EP1264190A1 - Circuit and method for evaluating capacitors in matrices - Google Patents
Circuit and method for evaluating capacitors in matricesInfo
- Publication number
- EP1264190A1 EP1264190A1 EP01913677A EP01913677A EP1264190A1 EP 1264190 A1 EP1264190 A1 EP 1264190A1 EP 01913677 A EP01913677 A EP 01913677A EP 01913677 A EP01913677 A EP 01913677A EP 1264190 A1 EP1264190 A1 EP 1264190A1
- Authority
- EP
- European Patent Office
- Prior art keywords
- measuring
- test
- path
- circuit arrangement
- branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
- G11C11/405—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4091—Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/06—Sense amplifier related aspects
- G11C2207/063—Current sense amplifiers
Definitions
- the present invention relates generally to a circuit arrangement and a method for evaluating capacitances in m arrays.
- matrix-shaped capacitance arrangements z. B. be carried out in capacitive sensors, the task of which is to measure capacitively detectable parameters within certain limits as a function of the location (examples: spatially resolved pressure sensors, fingertip sensor).
- Circuits for on-chip capacitance-voltage, on-chip capacitance-current, or on-chip capacitance-frequency conversion are also required in products with which sensor signals, which come from capacitive sensors, are evaluated and have to be further processed (e.g. capacitive pressure sensors, defogging sensors, ...)
- the invention is therefore based on the object of providing a circuit and a method which can be used with this circuit and which enables the measurement-related elimination of parasitic effects and other deviations in the correct determination of capacitances in matrices.
- the invention is initially directed to a circuit arrangement for evaluating the capacities of a matrix, which in at least one dimension has a plurality of rows with at least one capacitance, with a test branch which is connected to a first electrode of each of the capacitances to be evaluated and with which two different potentials can be applied to the first electrodes, a measuring branch which is connected to the second electrodes of each of the capacitances to be evaluated and which has:
- the circuit arrangement is characterized by control means which can switch each of the capacitances to be evaluated individually to the two different potentials.
- the capacitances to be evaluated are to be understood here as all the capacitances occurring in a matrix that have to be measured, for example on-chip capacitances that can be produced with semiconductor processes or capacitances with discrete circuit arrangements, capacitors etc.
- a matrix has an arrangement of capacities. In the simplest case, this is a single set of capacities. Such a matrix could be described as one-dimensional, since there is an arrangement of capacities in only one of the dimensions.
- a two-dimensional matrix has a plurality of rows of capacities (in contrast, the one-dimensional matrix has only one capacitance for each of these rows), each of the capacities in one row belonging to a different row of capacities in the other dimension. Accordingly, each of the capacities is defined by its clear assignment to the rows of the two dimensions. The same applies to three- or multi-dimensional matrices, but with more groups of rows of capacities.
- Each capacitor has two electrodes that are connected to the rest of one Circuit are connected.
- the part of circuit, to which the verbun one electrode of each of the capacitances ⁇ is referred to as the test arm as it is involved in examining the capacity and connected with said other electrode of each of the capacitances branch is called the measuring path, which is so called because it contains the actual Mes ⁇ solution, ie assessment of capacity to be.
- a path is to be understood here as an electrical control system which uniquely connects points and into which, in addition to the actual conductors, further elements such as switches, transistors and measuring instruments can be incorporated.
- This circuit arrangement according to the invention enables the method according to the invention for evaluating capacitances to be carried out due to the fact that the various potentials can be applied.
- the basic principle of the invention consists in activating at least one of the capacities to be assessed, i.e. to apply the potentials to them in order to be able to carry out an evaluation of the capacitance and then to carry out a measurement-free evaluation of the capacitance by means of the measuring branch.
- Capacities can also be grouped with suitable control, so that several capacities can be evaluated at the same time. It is also possible to assign a plurality of evaluation circuits to a corresponding matrix of capacities, which are either responsible for sub-areas of the matrix or which can all be connected to any capacities of the matrix.
- the drive means for each dimension of the matrix of an arrangement of switching paths, wherein E ach of the rows with capacities is a circuit path is at least sen zugewie- having a control and Kursin ⁇ est a switchable by the drive, m the Prufzweig integrated control switching element at least one of the two different which potentials to the first electrodes in a row
- an n-dimensional grid of switching paths is formed, with which, by selecting one of the rows per dimension, a specific capacitance located at the intersection of the rows can be controlled.
- the activation is done simply in that the first and second Po be ⁇ tential connected to the electrode of the capacitor, what happens to the switching elements, which the respective capacitance your health for each of the dimensions of a spot of fr portion of Prufpfads m the Prufpfad incorporated become .
- each of the capacitances of a row has at least one control switching element integrated into the part of the test branch leading to the capacitance.
- each part of the test branch that supplies a capacitance has its own control switching element for its activation.
- the control switching elements of a number of capacitances, which are controlled by a switching path, are switched simultaneously.
- the switching paths of at least one dimension for each of the rows of capacitors can have at least one control switching element integrated into the part of the test branch leading to the row.
- the switching paths of at least one dimension for each of the rows of capacitors can have at least one control switching element integrated into the part of the test branch leading to the row.
- Capacity receives its own switching element and for a second dimension all capacities are activated via a common control switch.
- control means can have an address decoder with an individually controllable output for each of the rows of capacitances, and the controls can have a signal line between each output and the control switching element.
- a separate address coder is required for each of the dimensions, whereby the address decoders of the individual dimensions can be combined to form a common unit.
- an alternating voltage can simply be applied to the test branch, the amplitude maxima of which then each represent the two different potentials.
- the AC voltage can preferably be a square-wave voltage in order to make a clear and quick back and forth
- the test branch may have a first test path with a first switching element and a second test path with a second switching element for each of the capacitors, a first potential being present on the first test path and a second potential on the second test path, and both test paths via one Nodes are connected to the first electrode.
- This preferred arrangement ensures, by means of the two switching elements, that the different potentials can be applied to the electrode of a capacitor.
- connectivity is via switching elements, which are integrated into the test paths. V orteilhaftate both Prufpfade should be switched on at a time. Therefore, it is preferred that the switching paths to ⁇ least one dimension for Ede the capacities of a number m a first Prufpfad integrated control switching element and a second m Prufpfad integrated control switching element having.
- This circuit arrangement can also be simplified, as above, in that the switching paths of at least one dimension for each series of capacitors have a control switching element integrated in the first test path and a control switching element integrated in the second test path.
- all capacities in a row that are controlled by a common switching path are in turn switched by a single control switching element (provided the corresponding control switching elements are also switched on in the other dimensions).
- the first measuring path is connected via a third switching element and the second measuring path is connected via a fourth switching element.
- At least one of the switching elements is preferably a transistor. In fact, in conventional circuits, especially in semiconductor circuits, all of the switching elements will be transistors.
- the instrument for evaluating the capacities is preferably an ammeter. However, it is also conceivable to use other instruments if they are suitable for carrying out an assessment of the capacities to be assessed. In particular, so-called integrating measuring devices are used which are able to establish a current flow integral on the measuring path b . As will be explained in detail below, an evaluation of the capacitance by means of the MESSIN ⁇ struments during charging or during discharging of the capacity with the potentials. On the other hand, no evaluation is carried out on this measuring instrument during the complementary process, i.e. unloading or loading.
- clock signals are preferably provided to control the switching elements, which are fed directly or indirectly to the switching elements and which can make it possible to periodically and synchronously apply the various relevant potentials to the electrodes of the capacitance to be evaluated.
- These different clock signals can be generated independently of one another or have a common origin.
- a common alternating clock voltage is present as a clock signal on the first switching element and on the second switching element and the first or second switching element are designed such that they can be switched or switched alternately by the alternating voltage.
- the first and second S chaltelement having a pMOS and an nMOS transistor which are alternately teterrial ⁇ from the clock or AC voltage can be switched.
- the circuit arrangement further comprises: a means for generating the clock signals applied to the switching elements and, if appropriate, a used alternating clock voltage from a master clock signal.
- the common potential is equal to the first or the second potential.
- the first or second potential represents an operating voltage that is inherent in the circuit arrangement anyway, and the other of the second or first potential is the ground.
- the invention is further directed to a method for evaluating capacities, in particular using the circuit arrangement according to the invention described above, with the following steps:
- the principle of the method according to the invention is based on the fact that after activation of a specific capacitance in a matrix of capacitances, one of the two electrodes of the capacitance to be evaluated (when using a switching arrangement according to the invention, the electrode connected to the test branch) is periodically recharged between two potentials. while the other electrode remains at a common potential and the capacity is only assessed on the basis of the charging or discharging process.
- the activation is preferably carried out by switching on the part of the test branch leading to a specific capacity.
- the switching on of the specific part of the test branch can take place by means of control switching elements integrated in this part of the test branch, a control switching element being provided for each of the dimensions.
- the switching on of the specific part of the test branch can be carried out by control switches integrated in the test branch. sliding elements take place, wherein for at least one of the dimensions of a control switching element in that particular part of the fürzweigs is integrated, and for at least one of Dimension ⁇ versions a control switching element in a portion of the strigzweigs is integrated, which leads to a number of capacities and which also includes certain Part heard.
- the at least one evaluation of the capacitance is preferably carried out by an instrument which is integrated in a first measuring path of the measuring branch.
- This measuring instrument can be, for example, a current measuring device, so that the evaluation can be carried out by measuring a current flow integral through the first measuring path of the measuring branch during the charging or discharging of the capacitance.
- the common potential applied according to the invention which must be carried over the measuring instrument during the evaluation, is preferably applied directly to the second electrode via a second measuring path of the measuring branch, while the at least one evaluation is not carried out.
- the second electrode remains at the common potential throughout the entire time for a recharging to ensure.
- the time profiles of the measurement during loading and unloading described above do not mean that at all times a measurement must be performed or must be applied to a ⁇ be-determined potential to the electrodes. Rather, it is also possible to apply potentials or to carry out measurements only over certain time intervals, while in other time intervals the arrangement used for the method according to the invention is completely decoupled from all external potentials and is therefore also not measured.
- the capacity rating be done so that the entire charging or discharging process is detected.
- the invention therefore preferably has the further step: second evaluation of the capacity during the process of unloading or charging, in which the at least one evaluation is not carried out.
- the second evaluation of the capacitance is preferably carried out by a second instrument, which is integrated in a second measuring path, in order to ensure that the current flow derived from the first instrument during the complementary one
- Operation of unloading or loading can flow through the second instrument.
- the alternating application of the first and second potential to the first electrode can, for example, be carried out in a simple manner
- the alternating application of the first and the second potential can take place by alternately connecting a first test path with a first potential and a second test path with a second potential to the first electrode.
- This connection can take place, for example, by means of switching elements integrated in the test paths, for example switches or transistors.
- the first measuring path and the second measuring path can be connected alternately to the second electrode. This connection can also be carried out by means of switching elements integrated in the measuring paths.
- a particularly preferred embodiment of the method according to the invention leads to a further reduction in the measurement error, since the mismatch within the measurement branch is eliminated.
- This procedure has the following steps:
- the temporal correlation can be interchanged, for example, by shifting the phase of the AC voltage by 180 ° with respect to the period of the at least one evaluation, or by either interchanging the timing of the two measurement paths or applying the two potentials to the test branch ,
- FIG. 2 shows an exemplary embodiment of a circuit arrangement according to the present invention
- FIG. 3 shows a further exemplary embodiment of a simplified circuit arrangement according to the present invention.
- FIG. 4 shows yet another exemplary embodiment of a circuit arrangement according to the present invention using AC voltage.
- FIG. 1 shows a schematic illustration of a basic circuit which can be used in the invention.
- the capacitances C p , ⁇ 2 and Cp, 34 shown in the figure represent the parasitic capacitances at the nodes N ⁇ 2 and N 34 which are unavoidable in real technical applications. Their effect on the function of the circuit, or the fact that these parasitic capacitances do not falsify the measurement result, is discussed in detail below.
- FIG. 1 The principle shown in FIG. 1 is based on the fact that a first electrode of capacitance C ch ar. which is connected to the node N 12 of the test branch 2, is periodically reloaded between the voltage values V x and V 2 which are present on the two test paths, while the other, second electrode which is connected to the node N 3 -, the measuring branch 3 is connected to the common potential V remains 0 and the average value of the currency only ⁇ end of the charging (or depending on the definition and choice of Vi, V 2 and V 34 optionally also of Discharge) process occurring displacement current is measured, which occurs between the electrode of the capacitance, which is at constant potential V 0 , and the voltage source, which supplies this potential. This happens because
- That one of the two electrodes of the capacitance (the one that is connected in the figure to the node N i2 of the test branch) by means of the switching elements (here the transistors T1 and T2) in a periodic change according to the timing diagram shown in the figure is connected to the potentials Vi and V 2 , so that the node N i2 is reloaded with the same period between these two potentials,
- all the signals ⁇ i, ⁇ 2 , ⁇ 3 , and ⁇ 4 used for the control have the same frequency, but different phase positions and possibly also different duty cycle relationships.
- the node N 34 is connected to the potential V 0 via exactly one of the two possible measurement paths before the start and after completion of a recharging process of the capacitance to be evaluated, so that the current measuring instrument 1 - depending on whether it is m on the same measurement path as the transistor T 3 or m lies in the same measuring path as the transistor T A - either measures the displacement current, which corresponds to the entire charging process, or measures the displacement current, which corresponds to the total discharge process of the capacitance C Char .
- Frequency and duration of the "OPEN" phases of the signals ⁇ lr ⁇ 2 , ⁇ 3 , and ⁇ 4 are chosen so that the potential at node N ⁇ 2 during the reloading process safely reaches the full values V x and V 2 .
- Tent intervals are also shown in the timing diagram of Figure la (dotted areas) in which one or the other or both of the two electrodes of the capaci ty ⁇ C C ar "float".
- an exactly complementary control of the transistors T 2 and T 2 is also possible, ie that the closing of Ti (T 2 ) takes place simultaneously with the opening of T 2 (Ti) or that the control signal ⁇ _ is exactly complementary to Control signal ⁇ i is.
- the choice of the potential V 0 has no influence on the measurement result, provided that C C har is independent of the voltage, ie it is an ideal capacitance.
- the measurement result is also not of the value and of the other properties such.
- the parasitic capacitance C p , ⁇ 2 is also recharged between the potentials V x and V 2 , but the current required for this flows exclusively through the transistors Ti and T 2 and through the sources Vi and V, but not via the transistors T. 3 and Ti, and therefore not via the current measuring instrument 1 and the source V 0 .
- the displacement current flowing between node ⁇ 34 and voltage source V 0 is used here, and this is exactly the same as the current required for recharging the electrode of C ch ar connected to node N ⁇ ( ⁇ total current for reloading the node Ni, this measurand is not affected by the parasitic capacity C p , ⁇ 2 .
- the parasitic capacitance C p , 34 is also not included in the measurement result, since, as a result of the constant potential at node N 4, it is not recharged during the entire measurement process and thus does not lead to the occurrence of a charge / discharge current which can be assigned to this capacity.
- the value of C ch ar is obtained. by looking at the mean of the charging current I meas , ⁇ at a frequency f that is not too low
- the measuring instrument has an integrating effect.
- a mismatch in the levels of the signals ⁇ 3 and ⁇ can have a similar effect to a threshold voltage mismatch of the transistors T 3 and T 4 .
- This effect is also compensated for by the above-mentioned measure or can be prevented from the outset in that the signals provided for controlling the gates of T 3 and T 4 are buffered on-chip by inverters, which in turn are operated with identical supply voltages.
- the signals .phi..sub.i and ⁇ 2 of Figure la are here combined to form a signal ⁇ i2, the ert the common gate terminal of the transistors Ti and T 2 ansteu ⁇ .
- the transistors Ti and T 2 this case form a simple CMOS inverter only for the control an input signal is required, which represents an advantageous simplification compared to the circuit from FIG.
- the frequency and duration of the corresponding time intervals of the clock signals ⁇ i, ⁇ 2 . ⁇ 3 and ⁇ 4 , or ⁇ i2 , ⁇ 3 , and ⁇ 4 must be chosen in this concrete implementation, which is carried out with real components, so that a charge of the capacitance C C nar to the full value of Vi or a discharge the full value of V 2 is possible and that the respective displacement currents completely subside during the time intervals that T 3 or T 4 conducts.
- FIG. 2 shows an embodiment of the invention
- Circuit arrangement with an N x M matrix circuit based on a CMOS process in which the principle according to FIG. 1 was applied to a matrix arrangement.
- Exactly one capacity or cell is selected within the matrix.
- the corresponding logical complementary signals are present at the complementary outputs XOUT x and YOUT y for the switching paths 7, 9.
- the transistors Tq,, y , and T ⁇ c rX , y in this cell are also both in the blocked state, so that they do not influence the recharging process.
- all other (not selected * cells ") at least one of the transistors T 5 , x , y and T 6 , x , y , and at least one of the transistors T ⁇ , ⁇ , y and T 8 , x , y blocks, so that it is not possible to charge the capacitors within these cells via the transistors T ⁇ rX , y and T z , x , y , and there is at least one of the transistors T 9 , x , y and T ⁇ o, > , y within these cells in the conductive state, so that a defined potential (here V - V 0 ) lies over all capacities which are not selected.
- Table 1 shows the result of a simulation of a 2 x 2 matrix which contains capacitances whose values scatter around
- the technology parameters for the transistors Ti - T 4 originate from a 3.3 V CMOS process with an oxide thickness of 9 nm and a minimum channel length of 0.5 ⁇ m.
- Table 1 Simulation of 2 x 2 matrix according to Figure 2.
- T 1000 ns.
- the order of the transistors T l X , y , T 5 , x , y and T 6 ,, y and ⁇ , y T 7 , x , y and T 8 , x , y can be interchanged. Furthermore, it is possible to execute the selection transistors with respect to one coordinate, ie either T 5 , x , y and T 8 , x , y or T 6 , x , y and T, x , y not individually within each cell, but for the whole Columns (first dimension) or for entire rows (second dimension).
- FIG. 4 shows a further simplified embodiment of the present invention, in which the test branch 2 is fed by an AC voltage 4.
- a control switching element depending SW ⁇ provided y (for the Y-decoder 11) and SW X, y (for the X-decoder 10), which m the har to the capacitance C , y , y leading test branch is integrated.
- transistors instead of the individual control sliding elements, transistors here, it is also possible to transfer gates ⁇ (n parallel p) to use in each of which an n-MOS and p-MOS transistor ensure that the full voltage can be constructed.
- the converted outputs to X out and Y out are also required for control.
- mismatch of transistors T 3 and T 4 can lead to a certain falsification of the measurement result. Parameter variations of all other transistors used in Figures 2 and 3 are not critical. Furthermore, a mismatch with the levels of the signals ⁇ 3 and ⁇ 4 can also be understood here as a threshold voltage mismatch of the transistors T 3 and T 4 , which then also manifests itself as a small measurement error.
- Ratio C char , ⁇ / C char , 2 should be set.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
The invention relates to a circuit for evaluating the capacitors of a matrix which has a plurality of rows (12, 13) with at least one capacitor (Cchar) in at least one dimension, comprising a testing branch (2) which is connected to first electrodes of each of the capacitors (Cchar) to be evaluated and with which two different potentials (V1, V2) can be applied to the first electrodes; and a measuring branch (3) which is connected to second electrodes of each of the capacitors (Cchar) and which has a first measuring path and a second measuring path. A common potential (V0) is applied to said first measuring path and second measuring path, the first measuring path having an instrument (1) for evaluating the capacitors (Cchar). The first measuring path and the second measuring path can be connected to the second electrodes. The circuit is characterised by control means which can individually switch each of the capacitors (Cchar) to be evaluated to the two different potentials.
Description
Beschreibung description
Schaltungsanordnung und Verfahren zum Bewerten von Kapazitäten in Matrizen S chaltungsanordnung and method for evaluating capacity in matrices
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Schaltungsanordnung sowie ein Verfahren zum Bewerten von Kapazitäten m Matrizen.The present invention relates generally to a circuit arrangement and a method for evaluating capacitances in m arrays.
Das möglichst exakte Bewerten von Kapazitäten, das heißt das numerische Bestimmen eines Werts der Kapazität m einer vorgesehenen Einheit, spielt m zahlreichen /Anwendungen der Technik eine große Rolle, insbesondere bei kleinen Kapazitäten. Für bestimmte wie beispielsweise Meßzwecke, wo die Große der Kapazität möglichst exakt bekannt sein muß, ist eine präzise Bestimmung der m der Schaltung vorkommenden Kapazität (en) essentiell für das Erhalten des gewünschten Ergebnisses .The most exact possible assessment of capacities, that is to say the numerical determination of a value of the capacitance m of an intended unit, plays an important role in numerous / applications of technology, particularly in the case of small capacities. For certain measuring purposes, for example, where the size of the capacitance must be known as precisely as possible, a precise determination of the capacitance (s) occurring in the circuit is essential for obtaining the desired result.
Speziell für die parametrische Beschreibung von CMOS-Especially for the parametric description of CMOS
Prozessen und anderen Technologien ist es notig, den /Absolutwert beabsichtigter On-Chip-Kapazitaten, beispielsweise für Analoganwendungen, und unbeabsichtigter, aber technisch unvermeidbarer Parasitarkapazitaten, z. B. Leitungsbelage, Lei- tungskreuzungen m verschiedenen Metallebenen, etc. zu charakterisieren. Für die mitunter sehr kritischen Analoganwendungen ist es zudem erforderlich, das Matchmg-Verhalten (Paarigkeits-Verhalten) gewünschter On-Chip-Kapazitaten zu kennen, d. h. es müssen Kapazitatsverhaltnisse charakteri- siert werden.Processes and other technologies require the / absolute value of intended on-chip capacities, for example for analog applications, and unintended but technically unavoidable parasitic capacities, e.g. B. to characterize line coverings, line crossings in different metal levels, etc. For the sometimes very critical analog applications, it is also necessary to know the matchmg behavior (pairing behavior) of desired on-chip capacitances, i. H. capacity ratios must be characterized.
Um bei geringem Chipflachenverbrauch eine große Zahl von Ausfuhrungsvarianten bewerten zu können und/oder um - ebenfalls bei vertretbarem Chipflachenverbrauch - eine gute statische Basis bei den vorgenommenenen Untersuchungen, z. B. für Mat-
chmg-Untersuchungen, zu erhalten, ist es sinnvoll, die zu charakterisierenden Kapazitäten m Matrizen anzuordnen.In order to be able to evaluate a large number of design variants with a low chip area consumption and / or - also with an acceptable chip area consumption - a good static basis for the investigations carried out, e.g. B. for mat chmg studies, it is useful to arrange the capacities to be characterized in m matrices.
Darüber hinaus müssen matrixformige Kapazitatsanordnungen z. B. in kapazitiven Sensoren vorgenommen werden, deren Aufgabe es ist, kapazitiv erfaßbare Parameter innerhalb bestimmter Grenzen als Funktion des Ortes zu messen (Beispiele: ortsauf- geloste Drucksensoren, Fingertipsensor) .In addition, matrix-shaped capacitance arrangements z. B. be carried out in capacitive sensors, the task of which is to measure capacitively detectable parameters within certain limits as a function of the location (examples: spatially resolved pressure sensors, fingertip sensor).
Dabei ist für diese Falle in bestimmten Anwendungen eine sehr hohe Genauigkeit wünschenswert oder erforderlich. Im Stand der Technik sind einige Meßmethoden bzw. -Schaltungen bekannt, welche die zu charakterisierende Kapazität m einen Strom, eine Spannung oder eine Frequenz umsetzen, da diese Parameter mit externen Meßgeraten relativ problemlos mit hoher Genauigkeit gemessen werden können. Eine direkte Messung des Kapazitatswertes ist aufgrund der Parasiten m externen Zuleitungen, sowie Zuleitungen und Pads On-Chip ohnehin nicht möglich.Very high accuracy is desirable or required for this case in certain applications. Some measuring methods or circuits are known in the prior art which convert the capacitance to be characterized into a current, a voltage or a frequency, since these parameters can be measured relatively easily with high accuracy using external measuring devices. A direct measurement of the capacitance value is anyway not possible due to the parasites m external feed lines, feed lines and pads on-chip.
Schaltungen für die On-Chip-Kapazitats-Spannungs-, On-Chip- Kapazitats-Strom-, oder On-Chip-Kapazitats-Frequenz-Umsetzung werden darüber hinaus in Produkten benotigt, m welchen Sensorsignale, die von kapazitiven Sensoren stammen, bewertet und weiterverarbeitet werden müssen (z. B. kapazitive Drucksensoren, Beschleumgungssensoren, ... )Circuits for on-chip capacitance-voltage, on-chip capacitance-current, or on-chip capacitance-frequency conversion are also required in products with which sensor signals, which come from capacitive sensors, are evaluated and have to be further processed (e.g. capacitive pressure sensors, defogging sensors, ...)
Alle vorbekannten Schaltungen weisen jedoch den Nachteil auf, daß interne Parasitarkapazitaten sowie andere Nicht- Idealitaten der verwendeten Bauelemente zu einem bestimmten Meßfehler fuhren, welcher um so großer ist, j e geringer die zu charakterisierende Kapazität ist.
Im Stand der Technik werden Prinzipien und Schaltungen angegeben, die den Wert von Kapazitäten oder das Verhältnis zweier oder mehrerer Kapazitäten in eine einfacher handhabbare Große wie Strom, Spannung oder Frequenz bzw. Strom-, Span- nungs-, oder Frequenzverhaltnisse umsetzen. Alle diese Schaltungen besitzen aber die im folgenden aufgeführten Nachteile:All previously known circuits, however, have the disadvantage that internal parasitic capacitances and other non-idealities of the components used lead to a certain measurement error, which is greater the smaller the capacitance to be characterized. The prior art specifies principles and circuits which convert the value of capacitances or the ratio of two or more capacitances into a quantity which is easier to handle, such as current, voltage or frequency or current, voltage or frequency ratios. However, all of these circuits have the disadvantages listed below:
• Parasitarkapazitaten und andere nicht-ideale Eigenschaften der m der jeweiligen Bewerterschaltung eingesetzten realen Bauelemente verfalschen das Meßergebnis oder müssen mit schaltungstechnischen Mitteln so weit wie möglich kompensiert werden. Keine der bislang bekannten Kompensationsmethoden fuhrt jedoch zu einer vollständigen Fehlerunterdruckung.• Parasitic capacitances and other non-ideal properties of the real components used in the respective evaluation circuit falsify the measurement result or have to be compensated as far as possible with circuitry means. However, none of the previously known compensation methods leads to complete error suppression.
• Viele der angegebenen Konzepte normieren die gemessenen Werte auf eine ebenfalls integrierte, quantitativ jedoch nicht exakt bekannte Referenzkapazitat . Somit erlauben diese Verfahren zwar Aussagen über Kapazitatsverhaltnisse, wie sie für Matchmg-Untersuchungen benotigt werden, präzise Schaltungen sind jedoch zum einen sehr aufwendig und die erzielte Auflosung bleibt trotz allen designtechnischen Aufwandes durch Parasitareffekte und Nicht-Idealitaten der verwendeten Bauelemente beschrankt. Absolutwertbestimmungen kleiner Kapazitäten (z. B. Leitungskreuzungen), welche für die Prozeß- Parametrisierung unabdingbar sind, sind mit solchen Schaltungen ohnehin unmöglich.• Many of the specified concepts normalize the measured values to an integrated, but not exactly known quantitative reference capacity. Thus, although these methods allow statements about capacity ratios, as are required for Matchmg examinations, precise circuits are, on the one hand, very complex and the resolution achieved remains limited by parasitic effects and non-idealities of the components used, despite all design effort. Absolute value determinations of small capacitances (e.g. line crossings), which are essential for process parameterization, are impossible with such circuits anyway.
So wurde beispielsweise von Chen et al . m "Proceedmgs of the IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures", 1997, Seite 77 und "IEEE Transactions on Semi- conductor Manufactuπng" , Band 11, Nr. 2, 1998, Seite 204, eine Bewerterschaltung vorgeschlagen. Auch mit diesem Verfahren war es jedoch nicht möglich, bei realen Bauelementen auf-
tretende Parasitarkapazitaten völlig von der Messung auszu- schliessen.For example, Chen et al. In the "Proceedings of the IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures", 1997, page 77 and "IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing", Volume 11, No. 2, 1998, page 204, an evaluation circuit was proposed. However, even with this method it was not possible to use real components completely exclude emerging parasitic capacities from the measurement.
Zusammenfassend kann gesagt werden, daß bis heute keine Me- thode bzw. Schaltung bekannt ist, die eine einfache und prä¬ zise, von Parasitareffekten und dem Einfluß nicht-idealer Eigenschaften der in der Bewerterschaltung verwendeten Bauelemente freie Bestimmung der Absolutwerte von Kapazitäten, speziell von On-Chip-Kapazitaten m Matrizen-Anordnungen von Kapazitaten erlaubt. Das gleiche gilt für Schaltungen zur präzisen Bewertung von Kapazitatsverhaltnissen. Selbstverständlich gilt, daß für den Fall der Verfügbarkeit einer hochpra- zisen Schaltung oder Methode für die Absolutwertbestimmung gleichzeitig das Problem der Charakterisierung von Kapazi- tatsverhaltnissen gelost ist.In summary it can be said that today Thode no metal or circuit is known, the zise a simple and pre ¬, Para Sitar effects and the influence of non-ideal properties of the evaluation circuit components used free determination of the absolute values of capacities, especially of On-chip capacitances m matrix arrangements of capacitances allowed. The same applies to circuits for the precise evaluation of capacitance ratios. Of course, if a high-precision circuit or method for determining the absolute value is available, the problem of characterizing capacitance ratios is solved at the same time.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung und ein mit dieser Schaltung anwendbares Verfahren zur Verfügung zu stellen, welches die meßtechnische Eliminierung von Parasitareffekten und sonstige Abweichungen bei der korrekten Bestimmung von Kapazitäten in Matrizen ermöglicht.The invention is therefore based on the object of providing a circuit and a method which can be used with this circuit and which enables the measurement-related elimination of parasitic effects and other deviations in the correct determination of capacitances in matrices.
Diese Aufgabe wird durch die Schaltungsanordnung zum Bewerten von Kapazitäten in Matrizen gemäß dem unabhängigen Patentan- spruch 1 sowie das Verfahren zum Bewerten von Kapazitäten inThis object is achieved by the circuit arrangement for evaluating capacities in matrices according to independent patent claim 1 and the method for evaluating capacities in
Matrizen gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 21 gelöst. Weitere vorteilhafte Aspekte, Details und Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen, der Beschreibung und den beigefügten Zeich- nungen .Matrices solved according to independent claim 21. Further advantageous aspects, details and refinements of the present invention result from the dependent patent claims, the description and the attached drawings.
Die Erfindung ist zunächst gerichtet auf eine Schaltungsanordnung zum Bewerten von Kapazitäten einer Matrix, die m zumindest einer Dimension eine Mehrzahl von Reihen mit zumm- dest einer Kapazität aufweist, mit einem Prüfzweig, der mit
einer ersten Elektrode jeder der zu bewertenden Kapazitäten verbunden ist und mit dem an die ersten Elektroden zwei verschiedene Potentiale anlegbar sind, einem Meßzweig, der mit den zweiten Elektroden jeder der zu bewertenden Kapazitäten verbunden ist und der aufweist:The invention is initially directed to a circuit arrangement for evaluating the capacities of a matrix, which in at least one dimension has a plurality of rows with at least one capacitance, with a test branch which is connected to a first electrode of each of the capacitances to be evaluated and with which two different potentials can be applied to the first electrodes, a measuring branch which is connected to the second electrodes of each of the capacitances to be evaluated and which has:
einen ersten Meßpfad und einen zweiten Meßpfad, die an einem gemeinsamen Potential anliegen, wobei der erste Meßpfad ein Instrument zur Bewertung der Kapazität aufweist und erster Meßpfad und zweiter Meßpfad mit den zweiten Elektroden verbindbar sind; wobei die Schaltungsanordnung durch Ansteuerungsmittel, die jede der zu bewertenden Kapazitäten einzeln auf die zwei verschiedenen Potentiale schalten können, gekennzeichnet ist.a first measuring path and a second measuring path which are present at a common potential, the first measuring path having an instrument for evaluating the capacitance and the first measuring path and second measuring path being connectable to the second electrodes; wherein the circuit arrangement is characterized by control means which can switch each of the capacitances to be evaluated individually to the two different potentials.
Unter den zu bewertenden Kapazitäten sind hierbei alle in einer Matrix vorkommenden Kapazitäten zu verstehen, die gemessen werden müssen, beispielsweise On-Chip-Kapazitäten, die mit Halbleiter-Prozessen hergestellt werden können oder Kapa- zitäten bei diskreten Schaltungsanordnungen, Kondensatoren etc.The capacitances to be evaluated are to be understood here as all the capacitances occurring in a matrix that have to be measured, for example on-chip capacitances that can be produced with semiconductor processes or capacitances with discrete circuit arrangements, capacitors etc.
Eine Matrix weist eine Anordnung von Kapazitäten auf. Im einfachsten Fall handelt es sich dabei um eine einzelne Reihe von Kapazitäten. Eine solche Matrix könnte man als eindimensional bezeichnen, da lediglich in einer der Dimensionen eine Anordnung von Kapazitäten vorhanden ist. Eine zweidimensiona- le Matrix weist eine Mehrzahl von Reihen von Kapazitäten auf (demgegenüber weist die eindimensionale Matrix für jede die- ser Reihen nur eine Kapazität auf) , wobei jede der Kapazitäten einer Reihe zu einer anderen Reihe von Kapazitäten in der anderen Dimension gehört. Dementsprechend ist jede der Kapazitäten durch ihre eindeutige Zuordnung zu den Reihen der beiden Dimensionen definiert. Genauso verhält es sich bei drei- oder mehrdimensionalen Matrizen, bei denen allerdings mehr Gruppen von Reihen von Kapazitäten vorkommen. Jede Kapazität weist zwei Elektroden auf, die mit dem Rest einer
Schaltung verbunden sind. Im Falle der Schaltungsanordnung zur Bewertung von Kapazitäten wird der Teil der Schaltung, welcher mit der einen Elektrode jeder der Kapazitäten verbun¬ den ist, als Prüfzweig bezeichnet, da er bei der Prüfung der Kapazitäten beteiligt ist und der mit der anderen Elektrode jeder der Kapazitäten verbundene Zweig wird als Meßzweig bezeichnet, der so genannt wird, da in ihm die eigentliche Mes¬ sung, das heißt Bewertung der Kapazitäten vorgenommen wird. Unter einem Pfad ist hier ein Punkte eindeutig verbindendes elektrisch Leitsystem zu verstehen, in das neben den eigentlichen Leitern weitere Elemente wie Schalter, Transistoren und Meßinstrumente eingegliedert sein können.A matrix has an arrangement of capacities. In the simplest case, this is a single set of capacities. Such a matrix could be described as one-dimensional, since there is an arrangement of capacities in only one of the dimensions. A two-dimensional matrix has a plurality of rows of capacities (in contrast, the one-dimensional matrix has only one capacitance for each of these rows), each of the capacities in one row belonging to a different row of capacities in the other dimension. Accordingly, each of the capacities is defined by its clear assignment to the rows of the two dimensions. The same applies to three- or multi-dimensional matrices, but with more groups of rows of capacities. Each capacitor has two electrodes that are connected to the rest of one Circuit are connected. In the case of the circuit arrangement for the evaluation of capacity, the part of circuit, to which the verbun one electrode of each of the capacitances ¬ is referred to as the test arm as it is involved in examining the capacity and connected with said other electrode of each of the capacitances branch is called the measuring path, which is so called because it contains the actual Mes ¬ solution, ie assessment of capacity to be. A path is to be understood here as an electrical control system which uniquely connects points and into which, in addition to the actual conductors, further elements such as switches, transistors and measuring instruments can be incorporated.
Diese erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ermöglicht durch ihre Anlegbarkeit der verschiedenen Potentiale die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Bewertung von Kapazitäten.This circuit arrangement according to the invention enables the method according to the invention for evaluating capacitances to be carried out due to the fact that the various potentials can be applied.
Das erfinderische Grundprinzip besteht darin, jeweils zumin- dest eine der zu bewertenden Kapazitäten zu aktivieren, d.h. die verwendeten Potentiale an sie anzulegen, um eine Bewertung der Kapazität vornehmen zu können, und dann eine mesε- fehlerfreie Bewertung der Kapazität mittels des Meßzweigs durchzuführen. Kapazitäten können bei geeigneter Ansteuerung auch gruppiert werden, so daß mehrere Kapazitäten gleichzeitig bewertet werden können. Auch ist es möglich, einer entsprechenden Matrix von Kapazitäten mehrere Bewerterschaltun- gen zuzuordnen, welche entweder jeweils für Teilbereiche der Matrix zuständig sind oder die alle mit beliebigen Kapazitä- ten der Matrix verschaltet werden können.The basic principle of the invention consists in activating at least one of the capacities to be assessed, i.e. to apply the potentials to them in order to be able to carry out an evaluation of the capacitance and then to carry out a measurement-free evaluation of the capacitance by means of the measuring branch. Capacities can also be grouped with suitable control, so that several capacities can be evaluated at the same time. It is also possible to assign a plurality of evaluation circuits to a corresponding matrix of capacities, which are either responsible for sub-areas of the matrix or which can all be connected to any capacities of the matrix.
Vorzugsweise weisen die Ansteuerungsmittel für jede Dimension der Matrix einer Anordnung von Schaltpfaden auf, wobei jeder der Reihen mit Kapazitäten zumindest ein Schaltpfad zugewie- sen ist, der aufweist eine Ansteuerung und zuminαest ein von der Ansteuerung schaltbares, m den Prufzweig integriertes Steuerschaltelement, das zumindest eines der zwei verschie-
denen Potentiale an die ersten Elektroden einer Reihe mitPreferably, the drive means for each dimension of the matrix of an arrangement of switching paths, wherein E ach of the rows with capacities is a circuit path is at least sen zugewie- having a control and zuminαest a switchable by the drive, m the Prufzweig integrated control switching element at least one of the two different which potentials to the first electrodes in a row
Kapazitäten anlegbar macht.Makes capacities investable.
Auf diese Weise bildet sich ein n-dimensionales Gitter von Schaltpfaden, mit dem durch Anwahl jeweils einer der Reihen pro Dimension eine bestimmte, im Schnittpunkt der Reihen liegende Kapazität angesteuert werden kann. Das Aktivieren geschieht einfach dadurch, daß das erste und das zweite Po¬ tential auf die Elektrode der Kapazität geschaltet werden, was mit den Schaltelementen geschieht, welche für jede der Dimensionen an eine Stelle des f r die jeweilige Kapazität zustandigen Teils des Prufpfads m den Prufpfad eingebaut werden . In this way, an n-dimensional grid of switching paths is formed, with which, by selecting one of the rows per dimension, a specific capacitance located at the intersection of the rows can be controlled. The activation is done simply in that the first and second Po be ¬ tential connected to the electrode of the capacitor, what happens to the switching elements, which the respective capacitance your health for each of the dimensions of a spot of fr portion of Prufpfads m the Prufpfad incorporated become .
Hierbei besteht die Möglichkeit, daß die Schaltpfade zumindest einer Dimension für jede der Kapazitäten einer Reihe zumindest ein m den zu der Kapazität f hrenden Teil des Prufzweigs integriertes Steuerschaltelement aufweisen. Für solche Dimensionen weist also jeder Teil des Prufzweigs, der eine Kapazität versorgt, ein eigenes Steuerschaltelement zu seiner Aktivierung auf. Die von einem Schaltpfad angesteuerten Steuerschaltelemente einer Reihe von Kapazitäten werden gleichzeitig geschaltet.There is the possibility that the switching paths of at least one dimension for each of the capacitances of a row have at least one control switching element integrated into the part of the test branch leading to the capacitance. For such dimensions, each part of the test branch that supplies a capacitance has its own control switching element for its activation. The control switching elements of a number of capacitances, which are controlled by a switching path, are switched simultaneously.
Alternativ können die Schaltpfade zumindest einer Dimension für jede der Reihen von Kapazitäten zumindest ein m den zu der Reihe f hrenden Teil des Prufzweigs integriertes Steuerschaltelement aufweisen. Bei dieser Variante wird also nicht jede Kapazität m der jeweiligen Dimension einzeln schaltbar, sondern es können nur ganze Reihen geschaltet werden. Dies stellt gegenüber der obigen Möglichkeit eine Vereinfachung dar, da für jeden der Schaltpfade nur noch ein Steuerschaltelement benotigt wird. Es versteht sich, daß die beiden Kon-
zepte der Anschaltung miteinander kombiniert werden können, so daß beispielsweise für eine erste Dimension ede einzelneAlternatively, the switching paths of at least one dimension for each of the rows of capacitors can have at least one control switching element integrated into the part of the test branch leading to the row. In this variant, therefore, not every capacitance m of the respective dimension can be switched individually, but only entire rows can be switched. This represents a simplification compared to the above possibility, since only one control switching element is required for each of the switching paths. It goes without saying that the two con- Scepter of the connection can be combined with each other, so that for example for a first dimension ede individual
Kapazität ein eigenes Schaltelement erhalt und für eine zweite Dimension alle Kapazitäten über ein gemeinsames Steu- erschaltele ent aktiviert werden.Capacity receives its own switching element and for a second dimension all capacities are activated via a common control switch.
Zu Realisierung der Steuerung der Schaltpfade können die Ansteuerungsmittel einen Adressdecoder mit einem individuell ansteuerbaren Ausgang für ede der Reihen von Kapazitäten und die Ansteuerungen eine Signalleitung zwischen jedem Ausgang und dem Steuerschaltelement aufweisen. Für jede der Dimensionen wird ein eigener Adresscecoder benotigt, wobei die Ad- ressdecoder der einzelnen Dimensionen zu einer gemeinsamen Einheit zusammengefasst werden können.To implement the control of the switching paths, the control means can have an address decoder with an individually controllable output for each of the rows of capacitances, and the controls can have a signal line between each output and the control switching element. A separate address coder is required for each of the dimensions, whereby the address decoders of the individual dimensions can be combined to form a common unit.
In einer einfachen bevorzugten Ausführungsform kann an den Prüfzweig einfach eine Wechselspannung angelegt werden, deren Amplitudenmaxima dann jeweils die zwei verschiedenen Potentiale darstellen. Die WechselSpannung kann vorzugsweise eine Rechteckspannung sein, um ein klares und schnelles Hin- undIn a simple preferred embodiment, an alternating voltage can simply be applied to the test branch, the amplitude maxima of which then each represent the two different potentials. The AC voltage can preferably be a square-wave voltage in order to make a clear and quick back and forth
Herschalten zwischen den beiden verschiedenen Potentialen zu ermöglichen.To enable switching between the two different potentials.
Alternativ ist es auch möglich, daß der Prüfzweig für jede der Kapazitäten einen ersten Prüfpfad mit einem ersten Schaltelement und einen zweiten Prüfpfad mit einem zweiten Schaltelement aufweist, wobei am ersten Prüfpfad ein erstes Potential und am zweiten Prüfpfad ein zweites Potential anliegen und beide Prüfpfade über einen Knoten mit der ersten Elektro- de verbunden sind. Durch diese bevorzugte Anordnung ist vermittels der beiden Schaltelemente gewährleistet, daß die verschiedenen Potentiale an die Elektrode einer Kapazität anlegbar sind. In diesem Falle erfolgt die Verbindbarkeit über Schaltelemente, welche m die Prüfpfade integiert sind.
Vorteilhafterweise sollten beide Prufpfade jeweils einschaltbar sein. Daher ist es bevorzugt, daß die Schaltpfade zu¬ mindest einer Dimension für ede der Kapazitäten einer Reihe ein m den ersten Prufpfad integriertes Steuerschaltelement und ein m den zweiten Prufpfad integriertes Steuerschaltelement aufweisen.Alternatively, it is also possible for the test branch to have a first test path with a first switching element and a second test path with a second switching element for each of the capacitors, a first potential being present on the first test path and a second potential on the second test path, and both test paths via one Nodes are connected to the first electrode. This preferred arrangement ensures, by means of the two switching elements, that the different potentials can be applied to the electrode of a capacitor. In this case, connectivity is via switching elements, which are integrated into the test paths. V orteilhafterweise both Prufpfade should be switched on at a time. Therefore, it is preferred that the switching paths to ¬ least one dimension for Ede the capacities of a number m a first Prufpfad integrated control switching element and a second m Prufpfad integrated control switching element having.
Auch diese Schaltungsanordnung lasst sich wie oben dadurch vereinfachen, daß die Schaltpfade zumindest einer Dimension für ede Reihe von Kapazitäten ein in den ersten Prufpfad integriertes Steuerschaltelement und ein in den zweiten Prufpfad integriertes Steuerschaltelement aufweisen. Bei dieser Ausfuhrungsform werden also wiederum alle Kapazitäten einer Reihe, die von einem gemeinsamen Schaltpfad gesteuert werden, von einem einzigen Steuerschaltelement geschaltet (sofern auch in den anderen Dimensionen die entsprechenden Steuer- schaltele ente eingeschaltet werden) .This circuit arrangement can also be simplified, as above, in that the switching paths of at least one dimension for each series of capacitors have a control switching element integrated in the first test path and a control switching element integrated in the second test path. In this embodiment, all capacities in a row that are controlled by a common switching path are in turn switched by a single control switching element (provided the corresponding control switching elements are also switched on in the other dimensions).
Das bezüglich der Schaltelemente oben ausgeführte gilt auch im Meßzweig, der dadurch gekennzeichnet sein kann, daß dieThe above with regard to the switching elements also applies in the measuring branch, which can be characterized in that the
Verbindung des ersten Meßpfads über ein drittes Schaltelement und die Verbindung des zweiten Meßpfads über ein viertes Schaltelement erfolgen. Vorzugsweise ist zumindest eines der Schaltelemente ein Transistor. In der Tat werden bei üblichen Schaltungen, speziell bei Halbleiterschaltungen, alle Schaltelemente Transistoren sein.The first measuring path is connected via a third switching element and the second measuring path is connected via a fourth switching element. At least one of the switching elements is preferably a transistor. In fact, in conventional circuits, especially in semiconductor circuits, all of the switching elements will be transistors.
Vorzugsweise ist das Instrument zur Bewertung der Kapazitäten ein Strommeßgerat . Es ist jedoch auch vorstellbar, andere In- strumente zu verwenden, sofern sie geeignet sind, eine Bewertung der zu bewertenden Kapazitäten durchzufuhren. Insbesondere werden sogenannte integrierende Meßgerate verwendet, welche in der Lage sind, ein Stromflußintegral am Meßpfad zu
bestimmen. Wie weiter unten im Einzelnen erläutert werden wird, erfolgt eine Bewertung der Kapazität mittels des Meßin¬ struments während des Ladens oder während des Entladens der Kapazität mit den Potentialen. Während des komplementären Vorgangs, also des Entladens oder des Ladens, erfolgt hingegen an diesem Meßinstrument keine Bewertung.The instrument for evaluating the capacities is preferably an ammeter. However, it is also conceivable to use other instruments if they are suitable for carrying out an assessment of the capacities to be assessed. In particular, so-called integrating measuring devices are used which are able to establish a current flow integral on the measuring path b . As will be explained in detail below, an evaluation of the capacitance by means of the MESSIN ¬ struments during charging or during discharging of the capacity with the potentials. On the other hand, no evaluation is carried out on this measuring instrument during the complementary process, i.e. unloading or loading.
Es ist jedoch möglich, ein zweites Meßinstrument in den zweiten Meßpfad zu integrieren, welches eine von der ersten Be- wertung unabhängige, zweite Bewertung der Kapazität während des zur ersten Bewertung komplementären Vorgangs, also des Entladens oder des Ladens, vornimmt. Durch Abgleich der beiden so erhaltenen, voneinander unabhängigen Bewertungen kann die Genauigkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens weiter ge- steigert werden.However, it is possible to integrate a second measuring instrument into the second measuring path, which carries out a second evaluation of the capacity, which is independent of the first evaluation, during the process which is complementary to the first evaluation, that is to say unloading or charging. The accuracy of the method according to the invention can be further increased by comparing the two independent evaluations thus obtained.
Ein wichtiger Aspekt beim erfindungsgemäßen Verfahren ist das zeitlich koordinierte Anlegen der verschiedenen Potentiale an die verschiedenen Pfade, beziehungsweise Zweige, einer Schal- tungsanordnung. Daher werden vorzugsweise zur Ansteuerung der Schaltelemente Taktsignale vorgesehen, die direkt oder indirekt an die Schaltelemente geführt werden und die ermöglichen können, periodisch und synchronisiert die verschiedenen relevanten Potentiale an die Elektroden der zu bewertenden Kapa- zität anzulegen. Diese verschiedenen Taktsignale können voneinander unabhängig generiert werden oder einen gemeinsamen Ursprung aufweisen. Beispielsweise ist es möglich, daß am ersten Schaltelement und am zweiten Schaltelement eine gemeinsame Taktwechselspannung als Taktsignal anliegt und das erste oder zweite Schaltelement so ausgebildet sind, daß sie von der Wechselspannung alternierend geschaltet werden oder geschaltet werden können. Hierzu bietet sich beispielsweise bei Verwendung von Transistoren an, daß das erste und zweite
Schaltelement einen pMOS- und einen nMOS-Transistor aufweisen, welche von der Taktwechselspannung alternierend geschal¬ tet werden oder geschaltet werden können.An important aspect in the method according to the invention is the time-coordinated application of the different potentials to the different paths or branches of a circuit arrangement. Therefore, clock signals are preferably provided to control the switching elements, which are fed directly or indirectly to the switching elements and which can make it possible to periodically and synchronously apply the various relevant potentials to the electrodes of the capacitance to be evaluated. These different clock signals can be generated independently of one another or have a common origin. For example, it is possible that a common alternating clock voltage is present as a clock signal on the first switching element and on the second switching element and the first or second switching element are designed such that they can be switched or switched alternately by the alternating voltage. For this purpose, for example when using transistors, it is advisable that the first and second S chaltelement having a pMOS and an nMOS transistor which are alternately tet geschal ¬ from the clock or AC voltage can be switched.
Um die Synchronisierung der Taktsignale oder einer eventuell verwendeten Taktwechselspannung in einfacher Weise sicherzustellen, kann es außerdem bevorzugt sein, daß die Schaltungsanordnung weiterhin aufweist: ein Mittel zur Erzeugung der an den Schaltelementen anliegenden Taktsignale und gegebenen- falls einer verwendeten Taktwechselspannung aus einem Mastertaktsignal .In order to ensure the synchronization of the clock signals or a possibly used alternating clock voltage in a simple manner, it can also be preferred that the circuit arrangement further comprises: a means for generating the clock signals applied to the switching elements and, if appropriate, a used alternating clock voltage from a master clock signal.
Somit wird nur ein Mastertaktsignal benotigt, um daraus alle anderen für die Ausfuhrung des erfmdungsgemaßen Verfahrens mit der Schaltungsanordnung notwendigen Taktsignale zu generieren.Thus, only one master clock signal is required in order to generate therefrom all other clock signals necessary for executing the method according to the invention with the circuit arrangement.
Um die Ausführung der Schaltungsanordnung weiter zu vereinfachen, kann es weiterhin bevorzugt sein, daß das gemeinsame Potential gleich dem ersten oder dem zweiten Potential ist.In order to further simplify the design of the circuit arrangement, it may further be preferred that the common potential is equal to the first or the second potential.
Wiederum kann es vorteilhaft sein, wenn das erste oder zweite Potential eine Betriebsspannung, die der Schaltungsanordnung ohnedies immanent ist, darstellt und das andere der zweiten oder ersten Potentials die Masse ist.Again, it can be advantageous if the first or second potential represents an operating voltage that is inherent in the circuit arrangement anyway, and the other of the second or first potential is the ground.
Die Erfindung ist weiter gerichtet auf ein Verfahren zum Bewerten von Kapazitäten, insbesondere unter Verwendung der oben beschriebenen erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung mit folgenden Schritten:The invention is further directed to a method for evaluating capacities, in particular using the circuit arrangement according to the invention described above, with the following steps:
-Aktivieren zumindest einer bestimmten, zu bewertenden Kapazität einer Matrix, die in zumindest einer Dimension eine Mehrzahl von Reihen mit zumindest einer Kapazität aufweist,
-Laden und Entladen der zu bewertenden, aktivierten Kapazität durch alternierendes Anlegen eines ersten und eines zweiten, vom ersten unterschiedlichen Potentials an eine erste Elektrode der Kapazität über einen Prüfzweig undActivation of at least one specific capacity to be evaluated of a matrix which has a plurality of rows with at least one capacity in at least one dimension, Charging and discharging the activated capacitance to be evaluated by alternately applying a first and a second potential which is different from the first to a first electrode of the capacitance via a test branch and
Anlegen eines gemeinsamen Potentials an eine zweiteApplying a common potential to a second one
Elektrode der Kapazität über einen Meßzweig; undElectrode of the capacitance via a measuring branch; and
Zumindest ein Bewerten der Kapazität während des Ladens oder des Entladens der Kapazität in dem Meßzweig.At least evaluating the capacity during the loading or unloading of the capacity in the measuring branch.
Bezüglich der Vorteile und Details des erfindungsgemäßen Verfahrens wird auf das oben zur Schaltungsanordnung Gesagte verwiesen und vollinhaltlich Bezug genommen. Ebenso versteht sich, daß alles für das erfindungsgemäße Verfahren ausgeführ- te in gleicher Weise für die erfindungsgemäße Schaltungsan- ordnug gelten soll. Das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens beruht darauf, daß nach Aktivierung einer bestimmten Kapazität in einer Matrix von Kapazitäten eine der beiden Elektroden der zu bewertenden Kapazität (bei Verwendung einer er- findungsgemäßen Schaltanordnung, die mit dem Prüfzweig verbundene Elektrode) zwischen zwei Potentialen periodisch umgeladen wird, während die andere Elektrode auf einem gemeinsamen Potential verbleibt und die Bewertung der Kapazität nur anhand des Lade- beziehungsweise Entladevorgangs erfolgt.With regard to the advantages and details of the method according to the invention, reference is made to what has been said above regarding the circuit arrangement and full reference is made to it. It also goes without saying that everything that has been carried out for the method according to the invention should apply in the same way to the circuit arrangement according to the invention. The principle of the method according to the invention is based on the fact that after activation of a specific capacitance in a matrix of capacitances, one of the two electrodes of the capacitance to be evaluated (when using a switching arrangement according to the invention, the electrode connected to the test branch) is periodically recharged between two potentials. while the other electrode remains at a common potential and the capacity is only assessed on the basis of the charging or discharging process.
Das Aktivieren erfolgt vorzugsweise dadurch, daß der zu einer bestimmten Kapazität fuhrende Teil des Prufzweigs eingeschaltet wird.The activation is preferably carried out by switching on the part of the test branch leading to a specific capacity.
Das Einschalten des bestimmten Teils des Prufzweigs kann durch m diesen Teil des Prufzweigs integrierte Steuerschaltelemente erfolgen, wobei für jede der Dimensionen ein Steuerschaltelement vorgesehen ist.The switching on of the specific part of the test branch can take place by means of control switching elements integrated in this part of the test branch, a control switching element being provided for each of the dimensions.
Alternativ kann das Einschalten des bestimmten Teils des Prufzweigs durch in den Prufzweig integrierte Steuerschal-
telemente erfolgen, wobei für zumindest eine der Dimensionen ein Steuerschaltelement in diesen bestimmten Teil des Prüfzweigs integriert ist und für zumindest eine der Dimen¬ sionen ein Steuerschaltelement in einen Teil des Prüfzweigs integriert ist, der zu einer Reihe von Kapazitäten führt und zu dem auch der bestimmte Teil gehört. Diese beiden Ausführungsformen lassen sich bei mehreren Dimension miteinander kombinieren.Alternatively, the switching on of the specific part of the test branch can be carried out by control switches integrated in the test branch. sliding elements take place, wherein for at least one of the dimensions of a control switching element in that particular part of the Prüfzweigs is integrated, and for at least one of Dimension ¬ versions a control switching element in a portion of the Prüfzweigs is integrated, which leads to a number of capacities and which also includes certain Part heard. These two embodiments can be combined with one another in several dimensions.
Das zumindest eine Bewerten der Kapazität erfolgt vorzugsweise durch ein Instrument, welches in einen ersten Meßpfads des Meßzweigs integriert ist. Dieses Meßinstrument kann beispielsweise ein Strommeßgerät sein, so daß das Bewerten mittels Messen eines Stromflußintegrals durch den ersten Meßpfad des Meßzweigs während des Ladens oder des Entladens der Kapazität erfolgen kann.The at least one evaluation of the capacitance is preferably carried out by an instrument which is integrated in a first measuring path of the measuring branch. This measuring instrument can be, for example, a current measuring device, so that the evaluation can be carried out by measuring a current flow integral through the first measuring path of the measuring branch during the charging or discharging of the capacitance.
Um den Fehler während der Meßbewertung der Kapazität zu minimieren, wird es insbesondere bevorzugt, daß im Falle der Be- wertung der Kapazität während des Ladens die zumindest eine Bewertung nicht während des Entladens erfolgt, und daß im Falle der Bewertung der Kapazität während des Entladens die zumindest eine Bewertung nicht während des Ladens erfolgt.In order to minimize the error during the measurement evaluation of the capacity, it is particularly preferred that in the case of the evaluation of the capacity during charging the at least one evaluation does not take place during the unloading, and that in the case of the evaluation of the capacity during the unloading the at least one evaluation was not made during loading.
Das erfindungsgemäß angelegte gemeinsame Potential, welches während des Bewertens über das Meßinstrument geführt werden muß, wird vorzugsweise über einen zweiten Meßpfad des Meßzweigs direkt an die zweite Elektrode angelegt, während die zumindest eine Bewertung nicht erfolgt. Auf diese Weise ist es möglich, zuverlässig sicherzustellen, daß nur während des eigentlichen Meßvorgangε, also entweder während des Ladens oder während des Entladens, eine Messung über das Meßinstrument erfolgt und dennoch während der gesamten Zeit die zweite Elektrode am gemeinsamen Potential verbleibt, um ein Umladen zu gewährleisten. Die oben geschilderten zeitlichen Verläufe der Messung während des Ladens und Entladens bedeuten nicht,
daß zu allen Zeiten eine Messung erfolgen muß oder ein be¬ stimmtes Potential an den Elektroden anliegen muß. Vielmehr ist es auch möglich, nur über bestimmte Zeitintervalle Potentiale anzulegen, beziehungsweise Messungen durchzuführen, während in anderen Zeitintervallen die für das erfindungsge- mäße Verfahren verwendete Anordnung völlig von allen äußeren Potentialen abgekoppelt ist und somit auch nicht gemessen wird.The common potential applied according to the invention, which must be carried over the measuring instrument during the evaluation, is preferably applied directly to the second electrode via a second measuring path of the measuring branch, while the at least one evaluation is not carried out. In this way it is possible to reliably ensure that a measurement is carried out via the measuring instrument only during the actual measuring process, that is to say either during charging or during unloading, and nevertheless the second electrode remains at the common potential throughout the entire time for a recharging to ensure. The time profiles of the measurement during loading and unloading described above do not mean that at all times a measurement must be performed or must be applied to a ¬ be-determined potential to the electrodes. Rather, it is also possible to apply potentials or to carry out measurements only over certain time intervals, while in other time intervals the arrangement used for the method according to the invention is completely decoupled from all external potentials and is therefore also not measured.
Es ist allerdings bevorzugt, daß das Bewerten der Kapazität so erfolgt, daß der gesamte Ladevorgang oder der gesamte Entladevorgang erfaßt wird.However, it is preferred that the capacity rating be done so that the entire charging or discharging process is detected.
Wie bereits oben im Hinblick auf die Vorrichtung ausgeführt, kann eine weitere, unabhängige Bewertung während des komplementären Vorgangs zur zumindest einen Bewertung erfolgen. Die Erfindung weist daher vorzugsweise den weiteren Schritt auf: -Zweites Bewerten der Kapazität während des Vorgangs des Entladens oder Ladens, bei dem das zumindest eine Bewerten nicht durchgeführt wird.As already explained above with regard to the device, a further, independent evaluation can take place during the complementary process to the at least one evaluation. The invention therefore preferably has the further step: second evaluation of the capacity during the process of unloading or charging, in which the at least one evaluation is not carried out.
Das zweite Bewerten der Kapazität wird vorzugsweise durch ein zweites Instrument erfolgen, welches in einen zweiten Meßpfad integriert ist, um zu gewährleisten, daß der vom ersten In- strument abgeleitete Stromfluß während des komplementärenThe second evaluation of the capacitance is preferably carried out by a second instrument, which is integrated in a second measuring path, in order to ensure that the current flow derived from the first instrument during the complementary one
Vorgangs des Entladens oder des Ladens durch das zweite Instrument fließen kann.Operation of unloading or loading can flow through the second instrument.
Das alternierende Anlegen des ersten und zweiten Potentials an die erste Elektrode kann beispielsweise in einem einfachenThe alternating application of the first and second potential to the first electrode can, for example, be carried out in a simple manner
Fall durch Anlegen einer Wechselspannung an den Prüfzweig erfolgen. Es ist allerdings auch möglich, daß das alternierende Anlegen des ersten und des zweiten Potentials durch alternierendes Aufschalten eines ersten Prüfpfads mit einem ersten Potential und eines zweiten Prüfpfads mit einem zweiten Potential auf die erste Elektrode erfolgen kann.
Dieses Aufschalten kann beispielsweise mittels in die Prüfpfade integrierte Schaltelemente, beispielsweise Schalter oder Transistoren, erfolgen.Case by applying an AC voltage to the test branch. However, it is also possible that the alternating application of the first and the second potential can take place by alternately connecting a first test path with a first potential and a second test path with a second potential to the first electrode. This connection can take place, for example, by means of switching elements integrated in the test paths, for example switches or transistors.
Um zu gewährleisten, daß eine Bewertung der Kapazität tatsächlich nur während des gewünschten Vorgangs, also beispielsweise des Ladens oder des Entladens, erfolgt, ist es möglich, daß der erste Meßpfad und der zweite Meßpfad alternierend auf die zweite Elektrode aufgeschaltet werden. Auch dieses Aufschalten kann mittels in die Meßpfade integrierter Schaltelemente erfolgen.In order to ensure that the capacitance is actually only evaluated during the desired process, for example charging or discharging, it is possible for the first measuring path and the second measuring path to be connected alternately to the second electrode. This connection can also be carried out by means of switching elements integrated in the measuring paths.
Eine besonders bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens führt zu einer weiteren Reduktion des Meß- fehlerε, da der Mismatch innerhalb des Meßzweigs eliminiert wird. Dieses Verfahren weist die weiteren Schritte auf:A particularly preferred embodiment of the method according to the invention leads to a further reduction in the measurement error, since the mismatch within the measurement branch is eliminated. This procedure has the following steps:
-Vertauschen der zeitlichen Korrelation zwischen dem Anlegen des ersten und zweiten Potentials und dem zumindest einen Be- werten wahrend des Laden oder des Entladens;Interchanging the temporal correlation between the application of the first and second potentials and the at least one evaluation during charging or discharging;
-Erneutes Bewerten der Kapazität m dem Meßzweig; und-Reassess the capacitance in the measuring branch; and
-Genaueres Bestimmen der Kapazität aus den beiden Bewertun- gen.-Determine the capacity more precisely from the two evaluations.
Das Vertauschen der zeitlichen Korrelation kann beispielsweise dadurch erfolgen, das die Phase der Wechselspannung um 180° gegenüber dem Zeitraum der zumindest einen Bewertung verschoben wird, oder dadurch, daß entweder die zeitliche Ansteuerung der beiden Meßpfade oder das Anlegen der beiden Potentiale am Prufzweig miteinander vertauscht werden.The temporal correlation can be interchanged, for example, by shifting the phase of the AC voltage by 180 ° with respect to the period of the at least one evaluation, or by either interchanging the timing of the two measurement paths or applying the two potentials to the test branch ,
Im folgenden soll die Erfindung anhand von bevorzugten Aus- fuhrungsbesipielen erläutert werden, wobei auf die beigefug-
ten Zeichnungen Bezug genommen werden wird, in denen folgendes dargestellt ist:In the following, the invention is to be explained on the basis of preferred exemplary embodiments, reference being made to the attached Reference will be made to drawings in which:
Fig. 1 zeigt eine Schaltungsanordnung, welche die eigentliche Bewertung jeder einzelnen Kapazität durchfuhren kann;1 shows a circuit arrangement which can carry out the actual evaluation of each individual capacitance;
Fig. 2 zeigt ein Ausfuhrungsbeispiel einer Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung;2 shows an exemplary embodiment of a circuit arrangement according to the present invention;
Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausfuhrungsbeispiel einer vereinfachten Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung;3 shows a further exemplary embodiment of a simplified circuit arrangement according to the present invention;
Fig. 4 zeigt noch ein weiteres Ausfuhrungsbeispiel einer Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung unter Verwendung von Wechselspannung.FIG. 4 shows yet another exemplary embodiment of a circuit arrangement according to the present invention using AC voltage.
Bevor die Erfindung im einzelnen erläutert wird, soll zunächst die für die Erfindung verwendete Schaltungsanordnung zur Bewertung einer einzelnen Kapazität dargestellt werden. Figur 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Prinzipschaltung, welche m der Erfindung verwendet werden kann. Die in der Figur mit eingezeichneten Kapazitäten Cp,ι2 und Cp,34 stehen für die in realen technischen Anwendungen unvermeidbaren Parasitarkapazitaten an den Knoten Nι2 und N34. Ihre Auswirkung auf die Funktion der Schaltung, bzw. die Tatsache, daß diese Parasitarkapazitaten das Meßergebnis nicht verfalschen, wird weiter unten im Detail diskutiert.Before the invention is explained in detail, the circuit arrangement used for the evaluation of an individual capacitance is to be presented first. FIG. 1 shows a schematic illustration of a basic circuit which can be used in the invention. The capacitances C p , ι 2 and Cp, 34 shown in the figure represent the parasitic capacitances at the nodes Nι 2 and N 34 which are unavoidable in real technical applications. Their effect on the function of the circuit, or the fact that these parasitic capacitances do not falsify the measurement result, is discussed in detail below.
Das m Figur 1 gezeigte Prinzip beruht darauf, daß eine erste Elektrode der Kapazität Cchar. die mit dem Knoten N12 des Prufzweigs 2 verbunden ist, periodisch umgeladen wird zwischen den Spannungswerten Vx und V2, welche an den beiden Prufpfa- den anliegen, wahrend die andere, zweite Elektrode, die mit
dem Knoten N3-, des Meßzweigs 3 verbunden ist, auf dem gemeinsamen Potential V0 verbleibt und der Mittelwert des nur wäh¬ rend des Lade- (bzw. je nach Definition und Wahl von Vi, V2 und V34 ggf. auch des Entlade-) Vorgangs auftretenden Ver- schiebestromes gemessen wird, der zwischen der Elektrode der Kapazität, die auf konstantem Potential V0 liegt, und der Spannungsquelle, die dieses Potential liefert, auftritt. Dies geschieht dadurch,The principle shown in FIG. 1 is based on the fact that a first electrode of capacitance C ch ar. which is connected to the node N 12 of the test branch 2, is periodically reloaded between the voltage values V x and V 2 which are present on the two test paths, while the other, second electrode which is connected to the node N 3 -, the measuring branch 3 is connected to the common potential V remains 0 and the average value of the currency only ¬ end of the charging (or depending on the definition and choice of Vi, V 2 and V 34 optionally also of Discharge) process occurring displacement current is measured, which occurs between the electrode of the capacitance, which is at constant potential V 0 , and the voltage source, which supplies this potential. This happens because
• daß eine der beiden Elektroden der Kapazität (diejenige, die in der Abbildung mit dem Knoten Ni2 des Prüfzweigs verbunden ist) mittels der Schaltelemente (hier der Tranisto- ren Tl und T2) in periodischem Wechsel gemäß dem in der Abbildung gezeigten Timing-Diagramm mit den Potentialen Vi und V2 verbunden wird, so daß der Knoten Ni2 mit der glei- chen Periode zwischen diesen beiden Potentialen umgeladen wird,• That one of the two electrodes of the capacitance (the one that is connected in the figure to the node N i2 of the test branch) by means of the switching elements (here the transistors T1 and T2) in a periodic change according to the timing diagram shown in the figure is connected to the potentials Vi and V 2 , so that the node N i2 is reloaded with the same period between these two potentials,
• daß die andere der beiden Elektroden (diejenige, die in der Abbildung mit dem Knoten N34 des Meßzweigs verbunden ist) , auf ein festes Potential, beispielsweise V0 gelegt wird, wobei die Verbindung dieser Elektrode mit der Spannungsquelle, die das Potential V0 liefert, gemäß dem in der Figur la gezeigten Timing-Diagramm entweder über den Strom- Prüfpfad, der durch Schließen des Transistors T3 entsteht, oder aber über den Strom-Prüfpfad, der durch Schließen des Transistors T4 entsteht, hergestellt wird,• that the other of the two electrodes (the one that is connected in the figure to node N 34 of the measuring branch) is connected to a fixed potential, for example V 0 , the connection of this electrode to the voltage source having the potential V 0 delivers, according to the timing diagram shown in FIG. 1a, either via the current test path that is created by closing transistor T3 or via the current test path that is created by closing transistor T4,
• und daß entweder der mit dem Lade- oder der mit dem Entladevorgang auftretende Verschiebestrom (in der Figur la ϊmeas,3) mittels eines geeigneten Instrumentes gemessen wird, welches träge gegenüber der gewählten Taktfrequenz ist und damit integrierend wirkt, und wobei dieses Strommeßinstrument 1 entweder (wie in der Figur gezeigt) in dem gleichen Strom-Meßpfad wie der Transistor T3 oder aber in
dem gleichen Strom-Meßpfad wie der Transistor T4 liegt.• and that either the displacement current occurring with the charging or with the discharge process (in the figure la ϊmeas, 3 ) is measured by means of a suitable instrument which is sluggish with respect to the selected clock frequency and thus has an integrating effect, and this current measuring instrument 1 either (as shown in the figure) in the same current measuring path as the transistor T3 or in the same current measurement path as the transistor T4.
Hierbei können an allen Stellen statt der dargestellten Transistoren auch andere Formen von Schaltelementen verwendet werden.Here, other forms of switching elements can be used at all points instead of the transistors shown.
Wie aus dem Timing-Diagramm in Figur la ersichtlich ist, haben alle zur Ansteuerung verwendeten Signale Φi, Φ2, Φ3, und Φ4 die gleiche Frequenz, jedoch unterschiedliche Phasenlage und ggf. auch unterschiedliche Duty-Cycle-Verhaltnisse .As can be seen from the timing diagram in FIG. 1 a, all the signals Φi, Φ 2 , Φ 3 , and Φ 4 used for the control have the same frequency, but different phase positions and possibly also different duty cycle relationships.
Gemäß dem in Figur la gezeigten Timing-Diagramm für den "OPEN"- und "CLOSED" -Zustand der Transistoren Tx, T2, T3, und T4 welcher durch die Ansteuersignale Φl t Φ2, Φ3, und Φ4 definiert wird, wird die Einhaltung der beiden folgenden, für das Funktionieren der Methode vorteilhaften Bedingungen garantiert :According to the timing diagram shown in FIG. 1 a for the “OPEN” and “CLOSED” state of the transistors T x , T 2 , T 3 , and T 4, which is determined by the control signals Φ lt Φ 2 , Φ 3 , and Φ 4 is defined, compliance with the following two conditions that are advantageous for the functioning of the method is guaranteed:
• der Knoten N34 wird jeweils vor Beginn und nach Beendigung eines Umladevorgangs der zu bewertenden Kapazität über genau einen der beiden möglichen Meßpfade mit dem Potential V0 verbunden, so daß das Strommeßinstrument 1 - je nachdem, ob es m dem gleichen Meßpfad wie der Transistor T3 oder aber m dem gleichen Meßpfad wie der Transistor TA liegt - entweder den Verschiebungsstrom, der dem gesamtem Ladevorgang entspricht oder aber den Verschiebungsstrom, der dem gesamtem Entladevorgang der Kapazität CChar entspricht, mißt .• The node N 34 is connected to the potential V 0 via exactly one of the two possible measurement paths before the start and after completion of a recharging process of the capacitance to be evaluated, so that the current measuring instrument 1 - depending on whether it is m on the same measurement path as the transistor T 3 or m lies in the same measuring path as the transistor T A - either measures the displacement current, which corresponds to the entire charging process, or measures the displacement current, which corresponds to the total discharge process of the capacitance C Char .
• Frequenz und Dauer der " OPEN" -Phasen der Signale Φl r Φ2 , Φ3, und Φ4 werden so gewählt, daß das Potential am Knoten Nι2 wahrend der Umladevorgange jeweils sicher die vollen Werte Vx und V2 erreicht.
Im Timing-Diagramm der Figur la sind ferner Zeltintervalle eingezeichnet (punktierte Bereiche) , in denen die eine oder die andere oder aber beide der beiden Elektroden der Kapazi¬ tät CC ar "floaten". Insbesondere ist auch eine exakt ko ple- mentare Ansteuerung der Transistoren T2 und T2 möglich, d.h. daß das Schließen von Ti (T2) jeweils zeitgleich mit dem Offnen von T2 (Ti) erfolgt bzw. daß das Ansteuersignal Φ_ exakt komplementär zum Ansteuersignal Φi ist.• Frequency and duration of the "OPEN" phases of the signals Φ lr Φ 2 , Φ 3 , and Φ 4 are chosen so that the potential at node Nι 2 during the reloading process safely reaches the full values V x and V 2 . Tent intervals are also shown in the timing diagram of Figure la (dotted areas) in which one or the other or both of the two electrodes of the capaci ty ¬ C C ar "float". In particular, an exactly complementary control of the transistors T 2 and T 2 is also possible, ie that the closing of Ti (T 2 ) takes place simultaneously with the opening of T 2 (Ti) or that the control signal Φ_ is exactly complementary to Control signal Φi is.
Die Berechnung der Kapazität aus den Parametern Ni , V2 und f = 1/T erfolgt durch die oben angegebene Gleichung (1) . Die Wahl des Potentials V0 hat keinen Einfluß auf das Meßergebnis, sofern CChar spannungsunabhangig ist, es sich also um eine ideale Kapazität handelt.The capacitance is calculated from the parameters Ni, V 2 and f = 1 / T using equation (1) given above. The choice of the potential V 0 has no influence on the measurement result, provided that C C har is independent of the voltage, ie it is an ideal capacitance.
Das Meßergebnis wird ferner nicht vom Wert und von den weiteren Eigenschaften, z. B. Linearitat oder Spannungsabhangig- keit, der Parasitarkapazitaten Cp,^2 und Cp,34 beeinflußt. Zwar wird die Parasitarkapazitat Cp,ι2 ebenfalls zwischen den Po- tentialen Vx und V2 umgeladen, der hierfür notige Strom fließt aber ausschließlich über die Transistoren Ti und T2 und durch die Quellen Vi und V , nicht aber über die Transistoren T3 und T-i, und somit auch nicht über das Strommeßinstrument 1 und die Quelle V0. Da als Meßgroße rmeaS/J hier der zwischen dem Knoten Ν34 und der Spannungsquelle V0 fließende Verschiebungsstrom herangezogen wird, und dieser exakt gleich ist mit dem zum Umladen der mit dem Knoten N^ verbundenen Elektrode von Cchar benotigten Strom ( ≠ Gesamtstrom zum Umladen des Knotens Ni , wird diese Meßgroße nicht von der Para- sitarkapazitat Cp,ι2 beeinträchtigt.
Die Parasitarkapazitat Cp,34 geht ebenfalls nicht ins Meßergebnis ein, da sie als Folge des konstanten Potentials am Knoten N4 wahrend des gesamten Meßablaufs nicht umgeladen wird und somit auch nicht zum Auftreten eines dieser Kapazi- tat zuzuordnenden Lade-/Entladestromes fuhrt.The measurement result is also not of the value and of the other properties such. B. linearity or voltage dependency, which influences parasitic capacitances C p , ^ 2 and C p , 34 . The parasitic capacitance C p , ι 2 is also recharged between the potentials V x and V 2 , but the current required for this flows exclusively through the transistors Ti and T 2 and through the sources Vi and V, but not via the transistors T. 3 and Ti, and therefore not via the current measuring instrument 1 and the source V 0 . As the measured variable r meaS / J , the displacement current flowing between node Ν 34 and voltage source V 0 is used here, and this is exactly the same as the current required for recharging the electrode of C ch ar connected to node N ^ (≠ total current for reloading the node Ni, this measurand is not affected by the parasitic capacity C p , ι 2 . The parasitic capacitance C p , 34 is also not included in the measurement result, since, as a result of the constant potential at node N 4, it is not recharged during the entire measurement process and thus does not lead to the occurrence of a charge / discharge current which can be assigned to this capacity.
Es ist möglich, die Takte Φi und Φ2 bzw. Φ12 zu vertauschen und zu invertieren (sofern die Aufschaltung über n-MOS und p- MOS Transistoren Ti bzw. T2 erfolgt) oder die Takte Φ^ und Φ4 miteinander zu vertauschen, bzw. den Strom nicht in dem Pfad mit dem Transistor T3 sondern in dem mit dem Transistor T4 zu messen. Alle diese Maßnahmen wirken sich bei idealen Bauelementen und Meßinstrumenten nur auf das Vorzeichen des Mittelwertes der Meßgroße Fmeas aus, nicht jedoch auf deren Betrag.It is possible to interchange the clocks Φi and Φ 2 or Φ 12 (if the connection is made via n-MOS and p-MOS transistors Ti or T 2 ) or to invert the clocks Φ ^ and Φ 4 , or to measure the current not in the path with the transistor T 3 but in that with the transistor T 4 . In the case of ideal components and measuring instruments, all of these measures affect only the sign of the mean value of the measured variable F meas , but not the amount thereof.
Der zeitliche Mittelwert des gemessenen Stromes ergibt sich für diese ideale Anordnung gemäßThe average over time of the measured current results for this ideal arrangement according to
Ϊmeas 1 = Cchar X ( Vx - V2 ) X f ( 1 )Ϊmeas 1 = Cchar X (V x - V 2 ) X f (1)
wobei f = 1 / T und T die Periodendauer ist. Daraus ergibt sich für die zu bewertende Kapazitätwhere f = 1 / T and T is the period. This results in the capacity to be assessed
Cchar , mit f = 1/T = Taktfrequenz (2a)
Char, with f = 1 / T = clock frequency (2a)
' -| r+mT "\ /'- | r + mT "\ /
J βas i(t)d /(f x -M - Vj)) , x bel iebig, m = 1 , 2 , 3 , ( 2b )J β as i (t) d / (fx -M - Vj)), x any, m = 1, 2, 3, (2b)
[ml τ J f - 1| rr++mmTT ^ /[ml τ J f - 1 | r r + + m m T T ^ /
- |lmβasi(dt /(V1-V2), τ beliebig, m = 1, 2, 3, (2c) m r )l easi steht dabei für den zeitlichen Mittelwert des gemessenen Stromes Imeas,ι(t) über eine ganze Periode T bzw. ein ganzzah- liges Vielfaches davon, wobei die Festlegung des Startpunktes x dieser Periode (n) beliebig ist. In der meßtechnischen Praxis erhalt man den Wert von Cchar. indem man den Mittelwert
des Ladestromes Imeas,ι bei einer nicht zu geringen Frequenz f- | lmβasi (dt / (V 1 -V 2 ), τ any, m = 1, 2, 3, (2c) mr) l easi stands for the time average of the measured current I me as, ι (t) an entire period T or an integer multiple thereof, the starting point x of this period (s) being arbitrary. In measurement technology practice, the value of C ch ar is obtained. by looking at the mean of the charging current I meas , ι at a frequency f that is not too low
(z. B. f > 10 kHz) mit Hilfe eines Meßinstrumentes, welches bei der gewählten Frequenz zu trage ist, um dem Zeitverlauf des Stromes zu folgen, z. B. alle Typen der von der Fa. Hewlett-Packard angebotenen Parameter-Analyzern, über eine(e.g. f> 10 kHz) with the aid of a measuring instrument which is to be worn at the selected frequency in order to follow the time course of the current, e.g. B. all types of the parameter analyzers offered by Hewlett-Packard, via one
Zeitdauer mißt, welche groß gegen die Periodendauer T ist.Measures the length of time, which is large compared to the period T.
Das Meßinstrument wirkt in diesem Falle also integrierend.In this case, the measuring instrument has an integrating effect.
Weiterhin spielen Parametervariationen der Transistoren T. und T2 keine Rolle. Mismatch der Transistoren T3 und T4 kann jedoch zu einer geringfügigen Verfälschung des Meßergebnisses führen, was jedoch durch wiederholte Messung eines Zweigstromes mit invertiertem Signal Φi2 (bezugnehmend auf Figur 1 b) ) vollständig kompensiert werden kann. Die Kapazität berechnet sich m diesem Falle gemäßFurthermore, parameter variations of the transistors T play . and T 2 doesn't matter. Mismatch of the transistors T 3 and T 4 can, however, lead to a slight falsification of the measurement result, but this can be completely compensated for by repeated measurement of a branch current with an inverted signal Signal i2 (referring to FIG. 1 b)). The capacity is calculated in this case
Cchar = ( I rmess,3 (Φ12 nicht invertiert) | + | ϊ" mess,3 (Φ12 invertiert) I ) / [ 2 x ( V: - V2 ) x f ] (2a)Cchar = (I r mess , 3 (Φ12 not inverted) | + | ϊ " mess , 3 (Φ 12 inverted) I) / [2 x (V : - V 2 ) xf] (2a)
bzw.respectively.
Ccnar = ( I ϊ mess, . ( Φ*i2 ni cht invertiert) | + I ϊ" meΞΞ,4 (Φ12 mver- tiert) I ) / [ 2 x ( V: - V, ) x f ] (2a)Ccnar = (I ϊ mess,. (Φ * i2 not inverted) | + I ϊ " meΞΞ , 4 (Φ 12 mverted) I) / [2 x (V : - V,) xf] (2a)
Ebenso kann sich ein Mismatch in den Pegeln der Signale Φ3 und Φ ahnlich wie ein Schwellenspannungsmismatch der Transistoren T3 und T4 auswirken. Auch dieser Effekt wird durch die oben genannte Maßnahme kompensiert bzw. kann von vornherein dadurch unterbunden werden, daß die zur Ansteuerung der Gates von T3 und T4 bereitgestellten Signale On-Chip von Invertern gepuffert werden, die wiederum mit identischen Versorgungsspannungen betrieben werden.
Gemäß dem Timing-Diagramm m Figur la ist es möglich, Φ, = Φ^ zu wählen. In Figur lb ist dieser für die Praxis sehr gunsti¬ ge Spezialfall dargestellt. Die Signale Φi und Φ2 aus Figur la werden hier zu einem Signal Φi2 zusammengefaßt, das den gemeinsamen Gateanschluß der Transistoren Ti und T2 ansteu¬ ert. Die Transistoren Ti und T2 bilden dabei einen einfachen CMOS-Inverter, der zur Ansteuerung nur ein Eingangssignal benotigt, was eine vorteilhafte Vereinfachung gegenüber der Schaltung aus Figur la darstellt.Similarly, a mismatch in the levels of the signals Φ 3 and Φ can have a similar effect to a threshold voltage mismatch of the transistors T 3 and T 4 . This effect is also compensated for by the above-mentioned measure or can be prevented from the outset in that the signals provided for controlling the gates of T 3 and T 4 are buffered on-chip by inverters, which in turn are operated with identical supply voltages. Gem ä ß the timing diagram m Figure la, it is possible Φ = Φ ^ choose to w ä. Lb shows this very gunsti ¬ for practice ge special case is shown. The signals .phi..sub.i and Φ 2 of Figure la are here combined to form a signal Φ i2, the ert the common gate terminal of the transistors Ti and T 2 ansteu ¬. The transistors Ti and T 2 this case form a simple CMOS inverter only for the control an input signal is required, which represents an advantageous simplification compared to the circuit from FIG.
Die Frequenz und Dauer der entsprechenden Zeitintervalle der Taktsignale Φi, Φ2. Φ3 und Φ4, bzw. Φi2, Φ3, und Φ4 muß in dieser konkretisierten, mit realen Bauelementen ausgeführten Umsetzung so gewählt werden, daß eine Aufladung der Kapazität CCnar auf den vollen Wert von Vi bzw. eine Entladung auf den vollen Wert von V2 möglich ist und daß die jeweiligen Verschiebungsstrome wahrend der Zeitintervalle, m denen T3 bzw. T4 leitet, vollständig wieder abklingen.The frequency and duration of the corresponding time intervals of the clock signals Φi, Φ 2 . Φ 3 and Φ 4 , or Φ i2 , Φ 3 , and Φ 4 must be chosen in this concrete implementation, which is carried out with real components, so that a charge of the capacitance C C nar to the full value of Vi or a discharge the full value of V 2 is possible and that the respective displacement currents completely subside during the time intervals that T 3 or T 4 conducts.
Figur 2 zeigt eine Ausfuhrungsform der erfindungsgemäßenFigure 2 shows an embodiment of the invention
Schaltungsanordnung mit einer N x M Matrixschaltung auf Basis eines CMOS-Prozesses, m der das Prinzip gemäß Figur 1 erfin- dungsgemaß auf eine Matrixanordnung sngewendet wurde. Dabei sind Reihen von Kapazitäten in einer Dimension (12) und in der anderen Dimension (13) vorhanden. Jede "Zelle" 5 innerhalb dieser Matrix enthalt neben der zu bewertenden Kapazität CCha ,^,y, x = 1, 2, 3, ..., y = 1, 2, 3, ... Transistoren Tx,,^ und T_,>/V, deren Funktion der Funktion der Transistoren Ti und T_ in Figur 1 entspricht, ferner Transistoren T<=, ,y, T6,,,y, Tι,,,y, und T8,>,y als Steuerschaltelemente, mittels derer dieCircuit arrangement with an N x M matrix circuit based on a CMOS process, in which the principle according to FIG. 1 was applied to a matrix arrangement. There are rows of capacities in one dimension (12) and in the other dimension (13). Each "cell" within this matrix 5 containing in addition to being valued capacitance C C ha, ^, y, x = 1, 2, 3, ..., y = 1, 2, 3, ... transistors Tx, ^ and T_, > / V , whose function corresponds to the function of transistors Ti and T_ in FIG. 1, furthermore transistors T <=,, y , T 6 ,,, y , Tι ,,, y , and T 8 ,>, y as control switching elements, by means of which the
Auswahl genau einer Kapazität bzw. Zelle innerhalb der Matrix geschieht. Die Transistoren T5,y,y, T6r/,y, T7,y,y, und Te, ,y wer-
den dabei über Schaltpfade 6, 7, 8, 9, angesprochen. DieExactly one capacity or cell is selected within the matrix. The transistors T 5 , y , y , T 6r / , y , T 7, y, y , and T e ,, y which addressed via switching paths 6, 7, 8, 9. The
Funktion der Transistoren T9,Xfy und Tι0,x,y wird weiter unten besprochen.Function of the transistors T 9 , Xfy and Tι 0 , x , y is discussed below.
Die Auswahl geschieht dadurch, daß zwei Ansteuerungsmittel, die x- und y-Decoder 10, 11 an genau einem ihrer Ausgange XOUTx, x = 1 ... N, bzw. YOUTy, y = 1 ... M, ein logisches H- Signal (H) und an allen anderen Ausgangen ein logisches L- Signal (L) an die Schaltpfade 6, 8 liefern. An den Komplemen- tarausgangen XOUTx und YOUTy für die Schaltpfade 7, 9 liegen die entsprechenden logischen Komplementarsignale an.The selection is made by two control means, the x and y decoders 10, 11, on exactly one of their outputs X O UT x , x = 1 ... N, or YOUTy, y = 1 ... M, respectively supply a logic H signal (H) and a logic L signal (L) to the switching paths 6, 8 at all other outputs. The corresponding logical complementary signals are present at the complementary outputs XOUT x and YOUT y for the switching paths 7, 9.
Dadurch sind genau in der Zelle 5 mit den Koordinaten x und y mit 1 < x < N und 1 < y < M, für die XOUTx = H und YOUTy = H gilt, die Transistoren T5,x,y, T6,x,y, T7,x,y, und T8/X,y in leitendem Zustand, so daß eine Umladung der in dieser Zelle befindlichen Kapazität über die über das Signal Φi2 angesteuerten Transistoren Tι,x,y und T2,x,y möglich ist. Die Transistoren Tq, ,y, und TιcrX,y in dieser Zelle sind ferner beide in ge- sperrtem Zustand, so daß sie den Umladevorgang nicht beeinflussen. In allen anderen (nicht ausgewählten * Zellen") sperrt mindestens einer der Transistoren T5,x,y und T6,x,y, und mindestens einer der Transistoren T^,},y und T8,x,y, so daß eine Umladung der Kapazitäten innerhalb dieser Zellen über die e- weiligen Transistoren TιrX,y und Tz,x,y nicht möglich ist. Ferner ist dort mindestens einer der Transistoren T9,x,y und Tιo,>,y innerhalb dieser Zellen in leitendem Zustand, so daß über allen nicht ausgewählten Kapazitäten ein definiertes Potential (hier V - V0) liegt. In Tabelle 1 ist das Ergebnis einer Simulation einer 2 x 2 Matrix gezeigt, die Kapazitäten enthalt, deren Werte um den Mittelwert 10 fF streuen. Dabei wurde ferner V: = VDD = 3.3
V, v2 = V0 = GND-PotentialAs a result, the transistors T 5 , x , y , T 6 are exactly in the cell 5 with the coordinates x and y with 1 <x <N and 1 <y <M, for which XOUT x = H and YOUT y = H apply , x , y , T 7 , x , y , and T 8 / X , y in the conductive state, so that a recharging of the capacitance located in this cell via the transistors Tι, x , y and T 2 controlled by the signal Φ i2 , x , y is possible. The transistors Tq,, y , and Tιc rX , y in this cell are also both in the blocked state, so that they do not influence the recharging process. In all other (not selected * cells ") at least one of the transistors T 5 , x , y and T 6 , x , y , and at least one of the transistors T ^, } , y and T 8 , x , y blocks, so that it is not possible to charge the capacitors within these cells via the transistors Tι rX , y and T z , x , y , and there is at least one of the transistors T 9 , x , y and Tιo, > , y within these cells in the conductive state, so that a defined potential (here V - V 0 ) lies over all capacities which are not selected. Table 1 shows the result of a simulation of a 2 x 2 matrix which contains capacitances whose values scatter around the mean 10 fF V : = VDD = 3.3 V, v 2 = V 0 = GND potential
= 0 V, und T = 1000 ns gewählt.= 0 V, and T = 1000 ns selected.
Die Technologieparameter für die Transistoren Ti - T4 entstammen einem 3.3 V CMOS-Prozeß mit einer Oxiddicke von 9 nm und einer minimalen Kanallänge von 0.5 um. Die Kanallänge aller Transistoren wurde zu L = 1 um gewählt. Für die Weite der Transistoren T3 und T4 gilt hier W = 10 μm, alle übrigen n- MOS-Transistoren besitzen die Weite W = 1 um, alle p-MOS- Transistoren die Weite W = 2 μm.The technology parameters for the transistors Ti - T 4 originate from a 3.3 V CMOS process with an oxide thickness of 9 nm and a minimum channel length of 0.5 µm. The channel length of all transistors was chosen to be L = 1 µm. W = 10 μm applies to the width of the transistors T 3 and T 4 , all other n-MOS transistors have the width W = 1 μm, and all p-MOS transistors have the width W = 2 μm.
Tabelle 1: Simulation zu 2 x 2 Matrix gemäß Figur 2. V2 = VDD = 3.3 V, V2 = V0 = GND-Potential = 0 V, und T = 1000 ns .Table 1: Simulation of 2 x 2 matrix according to Figure 2. V 2 = VDD = 3.3 V, V 2 = V 0 = GND potential = 0 V, and T = 1000 ns.
Wie man sieht, ergibt sich hier eine exzellente Übereinstimmung zwischen den in der Simulation für Cchar,x,y angegebenen Werten und dem ermittelten Wert. Der Betrag des absoluten Be- wertungsfehlers liegt unterhalb von 0.002 fF, der Betrag des relativen Meßfehlers ist damit < 0.02 % . Bei der in der Simulation verwendeten Betriebsspannung von VDD = 3.3 V entspricht dies einem Fehler von etwa 40 Elementarladungen q (q = 1.602 10"1Q As). Es kann somit angenommen werden, daß diese
Abweichungen durch numerische Ungenauigkeiten des Simulators und nicht durch Eigenschaften der Schaltung bedingt sind.As can be seen, an excellent agreement between the results here in the simulation for C ch a r, x, y specified values and the determined value. The amount of the absolute evaluation error is below 0.002 fF, the amount of the relative measurement error is therefore <0.02%. With the operating voltage of VDD = 3.3 V used in the simulation, this corresponds to an error of approximately 40 elementary charges q (q = 1.602 10 "1Q As). It can therefore be assumed that this Deviations are due to numerical inaccuracies of the simulator and not due to the properties of the circuit.
Folgende Anmerkungen sollen die Erläuterung dieser Ausfuh- rungsform erganzen:The following comments should supplement the explanation of this embodiment:
• Sofern es zulassig ist, daß eine Elektrode der nicht ausge¬ wählten Kapazitäten "floated", können die Transistoren T9,x,y und Tιo,x,y entfallen.• If it is permissible that an electrode of the non-selected capacity ¬ "floated" to the transistors T 9, x, y and Tιo, x, y omitted.
• Die Reihenfolge der Transistoren Tl X,y, T5,x,y und T6, ,y bzw. Λ,y T7,x,y und T8,x,y kann vertauscht werden. Ferner ist es möglich, die Auswahltransistoren bzgl. einer Koordinate, d. h. entweder T5,x,y und T8,x,y oder T6,x,y und T ,x,y nicht individuell innerhalb jeder Zelle auszufuhren, sondern für gesamte Spalten (erste Dimension) oder aber für gesamte Zei- len (zweite Dimension) .• The order of the transistors T l X , y , T 5 , x , y and T 6 ,, y and Λ , y T 7 , x , y and T 8 , x , y can be interchanged. Furthermore, it is possible to execute the selection transistors with respect to one coordinate, ie either T 5 , x , y and T 8 , x , y or T 6 , x , y and T, x , y not individually within each cell, but for the whole Columns (first dimension) or for entire rows (second dimension).
Figur 3 zeigt eine weitere Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindung, m welcher gemäß den zuvor gemachten Anmerkungen eine mögliche Vertauschung der Reihenfolge der Transistoren innerhalb einer Zelle vorgenommen wurde, die Transistoren zur x-Auswahl T5, ,y und T8,.,y aus Figur 2 durch Transistoren T3, und T8,x ersetzt wurden, die nun komplette Reihen 12 einer Dimension auswählen, und m denen die Transistoren T9,,,y und Tιo,x,y fortgelassen wurden. Ferner wurde Vl = VDD = 3.3 V, und V2 = V0 = GND-Potential = 0 V gewählt.FIG. 3 shows a further embodiment of the present invention, in which, according to the comments made above, a possible reversal of the order of the transistors within a cell was carried out, the transistors for x selection T 5 ,, y and T 8 ,., Y from FIG 2 were replaced by transistors T 3, and T 8 , x , which now select complete rows 12 of one dimension, and m the transistors T 9, ,, y and Tιo, x , y have been omitted. Furthermore, Vl = VDD = 3.3 V and V 2 = V 0 = GND potential = 0 V were chosen.
Fig. 4 zeigt eine weiter vereinfachte Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindung, bei welcher der Prufzweig 2 von einer Wechselspannung 4 gespeist wird. Hier wird einfach bei jeder Zelle 5 für jede Dimension je ein Steuerschaltelement SWι,,,y (für den Y-Decoder 11) und SW X,y (für den X-Decoder 10) vorgesehen, welches m den zu der Kapazität Char,y,y fuhrenden Prufzweig integriert ist. Anstelle der einzelnen Steuerschal-
telemente, hier Transistoren, ist es auch möglich, Transfer¬ gates (n parallel p) zu verwenden, bei denen jeweils ein n- MOS und ein p-MOS Transistor dafür sorgen, daß die volle Spannung aufgebaut werden kann. Entsprechend der verwendeten Transistortechnologie werden hier wiederum die mverterten Ausgange zu Xout und Yout zur Ansteuerung mitbenotigt.FIG. 4 shows a further simplified embodiment of the present invention, in which the test branch 2 is fed by an AC voltage 4. Here, it is easy for E ach cell 5 for each dimension, a control switching element depending SWι, provided y (for the Y-decoder 11) and SW X, y (for the X-decoder 10), which m the har to the capacitance C , y , y leading test branch is integrated. Instead of the individual control sliding elements, transistors here, it is also possible to transfer gates ¬ (n parallel p) to use in each of which an n-MOS and p-MOS transistor ensure that the full voltage can be constructed. In accordance with the transistor technology used, the converted outputs to X out and Y out are also required for control.
Wie bereits zuvor diskutiert, kann Mismatch der Transistoren T3 und T4 zu einer bestimmten Verfälschung des Meßergebnisses fuhren. Parametervariationen aller anderen in Figur 2 und 3 verwendeten Transistoren sind unkritisch. Ferner kann auch hier ein Mismatch m den Pegeln der Signale Φ3 und Φ4 wie ein Schwellenspannungsmis atch der Transistoren T3 und T4 aufgefaßt werden, welches sich dann ebenfalls als geringer Meßfeh- 1er äußert.As previously discussed, mismatch of transistors T 3 and T 4 can lead to a certain falsification of the measurement result. Parameter variations of all other transistors used in Figures 2 and 3 are not critical. Furthermore, a mismatch with the levels of the signals Φ 3 and Φ 4 can also be understood here as a threshold voltage mismatch of the transistors T 3 and T 4 , which then also manifests itself as a small measurement error.
Wie auch bei der einfachen Schaltung gemäß Figur 1 können solche Fehler durch zweimalige Messung eines Zweigstromes mit nicht-invertiertem und invertiertem Signal Φι2 und Berechnung der Kapazität gemäß Gl . (2) vollständig kompensiert werden kann. Ferner können die Gatesignale von TΔ und T4 auch hier mit Invertern gepuffert werden, die zu vollkommen identischen Pegeln für beide Transistoren fuhren.As with the simple circuit according to FIG. 1, such errors can be measured twice by measuring a branch current with a non-inverted and inverted signal 2ι 2 and calculating the capacitance according to Eq. (2) can be fully compensated. Furthermore, the gate signals of T Δ and T 4 can also be buffered here with inverters which lead to completely identical levels for both transistors.
Für den Fall, daß Kapazitatsverhaltnisse (z. B. für Untersuchungen zum Kapazitatsmatchmg) bewertet werden sollen, können solche Kompensationsmaßnahmen jedoch auch für hochprazise Anforderungen häufig entfallen, wie m der folgenden Diskussion gezeigt wird.In the event that capacity ratios (e.g. for investigations into capacity matching) are to be assessed, such compensation measures can often also be omitted for highly precise requirements, as will be shown in the following discussion.
Im folgenden soll der Fall untersucht werden, daß mit Hilfe einer der erfindungsgemäßen Schaltungen zwei Kapazitäten mit
den Werten Cchar, ι = Cc a. + ^ δCchar und Cchar 2 = C^. - 1 δCChar msIn the following, the case is to be examined in which two capacitors with the aid of one of the circuits according to the invention the values C cha r, ι = C c a. + ^ δCchar and Cchar 2 = C ^. - 1 δC C har ms
Verhältnis Cchar,ι / Cchar,2 gesetzt werden sollen.Ratio C char , ι / C char , 2 should be set.
Die reale relative Abweichung der Kapazitatswerte δr betragt dann also:The real relative deviation of the capacitance values δr is then:
δr : 3 )
δr: 3)
Bei der Berechnung des Meßfehlers für das Kapazitatsverhalt- nis muß berücksichtigt werden, daß der durch Parametervariationen von T3 und T4 bedingte Meßfehler ΔCchar sich gleicher Weise auf Cchar,ι und Cchar,2 auswirkt, da das Transistorpaar T3 und T4 nur einmal in der gesamten Matrix vorhanden ist und für die Bewertung aller Kapazitäten genutzt wird. Wir erhalten also für die Abweichung Δδr, die die Differenz zwischen meßtechnisch ermitteltem und tatsächlichem Wert für δr angibt :When calculating the measurement error for the capacitance ratio, it must be taken into account that the measurement error ΔC char caused by parameter variations of T 3 and T 4 has the same effect on C cha r, ι and C cha r, 2, since the transistor pair T 3 and T 4 is only present once in the entire matrix and is used for the evaluation of all capacities. For the deviation Δδr we get the difference between the measured and actual value for δr:
Δδr
Δδr
= ö -*char= ö - * char
( 4b )(4b)
Cchar + Δ <^c arCchar + Δ < ^ c ar
Unter der (zutreffenden) Bedingung, daß der Meßfehler ΔCchar/Cchar klein gegen 1 is, kann Gl . (4) naherungsweise auch geschrieben werden als
Δδr =
woraus Δ<Sr ΔC charUnder the (applicable) condition that the measurement error ΔC char / C char is small against 1, Eq. (4) can also be written approximately as Δδr = from which Δ <Sr ΔC char
'char folgt .'char follows.
Wenn z. B. das Kapazitätsverhältnis von Kapazitäten, deren Mittelwert 10 fF beträgt, ermittelt werden soll und wir für den Maximalfehler I (ΔCchar/ ^-,. ) max I etwa 1 % annehmen, bedeutet dieses für Kapazitäten mit Abweichungen von z. B. ± 0.1 % (10.01 fF und 9.99 fF) , ± 1 % (10.1 fF und 9.9 fF) , oder ± 10 % (11 fF und 9 fF) , daß anstelle der wahren Ergebnisse die Werte ± 0.099 %, ± 0.99 %, oder ± 9.9 % ermittelt werden.If e.g. B. the capacity ratio of capacities, the mean value of which is 10 fF, is to be determined and we assume about 1% for the maximum error I (ΔC char / ^ -,.) Max I, this means for capacities with deviations from z. B. ± 0.1% (10.01 fF and 9.99 fF), ± 1% (10.1 fF and 9.9 fF), or ± 10% (11 fF and 9 fF) that instead of the true results the values ± 0.099%, ± 0.99% , or ± 9.9% can be determined.
Sofern also eine Anordnung gemäß Figur 2 oder 3 zur Bewertung von Kapazitätsverhältnissen eingesetzt wird (wobei häufig die relative Streubreite der Meßwerte σ(Cchar / Cchar), d. h. die absolute Streubreite σ(CChar) normiert auf den Mittelwert C^-,. von Interesse ist) , entspricht der Fehler dieser Streubreite genau dem Meßfehler (ΔCchar/ C^. ) .Provided that an arrangement according to FIG. 2 or 3 is used for the evaluation of capacity ratios (whereby the relative spread of the measured values σ (C char / C char ), ie the absolute spread σ (C C har) normalized to the mean value C ^ -, is of interest), the error of this spread corresponds exactly to the measurement error (ΔC char / C ^.).
Für die allermeisten Anwendungen dieser Art ist ein solcher Fehler vernachlässigbar.
Such an error is negligible for the vast majority of applications of this type.
Claims
1. Schaltungsanordnung zum Bewerten von Kapazitäten einer Matrix, die in zumindest einer Dimension eine Mehrzahl von Reihen (12, 13) mit zumindest einer Kapazität (CChar) auf¬ weist, mit1. A circuit arrangement for evaluating the capacity of a matrix, which in at least one dimension, a plurality of rows (12, 13) with at least one capacitance (C C har) on ¬ has, with
einem Prüfzweig (2), der mit ersten Elektroden jeder der zu bewertenden Kapazitäten (Cchar) verbunden ist und mit dem an die ersten Elektroden zwei verschiedene Potentiale (Ni , V2) anlegbar sind;a test branch (2) which is connected to first electrodes of each of the capacitors (Cchar) to be evaluated and with which two different potentials (Ni, V 2 ) can be applied to the first electrodes;
einem Meßzweig (3), der mit zweiten Elektroden jeder der zu bewertenden Kapazitäten (Cchar) verbunden ist und der aufweist einen ersten Meßpfad und einen zweiten Meßpfad, die an einem gemeinsamen Potential (V0) anliegen, wobei der erste Meßpfad ein Instrument (1) zur Bewertung der Kapazitäten (Cchar) aufweist und erster Meßpfad und zweiter Meßpfad mit den zweiten Elektroden verbindbar sind; gekennzeichnet durcha measuring branch (3) which is connected to second electrodes of each of the capacitances (C cha r) to be evaluated and which has a first measuring path and a second measuring path which are connected to a common potential (V 0 ), the first measuring path being an instrument (1) for evaluating the capacitances (Cchar) and the first measuring path and the second measuring path can be connected to the second electrodes; marked by
Ansteuerungsmittel, die jede der zu bewertenden Kapazitäten (Cchar) einzeln auf die zwei verschiedenen Potentiale schalten können.Control means that can switch each of the capacities to be assessed (Cchar) individually to the two different potentials.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuerungsmittel aufweisen für jede Dimension der Matrix einer Anordnung von Schaltpfaden, wobei jeder der Reihen (12, 13) mit Kapazitäten (CChar) zumindest ein Schaltpfad zugewiesen ist, der aufweist eine Ansteuerung und zumindest ein von der Ansteuerung schaltbares, in den2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the control means for each dimension of the matrix of an arrangement of switching paths, each of the rows (12, 13) with capacitances (C C har) is assigned at least one switching path, which has a control and at least one switchable by the control into which
Prüfzweig (2) integriertes Steuerschaltelement (T5, T6, T7, T8) , das zumindest eines der zwei verschiedenen Potentiale an die ersten Elektroden einer Reihe mit Kapazitäten (Ccrιar) an¬ legbar macht.Test branch (2) integrated control switching element (T 5 , T 6 , T 7 , T 8 ), which at least one of the two different potentials the first electrode makes a series of capacities (C crιa r) at ¬ can be laid.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich- net, daß die Schaltpfade zumindest einer Dimension für jede der Kapazitäten (Cchar) einer Reihe zumindest ein den zu der Kapazität (Cchar) fuhrenden Teil des Prufzweigs (2) integriertes Steuerschaltelement (T5, T6, T , T8) aufweisen.3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the switching paths of at least one dimension for each of the capacitances (C char ) of a row have at least one control switching element (T 5 ) that leads to the capacitance (C char ) part of the test branch (2) , T 6 , T, T 8 ).
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltpfade zumindest einer Dimension für jede der Reihen von Kapazitäten (Cchar) zumindest ein in den zu der Reihe fuhrenden Teil des Prufzweigs (2) integriertes Steuerschaltelement (T5, T8) aufweisen.4. Circuit arrangement according to claim 2 or 3, characterized in that the switching paths at least one dimension for each of the rows of capacitances (C cha r) at least one in the leading to the row part of the test branch (2) integrated control switching element (T 5 , T 8 ) have.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuerungsmittel einen Adressdecoder (10, 11) mit einem individuell ansteuerbaren Ausgang (XOUT, YOUT) für jede der Reihen (12, 13) von Kapazitäten und die Ansteuerungen eine Signalleitung (6, 7, 8, 9) zwischen jedem Ausgang (XOUT, YOUT) und dem Steuerschaltelement aufweisen.5. Circuit arrangement according to one of claims 2 to 4, characterized in that the control means an address decoder (10, 11) with an individually controllable output (XOUT, YOUT) for each of the rows (12, 13) of capacitances and the controls a signal line (6, 7, 8, 9) between each output (XOUT, YOUT) and the control switching element.
6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß am Prufzweig (2) eine Wechselspannung anliegt.6. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that an AC voltage is present on the test branch (2).
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Wechselspannung eine Rechteckspannung ist.7. Circuit arrangement according to claim 6, characterized in that the AC voltage is a square wave voltage.
8. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Prufzweig (2) für ede der Kapazitäten (Ccnar) einen ersten Prufpfad mit einem ersten Schaltelement (T und einen zweiten Prufpfad mit einem zweiten Schaltelement (T2) aufweist, wobei am ersten Prufpfad em erstes Potential (Vi) und am zweiten Prufpfad e zweites8. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 7, characterized in that the test branch (2) for each of the capacitances (C cnar ) a first test path with a first Switching element (T and a second test path with a second switching element (T 2 ), wherein on the first test path em first potential (Vi) and on the second test path e second
Potential (V2) anliegen und beide Prufpfade über einen Knoten mit der ersten Elektrode verbunden sind.Potential (V 2 ) is present and both test paths are connected to the first electrode via a node.
9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltpfade zumindest einer Dimension für jede der Kapazitäten (Ccr,ar) einer Reihe (12, 13) em in den ersten Prufpfad integriertes Steuerschaltelement (T5, T6) und em m den zweiten Prufpfad integriertes Steuerschaltelement (T7, T8) aufweisen.9. Circuit arrangement according to claim 8, characterized in that the switching paths at least one dimension for each of the capacitances (C cr , ar) of a row (12, 13) em integrated in the first test path control switching element (T 5 , T 6 ) and em m have the second test path integrated control switching element (T 7 , T 8 ).
10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gek- ennzeichnet, daß die Schaltpfade zumindest einer Dimension für jede Reihe von Kapazitäten (Ccnar) em m den ersten Prufpfad integriertes Steuerschaltelement (T6)und em m den zweiten Prufpfad integriertes Steuerschaltelement (T- aufweisen.10. Circuit arrangement according to claim 8 or 9, characterized in that the switching paths of at least one dimension for each row of capacitances (C cnar ) em m the first test path integrated control switching element (T 6 ) and em m the second test path integrated control switching element (T - exhibit.
11. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung des ersten Meßpfads über em drittes Schaltelement (T3) und die Verbindung des zweiten Meßpfads über em viertes Schaltelement (T4) er- folgt.11. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 10, characterized in that the connection of the first measuring path via em third switching element (T 3 ) and the connection of the second measuring path via em fourth switching element (T 4 ) takes place.
12. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eines der Schaltelemente oder/und Steuerschaltelemente em Transistor ist.12. Circuit arrangement according to one of claims 2 to 11, characterized in that at least one of the switching elements and / or control switching elements is em transistor.
13. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Instrument (1) zur Bewertung em Strommeßgerat ist. 13. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 12, characterized in that the instrument (1) for evaluating em current measuring device.
14. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Meßpfad em zweites Instrument für eine weitere, von der Bewertung unabhängige zweite Bewertung der Kapazität (Cchar) aufweist.14. S chaltungsanordnung according to any one of claims 1 to 13, characterized in that the second measurement path has em second instrument for a further, independent of the second evaluation rating of the capacitance (C cha r).
15. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ansteuerung der Schaltelemente Taktsignale vorgesehen sind, die direkt und/oder mdi- rekt in die Schaltelemente gefuhrt werden.15. Circuit arrangement according to one of claims 8 to 14, characterized in that clock signals are provided for controlling the switching elements, which are directly and / or directly led into the switching elements.
16. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß am ersten Schaltelement (Ti) und am zweiten Schaltelement (T2) eine gemeinsames Taktwechsel- Spannung anliegt und das erste und zweite Schaltelement so ausgebildet sind, daß sie von der Taktwechselspannung alternierend geschaltet werden oder geschaltet werden können.16. Circuit arrangement according to one of claims 8 to 15, characterized in that on the first switching element (Ti) and on the second switching element (T 2 ) there is a common alternating clock voltage and the first and second switching elements are designed so that they are of the alternating clock voltage switched alternately or can be switched.
17. Schaltungsanordnung nach Anspruch 16, dadurch gekenn- zeichnet, daß erstes und zweites Schaltelement einen p-MOS und einen n-MOS Transistor aufweisen, die von der Taktwechselspannung alternierend geschaltet werden oder geschaltet werden können.17. Circuit arrangement according to claim 16, characterized in that the first and second switching elements have a p-MOS and an n-MOS transistor, which can be switched or switched alternately by the clock AC voltage.
18. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß sie weiterhin aufweist em Mittel zur Erzeugung der an den Schaltelemente anliegenden Taktsignale und gegebenenfalls einer verwendeten Taktwechselspannung aus einem Mastertaktsignal .18. Circuit arrangement according to one of claims 15 to 17, characterized in that it further comprises em means for generating the clock signals applied to the switching elements and optionally a clock AC voltage used from a master clock signal.
19. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß das gemeinsame Potential gleich dem ersten oder dem zweiten Potential ist. 19. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 18, characterized in that the common potential is equal to the first or the second potential.
20. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß das erste oder das zweite Potential eine Betriebspannung ist und das zweite oder das erste Potential die Masse ist.20. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 19, characterized in that the first or the second potential is an operating voltage and the second or the first potential is the ground.
21. Verfahren zum Bewerten von Kapazitäten, insbesondere unter Verwendung einer Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 20, mit folgenden Schritten:21. A method for evaluating capacities, in particular using a circuit arrangement according to one of claims 1 to 20, with the following steps:
-Aktivieren zumindest einer bestimmten, zu bewertenden Kapazität (CChar) einer Matrix, die in zumindest einer Dimension eine Mehrzahl von Reihen (12, 13) mit zumindest einer Kapazität (CChar) aufweist,-Activate at least a certain, to be evaluated capacitance (C C ha r) a matrix in at least one dimension a plurality of rows (12, 13) comprises at least one capacitance (C C Har),
-Laden und Entladen der zu bewertenden, aktivierten Kapazität (CCar) durch alternierendes Anlegen eines ersten und eines zweiten, vom ersten unterschiedlichen Potentials an eine erste Elektrode der Kapazität (CChar) über einen Prüfzweig (2) und Anlegen eines gemeinsamen Potentials an eine zweite Elektrode der Kapazität (CChar) über einen Meßzweig (3) ;Charging and discharging the activated capacitance to be evaluated (C C ar) by alternately applying a first and a second, different from the first potential to a first electrode of the capacitance (C C har) via a test branch (2) and applying a common potential to a second electrode of the capacitance (C C har) via a measuring branch (3);
-Zumindest ein Bewerten der Kapazität (Ccnar) während des Ladens oder des Entladens der Kapazität (CChar) in dem Meßz- weig (3) .- At least one evaluation of the capacity (C cn ar) during the loading or unloading of the capacity (C C ha r ) in the measuring branch (3).
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivieren dadurch erfolgt, daß der zu einer bestimmten Kapazität (CChar) führende Teil des Prüfzweigs (2) eingeschal- tet wird.22. The method according to claim 21, characterized in that the activation takes place in that the part of the test branch (2) leading to a specific capacitance (C C har) is switched on.
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Einschalten des bestimmten Teils des Prüfzweigs (2) durch in diesen Teil des Prufzweigs (2) integrierte Steuerschal¬ telemente (T5, T6, T7, T8) erfolgt, wobei für jede der Dimen¬ sionen zumindest em Steuerschaltelement vorgesehen ist.23. The method according to claim 22, characterized in that the switching on of the specific part of the test branch (2) by takes place in this part of the integrated control Prufzweigs scarf (2) ¬ sliding members (T 5, T 6, T 7, T 8), wherein for each of the dimen sions ¬ at least em control switching element is provided.
24. Verfahren nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß das Einschalten des bestimmten Teils des Prufzweigs durch m den Prufzweig integrierte Steuerschaltelemente er¬ folgt, wobei für zumindest eine der Dimensionen zumindest e Steuerschaltelement (T6, T7) m diesen bestimmten Teil des Prufzweigs integriert ist und für zumindest eine der Dimensionen zumindest em Steuerschaltelement (T5, T8) m einen Teil des Prufzweigs integriert ist, der zu einer Reihe von Kapazitäten (Ccnar) fuhrt und zu dem auch der bestimmte Teil gehört .24. The method according to claim 22 or 23, characterized in that the switching on of the specific part of the test branch by m the test branch integrated control switching elements he ¬ follows, with at least one of the dimensions at least e control switching element (T 6 , T 7 ) m this specific part of the test branch is integrated and for at least one of the dimensions at least em control switching element (T 5 , T 8 ) m part of the test branch is integrated, which leads to a number of capacitances (C cna r) and to which the specific part also belongs.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Bewerten der Kapazität (Cchar) durch ein Instrument (1) erfolgt, welches in einen ersten Meßpfad des Meßzweigs (3) integriert ist.25. The method according to any one of claims 21 to 24, characterized in that the capacitance (C char ) is assessed by an instrument (1) which is integrated in a first measuring path of the measuring branch (3).
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß das Bewerten mittels Messen eines Strom- fluss tegrals durch den ersten Meßpfad des Meßzweigs (3) wahrend des Ladens oder des Entladens der Kapazität (C.har) erfolgt.26. The method according to any one of claims 21 to 25, characterized in that the evaluation is carried out by measuring a current flow tegrals through the first measuring path of the measuring branch (3) during charging or discharging of the capacitance (C. har ).
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß im Falle der Bewertung der Kapazität (CCa ) wahrend des Ladens die zumindest eine Bewertung nicht wahrend des Entladens erfolgt und daß im Falle der Bewertung der Kapazität (Cchar) wahrend des Entladens die zumindest eine Bewertung nicht wahrend des Ladens erfolgt. 27. The method according to any one of claims 21 to 26, characterized in that in the case of the evaluation of the capacity (C C a) during the loading, the at least one evaluation is not carried out during the discharge and that in the case of the evaluation of the capacity (C cha r ) during unloading the at least one evaluation is not made during loading.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß das gemeinsame Potential über einen zweiten Meßpfad des Meßzweigs (3) an die zweite Elektrode angelegt wird, wahrend die zumindest eine Bewertung nicht er- folgt.28. The method according to any one of claims 21 to 27, characterized in that the common potential is applied to the second electrode via a second measuring path of the measuring branch (3), while the at least one evaluation is not carried out.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß das Bewerten der Kapazität (Cchar) so erfolgt, daß der gesamte Ladevorgang oder der gesamte Entlade- Vorgang erfasst wird.29. The method according to any one of claims 21 to 28, characterized in that the evaluation of the capacity (C cha r) is carried out so that the entire charging process or the entire discharging process is detected.
30 Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß es den weiteren Schritt aufweist:30 Method according to one of claims 21 to 29, characterized in that it has the further step:
-Zweites Bewerten der Kapazität (Cchar) während des Vorgangs des Entladens oder Ladens, bei dem das zumindest eine Bewerten nicht durchgeführt wird.Second evaluation of the capacity (C char ) during the process of unloading or charging, in which the at least one evaluation is not carried out.
31. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Bewerten der Kapazität (CChcr) durch em zweites31. The method according to claim 30, characterized in that the second evaluation of the capacity (C C hcr) by em second
Meßinstrument erfolgt, welches in einen/den zweiten Meßpfad des Meßzweigs (3) integriert ist.Measuring instrument is carried out, which is integrated in / the second measuring path of the measuring branch (3).
32. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß das alternierende Anlegen des ersten und zweiten Potentials durch Anlegen einer Wechselspannung an den Prufzweig (2) erfolgt32. The method according to any one of claims 21 to 31, characterized in that the alternating application of the first and second potential is carried out by applying an alternating voltage to the test branch (2)
33. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 32, dadurch gekennzeichnet, daß das alternierende Anlegen des ersten und zweiten Potentials durch alternierendes Aufschalten eines ersten Prufpfads mit einem ersten Potential und eines zweiten Prufpfads mit einem zweiten Potential auf die erste Elektrode erfolgt.33. The method according to any one of claims 21 to 32, characterized in that the alternating application of the first and second potential by alternately connecting a first test path with a first potential and a second Test path with a second potential on the first electrode.
34. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufschalten mittels m die Prufpfade integrierter Schaltelemente erfolgt.34. The method according to claim 33, characterized in that the connection is carried out by means of m the test paths of integrated switching elements.
35. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 34, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Meßpfad und der zweite Meßpfad alternierend auf die zweite Elektrode aufgeschaltet werden.35. The method according to any one of claims 21 to 34, characterized in that the first measuring path and the second measuring path are alternately applied to the second electrode.
36. Verfahren nach Anspruch 35, dadurch gekennnzeichnet, daß das Aufschalten mittels in die Meßpfade integrierter Schaltelemente erfolgt.36. The method according to claim 35, characterized in that the connection takes place by means of switching elements integrated in the measuring paths.
37 Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 36, dadurch gekennzeichnet, daß es die weiteren Schritte aufweist:37 Method according to one of claims 21 to 36, characterized in that it has the further steps:
-Vertauschen der zeitlichen Korrelation zwischen dem Anlegen des ersten und zweiten Potentials und dem zumindest einen Bewerten wahrend des Laden oder des Entladens;Interchanging the temporal correlation between the application of the first and second potential and the at least one evaluation during charging or discharging;
-Erneutes Bewerten der Kapazität (Cchar) m dem Meßzweig; und-Reassess the capacitance (C cha r) m the measuring branch; and
-Genaueres Bestimmen der Kapazität (Cchar) aus den beiden Bewertungen. -Determine the capacity (C ch a r ) more precisely from the two evaluations.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10010888 | 2000-03-06 | ||
DE10010888A DE10010888B4 (en) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | Circuit arrangement and method for evaluating capacities in matrices |
PCT/DE2001/000626 WO2001067119A1 (en) | 2000-03-06 | 2001-02-16 | Circuit and method for evaluating capacitors in matrices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP1264190A1 true EP1264190A1 (en) | 2002-12-11 |
Family
ID=7633706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP01913677A Withdrawn EP1264190A1 (en) | 2000-03-06 | 2001-02-16 | Circuit and method for evaluating capacitors in matrices |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6870373B2 (en) |
EP (1) | EP1264190A1 (en) |
KR (1) | KR20030009381A (en) |
DE (1) | DE10010888B4 (en) |
WO (1) | WO2001067119A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5342443A (en) * | 1993-04-06 | 1994-08-30 | Engelhard Corporation | Method for bleaching kaolin clay |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10325863A1 (en) * | 2003-06-06 | 2005-01-05 | Infineon Technologies Ag | A method of manufacturing an integrated fingerprint sensor and sensor circuitry and injection assembly |
CN100396055C (en) * | 2005-02-04 | 2008-06-18 | 华为技术有限公司 | Multicasting source filtering treatment method |
DE102005028507B3 (en) * | 2005-06-17 | 2006-11-30 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Method for capacitance-voltage conversion and capacitance-voltage converter |
US8736000B1 (en) * | 2006-10-19 | 2014-05-27 | Sandia Corporation | Capacitive chemical sensor |
DE102007025947B4 (en) * | 2007-06-04 | 2009-02-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Integrated capacitive sensor |
WO2009047703A1 (en) | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Nxp B.V. | A sensor, a sensor array, and a method of operating a sensor |
EP2490221A1 (en) | 2011-02-17 | 2012-08-22 | Nanya Technology Corporation | Memory cell and memory array utilizing the memory cell |
US9793220B2 (en) | 2012-03-16 | 2017-10-17 | Intel Deutschland Gmbh | Detection of environmental conditions in a semiconductor chip |
DE102013102557B4 (en) * | 2012-03-16 | 2014-07-10 | Intel Mobile Communications GmbH | Detection of environmental conditions in a semiconductor chip |
CN103376375B (en) * | 2012-04-27 | 2015-10-28 | 上海三菱电梯有限公司 | Capacitor set internal connection mode identification and parameter setting method |
CN105224153A (en) * | 2015-08-31 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | The electric property pick-up unit of touch control electrode and detection method |
CN110383089B (en) * | 2018-02-12 | 2021-11-05 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | Matrix capacitor plate and chip testing method |
US11062763B2 (en) * | 2019-04-09 | 2021-07-13 | Micron Technology, Inc. | Memory array with multiplexed digit lines |
JP7294036B2 (en) * | 2019-09-30 | 2023-06-20 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor testing apparatus, semiconductor device testing method, and semiconductor device manufacturing method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2529475C3 (en) * | 1975-07-02 | 1981-10-08 | Ewald Max Christian Dipl.-Phys. 6000 Frankfurt Hennig | Electrical circuit arrangement for time-dependent measurement of physical quantities |
US4783796A (en) * | 1982-09-28 | 1988-11-08 | Opcom | PBX telephone call control system |
US4728932A (en) * | 1986-07-25 | 1988-03-01 | Honeywell Inc. | Detector for capacitive sensing devices |
DE4237196C1 (en) * | 1992-11-04 | 1994-02-10 | Vega Grieshaber Gmbh & Co | Method and arrangement for measuring at least one capacitance |
US6011859A (en) * | 1997-07-02 | 2000-01-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Solid state fingerprint sensor packaging apparatus and method |
DE19833210C2 (en) * | 1998-07-23 | 2000-06-21 | Siemens Ag | Amplifier circuit for measuring capacitance |
-
2000
- 2000-03-06 DE DE10010888A patent/DE10010888B4/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-16 KR KR1020027011686A patent/KR20030009381A/en not_active Application Discontinuation
- 2001-02-16 EP EP01913677A patent/EP1264190A1/en not_active Withdrawn
- 2001-02-16 WO PCT/DE2001/000626 patent/WO2001067119A1/en not_active Application Discontinuation
-
2002
- 2002-09-06 US US10/236,889 patent/US6870373B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
See references of WO0167119A1 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5342443A (en) * | 1993-04-06 | 1994-08-30 | Engelhard Corporation | Method for bleaching kaolin clay |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001067119A1 (en) | 2001-09-13 |
KR20030009381A (en) | 2003-01-29 |
US20030062905A1 (en) | 2003-04-03 |
US6870373B2 (en) | 2005-03-22 |
DE10010888B4 (en) | 2004-02-12 |
DE10010888A1 (en) | 2001-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112010002926B4 (en) | Electrometer with wide dynamic range and fast response | |
DE10010888B4 (en) | Circuit arrangement and method for evaluating capacities in matrices | |
DE3886244T2 (en) | Capacitance measurement circuit. | |
DE69733789T2 (en) | High resolution power supply test system | |
DE10119080B4 (en) | Method and switching arrangement for resistance measurement | |
EP1636599B1 (en) | Potentiostatic circuit arrangement on a biosensor for digitisation of the measured current | |
DE69016947T2 (en) | Test system integrated on a substrate and method for using this test system. | |
DE102014103445A1 (en) | Device and method for determining the sensitivity of a capacitive sensor device | |
EP0908736B1 (en) | Circuit for determining the capacity or the capacity change of a capacitive circuit or module | |
DE19857689B4 (en) | Current measuring circuit for an IC test device | |
EP1116957B1 (en) | Capacity measurement of structures in integrated circuits | |
DE69422856T2 (en) | Circuit arrangement and method for determining the current through a sensor | |
DE19744152A9 (en) | Circuit arrangement for detecting the capacitance or a change in capacitance of a capacitive circuit or component | |
EP0431686B1 (en) | Arrangement for reading photo or X-ray detectors | |
DE10204652A1 (en) | Circuit arrangement, electrochemical sensor, sensor arrangement and method for processing a current signal provided via a sensor electrode | |
DE10156026B4 (en) | Comparator circuit and method for determining a time interval | |
DE69813948T2 (en) | Method of compensating for interference in a capacitive circuit and application in matrix display devices | |
DE10010946C2 (en) | Circuitry and method for evaluating capacities | |
DE69514668T2 (en) | CAPACITIVE MEASURING ARRANGEMENT WITH A MOS FET | |
DE10143034B4 (en) | Device for measuring interference capacities on an integrated circuit | |
DE10126298A1 (en) | Method and device for measuring the phase shift between a periodic signal and an output signal at an output of an electronic component | |
DE69227231T2 (en) | Method and device for detecting a pre-specified subcircuit in an electrical circuit, method for creating masks for integrated circuits using the method | |
WO2001014895A1 (en) | Circuit and method for evaluating capacitances | |
WO2015051824A1 (en) | Method for the temporal calibration of a switched capacitor array | |
DE102007009549B4 (en) | Device and method for measuring the current consumption and the capacitance of a semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
17P | Request for examination filed |
Effective date: 20020805 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR |
|
GRAP | Despatch of communication of intention to grant a patent |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: 8566 |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN |
|
18D | Application deemed to be withdrawn |
Effective date: 20040430 |