EP1000434A1 - Method for obtaining self-aligned openings, in particular for microtip flat display focusing electrode - Google Patents

Method for obtaining self-aligned openings, in particular for microtip flat display focusing electrode

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EP1000434A1
EP1000434A1 EP99922224A EP99922224A EP1000434A1 EP 1000434 A1 EP1000434 A1 EP 1000434A1 EP 99922224 A EP99922224 A EP 99922224A EP 99922224 A EP99922224 A EP 99922224A EP 1000434 A1 EP1000434 A1 EP 1000434A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
opening
openings
resin
insulating layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP99922224A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Aimé Perrin
Brigitte Montmayeul
Régis BLANC
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of EP1000434A1 publication Critical patent/EP1000434A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels

Definitions

  • the present invention relates to a process for producing by photolithography at least one
  • group of openings precisely positioned between them on a structure, the group of openings comprising a first opening or first openings made in a first layer of material and a second opening made in a
  • FR-A-2 623 013 disclose display devices by cathodoluminescence excited by field emission. These devices include an electron source with microtip emissive cathodes.
  • FIG. 1 is a diagrammatic representation of FIG. 1 .
  • the screen consists of a cathode 1, which is a planar structure,
  • the cathode 1 comprises a glass substrate 11 on which is deposited the conductive level 12 in contact with the electron emitting tips 13.
  • the conductive level 12 is covered with an insulating layer 14, for example made of silica, itself covered of a conductive layer 15. Holes 18, of approximately 1.3 ⁇ m in diameter, were made through layers 14 and 15 up to the conductive level 12 to deposit the tips 13 on this conductive level.
  • the conductive layer 15 serves as an extraction grid for the electrons which will be emitted by the tips 13.
  • the anode 2 comprises a transparent substrate 21 covered with a transparent electrode 22 on which are deposited luminescent phosphors or phosphors 23.
  • the anode 2 is brought to a positive voltage of several hundred volts with respect to the tips 13 (typically 200 to 500 V).
  • a positive voltage of a few tens of volts (typically 60 to 100 V) is applied relative to the tips 13.
  • Electrons are then torn off from the tips 13 and are attracted by the anode 2.
  • the trajectories electrons are included in a cone with a half-angle at the apex ⁇ depending on different parameters, among others the shape of the tips 13. This angle causes a defocusing of the electron beam 31 all the more important as the distance between anode and the cathode is large.
  • One of the ways to increase the efficiency of phosphors, and therefore the brightness of screens, is to work with higher anode-cathode voltages (between 1,000 and 10,000 V), which means that the l anode and the cathode in order to avoid the formation of an electric arc between these two electrodes.
  • FIG. 2 illustrates the case where the focusing grid is placed on the cathode.
  • Figure 2 shows the example of Figure 1 but limited to a single microtip for clarity in the drawing.
  • An insulating layer 16 has been deposited on the extraction grid 15 and supports a metal layer 17 serving as a focusing grid. Holes 19, of adequate diameter (typically between 8 and 10 ⁇ m) and concentric with the holes 18, have been etched in the layers 16 and 17.
  • the insulating layer 16 serves to electrically isolate the extraction grid 15 and the focusing grid 17.
  • the focusing grid is polarized with respect to the cathode so as to give the electron beam 32 the shape shown in FIG. 2.
  • Simulation calculations show that the centering of the holes 19 of the focusing grid with respect to the holes 18 of the extraction grid is extremely critical.
  • This structure is generally produced with the conventional photolithography techniques used in microelectronics. For example, with a first level of photolithography, the holes 19 of the focusing grid are defined, then a second level of photolithography makes it possible to produce the holes 18 in which the points will be placed. For proper operation, the second level must be positioned extremely precisely by compared to the first level. This can only be achieved with very efficient and therefore very expensive equipment, which will be all the more disadvantageous when dealing with large areas.
  • the invention makes it possible to remedy the problem of precision of alignment of holes situated at different levels. This is obtained thanks to a process which requires only a single photolithography step and therefore a single mask grouping together two types of patterns: those intended for holes of lower level and of smaller diameter and those intended for holes of higher level. and of larger diameter. The accuracy of the relative positioning of the holes is therefore that of the mask design
  • the subject of the invention is therefore a method of producing by photolithography at least one group of openings positioned precisely between them on a structure, the group of openings comprising a first opening or first openings made in a first layer of material and a second opening made in a second layer of material which covers the first layer of material, the first opening or the first openings being located inside the second opening, characterized in that it comprises: the deposition on a free face of the first layer of material of a layer of photosensitive resin of determined thickness,
  • Said group of openings may include a first opening which is a circular hole centered in the second opening which is also a circular hole. It can also include first openings which are circular holes arranged on the main axis of the second opening which is a slot.
  • a method of manufacturing such a source comprises:
  • cathode connection means cathode connection means, a first layer electrically insulating layer of thickness adapted to the height of future microtips, a first conductive layer intended to form the extraction grid, a second electrically insulating layer of thickness corresponding to the distance which must separate the extraction grid from the focusing grid , and a layer of photosensitive resin of determined thickness,
  • this lateral engraving can intersect adjacent and sufficiently close holes
  • the cathode connection means can be obtained by depositing cathode conductors on the support, followed by depositing a resistive layer.
  • the etching step of the first insulating layer and the lateral etching step of the second insulating layer are carried out simultaneously and carried out by isotropic etching.
  • the step of removing the remaining resin can be carried out by the so-called "lift-off" technique.
  • FIG. 1, already described, is illustrative of a flat screen with microtips according to the known art
  • FIG. 2 already described, is illustrative of a screen with microtips and a focus grid according to the prior art
  • FIG. 3 represents, seen from above, a photolithography mask used for the implementation of the method according to the present invention
  • FIGS. 4 to 6 illustrate the method according to the present invention for which the mask of FIG. 3 is used
  • FIG. 7A to 7F illustrate different stages of the manufacture of a microtip electron source for flat display screen, according to the method of the present invention.
  • FIG. 3 represents, seen from above, a mask 3 usable in the implementation of the method according to the present invention. It comprises four identical patterns delimited by an inner circle 4 and an outer circle 5, the circles 4 and 5 being concentric. The space 6 between the circles 4 and 5 is dark while the rest of the mask 3 is clear.
  • FIG. 4 shows, which is a perspective view in transverse section of a substrate 40 covered with a layer 41 of a first material, this layer 41 supporting islands 42 of resin whose shape corresponds to a space 6 of the mask.
  • the islands 42 have a thickness e corresponding to the resin layer deposited on the layer 41. If the diameter of the holes 43 which are central to the islands is d, the distance D separating two successive islands of resin will be chosen greater than 2d.
  • FIG. 6 which is a perspective view in cross section, also shows the structure obtained after removing the resin islands. Holes 46 are thus obtained in a layer 41, perfectly centered with holes 47 of greater diameter and produced in a layer 44 deposited on layer 41.
  • This microtip electron source is designed to have a focusing grid, the openings of which are slots, each slot covering several openings of the extraction grid. The method will be described with reference to FIGS. 7A to 7F which are views in transverse sections, FIG. 7F also being a perspective view.
  • a support 50 constituted by a glass slide, a metal layer is deposited (see FIG.
  • cathode conductors 51 which is etched to form cathode conductors 51 parallel to each other. These cathode conductors 51 will serve, for example, as columns for a matrix display.
  • a resistive layer 52 is then deposited uniformly. On this resistive layer 52, a first insulating layer 53 is successively deposited, a conductive layer 54 intended to constitute the grid for extracting the microtip electron source, and a second insulating layer 55.
  • the thicknesses of the insulating layers 53 and 55 are chosen as a function of the height provided for the microtips and of the distance which must separate the extraction grid from the focusing grid.
  • a layer of photosensitive resin is then uniformly deposited on the second insulating layer 55.
  • the layer of photosensitive resin is exposed through a mask, the pattern of which is shown in dark, if the photosensitive resin is a positive resin, the space separating the contour of each focus grid opening (in the form of a slit in the case present) of the outline of the extraction grid openings corresponding to this grid opening.
  • the photosensitive resin is a positive resin, the space separating the contour of each focus grid opening (in the form of a slit in the case present) of the outline of the extraction grid openings corresponding to this grid opening.
  • the conductive material from which the focusing grid will be formed is then deposited by vacuum evaporation (see FIG. 7B). This evaporation is carried out with an angle of incidence such that it only deposits the conductive material at the bottom openings 57.
  • a conductive layer 58 is therefore obtained on the second insulating layer 55 and a conductive layer 59 on the resin islands 56 with the exception of the bottom of the openings 57.
  • the conductive layer 58 will constitute the focusing grid.
  • the second insulating layer 55 is then etched anisotropically from the bottom of the openings 57 to obtain holes 60 in this layer, in extension of the openings 57, until reaching the conductive layer 54 (see FIG. 7C).
  • the conductive layer 54 is etched in turn to obtain openings 61 (openings of the extraction grid), in extension of the openings 57 and the holes 60, until reaching the first insulating layer 53.
  • the first insulating layer 53 is then etched from the openings 57, the holes 60 and the openings 61.
  • anisotropic etching a cavity 62 is obtained by opening 61 of the extraction grid.
  • This cavity 62 is based on the resistive layer 52 which is not etched (see FIG. 7D).
  • the second insulating layer 55 can be attacked laterally from the walls of the holes 60 (see FIG. 7C) to obtain enlarged holes 63. This is in particular possible if the two insulating layers are formed from the same material.
  • the etching is carried out until secant holes 63 are obtained.
  • FIG. 7E represents the structure obtained after dissolution of the resin islands and of the conductive layer which covered them. There remains, on the surface of the second insulating layer 55, the focusing grid 58 provided with openings or slots 64.
  • FIG. 7F makes it possible to see several microtips 65, each being centered in its corresponding opening 61 of the extraction grid, the axes of the openings 61 of the same slot 64 being strictly aligned on the main axis of the slot.

Abstract

The invention concerns a method for producing a group of openings mutually positioned with accuracy on a structure and comprising, for example, a first opening produced in a first layer and a second opening produced in a second layer covering the first layer, the first opening being located inside the second opening. The method consists in: depositing on the first layer (41) a light-sensitive resin layer; etching said resin by photolithography, using a single mask, to leave on the first layer (41) a resin island (42) per group of openings, the resin island outer limit corresponding to the second opening, the resin island comprising an opening (43) corresponding to the first opening; vacuum depositing, on the first layer (41) and the remaining resin, a material (44) designed to constitute the second layer, said deposit being produced under a projection such that the first layer part (45) located at the resin island (42) opening (43) bottom is not covered by said deposit; etching the first layer (41) starting from the island (42) opening (43) to obtain the first opening (46) in the first layer; eliminating the remaining resin and the material covering it to obtain the second opening in the second layer.

Description

METHODE D'OBTENTION D'OUVERTURES AUTO-ALIGNEES, EN PARTICULIER POUR ELECTRODE DE FOCALISATION POURECRAN PLAT A METHOD FOR OBTAINING SELF-ALIGNED OPENINGS, PARTICULARLY FOR A FOCUSING ELECTRODE FOR A FLAT SCREEN
MICROPOINTESMICROPOINTS
Domaine techniqueTechnical area
La présente invention concerne un procédé de réalisation par photolithographie d'au moins unThe present invention relates to a process for producing by photolithography at least one
10 groupe d'ouvertures positionnées entre elles de manière précise sur une structure, le groupe d'ouvertures comprenant une première ouverture ou des premières ouvertures réalisée (s) dans une première couche de matériau et une deuxième ouverture réalisée dans une10 group of openings precisely positioned between them on a structure, the group of openings comprising a first opening or first openings made in a first layer of material and a second opening made in a
15 deuxième couche de matériau qui recouvre la première couche de matériau, la première ouverture ou les premières ouvertures étant située (s) à l'intérieur de la deuxième ouverture. Elle concerne en particulier la réalisation d'une grille de focalisation auto-alignée15 second layer of material which covers the first layer of material, the first opening or the first openings being located inside the second opening. It relates in particular to the production of a self-aligned focusing grid
20 pour écran plat à micropointes.20 for flat screen with microtips.
Etat de la techniqueState of the art
Les documents FR-A-2 593 953 etDocuments FR-A-2 593 953 and
25 FR-A-2 623 013 divulguent des dispositifs de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ. Ces dispositifs comprennent une source d'électrons à cathodes émissives à micropointes.FR-A-2 623 013 disclose display devices by cathodoluminescence excited by field emission. These devices include an electron source with microtip emissive cathodes.
A titre d'illustration, la figure 1 est uneBy way of illustration, FIG. 1 is a
30 vue en coupe transversale d'un tel écran de visualisation à micropointes. Par souci de simplification, seulement quelques micropointes alignées ont été représentées. L'écran est constitué par une cathode 1, qui est une structure plane,30 cross-sectional view of such a microtip display screen. For simplicity, only a few aligned microtips have been shown. The screen consists of a cathode 1, which is a planar structure,
35 disposée en regard d'une autre structure plane formant l'anode 2. La cathode 1 et l'anode 2 sont séparées par un espace dans lequel on a fait le vide. La cathode 1 comprend un substrat de verre 11 sur lequel est déposé le niveau conducteur 12 en contact avec les pointes émettrices d'électrons 13. Le niveau conducteur 12 est recouvert d'une couche isolante 14, par exemple en silice, elle-même recouverte d'une couche conductrice 15. Des trous 18, d'environ 1,3 μm de diamètre, ont été réalisés au travers des couches 14 et 15 jusqu'au niveau conducteur 12 pour déposer les pointes 13 sur ce niveau conducteur. La couche conductrice 15 sert de grille d'extraction pour les électrons qui seront émis par les pointes 13. L'anode 2 comprend un substrat transparent 21 recouvert d'une électrode transparente 22 sur laquelle sont déposés des phosphores luminescents ou luminophores 23.35 arranged opposite another planar structure forming anode 2. Cathode 1 and anode 2 are separated by a space in which a vacuum has been created. The cathode 1 comprises a glass substrate 11 on which is deposited the conductive level 12 in contact with the electron emitting tips 13. The conductive level 12 is covered with an insulating layer 14, for example made of silica, itself covered of a conductive layer 15. Holes 18, of approximately 1.3 μm in diameter, were made through layers 14 and 15 up to the conductive level 12 to deposit the tips 13 on this conductive level. The conductive layer 15 serves as an extraction grid for the electrons which will be emitted by the tips 13. The anode 2 comprises a transparent substrate 21 covered with a transparent electrode 22 on which are deposited luminescent phosphors or phosphors 23.
Le fonctionnement de cet écran va maintenant être décrit. L'anode 2 est portée à une tension positive de plusieurs centaines de volts par rapport aux pointes 13 (typiquement 200 à 500 V) . Sur la grille d'extraction 15, on applique une tension positive de quelques dizaines de volts (typiquement 60 à 100 V) par rapport aux pointes 13. Des électrons sont alors arrachés aux pointes 13 et sont attirés par l'anode 2. Les trajectoires des électrons sont comprises dans un cône de demi-angle au sommet θ dépendant de différents paramètres, entre autres de la forme des pointes 13. Cet angle entraine une défocalisation du faisceau d'électrons 31 d'autant plus importante que la distance entre l'anode et la cathode est grande. Or, l'une des façons d'augmenter le rendement des phosphores, donc la luminosité des écrans, est de travailler avec des tensions anode-cathode plus grandes (entre 1 000 et 10 000 V) , ce qui implique d'écarter davantage l'anode et la cathode afin d'éviter la formation d'un arc électrique entre ces deux électrodes.The operation of this screen will now be described. The anode 2 is brought to a positive voltage of several hundred volts with respect to the tips 13 (typically 200 to 500 V). On the extraction grid 15, a positive voltage of a few tens of volts (typically 60 to 100 V) is applied relative to the tips 13. Electrons are then torn off from the tips 13 and are attracted by the anode 2. The trajectories electrons are included in a cone with a half-angle at the apex θ depending on different parameters, among others the shape of the tips 13. This angle causes a defocusing of the electron beam 31 all the more important as the distance between anode and the cathode is large. One of the ways to increase the efficiency of phosphors, and therefore the brightness of screens, is to work with higher anode-cathode voltages (between 1,000 and 10,000 V), which means that the l anode and the cathode in order to avoid the formation of an electric arc between these two electrodes.
Si on désire conserver une bonne résolution sur l'anode, il faut refocaliser le faisceau d'électrons. Cette refocalisation est obtenue classiquement grâce à une grille qui peut être soit placée entre l'anode et la cathode, soit disposée sur la cathodeIf you want to keep a good resolution on the anode, you have to refocus the electron beam. This refocusing is conventionally obtained thanks to a grid which can be either placed between the anode and the cathode, or placed on the cathode.
La figure 2 illustre le cas où la grille de focalisation est disposée sur la cathode. La figure 2 reprend l'exemple de la figure 1 mais limité à une seule micropointe pour plus de clarté dans le dessin. Une couche isolante 16 a été déposée sur la grille d'extraction 15 et supporte une couche métallique 17 servant de grille de focalisation. Des trous 19, de diamètre adéquat (typiquement entre 8 et 10 μm) et concentriques aux trous 18, ont été gravés dans les couches 16 et 17. La couche isolante 16 sert à isoler électriquement la grille d'extraction 15 et la grille de focalisation 17. La grille de focalisation est polarisée par rapport à la cathode de façon à donner au faisceau d'électrons 32 la forme représentée à la figure 2.FIG. 2 illustrates the case where the focusing grid is placed on the cathode. Figure 2 shows the example of Figure 1 but limited to a single microtip for clarity in the drawing. An insulating layer 16 has been deposited on the extraction grid 15 and supports a metal layer 17 serving as a focusing grid. Holes 19, of adequate diameter (typically between 8 and 10 μm) and concentric with the holes 18, have been etched in the layers 16 and 17. The insulating layer 16 serves to electrically isolate the extraction grid 15 and the focusing grid 17. The focusing grid is polarized with respect to the cathode so as to give the electron beam 32 the shape shown in FIG. 2.
Des calculs de simulation montrent que le centrage des trous 19 de la grille de focalisation par rapport aux trous 18 de la grille d'extraction est extrêmement critique. Cette structure est généralement réalisée avec les techniques classiques de photolithogravure utilisées en microélectronique. Par exemple, avec un premier niveau de photolithogravure on définit les trous 19 de la grille de focalisation, puis un second niveau de photolithogravure permet de réaliser les trous 18 dans lesquels seront placées les pointes. Pour un bon fonctionnement, le second niveau doit être positionné de façon extrêmement précise par rapport au premier niveau. Ceci ne peut être réalisé qu'avec un appareillage très performant et donc très onéreux, ce qui sera d'autant plus pénalisant que l'on traitera de grandes surfaces.Simulation calculations show that the centering of the holes 19 of the focusing grid with respect to the holes 18 of the extraction grid is extremely critical. This structure is generally produced with the conventional photolithography techniques used in microelectronics. For example, with a first level of photolithography, the holes 19 of the focusing grid are defined, then a second level of photolithography makes it possible to produce the holes 18 in which the points will be placed. For proper operation, the second level must be positioned extremely precisely by compared to the first level. This can only be achieved with very efficient and therefore very expensive equipment, which will be all the more disadvantageous when dealing with large areas.
Exposé de 1 ' inventionStatement of the invention
L'invention permet de remédier au problème de précision d'alignement de trous situés à des niveaux différents. Ceci est obtenu grâce à un procédé qui ne nécessite qu'une seule étape de photolithographie et donc un seul masque regroupant deux types de motifs : ceux destinés à des trous de niveau inférieur et de plus faible diamètre et ceux destinés à des trous de niveau supérieur et de plus grand diamètre. La précision du positionnement relatif des trous est donc celle du dessin du masqueThe invention makes it possible to remedy the problem of precision of alignment of holes situated at different levels. This is obtained thanks to a process which requires only a single photolithography step and therefore a single mask grouping together two types of patterns: those intended for holes of lower level and of smaller diameter and those intended for holes of higher level. and of larger diameter. The accuracy of the relative positioning of the holes is therefore that of the mask design
L'invention a donc pour objet un procédé de réalisation par photolithographie d'au moins un groupe d'ouvertures positionnées entre elles de manière précise sur une structure, le groupe d'ouvertures comprenant une première ouverture ou des premières ouvertures réalisée (s) dans une première couche de matériau et une deuxième ouverture réalisée dans une deuxième couche de matériau qui recouvre la première couche de matériau, la première ouverture ou les premières ouvertures étant située (s) à l'intérieur de la deuxième ouverture, caractérisé en ce qu'il comprend : - le dépôt sur une face libre de la première couche de matériau d'une couche de résine photosensible d'épaisseur déterminée,The subject of the invention is therefore a method of producing by photolithography at least one group of openings positioned precisely between them on a structure, the group of openings comprising a first opening or first openings made in a first layer of material and a second opening made in a second layer of material which covers the first layer of material, the first opening or the first openings being located inside the second opening, characterized in that it comprises: the deposition on a free face of the first layer of material of a layer of photosensitive resin of determined thickness,
- la gravure de cette couche de résine par photolithographie, au moyen d'un masque unique, pour laisser sur ladite première couche de matériau un îlot de résine par groupe d'ouvertures, la limite extérieure de l'îlot de résine correspondant à la deuxième ouverture, l'îlot de résine comportant une ouverture ou des ouvertures correspondant à la première ouverture ou aux premières ouvertures,- The etching of this resin layer by photolithography, using a single mask, to leave an island on said first layer of material resin by group of openings, the outer limit of the resin island corresponding to the second opening, the resin island comprising an opening or openings corresponding to the first opening or to the first openings,
- le dépôt sous vide, sur la première couche et sur la résine subsistante, du matériau destiné à constituer la deuxième couche, ce dépôt étant réalisé sous une incidence telle que la partie de la première couche située au fond de l'ouverture ou des ouvertures de l'îlot de résine n'est pas recouverte par ce dépôt,the deposition under vacuum, on the first layer and on the remaining resin, of the material intended to constitute the second layer, this deposition being carried out under an incidence such that the part of the first layer located at the bottom of the opening or openings of the resin island is not covered by this deposit,
- la gravure de la première couche de matériau à partir de l'ouverture ou des ouvertures de l'îlot pour obtenir la première ouverture ou les premières ouvertures dans ladite première couche,- the etching of the first layer of material from the opening or openings of the island to obtain the first opening or the first openings in said first layer,
- élimination de la résine subsistante et du matériau de la deuxième couche recouvrant ladite résine subsistante pour obtenir la deuxième ouverture dans ladite deuxième couche.- Removal of the remaining resin and the material of the second layer covering said remaining resin to obtain the second opening in said second layer.
Ledit groupe d'ouvertures peut comprendre une première ouverture qui est un trou circulaire centré dans la deuxième ouverture qui est aussi un trou circulaire. Il peut aussi comprendre des premières ouvertures qui sont des trous circulaires disposés sur l'axe principal de la deuxième ouverture qui est une fente.Said group of openings may include a first opening which is a circular hole centered in the second opening which is also a circular hole. It can also include first openings which are circular holes arranged on the main axis of the second opening which is a slot.
Ce procédé s'applique avantageusement à la fabrication d'une source d'électrons à micropointes à grille d'extraction et à grille de focalisation. Selon l'invention, un procédé de fabrication d'une telle source comprend :This process is advantageously applied to the manufacture of a microtip electron source with an extraction grid and a focusing grid. According to the invention, a method of manufacturing such a source comprises:
- une étape où l'on dépose successivement sur une face d'un support électriquement isolant : des moyens de connexion cathodiques, une première couche isolante électriquement d'épaisseur adaptée à la hauteur des futures micropointes, une première couche conductrice destinée à former la grille d'extraction, une deuxième couche isolante électriquement d'épaisseur correspondant à la distance devant séparer la grille d'extraction de la grille de focalisation, et une couche de résine photosensible d'épaisseur déterminée,- a step where one deposits successively on one side of an electrically insulating support: cathode connection means, a first layer electrically insulating layer of thickness adapted to the height of future microtips, a first conductive layer intended to form the extraction grid, a second electrically insulating layer of thickness corresponding to the distance which must separate the extraction grid from the focusing grid , and a layer of photosensitive resin of determined thickness,
- une étape de gravure de la couche de résine par photolithographie, au moyen d'un masque unique, pour laisser sur ladite deuxième couche isolante un îlot de résine par ouverture de la grille de focalisation, la limite extérieure dudit îlot de résine correspondant à ladite ouverture de la grille de focalisation, l'îlot de résine comportant une ouverture par ouverture de grille d'extraction contenue dans ladite ouverture de la grille de focalisation,a step of etching the resin layer by photolithography, using a single mask, to leave on said second insulating layer an island of resin by opening the focusing grid, the outer limit of said island of resin corresponding to said opening of the focusing grid, the resin island comprising an opening by opening of the extraction grid contained in said opening of the focusing grid,
- une étape de dépôt sous vide sur la deuxième couche isolante et sur la résine subsistante d'un matériau destiné à constituer la grille de focalisation, ce dépôt étant réalisé sous une incidence telle que la partie de la deuxième couche isolante située au fond de chaque ouverture de l'îlot de résine n'est pas recouverte par ce dépôt,a step of deposition under vacuum on the second insulating layer and on the remaining resin of a material intended to constitute the focusing grid, this deposition being carried out under an incidence such that the part of the second insulating layer situated at the bottom of each opening of the resin island is not covered by this deposit,
- une étape où l'on grave successivement la deuxième couche isolante et la première couche conductrice à partir de la partie de la deuxième couche isolante non recouverte par ledit dépôt pour obtenir des trous dans la deuxième couche isolante et les ouvertures de la grille d'extraction, - une étape de gravure de la première couche isolante au travers des ouvertures de la grille d'extraction jusqu'aux moyens de connexion cathodique ,- A step where the second insulating layer and the first conductive layer are successively etched from the part of the second insulating layer not covered by said deposit to obtain holes in the second insulating layer and the openings of the grid extraction, a step of etching the first insulating layer through the openings of the extraction grid to the cathode connection means,
- une étape de gravure latérale de la deuxième couche isolante pour augmenter la taille des trous gravés précédemment jusqu'à une valeur déterminée, cette gravure latérale pouvant rendre sécants des trous adjacents et suffisamment proches,a step of lateral etching of the second insulating layer to increase the size of the holes previously etched up to a value determined, this lateral engraving can intersect adjacent and sufficiently close holes,
- une étape d'élimination de la résine subsistante et de la partie du matériau destiné à constituer la grille de focalisation qui recouvre la résine subsistante,a step of removing the remaining resin and of the part of the material intended to constitute the focusing grid which covers the remaining resin,
- une étape de formation des micropointes sur les moyens de connexion cathodique au travers des ouvertures de la grille d'extraction. Les moyens de connexion cathodique peuvent être obtenus par un dépôt de conducteurs cathodiques sur le support, suivi d'un dépôt d'une couche résistive .a step of forming the microtips on the cathode connection means through the openings of the extraction grid. The cathode connection means can be obtained by depositing cathode conductors on the support, followed by depositing a resistive layer.
Avantageusement, l'étape de gravure de la première couche isolante et l'étape de gravure latérale de la deuxième couche isolante sont menées simultanément et effectuées par gravure isotrope.Advantageously, the etching step of the first insulating layer and the lateral etching step of the second insulating layer are carried out simultaneously and carried out by isotropic etching.
L'étape d'élimination de la résine subsistante peut être réalisée par la technique dite de "lift-off".The step of removing the remaining resin can be carried out by the so-called "lift-off" technique.
Brève description des dessinsBrief description of the drawings
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des figures annexées parmi lesquelles :The invention will be better understood and other advantages and features will appear on reading the description which follows, given by way of nonlimiting example, accompanied by the appended figures among which:
- la figure 1, déjà décrite, est illustrative d'un écran plat à micropointes selon l'art connu,FIG. 1, already described, is illustrative of a flat screen with microtips according to the known art,
- la figure 2, déjà décrite, est illustrative d'un écran pla.t à micropointes et à grille de focalisation selon l'art connu, - la figure 3 représente, vu de dessus, un masque de photolithographie utilisé pour la mise en oeuvre du procédé selon la présente invention,FIG. 2, already described, is illustrative of a screen with microtips and a focus grid according to the prior art, FIG. 3 represents, seen from above, a photolithography mask used for the implementation of the method according to the present invention,
- les figures 4 à 6 illustrent le procédé selon la présente invention pour lequel le masque de la figure 3 est utilisé,FIGS. 4 to 6 illustrate the method according to the present invention for which the mask of FIG. 3 is used,
- les figures 7A à 7F illustrent différentes étapes de la fabrication d'une source d'électrons à micropointes pour écran plat de visualisation, selon le procédé de la présente invention.- Figures 7A to 7F illustrate different stages of the manufacture of a microtip electron source for flat display screen, according to the method of the present invention.
Description détaillée de modes de réalisation de 1 ' inventionDetailed description of embodiments of the invention
La figure 3 représente, vu de dessus, un masque 3 utilisable dans la mise en oeuvre du procédé selon la présente invention. Il comprend quatre motifs identiques délimités par un cercle intérieur 4 et un cercle extérieur 5, les cercles 4 et 5 étant concentriques. L'espace 6 compris entre les cercles 4 et 5 est sombre tandis que le reste du masque 3 est clair.FIG. 3 represents, seen from above, a mask 3 usable in the implementation of the method according to the present invention. It comprises four identical patterns delimited by an inner circle 4 and an outer circle 5, the circles 4 and 5 being concentric. The space 6 between the circles 4 and 5 is dark while the rest of the mask 3 is clear.
Si une couche de résine positive est insolée au travers du masque 3, après développement il ne restera de la résine qu'aux endroits correspondant aux parties sombres du masque, c'est-à-dire aux endroits correspondant aux espaces 6. C'est ce que montre la figure 4 qui est une vue en perspective et en coupe transversale d'un substrat 40 recouvert d'une couche 41 d'un premier matériau, cette couche 41 supportant des îlots 42 de résine dont la forme correspond à un espace 6 du masque. Les îlots 42 ont une épaisseur e correspondant à la couche de résine déposée sur la couche 41. Si le diamètre des trous 43 qui sont centraux aux îlots est d, la distance D séparant deux îlots successifs de résine sera choisie supérieure à 2d.If a layer of positive resin is exposed through the mask 3, after development there will be resin only in the places corresponding to the dark parts of the mask, that is to say in the places corresponding to the spaces 6. This is what FIG. 4 shows, which is a perspective view in transverse section of a substrate 40 covered with a layer 41 of a first material, this layer 41 supporting islands 42 of resin whose shape corresponds to a space 6 of the mask. The islands 42 have a thickness e corresponding to the resin layer deposited on the layer 41. If the diameter of the holes 43 which are central to the islands is d, the distance D separating two successive islands of resin will be chosen greater than 2d.
La figure 5 est une vue en coupe transversale de la structure illustrée par la figure 4 et sur laquelle on a déposé une couche 44 d'un matériau par évaporation sous vide, avec une incidence supérieure à un angle α tel que tg α = d/e et en faisant tourner la structure autour d'un axe perpendiculaire à sa surface. On remarque que le fond 45 des trous 43 n'est pas recouvert par la couche 44. Si on grave la couche 41 recouverte des îlots de résine 42 et de la couche 44, seuls les fonds 45 des trous qui ne sont pas protégés vont être gravés dans le prolongement des trous 43. On obtiendra alors des ouvertures 46 comme cela est représenté en traits interrompus .FIG. 5 is a cross-sectional view of the structure illustrated in FIG. 4 and on which a layer 44 of a material has been deposited by evaporation under vacuum, with an incidence greater than an angle α such that tg α = d / e and by rotating the structure around an axis perpendicular to its surface. Note that the bottom 45 of the holes 43 is not covered by the layer 44. If the layer 41 engraved with the resin islands 42 and the layer 44 is etched, only the bottoms 45 of the holes which are not protected will be etched in the extension of the holes 43. We will then obtain openings 46 as shown in broken lines.
La figure 6, qui est une vue en perspective et en coupe transversale, montre également la structure obtenue après avoir éliminé les îlots de résine. On obtient ainsi des trous 46 dans une couche 41, parfaitement centrés avec des trous 47 de diamètre supérieur et réalisés dans une couche 44 déposée sur la couche 41. On va maintenant décrire la réalisation d'une source d'électrons à micropointes pour écran plat de visualisation par le procédé de la présente invention. Cette source d'électrons à micropointes est prévue pour avoir une grille de focalisation dont les ouvertures sont des fentes, chaque fente recouvrant plusieurs ouvertures de la grille d'extraction. Le procédé va être décrit en référence aux figures 7A à 7F qui sont des vues en coupes transversales, la figure 7F étant également une vue en perspective. Sur un support 50, constitué par une lame de verre, on dépose (voir la figure 7A) une couche métallique qui est gravée pour constituer des conducteurs cathodiques 51 parallèles entre eux. Ces conducteurs cathodiques 51 serviront par exemple de colonnes pour un affichage matriciel. Une couche résistive 52 est ensuite déposée de manière uniforme. Sur cette couche résistive 52, on dépose successivement une première couche isolante 53, une couche conductrice 54 destinée à constituer la grille d'extraction de la source d'électrons à micropointes, et une deuxième couche isolante 55. Les épaisseurs des couches isolantes 53 et 55 sont choisies en fonction de la hauteur prévues pour les micropointes et de la distance devant séparer la grille d'extraction de la grille de focalisation. Une couche de résine photosensible est ensuite déposée de manière uniforme sur la deuxième couche isolante 55.Figure 6, which is a perspective view in cross section, also shows the structure obtained after removing the resin islands. Holes 46 are thus obtained in a layer 41, perfectly centered with holes 47 of greater diameter and produced in a layer 44 deposited on layer 41. We will now describe the production of a microtip electron source for flat screen display by the method of the present invention. This microtip electron source is designed to have a focusing grid, the openings of which are slots, each slot covering several openings of the extraction grid. The method will be described with reference to FIGS. 7A to 7F which are views in transverse sections, FIG. 7F also being a perspective view. On a support 50, constituted by a glass slide, a metal layer is deposited (see FIG. 7A) which is etched to form cathode conductors 51 parallel to each other. These cathode conductors 51 will serve, for example, as columns for a matrix display. A resistive layer 52 is then deposited uniformly. On this resistive layer 52, a first insulating layer 53 is successively deposited, a conductive layer 54 intended to constitute the grid for extracting the microtip electron source, and a second insulating layer 55. The thicknesses of the insulating layers 53 and 55 are chosen as a function of the height provided for the microtips and of the distance which must separate the extraction grid from the focusing grid. A layer of photosensitive resin is then uniformly deposited on the second insulating layer 55.
La couche de résine photosensible est insolée au travers d'un masque dont le motif comporte en sombre, si la résine photosensible est une résine positive, l'espace séparant le contour de chaque ouverture de grille de focalisation (en forme de fente dans le cas présent) du contour des ouvertures de la grille d'extraction correspondant à cette ouverture de grille. Au développement, il ne reste sur la couche isolante 55 que des îlots de résine 56, chaque îlot 56 étant percé d'ouvertures 57 en nombre correspondant au nombre de micropointes vues par une ouverture de grille de focalisation.The layer of photosensitive resin is exposed through a mask, the pattern of which is shown in dark, if the photosensitive resin is a positive resin, the space separating the contour of each focus grid opening (in the form of a slit in the case present) of the outline of the extraction grid openings corresponding to this grid opening. In development, there are only resin islands 56 on the insulating layer 55, each island 56 being pierced with openings 57 in number corresponding to the number of microtips seen by a focus grid opening.
On dépose ensuite par évaporation sous vide (voir la figure 7B) le matériau conducteur à partir duquel sera formée la grille de focalisation. Cette évaporation est réalisée avec un angle d'incidence tel qu'il ne se dépose du matériau conducteur qu'au fond des ouvertures 57. On obtient donc une couche conductrice 58 sur la deuxième couche isolante 55 et une couche conductrice 59 sur les îlots de résine 56 à l'exception du fond des ouvertures 57. La couche conductrice 58 constituera la grille de focalisation. On procède ensuite à la gravure anisotrope de la deuxième couche isolante 55 à partir du fond des ouvertures 57 pour obtenir des trous 60 dans cette couche, en prolongement des ouvertures 57, jusqu'à atteindre la couche conductrice 54 (voir la figure 7C) . La couche conductrice 54 est gravée à son tour pour obtenir des ouvertures 61 (ouvertures de la grille d'extraction), en prolongement des ouvertures 57 et des trous 60, jusqu'à atteindre la première couche isolante 53.The conductive material from which the focusing grid will be formed is then deposited by vacuum evaporation (see FIG. 7B). This evaporation is carried out with an angle of incidence such that it only deposits the conductive material at the bottom openings 57. A conductive layer 58 is therefore obtained on the second insulating layer 55 and a conductive layer 59 on the resin islands 56 with the exception of the bottom of the openings 57. The conductive layer 58 will constitute the focusing grid. The second insulating layer 55 is then etched anisotropically from the bottom of the openings 57 to obtain holes 60 in this layer, in extension of the openings 57, until reaching the conductive layer 54 (see FIG. 7C). The conductive layer 54 is etched in turn to obtain openings 61 (openings of the extraction grid), in extension of the openings 57 and the holes 60, until reaching the first insulating layer 53.
La première couche isolante 53 est alors gravée à partir des ouvertures 57, des trous 60 et des ouvertures 61. Par gravure anisotrope, on obtient une cavité 62 par ouverture 61 de grille d'extraction. Cette cavité 62 a pour base la couche résistive 52 qui n'est pas attaquée (voir la figure 7D) . Par la même gravure, on peut attaquer latéralement la deuxième couche isolante 55 à partir des parois des trous 60 (voir la figure 7C) pour obtenir des trous agrandis 63. Ceci est notamment possible si les deux couches isolantes sont formées du même matériau. La gravure est menée jusqu'à obtenir des trous 63 sécants.The first insulating layer 53 is then etched from the openings 57, the holes 60 and the openings 61. By anisotropic etching, a cavity 62 is obtained by opening 61 of the extraction grid. This cavity 62 is based on the resistive layer 52 which is not etched (see FIG. 7D). By the same etching, the second insulating layer 55 can be attacked laterally from the walls of the holes 60 (see FIG. 7C) to obtain enlarged holes 63. This is in particular possible if the two insulating layers are formed from the same material. The etching is carried out until secant holes 63 are obtained.
La figure 7E représente la structure obtenue après dissolution des îlots de résine et de la couche conductrice qui les recouvrait. Il reste, à la surface de la deuxième couche isolante 55, la grille de focalisation 58 pourvue d'ouvertures ou fentes 64.FIG. 7E represents the structure obtained after dissolution of the resin islands and of the conductive layer which covered them. There remains, on the surface of the second insulating layer 55, the focusing grid 58 provided with openings or slots 64.
On dépose ensuite, de manière classique, les micropointes au travers des ouvertures de la grille d'extraction. La figure 7F permet de voir plusieurs micropointes 65, chacune étant centrée dans son ouverture 61 correspondante de la grille d'extraction, les axes des ouvertures 61 d'une même fente 64 étant rigoureusement alignés sur l'axe principal de la fente. Then, in a conventional manner, the microtips are deposited through the openings of the extraction grid. FIG. 7F makes it possible to see several microtips 65, each being centered in its corresponding opening 61 of the extraction grid, the axes of the openings 61 of the same slot 64 being strictly aligned on the main axis of the slot.

Claims

REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation par photolithographie d'au moins un groupe d'ouvertures (46, 47) positionnées entre elles de manière précise sur une structure, le groupe d'ouvertures comprenant une première ouverture (46) ou des premières ouvertures réalisée (s) dans une première couche de matériau (41) et une deuxième ouverture (47) réalisée dans une deuxième couche de matériau (44) qui recouvre la première couche de matériau (41) , la première ouverture (46) ou les premières ouvertures étant située (s) à l'intérieur de la deuxième ouverture (47), caractérisé en ce qu'il comprend :CLAIMS 1. Method for producing by photolithography at least one group of openings (46, 47) positioned precisely between them on a structure, the group of openings comprising a first opening (46) or first openings made ( s) in a first layer of material (41) and a second opening (47) made in a second layer of material (44) which covers the first layer of material (41), the first opening (46) or the first openings being located inside the second opening (47), characterized in that it comprises:
- le dépôt sur une face libre de la première couche de matériau (41) d'une couche de résine photosensible d'épaisseur déterminée,the deposition on a free face of the first layer of material (41) of a layer of photosensitive resin of determined thickness,
- la gravure de cette couche de résine par photolithographie, au moyen d'un masque unique (3), pour laisser sur ladite première couche de matériau (41) un îlot de résine (42) par groupe d'ouvertures, la limite extérieure de l'îlot de résine (42) correspondant à la deuxième ouverture, l'îlot de résine comportant une ouverture (43) ou des ouvertures correspondant à la première ouverture (46) ou aux premières ouvertures,- The etching of this resin layer by photolithography, using a single mask (3), to leave on said first layer of material (41) an island of resin (42) per group of openings, the outer limit of the resin island (42) corresponding to the second opening, the resin island comprising an opening (43) or openings corresponding to the first opening (46) or to the first openings,
- le dépôt sous vide, sur la première couche (41) et sur la résine subsistante, du matériau destiné à constituer la deuxième couche, ce dépôt étant réalisé sous une incidence telle que la partie (45) de la première couche (41) située au fond de l'ouverture (43) ou des ouvertures de l'îlot de résine (42) n'est pas recouverte par ce dépôt,- Deposition under vacuum, on the first layer (41) and on the remaining resin, of the material intended to constitute the second layer, this deposition being carried out under an incidence such that the part (45) of the first layer (41) located at the bottom of the opening (43) or openings of the resin island (42) is not covered by this deposit,
- la gravure de la première couche de matériau (41) à partir de l'ouverture (43) ou des ouvertures de l'îlot pour obtenir la première ouverture (46) ou les premières ouvertures dans ladite première couche,- the etching of the first layer of material (41) from the opening (43) or the openings of the island to obtain the first opening (46) or the first openings in said first layer,
- l'élimination de la résine subsistante et du matériau de la deuxième couche recouvrant ladite résine subsistante pour obtenir la deuxième ouverture- Removal of the remaining resin and the material of the second layer covering said remaining resin to obtain the second opening
(47) dans ladite deuxième couche (44).(47) in said second layer (44).
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit groupe d'ouvertures comprend une première ouverture (46) qui est un trou circulaire centré dans la deuxième ouverture (47) qui est aussi un trou circulaire.2. Method according to claim 1, characterized in that said group of openings comprises a first opening (46) which is a circular hole centered in the second opening (47) which is also a circular hole.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit groupe d'ouvertures comprend des premières ouvertures qui sont des trous circulaires disposés sur l'axe principal de la deuxième ouverture qui est une fente.3. Method according to claim 1, characterized in that said group of openings comprises first openings which are circular holes arranged on the main axis of the second opening which is a slot.
4. Procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes à grille d'extraction et à grille de focalisation, comprenant : - une étape où l'on dépose successivement sur une face d'un support électriquement isolant (50) : des moyens de connexion cathodiques (51, 52) , une première couche isolante électriquement (53) d'épaisseur adaptée à la hauteur des futures micropointes, une première couche conductrice (54) destinée à former la grille d'extraction, une deuxième couche isolante électriquement (55) d'épaisseur correspondant à la distance devant séparer la grille d'extraction de la grille de focalisation, et une couche de résine photosensible d'épaisseur déterminée,4. A method of manufacturing a microtip electron source with an extraction grid and a focusing grid, comprising: - a step in which an electrically insulating support (50) is successively deposited: cathode connection means (51, 52), a first electrically insulating layer (53) of thickness adapted to the height of future microtips, a first conductive layer (54) intended to form the extraction grid, a second electrically insulating layer (55) of thickness corresponding to the distance separating the extraction grid from the focusing grid, and a layer of photosensitive resin of determined thickness,
- une étape de gravure de la couche de résine par photolithographie, au moyen d'un masque unique, pour laisser sur ladite deuxième couche isolante (55) un îlot de résine (56) par ouverture de la grille de focalisation, la limite extérieure dudit îlot de résine (56) correspondant à ladite ouverture de la grille de focalisation, l'îlot de résine (56) comportant une ouverture (57) par ouverture de grille d'extraction contenue dans ladite ouverture de la grille de focalisation,- A step of etching the resin layer by photolithography, using a single mask, to leave on said second insulating layer (55) a resin island (56) by opening the focusing grid, the outer limit of said resin island (56) corresponding to said opening of the focusing grid, the resin island (56) comprising an opening (57) by opening of extraction grid contained in said opening of the focusing grid,
- une étape de dépôt sous vide sur la deuxième couche isolante (55) et sur la résine subsistante d'un matériau (58, 59) destiné à constituer la grille de focalisation, ce dépôt étant réalisé sous une incidence telle que la partie de la deuxième couche isolante (55) située au fond de chaque ouverture (57) de l'îlot de résine (56) n'est pas recouverte par ce dépôt,a step of vacuum deposition on the second insulating layer (55) and on the remaining resin of a material (58, 59) intended to constitute the focusing grid, this deposition being carried out under an incidence such that the part of the second insulating layer (55) located at the bottom of each opening (57) of the resin island (56) is not covered by this deposit,
- une étape où l'on grave successivement la deuxième couche isolante (55) et la première couche conductrice (54) à partir de la partie de la deuxième couche isolante (55) non recouverte par ledit dépôt pour obtenir des trous (60) dans la deuxième couche isolante (55) et les ouvertures (61) de la grille d'extraction,- A step in which the second insulating layer (55) and the first conductive layer (54) are successively etched from the part of the second insulating layer (55) not covered by said deposit to obtain holes (60) in the second insulating layer (55) and the openings (61) of the extraction grid,
- une étape de gravure de la première couche isolante (53) au travers des ouvertures (61) de la grille d'extraction jusqu'aux moyens de connexion cathodique (51, 52) , - une étape de gravure latérale de la deuxième couche isolante (55) pour augmenter la taille des trous gravés précédemment jusqu'à une valeur déterminée, cette gravure latérale pouvant rendre sécants des trous adjacents et suffisamment proches, - une étape d'élimination de la résine subsistante et de la partie du matériau destiné à constituer la grille de focalisation qui recouvre la résine subsistante, - une étape de formation des micropointes (65) sur les moyens de connexion cathodique (51, 52) au travers des ouvertures (61) de la grille d'extraction.- a step of etching the first insulating layer (53) through the openings (61) of the extraction grid to the cathode connection means (51, 52), - a step of side etching of the second insulating layer (55) to increase the size of the previously etched holes up to a determined value, this lateral etching being able to make adjacent holes sufficiently close to each other, - a step of removing the remaining resin and the part of the material intended to constitute the focusing grid which covers the remaining resin, - A step of forming the microtips (65) on the cathode connection means (51, 52) through the openings (61) of the extraction grid.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de connexion cathodique (51, 52) sont obtenus par un dépôt de conducteurs cathodiques (51) sur le support (50), suivi d'un dépôt d'une couche résistive (52).5. Method according to claim 4, characterized in that the cathode connection means (51, 52) are obtained by depositing cathode conductors (51) on the support (50), followed by depositing a resistive layer (52).
6. Procédé selon l'une des revendications 4 ou 5, caractérisé en ce que l'étape de gravure de la première couche isolante (53) et l'étape de gravure latérale de la deuxième couche isolante (55) sont menées simultanément et effectuées par gravure isotrope. 6. Method according to one of claims 4 or 5, characterized in that the step of etching the first insulating layer (53) and the step of side etching of the second insulating layer (55) are carried out simultaneously and carried out by isotropic etching.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 et 6, caractérisé en ce que l'étape d'élimination de la résine subsistante est réalisée par la technique dite de "lift-off". 7. Method according to any one of claims 4 and 6, characterized in that the step of removing the remaining resin is carried out by the technique called "lift-off".
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