EP1373165A2 - Verfahren zur herstellung von metalloxiden und metallchalkogeniden mit einer definierten mikrostrukturierung - Google Patents

Verfahren zur herstellung von metalloxiden und metallchalkogeniden mit einer definierten mikrostrukturierung

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Publication number
EP1373165A2
EP1373165A2 EP02724123A EP02724123A EP1373165A2 EP 1373165 A2 EP1373165 A2 EP 1373165A2 EP 02724123 A EP02724123 A EP 02724123A EP 02724123 A EP02724123 A EP 02724123A EP 1373165 A2 EP1373165 A2 EP 1373165A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
metal
ions
chalcogenide
nano
oxygen
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP02724123A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Larissa Dloczik
Rolf KÖNENKAMP
Rolf Engelhard
Katja Ernst
Martha Christina Lux-Steiner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH
Original Assignee
Hahn Meitner Institut Berlin GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Hahn Meitner Institut Berlin GmbH filed Critical Hahn Meitner Institut Berlin GmbH
Publication of EP1373165A2 publication Critical patent/EP1373165A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/145—After-treatment of oxides or hydroxides, e.g. pulverising, drying, decreasing the acidity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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    • C01B17/20—Methods for preparing sulfides or polysulfides, in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
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    • C01G1/12—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
    • C01P2004/40—Particle morphology extending in three dimensions prism-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer

Definitions

  • Micro- and nano-structured surfaces are required in a wide variety of fields of application, which on the one hand have a certain chemical property but on the other hand should have a certain surface structure.
  • These surface layers have hitherto been applied to a structured substrate by means of customary methods, or if the resulting surface does not have the desired structure, subsequent methods, such as “embossing” methods or lithographic methods, attempt to produce a specific surface structure in a targeted manner.
  • Such a method is described, for example, in WO 99/58327 in which optically diffractive or refractive patterns with a typical structure size in the micrometer range are embossed on substrate surfaces and then further materials are applied with coatings to improve the optical quality.
  • This technique is used e.g. B. used for the production of optical storage.
  • microstructures are also described in EP 0 592 094 A2.
  • This method uses a free-standing metal structure typical dimensions of 10-20 micrometers generated by the metal layer is deposited on a "sacrificial" layer designed by means of lithography, which thus specifies the dimensions of the metal layer.
  • the "victim" layer is completely removed, so that the metal layer is free.
  • the known methods each have the disadvantage that the surface structure can only be achieved by means of a complex mechanical process or the quality of the surface structure depends on the quality and accuracy of the tools.
  • the transferability of shapes and structures is very important, especially on the micro and nanometer scale, since shaping and structuring with the conventional methods is very difficult in this size range.
  • the object of the invention is to provide a method with which metal oxides or metal chalcogenides can be produced which have a predeterminable nano or micro structure.
  • Micro structure is generated. If this metal oxide or metal chalcogenide with the desired nano or microstructure does not have the desired properties, for example the mechanical, chemical or electrical properties, a metal oxide or metal chalcogenide with the desired properties is produced in a subsequent ion exchange process, the during the ion exchange which Nano or micro structures of the starting compounds are preserved. This ion exchange takes place in the presence of chalcogenide ions or metal ions or oxygen ions under the influence of a
  • a metal ion can be replaced by another metal ion in a further process step, so that a total exchange of the starting materials takes place while maintaining the nano- or microstructure of the starting compound Has.
  • the desired nano or micro structure can be produced, for example, by depositing a metal oxide or metal chalcogenide on a substrate, which forms this desired nano or micro structure.
  • the desired nano or micro structure can also be achieved by other methods, such as. B. "embossing” or lithography.
  • the new compounds with the desired nano or micro structure are also on this surface, e.g. B. a substrate, so that a corresponding micro and nanostructure with the required mechanical, chemical and electrical properties was created.
  • the ion exchange can take place from the gas phase or the liquid phase by allowing a sufficiently high reaction rate through the temperature and by offering the ions to be incorporated in high concentration or at high pressure, a high chemical conversion is guaranteed.
  • the core or remnants of the starting material which have remained within the jacket, which consists of the converted material can be removed by suitable processes, for example etching processes, so that a thin-walled body with the desired structure can be produced ,
  • suitable processes for example etching processes
  • the nano or micro structures of the starting compounds are retained, regardless of whether these structures originated or whether they were formed by other methods, such as, for example, B. with embossing processes or with lithographic processes.
  • Al, Ti, Fe, Ni, Cu, Zn, Mo, In, Sn, Cd and W are used in particular as metals in the metal oxides or metal chalcogenides.
  • S and Se are used in particular as chalcogens in the metal chalcogenides.
  • This process provides a simple, inexpensive, and large-scale way to transfer shapes from a given material to other materials.
  • a large number of materials with a predetermined structure can be produced, e.g. B.
  • ZnO is converted into ZnS while maintaining the microstructure, which in turn is converted into CuS while maintaining the microstructure, which in turn can be converted into CuO etc.
  • nanostructures can be created in many oxides, especially in ZnO, but also in TiO 2 , SnO 2 and AI 2 O 3 , such as oriented columns in ZnO, a pyramid structure in SnO 2 , nano-porosity in TiO 2 or nano- Tubes in AI 2 O 3 .
  • these material-specific structures can also be implemented in the respective sulfides and selenides, ie in a sense these structures can be transferred to other material compounds.
  • other methods such as embossing, lithography, etc. can be used to create nanostructures in certain oxides, which can then be converted later.
  • this process can also be applied to artificial opals, in which mesoscopic building blocks are put together to form lattices.
  • mesoscopic building blocks are put together to form lattices.
  • these are currently being researched very intensively for photonic applications.
  • catalytic applications Another broad area of application of the invention is represented by catalytic applications.
  • the task here is to direct a gas or solution flow over enlarged surfaces, for improved analysis and sensor technology or for chemical reaction, without the catalyst surface being adversely affected.
  • Thin-film technology enables the realization of very large surfaces with high strength and good heat transfer.
  • nano- and micro-structured surfaces are absolutely necessary, in particular for the diffuse scattering of light, for coupling light into solar cells. Since certain shapes can only be realized in a few materials, the method according to the invention offers the possibility of transferring shapes to other materials.
  • the ion exchange according to the invention makes it possible to produce new photonic crystal structures with predetermined structures in a simple manner, or to specifically change the dielectric contrast between different components of a photonic crystal. For example, if there is a photonic crystal with structures made of TiO 2 and ZnO, complete conversion of the ZnO into ZnS does not affect the photonic structure of the crystal, but the dielectric contrast of the two components, since ZnS has a different refractive index than ZnO.
  • a desired metal chalcogenide cannot be applied to a certain substrate, or can be applied only with great effort, but a corresponding metal oxide can easily be produced on this substrate with the desired nanostructure.
  • the desired metal chalcogenide with the desired microstructure can then be produced on this substrate by means of ion exchange.
  • the invention will be explained in more detail below using exemplary embodiments.
  • a microstructured ZnS layer with optical properties similar to ZnO is required for the production of solar cells, since the ZnS layer can be coated in a variety of processes, while the ZnO is not suitable for a further coating with many semiconductor films. So far, only amorphous Si could be applied to the ZnO columns.
  • the growth of stand-alone columns in a thin film is only known for ZnO, not for other oxides such as SnO 2 , TiO 2 , In 2 O 3 etc. or for sulfides such as ZnS, TiS etc.
  • Free-standing monocrystalline ZnO columns are produced on a conductive substrate using known deposition processes. These columns usually have a length of a few micrometers and a diameter of 100-300 nm. The alignment of the columns is preferably vertical with a deviation of less than ⁇ 30 °. The distance between the columns varies between 50 and 500 nm. Thin films with such surface structures can be produced on large areas of substrates. These ZnO columns are now to be converted into the more chemically resistant ZnS.
  • the monocrystalline hexagonal zinc oxide (ZnO) columns are converted into zinc sulfide (ZnS) by means of an ion exchange reaction in a hydrogen sulfide atmosphere or in sulfur vapor.
  • the zinc oxide surface is exposed to a stream of a 1% hydrogen sulfide solution in an argon atmosphere of 1 bar and a temperature of ⁇ 400 ° C.
  • ZnS zinc sulfide
  • the surface of the zinc oxide columns has been converted to zinc sulfide (ZnS) to a depth of about 10 nm by exchanging the oxygen ions for sulfur ions. This resulted in ZnO columns with an approximately 10 nm thick ZnS jacket. Since the zinc sulfide is much more acid-resistant than zinc oxide, the remaining core or residues can be etched out of zinc oxide by a subsequent etching process with dilute sulfuric acid (H 2 SO 4 ).
  • hexagonal zinc sulfide tubes with a wall thickness of approx. 10 nm remain, ie bodies made of a different material - zinc sulfide - with the same microstructure as the starting material - zinc oxide - were created.
  • These zinc sulfide tubes typically have a length of 1-3 microns and a diameter of 100-300 nm.
  • the zinc sulfide tubes have the same size, distribution, orientation and surface morphology as the original ZnO columns.
  • the zinc sulfide can even assume the microscopic structure, ie wurtzite, although zinc sulfide in this form is actually not stable at room temperature, ie it is mostly in the form of a zinc blende structure.
  • the ion exchange in the sulfur vapor is carried out at a temperature of ⁇ 450 ° C over a period of about 5 hours, the total volume of the zinc oxide columns in continuous ZnS columns, with the microstructure of the zinc oxide initially present -Columns.
  • the surface to be treated in the selected example a ZnO film with the ZnO columns already mentioned, is introduced into a chamber containing elemental sulfur and at a pressure of approx. 1 bar at a temperature of ⁇ 450 ° C over a period of exposed for about 5 hours.
  • the sulfur evaporates and the oxygen ions of the zinc oxide are replaced by the free sulfur ions, so that zinc sulfide is created as a new material which has the same microstructure as the starting material -zinc oxide.

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Auf den verschiedensten Anwendungsgebieten werden mikro- und nanostrukturierte Oberflächen benötigt, die eine bestimmte chemische Eigenschaft und eine bestimmte Oberflächenstruktur haben sollen, die bisher in gesonderten Verfahren, wie beispielsweise "Embossing"-Verfahren oder lithographischen Verfahren hergestellt wurden. Das erfindungsgemässe Verfahren gestattet Metalloxide oder Metallchalkogenide mit einer vorherbestimmbaren Nano- bzw. Mikrostruktur herzustellen. Dazu werden die auf einem Substrat abgeschiedenen Metalloxide oder Metallchalkogenide, die eine gewünschte Nano- bzw. Mikrostruktur aber nicht die gewünschten mechanischen oder chemischen Eigenschaften aufweisen, bei Vorhandensein von Chalkogenid-lonen oder Metall-lonen oder Sauerstoff-lonen, einer Temperatur von 300 DEG C bis 500 DEG C und einem Druck zwischen 10 mbar und 2 bar über einen Zeitraum von 10 min bis 5 Stunden ausgesetzt, wodurch ein Austausch einzelner Komponenten des Metalloxids oder des Metallchalkogenids stattfindet, indem entweder der Sauerstoff durch Chalkogenid-lonen ersetzt oder die Chalkogenid-lonen durch Sauerstoff ersetzt werden. Es ist aber auch möglich, ein Metall-lon durch ein anderes Metall-lon zu ersetzen. Während dieses lonenaustausches bleibt die Nano- bzw. Mikrostruktur der jeweiligen Ausgangsverbindung erhalten. Somit erhält man neue Verbindungen, die andere Eigenschaften als die Ausgangsverbindung, aber die gleiche Mikrostruktur der Oberfläche aufweisen.

Description

Bezeichnung
Verfahren zur Herstellung von Metalloxiden und Metallchalkogeniden mit einer definierten Mikrostrukturierung
Beschreibung
Auf den verschiedensten Anwendungsgebieten werden mikro- und nano- strukturierte Oberflächen benötigt, die einerseits eine bestimmte chemische Eigenschaft aufweisen andererseits aber eine bestimmte Oberflächenstruktur haben sollen. Diese Oberflächenschichten werden bisher mittels üblicher Verfahren auf ein strukturiertes Substrat aufgebracht oder, wenn die dabei entstehende Oberfläche nicht die gewünschte Struktur aufweist, wird in nachfolgenden Verfahren, wie beispielsweise "Embossing"- Verfahren oder lithographischen Verfahren versucht eine bestimmte Oberflächenstruktur gezielt herzustellen.
Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise beschrieben in der WO 99/58327 bei dem optisch diffraktive oder refraktive Muster mit typischer Strukturgröße im Mikrometerbereich auf Substratoberflächen eingeprägt werden (embossing) und anschließend mit Beschichtungen weitere Materialien zur Verbesserung der optischen Qualität aufgebracht werden. Diese Technik wird z. B. zur Herstellung optischer Speicher genutzt.
Ein weiteres Verfahren zur Oberflächenstrukturierung ist beschrieben in der EP 0 978 313 A1 , bei dem die faserartige MikroStruktur natürlicher Silikate genutzt wird um mit Hilfe einer plastischen Deformation eine mikrostrukturierte, robuste und katalytisch aktive Belegung mit Aktivkohle zu erzeugen.
Die Herstellung von Mikro- Strukturen ist ebenfalls beschrieben in der EP 0 592 094 A2. Bei diesem Verfahren wird eine freistehende Metallstruktur mit typischen Abmessungen von 10-20 Mikrometern erzeugt, indem die Metallschicht auf einer mittels Lithographie gestalteten "Opfer-"schicht abgeschieden wird, die somit die Abmessungen der Metallschicht vorgibt. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird die "Opfer"-Schicht völlig abgelöst, so dass die Metallschicht freisteht.
Den bekannten Verfahren haftet jeweils der Nachteil an, dass die Oberflächenstruktur nur mittels eines aufwendigen mechanischen Verfahrens erreicht wird oder die Qualität der Oberflächenstruktur von der Güte und Genauigkeit der Werkzeuge abhängt. Die Übertragbarkeit von Formen und Strukturen ist gerade im Mikro- und Nanometermaßstab sehr wichtig, da in diesem Größenbereich eine Formgebung und Strukturierung mit den herkömmlichen Verfahren sehr schwierig ist.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren anzugeben mit dem Metalloxide oder Metallchalkogenide hergestellt werden können, die eine vorherbestimmbare Nano- bzw. MikroStruktur aufweisen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst, indem zuerst mittels üblicher
Verfahren auf einer Oberfläche, beispielsweise einem Substrat, ein
Metalloxid oder Metallchalkogenid mit einer gewünschten Nano- bzw.
MikroStruktur erzeugt wird. Weist dieses Metalloxid oder Metallchalkogenid mit der gewünschten Nano- bzw. MikroStruktur aber nicht die gewünschten Eigenschaften, beispielsweise die mechanischen, chemischen oder elektrischen Eigenschaften, auf, wird in einem anschließenden lonenaustauschprozess ein Metalloxid oder Metallchalkogenid mit den gewünschten Eigenschaften erzeugt, wobei während des lonenaustausches die Nano- bzw. MikroStrukturen der Ausgangsverbindungen erhalten bleiben. Dieser lonenaustausch erfolgt bei Vorhandensein von Chalkogenid- lonen oder Metall-Ionen oder Sauerstoff-Ionen unter Einwirkung einer
Temperatur zwischen 300° C und 500° C und einem Druck zwischen 10 mbar und 2 bar über einen Zeitraum von 10 min bis 5 Stunden. Dabei erfolgt ein Austausch einzelner Komponenten des Metalloxids oder des Metallchalkogenids, indem entweder der Sauerstoff durch Chalkogenid- lonen ersetzt oder die Chalkogenid-Ionen durch Sauerstoff ersetzt werden. Es ist aber auch möglich, ein Metall-Ion durch ein anderes Metall-Ion zu ersetzen. Durch diesen lonenaustausch erhält man eine neue Verbindung, die andere mechanische, chemische und/oder elektrische Eigenschaften als die Ausgangsverbindung hat, aber die gleiche Nano- bzw. MikroStruktur aufweist. Wenn in einem ersten Prozeßschritt ein Austausch des Sauerstoffs durch Chalkogenid-Ionen erfolgt, kann in einem weiteren Prozeßschritt ein Metall-Ion durch ein anderes Metall-Ion ersetzt werden, so dass ein Totalaustausch der Ausgangsmaterialien unter Beibehaltung der Nano- bzw. MikroStruktur der Ausgangsverbindung stattgefunden hat.
Die gewünschte Nano- bzw. MikroStruktur kann beispielsweise dadurch erzeugt werden, dass auf einem Substrat ein Metalloxid oder Metallchalkogenid abgeschieden wird, das dabei diese gewünschte Nano- bzw. MikroStruktur bildet.
Alternativ kann die gewünschte Nano- bzw. MikroStruktur aber auch durch andere Verfahren, wie z. B. "embossing" bzw. Lithographie erzeugt werden.
Da die Ausgangsmaterialien mit der gewünschten Nano- bzw. MikroStruktur auf einer Oberfläche erzeugt worden sind, befinden sich die neuen Verbindungen mit der gewünschten Nano- bzw. MikroStruktur ebenfalls auf dieser Oberfläche, z. B. eines Substrats, so dass eine entsprechende Mikro- und Nanostruktur mit den geforderten mechanischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften geschaffen wurde.
Der lonenaustausch kann von der Gasphase oder der flüssigen Phase erfolgen, indem durch die Temperatur eine genügend hohe Reaktionsgeschwindigkeit ermöglicht wird und durch Anbieten des einzubauenden Ions in hoher Konzentration oder bei hohem Druck, ein hoher chemischer Umsatz gewährleistet wird.
In Abhängigkeit von der Dauer und der Temperatur des Prozesses kann man erreichen, dass nur an der Oberfläche der Ausgangsverbindung, bis zu einer Tiefe von ca. 10 -30 nm ein lonenaustausch stattfindet und somit nur ein Mantel des Ausgangsmaterials in ein neues Material umgewandelt wird. Durch Veränderung der Prozessparameter, insbesondere der Dauer kann erreicht werden, dass das gesamte Volumen des Ausgangsmaterials umgewandelt wird.
In einem weiteren Prozeßschritt kann man durch geeignete Verfahren, z, B. Ätzverfahren, den innerhalb des Mantels, der aus dem umgewandelten Materials besteht, erhalten gebliebenen Kern bzw. Reste des Ausgangsmaterials herauslösen, so dass ein dünnwandiger Körper mit der gewünschten Struktur hergestellt werden kann. Zum Beispiel ist es möglich, über diese Vorgehensweise dünnwandige Nano- und Mikro-Röhren von Verbindungshalbleitern zu erzeugen.
Bei dem lonenaustausch bleiben die Nano- bzw. MikroStrukturen der Ausgangsverbindungen erhalten, unabhängig davon, ob diese Strukturen originär entstanden sind oder ob sie durch andere Verfahren, wie z. B. mit Prägeverfahren oder mit lithographischen Verfahren erzeugt worden sind.
Als Metalle in den Metalloxiden bzw. Metallchalkogeniden werden insbesondere AI, Ti, Fe, Ni, Cu, Zn, Mo, In, Sn, Cd und W verwendet.
Ais Chalkogene in den Metallchalkogeniden finden insbesondere S und Se Verwendung.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich die unterschiedlichsten Metalloxide und Metallchalkogenide mit den verschiedensten mechanischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften herstellen, die eine Vielzahl von Nano- bzw. MikroStrukturen aufweisen können.
Dieses Verfahren bietet eine einfache, kostengünstige und großflächig anwendbare Möglichkeit, Formen von einem gegebenen Material auf andere Materialien zu übertragen. Durch mehrere nacheinander durchzuführende Prozeßschritte lassen sich eine große Anzahl von Materialien mit vorgegebener Struktur herstellen, z. B. ZnO wird unter Beibehaltung der MikroStruktur in ZnS umgewandelt, welches wiederum unter Beibehaltung der MikroStruktur in CuS umgewandelt wird, das wiederum in CuO umgewandelt werden kann usw.
In vielen Oxiden, insbesondere im ZnO, aber auch in TiO2, SnO2 und AI2O3 können interessante Nanostrukturen originär erzeugt werden, wie etwa orientierte Säulen in ZnO, eine Pyramidenstruktur in SnO2, Nano-Porosität in TiO2 oder Nano-Röhren in AI2O3. Durch den erfindungsgemäßen lonenaustausch können diese materialspezifischen Strukturen auch in den jeweiligen Sulfiden und Seleniden realisiert werden, d.h. in gewissem Sinne können diese Strukturen auf andere Materialverbindungen übertragen werden. Außerdem lassen sich durch andere Methoden, wie Embossing, Lithographie etc., Nanostrukturen in bestimmten Oxiden erzeugen, die dann später umgewandelt werden können.
Eine großflächige Nanostrukturierung wird in zahlreichen Anwendungen benötigt. Soll diese Strukturierung natürlich erfolgen, d.h. ohne Einsatz von Lithographie, Präge- oder Ätzverfahren, so ist in vielen Fällen nur eine materialspezifische Strukturierung bekannt. So ist z.B. das Wachstum alleinstehender Säulen in einem dünnen Film nur für ZnO, nicht etwa für andere Oxide wie Snθ2, TiO2, ln203 etc. oder für Sulfide wie ZnS, TiS etc. bekannt. Eine Übertragung derartig gewachsener Strukturen vom Ausgangsmaterial auf ein anderes Material ist mit dem erfindungsgemäßen Verfahren mittels lonenaustausch möglich, da für genügend kleine Strukturen im Nano- und Mikrometerbereich die Form erhalten bleibt. Die Formübertragung ist aber auch für andere natürlich gewachsene Formen wie Kugeln, Kuben, und unregelmäßige Formen möglich.
Des weiteren ist dieser Prozess auch anwendbar auf künstliche Opale, in denen mesoskopische Bausteine zu Gittern zusammengefügt werden. Diese werden beispielsweise zur Zeit für photonische Anwendungen sehr intensiv erforscht.
Ein weiteres breites Einsatzgebiet der Erfindung stellen die katalytischen Anwendungen dar. Hierbei besteht die Aufgabe darin, einen Gas- oder Lösungsfluss über vergrößerte Oberflächen, zur verbesserten Analyse und Sensorik oder zur chemischen Reaktion, zu leiten, ohne dass die Katalysatoroberfläche beeinträchtigt wird. Dünnschichttechnologie ermöglicht dabei die Realisierung sehr großer Oberflächen mit hoher Festigkeit und gutem Wärmetransport.
Zur Zeit wird in vielen Entwicklungslabors daran gearbeitet, über Dünnschichttechnologie die elektrische Adressierung von Pixeln für chemischen Transport, zur Initiierung chemischer Reaktionen und zur chemische Analyse zu nutzen (Bio-Chip- Technologie). Eine Nano- Strukturierung könnte in dieser Technologie wesentlich zu einer weiteren Miniaturisierung beitragen, wenn dadurch die chemisch aktive Grenzfläche der einzelnen Pixel erhöht wird. Zudem ist eine wesentliche Erweiterung der Materialbasis durch lonenaustausch möglich, wenn die Pixel selbst oder ihre Oberfläche durch lonenaustausch umgewandelt werden können.
Ähnliche Möglichkeiten ergeben sich auf dem Gebiet der elektromechanischen, fluidmechanischen und magnetomechanischen Aktuatoren. Die Umwandlung der Materialzusammensetzung solcher, typischerweise mikrometergroßen Bauelemente durch lonenaustausch unter gleichzeitiger Erhaltung der Form wird das Anwendungsspektrum dieser Bauelemente wesentlich erweitern.
Auf dem Gebiet der Photovoltaik besteht ebenfalls starkes Interesse an den nano- und mikrostrukturierten Oberflächen. Insbesondere zur diffusen Streuung von Licht, zum Einkoppeln von Licht in Solarzellen sind derartige nano- und mikrostrukturierte Oberflächen von bestimmten Materialien unbedingt erforderlich. Da bestimmte Formen nur in einigen wenigen Materialien realisiert werden können, bietet das erfindungsgemäße Verfahren die Möglichkeit einer Formübertragung auf andere Materialien.
Weitere optische Anwendungen finden sich bei der Erzeugung photonischer Kristalle, die zur Lokalisierung, Führung und Verstärkung von Licht genutzt werden und für die mesoskopische Halbleiter und Isolator-Strukturen im Nano- und Mikrometer-Bereich verwendet werden. Hier ermöglicht der erfindungsgemäße lonenaustausch die Möglichkeit, auf einfache Weise neue photonische Kristallstrukturen mit vorgegebenen Strukturen herzustellen, oder aber den dielektrischen Kontrast zwischen verschiedenen Komponenten eines photonischen Kristalls gezielt zu verändern. Liegt zum Beispiel ein photonischer Kristall mit Strukturen aus TiO2 und ZnO vor, so wird durch vollständige Umwandlung des ZnO in ZnS die photonische Struktur des Kristalls zwar nicht beeinflusst, aber der dielektrische Kontrast der zwei Komponenten, da ZnS einen anderen Brechungsindex als ZnO besitzt.
Ein weiteres Einsatzgebiet der Erfindung besteht in der Materialsubstitution für folgenden Fall. Ein gewünschtes Metallchalkogenid kann auf einem bestimmten Substrat nicht oder nur sehr aufwendig aufgebracht werden, aber ein entsprechendes Metalloxid läßt sich mit der gewünschten Nanostruktur leicht auf diesem Substrat herstellen. Anschließend kann mittels lonenaustausch das gewünschte Metallchalkogenid mit der angestrebten MikroStruktur auf diesem Substrat erzeugt werden. Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
In einem ersten Beispiel wird für die Herstellung von Solarzellen eine mikrostrukturierte ZnS Schicht mit ähnlichen optischen Eigenschaften wie ZnO benötigt, da die ZnS Schicht sich in einer Vielzahl von Prozessen beschichten lässt, während das ZnO für eine weitere Beschichtung mit vielen Halbleiterfilmen nicht geeignet ist. Bisher konnte nur amorphes Si auf die ZnO-Säulen aufgebracht werden. Das Wachstum alleinstehender Säulen in einem dünnen Film ist nur für ZnO, nicht etwa für andere Oxide wie SnO2, TiO2, ln2O3 etc. oder für Sulfide wie ZnS, TiS etc. bekannt.
Mittels bekannter Abscheidungsprozesse werden freistehende monokristalline ZnO-Säulen auf einem leitenden Substrat hergestellt. Diese Säulen haben üblicherweise eine Länge von einigen Mikrometern und einen Durchmesser von 100 - 300 nm. Die Ausrichtung der Säulen ist mit einer Abweichung von kleiner als ±30° vorzugsweise vertikal. Der Abstand zwischen den Säulen schwankt zwischen 50 und 500 nm. Dünne Filme mit derartigen Oberflächenstrukturen können auf großen Bereichen von Substraten hergestellt werden. Diese ZnO-Säulen sollen nun in das chemisch beständigere ZnS umgewandelt werden. Die monokristallinen hexagonalen Zinkoxid (ZnO)-Säulen werden mittels einer lonenaustauschreaktionen in einer Schwefelwasserstoff-Atmoshäre oder im Schwefeldampf in Zinksulfid (ZnS) umgewandelt. Dazu wird die Zinkoxidoberfläche einem Strom einer 1 % igen Schwefelwasserstoff- Lösung in einer Argonatmoshäre von 1 bar und einer Temperatur von ~400°C ausgesetzt. Nach etwa 15 Minuten ist die Oberfläche der Zinkoxid- Säulen bis in eine Tiefe von ca. 10 nm, durch Austausch der Sauerstoff- Ionen gegen Schwefel-Ionen in Zinksulfid (ZnS) umgewandelt worden. Dadurch sind ZnO-Säulen mit einem ca. 10 nm dicken ZnS-Mantel entstanden. Da das Zinksulfid wesentlich säurebeständiger als Zinkoxid ist, kann durch einen sich anschließenden Ätzprozess mit verdünnter Schwefelsäure (H2SO4) der erhalten gebliebene Kern bzw. Reste aus Zinkoxid herausgeätzt werden. Nach diesem Ätzprozess verbleiben hexagonale Zinksulfid-Röhren mit einer Wandstärke von ca. 10 nm, d. h. es entstanden Körper aus einem anderen Material -Zinksulfid- mit der gleichen MikroStruktur die das Ausgangsmaterial -Zinkoxid- hatte. Diese Zinksulfid- Röhren haben üblicherweise eine Länge von 1 - 3 Mikrometern und einen Durchmesser von 100 - 300 nm. Die Zinksulfid-Röhren haben die gleiche Größe, Verteilung, Ausrichtung und Oberflächenmorphologie wie die ursprünglichen ZnO-Säulen. Das Zinksulfid kann durch diesen lonenaustausch sogar die mikroskopische Struktur, also Wurtzit annehmen, obwohl Zinksulfid bei Raumtemperatur in dieser Form eigentlich nicht stabil ist, d.h. meistens als Zinkblendestruktur vorliegt.
In einem anderen Beispiel wird der lonenaustausch im Schwefel-Dampf bei einer Temperatur von ~450°C über einen Zeitraum von ca. 5 Stunden durchgeführt, wobei das gesamte Volumen der Zinkoxid-Säulen in durchgängige ZnS-Säulen, mit der MikroStruktur der anfangs vorhandenen Zinkoxid-Säulen, umgewandelt worden ist. Hierbei wird die zu behandelnde Oberfläche, im gewählten Beispiel ein ZnO-Film mit den schon erwähnten ZnO-Säulen, in eine Kammer die elementaren Schwefel enthält eingebracht und bei einem Druck von ca. 1 bar einer Temperatur von ~450°C über einen Zeitraum von ca. 5 Stunden ausgesetzt. Bei der erwähnten Temperatur verdampft der Schwefel und die Sauerstoff-Ionen des Zinkoxids werden durch die freien Schwefelionen ersetzt, so dass Zinksulfid als neues Material entsteht, das die gleiche MikroStruktur wie das Ausgangsmaterial -Zinkoxid- hat.

Claims

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Metalloxiden und Metallchalkogeniden mit einer definierten Mikrostrukturierung durch Austausch von Chalkogenid- Ionen oder Metall-Ionen, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer Oberfläche ein Metalloxid oder Metallchalkogenid mit einer gewünschten Nano- bzw. MikroStruktur erzeugt wird und anschliessend bei Vorhandensein von Sauerstoff-Ionen oder Chalkogenid-Ionen oder Metall- Ionen und unter Einwirkung einer Temperatur von etwa 300° C bis 500° C und einem Druck von 10 mbar bis 2 bar über einen Zeitraum von 10 min bis zu 5 Stunden ein Austausch einzelner Komponenten von Metalloxiden oder Metallchalkogeniden stattfindet, indem entweder der Sauerstoff durch Chalkogenid-Ionen ersetzt oder die Chalkogenid-Ionen durch Sauerstoff oder ein Metall-Ion durch ein anderes Metall-Ion ersetzt werden, wobei während des lonenaustausches die Nano- bzw. MikroStrukturen der Ausgangsverbindungen erhalten bleiben.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die gewünschte Nano- bzw. MikroStruktur dadurch erzeugt wird, dass auf einem Substrat ein Metalloxid oder Metallchalkogenid abgeschieden wird, das dabei diese gewünschte Nano- bzw. MikroStruktur bildet.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die gewünschte Nano- bzw. MikroStruktur durch andere Verfahren, wie z. B. "embossing" bzw. Lithographie erzeugt worden ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Prozeßschritt ein Austausch des Sauerstoffs durch Chalkogenid-Ionen erfolgt und in einem weiteren Prozeßschritt ein Metall- lon durch ein anderes Metall-Ion ersetzt wird, wobei ein Totalaustausch der Ausgangsmaterialien unter Beibehaltung der Nano- bzw. MikroStruktur der Ausgangsmaterialien stattgefunden hat.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Abhängigkeit von den Prozessparametern, insbesonder der Dauer des Prozesses nur die Oberfläche der Ausgangsverbindung, bis zu einer Tiefe von ca.10 -30 nm oder das gesamte Ausgangsmaterial umgewandelt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 und 5, dadurch gekennzeichnet, dass in einem weiteren Prozeßschritt die erhalten gebliebenen Reste des Ausgangsmaterials durch geeignete Verfahren, z. B. Ätzverfahren, herausgelöst werden kann, so dass ein dünnwandiger Körper mit der Struktur der Ausgangsverbindung hergestellt werden kann.
7. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass als Metalle in den Metalloxiden bzw. Metallchalkogeniden insbesondere AI, Ti, In, Sn, Zn, Fe, Mo, Ni, Cu, W, Cd verwendet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass als Chalkogene in den Metallchalkogeniden insbesondere S und Se verwendet werden.
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