeigt schematisch einen erfindungsgemäßen charakteristi- sehen Aufbau einer Waferinspektionseinrichtung 10, insbesondere eines Mikroskops zur Beobachtung eines Wafers 28. Der Begriff Waferinspektionseinrichtung 10 soll jedoch nicht aks Beschränkung aufgefasst werden. Mit der Waferinspektionseinrichtung 10 können mikrostrukturierte Proben, wie z. B. Wafer, Masken oder mikrostrukturierte Bauteile (gekapselt oder ungekapselt) auf einem Substrat (in der Regel ein Halbleitertsubstrat), untersucht werden. Die Waferinspektionseinrichtung 10 weist eine Auflichtbeleuchtungseinrich- tung 50 auf. Diese besteht im Wesentlichen aus einer Auflichtquelle 12 deren Licht direkt oder indirekt auf den Wafer 28 eingekoppelt werden kann. Hierzu kann der Auflicht-Lichtstrahl 11 durch einen Kollektor 14 geführt werden. Mit der anschließenden Anordnung eines oder mehrer wechselbarer Filter 16 lässt sich die zur Beleuchtung gewünschte Lichtwellenlänge aus dem optischen Spektralbereich filtern. Weiterhin kann eine schaltbare Blende 15 vorgesehen sein, um aus dem Auflicht-Lichtstrahl 11 den zur Beleuchtung des Wafers 28 gewünschten Teil zu selektieren. Über einen Teilerspiegel 18 kann der Auflichtlichtstrahl dann auf den Wafer 28 gerichtet werden, der in dem Substrathalter 26 fixiert ist. Selbstverständlich kann das Licht der Auflichtquelle 12 auch direkt, etwa mit Hilfe eines Lichtleiters eingekoppelt werden. Das von dem Wafer 28 reflektierte Licht wird mit einem konventionellen Objektiv 22, das auf einem Objektivrevolver 20 vorgesehen ist, erfasst und über eine wechselbare Tubuslinse 40 einer CCD-Kamera 44 zugeführt. Die auf diese Weise erzeugten Bilddaten werden in einer Recheneinheit, insbesondere einem PC 46 verarbeitet und mit einem Ausgabegerät, insbesondere einen Monitor 48 ausgegeben. An der Unterseite des Wafers 28 ist erfindungsgemäß gleichzeitig ein Durchlichtbeleuchtung 52 vorgesehen, mit deren Hilfe der Wafer zusätzlich im Durchlicht beleuchtet werden kann. Diese Durchlichtbeleuchtung 52 weist eine Durchlichtquelle 38, einen Kollektor 36 und eine Filtereinrichtung 34 auf. Die Filterein richtung ermöglicht es, aus dem Licht der Durch lichtquelle 38 einen gewünschten IR-Spektralanteil zu filtern, der zur Durchlichtbeleuchtung des Wafers verwendet werden soll. Zum Einkoppeln des IR- Durch lichtes wird bevorzugt ein Lichtwellenleiter 32, etwa in Form eines Lichtwellenleiterbüπdels eingesetzt. Nachdem das IR-Durchlicht eine Zwischenoptik 33 passiert hat, kann es über einen Teilerspiegel 30 auf den Wafer 28 gerichtet werden. Übli- cherweise ist dabei zwischen dem Teilerspiegel 30 und dem Wafer 28 ein Kondensor der mit einer schaltbaren Blende kombiniert ist, angeordnet.The single figure shows schematically a characteristic structure according to the invention of a wafer inspection device 10, in particular a microscope for observing a wafer 28. However, the term wafer inspection device 10 should not be construed as a limitation. With the wafer inspection device 10 microstructured samples, such as. B. wafers, masks or microstructured components (encapsulated or unencapsulated) on a substrate (usually a semiconductor substrate), are examined. The wafer inspection device 10 has an incident light illumination device 50. This essentially consists of an incident light source 12, the light of which can be coupled directly or indirectly onto the wafer 28. For this purpose, the incident light beam 11 can be guided through a collector 14. With the subsequent arrangement of one or more interchangeable filters 16, the light wavelength desired for illumination can be filtered out of the optical spectral range. Furthermore, a switchable diaphragm 15 can be provided in order to select the part desired for illuminating the wafer 28 from the incident light beam 11. About a divider 18 can the incident light beam is then directed onto the wafer 28, which is fixed in the substrate holder 26. Of course, the light from the incident light source 12 can also be coupled directly, for example with the aid of an optical fiber. The light reflected by the wafer 28 is captured with a conventional objective 22, which is provided on an objective turret 20, and fed to a CCD camera 44 via an exchangeable tube lens 40. The image data generated in this way are processed in a computing unit, in particular a PC 46, and output with an output device, in particular a monitor 48. On the underside of the wafer 28, a transmitted light illumination 52 is simultaneously provided according to the invention, with the aid of which the wafer can additionally be illuminated in transmitted light. This transmitted light illumination 52 has a transmitted light source 38, a collector 36 and a filter device 34. The Filterein device makes it possible to filter a desired IR spectral component from the light of the light source 38, which is to be used for the transmitted light illumination of the wafer. An optical waveguide 32, for example in the form of an optical waveguide bundle, is preferably used to couple in the IR light. After the IR transmitted light has passed through an intermediate optical system 33, it can be directed onto the wafer 28 via a splitter mirror 30. A condenser, which is combined with a switchable diaphragm, is usually arranged between the divider mirror 30 and the wafer 28.
Zum Erfassen des Bildes des Wafers 28, das durch das IR Durch- und Auflicht erzeugt wurde, kann ein spezielles IR-korrigiertes Objektiv 24 eingesetzt werden, das ebenfalls auf dem Objektivrevolver 20 positioniert ist und hierzu in den Strahlengang gedreht wird. Damit kann das Bild einer IR-Kamera 42 zugeführt und die damit erzeugten Daten an eine Recheneinheit, etwa den PC 46 weitergeleitet werden. Hier können die Daten wiederum aufbereitet und über den Monitor 48 ausgegeben werden.A special IR-corrected objective 24, which is also positioned on the objective turret 20 and is rotated into the beam path for this purpose, can be used to acquire the image of the wafer 28 which was generated by the IR transmitted and incident light. The image can thus be fed to an IR camera 42 and the data generated thereby can be forwarded to a computing unit, for example the PC 46. Here, the data can in turn be processed and output via the monitor 48.
Die Fokussierung des Wafers kann manuell oder automatisch über ein Auto- fokussystem erfolgen, was einen wesentlichen Beitrag zur vollständigen Automatisierung des gesamten Untersuchungsprozesses leistet. Wie der Figur zu entnehmen ist, können die aus der IR Auf- und Durchlichtun- tersuchung sowie der VIS Auflichtuntersuchung stammenden Daten einem speziellen, wellenlängenselektiven TV- Doppelausgaπg 41 zugeführt werden, der, wie gezeigt, mit einer visuellen CCD-Kamera und einer IR-Kamera be- stückt ist. In dem PC 46 können beide Bilder so aufbereitet werden, dass sie entweder einzeln oder als Gesamtbild auf dem Monitor 48 dargestellt werden können. Gerade die Kombination der beiden Abbildungsverfahren ermöglicht es, innere Elemente des Wafers oder Strukturen auf der Unterseite strukturell zu erfassen und mit den aus der visuellen Auflichtbeleuchtung gewonnenen Daten zu kombinieren. So kann die Überwachung des Produktionsprozesses von Wafer oder den anderen erwähnten Proben deutlich gesteigert werden. The wafer can be focused manually or automatically via an auto focus system, which makes a significant contribution to the complete automation of the entire examination process. As can be seen from the figure, the data originating from the IR incident and transmitted light examination and the VIS incident light examination can be fed to a special, wavelength-selective TV double output 41, which, as shown, with a visual CCD camera and an IR Camera is equipped. Both images can be processed in the PC 46 in such a way that they can be displayed either individually or as an overall image on the monitor 48. It is precisely the combination of the two imaging methods that makes it possible to structurally capture inner elements of the wafer or structures on the underside and to combine them with the data obtained from the visual incident light illumination. In this way, the monitoring of the production process of wafers or the other samples mentioned can be significantly increased.
BezuαszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMERALS
10 Waferinspektionseinrichtung10 wafer inspection device
1 1 Auflicht-Lichtstrahl1 1 incident light beam
12 Auflichtquelle12 incident light source
14 Kollektor14 collector
15 schaltbare Blende15 switchable aperture
16 Filter16 filters
18 Teilerspiegel18 divider mirror
20 Objektivrevolver20 nosepiece
22 VIS-Objektiv22 VIS lens
24 IR-Objektiv24 IR lens
26 Probenhalter26 sample holder
28 Wafer28 wafers
29 Kondensor29 condenser
30 Teilerspiegel30 split mirror
32 Lichtleiter32 light guides
33 Zwischenoptik33 intermediate optics
34 Filter34 filters
36 Kollektor36 collector
38 Durchlichtquelle38 transmitted light source
40 wechselbare Tubuslinse40 exchangeable tube lenses
41 wellenlängenselektiver TV-Doppelabgang41 wavelength-selective double TV output
42 IR-Kamera42 IR camera
44 Vis-CCD-Kamera44 Vis-CCD camera
46 PC46 pcs
48 Monitor48 monitor
50 Auflichtbeleuchtung50 incident light
52 Durchlichtbeleuchtung 52 transmitted light illumination

Claims

Patentansprüche claims
1 Vorrichtung zur Inspektion von mikrostrukturierten Proben, z B eines Wafers (28) mit einem Probenhalter (26), zum Halten der Probe, z B eines Wafers (28) und einer Auf lichtbeleuchtung (50) zur Beleuchtung der Probe im Auflicht dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich eine Durchlichtbeleuchtung (52) zum Beleuchten der Probe im Durchlicht vorgesehen ist1 device for the inspection of microstructured samples, for example a wafer (28) with a sample holder (26), for holding the sample, for example a wafer (28) and on-light illumination (50) for illuminating the sample in reflected light, that additionally transmitted light illumination (52) is provided for illuminating the sample in transmitted light
2 Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe nach An- spruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die mikrostrukturierte Probe ein Wafer (28), eine Maske oder ein mikrostrukturiertes Bauteil auf einem Substrat ist.2 Device for inspecting a microstructured sample according to claim 1, characterized in that the microstructured sample is a wafer (28), a mask or a microstructured component on a substrate.
3 Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die Auf lichtbeleuchtung (50) eine Auflichtquelle (12) und eine Filtereinrichtung (14) zum Filtern von Strahlung aus dem optischen Spektralbereich aufweist3 device for inspecting a microstructured sample, according to claim 1, characterized in that the on light illumination (50) has an incident light source (12) and a filter device (14) for filtering radiation from the optical spectral range
4 Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 1 bis 3 dadurch gekennzeichnet, dass die Durchlichtbeleuchtung (50) eine Durchlichtquelle (38) und eine Filtereinrichtung (34) zum Filtern von Strahlung aus dem infraroten Spektralbereich aufweist4 Device for inspecting a microstructured sample, according to one of claims 1 to 3, characterized in that the transmitted light illumination (50) has a transmitted light source (38) and a filter device (34) for filtering radiation from the infrared spectral range
5 Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 3 oder 4 dadurch gekennzeichnet, dass der Filter (16) der Auflichtbeleuchtung (50) und/oder der Filter (34) der Durchlichtbeleuchtung (52) wechselbar ist 5 Device for inspecting a microstructured sample, according to one of claims 3 or 4, characterized in that the filter (16) of the incident light illumination (50) and / or the filter (34) of the transmitted light illumination (52) is changeable
6. Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, dass die Durchlichtbeleuchtung (52) so angeordnet ist, dass sie von der Unterseite der Probe insbesondere mit einem Lichtleiter (32) eingekoppelt ist. 6. The device for inspecting a microstructured sample, according to one of claims 1 to 5, characterized in that the transmitted light illumination (52) is arranged in such a way that it is coupled in from the underside of the sample, in particular with a light guide (32).
7. Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 1 bis 6 dadurch gekennzeichnet, dass die Auflichtbeleuchtung (50) und/oder die Durchlichtbeleuchtung (52) schaltbare Blenden (15, 33) aufweist.7. Device for inspecting a microstructured sample, according to one of claims 1 to 6, characterized in that the incident light illumination (50) and / or the transmitted light illumination (52) has switchable diaphragms (15, 33).
8. Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 1 bis 7 dadurch gekennzeichnet, dass die Auflichtbeleuchtung (50) und/oder die Durchlichtbeleuchtung (52) ein Lichtleiterkabel (32) aufweist.8. Device for inspecting a microstructured sample, according to one of claims 1 to 7, characterized in that the incident light illumination (50) and / or the transmitted light illumination (52) has an optical fiber cable (32).
9. Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, mit einer Inspektionseinrichtung, die einen Probenhalter (26), auf den die Probe, z.B. der Wafer (28) zur Inspektion aufgebracht wird und einer Auflichtbeleuchtung (50) zur Beleuchtung der Probe, im Auf licht aufweist dadurch gekennzeichnet, dass eine Durchlichtbeleuchtung (52) vorgesehen ist, mit der die Probe, gleichzeitig im Durchlicht beleuchtet wird.9. Method for inspecting a microstructured sample, with an inspection device which has a sample holder (26) on which the sample, e.g. the wafer (28) is applied for inspection and has incident light illumination (50) for illuminating the sample, in incident light, characterized in that transmitted light illumination (52) is provided with which the sample is simultaneously illuminated in transmitted light.
10. Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach An- spruch 9 dadurch gekennzeichnet, dass die mikrostrukturierte Probe ein Wafer (28), eine Maske oder ein mikrostrukturiertes Bauteil auf einem Substrat ist.10. A method for inspecting a microstructured sample, according to claim 9, characterized in that the microstructured sample is a wafer (28), a mask or a microstructured component on a substrate.
11. Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach Anspruch 9 dadurch gekennzeichnet, dass die Auflichtbeleuchtung mit ei- ner Wellenlänge im visuellen und/oder IR Spektralbereich und die Durchlichtbeleuchtung im IR erfolgt.11. A method for inspecting a microstructured sample, according to claim 9, characterized in that the incident light illumination is carried out with a wavelength in the visual and / or IR spectral range and the transmitted light illumination is carried out in the IR.
12. Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 9 bis 11 dadurch gekennzeichnet, dass die Abbildung abhängig vom eingestellten Wellenlängenbereich mit konventionellen Objektiven (22) und gegebenenfalls Tubuslinsen (40) oder über IR- Objektive (24), insbesondere speziell korrigierte IR-Objektive und gegebenenfalls spezielle IR-Tubuslinsen (40) erfolgt.12. A method for inspecting a microstructured sample, according to one of claims 9 to 11, characterized in that the image is dependent on the set wavelength range with conventional lenses (22) and optionally tube lenses (40) or via IR lenses. Lenses (24), in particular specially corrected IR lenses and, if appropriate, special IR tube lenses (40).
13. Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 9 bis 12 dadurch gekennzeichnet, dass eine Fokussie- rung der Probe, z.B. des Wafers (28) manuell oder über ein Autofokussystem erfolgt.13. A method for inspecting a microstructured sample, according to any one of claims 9 to 12, characterized in that focusing the sample, e.g. of the wafer (28) is done manually or via an autofocus system.
14. Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 9 bis 13 dadurch gekennzeichnet, dass die Bilder der IR- Auf-und /oder Durchlichtbeleuchtung mittels eines wellenlängense- lektiven TV-Doppelabganges (41) auf eine IR-Kamera (42) und die Bilder der visuellen Auflichtbeleuchtung auf eine VIS-CCD-Kamera (44) abgebildet werden.14. A method for inspecting a microstructured sample, according to one of claims 9 to 13, characterized in that the images of the IR reflected and / or transmitted light illumination by means of a wavelength-selective double TV outlet (41) on an IR camera (42) and the images of the visual incident light illumination are imaged on a VIS-CCD camera (44).
15. Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach Anspruch 14 dadurch gekennzeichnet, dass die Bilder der IR- Auf- und /oder Durchlichtbeleuchtung und die Bilder der VIS- Auf lichtbeleuch- tung einem PC (46) zugeführt und gleichzeitig dargestellt, insbesondere auf einem Monitor (48) dargestellt werden. 15. A method for inspecting a microstructured sample, according to claim 14, characterized in that the images of the IR reflected and / or transmitted light illumination and the images of the VIS reflected light illumination are fed to a PC (46) and simultaneously displayed, in particular on a Monitor (48) are shown.
EP05745043A 2004-06-16 2005-05-23 Apparatus and method for inspecting microstructures in reflected or transmitted infrared light Withdrawn EP1756645A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004029212A DE102004029212B4 (en) 2004-06-16 2004-06-16 Apparatus and method for optical inspection and / or transmitted light inspection of microstructures in the IR
PCT/EP2005/052351 WO2005124422A1 (en) 2004-06-16 2005-05-23 Apparatus and method for inspecting microstructures in reflected or transmitted infrared light

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1756645A1 true EP1756645A1 (en) 2007-02-28

Family

ID=34968027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP05745043A Withdrawn EP1756645A1 (en) 2004-06-16 2005-05-23 Apparatus and method for inspecting microstructures in reflected or transmitted infrared light

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8154718B2 (en)
EP (1) EP1756645A1 (en)
JP (1) JP2008502929A (en)
CN (1) CN101019061A (en)
DE (1) DE102004029212B4 (en)
WO (1) WO2005124422A1 (en)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4878907B2 (en) * 2006-05-08 2012-02-15 三菱電機株式会社 Image inspection apparatus and image inspection method using the image inspection apparatus
GB0611156D0 (en) * 2006-06-07 2006-07-19 Qinetiq Ltd Optical inspection
KR20080015363A (en) 2006-08-14 2008-02-19 야마하 가부시키가이샤 Method and apparatus for inspection of wafer and semiconductor device
DE102006056086B3 (en) * 2006-11-28 2008-01-10 Rmb Gmbh Maschinen-Und Anlagenbau Three-dimensional body optical analysis method for use during manufacturing substrate, involves analyzing body in depth by transmitted light procedure, where thickness of body in direction of optical path is larger than thickness of carrier
DE102007006525B4 (en) * 2007-02-06 2009-05-14 Basler Ag Method and device for detecting defects
US8379964B2 (en) * 2007-08-31 2013-02-19 Kla-Tencor Corporation Detecting semiconductor substrate anomalies
DE102008028869A1 (en) * 2008-06-19 2009-12-24 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Method and device for inspecting a disk-shaped object
WO2011017772A1 (en) * 2009-08-14 2011-02-17 Bt Imaging Pty Ltd Detection of discontinuities in semiconductor materials
US8492721B2 (en) * 2009-10-15 2013-07-23 Camtek Ltd. Systems and methods for near infra-red optical inspection
CN102156106A (en) * 2010-02-11 2011-08-17 致茂电子(苏州)有限公司 Rapid solar wafer detection system
US9389408B2 (en) * 2010-07-23 2016-07-12 Zeta Instruments, Inc. 3D microscope and methods of measuring patterned substrates
JP5646922B2 (en) * 2010-09-03 2014-12-24 株式会社トプコン Inspection device
JP5824984B2 (en) * 2011-09-06 2015-12-02 株式会社島津製作所 Solar cell inspection equipment
WO2013063316A1 (en) 2011-10-25 2013-05-02 Daylight Solutions, Inc. Infrared imaging microscope
WO2013118296A1 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 株式会社島津製作所 Solar cell inspection device and solar cell processing device
JP5867194B2 (en) * 2012-03-13 2016-02-24 株式会社島津製作所 microscope
US8902428B2 (en) * 2012-03-15 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for measuring the crystal fraction of crystalline silicon casted mono wafers
US9885671B2 (en) 2014-06-09 2018-02-06 Kla-Tencor Corporation Miniaturized imaging apparatus for wafer edge
US9645097B2 (en) 2014-06-20 2017-05-09 Kla-Tencor Corporation In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
CN104267015B (en) * 2014-07-09 2017-01-18 香港应用科技研究院有限公司 Optical Signal Detection Device For Physiological Detection And Method For Analyzing Sample Components
TWI702390B (en) 2014-12-05 2020-08-21 美商克萊譚克公司 Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces
CN104568962A (en) * 2014-12-16 2015-04-29 苏州凯锝微电子有限公司 Wafer cutting kerf detection equipment
CN104538326A (en) * 2014-12-16 2015-04-22 苏州凯锝微电子有限公司 Detection device for wafer cutting notches
US9588058B1 (en) * 2015-12-29 2017-03-07 Lawrence Livermore National Security, Llc Non-destructive evaluation of water ingress in photovoltaic modules
KR20180077781A (en) * 2016-12-29 2018-07-09 에이치피프린팅코리아 주식회사 Image scanning apparatus and method for scanning thereof
US20180311762A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 Asm Technology Singapore Pte Ltd Substrate cutting control and inspection
DE102018129832B4 (en) * 2017-12-04 2020-08-27 Leica Microsystems Cms Gmbh Microscope system and method for microscopic imaging
IL264937B (en) * 2018-02-25 2022-09-01 Orbotech Ltd Range differentiators for auto-focusing in optical imaging systems
CN109557074A (en) * 2019-01-10 2019-04-02 华东师范大学 A kind of acquisition method of Raman high spectrum image
US11340284B2 (en) * 2019-07-23 2022-05-24 Kla Corporation Combined transmitted and reflected light imaging of internal cracks in semiconductor devices
CN111564382A (en) * 2020-04-08 2020-08-21 中国科学院微电子研究所 Wafer detection device and detection method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5524566Y2 (en) * 1975-10-28 1980-06-12
JPH0662305B2 (en) * 1983-12-29 1994-08-17 オ−ストラリア国 Production of technetium-99m-labeled radiopharmaceutical
DE3511571C1 (en) * 1985-03-12 1986-09-25 C. Reichert Optische Werke Ag, Wien Infrared microscope
JPH0360055U (en) * 1989-10-17 1991-06-13
EP0455857A1 (en) * 1990-05-11 1991-11-13 Diffracto Limited Improved methods and apparatus for retroreflective surface inspection and distortion measurement
EP0459489B1 (en) * 1990-05-30 1997-01-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method of reading optical image of inspected surface and image reading system employable therein
WO1992021057A1 (en) 1991-05-14 1992-11-26 Kabushiki Kaisha Topcon Projection inspecting machine
JPH0714898A (en) * 1993-06-23 1995-01-17 Mitsubishi Electric Corp Equipment and method for testing and analyzing semiconductor wafer
JPH11264935A (en) * 1998-03-18 1999-09-28 Jeol Ltd Microscopic infrared device
DE19903486C2 (en) * 1999-01-29 2003-03-06 Leica Microsystems Method and device for the optical examination of structured surfaces of objects
US6587193B1 (en) * 1999-05-11 2003-07-01 Applied Materials, Inc. Inspection systems performing two-dimensional imaging with line light spot
US6734962B2 (en) * 2000-10-13 2004-05-11 Chemimage Corporation Near infrared chemical imaging microscope
JP4481397B2 (en) 1999-09-07 2010-06-16 オリンパス株式会社 Optical apparatus and microscope
US20010030744A1 (en) * 1999-12-27 2001-10-18 Og Technologies, Inc. Method of simultaneously applying multiple illumination schemes for simultaneous image acquisition in an imaging system
DE10019486A1 (en) * 2000-04-19 2001-10-31 Siemens Ag Arrangement for the inspection of object surfaces
JP2002075815A (en) * 2000-08-23 2002-03-15 Sony Corp Pattern tester and aligner control system using the same
KR100537684B1 (en) * 2001-09-19 2005-12-20 올림푸스 가부시키가이샤 Semiconductor wafer inspection system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2005124422A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008502929A (en) 2008-01-31
US8154718B2 (en) 2012-04-10
WO2005124422A1 (en) 2005-12-29
DE102004029212A1 (en) 2006-01-12
CN101019061A (en) 2007-08-15
US20070247618A1 (en) 2007-10-25
DE102004029212B4 (en) 2006-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1756645A1 (en) Apparatus and method for inspecting microstructures in reflected or transmitted infrared light
EP2335556B1 (en) Test device for an optical inspection system
EP0116321B1 (en) Infrared spectrometer
DE102004029012B4 (en) Method for inspecting a wafer
EP1669741A1 (en) Method and system to inspect a wafer
DE19916749B4 (en) Procedure for examining samples
EP3410091B1 (en) Method for detecting a modulation transfer function and a centring system of an optical system
DE19903486A1 (en) Method and device for the optical examination of structured surfaces of objects
DE102012205311A1 (en) Optical device, in particular polarimeter, for detecting inhomogeneities in a sample
DE2437984A1 (en) METHOD FOR OBSERVING DYNAMIC PROCESSES IN LIVING OBJECTS THAT ARE NO LIGHT OPTICALLY VISIBLE FOR LACK OF ENOUGH OPTICAL RESOLUTION, AND EQUIPMENT FOR PERFORMING THE METHOD
DE102018129833B4 (en) Microscope system, detection unit for microscope system and method for microscopic imaging of a sample
DE102016011497A1 (en) Optical inspection device and optical inspection method with visible and infrared light for semiconductor devices
EP2335555A1 (en) Method for checking an optical device
DE102017210274A1 (en) Microscopy system and microscopy method for recording fluorescent light images and white light images
EP1505424A1 (en) Scanning microscope with optical coupling port for external light
DE3623394C2 (en) Surgical microscope
DE102012010190B4 (en) Method, device and endoscope and attachment
DE102017115963A1 (en) Eindruckhärteprüfgerät
WO2024022835A1 (en) Method, device, and computer-implemented method for inspecting a component, in particular a component of a lithography system, and lithography system
DE102008028869A1 (en) Method and device for inspecting a disk-shaped object
DE102007002711A1 (en) Method and device for inspecting a surface
DE202009011701U1 (en) Apparatus for optically scanning samples, comprising a diffuser in front of a transmitted-light detector
DE102007047935A1 (en) Apparatus and method for inspection of defects at the edge region of a wafer and use of the device in a wafer inspection device
DE10323139A1 (en) Method and device for high-resolution fault finding and classification
WO2012159752A2 (en) Microscopy system for eye examination and method for operating a microscopy system

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20061107

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: VISTEC SEMICONDUCTOR SYSTEMS GMBH

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
17Q First examination report despatched

Effective date: 20080226

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN WITHDRAWN

18W Application withdrawn

Effective date: 20080328