EP1417541A2 - Diaphragm for an integrator unit - Google Patents

Diaphragm for an integrator unit

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Publication number
EP1417541A2
EP1417541A2 EP02754928A EP02754928A EP1417541A2 EP 1417541 A2 EP1417541 A2 EP 1417541A2 EP 02754928 A EP02754928 A EP 02754928A EP 02754928 A EP02754928 A EP 02754928A EP 1417541 A2 EP1417541 A2 EP 1417541A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
aperture
width
diaphragm
light
integrator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP02754928A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Johannes Wangler
Markus DEGÜNTHER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of EP1417541A2 publication Critical patent/EP1417541A2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

Definitions

  • the invention relates to an aperture according to the preamble of claim 1.
  • Such screens in lighting systems for microlithography projection exposure systems are known for example from US 5,473,408.
  • a reflective diaphragm with a circular diaphragm opening is arranged directly in front of a rod integrator.
  • light can enter the rod integrator through the aperture opening, and on the other hand light that is reflected back by the reticle and returns to the rod integrator is reflected again on the reflecting aperture surface and fed back to the useful light.
  • the aperture opening has a diameter that is significantly smaller than the rod height.
  • Lighting system is reflected back into the rod integrator, to return the useful light. Since a laser with a low etendue (phase space volume) is used as the light source, the light can be focused on the diaphragm with condenser optics in such a way that the light passes through the diaphragm opening without vignetting and the diaphragm opening has the smallest possible diameter.
  • a laser with a low etendue phase space volume
  • Illumination systems for microlithography with a rod integrator are also known from the applicant's US Pat. No. 5,675,401.
  • a high-pressure mercury lamp is used as the light source.
  • Such light sources have, in addition to an almost spherical radiation characteristic, a finite extent, so that they are in the Compared to laser light sources have a significantly larger etendue.
  • a condenser optic focuses the light on the entry surface of the rod integrator and generates a light spot there. This is round as long as the light source has an extension that is rotationally symmetrical to the optical axis and the optical components in the condenser optics have rotationally symmetrical optical effects.
  • rod integrators are used whose entrance area has a high aspect ratio of rod width to rod height, for example of 2: 1 or larger. It can happen that the extent of the light spot is greater than the rod height. This leads to light being vignetted. However, since the beam angles occurring on the entry surface are generally dependent on the distance from the optical axis, the vignetting leads to a so-called elliptical pupil illumination.
  • Elliptical pupil illumination means intensity distributions in the pupil planes, which have a greater overall intensity in the quadrants arranged around a horizontal axis than in the quadrants arranged around a vertical axis and thus when imaging horizontal and vertical structures with projection lenses of microlithography to a different Resolve horizontal and vertical structures.
  • the object of the invention is therefore to improve lighting systems with rod integrators.
  • the light spot on the entry surface of the rod integrator can be vignetted in such a way that pupil illuminations with low ellipticity after the rod integrator are nevertheless ensured with a high coupling efficiency.
  • the coupling efficiency is given by the ratio of the area of the aperture to the area of the light spot.
  • the ellipticity of a pupil illumination is a scalar quantity and is determined by forming the ratio of the total intensities of the quadrants arranged around a horizontal axis and the total intensities of the quadrants arranged around a vertical axis.
  • the quadrants are delimited by two straight lines that intersect in the middle of the pupil illumination, are perpendicular to each other and each form an angle of 45 ° to the horizontal direction.
  • the ellipticity is equal to the ratio of a first integral, which integrates over all points of the intensity distribution whose x values are greater in magnitude than the y values, and a second integral, which integrates over all points of the intensity distribution whose y values are larger in magnitude than the x values:
  • ellipticity The x-axis points in the horizontal direction, the y-axis in the vertical direction. Pupil illuminations without ellipticity have an ellipticity equal to 1.0 or 100%.
  • the diaphragm has an diaphragm opening which is symmetrical to a first axis of symmetry which points in the x direction. It is thereby achieved that the light spot is vignetted symmetrically with respect to this axis of symmetry.
  • This diaphragm is now arranged in front of a bar integrator, the bar width of which is measured in the x direction and the bar height of which is measured in the y direction, the bar width generally being greater than the bar height.
  • the diameter of the light spot should be larger than the rod height.
  • the aperture can be used to trim the light spot in such a way that the width of the light spot is almost equal to the height of the light spot, which can be seen by vignetting on the upper or lower edge of the
  • Diaphragm opening or on the entry surface of the rod integrator results, depending on whether the diaphragm opening or the rod integrator have a lower height. If the angular distribution on the entry surface of the rod integrator depends on the distance from the optical axis, the parts of the light spot can be vignetted in the x direction that are trimmed in the y direction through the aperture or the entry surface of the rod integrator. Without a diaphragm, elliptical pupil illuminations would result in a pupil plane after the rod integrator. With the diaphragm according to the invention, the ellipticity of the pupil illumination after the rod integrator can be significantly reduced.
  • a pupil plane after the rod integrator can, for example, the exit pupil of the rod integrator or a pupil plane within one in the light direction after the
  • a pupil plane in front of the rod integrator can be, for example, the entrance pupil of the rod integrator or a pupil plane within an objective arranged in front of the rod integrator in the direction of light.
  • the pupil illumination in front of the bar integrator is a so-called multipole illumination, which is characterized by a plurality of illuminated areas separated from one another, the use of the diaphragm according to the invention ensures that the total intensities of the individual areas of the pupil illumination after the bar integrator are almost in the same ratio to one another stand in front of the rod integrator like the total intensities of the individual areas of the pupil illumination.
  • Possible multipole illuminations are, for example, dipole illumination with two separate ones Areas or quadrupole lighting with four separate areas.
  • a circular aperture opening the diameter of which is equal to the rod height, achieves pupil illumination without ellipticity, unless other factors influence the pupil illumination.
  • Circular apertures have the disadvantage that they vignette a considerable proportion of the light spot.
  • square apertures pupil illuminations without ellipticity are also achieved, the coupling efficiency of an aperture with a square aperture being 4 / ⁇ greater than with a corresponding aperture with a circular aperture.
  • the ratio of a second width B 2 at y H B ⁇ / 2 to one
  • the widths of the diaphragm opening should be greater than or equal to the first width ⁇ and less than or equal to the second width B 2 .
  • This shape of the diaphragm opening which widens starting from the first axis of symmetry upwards and downwards, leads again to slightly elliptical pupil illuminations, but also to a considerable increase in the coupling efficiency.
  • the maximum width at the top of the aperture depends on the tolerable ellipticity of the pupil illumination.
  • the predetermined distance y 0 in relation to the first width B 1; is set to the second width B 2 and the height H B ⁇ of the aperture.
  • This condition ensures that the widths of the aperture do not increase too much towards the edge. It is particularly favorable if the widths increase linearly between the predetermined distance y 0 and the upper edge of the diaphragm opening. As a result, triangular additional areas are added to the central square aperture at all four corners, which increase the coupling efficiency and introduce only a low ellipticity of the pupil illumination.
  • the boundary lines between the specified distance y 0 and the upper edge of the diaphragm opening should enclose an angle between 0 ° and 60 °, in particular between 30 ° and 60 °, so that the ellipticity of the pupil illumination remains within tolerable limits.
  • the diaphragm opening has an axis of symmetry in the y direction in addition to the axis of symmetry in the x direction.
  • Illumination systems of microlithography to be adapted to typical rod integrators.
  • the invention also relates to an integrator unit consisting of the aperture described above and a subsequent rod integrator.
  • the diaphragm should be arranged directly in front of the entry surface of the rod integrator, the distance between the diaphragm and the entry surface being given by the mechanical boundary conditions of the sockets of the components.
  • the aperture can also be arranged interchangeably in front of the rod integrator. It is also possible, for example, to apply the diaphragm directly to the entry surface by means of a non-transparent coating.
  • the diaphragm can also be imaged on the entry surface of the rod integrator with an imaging optical system.
  • the diaphragm can also have a coating reflecting at the working wavelength in order to be able to use the advantages described, for example, in US Pat. No. 5,473,408.
  • the rod integrator can be designed as a waveguide or as a glass rod.
  • the use of the aperture and the integrator unit is not limited to a microlithography projection exposure system. Rather, such integrator units can generally be used in lighting systems which work with rod integrators as homogenizers and place high demands on the pupil illumination. It can be used, for example, in lighting systems for wafer inspection systems, for exposure systems for the production of flat screens, for projectors or for microscopes.
  • Elliptical pupil illuminations occur primarily when the entry surface of the rod integrator is rectangular and the light spot within which the angular distribution depends on the distance from the optical axis is vignetted differently in the x and y directions on the entry surface.
  • the use of the screen according to the invention is therefore favorable when the ratio of bar width and bar height is at least 1.5.
  • aspect ratios in the
  • the effective height of the panel should be equal to the bar height, i.e. the physical height of the panel should be at least equal to or greater than the rod height.
  • a condenser lens system is usually arranged between the light source and the integrator unit, which comprises all optical components between the light source and the integrator unit.
  • the condenser optics collects the light from the light source, focuses it on the entrance surface of the rod integrator and creates a light spot there.
  • the condenser optics can also include a zoom lens and / or axicon lenses in order to influence the angular distribution on the entry surface of the rod integrator and thus also the shape and extent of the pupil illumination. Diffractive lenses can be used in condenser optics.
  • the optical components of the condenser optics usually have one to the optical axis rotationally symmetrical optical effect.
  • the shape of the light spot is round, and the angular distribution at the entrance surface depends only on the distance from the optical axis. If the diameter of the light spot is larger than the height of the rod, elliptical pupil illuminations after the rod integrator occur without a diaphragm with an aspect ratio of the entry surface greater than 1: 1. With the aperture described above, it is possible to achieve ellipticities of less than 10%, in particular less than 5%, even if the diameter of the light spot is 150% greater than the rod height.
  • the coupling efficiency is advantageously greater than when using an aperture with a circular aperture opening, the diameter of which is equal to the rod height, in particular greater by 4 / ⁇ , particularly preferably greater than 1.3.
  • Microlithography projection exposure system for use which in addition to the lighting system comprises a projection lens which images a structure-bearing mask on a light-sensitive substrate. Resolutions of less than 300 nm are achieved, so that particularly high demands are placed on the pupil illumination.
  • This microlithography projection exposure system can be used to manufacture semiconductor components, among other things.
  • the invention also relates to a method for exposing photosensitive substrates, as is used, for example, in the production of semiconductor components.
  • the light bundle generated by a light source is at least partially received by a condenser optic.
  • the condenser optics have a first one Pupil level in which a first pupil illumination is generated by the light beam. This has no ellipticity if the condenser optics have optical components whose optical effects are rotationally symmetrical to the optical axis, and if the light source has a radiation characteristic that is rotationally symmetrical to the optical axis, which is given by the distribution of the beam angles to the optical axis.
  • the optical components of the condenser optics arranged after the first pupil plane focus the light bundle on a light spot on an entry surface of a rod integrator.
  • the light spot is almost round if the light source has an extension that is rotationally symmetrical to the optical axis.
  • the entry surface of the rod integrator is not round, but usually rectangular.
  • the entrance surface has a first and a second extent, which is measured in directions perpendicular to each other. In the case of scanner systems in particular, the second dimension is at least 1.5 times greater than the first dimension.
  • the light spot can have a diameter which is greater than the first extent, in particular between 150% and 400% larger than the first extent. As a result, the light spot is vignetted differently in the direction of the first and the second extent at the entry surface. Since the angular distribution at the entrance surface generally depends only on the distance from the optical axis, this leads to rays with different angles with respect to the optical axis entering the rod integrator in the direction of the first and the second extension.
  • the light spot is now vignetted with a diaphragm, which is arranged after the condenser optics and in front of the rod integrator.
  • the aperture of the aperture has a shape that differs from the shape of the light spot and the cross section of the entry surface of the rod integrator.
  • the light beam is homogenized within the rod integrator, so that an almost homogeneous intensity distribution is generated on the exit surface of the rod integrator.
  • a masking system is arranged near the exit surface or with a defocus of a few millimeters, which is imaged on a first field level with an objective.
  • the field illumination in the first field level can be variably and sharply delimited by the masking system.
  • the objective has a second pupil plane with a second pupil illumination.
  • the second pupil illumination would have a clear ellipticity if the diameter of the light spot is significantly larger than the second extension of the entry surface of the rod integrator.
  • the ellipticity can be reduced to less than 10%, in particular less than 5%.
  • a structure-bearing mask is arranged in the first field level and is imaged on a second field level with a projection objective.
  • a photosensitive substrate is arranged and exposed as soon as the light beam hits the photosensitive substrate. Structures of the mask oriented in the direction of the first and second dimensions of the entry surface would be imaged without the diaphragm with a differently large resolving power if the pupil illumination in the second pupil plane has an ellipticity. Imaging with a homogeneous resolution is only possible with the aperture and the associated reduction in ellipticity.
  • an aperture with the features mentioned in the description of the device is used in the method.
  • Figure 1 shows an aperture in plan view
  • Figure 2 shows a schematic representation of a microlithography projection exposure system
  • Figure 3 shows a schematic representation of the definition of the ellipticity of the pupil illumination.
  • FIG. 1 shows an exemplary embodiment for an aperture 1 according to the invention.
  • the aperture 1 has the aperture 3, which is symmetrical to a first axis of symmetry 5 and symmetrical to a second axis of symmetry 7.
  • the origin of an xy coordinate system lies in the middle of the aperture 3.
  • the first axis of symmetry 5 points in the x direction, the second axis of symmetry 7 in the y direction.
  • the height H BL of the aperture 3 is 13 mm.
  • the width of the aperture 3 is dependent on the distance y from the axis of symmetry 5.
  • the boundary line of the aperture 3 between the height y 0 and the upper edge of the aperture 3 includes an angle of 53.1 ° with the y-axis.
  • the ratio between the difference in height H BL and twice the value in height y 0 and the difference in width B 2 and width B] is:
  • FIG. 2 shows the use of the diaphragm 1 from FIG. 1 in a microlithography projection exposure system.
  • the diaphragm has the reference number 201 in FIG. 2.
  • the microlithography projection exposure system 215 has the illumination system 213, the structure-bearing mask 219, the projection objective 217 and the light-sensitive substrate 221.
  • the light source 223, a mercury short-arc lamp is arranged in one of the two focal points of an elliptical mirror 225, which collects the emitted light in the second focal point 227.
  • the following lens 229 consists of a first lens group 231, the concave first axicon lens 233, the convex second axicon lens 235 and a second
  • Adjustment means 239 and 241 allow the axial displacement of the axicon lens 235 and an optical element of the second lens group 237. This allows both the distance between the axicon lenses (233, 235) to be adjusted and thus the ring field character of the pupil illumination in the Intermediate pupil plane 243 can be changed, as well as a zoom effect for changing the diameter of the pupil illumination, ie the degree of coherence ⁇ , can be achieved.
  • Exemplary embodiments for the lens 229 are contained in US Pat. No. 5,675,401.
  • the collector mirror 225, the objective 229 and the objective 245 form the condenser optics 210, which exclusively have optical components with an optical effect that is rotationally symmetrical to the optical axis.
  • the condenser optics 210 images the light source 223 onto the diaphragm 201.
  • the diaphragm 201 is arranged directly in front of the entry surface 247 of the rod integrator 211, which is designed as a quartz rod.
  • the diaphragm 201 and the rod integrator 211 form the integrator unit 209.
  • the output of the rod integrator 211 is an intermediate field level, in which a masking system (REMA) 249 is arranged.
  • the following REMA objective 251 forms the masking system 249 on the structure-bearing mask 219 (reticle, Lithography template) and contains a first lens group 253, a pupil plane 255, second and third lens groups (257 and 259) and in between a deflecting mirror 261.
  • Exemplary embodiments of the REMA lens 251 are in DE 195 48 805 AI (US 5,982,558) and DE 196 53 983 AI (US serial No.09 / 125621).
  • the structure-bearing mask 219 is imaged by the projection lens 217 onto the light-sensitive substrate 221.
  • An embodiment of the projection lens 217 is contained in DE 199 42 281.8.
  • Both the structure-bearing mask 219 and the light-sensitive substrate 221 are carried by a positioning and changing unit (not shown) which, in addition to exchanging the elements, also allows the elements to be scanned during the exposure.
  • the aperture 201 is adapted to the dimensions of the rod integrator 211.
  • the bar width is measured in the x direction and the bar height in the y direction.
  • the length of the rod integrator is 800mm to ensure adequate homogenization of the light.
  • the aperture 201 could also have a greater physical height, since in this case the light spot would be vignetted by the upper and lower boundary lines of the entry surface 247.
  • the distance between the aperture 201 and the rod integrator 211 is 0.5 mm.
  • the following shows how the use of the diaphragm 201 influences the ellipticity of the pupil illumination.
  • the aperture 201 is first removed from the lighting system 213.
  • the arc of the light source 223 has in this
  • Embodiment a length of 4mm and a diameter of 6mm.
  • the light beams emitted by the light source 223 have angles between 60 ° and 135 ° with respect to the optical axis OA.
  • the arc is imaged by the condenser optics 210 on the entry surface 247 and generates a light spot with a maximum diameter of 41 mm, which is thus 315% larger than the rod height.
  • the Rays have a maximum angle of 18 ° with respect to the optical axis OA.
  • the diameter of the light spot and the beam angle on the entrance surface depend on the position of the zoom lenses and the axicon lenses (233, 235) in the lens 229.
  • the axicon lenses (233, 235) are closed and the lens 229 has a focal length of 77 mm.
  • the rear focal plane of the lens 229 is located approximately at the location of the second focal point 227 of the mirror 225, the front focal plane approximately at the location of the intermediate pupil plane 243.
  • the focal length of the lens 245 is 90 mm, the rear focal point approximately at the location of the intermediate pupil plane 243 and the front focal point is approximately at the location of the aperture 201.
  • the rod integrator 211 produces a homogeneous surface on its exit surface
  • Field illumination which is imaged on the structure-bearing mask 217 with the REMA objective 251.
  • the field level with the masking system 249 is followed by the pupil plane 255 of the REMA objective 251 after the lens group 253 with the focal length 123 mm, in which the pupil illumination is viewed as an intensity distribution I (x, y).
  • the rear focal plane of the lens group 253 is approximately at the location of the
  • Masking system 249 the anterior focal plane approximately at the location of the pupil plane 255.
  • the definition of the ellipticity of the pupil illumination is illustrated in FIG. 3.
  • the pupil illumination 375 is not homogeneous, as is shown schematically in FIG. 3, but instead has a grid of separated light spots due to the fact that the entry surface 247 of the rod integrator 211 is not completely filled in the y direction.
  • the total intensities in the four quadrants 363, 365, 367 and 369 are determined.
  • the quadrants are delimited by straight lines 371 and 373, which are each at 45 ° to the y-axis.
  • the ellipticity is now equal to the quotient of the total intensities in quadrants 363 and 367 and the total intensities in quadrants 365 and 369: ⁇ I (x, y) dxdy + ⁇ I (x, y) dxdy
  • the ellipticity of the pupil illumination is 2.5%. Compared to an integrator unit 209 without an aperture (ellipticity 19%), the ellipticity is significantly lower and has a tolerable value. With the aperture 201, only 32% of the total intensity is lost compared to an integrator unit 209 without an aperture. The coupling efficiency of the aperture 201 is 14.6%. Compared to a circular one
  • the coupling efficiency is a factor of 1.45 higher.
  • the overall intensity is 1.3 times greater than that of an integrator unit with a circular aperture.
  • the boundary line of the diaphragm opening can be modified in such a way that with increased demands on the ellipticity of the
  • Pupil illumination give tolerable values for the ellipticity.
  • the angle of inclination of the boundary line between the height y 0 and the upper edge of the diaphragm opening can be reduced. It is also possible to increase the value for the height yo. Lower values for the ellipticity also result if the boundary line between the height y 0 and the upper edge of the diaphragm opening does not form a straight line but an arc, so that the widths of the diaphragm opening in this area are smaller than for the diaphragm 201.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

The invention relates to a diaphragm (1) for an integrator unit of a micro-lithography projection exposure system. Said diaphragm (1) comprises a diaphragm opening (3), which is symmetrical in relation to a first axis of symmetry (5). The widths of the diaphragm aperture (3) in the direction of the axis of symmetry (5) are dependent on the distance of y from the first axis of symmetry (5), said widths being greater than or equal to the width when y=0. The diaphragm (1), together with a cylindrical integrator, forms an integrator unit, which is located in an illumination system.

Description

Beschreibung:Description:
Blende für eine IntegratoreinheitCover for an integrator unit
Die Erfindung betrifft ein Blende nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to an aperture according to the preamble of claim 1.
Derartige Blenden in Beleuchtungssystemen für Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlagen sind beispielsweise aus der US 5,473,408 bekannt. In dem dort gezeigten Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsani age ist eine reflektierende Blende mit einer kreisförmigen Blendenöffnung unmittelbar vor einem Stabintegrator angeordnet. Durch die Blendenöffnung kann zum einen Licht in den Stabintegrator eintreten, zum anderen wird Licht, welches vom Retikel zurückreflektiert wird und wieder in den Stabintegrator gelangt, an der reflektierenden Blendenfläche ein weiteres Mal reflektiert und dem Nutzlicht wieder zugeführt. Die Blendenöffnung weist dabei einen Durchmesser auf, welcher deutlich kleiner als die Stabhöhe ist.Such screens in lighting systems for microlithography projection exposure systems are known for example from US 5,473,408. In the illumination system shown there for a microlithography projection exposure system, a reflective diaphragm with a circular diaphragm opening is arranged directly in front of a rod integrator. On the one hand, light can enter the rod integrator through the aperture opening, and on the other hand light that is reflected back by the reticle and returns to the rod integrator is reflected again on the reflecting aperture surface and fed back to the useful light. The aperture opening has a diameter that is significantly smaller than the rod height.
Aus der US 5,601,733 sind ebenfalls Blenden bekannt, die vor einem Stabintegrator angeordnet sind. Wie in der US 5,473,408 sind die Blenden auf der dem Stabintegrator zugewandten Seite mit einer reflektierenden Fläche versehen, um Licht, das vomFrom US 5,601,733, panels are also known which are arranged in front of a rod integrator. As in US Pat. No. 5,473,408, the diaphragms on the side facing the rod integrator are provided with a reflective surface in order to prevent light from emitting
Beleuchtungssystem in den Stabintegrator zurückreflektiert wird, wieder dem Nutzlicht zu zuführen. Da als Lichtquelle ein Laser mit einer geringen Etendue (Phasenraumvolumen) verwendet wird, kann das Licht mit einer Kondensoroptik auf die Blende derart fokussiert werden, daß das Licht ohne Vignettierung durch die Blendenöffnung hindurch tritt und die Blendenöffnung einen möglichst kleinen Durchmesser aufweist.Lighting system is reflected back into the rod integrator, to return the useful light. Since a laser with a low etendue (phase space volume) is used as the light source, the light can be focused on the diaphragm with condenser optics in such a way that the light passes through the diaphragm opening without vignetting and the diaphragm opening has the smallest possible diameter.
Beleuchtungssysteme für die Mikrolithographie mit einem Stabintegrator sind auch aus der US 5,675,401 der Anmelderin bekannt. Als Lichtquelle kommt dabei eine Quecksilber- Hochdrucklampe zum Einsatz. Derartige Lichtquellen weisen neben einer nahezu kugelförmigen Abstrahlcharakteristik eine endliche Ausdehnung auf, so daß sie im Vergleich zu Laser-Lichtquellen eine deutlich größere Etendue haben. In der US 5,675,401 fokussiert eine Kondensoroptik das Licht auf die Eintrittsfläche des Stabintegrators und erzeugt dort einen Lichtfleck. Dieser ist rund, so lange die Lichtquelle eine zur optischen Achse rotationssymmetrische Ausdehnung und die optischen Komponenten in der Kondensoroptik rotationssymetrische optische Wirkungen aufweisen. Gerade bei Wafer- Scannem werden Stabintegratoren verwendet, deren Eintrittsfläche ein hohes Aspektverhältnis von Stabbreite zu Stabhöhe aufweisen, beispielsweise von 2:1 oder größer. Dabei kann es vorkommen, daß die Ausdehnung des Leuchtflecks größer als die Stabhöhe ist. Dies führt dazu, daß Licht vignettiert wird. Da jedoch in der Regel die an der Eintrittsfläche auftretenden Strahlwinkel abhängig vom Abstand von der optischen Achse sind, führt die Vignettierung zu einer sogenannten elliptischen Pupillenausleuchtung. Unter einer elliptischen Pupillenausleuchtung versteht man Intensitätsverteilungen in den Pupillenebenen, die in den um eine horizontale Achse angeordneten Quadranten eine größere Gesamtintensität aufweisen als in den um eine vertikale Achse angeordneten Quadranten und somit bei der Abbildung von horizontalen und vertikalen Strukturen mit Projektionsobjektiven der Mikrolithographie zu einem unterschiedlichen Auflösungsvermögen für horizontale und vertikale Strukturen führen.Illumination systems for microlithography with a rod integrator are also known from the applicant's US Pat. No. 5,675,401. A high-pressure mercury lamp is used as the light source. Such light sources have, in addition to an almost spherical radiation characteristic, a finite extent, so that they are in the Compared to laser light sources have a significantly larger etendue. In US Pat. No. 5,675,401, a condenser optic focuses the light on the entry surface of the rod integrator and generates a light spot there. This is round as long as the light source has an extension that is rotationally symmetrical to the optical axis and the optical components in the condenser optics have rotationally symmetrical optical effects. Especially in the case of wafer scanners, rod integrators are used whose entrance area has a high aspect ratio of rod width to rod height, for example of 2: 1 or larger. It can happen that the extent of the light spot is greater than the rod height. This leads to light being vignetted. However, since the beam angles occurring on the entry surface are generally dependent on the distance from the optical axis, the vignetting leads to a so-called elliptical pupil illumination. Elliptical pupil illumination means intensity distributions in the pupil planes, which have a greater overall intensity in the quadrants arranged around a horizontal axis than in the quadrants arranged around a vertical axis and thus when imaging horizontal and vertical structures with projection lenses of microlithography to a different Resolve horizontal and vertical structures.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, Beleuchtungssysteme mit Stabintegratoren zu verbessern.The object of the invention is therefore to improve lighting systems with rod integrators.
Gelöst wird diese Aufgabe mit einer Blende gemäß Anspruch 1, einer Integratoreinheit gemäß Anspruch 9, einem Beleuchtungssystem gemäß Anspruch 11, einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage gemäß Anspruch 14 und einem Verfahren zum Belichten von lichtempfindlichen Substraten gemäß Anspruch 15.This object is achieved with an aperture according to claim 1, an integrator unit according to claim 9, an illumination system according to claim 11, a microlithography projection exposure system according to claim 14 and a method for exposing photosensitive substrates according to claim 15.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der abhängigen Ansprüche. Mit einer Blende gemäß Anspruch 1, welche in Lichtrichtung vor einem Stabintegrator angeordnet ist, läßt sich der Lichtfleck auf der Eintrittsfläche des Stabintegrators derart vignettieren, daß bei hoher Einkoppeleffizienz dennoch Pupillenausleuchtungen mit geringer Elliptizität nach dem Stabintegrator gewährleistet sind. Die Einkoppeleffizienz ist dabei durch das Verhältnis der Fläche der Blendenöffnung zur Fläche des Lichtflecks gegeben. Die Elliptizität einer Pupillenausleuchtung ist eine skalare Größe und wird bestimmt, indem man das Verhältnis der Gesamtintensitäten der um eine horizontale Achse angeordneten Quadranten und der Gesamtintensitäten der um eine vertikale Achse angeordneten Quadranten bildet. Die Quadranten werden dabei von zwei Geraden begrenzt, welche sich in der Mitte der Pupillenausleuchtung schneiden, senkrecht zueinander stehen und zur horizontalen Richtung jeweils eine Winkel von 45° einschließen. Somit ist die Elliptizität gleich dem Verhältnis aus einem ersten Integral, bei dem über alle Punkte der Intensitätsverteilung integriert wird, deren x-Werte vom Betrag her größer sind als die y- Werte, und einem zweiten Integral, bei dem über alle Punkte der Intensitätsverteilung integriert wird, deren y- Werte vom Betrag her größer sind als die x- Werte:Advantageous refinements of the invention result from the features of the dependent claims. With a diaphragm according to claim 1, which is arranged in front of a rod integrator in the direction of light, the light spot on the entry surface of the rod integrator can be vignetted in such a way that pupil illuminations with low ellipticity after the rod integrator are nevertheless ensured with a high coupling efficiency. The coupling efficiency is given by the ratio of the area of the aperture to the area of the light spot. The ellipticity of a pupil illumination is a scalar quantity and is determined by forming the ratio of the total intensities of the quadrants arranged around a horizontal axis and the total intensities of the quadrants arranged around a vertical axis. The quadrants are delimited by two straight lines that intersect in the middle of the pupil illumination, are perpendicular to each other and each form an angle of 45 ° to the horizontal direction. Thus, the ellipticity is equal to the ratio of a first integral, which integrates over all points of the intensity distribution whose x values are greater in magnitude than the y values, and a second integral, which integrates over all points of the intensity distribution whose y values are larger in magnitude than the x values:
Elliptizität Die x-Achse weist dabei in horizontaler Richtung, die y- Achse in vertikaler Richtung. Pupillenausleuchtungen ohne Elliptizität haben eine Elliptizität gleich 1.0, beziehungsweise 100%.ellipticity The x-axis points in the horizontal direction, the y-axis in the vertical direction. Pupil illuminations without ellipticity have an ellipticity equal to 1.0 or 100%.
Um bei hoher Einkoppeleffizienz Pupillenausleuchtungen mit geringer Elliptizität zu erreichen, weist die Blende eine Blendenöffnung auf, welche symmetrisch zu einer ersten Symmetrieachse ist, welche in x-Richtung weist. Dadurch wird erreicht, daß der Lichtfleck bezüglich dieser Symmetrieachse symmetrisch vignettiert wird. Die Breite der Blendenöffnung, welche in x-Richtung gemessen wird, hängt vom Abstand y von der Symmetrieachse ab, wobei die Blendenöffnung bei y = 0 die geringste Breite aufweist. Die Breiten der Blendenöffnung sind somit größer oder gleich der Breite bei y = 0. Während also bei einer kreisrunden Blendenöffnung die Breite mit größer werdendem Abstand y kontinuierlich auf Null abnimmt, weist die Blende gemäß Anspruch 1 im Abstand y von der Symmetrieachse eine Breite auf, welche mindestens so groß ist wie die Breite bei y = 0 oder sogar größer. Diese Blende wird nun vor einem Stabintegrator angeordnet, dessen Stabbreite in x-Richtung und dessen Stabhöhe in y-Richtung gemessen wird, wobei die Stabbreite in der Regel größer als die Stabhöhe ist. Zudem soll der Durchmesser des Lichtflecks größer als die Stabhöhe sein. In diesem Fall läßt sich mit der Blende der Lichtfleck derart beschneiden, daß die Breite des Lichtflecks nahezu gleich der Höhe des Lichtflecks ist, welche sich durch Vignettierung am oberen oder unteren Rand derIn order to achieve pupil illuminations with low ellipticity with high coupling efficiency, the diaphragm has an diaphragm opening which is symmetrical to a first axis of symmetry which points in the x direction. It is thereby achieved that the light spot is vignetted symmetrically with respect to this axis of symmetry. The width of the diaphragm opening, which is measured in the x direction, depends on the distance y from the axis of symmetry, the diaphragm opening having the smallest width at y = 0. The Widths of the diaphragm opening are thus greater than or equal to the width at y = 0. Thus, while in the case of a circular diaphragm opening the width continuously decreases to zero with increasing distance y, the diaphragm according to claim 1 has a width at distance y from the axis of symmetry which is at least as large as the width at y = 0 or even larger. This diaphragm is now arranged in front of a bar integrator, the bar width of which is measured in the x direction and the bar height of which is measured in the y direction, the bar width generally being greater than the bar height. In addition, the diameter of the light spot should be larger than the rod height. In this case, the aperture can be used to trim the light spot in such a way that the width of the light spot is almost equal to the height of the light spot, which can be seen by vignetting on the upper or lower edge of the
Blendenöffnung oder an der Eintrittsfläche des Stabintegrators ergibt, je nachdem, ob die Blendenöffnung oder der Stabintegrator eine geringere Höhe aufweisen. Ist die Winkelverteilung an der Eintrittsfläche des Stabintegrators vom Abstand von der optischen Achse abhängig, lassen sich in x- Richtung die Teile des Lichtflecks vignettieren, die in y- Richtung durch die Blendenöffnung oder die Eintrittsfläche des Stabintegrators beschnitten werden. Ohne Blende würden sich in einer Pupillenebene nach dem Stabintegrator elliptische Pupillenausleuchtungen ergeben. Mit der Blende gemäß der Erfindung kann die Elliptizität der Pupillenausleuchtung nach dem Stabintegrator deutlich reduziert werden. Eine Pupillenebene nach dem Stabintegrator kann beispielsweise die Austrittspupille des Stabintegrators oder eine Pupillenebene innerhalb eines in Lichtrichtung nach demDiaphragm opening or on the entry surface of the rod integrator results, depending on whether the diaphragm opening or the rod integrator have a lower height. If the angular distribution on the entry surface of the rod integrator depends on the distance from the optical axis, the parts of the light spot can be vignetted in the x direction that are trimmed in the y direction through the aperture or the entry surface of the rod integrator. Without a diaphragm, elliptical pupil illuminations would result in a pupil plane after the rod integrator. With the diaphragm according to the invention, the ellipticity of the pupil illumination after the rod integrator can be significantly reduced. A pupil plane after the rod integrator can, for example, the exit pupil of the rod integrator or a pupil plane within one in the light direction after the
Stabintegrator angeordneten Objektivs sein. Eine Pupillenebene vor dem Stabintegrator kann beispielsweise die Eintrittspupille des Stabintegrators oder eine Pupillenebene innerhalb eines in Lichtrichtung vor dem Stabintegrator angeordneten Objektivs sein. Ist die Pupillenausleuchtung vor dem Stabintegrator eine sogenannte Multipol-Beleuchtung, welche durch mehrere voneinander separierte ausgeleuchtete Bereiche gekennzeichnet ist, so wird durch den Einsatz der Blende gemäß der Erfindung erreicht, daß die Gesamtintensitäten der einzelnen Bereiche der Pupillenausleuchtung nach dem Stabintegrator nahezu im gleichen Verhältnis zueinander stehen wie die Gesamtintensitäten der einzelnen Bereiche der Pupillenausleuchtung vor dem Stabintegrator. Mögliche Multipol-Beleuchtungen sind beispielsweise die Dipol-Beleuchtung mit zwei separierten Bereichen oder die Quadrupol-Beleuchtung mit vier separierten Bereichen. Wenn im folgenden von der Erreichung von Pupillenausleuchtungen mit reduzierter Elliptizität oder Pupillenausleuchtungen ohne Elliptizität, gesprochen wird, so bedeutet dies übertragen auf die Multipol-Beleuchtungen, daß sich die Verhältnisse der Gesamtintensitäten der einzelnen Bereiche der Multipol-Beleuchtung zueinander nicht wesentlich verändern oder die Verhältnisse zueinander gleich geblieben sind.Bar integrator arranged lens. A pupil plane in front of the rod integrator can be, for example, the entrance pupil of the rod integrator or a pupil plane within an objective arranged in front of the rod integrator in the direction of light. If the pupil illumination in front of the bar integrator is a so-called multipole illumination, which is characterized by a plurality of illuminated areas separated from one another, the use of the diaphragm according to the invention ensures that the total intensities of the individual areas of the pupil illumination after the bar integrator are almost in the same ratio to one another stand in front of the rod integrator like the total intensities of the individual areas of the pupil illumination. Possible multipole illuminations are, for example, dipole illumination with two separate ones Areas or quadrupole lighting with four separate areas. If, in the following, one speaks of the achievement of pupil illuminations with reduced ellipticity or pupil illuminations without ellipticity, this means, when applied to the multipole illuminations, that the relationships of the total intensities of the individual areas of the multipole illuminations to one another do not change significantly or the relationships to one another stayed the same.
Gemäß Anspruch 2 weist die Blendenöffnung eine effektive Höhe Hßi auf, welche nahezu gleich der Breite der Blendenöffnung bei y = 0 ist. Eine Abweichung von 10% ist dabei jedoch tolerierbar. Durch diese Bedingung wird erreicht, daß der vignettierte Lichtfleck in x- und y-Richtung jeweils eine nahezu gleiche Ausdehnung aufweist. Wird die Blende vor einem Stabintegrator angeordnet, so wirken die obere und untere Begrenzungslinien an der Eintrittsfläche wie die obere und untere Begrenzungslinien der Blendenöffnung, wenn die Blendenöffnung eine größere physikalische Höhe als die Eintrittsfläche des Stabintegrators aufweist. Die effektive Höhe der Blende ist in diesem Fall durch die Stabhöhe gegeben. Unter der effektiven Höhe HBι der Blendenöffnung wird im folgenden der im Vergleich von physikalischer Höhe der Blendenöffnung und Stabhöhe kleinere Wert verstanden. Eine Blende, deren Blendenöffnung die gleiche physikalische Höhe wie die Stabhöhe aufweist, ruft in Bezug auf den Stabintegrator nämlich die gleiche Wirkung hervor wie eine Blende, deren Blendenöffnung eine größere Höhe als die Stabhöhe aufweist.According to claim 2, the aperture has an effective height H ß i, which is almost equal to the width of the aperture at y = 0. A deviation of 10% is tolerable. This condition ensures that the vignetted light spot has almost the same extent in the x and y directions. If the diaphragm is arranged in front of a rod integrator, the upper and lower boundary lines on the entry surface act like the upper and lower boundary lines of the diaphragm opening if the diaphragm opening has a greater physical height than the entry surface of the rod integrator. In this case, the effective height of the screen is given by the bar height. In the following, the effective height H B ι of the aperture opening is understood to mean the smaller value in comparison of the physical height of the aperture opening and the rod height. With regard to the rod integrator, an aperture whose aperture has the same physical height as the rod height has the same effect as an aperture whose aperture has a greater height than the rod height.
Da in der Regel die Winkelverteilung an der Eintrittsfläche des Stabintegrators nur vom Abstand von der optischen Achse abhängt, erzielt man mit einer kreisrunden Blendenöffnung, deren Durchmesser gleich der Stabhöhe ist, eine Pupillenausleuchtung ohne Elliptizität, solange nicht andere Faktoren die Pupillenausleuchtung beeinflussen. Kreisrunde Blendenöffnungen haben jedoch den Nachteil, daß sie einen beträchtlichen Anteil des Leuchtflecks vignettieren. Mit quadratischen Blendenöffnungen erreicht man ebenfalls Pupillenausleuchtungen ohne Elliptizität, wobei die Einkoppeleffizienz einer Blende mit quadratischer Blendenöffnung um den Faktor 4/π größer als bei einer entsprechenden Blende mit kreisrunder Blendenöffnung ist. Um die Einkoppeleffizienz der Blende weiter zu erhöhen, ist es vorteilhaft, wenn die Blendenöffnung am oberen und unteren Rand größere Breiten aufweist als in der Mitte bei y = 0. Das Verhältnis einer zweiten Breite B2 bei y = HBι/2 zu einer ersten Breite bei y = 0 sollte dabei kleiner 2.0 sein, insbesondere zwischen 1.4 und 1.7 liegen. Die Breiten der Blendenöffnung sollten dabei größer oder gleich der ersten Breite \ und kleiner oder gleich der zweiten Breite B2 sein. Diese Form der Blendenöffnung, die ausgehend von der ersten Symmetrieachse nach oben und unten jeweils breiter wird, führt zwar wieder zu leicht elliptischen Pupillenausleuchtungen, aber auch zu einer beträchtlichen Steigerung der Einkoppeleffizienz. Die maximale Breite am oberen Rand der Blendenöffnung hängt von der tolerierbaren Elliptizität der Pupillenausleuchtung ab.Since the angular distribution on the entrance surface of the rod integrator generally only depends on the distance from the optical axis, a circular aperture opening, the diameter of which is equal to the rod height, achieves pupil illumination without ellipticity, unless other factors influence the pupil illumination. Circular apertures, however, have the disadvantage that they vignette a considerable proportion of the light spot. With square apertures, pupil illuminations without ellipticity are also achieved, the coupling efficiency of an aperture with a square aperture being 4 / π greater than with a corresponding aperture with a circular aperture. In order to further increase the coupling efficiency of the diaphragm, it is advantageous if the diaphragm opening has larger widths at the upper and lower edges than in the middle at y = 0. The ratio of a second width B 2 at y = H B ι / 2 to one The first width at y = 0 should be less than 2.0, in particular between 1.4 and 1.7. The widths of the diaphragm opening should be greater than or equal to the first width \ and less than or equal to the second width B 2 . This shape of the diaphragm opening, which widens starting from the first axis of symmetry upwards and downwards, leads again to slightly elliptical pupil illuminations, but also to a considerable increase in the coupling efficiency. The maximum width at the top of the aperture depends on the tolerable ellipticity of the pupil illumination.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Blende weist die Blendenöffnung von y = 0 bis zu einem vorgegebenen Abstand y0, welcher größer als ein Viertel der Blendenhöhe und kleiner als die halbe Blendenhöhe ist, eine konstante erste Breite auf. Erst ab dem vorgegebenen Abstand y0 nimmt die Breite der Blendenöffnung bis zum oberen Rand der Blendenöffnung zu. Die Breiten können dabei stufenförmig oder kontinuierlich zunehmen. Bei einer kontinuierlichen Zunahme kann der linke, beziehungsweise rechte Rand der Blendenöffnung zwischen dem vorgegebenen Abstand y0 und y = HB1/2 durch eine Gerade, durch einen Kreisbogen oder durch ein Polynom beschrieben werden.In an advantageous embodiment of the diaphragm, the diaphragm opening has a constant first width from y = 0 to a predetermined distance y 0 , which is greater than a quarter of the diaphragm height and smaller than half the diaphragm height. Only from the specified distance y 0 does the width of the diaphragm opening increase up to the upper edge of the diaphragm opening. The widths can increase in steps or continuously. In the case of a continuous increase, the left or right edge of the diaphragm opening between the predetermined distance y 0 and y = H B1 / 2 can be described by a straight line, by an arc or by a polynomial.
Damit die Elliptizität der Pupillenausleuchtung in tolerierbaren Grenzen bleibt, ist es günstig, wenn der vorgegebene Abstand y0 in Beziehung zur ersten Breite B1; zur zweiten Breite B2 und zur Höhe HBι der Blendenöffnung gesetzt wird. Bevorzugt erfüllen diese Größen die folgende Bedienung:So that the ellipticity of the pupil illumination remains within tolerable limits, it is advantageous if the predetermined distance y 0 in relation to the first width B 1; is set to the second width B 2 and the height H B ι of the aperture. These sizes preferably fulfill the following controls:
HB' - (2 - yo> > 0.6. HB '- ( 2 - yo>> 0 .6.
B2 -B,B 2 -B,
Durch diese Bedingung wird erreicht, daß die Breiten der Blendenöffnung zum Rand hin nicht zu stark ansteigen. Besonders günstig ist es, wenn die Breiten zwischen dem vorgegebenen Abstand y0 und dem oberen Rand der Blendenöffnung linear anwachsen. Dadurch kommen zu der zentralen quadratischen Blendenöffnung an allen vier Ecken dreieckige Zusatzflächen hinzu, welche die Einkoppeleffizienz steigern und nur eine geringe Elliptizität der Pupillenausleuchtung einführen. Die Berandungslinien zwischen dem vorgegebenen Abstand y0 und dem oberen Rand der Blendenöffnung sollten zur y- Achse einen Winkel zwischen 0° und 60°, insbesondere zwischen 30° und 60° einschließen, damit die Elliptizität der Pupillenausleuchtung in tolerierbaren Grenzen bleibt.This condition ensures that the widths of the aperture do not increase too much towards the edge. It is particularly favorable if the widths increase linearly between the predetermined distance y 0 and the upper edge of the diaphragm opening. As a result, triangular additional areas are added to the central square aperture at all four corners, which increase the coupling efficiency and introduce only a low ellipticity of the pupil illumination. The boundary lines between the specified distance y 0 and the upper edge of the diaphragm opening should enclose an angle between 0 ° and 60 °, in particular between 30 ° and 60 °, so that the ellipticity of the pupil illumination remains within tolerable limits.
Um die Elliptizität der Pupillenausleuchtung so gering wie möglich zu halten, ist es weiterhin günstig, daß die Blendenöffnung neben der Symmetrieachse in x-Richtung eine Symmetrieachse in y-Richtung aufweist.In order to keep the ellipticity of the pupil illumination as low as possible, it is furthermore favorable that the diaphragm opening has an axis of symmetry in the y direction in addition to the axis of symmetry in the x direction.
Die Breite der Blendenöffnung bei y = 0 sollte zwischen 2mm und 30mm, insbesondere zwischen 4mm und 20 mm betragen, um an die Abmessungen der fürThe width of the aperture at y = 0 should be between 2mm and 30mm, in particular between 4mm and 20mm, to match the dimensions of the
Beleuchtungssysteme der Mikrolithographie typischen Stabintegratoren angepaßt zu sein.Illumination systems of microlithography to be adapted to typical rod integrators.
Da die Abmesssungen der Blendenöffnung an den nachfolgenden Stabintegrator angepaßt sind, betrifft die Erfindung auch eine Integratoreinheit, bestehend aus der zuvor beschriebenen Blende und einem nachfolgenden Stabintegrator. Die Blende sollte dabei unmittelbar vor der Eintrittsfläche des Stabintegrators angeordnet sein, wobei der Abstand zwischen Blende und Eintrittsfläche durch die mechanischen Randbedingungen der Fassungen der Komponenten gegeben ist. Die Blende kann auch austauschbar vor dem Stabintegrator angeordnet sein. Möglich ist auch, die Blende beispielsweise durch eine nicht transparente Beschichtung auf der Eintrittsfläche direkt aufzubringen. Die Blende kann aber auch mit einem abbildenden optischen System auf die Eintrittsfläche des Stabintegrators abgebildet werden. Auf der dem Stabintegrator zugewandten Seite kann die Blende auch eine bei der Arbeitswellenlänge reflektierende Beschichtung aufweisen, um die beispielsweise in der US 5,473,408 beschriebenen Vorteile nutzen zu können. Der Stabintegrator kann als Hohlleiter oder als Glasstab ausgebildet sein. Die Anwendung der Blende und der Integratoreinheit ist nicht auf eine Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage beschränkt. Vielmehr können derartige Integratoreinheiten allgemein in Beleuchtungssystemen eingesetzt werden, welche mit Stabintegratoren als Homogenisatoren arbeiten und hohe Anforderungen an die Pupillenausleuchtung stellen. Möglich ist der Einsatz beispielsweise in Beleuchtungssystemen für Waferinspektionssysteme, für Belichtungsanlagen zur Herstellung von Flachbildschirmen, für Projektoren oder für Mikroskope.Since the dimensions of the aperture opening are adapted to the subsequent rod integrator, the invention also relates to an integrator unit consisting of the aperture described above and a subsequent rod integrator. The diaphragm should be arranged directly in front of the entry surface of the rod integrator, the distance between the diaphragm and the entry surface being given by the mechanical boundary conditions of the sockets of the components. The aperture can also be arranged interchangeably in front of the rod integrator. It is also possible, for example, to apply the diaphragm directly to the entry surface by means of a non-transparent coating. The diaphragm can also be imaged on the entry surface of the rod integrator with an imaging optical system. On the side facing the rod integrator, the diaphragm can also have a coating reflecting at the working wavelength in order to be able to use the advantages described, for example, in US Pat. No. 5,473,408. The rod integrator can be designed as a waveguide or as a glass rod. The use of the aperture and the integrator unit is not limited to a microlithography projection exposure system. Rather, such integrator units can generally be used in lighting systems which work with rod integrators as homogenizers and place high demands on the pupil illumination. It can be used, for example, in lighting systems for wafer inspection systems, for exposure systems for the production of flat screens, for projectors or for microscopes.
Elliptische Pupillenausleuchtungen treten primär dann auf, wenn die Eintrittsfläche des Stabintegrators rechteckig ist und der Lichtfleck, innerhalb dessen die Winkelverteilung vom Abstand von der optischen Achse abhängt, an der Eintrittsfläche in x- und y-Richtung unterschiedlich vignettiert wird. Der Einsatz der Blende gemäß der Erfindung ist deshalb dann günstig, wenn das Verhältnis aus Stabbreite und Stabhöhe mindestens 1,5 beträgt. In Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen sind Seiten- Aspektverhältnisse imElliptical pupil illuminations occur primarily when the entry surface of the rod integrator is rectangular and the light spot within which the angular distribution depends on the distance from the optical axis is vignetted differently in the x and y directions on the entry surface. The use of the screen according to the invention is therefore favorable when the ratio of bar width and bar height is at least 1.5. In microlithography projection exposure systems there are aspect ratios in the
Bereich von 2:1, 4:1, bis 10:1 typisch. Zusätzlich sollte die Breite der Blendenöffnung bei y = 0 nahezu gleich der Stabhöhe sein, damit der Lichtfleck nach der Blende in x- und y- Richtung eine nahezu gleiche Ausdehnung aufweist. Die effektive Höhe der Blende sollte gleich der Stabhöhe sein, d.h. die physikalische Höhe der Blende sollte mindestens gleich der Stabhöhe oder größer sein.Typical range from 2: 1, 4: 1 to 10: 1. In addition, the width of the aperture at y = 0 should be almost the same as the height of the rod, so that the light spot after the aperture in the x and y directions has almost the same extent. The effective height of the panel should be equal to the bar height, i.e. the physical height of the panel should be at least equal to or greater than the rod height.
Zwischen der Lichtquelle und der Integratoreinheit ist üblicherweise eine Kondensoroptik angeordnet, welche alle optischen Komponenten zwischen Lichtquelle und Integratoreinheit umfaßt. Die Kondensoroptik sammelt das Licht der Lichtquelle, fokussiert es auf die Eintrittsfläche des Stabintegrators und erzeugt dort einen Lichtfleck. Die Kondensoroptik kann dabei auch ein Zoom-Objektiv und/oder Axikon-Linsen umfassen, um die Winkelverteilung an der Eintrittsfläche des Stabintegrators und damit auch Form und Ausdehnung der Pupillenausleuchtung zu beeinflussen. In der Kondensoroptik ist der Einsatz von diffraktiven Linsen möglich. Die optischen Komponenten der Kondensoroptik weisen üblicherweise eine zur optischen Achse rotationssymmetrische optische Wirkung auf. Ist auch die Ausdehnung der Lichtquelle und die Abstrahlcharakteristik der Lichtquelle rotationssymmetrisch zur optischen Achse, so ist die Form des Lichtfleck rund, und die Winkelverteilung an der Eintrittsfläche hängt nur vom Abstand von der optischen Achse ab. Ist der Durchmesser des Lichtflecks größer als die Stabhöhe, so treten ohne Blende bei einem Aspektverhältnis der Eintrittsfläche größer als 1 : 1 elliptische Pupillenausleuchtungen nach dem Stabintegrator auf. Mit der zuvor beschriebenen Blende ist es möglich, Elliptizitäten kleiner 10%, insbesondere kleiner 5% zu erzielen, auch wenn der Durchmesser des Lichtflecks 150% größer als die Stabhöhe ist.A condenser lens system is usually arranged between the light source and the integrator unit, which comprises all optical components between the light source and the integrator unit. The condenser optics collects the light from the light source, focuses it on the entrance surface of the rod integrator and creates a light spot there. The condenser optics can also include a zoom lens and / or axicon lenses in order to influence the angular distribution on the entry surface of the rod integrator and thus also the shape and extent of the pupil illumination. Diffractive lenses can be used in condenser optics. The optical components of the condenser optics usually have one to the optical axis rotationally symmetrical optical effect. If the extension of the light source and the radiation characteristic of the light source are rotationally symmetrical to the optical axis, then the shape of the light spot is round, and the angular distribution at the entrance surface depends only on the distance from the optical axis. If the diameter of the light spot is larger than the height of the rod, elliptical pupil illuminations after the rod integrator occur without a diaphragm with an aspect ratio of the entry surface greater than 1: 1. With the aperture described above, it is possible to achieve ellipticities of less than 10%, in particular less than 5%, even if the diameter of the light spot is 150% greater than the rod height.
Diese Reduzierung der Elliptizität wird bei gleichzeitig großer Einkoppeleffizienz erreicht. Die Einkoppeleffizienz ist vorteilhafterweise größer als bei der Verwendung einer Blende mit einer kreisrunden Blendenöffnung, deren Durchmesser gleich der Stabhöhe ist, insbesondere um mehr als 4/π, besonders bevorzugt um mehr als 1.3 größer.This reduction in ellipticity is achieved with a high coupling efficiency. The coupling efficiency is advantageously greater than when using an aperture with a circular aperture opening, the diameter of which is equal to the rod height, in particular greater by 4 / π, particularly preferably greater than 1.3.
Das zuvor beschriebene Beleuchtungssystem kommt vorteilhaft in einerThe lighting system described above advantageously comes in one
Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage zum Einsatz, welche neben dem Beleuchtungssystem ein Projektionsobjektiv umfaßt, das eine Struktur tragende Maske auf ein lichtempfindliches Substrat abbildet. Dabei werden Auflösungen kleiner 300nm erzielt, so daß besonders hohe Anforderungen an die Pupillenausleuchtung gestellt werden.Microlithography projection exposure system for use, which in addition to the lighting system comprises a projection lens which images a structure-bearing mask on a light-sensitive substrate. Resolutions of less than 300 nm are achieved, so that particularly high demands are placed on the pupil illumination.
Mit dieser Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage lassen sich unter anderem Halblei ter-B auelemente herstellen .This microlithography projection exposure system can be used to manufacture semiconductor components, among other things.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Belichten von lichtempfindlichen Substraten, wie es beispielsweise bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen eingesetzt wird.The invention also relates to a method for exposing photosensitive substrates, as is used, for example, in the production of semiconductor components.
Das von einer Lichtquelle, beispielsweise einer Plasma-Lichtquelle oder einer Quecksillber-Dampflampe, erzeugte Lichtbündel wird von einer Kondensoroptik zumindest teilweise aufgenommen. Die Kondensoroptik weist dabei eine erste Pupillenebene auf, in welcher von dem Lichtbündel eine erste Pupillenausleuchtung erzeugt wird. Diese weist keine Elliptizität auf, wenn die Kondensoroptik optische Komponenten aufweist, deren optische Wirkungen rotationssymmetrisch zur optischen Achse sind, und wenn die Lichtquelle eine zur optischen Achse rotationssymmetrische Abstrahlcharakteristik aufweist, welche durch die Verteilung der Strahlwinkel zur optischen Achse gegeben ist.The light bundle generated by a light source, for example a plasma light source or a mercury vapor lamp, is at least partially received by a condenser optic. The condenser optics have a first one Pupil level in which a first pupil illumination is generated by the light beam. This has no ellipticity if the condenser optics have optical components whose optical effects are rotationally symmetrical to the optical axis, and if the light source has a radiation characteristic that is rotationally symmetrical to the optical axis, which is given by the distribution of the beam angles to the optical axis.
Die nach der ersten Pupillenebene angeordneten optischen Komponenten der Kondensoroptik fokussieren das Lichtbündel auf einen Lichtfleck an einer Eintrittsfläche eines Stabintegrators.The optical components of the condenser optics arranged after the first pupil plane focus the light bundle on a light spot on an entry surface of a rod integrator.
Der Lichtfleck ist nahezu rund, wenn die Lichtquelle eine zur optischen Achse rotationssymmetrische Ausdehnung aufweist. Im Gegensatz zum Lichtfleck ist die Eintrittsfläche des Stabintegrators nicht rund, sondern in der Regel rechteckig. Die Eintrittsfläche weist eine erste und eine zweite Ausdehnung auf, die in zueinander senkrecht stehenden Richtungen gemessen wird. Die zweite Ausdehnung ist insbesondere bei Scanner-Systemen mindestens um den Faktor 1.5 größer ist als die erste Ausdehnung. Der Lichtfleck kann je nach Ausdehnung der Lichtquelle einen Durchmesser aufweisen, der größer als die erste Ausdehnung ist, insbesondere zwischen 150% und 400% größer als die erste Ausdehnung. Dadurch wird der Lichtfleck in Richtung der ersten und der zweiten Ausdehnung an der Eintrittsfläche unterschiedlich vignettiert. Da die Winkelverteilung an der Eintrittsfläche in der Regel nur vom Abstand von der optischen Achse abhängt, führt dies dazu, daß in Richtung der ersten und der zweiten Ausdehnung Strahlen mit unterschiedlich großen Winkeln bezüglich der optischen Achse in den Stabintegrator gelangen.The light spot is almost round if the light source has an extension that is rotationally symmetrical to the optical axis. In contrast to the light spot, the entry surface of the rod integrator is not round, but usually rectangular. The entrance surface has a first and a second extent, which is measured in directions perpendicular to each other. In the case of scanner systems in particular, the second dimension is at least 1.5 times greater than the first dimension. Depending on the extent of the light source, the light spot can have a diameter which is greater than the first extent, in particular between 150% and 400% larger than the first extent. As a result, the light spot is vignetted differently in the direction of the first and the second extent at the entry surface. Since the angular distribution at the entrance surface generally depends only on the distance from the optical axis, this leads to rays with different angles with respect to the optical axis entering the rod integrator in the direction of the first and the second extension.
Mit einer Blende, welche nach der Kondensoroptik und vor dem Stabintegrator angeordnet wird, wird nun der Lichtfleck vignettiert. Die Blendenöffnung der Blende weist dabei eine Form auf, die von der Form des Lichtflecks und dem Querschnitt der Eintrittsfläche des Stabintegrators abweicht. Innerhalb des Stabintegrators wird das Lichtbündel homogenisiert, so daß an der Austrittsfläche des Stabintegrators eine nahezu homogene Intensitätsverteilung erzeugt wird. In der Nähe der Austrittsfläche oder mit einem Defokus von wenigen Millimetern wird ein Maskierungssystem angeordnet, welches mit einem Objektiv auf eine erste Feldebene abgebildet wird. Durch das Maskierungssystem läßt sich die Feldausleuchtung in der ersten Feldebene variabel und scharf begrenzen. Das Objektiv weist eine zweite Pupillenebene mit einer zweiten Pupillenausleuchtung auf. Ohne die Blende vor dem Stabintegrator würde die zweite Pupillenausleuchtung eine deutliche Elliptizität aufweisen, wenn der Durchmesser des Lichtflecks deutlich größer als die zweite Ausdehnung der Eintrittsfläche des Stabintegrators ist. Mit der Blende kann die Elliptizität auf kleiner 10%, insbesondere kleiner 5% reduziert werden.The light spot is now vignetted with a diaphragm, which is arranged after the condenser optics and in front of the rod integrator. The aperture of the aperture has a shape that differs from the shape of the light spot and the cross section of the entry surface of the rod integrator. The light beam is homogenized within the rod integrator, so that an almost homogeneous intensity distribution is generated on the exit surface of the rod integrator. A masking system is arranged near the exit surface or with a defocus of a few millimeters, which is imaged on a first field level with an objective. The field illumination in the first field level can be variably and sharply delimited by the masking system. The objective has a second pupil plane with a second pupil illumination. Without the diaphragm in front of the rod integrator, the second pupil illumination would have a clear ellipticity if the diameter of the light spot is significantly larger than the second extension of the entry surface of the rod integrator. With the aperture, the ellipticity can be reduced to less than 10%, in particular less than 5%.
In der ersten Feldebene wird eine Struktur tragenden Maske angeordnet, die mit einem Projektionsobjektiv auf eine zweite Feldebene abgebildet wird. In der zweiten Feldebene wird ein lichtempfindliches Substrat angeordnet und belichtet, sobald das Lichtbündel auf das lichtempfindliche Substrat trifft. In Richtung der ersten und zweiten Ausdehnung der Eintrittsfläche orientierte Strukturen der Maske würden ohne die Blende mit einem unterschiedlich großen Auflösungsvermögen abgebildet, wenn die Pupillenausleuchtung in der zweiten Pupillenebene eine Elliptizität aufweist. Erst mit der Blende und der mit ihr verbundenen Reduzierung der Elliptizität ist eine Abbildung mit homogenem Auflösungsvermögen möglich.A structure-bearing mask is arranged in the first field level and is imaged on a second field level with a projection objective. In the second field level, a photosensitive substrate is arranged and exposed as soon as the light beam hits the photosensitive substrate. Structures of the mask oriented in the direction of the first and second dimensions of the entry surface would be imaged without the diaphragm with a differently large resolving power if the pupil illumination in the second pupil plane has an ellipticity. Imaging with a homogeneous resolution is only possible with the aperture and the associated reduction in ellipticity.
Insbesondere kommt bei dem Verfahren eine Blende mit den bei der Beschreibung der Vorrichtung genannten Merkmalen zum Einsatz.In particular, an aperture with the features mentioned in the description of the device is used in the method.
Die Aufzählung der Verfahrensschritte ist nicht abschließend, sondern gibt nur die Schritte wieder, die zur Reduzierung der Elliptizität erforderlich sind. Vielmehr sind weitere für den Belichtungsvorgang übliche und allgemein bekannte Verfahrensschritte anzuwenden.The list of process steps is not exhaustive, but only shows the steps that are necessary to reduce the ellipticity. Rather, further process steps which are customary and generally known for the exposure process must be used.
Näher erläutert wird die Erfindung anhand der Zeichnungen. Figur 1 zeigt eine Blende in Draufsicht;The invention is explained in more detail with reference to the drawings. Figure 1 shows an aperture in plan view;
Figur 2 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage ; undFigure 2 shows a schematic representation of a microlithography projection exposure system; and
Figur 3 zeigte in einer schematischen Darstellung die Definition der Elliptizität der Pupillenausleuchtung.Figure 3 shows a schematic representation of the definition of the ellipticity of the pupil illumination.
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel für eine Blende 1 gemäß der Erfindung gezeigt. Die Blende 1 weist die Blendenöffnung 3 auf, welche symmetrisch zu einer ersten Symmetrieachse 5 und symmetrisch zu einer zweiten Symmetrieachse 7 ist. In der Mitte der Blendenöffnung 3 liegt der Ursprung eines x-y-Koordinatensystems. Die erste Symmetrieachse 5 zeigt dabei in x-Richtung, die zweite Symmetrieachse 7 in y-Richtung. Die Höhe HBL der Blendenöffnung 3 beträgt 13 mm. Die Breite der Blendenöffnung 3 ist abhängig vom Abstand y von der Symmetrieachse 5. Bei y = 0 beträgt die Breite Bt im Ausführungsbeispiel der Figur 1 Bi = 13 mm und ist gleich der Höhe HBL der Blendenöffnung. Bis zur Höhe y0 = 3.5mm weist die Blendenöffnung 3 eine konstante Breite von 13 mm auf. Zwischen der Höhe y0 = 3.5mm und dem oberen Rand der Blendenöffnung 3 wächst die Breite der Blendenöffnung linear an. Die Breite B2 am oberen Rand der Blendenöffnung 3 bei y = HBι/2 = 6.5mm beträgt B2 = 21mm, so daß das Verhältnis der Breite B2 und der Breite Bi gleich 1.6 ist. Die Berandungslinie der Blendenöffnung 3 zwischen der Höhe y0 und dem oberen Rand der Blendenöffnung 3 schließt mit der y- Achse einen Winkel von 53.1° ein. Das Verhältnis zwischen der Differenz der Höhe HBL und dem doppelten Wert der Höhe y0 und der Differenz der Breite B2 und der Breite B] beträgt:FIG. 1 shows an exemplary embodiment for an aperture 1 according to the invention. The aperture 1 has the aperture 3, which is symmetrical to a first axis of symmetry 5 and symmetrical to a second axis of symmetry 7. The origin of an xy coordinate system lies in the middle of the aperture 3. The first axis of symmetry 5 points in the x direction, the second axis of symmetry 7 in the y direction. The height H BL of the aperture 3 is 13 mm. The width of the aperture 3 is dependent on the distance y from the axis of symmetry 5. When y = 0, the width B t in the exemplary embodiment in FIG. 1 is Bi = 13 mm and is equal to the height H BL of the aperture. The aperture 3 has a constant width of 13 mm up to the height y 0 = 3.5 mm. Between the height y 0 = 3.5 mm and the upper edge of the aperture 3, the width of the aperture increases linearly. The width B 2 at the upper edge of the aperture 3 at y = H B ι / 2 = 6.5mm is B 2 = 21mm, so that the ratio of the width B 2 and the width Bi is 1.6. The boundary line of the aperture 3 between the height y 0 and the upper edge of the aperture 3 includes an angle of 53.1 ° with the y-axis. The ratio between the difference in height H BL and twice the value in height y 0 and the difference in width B 2 and width B] is:
HBι - (2 - y0) _ 13mm - (2 - 3.5mm) _H B ι - (2 - y 0 ) _ 13mm - (2 - 3.5mm) _
= 0.75 .= 0.75.
B2 - B, 21mm - 13mm In Figur 2 ist der Einsatz der Blende 1 der Figur 1 in einer Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage gezeigt. Die Blende trägt in Figur 2 das Bezugszeichen 201. Die Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage 215 weist das Beleuchtungssystem 213, die Struktur tragende Maske 219, das Projektionsobjektiv 217 und das lichtempfindlichen Substrat 221 auf. Im Beleuchtungssystem 213 ist die Lichtquelle 223, eine Quecksilber-Kurzbogenlampe, in einem der zwei Brennpunkte eines elliptischen Spiegels 225 angeordnet, der das emittierte Licht im zweiten Brennpunkt 227 sammelt.B 2 - B, 21mm - 13mm FIG. 2 shows the use of the diaphragm 1 from FIG. 1 in a microlithography projection exposure system. The diaphragm has the reference number 201 in FIG. 2. The microlithography projection exposure system 215 has the illumination system 213, the structure-bearing mask 219, the projection objective 217 and the light-sensitive substrate 221. In the lighting system 213, the light source 223, a mercury short-arc lamp, is arranged in one of the two focal points of an elliptical mirror 225, which collects the emitted light in the second focal point 227.
Das folgende Objektiv 229 besteht aus einer ersten Linsengruppe 231, der konkaven ersten Axikon-Linse 233, der konvexen zweiten Axikon-Linse 235 und einer zweitenThe following lens 229 consists of a first lens group 231, the concave first axicon lens 233, the convex second axicon lens 235 and a second
Linsengruppe 237. Stellmittel 239 und 241 erlauben die axiale Verschiebung der Axikon- Linse 235 und eines optischen Elements der zweiten Linsengruppe 237. Damit kann sowohl der Abstand der Axikon-Linsen (233, 235) untereinander verstellt werden und somit der Ringfeldcharakter der Pupillenausleuchtung in der Pupillenzwischenebene 243 verändert werden, als auch eine Zoom- Wirkung zur Veränderung des Durchmessers der Pupillenausleuchtung, also des Kohärenzgrads σ, erreicht werden. Ausführungsbeispiele für das Objektiv 229 sind in der US 5,675,401 enthalten. Nach der Pupillenzwischenebene 243 folgt ein zweites Objektiv 245, mit dem das Licht auf die Blende 201 fokussiert wird. Der Kollektorspiegel 225, das Objektiv 229 und das Objektiv 245 bilden die Kondensoroptik 210, welche ausschließlich optische Komponenten mit zur optischen Achse rotationssymmetrischer optischer Wirkung aufweist.Lens group 237. Adjustment means 239 and 241 allow the axial displacement of the axicon lens 235 and an optical element of the second lens group 237. This allows both the distance between the axicon lenses (233, 235) to be adjusted and thus the ring field character of the pupil illumination in the Intermediate pupil plane 243 can be changed, as well as a zoom effect for changing the diameter of the pupil illumination, ie the degree of coherence σ, can be achieved. Exemplary embodiments for the lens 229 are contained in US Pat. No. 5,675,401. After the intermediate pupil plane 243 there follows a second objective 245 with which the light is focused on the diaphragm 201. The collector mirror 225, the objective 229 and the objective 245 form the condenser optics 210, which exclusively have optical components with an optical effect that is rotationally symmetrical to the optical axis.
Die Kondensoroptik 210 bildet die Lichtquelle 223 auf die Blende 201 ab. Die Blende 201 ist unmittelbar vor der Eintrittsfläche 247 des Stabintegrators 211 angeordnet, welcher als Quarzstab ausgebildet ist. Die Blende 201 und der Stabintegrator 211 bilden die Integratoreinheit 209.The condenser optics 210 images the light source 223 onto the diaphragm 201. The diaphragm 201 is arranged directly in front of the entry surface 247 of the rod integrator 211, which is designed as a quartz rod. The diaphragm 201 and the rod integrator 211 form the integrator unit 209.
Der Ausgang des Stabintegrators 211 ist eine Zwischenfeldebene, in der ein Maskierungssystem (REMA) 249 angeordnet ist. Das folgende REMA-Objektiv 251 bildet das Maskierungssystem 249 auf die Struktur tragende Maske 219 (Retikel, Lithographievorlage) ab und enthält eine erste Linsengruppe 253, eine Pupillenebene 255, zweite und dritte Linsengruppen (257 und 259) und dazwischen einen Umlenkspiegel 261. Ausführungsbeispiele für das REMA-Objektiv 251 sind in der DE 195 48 805 AI (US 5,982,558) und der DE 196 53 983 AI (US serial No.09/125621) gegeben.The output of the rod integrator 211 is an intermediate field level, in which a masking system (REMA) 249 is arranged. The following REMA objective 251 forms the masking system 249 on the structure-bearing mask 219 (reticle, Lithography template) and contains a first lens group 253, a pupil plane 255, second and third lens groups (257 and 259) and in between a deflecting mirror 261. Exemplary embodiments of the REMA lens 251 are in DE 195 48 805 AI (US 5,982,558) and DE 196 53 983 AI (US serial No.09 / 125621).
Die Struktur tragende Maske 219 wird von dem Projektionsobjektiv 217 auf das Licht empfindliche Substrat 221 abgebildet. Ein Ausführungsbeispiel für das Projektionsobjektiv 217 ist in der DE 199 42 281.8 enthalten. Sowohl die Struktur tragende Maske 219 als auch das lichtempfindliche Substrat 221 werden von einer nicht dargestellten Positionier- und Wechseleinheit getragen, die neben dem Tausch der Elemente auch das Scannen der Elemente während der Belichtung erlauben.The structure-bearing mask 219 is imaged by the projection lens 217 onto the light-sensitive substrate 221. An embodiment of the projection lens 217 is contained in DE 199 42 281.8. Both the structure-bearing mask 219 and the light-sensitive substrate 221 are carried by a positioning and changing unit (not shown) which, in addition to exchanging the elements, also allows the elements to be scanned during the exposure.
Die Blende 201 ist an die Abmessungen des Stabintegrators 211 angepaßt. Die Eintrittsfläche 247 des Stabintegrators 211 weist die Stabbreite Bsi = 28mm und die Stabhöhe Hsi = 13mm auf. Die Stabbreite wird dabei in x-Richtung, die Stabhöhe in y- Richtung gemessen. Die Länge des Stabintegrators beträgt 800mm, um eine ausreichende Homogenisierung des Lichts zu gewährleisten. Die Breite B] der Blende 201 bei y = 0 und die Höhe HBL ist somit gleich der Stabhöhe Hsi. Die Blende 201 könnte auch eine größere physikalische Höhe aufweisen, da der Lichtfleck in diesem Fall durch die obere und untere Begrenzungslinien der Eintrittsfläche 247 vignettiert werden würde. Der Abstand der Blende 201 zum Stabintegrator 211 beträgt 0.5mm.The aperture 201 is adapted to the dimensions of the rod integrator 211. The entry surface 247 of the rod integrator 211 has the rod width Bsi = 28mm and the rod height Hsi = 13mm. The bar width is measured in the x direction and the bar height in the y direction. The length of the rod integrator is 800mm to ensure adequate homogenization of the light. The width B] of the diaphragm 201 at y = 0 and the height H BL is therefore equal to the rod height Hsi. The aperture 201 could also have a greater physical height, since in this case the light spot would be vignetted by the upper and lower boundary lines of the entry surface 247. The distance between the aperture 201 and the rod integrator 211 is 0.5 mm.
Im folgenden wird gezeigt, wie der Einsatz der Blende 201 die Elliptizität der Pupillenausleuchtung beeinflußt. Dazu wird zunächst die Blende 201 aus dem Beleuchtungssystem 213 entfernt. Der Lichtbogen der Lichtquelle 223 hat in diesemThe following shows how the use of the diaphragm 201 influences the ellipticity of the pupil illumination. For this purpose, the aperture 201 is first removed from the lighting system 213. The arc of the light source 223 has in this
Ausführungsbeispiel eine Länge von 4mm und einen Durchmesser von 6mm. Die von der Lichtquelle 223 emittierten Lichtstrahlen weisen bezüglich der optischen Achse OA Winkel zwischen 60° und 135° auf. Die Lichtbogen wird durch die Kondensoroptik 210 auf die Eintrittsfläche 247 abgebildet und erzeugt einen Lichtfleck mit einem maximalen Durchmesser von 41mm, welcher somit um 315% größer als die Stabhöhe ist. Die Strahlen weisen einen maximalen Winkel von 18° bezüglich der optischen Achse OA auf. Der Durchmesser des Lichtflecks und die Strahlwinkel an der Eintrittsfläche hängen von der Stellung der Zoom-Linsen und der Axikon-Linsen (233, 235) im Objektiv 229 ab. In diesem Beispiel sind die Axikon-Linsen (233, 235) geschlossen und das Objektiv 229 weist eine Brennweite von 77mm auf. Die hintere Brennebene des Objektivs 229 befindet sich dabei annähernd am Ort des zweiten Brennpunkts 227 des Spiegels 225, die vordere Brennebene annähernd am Ort der Pupillenzwischenebene 243. Die Brennweite des Objektivs 245 beträgt 90mm, wobei sich der hintere Brennpunkt annähernd am Ort der Pupillenzwischenebene 243 und sich der vordere Brennpunkt annähernd am Ort der Blende 201 befindet. Der Stabintegrator 211 erzeugt an seiner Austrittsfläche eine homogeneEmbodiment a length of 4mm and a diameter of 6mm. The light beams emitted by the light source 223 have angles between 60 ° and 135 ° with respect to the optical axis OA. The arc is imaged by the condenser optics 210 on the entry surface 247 and generates a light spot with a maximum diameter of 41 mm, which is thus 315% larger than the rod height. The Rays have a maximum angle of 18 ° with respect to the optical axis OA. The diameter of the light spot and the beam angle on the entrance surface depend on the position of the zoom lenses and the axicon lenses (233, 235) in the lens 229. In this example, the axicon lenses (233, 235) are closed and the lens 229 has a focal length of 77 mm. The rear focal plane of the lens 229 is located approximately at the location of the second focal point 227 of the mirror 225, the front focal plane approximately at the location of the intermediate pupil plane 243. The focal length of the lens 245 is 90 mm, the rear focal point approximately at the location of the intermediate pupil plane 243 and the front focal point is approximately at the location of the aperture 201. The rod integrator 211 produces a homogeneous surface on its exit surface
Feldausleuchtung, die mit dem REMA-Objektiv 251 auf die Struktur tragende Maske 217 abgebildet wird. Auf die Feldebene mit dem Maskierungssystem 249 folgt nach der Linsengruppe 253 mit der Brennweite 123mm die Pupillenebene 255 des REMA-Objektivs 251, in der die Pupillenausleuchtung als Intensitätsverteilung I(x,y) betrachtet wird. Die hintere Brennebene der Linsengruppe 253 befindet sich annähernd am Ort desField illumination, which is imaged on the structure-bearing mask 217 with the REMA objective 251. The field level with the masking system 249 is followed by the pupil plane 255 of the REMA objective 251 after the lens group 253 with the focal length 123 mm, in which the pupil illumination is viewed as an intensity distribution I (x, y). The rear focal plane of the lens group 253 is approximately at the location of the
Maskierungssystems 249, die vordere Brennebene annähernd am Ort der Pupillenebene 255.Masking system 249, the anterior focal plane approximately at the location of the pupil plane 255.
Die Definition der Elliptizität der Pupillenausleuchtung wird mit Figur 3 veranschaulicht. Die Pupillenausleuchtung 375 ist dabei nicht homogen, wie das in Figur 3 schematisch dargestellt ist, sondern weist durch die in y-Richtung nicht vollständige Füllung der Eintrittsfläche 247 des Stabintegrators 211 ein Gitter von separierten Lichtflecken auf. Zur Bestimmung der Elliptizität werden die Gesamtintensitäten in den vier Quadranten 363, 365, 367 und 369 bestimmt. Die Quadranten werden durch die Geraden 371 und 373 begrenzt, die jeweils unter 45° zur y- Achse stehen. Die Elliptizität ist nun gleich dem Quotienten aus den Gesamtintensitäten in den Quadranten 363 und 367 und aus den Gesamtintensitäten in den Quadranten 365 und 369: \ I(x, y)dxdy + \ I(x, y)dxdyThe definition of the ellipticity of the pupil illumination is illustrated in FIG. 3. The pupil illumination 375 is not homogeneous, as is shown schematically in FIG. 3, but instead has a grid of separated light spots due to the fact that the entry surface 247 of the rod integrator 211 is not completely filled in the y direction. To determine the ellipticity, the total intensities in the four quadrants 363, 365, 367 and 369 are determined. The quadrants are delimited by straight lines 371 and 373, which are each at 45 ° to the y-axis. The ellipticity is now equal to the quotient of the total intensities in quadrants 363 and 367 and the total intensities in quadrants 365 and 369: \ I (x, y) dxdy + \ I (x, y) dxdy
Elliptizität = 100%Ellipticity = 100%
I I(x, y)dxdy + I I(x, y)dxdyI I (x, y) dxdy + I I (x, y) dxdy
365 369 3 65 369
Ohne den Einsatz der Blende 201 beträgt die Elliptizität der Pupillenausleuchtung in der Pupillenebene 255 19%. Ordnet man vor dem Stabintegrator 211 eine kreisrunde Blende an, deren Durchmesser gleich der Stabhöhe Hsi = 13mm ist, so verschwindet die Elliptizität. Durch den Einsatz der kreisrunden Blende verliert man jedoch 48% der Gesamtintensität im Vergleich zu einer Integratoreinheit 209, die vor der Eintrittsfläche 247 keine Blende aufweist. Die Einkoppeleffizienz der kreisrunden Blende beträgt 10.1%.Without the use of the aperture 201, the ellipticity of the pupil illumination in the pupil plane 255 is 19%. If a circular diaphragm is arranged in front of the rod integrator 211, the diameter of which is equal to the rod height Hsi = 13 mm, the ellipticity disappears. By using the circular diaphragm, however, 48% of the total intensity is lost in comparison with an integrator unit 209 which has no diaphragm in front of the entry surface 247. The coupling efficiency of the circular aperture is 10.1%.
Mit einer quadratischen Blende, deren Höhe und Breite gleich der Stabhöhe Hsi = 13mm ist, verschwindet die Elliptizität der Pupillenausleuchtung ebenfalls. Mit einer quadratischen Blende verliert man nur noch 37% der Gesamtintensität im Vergleich zu einer Integratoreinheit 209 ohne Blende. Die Einkoppeleffizienz der quadratischen Blende beträgt 12.8%.With a square diaphragm, the height and width of which is equal to the rod height Hsi = 13mm, the ellipticity of the pupil illumination also disappears. With a square diaphragm, only 37% of the total intensity is lost compared to an integrator unit 209 without a diaphragm. The coupling efficiency of the square aperture is 12.8%.
Mit der Blende 201 beträgt die Elliptizität der Pupillenausleuchtung 2.5%. Im Vergleich zu einer Integratoreinheit 209 ohne Blende (Elliptizität 19%) ist die Elliptizität deutlich niedriger und weist einen tolerierbaren Wert auf. Mit der Blende 201 verliert man nur noch 32% der Gesamtintensität im Vergleich zu einer Integratoreinheit 209 ohne Blende. Die Einkoppeleffizienz der Blende 201 beträgt 14.6%. Im Vergleich zu einer kreisrundenWith aperture 201, the ellipticity of the pupil illumination is 2.5%. Compared to an integrator unit 209 without an aperture (ellipticity 19%), the ellipticity is significantly lower and has a tolerable value. With the aperture 201, only 32% of the total intensity is lost compared to an integrator unit 209 without an aperture. The coupling efficiency of the aperture 201 is 14.6%. Compared to a circular one
Blende ist die Einkoppeleffizienz um den Faktor 1.45 größer. Die Gesamtintensität ist um den Faktor 1.3 größer als bei einer Integratoreinheit mit einer kreisrunden Blende.The coupling efficiency is a factor of 1.45 higher. The overall intensity is 1.3 times greater than that of an integrator unit with a circular aperture.
Ausgehend von der Blende 201 kann die Berandungslinie der Blendenöffnung derart abgewandelt werden, daß sich bei gesteigerten Anforderungen an die Elliptizität derStarting from the diaphragm 201, the boundary line of the diaphragm opening can be modified in such a way that with increased demands on the ellipticity of the
Pupillenausleuchtung tolerierbare Werte für die Elliptizität ergeben. Beispielsweise kann der Neigungswinkel der Berandungslinie zwischen der Höhe y0 und dem oberen Rand der Blendenöffnung verringert werden. Möglich ist auch, den Wert für die Höhe yo zu erhöhen. Geringere Werte für die Elliptizität ergeben sich auch, wenn die Berandungslinie zwischen der Höhe y0 und dem oberen Rand der Blendenöffnung keine Gerade, sondern einen Bogen bildet, so daß die Breiten der Blendenöffnung in diesem Bereich geringer sind als bei der Blende 201.Pupil illumination give tolerable values for the ellipticity. For example, the angle of inclination of the boundary line between the height y 0 and the upper edge of the diaphragm opening can be reduced. It is also possible to increase the value for the height yo. Lower values for the ellipticity also result if the boundary line between the height y 0 and the upper edge of the diaphragm opening does not form a straight line but an arc, so that the widths of the diaphragm opening in this area are smaller than for the diaphragm 201.
Mit den Ausführungsbeispielen für eine Blende, welche vor einem Stabintegrator angeordnet wird, wurde gezeigt, daß es möglich ist, bei hoher Effizienz Pupillenausleuchtungen zu erzielen, die nahezu keine Elliptizität aufweisen. With the exemplary embodiments for a diaphragm which is arranged in front of a rod integrator, it has been shown that it is possible to achieve pupil illuminations which have almost no ellipticity with high efficiency.

Claims

Patentansprüche: claims:
1. Blende (1, 201), insbesondere für eine Integratoreinheit (209) einer Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage (215), mit einer Blendenöffnung (3), wobei die Blendenöffnung (3) symmetrisch zu einer ersten Symmetrieachse (5) ist, welche in x- Richtung weist, und Breiten in x-Richtung aufweist, welche vom Abstand y von der ersten Symmetrieachse (5) abhängen, dadurch gekennzeichnet, daß die Breiten größer oder gleich der Breite bei y = 0 sind.1. Aperture (1, 201), in particular for an integrator unit (209) of a microlithography projection exposure system (215), with an aperture (3), the aperture (3) being symmetrical to a first axis of symmetry (5), which in x - Direction points, and has widths in the x direction, which depend on the distance y from the first axis of symmetry (5), characterized in that the widths are greater than or equal to the width at y = 0.
2. Blende (1, 201) nach Anspruch 1, wobei die Blendenöffnung (3) eine effektive Höhe HBL aufweist, welche nahezu gleich der Breite bei y = 0 ist.2. Aperture (1, 201) according to claim 1, wherein the aperture opening (3) has an effective height H BL , which is almost equal to the width at y = 0.
3. Blende (1, 201) nach Anspruch 2, wobei die Blendenöffnung (3) bei y = 0 eine erste Breite Bi und bei y = HBL 2 eine zweite Breite B2 aufweist, wobei das Verhältnis aus der zweiten Breite und der ersten Breite einen Wert zwischen 1.0 und 2.0, insbesondere zwischen 1.4 und 1.7 annimmt, und wobei die Breiten der Blendenöffnung größer oder gleich der ersten Breite \ und kleiner oder gleich der zweiten Breite B2 sind.3. A diaphragm (1, 201) according to claim 2, wherein the diaphragm opening (3) has a first width Bi at y = 0 and a second width B 2 at y = H BL 2, the ratio of the second width and the first Width assumes a value between 1.0 and 2.0, in particular between 1.4 and 1.7, and the widths of the aperture opening being greater than or equal to the first width \ and less than or equal to the second width B 2 .
4. Blende (1, 201) nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 3, wobei die Blendenöffnung (3) von y=0 bis zu einem vorgegebenen Abstand yo, welcher größer als HB /4 und kleiner als HBι/2 ist, eine konstante Breite aufweist.4. Aperture (1, 201) according to at least one of claims 2 to 3, wherein the aperture (3) from y = 0 to a predetermined distance yo, which is larger than H B / 4 and smaller than H B ι / 2 , has a constant width.
5. Blende (1, 201) nach Anspruch 4, wobei das Verhältnis zwischen der Differenz der effektiven Höhe HBL und dem doppelten Wert des vorgegebenen Abstand yo und der Differenz der zweiten Breite und der ersten Breite größer 0.6 ist. 5. aperture (1, 201) according to claim 4, wherein the ratio between the difference of the effective height H BL and twice the value of the predetermined distance yo and the difference of the second width and the first width is greater than 0.6.
6. Blende (1, 201) nach mindestens einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei die Breite der Blendenöffnung (3) zwischen dem vorgegebenen Abstand yo und y = HBι72 linear anwächst.6. Aperture (1, 201) according to at least one of claims 4 or 5, wherein the width of the aperture (3) between the predetermined distance yo and y = H B 72 increases linearly.
7. Blende (1, 201) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Blendenöffnung (3) symmetrisch zu einer zweiten Symmetrieachse (7) ist, welche senkrecht zur ersten Symmetrieachse (5) steht.7. diaphragm (1, 201) according to one of claims 1 to 6, wherein the diaphragm opening (3) is symmetrical to a second axis of symmetry (7) which is perpendicular to the first axis of symmetry (5).
8. Blende (1, 201) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Breite der Blendenöffnung (3) bei y = 0 Werte zwischen 2mm und 30mm, insbesondere zwischen8. aperture (1, 201) according to one of claims 1 to 7, wherein the width of the aperture (3) at y = 0 values between 2mm and 30mm, in particular between
4mm und 20 mm aufweist.4mm and 20mm.
9. Integratoreinheit (209) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (215) mit einem Stabintegrator (211) und einer Blende (1, 201) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, die in Lichtrichtung vor dem Stabintegrator (211) angeordnet ist.9. integrator unit (209) for a microlithography projection exposure system (215) with a rod integrator (211) and a diaphragm (1, 201) according to one of claims 1 to 8, which is arranged in the light direction in front of the rod integrator (211).
10. Integratoreinheit (209) nach Anspruch 9, wobei der Stabintegrator (211) eine rechteckige Eintrittsfläche (247) mit einer Stabbreite in x-Richtung und mit einer Stabhöhe in y-Richtung aufweist, wobei das Verhältnis aus Stabbreite und Stabhöhe mindestens 1,5 beträgt und wobei die Breite der Blendenöffnung (3) bei y = 0 nahezu gleich der Stabhöhe ist.10. integrator unit (209) according to claim 9, wherein the bar integrator (211) has a rectangular entry surface (247) with a bar width in the x direction and with a bar height in the y direction, the ratio of bar width and bar height at least 1.5 is and the width of the aperture (3) at y = 0 is almost equal to the rod height.
11. Beleuchtungssystem (213) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (215) mit einer Integratoreinheit (209) nach einem der Ansprüche 9 oder 10.11. Illumination system (213) for a microlithography projection exposure system (215) with an integrator unit (209) according to one of claims 9 or 10.
12. Beleuchtungssystem (213) nach Anspruch 11 mit einer Kondensoroptik (210), welche in Lichtrichtung vor der Integratoreinheit (209) angeordnet ist und die Blende (1, 209) mit einem Lichtfleck beleuchtet, dessen Durchmesser größer als die Stabhöhe ist, und mit einer Pupillenebene (255), welche in Lichtrichtung nach der Integratoreinheit (209) angeordnet ist und eine Pupillenausleuchtung (375) mit einer Elliptizität aufweist, wobei die Blende (1, 201) den Lichtfleck derart vignettiert, daß die Elliptizität kleiner 10%, insbesondere kleiner 5% ist.12. Lighting system (213) according to claim 11 with a condenser optics (210) which is arranged in the light direction in front of the integrator unit (209) and illuminates the diaphragm (1, 209) with a light spot whose diameter is greater than the rod height, and with a pupil plane (255), which is arranged in the light direction after the integrator unit (209) and has a pupil illumination (375) with an ellipticity, the diaphragm (1, 201) vignetting the light spot in such a way that the ellipticity is less than 10%, in particular less than 5%.
13. Beleuchtungssystem (213) nach einem der Ansprüche 11 oder 12, wobei die Blende (1, 201) eine Einkoppeleffizienz aufweist, welche größer ist als bei einer Blende mit einer kreisrunden Blendenöffnung, deren Durchmesser gleich der Stabhöhe ist.13. Lighting system (213) according to one of claims 11 or 12, wherein the diaphragm (1, 201) has a coupling-in efficiency which is greater than in the case of a diaphragm with a circular diaphragm opening, the diameter of which is equal to the rod height.
14. Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (215) mit einem Beleuchtungssystem (213) nach einem der Ansprüche 11 bis 13 und mit einem Projektionsobjektiv (217), das eine Struktur tragende Maske (219) auf ein lichtempfindliches Substrat (221) abbildet.14. Microlithography projection exposure system (215) with an illumination system (213) according to one of claims 11 to 13 and with a projection objective (217) which images a structure-bearing mask (219) on a light-sensitive substrate (221).
15. Verfahren zum Belichten von lichtempfindlichen Substraten (221), insbesondere zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, welches mindestens die folgenden Verfahrensschritte aufweist,15. A method for exposing photosensitive substrates (221), in particular for producing semiconductor components, which has at least the following method steps,
• Erzeugen eines Lichtbündels mit einer Lichtquelle (223),Generating a light beam with a light source (223),
• Sammeln des Lichtbündels mit einer Kondensoroptik (210) und Beleuchten einer ersten Pupillenebene (243) in der Kondensoroptik (210) mit einer ersten Pupillenausleuchtung, welche keine Elliptizität aufweist, • Fokussieren des Lichtbündels auf einen Lichtfleck an einer Eintrittsfläche (247) eines Stabintegrators (211) mit der Kondensoroptik (210), wobei der Lichtfleck nahezu rund ist und einen Durchmesser aufweist, wobei die Eintrittsfläche (247) in einer ersten Richtung eine erste Ausdehnung und in einer zweiten auf der ersten Richtung senkrecht stehenden Richtung eine zweite Ausdehnung aufweist, welche mindestens um den Faktor 1,5 größer ist als die erste Ausdehnung, und wobei derCollecting the light bundle with condenser optics (210) and illuminating a first pupil plane (243) in the condenser optics (210) with a first pupil illumination that has no ellipticity, • focusing the light bundle on a light spot at an entry surface (247) of a rod integrator ( 211) with the condenser optics (210), the light spot being almost round and having a diameter, the entry surface (247) having a first extent in a first direction and a second extent in a second direction perpendicular to the first direction, which is at least 1.5 times greater than the first dimension, and the
Durchmesser des Lichtflecks größer ist als die erste Ausdehnung,Diameter of the light spot is larger than the first dimension,
• Vignettieren des Lichtflecks mit einer Blende (1, 201), welche nach der Kondensoroptik (210) und vor dem Stabintegrator (211) angeordnet wird, • Homogenisieren des Lichtbündels mit dem Stabintegrator (211) und Erzeugen einer homogenen Feldausleuchtung an einem Maskierungssystem (249), welches nach dem Stabintegrator (211) angeordnet wird,Vignetting the light spot with an aperture (1, 201), which is arranged after the condenser optics (210) and in front of the rod integrator (211), Homogenizing the light beam with the rod integrator (211) and generating a homogeneous field illumination on a masking system (249) which is arranged after the rod integrator (211),
• Abbilden des Maskierungssystems (249) auf eine erste Feldebene mit einem Objektiv (251), wobei in einer zweiten Pupillenebene (255) des Objektivs (251) eine zweite Pupillenausleuchtung (375) erzeugt wird, welche eine Elliptizität kleiner 10%, insbesondere kleiner 5% aufweist,• Imaging the masking system (249) on a first field level with an objective (251), a second pupil illumination (375) being generated in a second pupil plane (255) of the objective (251), which illuminating is less than 10%, in particular less than 5 % having,
• Anordnen einer Struktur tragenden Maske (219) in der ersten Feldebene,Arranging a structure-bearing mask (219) in the first field level,
• Abbilden der Struktur tragenden Maske (219) auf eine zweite Feldebene mit einem Projektionsobjektiv (217),Imaging the structure-bearing mask (219) on a second field level with a projection objective (217),
• Anordnen eines lichtempfindlichen Substrates (221) in der zweiten Feldebene und Belichten des lichtempfindlichen Substrates (221).• Arranging a photosensitive substrate (221) in the second field plane and exposing the photosensitive substrate (221).
16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Lichtfleck mit einer Blende (1, 201) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8 vignettiert wird. 16. The method according to claim 15, wherein the light spot is vignetted with an aperture (1, 201) according to at least one of claims 1 to 8.
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