EP1606841A2 - Electronic component comprising a semiconductor chip and a plastic housing, and method for producing the same - Google Patents

Electronic component comprising a semiconductor chip and a plastic housing, and method for producing the same

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Publication number
EP1606841A2
EP1606841A2 EP04718612A EP04718612A EP1606841A2 EP 1606841 A2 EP1606841 A2 EP 1606841A2 EP 04718612 A EP04718612 A EP 04718612A EP 04718612 A EP04718612 A EP 04718612A EP 1606841 A2 EP1606841 A2 EP 1606841A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
semiconductor chip
edge sides
electronic component
plastic
semiconductor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP04718612A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Robert-Christian Hagen
Simon Jerebic
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Intel Deutschland GmbH
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Filing date
Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part

Definitions

  • the invention relates to an electronic component which has a semiconductor chip with an upper side, with a rear side and with edge sides, and a plastic housing.
  • the semiconductor chip is embedded in the plastic housing in such a way that the rear side and the edge sides of the semiconductor chip are surrounded by a plastic compound, while the upper side of the semiconductor chip remains free of plastic compound.
  • the invention also relates to a method for producing the electronic component.
  • the object of the invention is to provide a reliable electronic component which has a semiconductor chip which is completely surrounded on its rear side and on its edge sides by a plastic compound.
  • an electronic component that has a semiconductor chip.
  • This semiconductor chip in turn has an upper side, a rear side and edge sides.
  • the semiconductor chip is installed in a plastic housing and is surrounded by a plastic compound on the back and the edges.
  • the top of the semiconductor chip can then remain partially or completely free of plastic compound and form a flat surface with the top of the plastic housing.
  • the edge sides and / or the rear side of the semiconductor chip have at least one anchoring area, via which the semiconductor chip interlocks with the surrounding plastic compound.
  • micro-crack formation and spread of micro-cracks in the plastic mass is reduced, which increases reliability.
  • shape of the anchoring area can prevent microcracks from spreading towards the surface of the plastic housing.
  • the edge sides of the semiconductor chip have a profile which forms an obtuse angle to the top side of the semiconductor chip.
  • the edge sides can have a step.
  • this step can lie deep within the volume of the plastic housing or can be arranged on the top of the semiconductor chip.
  • An arrangement of the step of the edge sides anchoring the semiconductor chip in the depth of the plastic compound has the advantage that microcracks occur due to thermal stress in the depth of the plastic housing and not in the vicinity of the top of the plastic housing.
  • the step is arranged in the area of the upper side of the semiconductor chip, so that this step surrounds the semiconductor chip like a plate edge, this has the advantage that microcracks, which arise in the volume of the plastic mass at the bottom of the plate-shaped semiconductor chip, through the edge area of the semiconductor chip is characterized by the level, can not penetrate the top of the electronic component. Rather, the step-shaped edge of the semiconductor chip prevents them from developing microcracks on the upper side of the plastic housing.
  • edge sides can be designed such that they have bulges with which they are interlocked with the plastic compound. Because of their rounding, these bulges are suitable for preventing any microcracks from occurring in the plastic material.
  • the rounding closest to the surface can be designed such that the plastic mass gradually adapts to the level of the upper side of the semiconductor chip as the thickness decreases.
  • a further possibility is to achieve an intensive anchoring between the semiconductor material and the plastic mass by applying dendrites to the upper sides of the semiconductor chip to be embedded. Dendrites not only prevent microcracks from spreading in the plastic compound, but also form an intensive interlocking between the semiconductor chip and the plastic compound.
  • the dendrites can be different from the semiconductor chip
  • the dendrites can be additionally attached to differently pre-profiled anchoring areas of a semiconductor chip.
  • Another way of anchoring is to provide the back of the semiconductor chip with undercuts which form a positive connection between the plastic aces and the semiconductor chip material.
  • undercuts can be made in the form of dovetail structures or other step-shaped notches by high-speed milling cutters on the back of the semiconductor chips or by appropriate laser ablation or by under-etching in an etching process.
  • a method for producing a semiconductor chip with anchoring areas for a plastic compound surrounding the semiconductor chip has the following method steps.
  • a semiconductor wafer which has integrated circuits arranged in rows and columns in a plurality of semiconductor chip positions. This semiconductor wafer is then separated in semiconductor chips by means of a profile saw and / or by means of laser ablation with profiling of the edge sides and / or the rear side of the semiconductor chip. After the semiconductor wafer has been separated into semiconductor chips with profiled edge sides and / or profiled rear sides, a semiconductor chip is embedded in a plastic compound while leaving the top side of the semiconductor chip free. The top of the semiconductor chip and the top of the plastic compound form a common flat surface.
  • This method has the advantage that a plurality of semiconductor chips can be provided with anchoring regions simultaneously in a semiconductor chip separation process from a semiconductor wafer. Subsequently, it is possible to incorporate these profiled semiconductor chips into a plate-shaped plastic mass, so that a benefit arises which can now be processed further with firmly anchored semiconductor chips in the plastic plate.
  • the above-mentioned step-shaped edge sides or an obtuse angle of the edge sides to the top can be worked out.
  • Both profiled semiconductor chips and unprofiled semiconductor chips can be embedded in a plastic or chemical or galvanic compound before the semiconductor chip is embedded Bath are immersed, with dendrites made of oxide ceramics or metal being deposited on the edges and / or on the back of the semiconductor chip. These finely structured dendrites not only improve the form-fit, but also reduce the risk of microcracks in the area of the transition from the semiconductor chip to the plastic compound.
  • delaminations and microcracks represent a lack of quality and, depending on the type and environmental conditions, can induce chip breaks and / or breaks in the bond connections and thus lead to the electrical failure of the semiconductor component.
  • the roughness that occurs in the manufacturing process, both macroscopically and microscopically, is not sufficient to ensure secure anchoring of the semiconductor chip in the plastic compound for all loads. Due to the enlargement of the interface between the semiconductor chip and the plastic mass according to the invention, the risk of delamination and microcracks occurring and spreading between these two materials is reduced. The spreading along the otherwise rectilinear edge sides of the semiconductor chip is thus hindered and, according to the invention, changing the edge sides and the rear side of the semiconductor chip not only improves chemical interface adhesion, but also mechanical interlocking through undercuts.
  • Cracks can thus be completely suppressed by the measures according to the invention, or cracks that occur can be forced to spread more slowly, or the cracks are prevented by a step or bevel from spreading up to the common upper side of the chip surface and plastic housing.
  • FIG. 1 shows a cross section through a section of an electronic component of a first embodiment of the invention
  • FIG. 2 shows a cross section through a section of an electronic component of a second embodiment of the invention
  • FIG. 3 shows a cross section through a section of an electronic component of a third embodiment of the invention
  • FIG. 4 shows a cross section through a section of an electronic component of a fourth embodiment of the invention
  • FIG. 5 shows a cross section through a section in the edge region of the semiconductor chip of an electronic component of a fifth embodiment of the invention
  • Figure 6 shows a cross section through a section in
  • Edge side region of the semiconductor chip of an electronic component of a sixth embodiment of the invention is asymmetrical edge side region of the semiconductor chip of an electronic component of a sixth embodiment of the invention.
  • FIG. 1 shows a cross section through a section of an electronic component of a first embodiment of the invention.
  • the electronic component has a plastic housing 6 with a plastic compound 7, which completely surrounds a semiconductor chip 1 on its rear side 3 and on its edge sides 4 and 5.
  • the top 2 of the semiconductor chip 1 is kept free from the plastic compound 7 and forms a common flat surface 9 with the top 8 of the plastic housing 6.
  • On the common flat surface 9 can be thin-film structures, such as interconnects and ⁇ other wiring components applied to the contact surfaces, for example, not shown here, which are arranged on the upper side 2 of the semiconductor chip 1, with corresponding, not 'shown here, external contacts on the upper side of the plastic housing to connect.
  • the edge sides 4 and 5 of this first embodiment of the invention have a step 11 in an anchoring area 10.
  • This step 11 interrupts the smooth edge sides 4 and 5, so that microcracks which arise in the depth of the plastic compound 7 or which run from the component outer surfaces in the direction of the chip also extend through the plate edge-shaped edge sides 4 and 5 to the common area 9 are hindered.
  • the thickness of the step 11 is significantly less than the total thickness of the semiconductor chip.
  • the stage 11 has a thickness of approximately 20 to 300 ⁇ m, while the thickness of the entire semiconductor chip 1 is between 50 and 750 ⁇ m. Other absolute sizes can also be used if roughly the same proportions are observed.
  • the ratio between the thickness of the step and the chip thickness can be approximately 0.1 to 0.3-0.4 or even up to approximately 0.8.
  • Figure 2 shows a cross section through a section of an electronic component according to a second embodiment of the invention.
  • Components with the same functions as in FIG. 1 are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.
  • the difference between the embodiment according to FIG. 2 differs from the embodiment according to FIG. 1 in that the step 11 on the edge sides 4 and 5 of the semiconductor chip is not arranged on the top side 2 of the semiconductor chip, but on the rear side 3.
  • the arrangement ensures a secure " positive fit " and at the same time ensures that microcracks occur essentially in the area of the rear side 3, that is to say within the plastic mass 7 at the step located there, and spread horizontally and less towards the top side 8 of the plastic housing spread.
  • FIG. 3 shows a cross section through a section of an electronic component according to a third embodiment of the invention.
  • Components with the same functions as in the previous figures are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.
  • FIG. 3 shows an embodiment of the invention in which the edge sides 4 and 5 of the semiconductor chip 1 are oriented at an obtuse angle ⁇ to the top side 2 of the semiconductor chip 1.
  • ⁇ obtuse angle
  • Figure 4 shows a cross section through a section of an electronic component according to a fourth embodiment of the invention.
  • the side edges 4 and 5 have been left smooth, but an anchoring area 10 is arranged on the rear side 3 of the semiconductor chip, which has undercuts 14. Microcracks, the anchoring region 10 arranged in this on the rear side 3 of the semiconductor chip 1 do not spread in the direction of the common surface 9.
  • One of the- Like form-fitting anchoring 10 of a semiconductor chip 1 in a plastic mass 7 can be reinforced if the side edges 4 and 5 have microscopic structures in the form of dendrites or bulges, as shown in FIGS. 5 and 6.
  • FIG. 5 shows a cross section through a section in the edge side region of the semiconductor chip 1 of a component of a fifth embodiment of the invention.
  • Bulges 12 are arranged in the edge region. These bulges 12 are rounded off so that microcracks can slide on them.
  • FIG. 6 shows a cross section of a detail in the edge side region of the semiconductor chip 1 of a component of a sixth embodiment of the invention. In this case it is
  • Edge side 4 provided with dendrites 13, which were deposited on edge side 4, for example in a galvanic bath.
  • dendrites 13 ensure an intensive positive fit between the semiconductor chip 1 and the plastic compound 7 and can also be seen on the rear side 3 of the
  • Semiconductor chips 1 are applied. These dendrites are deposited in a galvanic bath on the edge side 4 and have oxide ceramics.

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Abstract

The invention relates to an electronic component comprising a semiconductor chip (1). Said semiconductor chip (1) is contained in a plastic housing (6) in such a way that the rear side (3) and the lateral sides (4, 5) thereof are embedded in a plastic material (7). The lateral sides (4, 5) and/or the rear side (3) of the semiconductor chip (2) have an anchoring region (10) which enables the semiconductor chip (1) to positively engage with the surrounding plastic material (7). The invention also relates to a method for producing the inventive component.

Description

Beschreibungdescription
Elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Kunststoffgehäuse und Verfahren zur Herstellung desselbenElectronic component with semiconductor chip and plastic housing and method for producing the same
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil, das einen Halbleiterchip mit einer Oberseite, mit einer Rückseite und mit Randseiten sowie ein Kunststoffgehäuse aufweist. Dabei ist der Halbleiterchip in dem Kunststoffgehäuse derart einge- bettet, dass die Rückseite und die Randseiten des Halbleiterchips von einer Kunststoffmasse umgeben sind, während die 0- berseite des Halbleiterchips frei von Kunststoffmasse bleibt. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des elektronischen Bauteils.The invention relates to an electronic component which has a semiconductor chip with an upper side, with a rear side and with edge sides, and a plastic housing. The semiconductor chip is embedded in the plastic housing in such a way that the rear side and the edge sides of the semiconductor chip are surrounded by a plastic compound, while the upper side of the semiconductor chip remains free of plastic compound. The invention also relates to a method for producing the electronic component.
Bei elektronischen Bauteilen, die darauf basieren, dass sie keine Chipinsel aufweisen, auf welcher der Halbleiterchip fixiert ist, sondern bei denen der Halbleiterchip nur von der umgebenden Kunststoffmasse des Gehäuses gehalten wird, be- steht die Gefahr einer erhöhten Mikrorissbildung bis hin zur Delamination des Halbleiterchips. Diese Gefahr wird größer, wenn zusätzlich die Oberseite des Halbleiterchips frei von Kunststoffmasse zu halten ist, und somit der Halbleiterchip nicht allseitig von Kunststoffmasse umgeben ist.In the case of electronic components which are based on the fact that they do not have a chip island on which the semiconductor chip is fixed, but in which the semiconductor chip is only held by the surrounding plastic mass of the housing, there is a risk of increased microcracking and even delamination of the semiconductor chip , This risk becomes greater if the upper side of the semiconductor chip is additionally to be kept free of plastic compound and the semiconductor chip is therefore not surrounded on all sides by plastic compound.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein zuverlässiges elektronisches Bauteil anzugeben, das einen Halbleiterchip aufweist, der vollständig auf seiner Rückseite und seinen Randseiten von einer Kunststoffmasse umgeben ist.The object of the invention is to provide a reliable electronic component which has a semiconductor chip which is completely surrounded on its rear side and on its edge sides by a plastic compound.
Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Erfindungsgemäß wird ein elektronisches Bauteil angegeben, das einen Halbleiterchip aufweist. Dieser Halbleiterchip hat seinerseits eine Oberseite, eine Rückseite und Randseiten. Der Halbleiterchip ist in einem Kunststoffgehäuse eingebaut und wird dabei von einer Kunststoffmasse auf der Rückseite und den Randseiten umgeben. Die Oberseite des Halbleiterchips kann dann teilweise oder ganz frei von Kunststoffmasse bleiben und mit der Oberseite des Kunststoffgehäuses eine ebene Fläche bilden. Dabei weisen die Randseiten und/oder die Rückseite des Halbleiterchips mindestens einen Verankerungsbereich auf, über den der Halbleiterchip mit der umgebenden Kunststoffmasse formschlüssig in Eingriff steht.This object is achieved with the subject matter of the independent claims. Advantageous developments of the invention result from the dependent claims. According to the invention, an electronic component is specified that has a semiconductor chip. This semiconductor chip in turn has an upper side, a rear side and edge sides. The semiconductor chip is installed in a plastic housing and is surrounded by a plastic compound on the back and the edges. The top of the semiconductor chip can then remain partially or completely free of plastic compound and form a flat surface with the top of the plastic housing. The edge sides and / or the rear side of the semiconductor chip have at least one anchoring area, via which the semiconductor chip interlocks with the surrounding plastic compound.
Ein derartiges Bauteil hat den Vorteil, dass aufgrund desSuch a component has the advantage that due to the
Formschlusses zwischen Halbleiterchip und Kunststoffmasse eine Mikrorissbildung und eine Ausbreitung von Mikrorissen in der Kunststoffmasse vermindert wird, was die Zuverlässigkeit erhöht . Gleichzeitig kann durch Formgebung des Verankerungs- bereichs ein Ausbreiten von Mikrorissen in Richtung auf die Oberfläche des Kunststoffgehäuses vermindert werden.Form-fit between the semiconductor chip and the plastic mass, micro-crack formation and spread of micro-cracks in the plastic mass is reduced, which increases reliability. At the same time, the shape of the anchoring area can prevent microcracks from spreading towards the surface of the plastic housing.
In einer ersten Ausführungsform der Erfindung weisen die Randseiten des Halbleiterchips ein Profil auf, das zu der 0- berseite des Halbleiterchips einen stumpfen Winkel bildet.In a first embodiment of the invention, the edge sides of the semiconductor chip have a profile which forms an obtuse angle to the top side of the semiconductor chip.
Mit diesem stumpfen Winkel der Randseiten wird erreicht, dass sich die Kunststoffmasse allmählich mit abnehmender Stärke zur Oberseite des Kunststoffgehäuses hin über die Randseiten des Halbleiterchip stülpt. Neben einem Formschluss zwischen Halbleiterchip und Kunststoffmasse wird gleichzeitig erreicht, dass der Halbleiterchip im Bereich seiner Oberseite zu den Randseiten hin keine scharfe rechtwinkelige Kante bil- det, sondern vielmehr einen weichen Übergang mit Hilfe des stumpfen Winkels schafft.With this obtuse angle of the edge sides it is achieved that the plastic mass gradually slips over the edge sides of the semiconductor chip with decreasing thickness towards the top of the plastic housing. In addition to a positive connection between the semiconductor chip and the plastic compound, it is at the same time achieved that the semiconductor chip does not form a sharp rectangular edge in the area of its upper side toward the edge sides det, but rather creates a smooth transition with the help of the obtuse angle.
Ferner können die Randseiten eine Stufe aufweisen. Diese Stu- fe kann einerseits tief innerhalb des Volumens des Kunststoffgehäuses liegen oder an der Oberseite des Halbleiterchips angeordnet sein. Eine Anordnung der den Halbleiterchip verankernden Stufe der Randseiten in der Tiefe der Kunststoffmasse hat den Vorteil, dass Mikrorisse aufgrund von Thermospannungen in der Tiefe des Kunststoffgehäuses entstehen und nicht in der Nähe der Oberseite des Kunststoffgehäuses.Furthermore, the edge sides can have a step. On the one hand, this step can lie deep within the volume of the plastic housing or can be arranged on the top of the semiconductor chip. An arrangement of the step of the edge sides anchoring the semiconductor chip in the depth of the plastic compound has the advantage that microcracks occur due to thermal stress in the depth of the plastic housing and not in the vicinity of the top of the plastic housing.
Wird die Stufe im Bereich der Oberseite des Halbleiterchip angeordnet, so dass diese Stufe den Halbleiterchip wie einen Tellerrand umgibt, so hat dies den Vorteil, dass Mikrorisse, die im Volumen der Kunststoffmasse am Boden des tellerförmigen Halbleiterchips entstehen, durch den Randbereich des Halbleiterchips, der durch die Stufe gekennzeichnet ist, nicht auf die Oberseite des elektronischen Bauteils durchdringen können. Sie werden vielmehr von dem stufenförmigen Rand des Halbleiterchips davon abgehalten, Mikrorisse auch an der Oberseite des Kunststoffgehäuses zu entwickeln.If the step is arranged in the area of the upper side of the semiconductor chip, so that this step surrounds the semiconductor chip like a plate edge, this has the advantage that microcracks, which arise in the volume of the plastic mass at the bottom of the plate-shaped semiconductor chip, through the edge area of the semiconductor chip is characterized by the level, can not penetrate the top of the electronic component. Rather, the step-shaped edge of the semiconductor chip prevents them from developing microcracks on the upper side of the plastic housing.
Darüber hinaus können die Randseiten derart gestaltet sein, dass sie Ausbuchtungen aufweisen, mit denen sie mit der Kunststoffmasse verzahnt sind. Diese Ausbuchtungen sind aufgrund ihrer Abrundungen geeignet, keinerlei Mikrorisse in dem Kunststoffmaterial entstehen zu lassen. Außerdem kann die der Oberfläche am nächsten kommende Abrundung derart gestaltet sein, dass sich die Kunststoffmasse allmählich mit abnehmender Dicke an das Niveau der Oberseite des Halbleiterchips angleicht. Eine weitere Möglichkeit neben der Strukturierung des Profils der Randseiten besteht darin, eine intensive Verankerung zwischen dem Halbleitermaterial und der Kunststoffmasse durch Aufbringen von Dendriten auf die einzubettenden Oberseiten des Halbleiterchips zu erreichen. Dendriten verhindern nicht nur eine Ausbreitung von Mikrorissen in der Kunststoffmasse, sondern bilden auch eine intensive Verzahnung zwischen dem Halbleiterchip und der Kunststoffmasse. Darüber hinaus können die Dendriten ein von dem Halbleiterchip unterschiedlichesIn addition, the edge sides can be designed such that they have bulges with which they are interlocked with the plastic compound. Because of their rounding, these bulges are suitable for preventing any microcracks from occurring in the plastic material. In addition, the rounding closest to the surface can be designed such that the plastic mass gradually adapts to the level of the upper side of the semiconductor chip as the thickness decreases. In addition to structuring the profile of the edge sides, a further possibility is to achieve an intensive anchoring between the semiconductor material and the plastic mass by applying dendrites to the upper sides of the semiconductor chip to be embedded. Dendrites not only prevent microcracks from spreading in the plastic compound, but also form an intensive interlocking between the semiconductor chip and the plastic compound. In addition, the dendrites can be different from the semiconductor chip
Material, wie eine Oxidkeramik oder ein Metall aufweisen. Außerdem können die Dendriten auf unterschiedlich vorprofilierten Verankerungsbereichen eines Halbleiterchips zusätzlich angebracht sein.Have material such as an oxide ceramic or a metal. In addition, the dendrites can be additionally attached to differently pre-profiled anchoring areas of a semiconductor chip.
Eine weitere Möglichkeit der Verankerung besteht darin, die Rückseite des Halbleiterchips mit Hinterschneidungen zu versehen, die eine formschlüssige Verbindung zwischen Kunststoff asse und Halbleiterchipmaterial bilden. Derartige Hin- terschneidungen können in Form von Schwalbenschwanzstrukturen oder anderen stufenförmigen Einkerbungen durch Hochgeschwindigkeitsfräser auf der Rückseite der Halbleiterchips eingebracht werden oder durch entsprechenden Laserabtrag oder durch ünterätzungen in einem Ätzverfahren.Another way of anchoring is to provide the back of the semiconductor chip with undercuts which form a positive connection between the plastic aces and the semiconductor chip material. Such undercuts can be made in the form of dovetail structures or other step-shaped notches by high-speed milling cutters on the back of the semiconductor chips or by appropriate laser ablation or by under-etching in an etching process.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips mit Verankerungsbereichen für eine den Halbleiterchip umgebende Kunststoffmasse weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf.A method for producing a semiconductor chip with anchoring areas for a plastic compound surrounding the semiconductor chip has the following method steps.
Zunächst wird ein Halbleiterwafer bereitgestellt, der in Zeilen und Spalten angeordnete integrierte Schaltungen in mehreren Halbleiterchippositionen aufweist. Dieser Halbleiterwafer wird anschließend in Halbleiterchips mittels einer Profilsäge und/oder mittels Laserabtrag unter Profilierung der Randseiten und/oder der Rückseite des Halbleiterchips getrennt. Nach dem Auftrennen des Halbleiterwafers in Halbleiterchips mit profilierten Randseiten und/oder profilierten Rückseiten wird ein Halbleiterchip in eine Kunststoffmasse unter Freilassen der Oberseite des Halbleiterchips eingebettet. Dabei bildet die Oberseite des Halbleiterchips und die Oberseite der Kunststoffmasse eine gemeinsame ebene Fläche aus.First, a semiconductor wafer is provided which has integrated circuits arranged in rows and columns in a plurality of semiconductor chip positions. This semiconductor wafer is then separated in semiconductor chips by means of a profile saw and / or by means of laser ablation with profiling of the edge sides and / or the rear side of the semiconductor chip. After the semiconductor wafer has been separated into semiconductor chips with profiled edge sides and / or profiled rear sides, a semiconductor chip is embedded in a plastic compound while leaving the top side of the semiconductor chip free. The top of the semiconductor chip and the top of the plastic compound form a common flat surface.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass mehrere Halbleiterchips gleichzeitig bei einem Trennverfahren von Halbleiterchips aus einem Halbleiterwafer mit Verankerungsbereichen versehen werden können. Anschließend ist es möglich diese profilierten Halbleiterchips in eine plattenförmig aufgebaute Kunststoffmasse einzubringen, so dass ein Nutzen entsteht, der nun mit fest verankerten Halbleiterchips in der Kunststoffplatte weiterverarbeitet werden kann.This method has the advantage that a plurality of semiconductor chips can be provided with anchoring regions simultaneously in a semiconductor chip separation process from a semiconductor wafer. Subsequently, it is possible to incorporate these profiled semiconductor chips into a plate-shaped plastic mass, so that a benefit arises which can now be processed further with firmly anchored semiconductor chips in the plastic plate.
Bei dem Profilsägen können die oben erwähnte stufenförmige Randseiten oder auch ein stumpfer Winkel der Randseiten zu der Oberseite herausgearbeitet werden. Um Hinterschneidungen in die Rückseite einzubringen, ist es sinnvoll, den Halbleiterwafer noch vor dem Zerteilen auf seiner Rückseite mit ent- sprechenden Frässpuren zu versehen, die Hinterschneidungen aufweisen. Erfolgt das Trennen durch Laserabtrag, so kann gleichzeitig mit dem Ausbilden der Trennfugen auch die Rückseite des Halbleiterchips in der vorgegebenen Weise wie oben beschrieben profiliert werden.In the case of profile sawing, the above-mentioned step-shaped edge sides or an obtuse angle of the edge sides to the top can be worked out. In order to introduce undercuts in the back, it is advisable to provide the semiconductor wafer with corresponding milling marks on the back prior to cutting, which have undercuts. If the separation is carried out by laser ablation, the back of the semiconductor chip can also be profiled in the predetermined manner as described above at the same time as the separating joints are formed.
Sowohl profilierte Halbleiterchip als auch unprofilierte Halbleiterchip können vor dem Einbetten des Halbleiterchips in eine Kunststoffmasse in ein chemischen oder galvanischen Bad eingetaucht werden, wobei sich Dendriten aus Oxidkeramiken oder aus Metall auf den Randseiten und/oder auf der Rückseite des Halbleiterchips abscheiden. Diese fein strukturierten Dendriten verbessern nicht nur die Formschlüssigkeit, sondern vermindern auch die Mikrorissgefahr im Bereich des Übergangs von Halbleiterchip zur Kunststoffmasse.Both profiled semiconductor chips and unprofiled semiconductor chips can be embedded in a plastic or chemical or galvanic compound before the semiconductor chip is embedded Bath are immersed, with dendrites made of oxide ceramics or metal being deposited on the edges and / or on the back of the semiconductor chip. These finely structured dendrites not only improve the form-fit, but also reduce the risk of microcracks in the area of the transition from the semiconductor chip to the plastic compound.
Zusammenfassend kann festgestellt werden, dass die oft unzureichende gegenseitige Haftung der einzelnen Bestandteile ei- nes elektronischen Bauteils, wie Halbleiterchip, Chipkleber, Moldmasse in Verbindung mit Umgebungseinflüssen, wie Temperaturzyklen, eine sogenannte Delamination und Risse bewirken kann. Delaminationen und Mikrorisse stellen prinzipiell einen Qualitätsmangel dar und können je nach Ausprägung und Uirtge- bungsbedingungen Chipbrüche und/oder Brüche der Bondverbindungen induzieren und somit zum elektrischen Ausfall des Halbleiterbauelements führen.In summary, it can be stated that the often insufficient mutual liability of the individual components of an electronic component, such as a semiconductor chip, chip adhesive, molding compound in connection with environmental influences, such as temperature cycles, can cause so-called delamination and cracks. In principle, delaminations and microcracks represent a lack of quality and, depending on the type and environmental conditions, can induce chip breaks and / or breaks in the bond connections and thus lead to the electrical failure of the semiconductor component.
Diese Gefahr ist besonders groß bei einseitig gemoldeten Chips, da diese bei Temperaturwechseln durch Spannungen aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten des Gehäuses, beispielsweise zwischen Gehäuse und Endgeräteplatte, Risse entlang der Chipkanten aufweisen können. Diese Risse entlang der Chipkanten können zu Abrissen von Leiter- bahnen der auf die gemeinsame Oberfläche von Kunststoffgehäuse und Halbleiterchip aufgebrachten Dünnschichtumverdrahtun- gen führen. Dabei breiten sich diese Risse und/oder Delaminationen insbesondere entlang geradliniger Kanten aus. Dieses wird noch unterstützt durch die quaderförmige Form von Halb- leiterchips. Diese Quaderform und die glatten Oberflächen dieser Quader sind durch die Herstellungsprozesse bedingt. Dabei werden die vier seitlichen Mantelflächen durch den Pro- zess der Chipvereinzelung erzeugt. Diese Flächen sind aus prozesstechnischen Gründen eben und zueinander rechtwinkelig was die Mikrorissausbreitung fördert.This risk is particularly great in the case of chips molded on one side, since they can exhibit cracks along the chip edges when the temperature changes due to voltages due to different coefficients of thermal expansion of the housing, for example between the housing and the terminal plate. These cracks along the chip edges can lead to breaks in the conductor tracks of the thin-layer rewiring applied to the common surface of the plastic housing and the semiconductor chip. These cracks and / or delaminations spread in particular along straight edges. This is further supported by the cuboid shape of semiconductor chips. This cuboid shape and the smooth surfaces of these cuboids are due to the manufacturing processes. The four lateral surface areas are created by the process of chip separation. These areas are out process-technical reasons even and at right angles to each other which promotes micro-crack propagation.
Die bei dem Herstellungsprozess auftretende Rauhigkeit sowohl makroskopisch als auch mikroskopisch reicht nicht aus, um eine sichere Verankerung des Halbleiterchips in der Kunststoffmasse für alle Belastungen zu gewährleisten. Durch die erfindungsgemäß Vergrößerung der Grenzfläche zwischen Halbleiterchip und Kunststoffmasse sinkt die Gefahr des Auftretens und der Ausbreitung von Delaminationen und Mirkorissen zwischen diesen beiden Materialien. Das Ausbreiten entlang der sonst geradlinigen Randseiten des Halbleiterchips wird damit behindert und erfindungsgemäß lässt sich durch die Veränderung der Randseiten und der Rückseite des Halbleiterchips nicht nur eine verbesserte chemische Grenzflächenhaftung, sondern auch ein mechanischer Formschluss durch Hinterschneidungen erreichen.The roughness that occurs in the manufacturing process, both macroscopically and microscopically, is not sufficient to ensure secure anchoring of the semiconductor chip in the plastic compound for all loads. Due to the enlargement of the interface between the semiconductor chip and the plastic mass according to the invention, the risk of delamination and microcracks occurring and spreading between these two materials is reduced. The spreading along the otherwise rectilinear edge sides of the semiconductor chip is thus hindered and, according to the invention, changing the edge sides and the rear side of the semiconductor chip not only improves chemical interface adhesion, but also mechanical interlocking through undercuts.
Somit können durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen Risse vollständig unterdrückt werden oder auftretende Risse gezwungen werden, sich langsamer auszubreiten, oder die Risse werden durch eine Stufe oder Schräge vor einem Ausbreiten bis an die gemeinsame Oberseite aus Chipoberfläche und Kunststoffgehäuse gehindert.Cracks can thus be completely suppressed by the measures according to the invention, or cracks that occur can be forced to spread more slowly, or the cracks are prevented by a step or bevel from spreading up to the common upper side of the chip surface and plastic housing.
Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.The invention will now be explained in more detail with reference to the attached figures.
Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt ei- nes elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform der Erfindung, Figur 2 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,FIG. 1 shows a cross section through a section of an electronic component of a first embodiment of the invention, FIG. 2 shows a cross section through a section of an electronic component of a second embodiment of the invention,
Figur 3 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines elektronischen Bauteils einer dritten Ausführungsform der Erfindung,FIG. 3 shows a cross section through a section of an electronic component of a third embodiment of the invention,
Figur 4 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt ei- nes elektronischen Bauteils einer vierten Ausführungsform der Erfindung,FIG. 4 shows a cross section through a section of an electronic component of a fourth embodiment of the invention,
Figur 5 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt im Randbereich des Halbleiterchips eines elektronischen Bauteils einer fünften Ausführungsform der Erfindung,FIG. 5 shows a cross section through a section in the edge region of the semiconductor chip of an electronic component of a fifth embodiment of the invention,
Figur 6 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt imFigure 6 shows a cross section through a section in
Randseitenbereich des Halbleiterchips eines elektronischen Bauteils einer sechsten Ausführungsform der Erfindung.Edge side region of the semiconductor chip of an electronic component of a sixth embodiment of the invention.
Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform der Er- findung. Das elektronische Bauteil weist ein Kunststoffgehäu- se 6 mit einer Kunststoffmasse 7 auf, die einen Halbleiterchip 1 auf seiner Rückseite 3 und auf seinen Randseiten 4 und 5 vollständig umgibt. Die Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 ist von der Kunststoffmasse 7 freigehalten und bildet mit der Oberseite 8 des Kunststoffgehäuses 6 eine gemeinsame ebene Fläche 9. Auf der gemeinsamen ebenen Fläche 9 können Dünnfilmstrukturen, wie Leiterbahnen und ^andere Verdrahtungskomponenten aufgebracht werden, um beispielsweise hier nicht gezeigte Kontaktflächen, die auf der Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 angeordnet sind, mit entsprechenden, hier nicht' gezeigten Außenkontakten auf der Oberseite des Kunststoffgehäuses zu verbinden. Die Randseiten 4 und 5 dieser ersten Ausführungsform der Erfindung weisen in einem Verankerungsbereich 10 eine Stufe 11 auf. Diese Stufe 11 unterbricht die glatten Randsei- ten 4 und 5, so dass Mikrorisse, die in der Tiefe der Kunststoffmasse 7 entstehen oder die von den Bauteilaußenflächen ausgehend in Richtung Chip verlaufen, durch die tellerrand- förmig ausgebildeten Randseiten 4 und 5 vom Ausbreiten auch bis zur gemeinsamen Fläche 9 behindert werden. Um diese Schutzwirkung zu erreichen, ist die Dicke der Stufe 11 wesentlich geringer als die Gesamtdicke des Halbleiterchips. In dieser Ausführungsform der Erfindung weist die Stufe 11 eine Dicke von ca. 20 bis 300 μm auf, während die Dicke des gesamten Halbleiterchips 1 zwischen 50 und 750 μm liegt. Es können auch andere absolute Größen angewendet werden, wenn in etwa dieselben Proportionen eingehalten werden. Das Verhältnis zwischen Dicke der Stufe und Chipdicke kann etwa 0,1 bis 0,3- 0,4 oder sogar bis ca. 0,8 betragen.FIG. 1 shows a cross section through a section of an electronic component of a first embodiment of the invention. The electronic component has a plastic housing 6 with a plastic compound 7, which completely surrounds a semiconductor chip 1 on its rear side 3 and on its edge sides 4 and 5. The top 2 of the semiconductor chip 1 is kept free from the plastic compound 7 and forms a common flat surface 9 with the top 8 of the plastic housing 6. On the common flat surface 9 can be thin-film structures, such as interconnects and ^ other wiring components applied to the contact surfaces, for example, not shown here, which are arranged on the upper side 2 of the semiconductor chip 1, with corresponding, not 'shown here, external contacts on the upper side of the plastic housing to connect. The edge sides 4 and 5 of this first embodiment of the invention have a step 11 in an anchoring area 10. This step 11 interrupts the smooth edge sides 4 and 5, so that microcracks which arise in the depth of the plastic compound 7 or which run from the component outer surfaces in the direction of the chip also extend through the plate edge-shaped edge sides 4 and 5 to the common area 9 are hindered. In order to achieve this protective effect, the thickness of the step 11 is significantly less than the total thickness of the semiconductor chip. In this embodiment of the invention, the stage 11 has a thickness of approximately 20 to 300 μm, while the thickness of the entire semiconductor chip 1 is between 50 and 750 μm. Other absolute sizes can also be used if roughly the same proportions are observed. The ratio between the thickness of the step and the chip thickness can be approximately 0.1 to 0.3-0.4 or even up to approximately 0.8.
Figur 2 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines elektronischen Bauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in Figur 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der Unterschied der Ausführungsform ge- maß Figur 2 unterscheidet sich von der Ausführungsform nach Figur 1 dadurch, dass die Stufe 11 auf den Randseiten 4 und 5 des Halbleiterchips nicht an der Oberseite 2 des Halbleiterchips angeordnet ist, sondern auf der Rückseite 3. Mit dieser Anordnung wird ein sicherer "Formschluss erreicht und gleichzeitig dafür gesorgt, dass Mikrorisse im wesentlichen im Bereich der Rückseite 3, das heißt also innerhalb der Kunststoffmasse 7 an der dort angeordnete Stufe entstehen und sich horizontal ausbreiten und sich weniger in Richtung auf die Oberseite 8 des Kunststoffgehäuses ausbreiten.Figure 2 shows a cross section through a section of an electronic component according to a second embodiment of the invention. Components with the same functions as in FIG. 1 are identified by the same reference symbols and are not discussed separately. The difference between the embodiment according to FIG. 2 differs from the embodiment according to FIG. 1 in that the step 11 on the edge sides 4 and 5 of the semiconductor chip is not arranged on the top side 2 of the semiconductor chip, but on the rear side 3. With this The arrangement ensures a secure " positive fit " and at the same time ensures that microcracks occur essentially in the area of the rear side 3, that is to say within the plastic mass 7 at the step located there, and spread horizontally and less towards the top side 8 of the plastic housing spread.
Figur 3 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines elektronischen Bauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Im Unterschied zu den vorhergehenden beiden Figuren wird in Figur 3 eine Ausführungsform der Erfindung gezeigt, bei der die Randseiten 4 und 5 des Halbleiterchips 1 in einem stumpfen Winkel α zur Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 ausgerichtet sind. Mit einem derartigen Profil der Randseiten 4 und 5 wird erreicht, dass sich die Kunststoffmasse 7 mit abnehmende Dicke in Richtung auf die Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 stülpt. Außerdem breiten sich Mikrorisse bevorzugt an dem spitzen Winkel zwischen Rückseite 3 und Seitenrändern 4 und 5 des Halbleiterchips 1 in der Tiefe der Kunststoffmasse 7 aus, jedoch nicht in der Nähe der Oberseite 8 des Kunststoffgehäuses 6.Figure 3 shows a cross section through a section of an electronic component according to a third embodiment of the invention. Components with the same functions as in the previous figures are identified by the same reference symbols and are not discussed separately. In contrast to the previous two figures, FIG. 3 shows an embodiment of the invention in which the edge sides 4 and 5 of the semiconductor chip 1 are oriented at an obtuse angle α to the top side 2 of the semiconductor chip 1. With such a profile of the edge sides 4 and 5, it is achieved that the plastic mass 7, with decreasing thickness, slips in the direction of the upper side 2 of the semiconductor chip 1. In addition, microcracks preferably spread at the acute angle between the rear side 3 and side edges 4 and 5 of the semiconductor chip 1 in the depth of the plastic compound 7, but not in the vicinity of the upper side 8 of the plastic housing 6.
Figur 4 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines elektronischen Bauteils gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung sind die Seitenränder 4 und 5 glatt belassen worden, jedoch ist ein Verankerungsbereich 10 auf der Rückseite 3 des Halblei- terchips angeordnet, der Hinterschneidungen 14 aufweist. Mikrorisse die in diesem auf der Rückseite 3 des Halbleiterchips 1 angeordneten Verankerungsbereich 10 entstehen breiten sich nicht in Richtung auf die gemeinsame Fläche 9 aus . Eine der- artige formschlüssige Verankerung 10 eines Halbleiterchips 1 in einer Kunststoffmasse 7 kann verstärkt werden, wenn die Seitenränder 4 und 5 mikroskopisch kleine Strukturen in Form von Dendriten oder Ausbuchtungen aufweisen, wie es die Figu- ren 5 und 6 zeigen.Figure 4 shows a cross section through a section of an electronic component according to a fourth embodiment of the invention. In this embodiment of the invention, the side edges 4 and 5 have been left smooth, but an anchoring area 10 is arranged on the rear side 3 of the semiconductor chip, which has undercuts 14. Microcracks, the anchoring region 10 arranged in this on the rear side 3 of the semiconductor chip 1 do not spread in the direction of the common surface 9. One of the- Like form-fitting anchoring 10 of a semiconductor chip 1 in a plastic mass 7 can be reinforced if the side edges 4 and 5 have microscopic structures in the form of dendrites or bulges, as shown in FIGS. 5 and 6.
Figur 5 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt im Randseitenbereich des Halbleiterchips 1 eines Bauteils einer fünften Ausführungsform der Erfindung. In dem Randbereich sind Ausbuchtungen 12 angeordnet. Diese Auswölbungen 12 sind abgerundet, so dass Mikrorisse an ihnen abgleiten können.FIG. 5 shows a cross section through a section in the edge side region of the semiconductor chip 1 of a component of a fifth embodiment of the invention. Bulges 12 are arranged in the edge region. These bulges 12 are rounded off so that microcracks can slide on them.
Figur 6 zeigt einen Querschnitt eines Ausschnitts im Randseitenbereich des Halbleiterchips 1 eines Bauteils einer sechs- ten Ausführungsform der Erfindung. In diesem Fall ist dieFIG. 6 shows a cross section of a detail in the edge side region of the semiconductor chip 1 of a component of a sixth embodiment of the invention. In this case it is
Randseite 4 mit Dendriten 13 versehen, die beispielsweise in einem galvanischen Bad auf der Randseite 4 abgeschieden wurden. Derartige Dendriten 13 sorgen für einen intensiven Form- schluss zwischen Halbleiterchip 1 und Kunststoffmasse 7 und können auch auf der hier nicht gezeigten Rückseite 3 desEdge side 4 provided with dendrites 13, which were deposited on edge side 4, for example in a galvanic bath. Such dendrites 13 ensure an intensive positive fit between the semiconductor chip 1 and the plastic compound 7 and can also be seen on the rear side 3 of the
Halbleiterchips 1 aufgebracht werden. Diese Dendriten sind in einem galvanischen Bad auf der Randseite 4 abgeschieden und weisen Oxidkeramiken auf.Semiconductor chips 1 are applied. These dendrites are deposited in a galvanic bath on the edge side 4 and have oxide ceramics.
Genauso ist es denkbar, Oberflächenbereiche auch gezielt abzutragen, um eine ähnlich aufgeraute Randseite zu erzeugen. It is also conceivable to specifically remove surface areas in order to produce a similarly roughened edge side.

Claims

Patentansprüche Patent claims
1. Elektronisches Bauteil, das einen Halbleiterchip (1) mit einer Oberseite 1. Electronic component that has a semiconductor chip (1) with a top side
(2), mit einer Rückseite (3) und mit . Randseiten (4, 5) und ein Kunststoffgehäuse (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (1) in dem Kunststoffgehäuse (6) derart eingebettet ist, dass die Rückseite (3) und/oder die Randseiten (4, 5) des Halbleiterchips (1) von einer KunstStoffmasse (7) umgeben sind, wobei die Randseiten (4, 5) und/oder die Rückseite (2), with a back (3) and with . Edge sides (4, 5) and a plastic housing (6), the semiconductor chip (1) being embedded in the plastic housing (6) in such a way that the back (3) and/or the edge sides (4, 5) of the semiconductor chip (1 ) are surrounded by a plastic mass (7), with the edge sides (4, 5) and / or the back
(3) des Halbleiterchips (2) mindestens einen Verankerungsbereich (10) aufweisen, über den der Halbleiterchip (1) mit der umgebenden Kunststoffmasse (7) formschlüssig in Eingriff steht.(3) of the semiconductor chip (2) have at least one anchoring region (10), via which the semiconductor chip (1) positively engages with the surrounding plastic mass (7).
Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Randseiten (4, 5) ein Profil aufweisen, dass zu derElectronic component according to claim 1, characterized in that the edge sides (4, 5) have a profile that
Oberseite (2) in einem stumpfen Winkel (α) geneigt ist.Top (2) is inclined at an obtuse angle (α).
Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Randseiten (4, 5) eine Stufe (11) aufweisen.Electronic component according to claim 1, characterized in that the edge sides (4, 5) have a step (11).
4. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Randseiten (4, 5) Ausbuchtungen (12) aufweisen.4. Electronic component according to claim 1, characterized in that the edge sides (4, 5) have bulges (12).
5. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An- sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Randseiten (4, 5) und/oder die Rückseite (3) galva- nisch oder chemisch aufgebrachte Dendriten (13) aufweist.5. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the edge sides (4, 5) and / or the back (3) are galvanized has chemically or chemically applied dendrites (13).
Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückseite (3) des Halbleiterchips (1) eine den Halbleiterchip in der Kunststoffmasse (7) verankernde Hinterscheidung (14) oder Unterätzung aufweist.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the back side (3) of the semiconductor chip (1) has an undercut (14) or undercutting which anchors the semiconductor chip in the plastic mass (7).
7. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips (1) mit Verankerungsbereichen (10) für eine den Halbleiterchip (1) umgebende Kunststoffmasse (7), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten integrierten Schaltungen in Halbleiterchippositionen,7. A method for producing a semiconductor chip (1) with anchoring areas (10) for a plastic mass (7) surrounding the semiconductor chip (1), the method having the following method steps: - providing a semiconductor wafer with integrated circuits arranged in rows and columns in semiconductor chip positions,
Trennen des Halbleiterwafers in Halbleiterchips (1) mittels einer Profilsäge und/oder mittels Laserab- trag unter Profilierung der Randseiten (4, 5) und/oder der Rückseite (3) des Halbleiterchips (1), Einbetten des Halbleiterchips (1) in eine Kunststoffmasse (7) .Separating the semiconductor wafer into semiconductor chips (1) using a profile saw and/or using laser ablation with profiling of the edge sides (4, 5) and/or the back (3) of the semiconductor chip (1), embedding the semiconductor chip (1) in a plastic mass (7) .
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Einbetten des Halbleiterchips (1) in eine Kunststoffmasse (7) der Halbleiterchip (1) mit seinen Randseiten (4, 5) und/oder seiner Rückseite (3) in ein Bad zur chemischen oder galvanischen Abscheidung von Dendriten (13) auf den Randseiten (4, 5) und/oder auf der Rückseite (3) eingetaucht wird. 8. The method according to claim 7, characterized in that before embedding the semiconductor chip (1) in a plastic mass (7), the semiconductor chip (1) with its edge sides (4, 5) and / or its back (3) in a bath chemical or galvanic deposition of dendrites (13) on the edge sides (4, 5) and / or on the back (3) is immersed.
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