EP1438728A2 - Micro-condensateur variable (mems) a fort rapport et faible tension d'actionnement - Google Patents

Micro-condensateur variable (mems) a fort rapport et faible tension d'actionnement

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EP1438728A2
EP1438728A2 EP02790535A EP02790535A EP1438728A2 EP 1438728 A2 EP1438728 A2 EP 1438728A2 EP 02790535 A EP02790535 A EP 02790535A EP 02790535 A EP02790535 A EP 02790535A EP 1438728 A2 EP1438728 A2 EP 1438728A2
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EP
European Patent Office
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electrode
micro
deformable
capacitor according
dielectric layer
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EP02790535A
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EP1438728B1 (fr
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Philippe Robert
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/04—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of effective area of electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
    • H01G5/18—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes due to change in inclination, e.g. by flexing, by spiral wrapping

Definitions

  • the invention relates to a variable micro-capacitor, with a high ratio between maximum capacity and minimum capacity and at low actuation voltage.
  • the invention therefore relates to the field of passive micro-components, MEMS (for Micro-Electro-Mechanical-Systems) and radio frequency.
  • variable micro-capacitors used in mobile telephony must meet the following characteristics: - range of capacity variation: ideally from 0.5 to 5 pF, ie a ratio between maximum capacity and minimum capacity of 10;
  • variable micro-capacitors are made of silicon or AsGa, using either pn junction structures or Schott y barrier junctions. These components have the drawback of having a capacity variation range of less than 30% (ratio between maximum capacity and capacity minimum of 1.3), high resistive losses and therefore a low quality factor (typically less than 10).
  • variable micro-capacitors have, by their design and operating principle, a higher quality factor than conventional variable micro-capacitors, typically greater than 30. They can be classified into two categories: those where the variation of capacity is due to a variation of air gap and those where the variation of capacity is due to a variation of surface.
  • MEMS variable micro-capacitors with gap variation are described in the articles "A Micromachine-Based Low Phase-Noise GHz Voltage- Controlled Oscillator for ireless Communications" by Darrin J. Young et al, published in Transducers' 99, 7 -June 10, 1999, Sendai, Japan, pages 1386-1389. These are the most common MEMS micro-capacitors.
  • Such a system consists of a fixed electrode, disposed on a substrate, and an electrode supported by beams forming a spring and located opposite the fixed electrode. The movement of the movable electrode takes place in the direction of the air gap. The air gap between the two electrodes can be adjusted by applying a potential difference, which causes a variation in capacity.
  • This system makes it possible to obtain dimensions of 200 ⁇ m x 200 ⁇ m (i.e. 0.04 mm 2 ) for a capacity varying from 2.11 pF for a zero potential difference between the electrodes to 2.46 pF for a potential difference 5.5 V.
  • These air gap variation micro-capacitors have the following disadvantages. Due to the non-linearity of the electrostatic forces, the air gap variation must be limited to one third of the initial air gap to prevent the mobile electrode from sticking to the fixed electrode. We then theoretically arrive at a variation in capacity limited to 50%. To remedy this problem while retaining the same operating principle, thermal operation can be envisaged as proposed in the article.
  • Variable MEMS micro-capacitors with surface variation are based on the use of a micro-actuator with interdigitated combs.
  • the electrostatic actuator is used to move a comb structure and thus modify the surface covering of each of the constituent teeth of the microcapacitor.
  • micro-capacitors have the following drawbacks.
  • Their actuation voltage is high. It is conventionally between 80 and 200 V.
  • the surface of the component is large, typically close to 1 mm 2 .
  • the capacitance values are low (around 30 to 100 fF).
  • these components are also sensitive to acceleration and shock.
  • the MEMS variable capacitor according to the invention overcomes the drawbacks of the prior art.
  • the proposed structure is comparable to air gap variation capacitors (membrane or beam suspended above a fixed electrode), but is radically distinguished by its mode of operation. Indeed, while for the capacitors of the known art, the bonding of the mobile electrode is avoided on the fixed electrode, in the case of the invention, a localized bonding is caused with the interposition of a dielectric layer consisting of 'a solid dielectric material with possibly an absence of material in certain areas. It is then the bonding surface which, as a function of the control voltage, determines the variation in capacity.
  • the subject of the invention is therefore a MEMS micro-capacitor with variable capacity of the gap variation type, comprising:
  • At least one deformable electrode located opposite the fixed electrode, means forming a solid dielectric layer interposed between the fixed electrode and the deformable electrode,
  • means deflecting with respect to said face of the substrate comprising said deformable electrode and provided for enclosing the means forming a dielectric layer between the deformable electrode and the fixed electrode so as to obtain a surface of means forming an enclosed dielectric layer which varies according to applied bending force,
  • the means for applying a bending force comprise first means for obtaining a surface of the means forming an enclosed dielectric layer corresponding to a first capacity value and second means for obtaining a surface of the means forming an enclosed dielectric layer corresponding to a second capacity value.
  • the flexing means can be chosen from a membrane, a beam fixed by one of its ends or a beam fixed by its two ends.
  • the dielectric layer means can be chosen from a layer of continuous dielectric material, a layer of material dielectric having holes and a set of elements separated from each other. These elements may include studs and / or bands.
  • the dielectric layer means may be integral with the fixed electrode and / or the deformable electrode.
  • the substrate is a silicon wafer covered with a layer of silicon oxide
  • the means forming a dielectric layer can be made of Si 3 N 4 or of Si0 2 or of TaON.
  • the bending means can also be provided for enclosing a part of the means forming a dielectric layer between the deformable electrode and the fixed electrode before the application of a bending force.
  • the means for applying a bending force can be chosen from electrostatic means, electromagnetic means, thermal means and piezoelectric means or by a combination of these means.
  • the means for applying a bending force may include thermal means acting by bila e effect.
  • These thermal means can comprise at least one heating resistor arranged on the flexing means.
  • the deformable electrode can constitute the deflection means.
  • the means for applying a bending force comprise electrostatic means
  • the first means for obtaining a surface of the means forming the enclosed dielectric layer corresponding to a first capacity value can be constituted electrodes for applying an electric field
  • the second means for obtaining a surface of the means forming an enclosed dielectric layer corresponding to a second capacitance value being constituted by electrodes for applying an electric field.
  • said fixed electrode and / or said deformable electrode have a configuration making it possible to obtain a variation in linear capacitance as a function of the means of application of the bending force.
  • Said configuration may consist in giving an electrode, chosen from the fixed electrode and the deformable electrode, a width which is restricted at the place where the fixed electrode and the deformable electrode are first closest, the width of this electrode increasing by moving away from this location, the other electrode among the fixed electrode and the deformable electrode being of constant width.
  • the means for applying a bending force comprise electrostatic means
  • these electrostatic means may comprise at least one electrode situated at a location left free by the configuration given to said electrode.
  • the flexing means can be of the multilayer type.
  • the invention also relates to a process for obtaining a variable capacitance between a fixed electrode and a deformable electrode situated opposite the fixed electrode, means forming a solid dielectric layer being interposed between the fixed electrode and the deformable electrode, characterized in that it comprises the steps consisting in: - enclosing a first surface of the means forming a dielectric layer between the fixed electrode and the deformable electrode, by deformation of the deformable electrode, to obtain a first capacitance value,
  • the deformation of the deformable electrode is obtained by an effect chosen from the electrostatic effect, the electromagnetic effect, the thermal effect, the piezoelectric effect or by a combination of these effects.
  • - Figure 1A is a schematic view from above of a first variant of variable micro-capacitor according to the invention
  • - Figure 1B is a view in longitudinal section, along the axis BB, of the variable micro-capacitor of the Figure 1A,
  • FIGS. 3A and 3B are views in longitudinal section showing the operation of a variable micro-capacitor according to the invention
  • FIG. 4 is a schematic view from above of a third variant of variable micro-capacitor according to the invention.
  • FIG. 5 is a schematic view from above of a fourth variant of variable micro-capacitor according to the invention
  • - Figures 6A to 6 ⁇ are views in longitudinal section showing the production of a variable microcapacitor according to the invention from a silicon substrate
  • FIG. 7 is a view in longitudinal section of another variable micro-capacitor according to the invention.
  • FIG. 8 is a longitudinal sectional view of yet another variable micro-capacitor according to the invention.
  • the micro-capacitor is fabricated on an insulating face of a substrate 1 from which a recess 2 has been produced. It includes a fixed or internal electrode 3 disposed at the bottom of the recess.
  • a layer of dielectric material 4 is deposited on the fixed electrode 3.
  • Above and at a certain distance from the layer of dielectric material 4 is arranged a deformable or upper electrode 5 fixed at its two ends to the substrate 1.
  • the electrode 5 comprises a central part situated opposite the fixed electrode 3 and two lateral parts located on either side of the central part.
  • the layer of dielectric material 4 makes it possible to avoid any short circuit between the deformable electrode 5 and the fixed electrode 3. It provides a capacitive function to the microcapacitor.
  • Two other electrodes are arranged at the bottom of the recess 2, on either side of the fixed electrode 3.
  • the electrodes 6 and 7 are each located opposite one of the lateral parts of the deformable electrode 5.
  • the electrodes 6 and 7 and the lateral parts of the deformable electrode 5 serve for the application of an electrostatic attraction force intended to bring the central part of electrode 5 closer to the fixed electrode 3 until it comes into abutment on the layer of dielectric material 4.
  • FIG. 2 represents, seen from above, a second variant of variable micro-capacitor according to the invention.
  • This variant makes it possible to avoid the presence of electrodes or electrode parts projecting laterally.
  • the deformable electrode 11 is fixed by its two ends to the substrate 10 as before. It consists of a single strip. At the bottom of the recess and facing the deformable electrode 11 are arranged three aligned electrodes, the electrodes 12, 13 and 14.
  • the electrode 13 is in the central position and serves, together with the deformable electrode 11, to apply an electrostatic attraction force intended to bring the central part of the electrode 11 closer to the bottom of the recess.
  • Variable micro-capacitors are obtained between on the one hand the deformable electrode 11 and the fixed electrode 12 and on the other hand between the deformable electrode 11 and the fixed electrode 14.
  • a single variable micro-capacitor can be obtained by connecting the electrodes 12 and 14 together.
  • a layer of dielectric material (not shown in Figure 2). This layer of dielectric material can be deposited on the fixed electrodes and / or on the deformable electrode.
  • the lower electrode may consist of a single strip and the three aligned electrodes arranged opposite the lower electrode.
  • these three electrodes are arranged for example on the underside of a beam or a membrane.
  • Figures 3A and 3B illustrate the operation of a variable micro-capacitor according to the invention, for example that shown in Figures 1A and 1B.
  • the micro-capacitor In the absence of a potential difference between the electrodes, the micro-capacitor is in the state shown in FIG. 1B. In operation, an appropriate DC voltage Vi is applied between the electrodes 6 and 7 on the one hand and 5 on the other hand (see FIG. 1A). This results in an electrostatic attraction force which plates the central part of the deformable electrode 5 on the layer of dielectric material 4. An initial capacity C 0 is then obtained between the deformable electrode 5 and the fixed electrode 3 (see Figure 3A).
  • the abutment of the deformable electrode on the layer of dielectric material to obtain an initial capacitance value can be obtained other than by electrostatic forces. This effect can be achieved by electromagnetic forces, thermal forces (by means of a bimetal strip) or piezoelectric forces.
  • FIG. 4 illustrates another variant of variable micro-capacitor in which the initial capacity results from the action of a thermal bimetallic strip assisted by the application of electrostatic forces.
  • the reference 20 designates the substrate
  • the reference 21 designates the deformable electrode forming beam fixed at its two ends
  • the reference 21 designates the fixed electrode placed at the bottom of the recess.
  • the layer of dielectric material is not shown.
  • Heating resistors 23 are arranged on the deformable electrode 21 near its ends. The passage of a current through the heating resistors 23 induces a local rise in temperature and a bimetallic strip effect which causes the deformation of the deformable electrode 21 so as to bring it into contact with the layer of dielectric material.
  • a first advantage consists in the amplitude of variation of the capacity. This amplitude is very large, typically from 0.5 to 5 pF. This result is explained by the fact that in the case of a partially bonded beam a very small variation in bonding surface is sufficient to significantly modify the capacity of the micro-condenser. In fact, capacity has the expression:
  • the insulator is air ( ⁇ r is therefore 1) and d is generally between 0.5 and 2 ⁇ m.
  • a second advantage results from the low value of the actuation voltage of the device.
  • a third advantage results from the great stability of the capacity obtained. Indeed, the value of the capacity is essentially defined by the bonding of the deformable electrode on the insulator. In this zone, the air gap is fixed and independent of any external disturbance (vibrations, shocks, temperature ...), which makes the capacity perfectly stable over time.
  • a fourth advantage is that the production of the micro-capacitor is compatible with the methods of manufacturing integrated circuits.
  • a fifth advantage comes from the small footprint of the component obtained, typically 350 ⁇ m x 50 ⁇ m, or less than 0.02 mm 2 .
  • a sixth advantage is that the law of variation of the capacity as a function of the applied voltage can be modified by simple redefinition of the electrodes. This can be highlighted by the structure shown in Figure 5.
  • FIG. 5 illustrates a micro-capacitor produced from a substrate 30.
  • the substrate 30 supports, above a recess, the ends of a deformable electrode 31 constituting a beam.
  • the deformable electrode 31 comprises, like the device in FIG. 1A, a central part and two lateral parts. At the bottom of the recess are arranged five fixed electrodes: the electrodes 32 and 33 each arranged opposite one of the lateral parts of the electrode 31 and the electrodes 34, 35 and 36 arranged opposite the deformable electrode 31
  • a layer of dielectric material, not shown, is interposed between the deformable electrode 31 and the electrodes 32 to 36. This layer of dielectric material is for example deposited on the electrodes 32 to 36.
  • the electrodes 32 and 33 are used for contacting of the deformable electrode 31 with the layer of dielectric material to obtain an initial capacitance value.
  • the electrodes 35 and 36- are used to actuate the deformable electrode 31 in view to obtain a desired capacity value.
  • the electrode 34 is also used for actuating the deformable electrode 31. It also serves to define the useful capacity of the micro-capacitor. The curved shape given to the fixed electrode
  • the width of which is minimal at the center of the device, and the presence of the actuating electrodes 35 and 36 in the area left free by the narrowing of the electrode 34 make it possible to "linearize" the variation in capacity as a function of the voltage useful capacity control.
  • FIGS. 6A to 6E illustrate a method for producing a micro-capacitor according to the invention.
  • FIG. 6A shows a silicon substrate 40 on which a layer 41 of silicon oxide 3 ⁇ m thick has been grown by thermal oxidation.
  • a layer of gold 43 1 ⁇ m thick is deposited (see FIG. 6C).
  • the fixed electrode or the fixed electrodes are defined from this layer 43.
  • a layer of silicon nitride 44 150 nm thick is deposited on the fixed electrode or the fixed electrodes.
  • FIG. 6D shows that the recess has been filled with a sacrificial layer 45 of polymer, for example 1.5 ⁇ m thick.
  • the sacrificial layer 45 is planarized and a layer of aluminum 46 2 ⁇ m thick is deposited on the sacrificial layer 45 planarized.
  • the aluminum layer 46 is then etched to provide the desired electrode.
  • the sacrificial layer is then removed. as shown in FIG. 6E and the beam (that is to say the deformable electrode) produced in the aluminum layer 46 is released.
  • FIG. 7 is a longitudinal sectional view of another variable micro-capacitor according to the invention in the rest state.
  • the microcapacitor is fabricated on an insulating face of a substrate 51 from which a recess 52 has been produced. It comprises a fixed or lower electrode 53 placed at the bottom of the recess.
  • a deformable or upper electrode 55 is fixed by its two ends to the substrate 51.
  • the deformable electrode 55 supports on its face internal to the structure a layer of dielectric material 54.
  • the deformable part of the micro-capacitor can also consist of a multilayer comprising a layer of dielectric material internal to the structure (for example made of Si 3 N 4 ) forming a dielectric for the micro-capacitor, a conductive layer (for example made of gold ) forming the deformable electrode and a covering layer (for example made of Si0 2 ) external to the structure.
  • Figure 8 is a longitudinal sectional view of yet another micro-capacitor variable according to the invention and in the rest state. It is manufactured on an insulating face of a substrate 61 from which a recess 62 has been produced. It comprises a fixed or lower electrode 63 disposed at the bottom of the recess.
  • a deformable or upper electrode 65 is fixed by its two ends to the substrate 61.
  • the fixed electrode 63 supports a certain number of elements 64 made of dielectric material, for example made of Si 3 N 4 .
  • These elements 64 can be studs of various shapes or bands also of various shapes. They serve in particular to avoid a short circuit between the electrodes 63 and 65. They constitute, with the gas which surrounds them (for example air), the dielectric of the variable micro-capacitor. They can be obtained by first depositing a continuous layer of dielectric material, then by masking and etching this layer.
  • the elements of dielectric material can be fixed on the face of the deformable electrode internal to the structure.
  • the presence of dielectric elements in replacement of a continuous layer has the advantage of limiting the risks of sticking of the deformable electrode on the bottom of the recess, this sticking being able to be due to a phenomenon of trapping of charges in the material. dielectric or surface effects.
  • variable micro-capacitor finds applications in any component with variable capacity.

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Abstract

L'invention concerne un micro-condensateur MEMS ô capacité variable comprenant : au moins une électrode fixe (3) disposée sur une face d'un substrat (1), des moyens fléchissants par rapport ô la face du substrat et comprenant au moins une électrode mobile (5) située en regard de l'électrode fixe (3), une couche de matériau diélectrique solide interposée entre l'électrode fixe et l'électrode mobile, des moyens (5, 6, 7) d'application d'une force de fléchissement aux moyens fléchissants, destinée ô déplacer l'électrode mobile (5) par rapport ô l'électrode fixe (3) pour obtenir entre ces électrodes une capacité variable en fonction de la force de fléchissement appliquée, ces moyens fléchissants étant prévus pour enserrer la couche de matériau diélectrique entre l'électrode mobile et l'électrode fixe de manière ô obtenir une surface de couche de matériau diélectrique enserrée variable.

Description

MICRO-CONDENSATEUR VARIABLE A FORT RAPPORT ET FAIBLE
TENSION D'ACTIONNEMENT DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un micro-condensateur variable, à fort rapport entre capacité maximale et capacité minimale et à faible tension d'actionnement .
L'invention se rapporte donc au domaine des micro-composants passifs, des MEMS (pour Micro-Electro- Mechanical-Systems) et de la radiofréguence .
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
Les micro-condensateurs variables utilisés en téléphonie mobile doivent répondre aux caractéristiques suivantes : - gamme de variation de capacité : idéalement de 0,5 à 5 pF, soit un rapport entre capacité maximale et capacité minimale de 10 ;
- tension d'alimentation inférieure à 5 V ;
1
- facteur de qualité : Q = supérieur à 30 ;
RCω - dimensions inférieures à 0,05 mm2 ;
- variation de capacité en fonction de la tension de commande la plus linéaire possible.
Dans le domaine de la micro-électronique, les micro-condensateurs variables conventionnels sont réalisés en silicium ou en AsGa, en utilisant soit des structures à jonction pn, soit des jonctions à barrière Schott y. Ces composants présentent l'inconvénient d'avoir une plage de variation de capacité inférieure à 30% (rapport entre capacité maximale et capacité minimale de 1,3), des pertes résistives élevées et par conséquent un facteur de qualité faible (typiquement inférieur à 10) .
Les micro-condensateurs variables .MEMS présentent, de par leur conception et leur principe de fonctionnement, un facteur de qualité plus important que les micro-condensateurs variables conventionnels, typiquement supérieur à 30. On peut les classer en deux catégories : ceux où la variation de capacité est due à une variation d'entrefer et ceux où la variation de capacité est due à une variation de surface.
Les micro-condensateurs variables MEMS à variation d'entrefer sont décrits dans l' articles "A Micromachine-Based Low Phase-Noise GHz Voltage- Controlled Oscillator for ireless Communications" de Darrin J. Young et al, paru dans Transducers' 99, 7-10 juin 1999, Sendai, Japon, pages 1386-1389. Ce sont les micro-condensateurs MEMS les plus courants. Un tel système est constitué d'une électrode fixe, disposée sur un substrat, et d'une électrode supportée par des poutres formant ressort et située en regard de l'électrode fixe. Le déplacement de l'électrode mobile se fait suivant la direction de l'entrefer. L'entrefer entre les deux électrodes peut être ajusté par l'application d'une différence de potentiel, ce qui provoque une variation de capacité. Ce système permet d'obtenir des dimensions de 200 μm x 200 μm (soit 0,04 mm2) pour une capacité variant de 2,11 pF pour une différence de potentiel nulle entre les électrodes à 2,46 pF pour une différence de potentiel de 5,5 V. Ces micro-condensateurs à variation d'entrefer présentent les inconvénients suivants. Du fait de la non-linéarité des forces électrostatiques, la variation d'entrefer doit être limitée au tiers de l'entrefer initial pour éviter que l'électrode mobile ne vienne se coller sur l'électrode fixe. On arrive alors théoriquement à une variation de capacité limitée à 50%. Pour remédier à ce problème tout en conservant le même principe de fonctionnement, un fonctionnement thermique peut être envisagé comme le propose l'article
"The réalisation and design considérations of a flip- chip integrated MEMS tunable capacitor" de Kevin F.
Harsh et al., paru dans Sensors and Actuators 80
(2000), pages 108-118. Cependant, ce type d' actionnement induit, dans la majorité des applications, une consommation excessive. Un autre inconvénient de ces micro-condensateurs à variation d'entrefer est que la variation de capacité n'est pas linéaire par rapport à la tension de commande. De plus, ce type de composant est sensible aux accélérations (capacité non stable en fonction des accélérations) .
Les micro-condensateurs variables MEMS à variation de surface sont basés sur l'utilisation d'un micro-actionneur à peignes interdigités. L'actionneur électrostatique est utilisé pour déplacer une structure en peignes et modifier ainsi le recouvrement de surface de chacune des dents constitutives du microcondensateur.
Ces micro-condensateurs présentent les inconvénients suivants. Leur tension d' actionnement est élevée. Elle est classiquement comprise entre 80 et 200 V. On peut se reporter à ce sujet à l'article "RF MEMS from a device perspective" de J. Jason Yao paru dans J. Micromech. Microeng. 10 (2000) R9-R38. La surface du composant est importante, typiquement voisine de 1 mm2. Les valeurs de capacité sont faibles (d'environ 30 à 100 fF) . En outre, ces composants sont également sensibles aux accélérations et aux chocs.
EXPOSÉ DE L'INVENTION
Le condensateur variable MEMS selon l'invention permet de remédier aux inconvénients de l'art antérieur. La structure proposée est comparable aux condensateurs à variation d'entrefer (membrane où poutre suspendue au-dessus d'une électrode fixe) , mais s'en distingue radicalement par son mode de fonctionnement. En effet, alors que pour les condensateurs de l'art connu, on évite le collage de l'électrode mobile sur l'électrode fixe, dans le cas de l'invention on provoque un collage localisé avec interposition d'une couche diélectrique constituée d'un matériau diélectrique solide avec éventuellement une absence de matériau en certaines zones. C'est alors la surface de collage qui, en fonction de la tension de commande, détermine la variation de capacité.
L'invention a donc pour objet un micro- condensateur MEMS à capacité variable du type à - variation d'entrefer, comprenant :
- au moins une électrode fixe disposée sur une face d'un substrat,
- au moins une électrode déformable située en regard de l'électrode fixe, - des moyens formant couche diélectrique solide interposés entre l'électrode fixe et l'électrode déformable,
- des moyens fléchissant par rapport à ladite face du substrat, comprenant ladite électrode déformable et prévus pour enserrer les moyens formant couche diélectrique entre 1 ' électrode déformable et l'électrode fixe de manière à obtenir une surface de moyens formant couche diélectrique enserrée variable en fonction de la force de fléchissement appliquée,
- des moyens d'application d'une force de fléchissement auxdits moyens fléchissants, destinée à déplacer 1 ' électrode déformable par rapport à l'électrode fixe pour obtenir entre ces électrodes une capacité variable en fonction de la force de fléchissement appliquée, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des premiers moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une première valeur de capacité et des deuxièmes moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une deuxième valeur de capacité . Les moyens fléchissants peuvent être choisis parmi une membrane, une poutre fixée par l'une de ses extrémités ou une poutre fixée par ses deux extrémités .
Les moyens formant couche diélectrique peuvent être choisis parmi une couche de matériau diélectrique continue, une couche de matériau diélectrique présentant des trous et un ensemble d'éléments séparés les uns des autres. Ces éléments peuvent comprendre des plots et/ou des bandes.
Les moyens formant couche diélectrique peuvent être solidaires de l'électrode fixe et/ou de 1 ' électrode déformable .
Avantageusement, le substrat est une plaquette de silicium recouverte d'une couche d'oxyde de silicium, les moyens formant couche diélectrique peuvent être en Si3N4 ou en Si02 ou en TaON.
Les moyens fléchissants peuvent aussi être prévus pour enserrer une partie des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode déformable et l'électrode fixe avant l'application d'une force de fléchissement.
Les moyens d'application d'une force de fléchissement peuvent être choisis parmi des moyens électrostatiques, des moyens électromagnétiques, des moyens thermiques et des moyens piézoélectriques ou par une combinaison de ces moyens. Les moyens d'application d'une force de fléchissement peuvent comprendre des moyens thermiques agissant par effet bila e. Ces moyens thermiques peuvent comprendre au moins une résistance chauffante disposée sur les moyens fléchissants. L'électrode déformable peut constituer les moyens de fléchissement.
Si les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des moyens électrostatiques, les premiers moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une première valeur de capacité peuvent être constitués d'électrodes d'application d'un champ électrique, les deuxièmes moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une deuxième valeur de capacité étant constitués d'électrodes d'application d'un champ électrique.
Avantageusement, ladite électrode fixe et/ou ladite électrode déformable ont une configuration permettant d'obtenir une variation de capacité linéaire en fonction des moyens d'application de la force de fléchissement. Ladite configuration peut consister à donner à une électrode, choisie parmi l'électrode fixe et l'électrode déformable, une largeur restreinte à l'endroit où l'électrode fixe et l'électrode déformable sont d'abord les plus rapprochées, la largeur de cette électrode augmentant en s 'éloignant de cet endroit, l'autre électrode parmi l'électrode fixe et l'électrode déformable étant de largeur constante. Si les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des moyens électrostatiques, ces moyens électrostatiques peuvent comprendre au moins une électrode située à un emplacement laissé libre par la configuration donnée à ladite électrode.
Les moyens fléchissants peuvent être du type multicouche. L'invention a aussi pour objet un procédé d'obtention d'une capacité variable entre une électrode fixe et une électrode déformable située en regard de l'électrode fixe, des moyens formant couche diélectrique solide étant interposés entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à : - enserrer une première surface des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, par déformation de l'électrode déformable, pour obtenir une première valeur de capacité,
- enserrer une deuxième surface des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, par déformation de l'électrode déformable, pour obtenir une deuxième valeur de capacité.
Avantageusement, la déformation de l'électrode déformable est obtenue par un effet choisi parmi l'effet électrostatique, l'effet électromagnétique, l'effet thermique, l'effet piézoélectrique ou par une combinaison de ces effets.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels :
- la figure 1A est une vue schématique et de dessus d'une première variante de micro-condensateur variable selon l'invention, - la figure 1B est une vue en coupe longitudinale, selon l'axe BB, du micro-condensateur variable de la figure 1A,
- la figure 2 est une vue schématique et de dessus d'une deuxième variante de. micro-condensateur variable selon l'invention, - les figures 3A et 3B sont des vues en coupe longitudinale montrant le fonctionnement d'un micro-condensateur variable selon l'invention,
- la figure 4 est une vue schématique et de dessus d'une troisième variante de micro-condensateur variable selon l'invention,
- la figure 5 est une vue schématique et de dessus d'une quatrième variante de micro-condensateur variable selon l'invention, - les figures 6A à 6Ξ sont des vues en coupe longitudinale montrant la réalisation d'un microcondensateur variable selon l'invention à partir d'un substrat en silicium,
- la figure 7 est une vue en coupe longitudinale d'un autre micro-condensateur variable selon 1 ' invention,
- la figure 8 est une vue en coupe longitudinale d'encore un autre micro-condensateur variable selon l'invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE ' INVENTION
Une première variante de micro-condensateur variable selon l'invention est illustrée par les figures 1A (vue de dessus) et 1B (vue en coupe longitudinale) . Le micro-condensateur est fabriqué sur une face isolante d'un substrat 1 à partir de laquelle un évidement 2 a été réalisé. Il comprend une électrode fixe ou intérieure 3 disposée au fond de l'evidement. Une couche de matériau diélectrique 4 est déposée sur l'électrode fixe 3. Au-dessus et à une certaine distance de la couche de matériau diélectrique 4 est disposée une électrode déformable ou supérieure 5 fixée à ses deux extrémités au substrat 1. L'électrode 5 comprend une partie centrale située en regard de l'électrode fixe 3 et deux parties latérales situées de part et d'autre de la partie centrale. La couche de matériau diélectrique 4 permet d'éviter tout court- circuit entre l'électrode déformable 5 et l'électrode fixe 3. Elle assure une fonction capacitive au microcondensateur.
Deux autres électrodes, référencées 6 et 7, sont disposées au fond de l'evidement 2, de part et d'autre de l'électrode fixe 3. Les électrodes 6 et 7 sont chacune situées en regard de l'une des parties latérales de l'électrode déformable 5. Les électrodes 6 et 7 et les parties latérales de l'électrode déformable 5 servent à l'application d'une force d'attraction électrostatique destinée à rapprocher la partie centrale de l'électrode 5 de l'électrode fixe 3 jusqu'à venir en butée sur la couche de matériau diélectrique 4.
La figure 2 représente, vu de dessus, une deuxième variante de micro-condensateur variable selon l'invention. Cette variante permet d'éviter la présence d'électrodes ou de parties d'électrode en dépassement latéral. L'électrode déformable 11 est fixée par ses deux extrémités au substrat 10 comme précédemment. Elle est constituée d'une simple bande. Au fond de l'evidement et en regard de l'électrode déformable 11 sont disposées trois électrodes alignées, les électrodes 12, 13 et 14. L'électrode 13 est en position centrale et sert, conjointement avec l'électrode déformable 11, à l'application d'une force d'attraction électrostatique destinée à rapprocher la partie centrale de l'électrode 11 du fond de l'evidement. On obtient des micro-condensateurs variables entre d'une part l'électrode déformable 11 et l'électrode fixe 12 et d'autre part entre l'électrode déformable 11 et l'électrode fixe 14. Un micro-condensateur variable unique peut être obtenu en reliant les électrodes 12 et 14 entre elles.
Entre 1 ' électrode déformable 11 et les électrodes fixes 12, 13 et 14 est disposée une couche de matériau diélectrique (non représenté sur la figure 2) . Cette couche de matériau diélectrique peut être déposée sur les électrodes fixes et/ou sur l'électrode déformable .
En variante, l'électrode inférieure peut être constituée d'une simple bande et les trois électrodes alignées disposées en regard de l'électrode inférieure. Dans ce cas, ces trois électrodes sont disposées par exemple sur la face inférieure d'une poutre ou d'une membrane.
Les figures 3A et 3B illustrent le fonctionnement d'un micro-condensateur variable selon l'invention, par exemple celui représenté aux figures 1A et 1B.
En l'absence de différence de potentiel entre les électrodes, le micro-condensateur est dans l'état représenté à la figure 1B . En fonctionnement, une tension continue appropriée Vi est appliquée entre les électrodes 6 et 7 d'une part et 5 d'autre part (voir la figure 1A) . Il en résulte une force d'attraction électrostatique qui plaque la partie centrale de 1 ' électrode déformable 5 sur la couche de matériau diélectrique 4. On obtient alors, entre l'électrode déformable 5 et l'électrode fixe 3, une capacité initiale C0 (voir la figure 3A) .
L'application d'une tension continue appropriée V2 entre 1 ' électrode déformable 5 et l'électrode fixe 3 augmente la force d'attraction électrostatique et plaque davantage l'électrode déformable 5 sur la couche de matériau diélectrique 4. On obtient alors, entre l'électrode déformable 5 et l'électrode fixe 3, une capacité C > C0. II existe une relation qui relie la capacité C à la tension V2. Cette relation est déterminée par le profil et la répartition des électrodes du micro-condensateur.
La mise en butée de l'électrode déformable sur la couche de matériau diélectrique pour obtenir une valeur de capacité initiale peut être obtenue autrement que par dès forces électrostatiques . Cet effet peut être obtenu grâce à des forces électromagnétiques, des forces thermiques (au moyen d'un bilame) ou des forces piézoélectriques.
La figure 4 illustre une autre variante de micro-condensateur variable où la capacité initiale résulte de l'action d'un bilame thermique assisté par l'application de forces électrostatiques. Dans cette vue de dessus, la référence 20 désigne le substrat, la référence 21 désigne l'électrode déformable formant poutre fixée à ses deux extrémités et la référence 21 désigne l'électrode fixe disposée au fond de l'evidement. La couche de matériau diélectrique n'est pas représentée . Des résistances chauffantes 23 sont disposées sur l'électrode déformable 21 à proximité de ses extrémités. Le passage d'un courant dans les résistances chauffantes 23 induit une élévation locale de la température et un effet bilame qui provoque la déformation de l'électrode déformable 21 pour l'amener jusqu'au contact avec la couche de matériau diélectrique. Une fois l'électrode déformable en contact, son maintien en position déformée peut être assuré uniquement par des forces électrostatiques en utilisant les électrodes 21 et 22. Ceci permet d'éviter une consommation excessive du composant. Cette force électrostatique peut éventuellement être associée à l'effet bilame lors de la phase de déformation et de mise en contact. L'invention combine plusieurs avantages particulièrement intéressants. Un premier avantage consiste dans l'amplitude de variation de la capacité. Cette amplitude est très importante, typiquement de 0,5 à 5 pF. Ce résultat s'explique par le fait que dans le cas d'une poutre partiellement collée une très faible variation de surface de collage suffit à modifier sensiblement la capacité du micro-condensateu . En effet, la capacité a pour expression :
S c = εo . εr. d avec ε0 la permittivité électrique du vide, εr la constante diélectrique de l'isolant, S la surface de collage et d l'épaisseur de l'isolant.
Dans le cas des micro-condensateurs MEMS de l'état de l'art, l'isolant est de l'air (εr vaut donc 1) et d est généralement compris entre 0,5 et 2 μm. Dans le cas des micro-condensateurs selon l'invention, la capacité est principalement définie par la zone collée, c'est-à-dire la zone où εr = 7,5 dans le cas du nitrure de silicium et où d est voisin de 0,15 μm. Il est donc clair que l'effet d'une augmentation de la surface de collage sur la capacité est fortement accentué par la forte valeur de εr et la faible valeur de d.
Un deuxième avantage résulte de la faible valeur de la tension d' actionnement du dispositif
(inférieure ou égale à 3V) . On peut noter à ce sujet, que le collage de l'électrode déformable permet de diminuer très fortement la tension de maintien de la poutre déformée. Les calculs montrent par exemple que, dans le cas d'une poutre où une dizaine de volts sont nécessaires pour coller l'électrode déformable, moins de 2 volts suffisent ensuite à la maintenir en position déformée .
Un troisième avantage résulte de la grande stabilité de la capacité obtenue. En effet, la valeur de la capacité est essentiellement définie par le collage de l'électrode déformable sur l'isolant. Dans cette zone, l'entrefer est fixe et indépendant de toute perturbation extérieure (vibrations, chocs, température...), ce qui rend la capacité parfaitement stable dans le temps . Un quatrième avantage est que la réalisation du micro-condensateur est compatible avec les procédés de fabrication des circuits intégrés.
Un cinquième avantage provient du faible encombrement du composant obtenu, typiquement 350 μm x 50 μm, soit moins de 0,02 mm2.
Un sixième avantage est que la loi de variation de la capacité en fonction de la tension appliquée est modifiable par simple redéfinition des électrodes. Ceci peut être mis en évidence par la structure représentée à la figure 5.
La figure 5 illustre un micro-condensateur réalisé à partir d'un substrat 30. Le substrat 30 supporte, au-dessus d'un évidement, les extrémités d'une électrode déformable 31 constituant une poutre. L'électrode déformable 31 comprend, comme le dispositif de la figure 1A, une partie centrale et deux parties latérales. Au fond de l'evidement sont disposées cinq électrodes fixes : les électrodes 32 et 33 disposées chacune en regard de l'une des parties latérales de l'électrode 31 et les électrodes 34, 35 et 36 disposées en regard de l'électrode déformable 31. Une couche de matériau diélectrique non représentée est interposée entre l'électrode déformable 31 et les électrodes 32 à 36. Cette couche de matériau diélectrique est par exemple déposée sur les électrodes 32 à 36. Les électrodes 32 et 33 servent à la mise en contact de l'électrode déformable 31 avec la couche de matériau diélectrique pour obtenir une valeur de capacité initiale. Les électrodes 35 et 36- servent à 1 'actionnement de l'électrode déformable 31 en vue d'obtenir une valeur de capacité désirée. L'électrode 34 sert également à 1 'actionnement de l'électrode déformable 31. Elle sert en plus à la définition de la capacité utile du micro-condensateur. La forme incurvée donnée à l'électrode fixe
34, dont la largeur est minimale au centre du dispositif, et la présence des électrodes d' actionnement 35 et 36 dans la zone laissée libre par le rétrécissement de l'électrode 34 permettent de "linéariser" la variation de capacité en fonction de la tension de commande de capacité utile.
Les figures 6A à 6E illustrent un procédé de réalisation d'un micro-condensateur selon 1 ' invention. La figure 6A montre un substrat 40 en silicium sur lequel on a fait croître, par oxydation thermique, une couche 41 d'oxyde de silicium de 3 μm d' épaisseur.
Par lithographie et gravure, un évidement 42 de 2 μm de profondeur est créé dans la couche d'oxyde 41 (voir la figure 6B) .
Au fond de l'evidement 42, on dépose une couche d'or 43 de 1 μm d'épaisseur (voir la figure 6C) . Par lithographie et gravure, l'électrode fixe ou les électrodes fixes sont définies à partir de cette couche 43. Une couche en nitrure de silicium 44 de 150 nm d'épaisseur est déposée sur l'électrode fixe ou les électrodes fixes.
La figure 6D montre que l'evidement a été comblé par une couche sacrificielle 45 de polymère, par exemple de 1,5 μm d'épaisseur. La couche sacrificielle 45 est planarisee et une couche d'aluminium 46 de 2 μm d'épaisseur est déposée sur la couche sacrificielle 45 planarisee. Par lithographie, on détermine la forme à donner à l'électrode déformable destinée à constituer une poutre. La couche d'aluminium 46 est ensuite gravée pour fournir l'électrode désirée.
La couche sacrificielle est ensuite éliminée . comme le montre la figure 6E et la poutre (c'est-à-dire l'électrode déformable) réalisée dans la couche d'aluminium 46 est libérée.
La figure 7 est une vue en coupe longitudinale d'un autre micro-condensateur variable selon l'invention à l'état de repos. Le microcondensateur est fabriqué sur une face isolante d'un substrat 51 à partir de laquelle un évidement 52 a été réalisé. Il comprend une électrode fixe ou inférieure 53 disposée au fond de l'evidement. Une électrode déformable ou supérieure 55 est fixée par ses deux extrémités au substrat 51. L'électrode déformable 55 supporte sur sa face interne à la structure une couche de matériau diélectrique 54.
La partie déformable du micro-condensateur peut aussi être constituée d'une multicouche comprenant une couche de matériau diélectrique interne à la structure (par exemple en Si3N4) formant diélectrique pour le micro-condensateur, une couche conductrice (par exemple en or) formant l'électrode déformable et une couche de recouvrement (par exemple en Si02) externe à la structure . La figure 8 est une vue en coupe longitudinale d'encore un autre micro-condensateur variable selon l'invention et à l'état de repos. Il est fabriqué sur une face isolante d'un substrat 61 à partir de laquelle un évidement 62 a été réalisé. Il comprend une électrode fixe ou inférieure 63 disposée au fond de 1 ' évidement . Une électrode déformable ou supérieure 65 est fixée par ses deux extrémités au substrat 61. L'électrode fixe 63 supporte un certain nombre d'éléments 64 en matériau diélectrique, par exemple en Si3N4. Ces éléments 64 peuvent être des plots de forme variée ou des bandes également de forme variée. Ils servent en particulier à éviter un court- circuit entre les électrodes 63 et 65. Ils constituent avec le gaz qui les entoure (par exemple de l'air) le diélectrique du micro-condensateur variable. Ils peuvent être obtenus en déposant d'abord une couche continue de matériau diélectrique, puis en masquant et en gravant cette couche .
Comme pour le micro-condensateur de la figure 7, les éléments en matériau diélectrique peuvent être fixés sur la face de l'électrode déformable interne à la structure .
La présence d'éléments diélectriques en remplacement d'une couche continue a pour avantage de limiter les risques de collage de l'électrode déformable sur le fond de l'evidement, ce collage pouvant être dû à un phénomène de piègeâge de charges dans le matériau diélectrique ou à des effets de surface.
Le micro-condensateur variable selon l'invention trouve des applications dans tout composant à capacité variable. On peut citer les filtres de type RLC, les amplificateurs paramétriques à faible bruit, les générateurs de fréquences harmoniques , les contrôleurs de fréquences .

Claims

REVENDICATIONS
1. Micro-condensateur MEMS à capacité variable du type à variation d'entrefer, comprenant : - au moins une électrode fixe (3, 12, 14,
22, 34) disposée sur une face d'un substrat (1, 10, 20, 30) ,
- au moins une électrode déformable (5, 11, 21, 31) située en regard de l'électrode fixe, - des moyens formant couche diélectrique solide (4) interposés entre l'électrode fixe et 1 ' électrode déformable,
- des moyens fléchissant par rapport à ladite face du substrat, comprenant ladite électrode déformable et prévus pour enserrer les moyens formant couche diélectrique (4) entre l'électrode déformable et l'électrode fixe de manière à obtenir une surface de moyens formant couche diélectrique enserrée variable en fonction de la force de fléchissement appliquée, - des moyens d'application d'une force de fléchissement auxdits moyens fléchissants, destinée à déplacer 1 ' électrode déformable par rapport à l'électrode fixe pour obtenir entre ces électrodes une capacité variable en fonction de la force de fléchissement appliquée, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des premiers moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique (4) enserrée correspondant à une première valeur de capacité et des deuxièmes moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique (4) enserrée correspondant à une deuxième valeur de capacité.
2. Micro-condensateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens fléchissants sont choisis parmi une membrane, une poutre fixée par l'une de ses extrémités ou une poutre fixée par ses deux extrémités.
3. Micro-condensateur selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les moyens formant couche diélectrique sont choisis parmi une couche de matériau diélectrique continue (4, 44, 54), une couche de matériau diélectrique présentant des trous et un ensemble d'éléments (64) séparés les uns des autres .
4. Micro-condensateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que les éléments (64) comprennent des plots et/ou des bandes.
5. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les moyens formant couche diélectrique sont solidaires de l'électrode fixe et/ou de l'électrode déformable .
6. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le substrat est une plaquette de silicium (40) recouverte d'une couche d'oxyde de silicium (41).
7. Micro- condensateur selon la revendication 6 , caractérisé en ce que les moyens formant couche diélectrique sont en Si3N4 ou en Si02 ou en TaON .
8. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les moyens fléchissants sont prévus pour enserrer une partie des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode déformable et l'électrode fixe avant l'application d'une force de fléchissement.
9. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement sont choisis parmi des moyens électrostatiques, des moyens électromagnétiques, des moyens thermiques et des moyens piézoélectriques ou par une combinaison de ces moyens.
10. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l'électrode déformable (5) constitue les moyens fléchissants.
11. Micro-condensateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des moyens thermiques agissant par effet bilame.
12. Micro-condensateur selon la revendication 11 , caractérisé en ce que les moyens thermiques comprennent au moins une résistance chauffante (23 ) disposée sur les moyens fléchissants (21) .
13. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement comprenant des moyens électrostatiques, les premiers moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une première valeur de capacité sont constitués d'électrodes (5, 6, 7) d'application d'un champ électrique, les deuxièmes moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une deuxième valeur de capacité sont constitués d'électrodes (3, 5) d'application d'un champ électrique.
14. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que ladite électrode fixe (31) et/ou ladite électrode déformable (34) ont une configuration permettant d'obtenir une variation de capacité linéaire en fonction des moyens d'application de la force de fléchissement .
15. Micro-condensateur selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite configuration consiste à donner à une électrode (34) , choisie parmi l'électrode fixe et l'électrode déformable, une largeur restreinte à l'endroit où l'électrode fixe et l'électrode déformable sont d'abord les plus rapprochées, la largeur de cette électrode (34) augmentant en s'éloignant de cet endroit, l'autre électrode parmi l'électrode fixe et l'électrode déformable étant de largeur constante .
16. Micro-condensateur selon la revendication 15, caractérisé en ce que, les moyens d'application d'une force de fléchissement comprenant des moyens électrostatiques, ces moyens électrostatiques comprennent au moins une électrode
(35, 36) située à un emplacement laissé libre par la configuration donnée à ladite électrode (34) .
17. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que les moyens fléchissants sont du type multicouche.
18. Procédé d'obtention d'une capacité variable entre une électrode fixe (3, 34, 43, 53, 63) et une électrode déformable (5, 31, 46, 55, 65) située en regard de l'électrode fixe, des moyens formant couche diélectrique solide (4, 44, 54, 64) étant interposés entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à :
- enserrer une première surface des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, par déformation de l'électrode déformable, pour obtenir une première valeur de capacité,
- enserrer une deuxième surface des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, par déformation de l'électrode déformable, pour obtenir une deuxième valeur de capacité .
19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que la déformation de l'électrode déformable (5, 31, 46, 55, 56) est obtenue par un effet choisi parmi l'effet électrostatique, l'effet électromagnétique, l'effet thermique, l'effet piézoélectrique ou par une combinaison de ces effets.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2868591B1 (fr) * 2004-04-06 2006-06-09 Commissariat Energie Atomique Microcommutateur a faible tension d'actionnement et faible consommation
WO2005117042A1 (fr) * 2004-05-31 2005-12-08 Fujitsu Limited Condensateur variable et processus pour sa fabrication
US7653371B2 (en) * 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US7657242B2 (en) 2004-09-27 2010-02-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
FR2876995B1 (fr) * 2004-10-26 2007-05-04 Commissariat Energie Atomique Microsysteme comportant un pont deformable
FR2884960B1 (fr) * 2005-04-25 2007-07-06 Commissariat Energie Atomique Micro-condensateur electromecanique a capacite variable et procede de fabrication d'un tel micro-condensateur
DE102005026203B4 (de) * 2005-06-07 2007-08-09 Siemens Ag Kondensator mit veränderbarer Kapazität, Verfahren zum Herstellen des Kondensators und Verwendung des Kondensators
US7619864B1 (en) 2007-04-04 2009-11-17 National Semiconductor Corporation Regulator short-circuit protection circuit and method
EP2168239A2 (fr) 2007-06-13 2010-03-31 Nxp B.V. Condensateur de microsystème électromécanique accordable
JP2016058695A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社東芝 電子デバイス
US10942110B2 (en) 2017-06-15 2021-03-09 United Arab Emirates University System and method for detecting abnormalities in cells
WO2019005020A1 (fr) * 2017-06-27 2019-01-03 Intel Corporation Dispositifs micro-électroniques dotés de condensateurs variables intégrés dans un boîtier à actionnement piézoélectrique

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5901031A (en) * 1995-02-01 1999-05-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable capacitor
US6034414A (en) * 1997-11-18 2000-03-07 Industrial Technology Research Institute Variable capacitor using resistor generated heat to control dielectric thickness
DE19903571A1 (de) * 1999-01-29 2000-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Elektrostatisch durchstimmbare Kapazität und Verfahren zum Herstellen derselben
DE10043758A1 (de) * 1999-12-15 2001-07-05 Fraunhofer Ges Forschung Durchstimmbarer Hochfrequenzkondensator
US6229684B1 (en) * 1999-12-15 2001-05-08 Jds Uniphase Inc. Variable capacitor and associated fabrication method
FI20000339A (fi) * 2000-02-16 2001-08-16 Nokia Mobile Phones Ltd Mikromekaaninen säädettävä kondensaattori ja integroitu säädettävä resonaattori
US6507475B1 (en) * 2000-06-27 2003-01-14 Motorola, Inc. Capacitive device and method of manufacture

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