EP1735250A2 - Quartz glass component for a uv radiation source and method for producing and testing the aptitude of such a quartz glass component - Google Patents

Quartz glass component for a uv radiation source and method for producing and testing the aptitude of such a quartz glass component

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Publication number
EP1735250A2
EP1735250A2 EP05732180A EP05732180A EP1735250A2 EP 1735250 A2 EP1735250 A2 EP 1735250A2 EP 05732180 A EP05732180 A EP 05732180A EP 05732180 A EP05732180 A EP 05732180A EP 1735250 A2 EP1735250 A2 EP 1735250A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
quartz glass
glass component
quartz
radiation
sih groups
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP05732180A
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German (de)
French (fr)
Inventor
Andreas Schreiber
Bodo KÜHN
Franz-Josef Schilling
Erich Arnold
Hans-Dieter Witzke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
Original Assignee
Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
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Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG filed Critical Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
Publication of EP1735250A2 publication Critical patent/EP1735250A2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/01—Other methods of shaping glass by progressive fusion or sintering of powdered glass onto a shaping substrate, i.e. accretion, e.g. plasma oxidation deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
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    • C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • C03B2201/03—Impurity concentration specified
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    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • C03B2201/03—Impurity concentration specified
    • C03B2201/04—Hydroxyl ion (OH)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/07—Impurity concentration specified
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
    • C03B2201/23—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with hydroxyl groups

Definitions

  • the present invention relates to a component made of quartz glass for a UV radiation source.
  • the invention relates to a method for producing a quartz glass component for a UV radiation source, comprising the melting of Si0 2 -containing grain.
  • the invention relates to a diagnostic method for the suitability of a quartz glass component for use with a UV radiation source.
  • UV radiation sources are used, for example, for curing, modifying, coating and cleaning surfaces, for disinfecting gases, liquids, surfaces and packaging, for UV measurement technology, industrial photochemistry, for drying and curing printing inks, varnishes, adhesives and potting compounds, paint drying and analysis technology used.
  • UV radiation sources have a discharge space which is delimited, for example, by an envelope body in the form of a tube or bulb.
  • UV excimer lamps are increasingly being used. Such a UV excimer lamp is described in EP 0 254 111 A1.
  • the discharge space is filled with an inert gas or with a gas mixture and bounded by a quartz glass tube, in which a silent electrical discharge is generated.
  • High-performance excimer lamps emit an almost monochromatic, incoherent radiation. Typical working wavelengths are 172 nm (Xe lamps), 222 nm (KrCI lamps), 282 nm (XeBr lamps) and 308 nm (XeCI lamps).
  • Quartz glass made from both natural and synthetic raw materials is basically suitable for this purpose due to its UV permeability.
  • the high photon energy of the UV radiation in the quartz glass of the envelope body creates defects in the glass structure (so-called “color centers”), which cause absorption in certain wavelength ranges and thus transmission changes. Such defects in the glass structure can also cause mechanical stresses in the quartz glass.
  • the particularly high-energy photons of the 172nm-Xe excimer lamp are problematic with regard to the generation of defects.
  • quartz glass qualities differ in their radiation resistance.
  • synthetically produced quartz glass is more resistant to radiation than high-energy UV radiation than quartz glass made from natural raw materials.
  • Synthetic quartz glass is used for demanding applications as a covering material for UV lamps and for cover plates.
  • the production of high-purity, synthetic quartz glass is complex and the quartz glass is accordingly expensive.
  • the UV radiation resistance of a quartz glass has so far been determined on the basis of radiation tests.
  • samples from the quartz glass are prepared and exposed to UV radiation with the corresponding working wavelength.
  • the radiation durations required to determine the radiation resistance can be in the range of several months.
  • the invention is also based on the object of specifying an inexpensive method for producing such a quartz glass component.
  • Another object of the invention is to provide a diagnostic method by means of which the suitability of any quartz glass for use with high-energy UV radiation can be determined reliably and inexpensively in a simple manner.
  • this object is achieved according to the invention in that the quartz glass is melted from synthetically produced quartz crystals and has a SiH group content of less than 5 ⁇ 10 17 molecules / cm 3 .
  • quartz glass The radiation resistance of quartz glass is impaired by extrinsic and intrinsic defects.
  • Extrinsic defects include contaminants. These are entered into the quartz glass via the raw material and the manufacturing process - for example using crucible and furnace materials.
  • Intrinsic defects are structural defects in the quartz glass network that are thermally influenced during the manufacturing process. Many of these structural defects act as optical absorption or color centers in the UV and in the deep UV spectral range or they form “precursor defects” (precursors) from which other structural defects can arise as a result of irradiation with short-wave UV radiation. Those explained in more detail below Defects or precursor defects show absorption bands in the short-wave UV spectral range and are particularly important:
  • Type I quartz glass is quartz glass made of electrically melted quartz crystals. This quartz glass typically has an OH content of less than 5 ppm by weight and an impurity content of 10 to 100 ppm by weight.
  • Quartz glass according to the type II is formed by melting of quartz crystals in the oxyhydrogen flame (H 2/0 2). Due to the manufacturing process, this quartz glass has a higher OH content between 100 and 300 ppm by weight.
  • Synthetic quartz glass is produced either by flame hydrolysis, by plasma-assisted oxidation or by the sol-gel process (types III, IV and VII). Depending on the production method and the type of treatment before vitrification, these quartz glass types have OH contents in a wide range from less than 0.1 ppm to approximately 1000 ppm by weight and very low impurity contents.
  • the quartz glass type Va is quartz glass that is melted in a crucible under a hydrogen-containing atmosphere in an electrical melting process from pegmatitic quartz (quartz in combination with other minerals).
  • the quartz glass obtained in this way typically has an OH content of 100 ppm by weight and generally contains impurities of up to a few hundred ppm by weight.
  • the OH content can be reduced to a range of ⁇ 1 ppm to 15 ppm, whereby the quartz glass type Vb is obtained.
  • quartz glass of type VIII is of interest, which is formed by melting quartz crystals in a plasma flame.
  • this quartz glass has a significantly lower OH content than the quartz glass of type II and is referred to below as quartz glass of type VIII.
  • Type III and purple quartz glass is synthetically produced quartz glass which, although generally well suited for UV applications, is also expensive and is therefore not the subject of the present invention.
  • the quartz glass of type V is usually used 7, which is melted in large quantities of several tons from natural, pegmatitic quartz.
  • type I and II quartz glasses are produced in smaller quantities and used for the semiconductor industry, for the chemical industry and also for lamps.
  • a quartz glass component in which the quartz glass is produced from synthetically produced quartz crystals.
  • This is a modification of the above-mentioned quartz glass types I, II and VIII, insofar as the quartz crystals used are specified as synthetically produced quartz crystals (hereinafter also referred to as “growth crystals”).
  • Quartz growth crystals are starting materials with a Natural quartz of higher purity. Such synthetic quartz crystals are usually produced in a so-called “hydrothermal process", which will be explained in more detail below. The quartz glass melted from quartz growing crystals is significantly cheaper than synthetic quartz glass.
  • the quartz glass of the quartz glass component according to the invention has the lowest possible content of SiH groups.
  • SiH groups in quartz glass do not themselves absorb in the relevant UV wavelength range; the bonds, however, are relatively weak and can be affected by radiation break up short-wave UV light easily (in a so-called "one-photon process") to form absorbing E 'centers.
  • E 'centers result in increased absorption at a wavelength of 215 nm and are also noticeably noticeable in the adjacent UV wavelength range. They therefore have an unfavorable effect on the radiation resistance of the quartz glass component.
  • SiH groups can increasingly occur in quartz glass if it has a high hydrogen content.
  • the raw material used here - namely synthetic quartz crystals - may contain small amounts of hydrogen due to the production process, additional hydrogen being able to be introduced into the quartz glass via the production process, as will be discussed in more detail below with reference to the process according to the invention.
  • the content of SiH groups in the quartz glass is as low as possible.
  • the content of SiH groups is less than bx 1 mol molecules / cm 3 , which corresponds approximately to the current detection limit with the measurement method mentioned below.
  • the quartz glass has a hydroxyl group content of at least 25 ppm by weight, preferably at least 100 ppm by weight.
  • quartz glass is produced by melting synthetic quartz crystals using a burner flame.
  • the quartz glass component according to the invention is present, for example, as a disk, tube or as a piston.
  • the comparatively thin wall thickness results in a short diffusion distance, which is easier for the removal of SiH groups from the quartz glass by means of an annealing treatment, which will be explained in more detail below using the method according to the invention.
  • the above-mentioned object is achieved according to the invention on the basis of a method having the features mentioned at the outset in that synthetically produced quartz crystals are melted into a preliminary product which consists of quartz glass which contains hydroxyl groups. contains a number that is greater than the number of SiH groups, and that to remove SiH groups, the preliminary product is subjected to an annealing treatment at a temperature of at least 850 ° C. and the quartz glass component is obtained in the process.
  • a preliminary product for the quartz glass component actually to be produced is first produced using a raw material in the form of synthetically produced quartz crystals.
  • Synthetic quartz crystals are starting materials with a higher purity than natural quartz, which can be produced, for example, using the "hydrothermal process".
  • the quartz glass melted from synthetic quartz crystals is inexpensive compared to quartz glass which is produced by flame hydrolysis or by plasma processes.
  • the preliminary product usually already has the shape and dimensions of the actual quartz glass component. It is essential that the preliminary product consists of quartz glass which contains SiH groups in a number which is less than the number of hydroxyl groups, as will be explained in more detail below.
  • the preliminary product is subjected to an annealing treatment to remove SiH groups.
  • SiH groups are firmly connected to the glass network and do not diffuse or hardly diffuse. They can therefore only be removed reactively from the quartz glass of the preliminary product.
  • Suitable reactants are hydroxyl groups (OH groups), which react with the SiH groups at high temperatures to form hydrogen, which can diffuse out of the quartz glass of the preliminary product. This reaction forms according to the reaction equation
  • An essential prerequisite for the effectiveness of the annealing treatment is therefore that the number of hydroxyl groups in the quartz glass of the preliminary product is at least as large as the number of SiH groups.
  • the content of hydroxyl groups in quartz glass is often given in the unit “ppm by weight”. The conversion from this concentration unit to the number of hydroxyl groups per cm 3 in quartz glass is carried out using the factor: 7.8 ⁇ 10 16 cm 3 / wt. ppm.
  • the SiH groups are removed as far as possible from the quartz glass of the preliminary product by reacting with a part of the OH groups present in excess to form reaction products that diffuse out of the quartz glass.
  • the hydroxyl groups present in the quartz glass will react with the SiH groups 1: 1 in a short time, so that a clear excess of hydroxyl groups is helpful for a rapid and extensive elimination of the SiH groups, and on the other hand it is im
  • the radiation resistance of the quartz glass it is advantageous if a residue of hydroxyl groups is contained in the quartz glass even after the reaction of the OH groups with the SiH groups.
  • a precursor which consists of quartz glass and which contains hydroxyl groups in a number which is at least twice as large as the number of SiH groups. It has proven to be particularly favorable if the tempering treatment is carried out at a temperature in the range between 900 ° C. and 1200 ° C.
  • the removal of the SiH groups is particularly effective if the tempering treatment comprises treatment under vacuum.
  • the vacuum causes the reaction products to be rapidly removed from the surface of the preliminary product, thus preventing a renewed reaction and thereby accelerating the removal of the SiH groups from the quartz glass.
  • the vacuum is applied at least temporarily during the tempering treatment.
  • the annealing treatment comprises a treatment under an oxygen-containing atmosphere.
  • Oxygen deficiency defects present in the quartz glass can be saturated by the oxygen present in the tempering atmosphere.
  • the hydroxyl group content of the quartz glass is preferably set to at least 25 ppm by weight, preferably at least 100 ppm by weight.
  • a certain content of hydroxyl groups has a favorable effect on the radiation resistance of quartz glass.
  • the specified minimum hydroxyl group content should therefore still be present in the finished quartz glass component after the heat treatment and the reaction with the SiH groups.
  • the quartz glass component is preferably designed as an enveloping body for the UV radiation source with a wall thickness in the range between 0.4 mm and 8 mm, wherein the annealing treatment, depending on the wall thickness, lasts between 4 hours and 80 hours.
  • the enveloping body is, for example, a tube, a piston or a component that shields the UV radiation source, such as a disk.
  • the above-mentioned object is achieved according to the invention in that the quartz glass component is exposed to excitation radiation and the fluorescence radiation of the quartz glass generated as a result of the excitation radiation is detected in the wavelength range from 350 to 430 nm.
  • quartz glass is not very resistant to UV radiation and, as a result of UV excitation radiation, has a perceptible fluorescence in the visible, blue wavelength range from 350 to 430 nm (for example at a wavelength of 390 nm).
  • This finding which has been checked and confirmed on various quartz glass qualities, results in a diagnostic method according to the invention, by means of which the suitability of the quartz glass in question for use with high-energy UV radiation can be determined simply and reliably.
  • the excitation radiation has a wavelength of around 248 nm and if the fluorescence radiation of the quartz glass component is determined in a direction which is essentially perpendicular to the main direction of propagation of the excitation radiation.
  • the measurement of the fluorescence radiation is not noticeably influenced by the excitation radiation.
  • FIG. 1 UV transmission spectra of different quartz glass qualities and differently treated samples in comparison
  • Figure 2 fluorescence spectra of different quartz glass qualities and differently treated samples in comparison.
  • the growth crystals for the production of the quartz glass qualities according to types II and VIII were produced by the so-called "hydrothermal process".
  • the lower area broken pieces of quartz are dissolved in a slightly alkaline solution.
  • Oriented cut quartz plates - as seeds - are arranged in the upper area of the autoclave.
  • the dissolved in the lower area condenses Quartz on the quartz plates to form a synthetic quartz crystal, which is characterized by a higher purity than natural quartz crystals.
  • Quartz glass samples were made from different quartz glass qualities. Type II and type VIII quartz glass (see FIG. 1) were each produced using growth crystals, the type II quartz crystals being melted using a fuel gas flame (oxyhydrogen flame) and the type VIII quartz glass using a hydrogen-free plasma flame.
  • the quartz glass of the purple type is synthetically produced quartz glass, which was obtained by flame hydrolysis of SiCI 4 according to the so-called soot process.
  • the type Vc quartz glass is quartz glass, which was melted from synthetically produced quartz glass granules and which had a hydroxyl group content of less than 25 ppm by weight. Before and after a thermal pretreatment, which is described below, the quartz glass samples were characterized by measuring their UV transmission in the wavelength range from 150 to 240 nm and their SiH and hydroxyl group content.
  • the hydroxyl group content is obtained by measuring the IR absorption using the method of DM Dodd et al. ("Optical Determinations of OH in Fused Silica", (1966), p. 3911).
  • the content of SiH groups is determined by means of Raman spectroscopy, with calibration being carried out using a chemical reaction: Si-O-Si + H2 - > Si-H - + Si-OH r as in-Shelby "Reaction of-hydrogen with-hydroxyMree vitreous silica" (J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 5 (May 1980), p. 2589- 2593).
  • NT annealing treatment Conversion factor for the specification of the OH contents between columns 3 and 4: 7.8 x 10 16 [number / cm 3 ]
  • the irradiation time was 950 hours for the quartz glass types II, purple and VIII and 1590 hours for the quartz glass type Vc.
  • Measurement of fluorescence In addition, the fluorescence spectra were determined on all samples when irradiated with an excimer laser with a wavelength of 248 nm and a pulse width of 20 ns and an energy density of 200 mJ / cm 2 .
  • the fluorescence radiation was determined in a direction perpendicular to the main direction of propagation of the excitation radiation, the spectra shown in FIG. 2 being obtained by integration over a period of 50 ⁇ s, starting 10 ⁇ s after the excitation radiation was switched on.
  • Figure 1 shows the transmission spectra of the various - tempered and non-tempered - quartz glass samples before and after UV irradiation in the wavelength range between 150 nm and 240 nm.
  • FIG. 1 the diagrams in the right column each show the transmission spectra of the irradiated samples and the diagrams on the left that of the non-irradiated samples.
  • Two measurement curves are entered in the diagrams, one of which, in which the measurement points are shown as circles, shows the course of the transmission in thermally pretreated samples, and the other, which is shown as a solid line, symbolizes samples that have not been pretreated thermally.
  • the diagrams on the right side of FIG. 1 show the transmission spectra after irradiation with 172 nm UV radiation. Irradiation with the UV excimer lamp leads to a reduction in transmission in all samples (right column), particularly pronounced in quartz glass types II and VIII, and hardly recognizable in the quartz glass type purple.
  • the quartz glass of the purple type is essentially resistant to such radiation and shows no differences in transmission in both the annealed and the non-annealed quality.
  • the tempering treatment also brings about improved transmission and, in particular, improved resistance to UV radiation in the case of the quartz glass types Vc and VIII.
  • the radiation resistance of the quartz glass VIII is significantly lower than that of the type II quartz glass. This can be attributed to the fact that the type VIII quartz glass was obtained from water-free plasma melting of growth crystals and accordingly already has a low hydroxyl group content before the tempering process.
  • Table 1 shows, the number of hydroxyl groups before the annealing treatment is less than the number of SiH groups, so that the effect of the Annealing treatment with a view to eliminating SiH groups is reduced.
  • the number of hydroxyl group contents of the preliminary product before the tempering treatment is somewhat higher than the number of SiH groups; however, this is not sufficient for complete elimination, as the still measurable content of 1.0 ⁇ 10 17 after the tempering treatment shows.
  • the radiation resistance of this quartz glass is therefore somewhat better than that of type VIII quartz glass, but significantly worse than that of type II after the tempering treatment.
  • quartz glass type II The improvement in transmission and radiation resistance is particularly pronounced in quartz glass type II.
  • the non-tempered quartz glass sample type II is degenerated by UV radiation in a similar way to quartz glass qualities Vc and VIII, the tempered quartz glass sample II is resistant to UV radiation and shows none Absorption band at 163 nm and 215 nm. This quartz glass shows no crack formation even after an exposure time of 2,000 hours.
  • the type II quartz glass has a small number of intrinsic and extrinsic defects.
  • it is made from a comparatively pure starting material, namely from quartz crystals, so that it contains little impurities.
  • the production of the quartz glass by means of flame melting leads to a comparatively high hydroxyl group content (in comparison to plasma melting), which in turn enables the SiH groups introduced during production to be reduced to a value below the detection limit in the subsequent tempering treatment.
  • FIG. 2 shows fluorescence spectra for quartz glass types II, purple, Vc and VIII in the wavelength range between 300 and 700 nm before and after irradiation with 172 nm UV excimer radiation.
  • the fluorescence "PL" is relative Units plotted over the wavelength in the range between 300 and 700 nm.
  • the quartz glass of the purple type shows a weak fluorescence band in the green area essentially independent of a thermal pretreatment of this quartz glass.

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Abstract

A conventional method for producing a quartz glass component for a UV radiation source includes melting SiO2 containing grains. The aim of the invention is to provide an improved and inexpensive method which allows for the production of a quartz glass component that is characterized by high radiation resistance. For this purpose, synthetically produced quartz crystals are smelted to give an initial product that consists of quartz glass, and contains hydroxyl groups in a number greater than the number of SiH groups. In order to remove the SiH groups, the initial product is subjected to a tempering step at a temperature of at least 850 DEG C, thereby obtaining the quartz glass component. The inventive quartz glass component is characterized in that the quartz glass is smelted from synthetically produced quartz crystals and has an SiH group content of less than 5 x 10<17> molecules/cm<3>.

Description

Bauteil aus Quarzglas für eine UV-Strahlenquelle sowie Verfahren für die Herstellung und für die Eignungsdiagnose eines derartigen Quarzglas-Bauteils Quartz glass component for a UV radiation source and method for the production and for the suitability diagnosis of such a quartz glass component
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bauteil aus Quarzglas für eine UV- Strahlenquelle.The present invention relates to a component made of quartz glass for a UV radiation source.
Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Quarzglas- Bauteils für eine UV-Strahlenquelle, umfassend das Erschmelzen von Si02- haltiger Körnung.Furthermore, the invention relates to a method for producing a quartz glass component for a UV radiation source, comprising the melting of Si0 2 -containing grain.
Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Diagnoseverfahren für die Eignung eines Quarzglas-Bauteils für den Einsatz mit einer UV-Strahlenquelle.Furthermore, the invention relates to a diagnostic method for the suitability of a quartz glass component for use with a UV radiation source.
UV-Strahlenquellen werden beispielsweise zum Härten, Modifizieren, Beschichten und Reinigen von Oberflächen, zur Entkeimung von Gasen, Flüssigkeiten, Oberflächen und Verpackungen, für die UV-Messtechnik, die industrielle Photochemie, die Trocknung und Härtung von Druckfarben, Lacken, Klebstoffen und Vergussmassen, die Lacktrocknung und die Analysetechnik eingesetzt.UV radiation sources are used, for example, for curing, modifying, coating and cleaning surfaces, for disinfecting gases, liquids, surfaces and packaging, for UV measurement technology, industrial photochemistry, for drying and curing printing inks, varnishes, adhesives and potting compounds, paint drying and analysis technology used.
UV-Strahlenquellen weisen einen Entladungsraum auf, der beispielsweise von einem Hüllkörper in Form eines Rohres oder Kolbens begrenzt ist. Neben den seit langem bekannten Niederdruck- und Mitteldruckgasentladungslampen kommen zunehmend UV-Excimerstrahler zum Einsatz. Ein derartiger UV-Excimerstrahler ist in der EP 0 254 111 A1 beschrieben. Der Entladungsraum ist mit einem Edelgas oder mit einem Gasgemisch gefüllt und von einem Quarzglasrohr begrenzt, in dem eine stille elektrische Entladung erzeugt wird. Hochleistungs- Excimerstrahler geben eine fast monochromatische, inkohärente Strahlung ab. Typische Arbeitswellenlängeh sind 172 nm (Xe-Lampen), 222 nm (KrCI-Lampen), 282 nm (XeBr-Lampen) und 308 nm (XeCI-Lampen).UV radiation sources have a discharge space which is delimited, for example, by an envelope body in the form of a tube or bulb. In addition to the long-known low pressure and medium pressure gas discharge lamps, UV excimer lamps are increasingly being used. Such a UV excimer lamp is described in EP 0 254 111 A1. The discharge space is filled with an inert gas or with a gas mixture and bounded by a quartz glass tube, in which a silent electrical discharge is generated. High-performance excimer lamps emit an almost monochromatic, incoherent radiation. Typical working wavelengths are 172 nm (Xe lamps), 222 nm (KrCI lamps), 282 nm (XeBr lamps) and 308 nm (XeCI lamps).
Um eine hohe Strahlungsintensität zu erzielen, ist ein Hüllkörper mit hoher UV- Durchlässigkeit erforderlich. Quarzglas sowohl aus natürlichen als auch aus synthetischen Rohstoffen ist aufgrund seiner UV-Durchlässigkeit grundsätzlich für diesen Zweck geeignet. Ein besonderes Augenmerk liegt jedoch auf der Konstanz der abgegebenen UV-Leistung während des Einsatzes der UV-Lampe - insbesondere für bei Anwendungen in der UV-Mess- und Analysetechnik. Es hat sich gezeigt, dass die hohe Photonenenergie der UV-Strahlung im Quarzglas des Hüllkörpers Defekte in der Glasstruktur erzeugt (sogenannte „Farbzentren"), die Absorptionen in bestimmten Wellenlängenbereichen und damit Transmissionsänderungen bewirken. Derartige Defekte der Glasstruktur können auch mechanische Spannungen im Quarzglas-Hüllkörper bewirken, die bis zum Bruch des Hüllrohres führen können. Problematisch hinsichtlich der Defekterzeugung sind die besonders energiereichen Photonen des 172nm-Xe- Excimerstrahlers.In order to achieve a high radiation intensity, an envelope with a high UV permeability is required. Quartz glass made from both natural and synthetic raw materials is basically suitable for this purpose due to its UV permeability. Particular attention is paid, however, to the constancy of the UV power emitted during the use of the UV lamp - especially for applications in UV measurement and analysis technology. It has been shown that the high photon energy of the UV radiation in the quartz glass of the envelope body creates defects in the glass structure (so-called “color centers”), which cause absorption in certain wavelength ranges and thus transmission changes. Such defects in the glass structure can also cause mechanical stresses in the quartz glass. The particularly high-energy photons of the 172nm-Xe excimer lamp are problematic with regard to the generation of defects.
Die verschiedenen Quarzglasqualitäten unterscheiden sich in ihrer Strahlenresistenz. Im Allgemeinen zeigt synthetisch erzeugtes Quarzglas gegenüber energiereicher UV-Strahlung eine höhere Strahlenresistenz als Quarzglas aus natürlichen Rohstoffen. Synthetisches Quarzglas wird für anspruchsvolle Anwendungen als Hüllmaterial für UV-Lampen und für Abdeckplatten eingesetzt. Allerdings ist die Herstellung von hochreinem, synthetischem Quarzglas aufwändig und das Quarzglas dementsprechend teuer.The different quartz glass qualities differ in their radiation resistance. In general, synthetically produced quartz glass is more resistant to radiation than high-energy UV radiation than quartz glass made from natural raw materials. Synthetic quartz glass is used for demanding applications as a covering material for UV lamps and for cover plates. However, the production of high-purity, synthetic quartz glass is complex and the quartz glass is accordingly expensive.
Die UV-Strahlenbeständigkeit eines Quarzglases wird bisher anhand von Bestrahlungsversuchen ermittelt. Hierzu werden Proben aus dem Quarzglas präpariert und der UV-Strahlung mit der entsprechenden Arbeitswellenlänge ausgesetzt. Die für die Ermittlung der Strahlenresistenz erforderlichen Bestrahlungsdauern können dabei je nach konkreten Bestrahlungsbedingungen (Energiedichte, Wellenlänge usw.) im Bereich mehrerer Monate liegen.The UV radiation resistance of a quartz glass has so far been determined on the basis of radiation tests. For this purpose, samples from the quartz glass are prepared and exposed to UV radiation with the corresponding working wavelength. Depending on the specific radiation conditions (energy density, wavelength, etc.), the radiation durations required to determine the radiation resistance can be in the range of several months.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Quarzglas-Bauteil aus hoch transparentem, aber vergleichsweise kostengünstigem Quarzglas für eine UV- Strahlenquelle bereitzustellen, das sich durch hohe Strahlenbeständigkeit auszeichnet.It is therefore an object of the present invention to provide a quartz glass component made of highly transparent but comparatively inexpensive quartz glass for a UV radiation source which is distinguished by high radiation resistance.
Weiterhin liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines derartigen Quarzglas-Bauteils anzugeben. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Diagnoseverfahren bereitzustellen, mittels dem die Eignung eines beliebigen Quarzglases für die Anwendung mit energiereicher UV-Strahlung auf einfache Art und Weise zuverlässig und kostengünstig ermittelt werden kann.The invention is also based on the object of specifying an inexpensive method for producing such a quartz glass component. Another object of the invention is to provide a diagnostic method by means of which the suitability of any quartz glass for use with high-energy UV radiation can be determined reliably and inexpensively in a simple manner.
Hinsichtlich des Quarzglas-Bauteils wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das Quarzglas aus synthetisch erzeugten Quarzkristallen erschmolzen ist und einen Gehalt an SiH-Gruppen von weniger als 5 x 1017 Molekülen/cm3 aufweist.With regard to the quartz glass component, this object is achieved according to the invention in that the quartz glass is melted from synthetically produced quartz crystals and has a SiH group content of less than 5 × 10 17 molecules / cm 3 .
Die Strahlenbeständigkeit von Quarzglas wird durch extrinsische und intrinsische Defekte beeinträchtigt.The radiation resistance of quartz glass is impaired by extrinsic and intrinsic defects.
Zu den extrinsischen Defekten gehören Verunreinigungen. Diese werden über den Rohstoff und über das Herstellungsverfahren - beispielsweise durch Tiegel- und Ofenmaterialien - in das Quarzglas eingetragen.Extrinsic defects include contaminants. These are entered into the quartz glass via the raw material and the manufacturing process - for example using crucible and furnace materials.
Intrinsische Defekte sind Strukturfehler des Quarzglasnetzwerkes, die thermisch beeinflusst während des Herstellprozesses erzeugt werden. Viele dieser Strukturfehler, wirken als optische Absorptions- oder Farbzentren im UV- und im tiefen UV-Spektralbereich oder sie bilden „Vorläuferdefekte" (Precursor), aus denen durch Bestrahlung mit kurzwelliger UV-Strahlung andere strukturelle Defekte entstehen können. Die im Folgenden näher erläuterten Defekte oder Vorläuferdefekte zeigen Absorptionsbanden im kurzwelligen UV-Spektralbereich und sind besonders zu beachten:Intrinsic defects are structural defects in the quartz glass network that are thermally influenced during the manufacturing process. Many of these structural defects act as optical absorption or color centers in the UV and in the deep UV spectral range or they form “precursor defects” (precursors) from which other structural defects can arise as a result of irradiation with short-wave UV radiation. Those explained in more detail below Defects or precursor defects show absorption bands in the short-wave UV spectral range and are particularly important:
• ein Sauerstoffüberschuss-Defekt, bei dem ein nicht brückenbildendes Sauerstoffatom vorliegt (ein sogenanntes NBOH-Zentrum); mit einer relativ breiten Absorptionsbande bei einer Wellenlänge von etwa 265 nm,• an excess of oxygen defect in which there is a non-bridging oxygen atom (a so-called NBOH center); with a relatively broad absorption band at a wavelength of approximately 265 nm,
• eine Fehlstelle, bei der an einem Silizium-Atom nur drei Sauerstoffatome (anstelle von vier) gebunden sind, und die als E'-Zentrum bezeichnet wird; mit einer Absorptionsbande um 215 nm, • sowie ein als Sauerstoffdefizit-Zentrum bezeichneter Defekt, bei dem eine Silizium-Silizium-Bindung vorliegt, die eine Absorptionsbande bei 163 nm erzeugt.A defect in which only three oxygen atoms (instead of four) are bound to a silicon atom and which is referred to as the E 'center; with an absorption band around 215 nm, • as well as a defect called an oxygen deficit center, in which a silicon-silicon bond is present, which generates an absorption band at 163 nm.
Da die Ausbildung und die Konzentration der extrinsischen und intrinsischen Defekte sowohl von den Rohstoffen als auch vom Herstellungsverfahren abhängen, ist es sinnvoll, die unterschiedlichen Quarzglasqualitäten nach diesen Kriterien zu klassifizieren.Since the formation and concentration of extrinsic and intrinsic defects depend on both the raw materials and the manufacturing process, it makes sense to classify the different quartz glass qualities according to these criteria.
Eine geeignete Klassifikation findet sich in „R. Brückner, Silicon Dioxide; Encyclopedia of Applied Physics, Vol. 18 (1997), S. 101-131". Demnach sind je nach eingesetzten Rohstoff und Herstellungsmethode mehrere Quarzglastypen zu unterscheiden:A suitable classification can be found in "R. Brückner, Silicon Dioxide; Encyclopedia of Applied Physics, Vol. 18 (1997), pp. 101-131 ". According to the raw material and production method used, several types of quartz glass can be distinguished:
• Beim Quarzglastyp I handelt es sich um Quarzglas aus elektrisch erschmolzenen Quarzkristallen. Dieses Quarzglas hat typischerweise einen OH-Gehalt von weniger als 5 Gew.-ppm und einen Verunreinigungsgehalt von 10 bis 100 Gew.-ppm.• Type I quartz glass is quartz glass made of electrically melted quartz crystals. This quartz glass typically has an OH content of less than 5 ppm by weight and an impurity content of 10 to 100 ppm by weight.
Quarzglas gemäß dem Typ II entsteht durch Erschmelzen von Quarzkristallen in der Knallgasflamme (H2/02). Dieses Quarzglas weist herstellungsbedingt einen höheren OH-Gehalt zwischen 100 und 300 Gew.-ppm auf.Quartz glass according to the type II is formed by melting of quartz crystals in the oxyhydrogen flame (H 2/0 2). Due to the manufacturing process, this quartz glass has a higher OH content between 100 and 300 ppm by weight.
• Synthetisches Quarzglas wird entweder durch Flammenhydrolyse, durch plasmaunterstützte Oxidation oder durch Sol-Gel-Verfahren erzeugt (Typen III, IV und VII). Je nach der Herstellungsweise und der Art ihrer Behandlung vor dem Verglasen weisen diese Quarzglastypen OH-Gehalte in einem weiten Bereich von weniger als 0,1 ppm bis etwa 1000 Gew.-ppm und sehr niedrige Verunreinigungsgehalte auf.• Synthetic quartz glass is produced either by flame hydrolysis, by plasma-assisted oxidation or by the sol-gel process (types III, IV and VII). Depending on the production method and the type of treatment before vitrification, these quartz glass types have OH contents in a wide range from less than 0.1 ppm to approximately 1000 ppm by weight and very low impurity contents.
Bei dem Quarzglastyp Va handelt es sich um Quarzglas, das in einem elektrischen Schmelzverfahren aus pegmatitischem Quarz (Quarz in Verbindung mit anderen Mineralien) in einem Tiegel unter einer wasserstoffhaltigen Atmosphäre erschmolzen wird. Das so erhaltene Quarzglas hat typischerweise einen OH-Gehalt von 100 Gew.-ppm und enthält in der Regel Verunreinigungen bis zu einigen hundert Gew.-ppm. Durch Ausgasen bei hoher Temperatur (10 Stunden bei 1080 °C) kann der OH- Gehalt jedoch auf einen Bereich von <1 ppm bis 15 ppm reduziert werden, wobei der Quarzglastyp Vb erhalten wird.The quartz glass type Va is quartz glass that is melted in a crucible under a hydrogen-containing atmosphere in an electrical melting process from pegmatitic quartz (quartz in combination with other minerals). The quartz glass obtained in this way typically has an OH content of 100 ppm by weight and generally contains impurities of up to a few hundred ppm by weight. By Outgassing at high temperature (10 hours at 1080 ° C), however, the OH content can be reduced to a range of <1 ppm to 15 ppm, whereby the quartz glass type Vb is obtained.
• Im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung ist ein weiterer Quarzglastyp von Interesse, der durch Erschmelzen von Quarzkristallen in einer Plasmaflamme entsteht. Dieses Quarzglas weist herstellungsbedingt einen deutlich niedrigeren OH-Gehalt als das Quarzglas des Typs II auf und wird im Folgenden als Quarzglas des Typs VIII bezeichnet.In connection with the present invention, a further type of quartz glass is of interest, which is formed by melting quartz crystals in a plasma flame. For production reasons, this quartz glass has a significantly lower OH content than the quartz glass of type II and is referred to below as quartz glass of type VIII.
Quarzglas der Typs III und lila ist synthetisch hergestelltes Quarzglas, das zwar für UV-Anwendungen in der Regel gut geeignet, jedoch auch teuer und daher nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist. Für Standardanwendungen im Bereieh-der-L-ampenoptik-wird-üblicherweise-das-Quar-zglas-vom-Typ-V-verwendet7 das in großen Mengen von mehreren Tonnen aus natürlichem, pegmatitischem Quarz erschmolzen wird. Im Gegensatz hierzu werden Quarzgläser des Typs I und II in kleineren Mengen erzeugt und für die Halbleiterindustrie, für die chemische Industrie und auch für Lampen eingesetzt.Type III and purple quartz glass is synthetically produced quartz glass which, although generally well suited for UV applications, is also expensive and is therefore not the subject of the present invention. For standard applications in the field of L-ampere optics, the quartz glass of type V is usually used 7, which is melted in large quantities of several tons from natural, pegmatitic quartz. In contrast, type I and II quartz glasses are produced in smaller quantities and used for the semiconductor industry, for the chemical industry and also for lamps.
Gemäß der Erfindung wird ein Quarzglas-Bauteil vorgeschlagen, bei dem das Quarzglas aus synthetisch erzeugten Quarzkristallen hergestellt ist. Hierbei handelt es sich um eine Abwandlung der oben genannten Quarzglastypen I, II und VIII, insoweit als die eingesetzten Quarzkristalle als synthetisch erzeugte Quarzkristalle spezifiziert sind (im Folgenden auch als „Zuchtkristalle" bezeichnet). Bei Quarz-Zuchtkristallen handelt es sich Ausgangsmaterialien mit einer gegenüber natürlichem Quarz höheren Reinheit. Derartige synthetische Quarzkristalle werden üblicherweise in einem sogenannten „Hydrothermalverfahren" hergestellt, das weiter unten noch näher erläutert wird. Das aus Quarz-Zuchtkristallen erschmolzene Quarzglas ist im Vergleich zu synthetischem Quarzglas deutlich kostengünstiger.According to the invention, a quartz glass component is proposed in which the quartz glass is produced from synthetically produced quartz crystals. This is a modification of the above-mentioned quartz glass types I, II and VIII, insofar as the quartz crystals used are specified as synthetically produced quartz crystals (hereinafter also referred to as “growth crystals”). Quartz growth crystals are starting materials with a Natural quartz of higher purity. Such synthetic quartz crystals are usually produced in a so-called "hydrothermal process", which will be explained in more detail below. The quartz glass melted from quartz growing crystals is significantly cheaper than synthetic quartz glass.
Wesentlich ist weiterhin, dass das Quarzglas des erfindungsgemäßen Quarzglas- Bauteils einen möglichst geringen Gehalt an SiH-Gruppen aufweist. SiH-Gruppen in Quarzglas absorbieren zwar im relevanten UV-Wellenlängenbereich selbst nicht; die Bindungen sind jedoch relativ schwach und können bei Bestrahlung mit kurzwelligem UV- Licht leicht (in einem sogenannten "Ein-Photonen-Prozess") unter Bildung absorbierender E'-Zentren aufbrechen. E'-Zentren bewirken eine erhöhte Absorption bei einer Wellenlänge von 215 nm und machen sich auch im angrenzenden UV-Wellenlängenbereich ungünstig bemerkbar. Sie wirken sich deshalb auf die Strahlenbeständigkeit der Quarzglas-Bauteils ungünstig aus. SiH- Gruppen können in Quarzglas vermehrt auftreten, wenn dieses einen hohen Wasserstoffgehalt aufweist. Der hier eingesetzte Rohstoff - nämlich synthetische Quarzkristalle - kann herstellungsbedingt geringe Mengen an Wasserstoff enthalten, wobei zusätzlicher Wasserstoff über das Herstellungsverfahren in das Quarzglas eingebr cht werden kann, wie dies weiter unten anhand des erfindungsgemäßen Verfahrens noch näher erörtert wird.It is also essential that the quartz glass of the quartz glass component according to the invention has the lowest possible content of SiH groups. SiH groups in quartz glass do not themselves absorb in the relevant UV wavelength range; the bonds, however, are relatively weak and can be affected by radiation break up short-wave UV light easily (in a so-called "one-photon process") to form absorbing E 'centers. E 'centers result in increased absorption at a wavelength of 215 nm and are also noticeably noticeable in the adjacent UV wavelength range. They therefore have an unfavorable effect on the radiation resistance of the quartz glass component. SiH groups can increasingly occur in quartz glass if it has a high hydrogen content. The raw material used here - namely synthetic quartz crystals - may contain small amounts of hydrogen due to the production process, additional hydrogen being able to be introduced into the quartz glass via the production process, as will be discussed in more detail below with reference to the process according to the invention.
Im Hinblick hierauf ist der Gehalt an SiH-Gruppen im Quarzglas ist so gering wie möglich. Im Idealfall liegt der Gehalt an SiH-Gruppen bei weniger als b x lü" Molekülen/cm3, was in etwa der derzeitigen Nachweisgrenze mit der weiter unten genannten Messmethode entspricht.In view of this, the content of SiH groups in the quartz glass is as low as possible. In the ideal case, the content of SiH groups is less than bx 1 mol molecules / cm 3 , which corresponds approximately to the current detection limit with the measurement method mentioned below.
Es hat sich als vorteilhaft erweisen, wenn das Quarzglas einen Gehalt an Hydroxylgruppen von mindestens 25 Gew.-ppm, vorzugsweise mindestens 100 Gew.-ppm, aufweist.It has proven to be advantageous if the quartz glass has a hydroxyl group content of at least 25 ppm by weight, preferably at least 100 ppm by weight.
Ein gewisser Gehalt an Hydroxylgruppen wirkt sich bekanntermaßen auf die Strahlenbeständigkeit von Quarzglas vorteilhaft aus.It is known that a certain content of hydroxyl groups has an advantageous effect on the radiation resistance of quartz glass.
Als besonders günstig hat es sich erwiesen, wenn das Quarzglas durch Erschmelzen synthetischer Quarzkristalle mittels einer Brennerflamme erzeugt ist.It has proven to be particularly favorable if the quartz glass is produced by melting synthetic quartz crystals using a burner flame.
Hierbei handelt es sich um eine Abwandlung des oben erläuterten Quarzglastyps II nach Brückner. Durch den Einsatz einer Brennerflamme - und damit einhergehend einem wasserstoffhaltigen Brennstoff, der mit Sauerstoff zu Wasser reagiert, werden in das so geschmolzene Quarzglas in verstärktem Maße OH- Gruppen eingebaut, die anhand einer Temperbehandlung für eine Reduzierung der ebenfalls vorhandenen SiH-Gruppen verwendet werden können, wie dies weiter unten anhand des erfindungsgemäßen Verfahrens noch näher erläutert wird. Das erfindungsgemäße Quarzglas-Bauteil liegt beispielsweise als Scheibe, Rohr oder als Kolben vor. Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Quarzglas- Bauteils, bei dem dieses als Hüllkörper mit einer Wandstärke im Bereich zwischen 0,4 mm und 8 mm ausgebildet ist, hat sich besonders bewährt.This is a modification of the Brückner type II quartz glass described above. Through the use of a burner flame - and with it a hydrogen-containing fuel that reacts with oxygen to water - OH groups are increasingly incorporated into the quartz glass that has been melted in this way , as will be explained in more detail below using the method according to the invention. The quartz glass component according to the invention is present, for example, as a disk, tube or as a piston. An embodiment of the quartz glass component according to the invention, in which it is designed as an enveloping body with a wall thickness in the range between 0.4 mm and 8 mm, has proven particularly useful.
Die vergleichsweise dünne Wandstärke bewirkt eine kurze Diffusionsstrecke, welche sich für die Beseitigung von SiH-Gruppen aus dem Quarzglas mittels einer Temperbehandlung, die weiter unten anhand des erfindungsgemäßen Verfahrens noch näher erläutert wird, erleichtert.The comparatively thin wall thickness results in a short diffusion distance, which is easier for the removal of SiH groups from the quartz glass by means of an annealing treatment, which will be explained in more detail below using the method according to the invention.
Hinsichtlich des Verfahrens wird die oben genannten Aufgabe ausgehend von einem Verfahren mit den eingangs genannten Merkmalen erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass synthetisch erzeugte Quarzkristalle zu einem Vorprodukt ersGhmolzen-werden-das-aus-Quar-zglas-besteht- das-HydrOxylgr-uppen-in-einer- Anzahl enthält, die größer ist als die Anzahl an SiH-Gruppen, und dass zur Beseitigung von SiH-Gruppen das Vorprodukt einer Temperbehandlung bei einer Temperatur von mindestens 850 °C unterzogen und dabei das Quarzglas-Bauteil erhalten wird.With regard to the method, the above-mentioned object is achieved according to the invention on the basis of a method having the features mentioned at the outset in that synthetically produced quartz crystals are melted into a preliminary product which consists of quartz glass which contains hydroxyl groups. contains a number that is greater than the number of SiH groups, and that to remove SiH groups, the preliminary product is subjected to an annealing treatment at a temperature of at least 850 ° C. and the quartz glass component is obtained in the process.
Erfindungsgemäß wird zunächst unter Einsatz eines Rohstoffes in Form synthetisch erzeugter Quarzkristalle ein Vorprodukt für das eigentlich herzustellende Quarzglas-Bauteil hergestellt.According to the invention, a preliminary product for the quartz glass component actually to be produced is first produced using a raw material in the form of synthetically produced quartz crystals.
Bei synthetischen Quarzkristallen handelt es sich Ausgangsmaterialien mit einer gegenüber natürlichem Quarz höheren Reinheit, die zum Beispiel mittels des „Hydrothermalverfahrens" herstellbar sind. Das aus synthetischen Quarzkristallen erschmolzene Quarzglas ist im Vergleich zu Quarzglas, das durch Flammenhydrolyse oder durch Plasmaverfahren erzeugt wird, kostengünstig.Synthetic quartz crystals are starting materials with a higher purity than natural quartz, which can be produced, for example, using the "hydrothermal process". The quartz glass melted from synthetic quartz crystals is inexpensive compared to quartz glass which is produced by flame hydrolysis or by plasma processes.
Das Vorprodukt weist in der Regel bereits die Form und die Abmessungen des eigentlichen Quarzglas-Bauteils auf. Wesentlich ist, dass das Vorprodukt aus Quarzglas besteht, das SiH-Gruppen in einer Anzahl enthält, die geringer ist als die Anzahl an Hydroxylgruppen, wie im Folgenden näher erläutert wird.The preliminary product usually already has the shape and dimensions of the actual quartz glass component. It is essential that the preliminary product consists of quartz glass which contains SiH groups in a number which is less than the number of hydroxyl groups, as will be explained in more detail below.
Das Vorprodukt wird einer Temperbehandlung zur Beseitigung von SiH-Gruppen unterzogen. SiH-Gruppen sind mit dem Glasnetzwerk fest verbunden und diffundieren nicht oder kaum. Sie können daher nur reaktiv aus dem Quarzglas des Vorproduktes entfernt werden. Geeignete Reaktionspartner sind Hydroxylgruppen (OH-Gruppen), die mit den SiH-Gruppen bei hohen Temperaturen unter Bildung von Wasserstoff reagieren, der aus dem Quarzglas des Vorproduktes ausdiffundieren kann. Bei dieser Reaktion bildet sich gemäß der ReaktionsgleichungThe preliminary product is subjected to an annealing treatment to remove SiH groups. SiH groups are firmly connected to the glass network and do not diffuse or hardly diffuse. They can therefore only be removed reactively from the quartz glass of the preliminary product. Suitable reactants are hydroxyl groups (OH groups), which react with the SiH groups at high temperatures to form hydrogen, which can diffuse out of the quartz glass of the preliminary product. This reaction forms according to the reaction equation
Si-H + Si-OH <--> Si-0-Si + H2 (1) aus je einer SiH-Gruppe und einer SiOH-Gruppe ein Wasserstoffmolekül. Eine wesentliche Voraussetzung für die Wirksamkeit der Temperbehandlung ist somit, dass die Anzahl der Hydroxylgruppen in dem Quarzglas des Vorprodukts mindestens so groß ist wie die Anzahl der SiH-Gruppen. Auf die Einhaltung dieser Bedin§ürι§^aRn-insbesΘndere-beim-Ersehmelzen-der^ynthetis^henrQuar^ristalle- Einfluss genommen werden. Der Gehalt an Hydroxylgruppen in Quarzglas wird häufig in der Einheit „Gew.-ppm" angegeben. Der Umrechnung von dieser Konzentrationseinheit in die Anzahl an Hydroxylgruppen pro cm3 im Quarzglas erfolgt mittels des Faktors: 7,8 x 1016 cm3/Gew.-ppm.Si-H + Si-OH <--> Si-0-Si + H 2 (1) each from a SiH group and an SiOH group a hydrogen molecule. An essential prerequisite for the effectiveness of the annealing treatment is therefore that the number of hydroxyl groups in the quartz glass of the preliminary product is at least as large as the number of SiH groups. The compliance with these conditions for ^ aRn-especially-when-melting-the ^ ynthetis ^ henrQuar ^ ristalle- be influenced. The content of hydroxyl groups in quartz glass is often given in the unit “ppm by weight”. The conversion from this concentration unit to the number of hydroxyl groups per cm 3 in quartz glass is carried out using the factor: 7.8 × 10 16 cm 3 / wt. ppm.
In der an den Schmelzprozess anschließenden Temperbehandlung werden die SiH-Gruppen aus dem Quarzglas des Vorproduktes so weit wie möglich entfernt, indem sie mit einem Teil der im Überschuss vorhandenen OH-Gruppen zu Reaktionsprodukten reagieren, die aus dem Quarzglas heraus diffundieren. Einerseits ist nicht zu erwarten, dass die im Quarzglas vorhandenen Hydroxylgruppen mit den SiH-Gruppen 1 :1 in kurzer Zeit reagieren, so dass für eine rasche und weitgehende Eliminierung der SiH-Gruppen ein deutlicher Überschuss an Hydroxylgruppen hilfreich ist, und andererseits ist es im Hinblick auf die Strahlenbeständigkeit des Quarzglases vorteilhaft, wenn auch nach der Reaktion der OH-Gruppen mit den SiH-Gruppen ein Rest an Hydroxylgruppen im Quarzglas enthalten ist.In the tempering treatment that follows the melting process, the SiH groups are removed as far as possible from the quartz glass of the preliminary product by reacting with a part of the OH groups present in excess to form reaction products that diffuse out of the quartz glass. On the one hand, it is not to be expected that the hydroxyl groups present in the quartz glass will react with the SiH groups 1: 1 in a short time, so that a clear excess of hydroxyl groups is helpful for a rapid and extensive elimination of the SiH groups, and on the other hand it is im With regard to the radiation resistance of the quartz glass, it is advantageous if a residue of hydroxyl groups is contained in the quartz glass even after the reaction of the OH groups with the SiH groups.
Daher wird bevorzugt ein Vorprodukt erschmolzen, das aus Quarzglas besteht, das Hydroxylgruppen in einer Anzahl enthält, die mindestens doppelt so groß ist wie die Anzahl an SiH-Gruppen. Als besonders günstig hat es sich erweisen, wenn die Temperbehandlung bei einer Temperatur im Bereich zwischen 900 °C und 1200 °C erfolgt.It is therefore preferred to melt a precursor which consists of quartz glass and which contains hydroxyl groups in a number which is at least twice as large as the number of SiH groups. It has proven to be particularly favorable if the tempering treatment is carried out at a temperature in the range between 900 ° C. and 1200 ° C.
Bei Temperaturen unterhalb von 900 °C findet nur eine geringe Umsetzung von SiH-Gruppen und Hydroxylgruppen statt, und bei Temperaturen oberhalb von 1200 °C kann es zu Entglasungen kommen. Außerdem verschiebt sich das chemische Gleichgewicht der obigen Reaktion (1) bei hohen Temperaturen in Richtung der linken Seite, so dass die Bildung von H2 verlangsamt wird und dementsprechend das Entfernen der SiH-Gruppen länger dauert.At temperatures below 900 ° C there is only a slight conversion of SiH groups and hydroxyl groups, and at temperatures above 1200 ° C devitrification can occur. In addition, the chemical equilibrium of the above reaction (1) shifts toward the left at high temperatures, so that the formation of H 2 is slowed down and, accordingly, the removal of the SiH groups takes longer.
Besonders wirksam gestaltet sich die Beseitigung der SiH-Gruppen, wenn die Temperbehandlung eine Behandlung unter Vakuum umfasst.The removal of the SiH groups is particularly effective if the tempering treatment comprises treatment under vacuum.
Das Vakuum bewirkt eine rasche Abfuhr der Reaktionsprodukte von der Oberfläche des Vorprodukts, verhindert so eine erneute Reaktion und beschleunigt dadurch die Beseitigung der SiH-Gruppen aus dem Quarzglas. Das Vakuum wird mindestens zeitweise während der Temperbehandlung angelegt. Ergänzend oder alternativ dazu hat es sich auch als günstig erwiesen, wenn die Temperbehandlung eine Behandlung unter einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre umfasst.The vacuum causes the reaction products to be rapidly removed from the surface of the preliminary product, thus preventing a renewed reaction and thereby accelerating the removal of the SiH groups from the quartz glass. The vacuum is applied at least temporarily during the tempering treatment. In addition or as an alternative to this, it has also proven to be advantageous if the annealing treatment comprises a treatment under an oxygen-containing atmosphere.
Durch den in der Temper-Atmosphäre vorhandenen Sauerstoff können im Quarzglas vorhandene Sauerstoffdefizit-Defekte abgesättigt werden.Oxygen deficiency defects present in the quartz glass can be saturated by the oxygen present in the tempering atmosphere.
Vorzugsweise wird der Hydroxylgruppengehalt des Quarzglases auf mindestens 25 Gew.-ppm, vorzugsweise mindestens 100 Gew.-ppm, eingestellt.The hydroxyl group content of the quartz glass is preferably set to at least 25 ppm by weight, preferably at least 100 ppm by weight.
Wie bereits oben anhand der Beschreibung des erfindungsgemäßen Quarzglas- Bauteils bereits erwähnt, wirkt sich ein gewisser Gehalt an Hydroxylgruppen auf die Strahlenbeständigkeit von Quarzglas günstig aus. Der angegeben Mindest- Hydroxylgruppengehalt sollte daher auch noch nach der Temperbehandlung und der Reaktion mit den SiH-Gruppen im fertigen Quarzglas-Bauteil vorliegen.As already mentioned above on the basis of the description of the quartz glass component according to the invention, a certain content of hydroxyl groups has a favorable effect on the radiation resistance of quartz glass. The specified minimum hydroxyl group content should therefore still be present in the finished quartz glass component after the heat treatment and the reaction with the SiH groups.
Vorzugsweise wird das Quarzglas-Bauteil als Hüllkörper für die UV-Strahlenquelle mit einer Wandstärke im Bereich zwischen 0,4 mm und 8 mm ausgebildet, wobei die Temperbehandlung in Abhängigkeit von der Wandstärke zwischen 4 Stunden und 80 Stunden andauert.The quartz glass component is preferably designed as an enveloping body for the UV radiation source with a wall thickness in the range between 0.4 mm and 8 mm, wherein the annealing treatment, depending on the wall thickness, lasts between 4 hours and 80 hours.
Je größer die Wandstärke des Vorproduktes während der Temperbehandlung ist, umso länger dauert der Diffusionsprozess für die vollständige oder weitgehende Beseitigung der SiH-Gruppen. Aus wirtschaftlichen Gründen ist eine dünne Wandstärke des Vorprodukts daher zu bevorzugen. Bei dem Hüllkörper handelt es sich beispielsweise um einen Rohr, einen Kolben oder um ein die UV- Strahlenquelle abschirmendes Bauteil, wie etwa eine Scheibe.The greater the wall thickness of the preliminary product during the annealing treatment, the longer the diffusion process for the complete or extensive removal of the SiH groups. For economic reasons, a thin wall thickness of the preliminary product is therefore preferable. The enveloping body is, for example, a tube, a piston or a component that shields the UV radiation source, such as a disk.
Hinsichtlich des Diagnoseverfahrens wird die oben genannte Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das Quarzglas-Bauteil einer Anregungsstrahlung ausgesetzt und die infolge der Anregungsstrahlung erzeugte Fluoreszenzstr-ahlung-des Quarzglases im Wellenlängenbereieh-von-350-bis 430- nm erfasst wird.With regard to the diagnostic method, the above-mentioned object is achieved according to the invention in that the quartz glass component is exposed to excitation radiation and the fluorescence radiation of the quartz glass generated as a result of the excitation radiation is detected in the wavelength range from 350 to 430 nm.
Es hat sich überraschend gezeigt, dass Quarzglas gegen UV-Strahlung wenig resistent ist, das infolge einer UV-Anregungsstrahlung eine wahrnehmbare Fluoreszenz im sichtbaren, blauen Wellenlängenbereich von 350 bis 430 nm (zum > Beispiel bei einer Wellenlänge von 390 nm) aufweist. Aus dieser Erkenntnis, die an verschiedenen Quarzglasqualitäten überprüft und bestätigt wurde, ergibt sich erfindungsgemäß eine Diagnosemethode, mittels der die Eignung des betreffenden Quarzglases für eine Anwendung mit energiereicher UV-Strahlung einfach und zuverlässig ermittelt werden kann.It has surprisingly been found that quartz glass is not very resistant to UV radiation and, as a result of UV excitation radiation, has a perceptible fluorescence in the visible, blue wavelength range from 350 to 430 nm (for example at a wavelength of 390 nm). This finding, which has been checked and confirmed on various quartz glass qualities, results in a diagnostic method according to the invention, by means of which the suitability of the quartz glass in question for use with high-energy UV radiation can be determined simply and reliably.
Es hat sich als günstig erwiesen, wenn die Anregungsstrahlung eine Wellenlänge um 248 nm hat, und wenn die Fluoreszenzstrahlung des Quarzglas-Bauteils in einer Richtung ermittelt wird, die im Wesentlichen senkrecht zur Hauptausbreitungsrichtung der Anregungsstrahlung steht.It has proven to be advantageous if the excitation radiation has a wavelength of around 248 nm and if the fluorescence radiation of the quartz glass component is determined in a direction which is essentially perpendicular to the main direction of propagation of the excitation radiation.
Dadurch wird die Messung der Fluoreszenzstrahlung von der Anregungsstrahlung nicht merklich beeinflusst.As a result, the measurement of the fluorescence radiation is not noticeably influenced by the excitation radiation.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und einer Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen Figur 1 UV-Transmissionsspektren verschiedener Quarzglasqualitäten und unterschiedlich behandelter Proben im Vergleich, undThe invention is explained in more detail below on the basis of exemplary embodiments and a drawing. Show in the drawing FIG. 1 UV transmission spectra of different quartz glass qualities and differently treated samples in comparison, and
Figur 2 Fluoreszenzspektren verschiedener Quarzglasqualitäten und unterschiedlich behandelter Proben im Vergleich.Figure 2 fluorescence spectra of different quartz glass qualities and differently treated samples in comparison.
Herstellung von Quarzglas-ZuchtkristallenProduction of quartz glass growth crystals
Die Zuchtkristalle für die Herstellung der Quarzglasqualitäten gemäß den Typen II und VIII (siehe Figur 1) wurden nach dem sogenannten „Hydrothermalverfahren" hergestellt. In einem senkrecht orientierten Autoklaven wird ein Druck von 120 bar und ein Temperaturgradient zwischen 350 °C (oberer Bereich) und 400 °C (unterer Bereich) erzeugt. Im unteren Bereich sind gebrochene Quarzstücke in einer leicht alkalischen Lösung aufgelöst. Im oberen Bereich des Autoklaven sind orientiert geschnittene Quarzplatten - als Keime - angeordnet. Infolge des Temperaturgefälles von unten nach oben kondensiert der im unteren Bereich gelöste Quarz an den Quarzplatten unter Bildung eines synthetischen Quarz- Zuchtkristalls aus. Derartige Zuchtkristalle zeichnen sich durch eine gegenüber natürlichen Quarzkristallen höhere Reinheit aus.The growth crystals for the production of the quartz glass qualities according to types II and VIII (see FIG. 1) were produced by the so-called "hydrothermal process". In a vertically oriented autoclave, a pressure of 120 bar and a temperature gradient between 350 ° C (upper range) and 400 ° C (lower area). In the lower area broken pieces of quartz are dissolved in a slightly alkaline solution. Oriented cut quartz plates - as seeds - are arranged in the upper area of the autoclave. As a result of the temperature gradient from bottom to top, the dissolved in the lower area condenses Quartz on the quartz plates to form a synthetic quartz crystal, which is characterized by a higher purity than natural quartz crystals.
An Zuchtkristallen werden folgende typischen Verunreinigungsgehalte gemessen (Angaben in Klammern in Gew.-ppb): Li (550), Na (30), K (<20) Mg (<20), Ca (<30), Fe (100), Cu (<50), Ti (<10) und AI (8230).The following typical contamination levels are measured on growth crystals (details in brackets in ppb by weight): Li (550), Na (30), K (<20) Mg (<20), Ca (<30), Fe (100), Cu (<50), Ti (<10) and AI (8230).
Probenherstellung und -CharakterisierungSample preparation and characterization
Es wurden Quarzglasproben aus verschiedenen Quarzglasqualitäten hergestellt. Quarzglas des Typs II und des Typs VIII (siehe Figur 1) wurden jeweils unter Einsatz von Zuchtkristallen erzeugt, wobei die Zuchtkristalle beim Quarzglas des Typs II unter Einsatz einer Brenngasflamme (Knallgasflamme) und das Quarzglas des Typs VIII unter Einsatz einer wasserstofffreien Plasmaflamme erschmolzen wurden. Das Quarzglas des Typs lila ist synthetisch erzeugtes Quarzglas, das mittels Flammenhydrolyse von SiCI4 nach dem sogenannten Sootverfahren erhalten wurde. Bei dem Quarzglas des Typs Vc handelt es sich um Quarzglas, das aus synthetisch erzeugter Quarzglaskörnung erschmolzen wurde, und das einen Hydroxylgruppengehalt von weniger als 25 Gew.-ppm aufwies. Vor und nach einer thermischen Vorbehandlung, die weiter unten beschrieben wird, wurden die Quarzglas-Proben durch Messen ihrer UV-Transmission im Wellenlängenbereich von 150 bis 240 nm und ihrem SiH- und Hydroxylgruppengehalt charakterisiert.Quartz glass samples were made from different quartz glass qualities. Type II and type VIII quartz glass (see FIG. 1) were each produced using growth crystals, the type II quartz crystals being melted using a fuel gas flame (oxyhydrogen flame) and the type VIII quartz glass using a hydrogen-free plasma flame. The quartz glass of the purple type is synthetically produced quartz glass, which was obtained by flame hydrolysis of SiCI 4 according to the so-called soot process. The type Vc quartz glass is quartz glass, which was melted from synthetically produced quartz glass granules and which had a hydroxyl group content of less than 25 ppm by weight. Before and after a thermal pretreatment, which is described below, the quartz glass samples were characterized by measuring their UV transmission in the wavelength range from 150 to 240 nm and their SiH and hydroxyl group content.
Der Hydroxylgruppengehalt (OH-Gehalt) ergibt sich durch Messung der IR- Absorption nach der Methode von D. M. Dodd et al. („Optical Determinations of OH in Fused Silica", (1966), S. 3911). Der Gehalt an SiH-Gruppen wird mittels Raman-Spektroskopie ermittelt, wobei eine Kalibrierung anhand einer chemischen Reaktion erfolgt: Si-O-Si + H2 -> Si-H -+ Si-OHrwie in-Shelby „Reaction of-hydrogen with-hydroxyMree vitreous- silica" (J. Appl. Phys., Vol. 51 , No. 5 (Mai 1980), S. 2589-2593) beschrieben.The hydroxyl group content (OH content) is obtained by measuring the IR absorption using the method of DM Dodd et al. ("Optical Determinations of OH in Fused Silica", (1966), p. 3911). The content of SiH groups is determined by means of Raman spectroscopy, with calibration being carried out using a chemical reaction: Si-O-Si + H2 - > Si-H - + Si-OH r as in-Shelby "Reaction of-hydrogen with-hydroxyMree vitreous silica" (J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 5 (May 1980), p. 2589- 2593).
Thermische VorbehandlungThermal pretreatment
Jeweils eine Probe jedes Probenpaares wurde vor der weiter unten näher erläuterten UV-Bestrahlung thermisch vorbehandelt. Hierzu wurde die Probe bei einer Temperatur von 1050 °C und während einer Dauer von 40Stunden unter Vakuum (10"2 mbar) geglüht.In each case one sample of each pair of samples was thermally pretreated before the UV radiation explained in more detail below. For this purpose, the sample was annealed at a temperature of 1050 ° C and for 40 hours under vacuum (10 "2 mbar).
Die Gehalte an Hydroxylgruppen und SiH-Gruppen vor und nach der Temperbehandlung (und vor der UV-Bestrahlung) sind in Tabelle 1 im Einzelnen angegeben: The contents of hydroxyl groups and SiH groups before and after the annealing treatment (and before the UV irradiation) are shown in detail in Table 1:
Tabelle 1Table 1
NT = Temperbehandlung Umrechnungsfaktor für die Angaben der OH-Gehalte zwischen Spalte 3 und 4: 7,8 x 1016 [Anzahl/cm3]NT = annealing treatment Conversion factor for the specification of the OH contents between columns 3 and 4: 7.8 x 10 16 [number / cm 3 ]
UV-BestrahlungsversucheUV irradiation experiments
Für die UV-Bestrahlungsversuche wurden jeweils zwei scheibenförmige Proben von jedem Material mit einer Wandstärke zwischen 1 und 2 mm geschnitten und optisch poliert und anschließend mit einer Xenon-Excimer-Lampe (Excimer-Lampe 172/330 Z der Firma Heraeus Noblelight, Hanau) bestrahlt. Dieser Excimerstrahler gibt inkohärente Strahlung mit einem Maximum der Emissionswellenlänge um 172 nm ab (die halbe Bandweite der Emmisionsbande beträgt etwa 15 nm). Zur Bestrahlung wurden die Proben direkt auf das Lampen-Hüllrohr aufgelegt. Die Bestrahlungsintensität im Bereich der Proben wurde mit ca. 160 mW/cm2 abgeschätzt.For the UV radiation tests, two disk-shaped samples of each material with a wall thickness between 1 and 2 mm were cut and optically polished and then irradiated with a xenon excimer lamp (excimer lamp 172/330 Z from Heraeus Noblelight, Hanau) , This excimer emitter emits incoherent radiation with a maximum of the emission wavelength around 172 nm (half the bandwidth of the emission band is about 15 nm). The samples were placed directly on the lamp tube for irradiation. The radiation intensity in the area of the samples was estimated at approx. 160 mW / cm 2 .
Die Bestrahlungsdauer betrug 950 Stunden für die Quarzglastypen II, lila und VIII und 1590 Stunden für den Quarzglastyp Vc. Messung der Fluoreszenz Zusätzlich wurden an allen Proben die Fluoreszenzspektren bei Bestrahlung mit einem Excimer-Laser einer Wellenlänge von 248 nm und einer Pulsweite von 20 ns sowie einer Energiedichte von 200 mJ/cm2 ermittelt. Die Fluoreszenzstrahlung wurde in einer Richtung senkrecht zur Hauptausbreitungsrichtung der Anregungsstrahlung ermittelt, wobei sich die in Figur 2 dargestellten Spektren durch Integration über einen Zeitraum von 50 μs, beginnend 10 μs nach dem Einschalten der Anregungsstrahlung, ergaben.The irradiation time was 950 hours for the quartz glass types II, purple and VIII and 1590 hours for the quartz glass type Vc. Measurement of fluorescence In addition, the fluorescence spectra were determined on all samples when irradiated with an excimer laser with a wavelength of 248 nm and a pulse width of 20 ns and an energy density of 200 mJ / cm 2 . The fluorescence radiation was determined in a direction perpendicular to the main direction of propagation of the excitation radiation, the spectra shown in FIG. 2 being obtained by integration over a period of 50 μs, starting 10 μs after the excitation radiation was switched on.
ErgebnisseResults
Figur 1 zeigt die Transmissionsspektren der verschiedenen - getemperten und nicht getemperten - Quarzglasproben vor und nach der UV-Bestrahlung im Wellenlängenbereich zwischen 150 nm und 240 nm. Der „Brückner-Typ" der Quarzglasproben II, lila, Vc, und VIII, deren Herstellung oben näher erläutert ist, ist in dem Diagramm mit römischen Ziffern angegeben.Figure 1 shows the transmission spectra of the various - tempered and non-tempered - quartz glass samples before and after UV irradiation in the wavelength range between 150 nm and 240 nm. The "Brückner type" of the quartz glass samples II, purple, Vc, and VIII, their preparation above is explained in more detail, is indicated in the diagram with Roman numerals.
In Figur 1 zeigen die Diagramme in der rechten Spalte jeweils die Transmissionsspektren der bestrahlten Proben und die Diagramme auf der linken Seite die der nicht bestrahlten Proben. In den Diagrammen sind jeweils zwei Messkurven eingetragen, wovon die eine, bei welcher die Messpunkte als Kreise dargestellt sind, den Verlauf der Transmission bei thermisch vorbehandelten Proben zeigt, und die andere, die als durchgezogene Linie dargestellt ist, thermisch nicht vorbehandelte Proben symbolisiert.In FIG. 1, the diagrams in the right column each show the transmission spectra of the irradiated samples and the diagrams on the left that of the non-irradiated samples. Two measurement curves are entered in the diagrams, one of which, in which the measurement points are shown as circles, shows the course of the transmission in thermally pretreated samples, and the other, which is shown as a solid line, symbolizes samples that have not been pretreated thermally.
Aus den Spektren ist grundsätzlich zu entnehmen, dass alle nicht bestrahlten Proben eine mittlere bis gute UV-Transmission aufweisen, wobei jedoch Absorptionsbanden im Bereich von 150 und 160 nm auftreten. Mit Ausnahme des synthetisch hergestellten Quarzglases (lila) zeigen alle Proben eine Absorptionsbande bei ungefähr 163 nm, die für Sauerstoffdefektzentren typisch ist. Diese Absorptionsbande ist im nicht thermisch behandelten Quarzglas des Typs II relativ schwach ausgebildet. Durch die thermische Behandlung der Proben ändert sich die Transmission, insbesondere wird in allen Fällen die 163 nm-Bande verringert. Dieser Effekt ist besonders ausgeprägt bei den Quarzgläsern der Typen II und VIII, die aus Zuchtkristallen erzeugt wurden. Die Transmission des thermisch vorbehandelten Quarzglases des Typs II ist nahe dem theoretisch zu erwartenden Maximum, insbesondere auch bis zu niedrigen Wellenlängen um 150 nm.It can be seen from the spectra that all non-irradiated samples have a medium to good UV transmission, but absorption bands in the range of 150 and 160 nm occur. With the exception of the synthetically produced quartz glass (purple), all samples show an absorption band at approximately 163 nm, which is typical for oxygen defect centers. This absorption band is relatively weak in type II quartz glass which is not thermally treated. The thermal treatment of the samples changes the transmission, in particular the 163 nm band is reduced in all cases. This effect is particularly pronounced with the quartz glasses of types II and VIII, which were produced from growing crystals. The transmission of the thermally pretreated quartz glass of type II is close to the maximum that can theoretically be expected, in particular also down to low wavelengths around 150 nm.
Die Diagramme auf der rechten Seite von Figur 1 zeigen die Transmissionsspektren nach Bestrahlung mit 172 nm-UV-Strahlung. Die Bestrahlung mit der UV-Excimer-Lampe führt bei allen Proben zu einer Verringerung der Transmission (rechte Spalte), besonders ausgeprägt bei den Quarzglastypen II und VIII, und kaum erkennbar bei dem Quarzglastyp lila.The diagrams on the right side of FIG. 1 show the transmission spectra after irradiation with 172 nm UV radiation. Irradiation with the UV excimer lamp leads to a reduction in transmission in all samples (right column), particularly pronounced in quartz glass types II and VIII, and hardly recognizable in the quartz glass type purple.
Das Quarzglas vom Typ lila ist im Wesentlichen beständig gegenüber derartiger Strahlung und zeigt sowohl in der getemperten als auch der nicht getemperten Qualität keine Unterschiede in der Transmission.The quartz glass of the purple type is essentially resistant to such radiation and shows no differences in transmission in both the annealed and the non-annealed quality.
Bei den nicht getemperten Quarzglastypen II, Vc und VIII (durchgezogene Linien) wird die Absorption bei 163 nm durch Bestrahlung verstärkt und es bildet sich eine auf E'-Zentren zurückzuführende Absorptionsbande bei 215 nm aus. Je länger die Bestrahlungsdauer ist, umso stärker sind die Absorptionsbanden bei 163 nm bzw. 215 nm. Darüber hinaus zeigen sich nach einer Bestrahlungsdauer von ca. 1.000 Stunden beim Quarzglastyp Vc und nach etwa 1.500 Stunden bei dem Typ VIII feine Risse in den Proben.In the case of the non-tempered quartz glass types II, Vc and VIII (solid lines), the absorption at 163 nm is increased by irradiation and an absorption band at 215 nm, which can be traced back to E 'centers, is formed. The longer the irradiation time, the stronger the absorption bands at 163 nm and 215 nm. In addition, after an exposure time of approx. 1,000 hours with quartz glass type Vc and after approx. 1,500 hours with type VIII, fine cracks appear in the samples.
Die Temperbehandlung bewirkt zwar auch bei den Quarzglastypen Vc und VIII eine verbesserte Transmission und insbesondere eine verbesserte UV- Strahlenbeständigkeit. Die Strahlenbeständigkeit des Quarzglases VIII ist jedoch deutlich geringer als die des Quarzglases des Typs II. Dies kann darauf zurückgeführt werden, dass das Quarzglas vom Typ VIII durch wasserfreies Plasmaschmelzen von Zuchtkristallen erhalten wurde, und demgemäß bereits vor dem Tempervorgang einen geringen Hydroxylgruppengehalt aufweist. Wie Tabelle 1 zeigt, ist die Anzahl an Hydroxylgruppen vor der Temperbehandlung geringer als die Anzahl an SiH-Gruppen, so dass bei diesem Quarzglas der Effekt der Temperbehandlung im Hinblick auf die Beseitigung von SiH-Gruppen vermindert ist.The tempering treatment also brings about improved transmission and, in particular, improved resistance to UV radiation in the case of the quartz glass types Vc and VIII. However, the radiation resistance of the quartz glass VIII is significantly lower than that of the type II quartz glass. This can be attributed to the fact that the type VIII quartz glass was obtained from water-free plasma melting of growth crystals and accordingly already has a low hydroxyl group content before the tempering process. As Table 1 shows, the number of hydroxyl groups before the annealing treatment is less than the number of SiH groups, so that the effect of the Annealing treatment with a view to eliminating SiH groups is reduced.
Bei dem Quarzglas vom Typ Vc liegt die Anzahl der Hydroxylgruppengehalt des Vorproduktes vor der Temperbehandlung zwar etwas höher als die Anzahl der SiH-Gruppen; jedoch genügt dies nicht für eine vollständige Eliminierung, wie der noch messbare Gehalt von 1 ,0 x 1017 nach der Temperbehandlung zeigt. Die Strahlenbeständigkeit dieses Quarzglases ist daher zwar etwas besser als diejenige des Quarzglases vom Typ VIII, jedoch deutlich schlechter als diejenige des Typs II nach der Temperbehandlung.In the case of type Vc quartz glass, the number of hydroxyl group contents of the preliminary product before the tempering treatment is somewhat higher than the number of SiH groups; however, this is not sufficient for complete elimination, as the still measurable content of 1.0 × 10 17 after the tempering treatment shows. The radiation resistance of this quartz glass is therefore somewhat better than that of type VIII quartz glass, but significantly worse than that of type II after the tempering treatment.
Die Verbesserung der Transmission und der Strahlenbeständigkeit ist besonders ausgeprägt bei dem Quarzglastyp II. Obwohl die nicht getemperte Quarzglasprobe vom Typ II durch UV-Bestrahlung ähnlich degeneriert wird wie die Quarzglasqualitäten Vc und VIII, ist die getemperte Quarzglasprobe II beständig gegenüber UV-Strahlung und zeigt keine Absorptionsbande bei 163 nm und 215 nm. Dieses Quarzglas zeigt auch nach einer Bestrahlungsdauer von 2.000 Stunden keinerlei Rissbildung.The improvement in transmission and radiation resistance is particularly pronounced in quartz glass type II. Although the non-tempered quartz glass sample type II is degenerated by UV radiation in a similar way to quartz glass qualities Vc and VIII, the tempered quartz glass sample II is resistant to UV radiation and shows none Absorption band at 163 nm and 215 nm. This quartz glass shows no crack formation even after an exposure time of 2,000 hours.
Dies ist dadurch zu erklären, dass das Quarzglas des Typs II eine geringe Anzahl intrinsischer und extrinsischer Defekte aufweist. Zum einen ist aus einem vergleichsweise reinen Ausgangsmaterial hergestellt, nämlich aus Quarz- Zuchtkristallen, so dass es wenig Verunreinigungen enthält. Zum anderen führt die Herstellung des Quarzglases mittels Flammschmelzen zu einem vergleichsweise hohen Hydroxylgruppengehalt (im Vergleich zum Plasmaschmelzen), was wiederum in der nachfolgenden Temperbehandlung eine Reduzierung der herstellungsbedingt eingebrachten SiH-Gruppen auf einen Wert unterhalb der Nachweisgrenze ermöglicht.This can be explained by the fact that the type II quartz glass has a small number of intrinsic and extrinsic defects. On the one hand, it is made from a comparatively pure starting material, namely from quartz crystals, so that it contains little impurities. On the other hand, the production of the quartz glass by means of flame melting leads to a comparatively high hydroxyl group content (in comparison to plasma melting), which in turn enables the SiH groups introduced during production to be reduced to a value below the detection limit in the subsequent tempering treatment.
Überprüfung der StrahlenbeständigkeitRadiation resistance check
Figur 2 zeigt Fluoreszenzspektren für die Quarzglastypen II, lila, Vc und VIII im Wellenlängenbereich zwischen 300 und 700 nm vor und nach der Bestrahlung mit 172-nm-UV-Excimer-Strahlung. Hierzu ist die Fluoreszenz „PL" in relativen Einheiten über der Wellenlänge im Bereich zwischen 300 und 700 nm aufgetragen.FIG. 2 shows fluorescence spectra for quartz glass types II, purple, Vc and VIII in the wavelength range between 300 and 700 nm before and after irradiation with 172 nm UV excimer radiation. For this, the fluorescence "PL" is relative Units plotted over the wavelength in the range between 300 and 700 nm.
Daraus ist ersichtlich, dass mit Ausnahme des Quarzglases des Typs lila alle Proben vor der thermischen Behandlung eine blaue Fluoreszenzbande bei einer Wellenlänge von etwa 390 nm zeigen (durchgezogene Linie). Die thermische Behandlung der Quarzglastypen Vc und VIII verändert diese blaue Fluoreszenz nur wenig (Linie mit Messpunkten in Form von Kreisen).It can be seen from this that with the exception of the quartz glass of the purple type, all samples show a blue fluorescence band at a wavelength of approximately 390 nm before the thermal treatment (solid line). The thermal treatment of the quartz glass types Vc and VIII changes this blue fluorescence only slightly (line with measuring points in the form of circles).
Im Gegensatz dazu wird jedoch die Fluoreszenzbande bei dem flammengeschmolzenen Quarzglas des Typs II durch die thermische Behandlung ausgelöscht. Stattdessen erscheint eine Fluoreszenzbande im grünen Wellenlängenbereich (ungefähr bei eine Wellenlänge von 510 nm). Diese Änderung der Fluoreszenzspektren beim Quarzglastyp II ist ein Anzeichen für eine signifikante Änderung der Si02-Netzwerkstruktur und sie korreliert mit der oben beschriebenen Verbesserung der UV-Strahlenbeständigkeit dieses Quarzglases.In contrast, however, the fluorescence band in the flame-melted type II quartz glass is extinguished by the thermal treatment. Instead, a fluorescence band appears in the green wavelength range (approximately at a wavelength of 510 nm). This change in the fluorescence spectra in quartz glass type II is an indication of a significant change in the Si0 2 network structure and it correlates with the above-described improvement in the UV radiation resistance of this quartz glass.
Das Quarzglas des Typs lila zeigt eine schwache Fluoreszenzbande im grünen Bereich im Wesentlichen unabhängig von einer thermischen Vorbehandlung dieses Quarzglases.The quartz glass of the purple type shows a weak fluorescence band in the green area essentially independent of a thermal pretreatment of this quartz glass.
Dieses Ergebnis lässt den Schluss zu, dass eine Quarzglasprobe, die eine blaue Fluoreszenzbande bei 390 nm zeigt, bei Bestrahlung mit UV-Excimerstrahlung einer Wellenlänge von 172 nm Sauerstoffdefizit-Zentren und E'-Defektzentren bildet, und dadurch die Transmission in diesem Wellenlängenbereich beträchtlich abnimmt (innerhalb der ersten 100 Stunden). Wenn hingegen die blaue Fluoreszenzbande durch Tempern beseitigt werden kann, wird das Quarzglas durch das Tempern strahlenbeständig gegenüber der 172 nm-Strahlung und die Bildung von Sauerstoffdefektstellen oder E'-Defektzentren wird nicht mehr beobachtet. Wenn blaue Fluoreszenz nicht beobachtet wird (wie beim Typ lila) ist das betreffende Quarzglasmaterial unabhängig von einer thermischen Vorbehandlung beständig gegenüber UV-Bestrahlung. This result leads to the conclusion that a quartz glass sample which shows a blue fluorescence band at 390 nm forms oxygen deficit centers and E 'defect centers when irradiated with UV excimer radiation with a wavelength of 172 nm, and the transmission in this wavelength range thereby decreases considerably (within the first 100 hours). On the other hand, if the blue fluorescent band can be removed by annealing, the quartz glass becomes radiation-resistant to the 172 nm radiation by the annealing and the formation of oxygen defect sites or E 'defect centers is no longer observed. If blue fluorescence is not observed (as with the purple type), the quartz glass material in question is resistant to UV radiation regardless of thermal pretreatment.

Claims

Patentansprüche claims
1. Bauteil aus Quarzglas für eine UV-Strahlenquelle, dadurch gekennzeichnet, dass das Quarzglas aus synthetisch erzeugten Quarzkristallen erschmolzen ist und einen Gehalt an SiH-Gruppen von weniger als 5 x 1017 , Molekülen/cm3 aufweist.1. component made of quartz glass for a UV radiation source, characterized in that the quartz glass is melted from synthetically produced quartz crystals and has a SiH group content of less than 5 × 10 17 , molecules / cm 3 .
2. Quarzglas-Bauteil nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Quarzglas einen Gehalt an Hydroxylgruppen von mindestens 25 Gew.-ppm, vorzugsweise mindestens 100 Gew.-ppm, aufweist.2. Quartz glass component according to claim 1, characterized in that the quartz glass has a hydroxyl group content of at least 25 ppm by weight, preferably at least 100 ppm by weight.
3. Quarzglas-Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Quarzglas einen Gehalt an SiH-Gruppen von weniger als 5 x 1016 Molekülen/cm3 aufweist.3. quartz glass component according to claim 1 or 2, characterized in that the quartz glass has a content of SiH groups of less than 5 x 10 16 molecules / cm 3 .
4. Quarzglas-Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Quarzglas durch Erschmelzen synthetischer Quarzkristalle mittels einer Brennerflamme erzeugt ist.4. quartz glass component according to one of claims 1 to 3, characterized in that the quartz glass is produced by melting synthetic quartz crystals by means of a burner flame.
5. Quarzglas-Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ' gekennzeichnet, dass er als Hüllkörper mit einer Wandstärke im Bereich zwischen 0,4 mm und 8 mm ausgebildet ist.5. quartz glass component according to one of claims 1 to 4, characterized 'in that it is designed as an enveloping body with a wall thickness in the range between 0.4 mm and 8 mm.
6. Verfahren zur Herstellung eines Quarzglas-Bauteils für eine für eine UV- Strahlenquelle, umfassend das Erschmelzen von Si02-haltiger Körnung, dadurch gekennzeichnet, dass synthetisch erzeugte Quarzkristalle zu einem Vorprodukt erschmolzen werden, das aus Quarzglas besteht, das Hydroxylgruppen in einer Anzahl enthält, die größer ist als die Anzahl an SiH-Gruppen, und dass zur Beseitigung von SiH-Gruppen das Vorprodukt einer Temperbehandlung bei einer Temperatur von mindestens 850 °C unterzogen und dabei das Quarzglas-Bauteil erhalten wird. 6. A method for producing a quartz glass component for a for a UV radiation source, comprising the melting of Si0 2 -containing grain, characterized in that synthetically produced quartz crystals are melted into a preliminary product, which consists of quartz glass, the hydroxyl groups in a number contains, which is greater than the number of SiH groups, and that to remove SiH groups, the preliminary product is subjected to an annealing treatment at a temperature of at least 850 ° C and the quartz glass component is obtained.
7. Verfahren nach Anspruch 6 dadurch gekennzeichnet, dass ein Vorprodukt erschmolzen wird, das aus Quarzglas besteht, das Hydroxylgruppen in einer Anzahl enthält, die mindestens doppelt so groß ist wie die Anzahl an SiH-Gruppen.7. The method according to claim 6, characterized in that a preliminary product is melted, which consists of quartz glass containing hydroxyl groups in a number that is at least twice as large as the number of SiH groups.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7 dadurch gekennzeichnet, dass die Temperbehandlung bei einer Temperatur im Bereich zwischen 900 °C und 1200 °C erfolgt.8. The method according to claim 6 or 7, characterized in that the tempering treatment is carried out at a temperature in the range between 900 ° C and 1200 ° C.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperbehandlung eine Behandlung unter Vakuum umfasst.9. The method according to any one of claims 6 to 8, characterized in that the annealing treatment comprises a treatment under vacuum.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperbehandlung eine Behandlung unter einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre umfasst.10. The method according to any one of claims 6 to 9, characterized in that the annealing treatment comprises a treatment under an oxygen-containing atmosphere.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Hydroxylgruppengehalt des Quarzglases auf mindestens 25 Gew.- ppm, vorzugsweise mindestens 100 Gew.-ppm, eingestellt wird.11. The method according to any one of claims 6 to 10, characterized in that the hydroxyl group content of the quartz glass is set to at least 25 ppm by weight, preferably at least 100 ppm by weight.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, der Quarzglas-Bauteil als Hüllkörper für die UV-Strahlenquelle mit einer Wandstärke im Bereich zwischen 0,4 mm und 8 mm ausgebildet wird, und dass die Temperbehandlung in Abhängigkeit von der Wandstärke zwischen 4 Stunden und 80 Stunden andauert.12. The method according to any one of claims 6 to 11, characterized in that the quartz glass component is designed as an envelope for the UV radiation source with a wall thickness in the range between 0.4 mm and 8 mm, and that the annealing treatment as a function of the wall thickness lasts between 4 hours and 80 hours.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass infolge der Temperbehandlung in dem Quarzglas ein Gehalt an SiH- Gruppen von weniger als 5 x 1017 Molekülen/cm3, vorzugsweise von weniger als 5 x 1016 Molekülen/cm3, eingestellt wird. 13. The method according to any one of claims 6 to 12, characterized in that as a result of the annealing treatment in the quartz glass a content of SiH groups of less than 5 x 10 17 molecules / cm 3 , preferably less than 5 x 10 16 molecules / cm 3 , is set.
14. Diagnoseverfahren für die Eignung eines Quarzglas-Bauteils für den Einsatz mit einer UV-Strahlenquelle, indem das Quarzglas-Bauteil einer Anregungsstrahlung ausgesetzt und die infolge der Anregungsstrahlung erzeugte Fluoreszenzstrahlung des Quarzglases im Wellenlängenbereich von 350 nm bis 430 nm erfasst wird.14. Diagnostic method for the suitability of a quartz glass component for use with a UV radiation source by exposing the quartz glass component to excitation radiation and detecting the fluorescence radiation of the quartz glass generated in the wavelength range from 350 nm to 430 nm as a result of the excitation radiation.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Anregungsstrahlung eine Wellenlänge um 248 nm hat.15. The method according to claim 14, characterized in that the excitation radiation has a wavelength around 248 nm.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Fluoreszenzstrahlung des Quarzglas-Bauteils in einer Richtung ermittelt wird, die im Wesentlichen senkrecht zur Hauptausbreitungsrichtung der Anregungsstrahlung steht. 16. The method according to claim 14 or 15, characterized in that the fluorescent radiation of the quartz glass component is determined in a direction which is substantially perpendicular to the main direction of propagation of the excitation radiation.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005024678B3 (en) * 2005-05-30 2006-08-31 Schott Ag Method for specification of optical material with reduced inclination to irreversible radiation damage involving the use of laser and fluorescent energy
JP2009046328A (en) * 2007-08-15 2009-03-05 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd Silica glass for photocatalyst and its production method
JP5406439B2 (en) * 2007-08-23 2014-02-05 信越石英株式会社 Chemical-resistant silica glass and method for producing chemical-resistant silica glass
JP5151816B2 (en) * 2008-08-29 2013-02-27 ウシオ電機株式会社 Excimer lamp
JP5476982B2 (en) * 2009-12-25 2014-04-23 信越化学工業株式会社 Selection method of titania-doped quartz glass
DE102010052685A1 (en) 2010-11-26 2012-05-31 J-Fiber Gmbh Process for the production of radiation-resistant quartz glass material and quartz glass body produced therefrom
DE102014113854A1 (en) * 2014-09-24 2016-03-24 Ev Group E. Thallner Gmbh Method for producing a glass optical element
EP3205630B1 (en) 2016-02-12 2020-01-01 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Diffuser material made of synthetically produced quartz glass, method for preparing a shaped body made fully or partially from same
CN116930115B (en) * 2023-09-15 2023-12-12 久智光电子材料科技有限公司 Quartz glass hydroxyl detection method and detection device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH670171A5 (en) * 1986-07-22 1989-05-12 Bbc Brown Boveri & Cie
TW323379B (en) * 1994-01-18 1997-12-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh
JP3336761B2 (en) * 1994-09-09 2002-10-21 住友金属工業株式会社 Method for producing synthetic quartz glass for light transmission
US6291377B1 (en) * 1997-08-21 2001-09-18 Nikon Corporation Silica glass and its manufacturing method
EP1101741B1 (en) * 1999-11-15 2005-07-13 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Quartz glass product for an optical element and process of its manufacture
JP2002097036A (en) * 2000-09-21 2002-04-02 Photoscience Japan Corp Vitreous silica for short wavelength ultraviolet ray, discharge lamp using it, the container, and ultraviolet ray radiation device
DE10159961C2 (en) * 2001-12-06 2003-12-24 Heraeus Quarzglas Quartz glass blank for an optical component and method of making and using same
DE10159959A1 (en) * 2001-12-06 2003-06-26 Heraeus Quarzglas Quartz glass blank used for an optical component for transferring ultraviolet radiation in microlithography e.g. for the production of highly integrated circuits has a glass structure without oxygen defect sites
DE10159962A1 (en) * 2001-12-06 2003-07-03 Heraeus Quarzglas Quartz glass blank for an optical component and method for producing and using the same
JP4104338B2 (en) * 2002-01-31 2008-06-18 信越石英株式会社 Synthetic quartz glass material for ArF exposure equipment

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2005102950A2 *

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