EP1350319A1 - Symmetrierübertrager - Google Patents

Symmetrierübertrager

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EP1350319A1
EP1350319A1 EP02711795A EP02711795A EP1350319A1 EP 1350319 A1 EP1350319 A1 EP 1350319A1 EP 02711795 A EP02711795 A EP 02711795A EP 02711795 A EP02711795 A EP 02711795A EP 1350319 A1 EP1350319 A1 EP 1350319A1
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loop
symmetrical
circuit board
metal sheet
shaped
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Rohde and Schwarz GmbH and Co KG
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    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
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    • H01F27/2876—Cooling

Definitions

  • the invention relates to a balun (Balun) for transmitting large radio frequency power, for example at the symmetrical output of a transistor power amplifier for the transition to an unbalanced output line.
  • Balun for transmitting large radio frequency power, for example at the symmetrical output of a transistor power amplifier for the transition to an unbalanced output line.
  • Balancing transformers for higher performance have so far always been built using coaxial line technology. This results in relatively large-volume arrangements that are relatively expensive to produce by hand and must be connected as separate components to the rest of the circuit. It is also already known to manufacture balancing transformers in printed circuit technology and to form the conductor loops of the transformer either only on the upper side of the printed circuit board (British Patent GB 2 084 809) or on opposite sides of the printed circuit board (US Pat. No. 4,193,048). The latter symmetry transformers designed in printed circuit technology are, however, only suitable for the transmission of low high-frequency power.
  • balun according to the invention can be produced very easily and inexpensively in printed circuit technology, directly integrated with the rest of the high-frequency circuit. Due to the additionally soldered metal sheet part, the thermal conductivity of the symmetrical conductor loop is increased so that the heat loss generated during the transmission of the high-frequency power can be completely dissipated to a heat sink. This additional metal sheet metal part can therefore be used in a known printed circuit technology
  • Balancing transformer in which the conductor loops are formed only by the thin circuit board layer, two to three times the high-frequency power is transmitted.
  • a balancing transformer according to the invention can be operated, for example, up to a transmission power of 150 watts despite its simple and inexpensive construction.
  • the principle according to the invention can be applied to all usual balancing transformers designed in printed circuit technology, in which the asymmetrical conductor loop is formed either on the same side or on the opposite side of the printed circuit board.
  • the principle according to the invention is also suitable for balancing transformers whose asymmetrical loop is designed as a double loop and which thus acts as a 4: 1 transformer.
  • a balun according to the invention can be used wherever higher power has to be transmitted between high-frequency circuits. This is the case, for example, with high-frequency transmitters when merging or distributing high-frequency power. It has proven to be particularly advantageous to use a balun according to the invention at the output of push-pull transistor power amplifiers, since this results in a particularly compact and simple overall structure of a power amplifier with an asymmetrical output.
  • the invention is explained in more detail below with the aid of a schematic drawing using an exemplary embodiment.
  • the single figure shows the detail of a push-pull transistor power amplifier, which is formed in printed circuit technology on a fragmentary printed circuit board 1 and whose symmetrical output is connected to a conductor loop 2 symmetrical with respect to ground M of a balun.
  • This symmetrical conductor loop 2 has the shape of a circular ring compressed from opposite sides with two opposite C-shaped loop halves 3 and 4, which merge integrally into one another at 5 and form a slot 6 on the opposite side.
  • the two opposite ends 7 and 8 of the C-shaped loop halves 3 and 4 delimiting the slot 6 form the symmetrical input of the balun, they are over
  • Transformation capacitors 9 are electrically connected to conductor tracks 10 and 11, with which the connection lugs of the high-frequency power transistor, not shown and inserted in the rectangular recess 12, make contact.
  • the input circuit for the power transistor which is preferably also designed as a balun, is not shown in the figure, nor is the other conductor tracks for the connection of the transistors.
  • the connection point 5 of the two loop halves 3 and 4 opposite the symmetrical input 7, 8 forms the electrically cold ground point, it is connected via a conductor track 13 to the ground surface M, which is only shown in fragments and surrounds the conductor loop 2. All conductor tracks (M, 2, 10, 11, 13, etc.) are formed in known printed circuit technology on the top of the circuit board 1 as thin metal layers.
  • the asymmetrical output conductor loop which is designed for example as a double loop for resistance transformation, is in the Embodiment shown formed on the back of the circuit board 1 directly opposite the conductor loop 2 and therefore not visible in the figure.
  • the circuit board 1 is placed on a heat sink 14, which has a cutout 15 below the conductor loop 2 or the asymmetrical conductor loop opposite it and not visible.
  • Conductor loop of the balun is thicker and better thermally conductive. Those in the transfer of high
  • Capacitors is introduced into the loop, is evenly distributed through the thickened ring and can via a screw 16, which is formed in a mounting hole 18 of an inwardly projecting projection 17 and screwed into a threaded hole 19 in the heat sink 14, for
  • Cooling elements circulating coolant are degraded.
  • a corresponding projection 21 is provided with a corresponding mounting hole 22, the latter is plated through and the via ring formed on the back of the circuit board 1 of this hole 22 lies flat in the assembled state on the top of the heat sink 14, so that the thermal contact between Conductor loop and heat sink is reinforced.
  • the thickened configuration of the symmetrical conductor loop 2, 20 on the top of the circuit board 1 enables the transformation capacitors 9, via which the high-frequency power from the transistor (connecting tracks 10, 11) to the symmetrical input 7, 8 of the transformer, and possibly a another capacitor 23 arranged in the gap 6 can also be soldered to the copper ring 20 over a relatively large area, so that the heat loss of such capacitors is also dissipated well.
  • solder paste is applied to the thin copper layer 2 of the conductor loop 2 in a known manner, then the copper sheet part 20 is placed flat on the solder paste and finally the printed circuit board, which is also equipped with the other components, is introduced into the hot air oven.
  • strip-shaped solder mask 24 is applied to the opposite inner edges of the conductor track 2.

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Abstract

Bei einem Symmetrierübertrager zur Übertragung grosser Hochfrequenzleistung wird auf der in gedruckter Schaltungstechnik ausgebildeten schleifenförmigen Leiterbahn (2) der symmetrischen Leiterschleife ein Metall-Blechteil (20) aufgelötet, das am elektrisch kalten Massepunkt der Schleife mit einem Kühlkörper (14) verbunden ist.

Description

Symmetrierübertrager
Die Erfindung betrifft einen Symmetrierübertrager (Balun) zum Übertragen großer Hochfrequenzleistung, beispielsweise am symmetrischen Ausgang eines Transistor- Leistungsverstärkers zum Übergang auf eine unsymmetrische Ausgangsleitung.
Symmetrierübertrager für höhere Leistung werden bisher stets in koaxialer Leitungstechnik aufgebaut. Dies ergibt relativ großvolumige Anordnungen, die relativ teuer in Handarbeit hergestellt und als gesonderte Bauelemente mit der übrigen Schaltung verbunden werden müssen. Es ist auch schon bekannt, Symmetrierübertrager in gedruckter Schaltungstechnik herzustellen und dabei die Leiterschleifen des Übertragers entweder nur auf der Oberseite der Leiterplatte (britische Patentschrift GB 2 084 809) oder auf gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte (US Patent US 4,193,048) auszubilden. Letztere in gedruckter Schaltungstechnik ausgebildete Symmetrierübertrager sind jedoch nur zur Übertragung von geringer Hochfrequenzleistung geeignet .
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Symmetrierübertrager für die Übertragung hoher Leistung zu schaffen, der einfach und preiswert in gedruckter Schaltungstechnik herstellbar ist, und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einem Symmetrierübertrager laut Oberbegriff des Anspruchs 1 durch dessen kennzeichnende Merkmale gelöst. Die Aufgabe wird bezüglich des Herstellungsverfahrens durch die Merkmale des Anspruchs 8 gelöst . Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüche . Ein erfindungsgemäßer Symmetrierübertrager kann sehr einfach und preiswert in gedruckter Schaltungstechnik unmittelbar integriert mit der übrigen Hochfrequenzschaltung hergestellt werden. Durch das zusätzlich aufgelötete Metall-Blechteil wird die Wärmeleitfähigkeit der symmetrischen Leiterschleife so erhöht, daß die bei der Übertragung der Hochfrequenzleistung erzeugte Verlustwärme vollständig zu einem Kühlkörper ableitbar ist. Durch dieses zusätzliche Metall-Blechteil kann also gegenüber einem bekannten in gedruckter Schaltungstechnik ausgebildeten
Symmetrierübertrager, bei dem die Leiterschleifen nur durch die dünne Leiterplattenschicht gebildet sind, das zwei- bis dreifache an Hochfrequenzleistung übertragen werden.
Je nach übertragener Frequenz und damit Größe der Leiterschleifen kann ein erfindungsgemäßer Symmetrierübertrager trotz seines einfachen und preiswerten Aufbaus beispielsweise bis zu einer Übertragungsleistung von 150 Watt betrieben werden. Das erfindungsgemäße Prinzip kann bei allen üblichen in gedruckter Schaltungstechnik ausgebildeten Symmetrierübertragern angewendet werden, bei denen die unsymmetrische Leiterschleife entweder auf der gleichen oder auf der gegenüberliegenden Seite der Leiterplatte ausgebildet ist. In gleicher Weise ist das erfindungsgemäße Prinzip auch für Symmetrierübertrager geeignet, deren unsymmetrische Schleife als Doppelschleife ausgebildet ist und der damit als 4 : 1-Transformator wirkt.
Ein erfindungsgemäßer Symmetrierübertrager ist überall dort einsetzbar, wo zwischen Hochfrequenzschaltungen höhere Leistung übertragen werden muß. Dies ist beispielsweise bei Hochfrequenzsendern beim Zusammenführen oder Verteilen von Hochfrequenzleistung der Fall. Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, einen erfindungsgemäßen Symmetrierübertrager am Ausgang von Gegentakt-Transistor- Leistungsverstärkern einzusetzen, da sich hierbei dann ein besonders gedrungener und einfacher Gesamtaufbau eines Leistungsverstärkers mit unsymmetrischem Ausgang ergibt . Die Erfindung wird im Folgenden anhand einer schematischen Zeichnung an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert .
Die einzige Figur zeigt den Ausschnitt eines Gegentakt- Transistor-Leistungsverstärkers, der in gedruckter Schaltungstechnik auf einer bruchstückhaft dargestellten Leiterplatte 1 ausgebildet ist und dessen symmetrischer Ausgang mit einer gegen Masse M symmetrischen Leiterschleife 2 eines Symmetrierübertragers verbunden ist. Diese symmetrische Leiterschleife 2 besitzt die Form eines von gegenüberliegenden Seiten zusammengedrückten Kreisringes mit zwei gegenüberliegenden C-förmigen Schleifenhälften 3 und 4, die auf der einen Seite bei 5 einstückig ineinander übergehen und auf der gegenüberliegenden Seite einen Schlitz 6 bilden. Die beiden gegenüberliegenden und den Schlitz 6 begrenzenden Enden 7 und 8 der C-förmigen Schleifenhälften 3 und 4 bilden den symmetrischen Eingang des Symmetrierübertragers, sie sind über
Transformationskondensatoren 9 mit Leiterbahnen 10 und 11 elektrisch verbunden, mit denen die Anschlußfahnen des nicht dargestellten und in der rechteckigen Ausnehmung 12 eingesetzten Hochfrequenz-Leistungstransistors Kontakt machen .
Die Eingangsschaltung für den nicht dargestellten Leistungstransistor, die vorzugsweise ebenfalls als Symmetrierübertrager ausgebildet ist, ist in der Fig. nicht dargestellt, ebenso nicht die übrigen Leiterbahnen für die Beschaltung der Transistoren. Der Verbindungspunkt 5 der beiden Schleifenhälften 3 und 4 gegenüber dem symmetrischen Eingang 7, 8 bildet den elektrisch kalten Massepunkt, er ist über eine Leiterbahn 13 mit der die Leiterschleife 2 umgebenden nur bruchstückhaft dargestellten Massefläche M verbunden. Sämtliche Leiterbahnen (M, 2, 10, 11, 13 usw. ) sind in bekannter gedruckter Schaltungstechnik auf der Oberseite der Leiterplatte 1 als dünne Metallschichten ausgebildet. Die unsymmetrische Ausgangsleiterschleife, die beispielsweise als Doppelschleife zur Widerstandstransformation ausgebildet ist, ist in dem gezeigtem Ausführungsbeispiel auf der Rückseite der Leiterplatte 1 unmittelbar gegenüber der Leiterschleife 2 ausgebildet und in der Figur daher nicht sichtbar. Die Leiterplatte 1 ist auf einem Kühlkörper 14 aufgesetzt, der unterhalb der Leiterschleife 2 bzw. der dieser gegenüberliegenden nicht sichtbaren unsymmetrischen Leiterschleife eine Ausfräsung 15 aufweist.
Auf der Oberseite der symmetrischen Leiterschleife 2 ist ein zusätzliches in gleicher Weise geformtes schleifenförmiges
Kupferblechteil 20 aufgelötet. Dadurch wird die symmetrische
Leiterschleife des Symmetrierübertragers dicker und besser wärmeleitend. Die bei der Übertragung von hoher
Hochfrequenzleistung in der verdickten Leiterschleife 2, 20 entstehende Wärme, die teilweise auch von benachbarten
Kondensatoren in die Schleife mit eingebracht wird, wird durch den verdickten Ring gleichmäßig verteilt und kann über eine Schraube 16, die in eine Montagebohrung 18 eines nach innen ragenden Vorsprungs 17 ausgebildet und in einer Gewindebohrung 19 im Kühlkörper 14 einschraubbar ist, zum
Kühlkörper 14 abgeleitet und dort über das beispielsweise im
Kühlkörper zirkulierende Kühlmittel abgebaut werden.
An der Leiterschleife 2 ist ein entsprechender Vorsprung 21 mit einer entsprechenden Montagebohrung 22 vorgesehen, letztere ist durchkontaktiert und der auf der Rückseite der Leiterplatte 1 gebildete Durchkontaktierungsring dieser Bohrung 22 liegt im montierten Zustand flach auf der Oberseite des Kühlkörpers 14 auf, so daß der Wärmekontakt zwischen Leiterschleife und Kühlkörper noch verstärkt wird. Die verdickte Ausbildung der symmetrischen Leiterschleife 2, 20 auf der Oberseite der Leiterplatte 1 ermöglicht es, daß die Transformationskondensatoren 9, über welche die Hochfrequenzleistung vom Transistor (Anschlußbahnen 10, 11) zum symmetrischen Eingang 7, 8 des Übertragers geleitet werden, und ggf. ein weiterer im Spalt 6 angeordneter Kondensator 23 ebenfalls relativ großflächig mit dem Kupferring 20 verlötet werden können, so daß auch die Verlustwärme solcher Kondensatoren gut abgeleitet wird. Die Herstellung eines solchen Symmetrierübertragers ist sehr einfach und preiswert, da das zusätzliche Kupferblechteil 20 wie ein übliches Bauteil in automatischer SMD (Surface Mounted Devices) -Bestückungstechnik zusammen mit den anderen Bauelementen der Transistorschaltung auf die vorbereitete gedruckte Leiterplatte aufgelötet werden kann. Dazu wird auf die dünne Kupferschicht 2 der Leiterschleife 2 in bekannter Weise Lötpaste aufgebracht, dann wird das Kupferblechteil 20 flach auf die Lötpaste aufgelegt und schließlich die so auch mit den übrigen Bauelementen bestückte Leiterplatte in den Heißluftofen eingebracht. Um das Bauteil 20 beim Schmelzen der Lötpaste auf der Leiterschleife 2 zu fixieren werden an den gegenüberliegenden Innenrändern der Leiterbahn 2 streifenförmiger Lδtstopplack 24 aufgebracht.

Claims

Ansprüche
1. Symmetrierübertrager, dessen gegen Masse symmetrische Leiterschleife als schleifenförmige Leiterbahn (2) auf der Oberseite einer Leiterplatte (1) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß zur Übertragung großer Hochfrequenzleistung auf der schleifenförmigen Leiterbahn (2) ein entsprechend schleifenförmig ausgebildetes Metall-Blechteil (20) aufgelötet ist und am elektrisch kalten Massepunkt (5) der symmetrischen Leiterschleife die Verlustwärme abgeleitet wird.
2. Symmetrierübertrager nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet/ daß am elektrisch kalten Massepunkt (5) des schleifenförmigen Metall-Blechteiles (20) eine Montagebohrung (18) für eine Metallschraube (16) ausgebildet ist, die in einen auf der Rückseite der Leiterplatte (1) angeordneten Kühlkörper (14) einschraubbar ist.
3. Symmetrierübertrager nach Anspruch 2 , dadurch gekennzeichnet, daß die Montagebohrung (18) in einem vom schleifenförmigen Metall-Blechteil (20) radial nach innen ragenden Vorsprung (17) ausgebildet ist.
4. Symmetrierübertrager nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß auch an der das Metall-Blechteil (20) aufnehmenden schleifenförmigen Leiterbahn (2) der Leiterplatte (1) ein entsprechender Vorsprung (21) mit einer durchkontaktierten Montagebohrung (22) ausgebildet ist.
5. Symmetrierübertrager nach einem der vorhergehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, daß das Metall-Blechteil (20) aus verzinntem Kupfer besteht.
6. Symmetrierübertrager nach einem der vorhergehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, daß am symmetrischen Eingang der Leiterschleife (2, 20) angeordnete Kondensatoren (9, 23) mit dem Metall-Blechteil (20) großflächig verlötet sind.
7. Symmetrierübertrager nach einem der vorhergehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, daß er in unmittelbarer Nachbarschaft des Ausganges eines Hochfrequenz-Leistungstransistors angeordnet ist und der gegen Masse symmetrische Eingang (7, 8) der symmetrischen Leiterschleife (2, 20) mit dem symmetrischen Ausgang (10, 11) des Verstärkers verbunden ist.
8. Verfahren zum Herstellen eines Symmetrierübertragers nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Leiterplatte (1) , auf deren Oberseite in gedruckter Schaltungstechnik die Leiterbahnen für eine Hoch requenzschaltung, insbesondere eine Transistor- Leistungsverstärker-Schaltung, zusammen mit der schleifenförmigen Leiterbahn (2) für den Symmetrierübertrager ausgebildet sind, an vorbestimmten Lötstellen Lötpaste aufgetragen wird, dann in bekannter automatischer Bestückungstechnik zusammen mit den übrigen Bauelementen das Metall-Blechteil (20) auf die schleifenförmige Leiterbahn (2) aufgebracht und schließlich durch Erwärmen der Lötvorgang durchgeführt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8 , dadurch gekennzeichnet, daß an den gegenüberliegenden gekrümmten Innenrändern der beiden sich gegenüberstehenden Hälften der schleifenförmigen Leiterbahn (2) zur Fixierung des aufgebrachten Metall- Blechteils (20) während des Lötvorganges auf der Leiterplatte (1) entsprechende Lötstopplack-Streifen (24) aufgebracht werden.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004022185A1 (de) * 2004-05-05 2005-12-01 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Breitbandiger Symmetrierübertrager
JP4730233B2 (ja) * 2006-07-11 2011-07-20 旭硝子株式会社 伝送線路変換装置
CN101627450B (zh) * 2007-03-08 2013-10-30 日本电气株式会社 电容元件、印刷布线板、半导体封装以及半导体电路
US20100301987A1 (en) * 2009-05-27 2010-12-02 Stmicroelectronics S.A. Millimeter wave transformer with a high transformation factor and a low insertion loss
SG10201504616TA (en) * 2010-06-11 2015-07-30 Ricoh Co Ltd Information storage device, removable device, developer container, and image forming apparatus
DE102012106135A1 (de) 2012-07-09 2014-05-22 Cryoelectra Gmbh Planarer Symmetrierübertrager mit verbesserter Wärmeabführung
ITMI20121238A1 (it) 2012-07-17 2014-01-18 St Microelectronics Srl Dispositivo trasformatore balun planare
WO2016099314A1 (en) * 2014-12-15 2016-06-23 Siemens Research Center Limited Liability Company A balun transformer with a cooling mechanism
US20170345542A1 (en) * 2014-12-15 2017-11-30 Siemens Aktiengesellschaft Gas Chromatograph And Multiport Valve Unit For A Gas Chromatograph
CN108270407B (zh) * 2016-12-30 2023-09-05 通用电气公司 一种平面巴伦及一种多层电路板
EP3605842A1 (de) 2018-08-02 2020-02-05 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Balun und verstärker mit dem balun
US12061215B2 (en) * 2022-05-05 2024-08-13 Applied Materials, Inc. RF measurement from a transmission line sensor

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1938152B1 (de) * 1969-07-26 1971-01-07 Hirschmann Radiotechnik Klemmenanordnung mit Symmetrierübertrager
US4186352A (en) * 1978-03-23 1980-01-29 Rockwell International Corporation Signal converter apparatus
US4193048A (en) * 1978-06-22 1980-03-11 Rockwell International Corporation Balun transformer
GB2084809B (en) * 1980-10-01 1984-01-18 Communications Patents Ltd Printed circuit transformers
FR2652197B1 (fr) * 1989-09-18 1992-09-18 Motorola Semiconducteurs Borde Transformateurs du type symetrique-dissymetrique perfectionnes.
US5917386A (en) * 1997-03-12 1999-06-29 Zenith Electronics Corporation Printed circuit transformer hybrids for RF mixers
US6144276A (en) * 1998-04-02 2000-11-07 Motorola, Inc. Planar transformer having integrated cooling features
US6294965B1 (en) * 1999-03-11 2001-09-25 Anaren Microwave, Inc. Stripline balun

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO02063762A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE50200466D1 (de) 2004-06-24
US20040080376A1 (en) 2004-04-29
JP4004960B2 (ja) 2007-11-07
US6917254B2 (en) 2005-07-12
JP2004518384A (ja) 2004-06-17
EP1350319B1 (de) 2004-05-19
WO2002063762A1 (de) 2002-08-15
DE10105696A1 (de) 2002-08-14

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