EP0178989A1 - Process to realize a thin film resistance layer and resistance obtained by this process - Google Patents

Process to realize a thin film resistance layer and resistance obtained by this process Download PDF

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EP0178989A1
EP0178989A1 EP85401965A EP85401965A EP0178989A1 EP 0178989 A1 EP0178989 A1 EP 0178989A1 EP 85401965 A EP85401965 A EP 85401965A EP 85401965 A EP85401965 A EP 85401965A EP 0178989 A1 EP0178989 A1 EP 0178989A1
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metal
resistivity
nitrogen
metal silicide
silicide
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Withdrawn
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EP85401965A
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Inventor
Erhard Kohn
Michel Cathelin
Pham Tien Phan
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Thales SA
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Thomson CSF SA
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing resistors of high values, in a thin layer, obtained by spraying.
  • These resistors are intended more particularly for the manufacture of integrated circuits, on a substrate such as silicon or group III-V materials such as GaAs, or for the manufacture of hybrid circuits, in particular at microwave frequency, on substrates such as alumina or beryllium oxide.
  • the production method according to the invention makes it possible to deposit resistors on these substrates, the value of which is high over a wide range of values.
  • the thin film resistances are generally obtained by depositing a metal or a mixture of metals, under vacuum, the deposited component (s) having in themselves high resistivities: the resistivity of the thin layer obtained is close to the resistivity of the metal or mixture of metals, alloy or eutectic, because there is no chemical modification of the starting material during the deposition of the thin layer.
  • the resistivity range is consequently limited by the physical conditions of the deposit, and by the thickness of the layer produced.
  • a very wide range of resistivity is obtained, for the same material, by using as starting material a metallic silicide which is more or less nitrided during the thin film deposition operation, in the presence of a plasma, part of nitrogen in argon.
  • the deposit obtained contains a metal mixed with a silicon nitride of general formula Si a N b , which is a dielectric, that is to say an insulator, the proportion of which in the mixture and the composition - the indices a and b - are directly related to the proportion of nitrogen in the plasma. Therefore, change only one parameter of the filing conditions, i.e. the nitrogen pressure in the plasma, adjusts the resistivity of the resistive layer deposited: the alloy Si a N b dilutes the metal.
  • the invention relates to a method for producing resistors in a thin layer, deposited on an integrated circuit or hybrid circuit substrate, in a spraying apparatus, characterized in that the starting material is a metal silicide, and in that a nitrogen plasma in argon is introduced into the spraying apparatus, the nitrogen nitriding the metal silicide to give a deposit comprising at least one metal mixed with a silicon nitride alloy of general formula (Si a N b ) M.
  • the resistivity of the metallic layer obtained is always slightly higher than that of the solid material, due to pollution by oxygen, for example which oxidizes the metals during deposition.
  • the range of resistivity possible according to this deposition method is quite small.
  • the method according to the invention makes it possible to produce resistors in thin layers in a large range of resistivity, by modifying a single parameter of the deposit conditions.
  • a metallic compound is used, which is chemically modified during the deposition: by varying the nitrogen pressure in an argon plasma during the deposition of the resistive layer, this is more or less nitrided. metallic compound.
  • the deposit then consists of a metal, which is conductive, and a silicon nitride Si a N b , which is a dielectric. The mixing in variable proportions of metal and silicon nitride makes it possible to vary the resistivity of the layer. Nitrogen is the most convenient compound to use, but other reactive molecules such as oxygen can be used to chemically modify the composition of the deposited thin layer.
  • the compounds which can be used in the context of this invention are metallic silicides. They sometimes form well defined mixtures having a general formula MSi2, that is to say that they consist of two silicon atoms linked to a metal atom M.
  • MSi2 general formula
  • the most known and usual defined compounds are TaSi2, MoSi2 , WSi2, TiSi2, which are stable on silicon, and therefore do not react with the substrate of an integrated circuit if it is made of silicon. These compounds are considered conductors, but they become resistive by nitriding.
  • the invention can also use any silicide compound, without restriction on the composition, such as M Si, in which the ratio x / y defines the range of resistivity chosen.
  • the invention can use poly-metallic silicides, of formula M M ' x , M " x" Siy.
  • the adjustment of the resistivity value is obtained by the choice of the concentration of nitrogen in the argon-nitrogen mixture during the deposition of silicide by reactive sputtering. Indeed the more or less quantity of nitrogen in the gas mixture more or less nitrides the silicide during the deposition.
  • An amorphous deposit is thus obtained comprising a metal mixed with a certain amount of silicon nitride. The greater the amount of silicon nitride, the higher the resistivity.
  • the layers deposited by reactive sputtering on a target in the presence of a plasma of nitrogen and argon, have a resistivity which varies from 2.10 -4 ⁇ .cm to 3.5.10 -2 ⁇ .cm for a concentration of nitrogen which varies from 0 to 50% in argon.
  • the variation of the resistivity with the nitrogen content in argon is given by the table below:
  • the resistivity range can be further widened for the same starting compound, by increasing the power density, in the vacuum metallization apparatus: the increase in the power density increases the ionization of the plasma which increases the nitriding of metallic silicide.
  • the invention simple to implement, is essentially used in the production of integrated circuits or hybrid circuits, especially in the microwave domain, on substrates of the GaAs or alumina and beryllium oxide type. She also relates to resistors in discrete components, on ceramic substrates.

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Abstract

The invention relates to thin film resistors of high value deposited on the substrates of integrated circuits or of microwave hybrid circuits. The method uses a metal silicide, of general form Mx Siy or Mx M'x' M''x" Siy, as starting material. The metal silicide is nitrided inside the sputtering apparatus, by a plasma of nitrogen in argon. The deposit obtained comprises a mixture of resistive metal, and of insulating silicon nitride Sia Nb. The concentration of nitrogen in the argon, the proportions of metal (x) and of silicon (y) in the silicide, and the power density of the vaporisation source, by regulating the activity of the plasma, make it possible to regulate the resistivity of the thin film. Application to (Si, Ga As) integrated circuits and to microwave hybrid circuits, on Al2 O3 or Be O.

Description

La présente invention concerne un procédé de réalisation de résistances de valeurs élevées, en couche mince, obtenues par pulvérisation. Ces résistances sont destinées plus particulièrement à la fabrication de circuits intégrés, sur substrat tel que le silicium ou les matériaux du groupe III-V comme le GaAs, ou à la fabrication de circuits hybrides, notamment en hyperfréquence, sur des substrats tels que l'alumine ou l'oxyde de béryllium. Le procédé de réalisation selon l'invention permet de déposer sur ces substrats des résistances dont la valeur est élevée dans une grande gamme de valeurs.The present invention relates to a method for producing resistors of high values, in a thin layer, obtained by spraying. These resistors are intended more particularly for the manufacture of integrated circuits, on a substrate such as silicon or group III-V materials such as GaAs, or for the manufacture of hybrid circuits, in particular at microwave frequency, on substrates such as alumina or beryllium oxide. The production method according to the invention makes it possible to deposit resistors on these substrates, the value of which is high over a wide range of values.

Les résistances en couche mince sont généralement obtenues par dépôt d'un métal ou d'un mélange de métaux, sous vide, le ou les constituants déposés ayant en soi des résistivités élevées : la résistivité de la couche mince obtenue est voisine de la résistivité du métal ou du mélange de métaux, alliage ou eutectique, car il n'y a pas de modification chimique du matériau de départ au cours du dépôt de la couche mince. La gamme de résistivité est en conséquence limitée par les conditions physiques du dépôt, et par l'épaisseur de la couche réalisée.The thin film resistances are generally obtained by depositing a metal or a mixture of metals, under vacuum, the deposited component (s) having in themselves high resistivities: the resistivity of the thin layer obtained is close to the resistivity of the metal or mixture of metals, alloy or eutectic, because there is no chemical modification of the starting material during the deposition of the thin layer. The resistivity range is consequently limited by the physical conditions of the deposit, and by the thickness of the layer produced.

Selon l'invention une très large gamme de résistivité est obtenue, pour un même matériau, en utilisant comme matériau de départ un siliciure métallique qui est plus ou moins nitruré au cours de l'opération de dépôt de la couche mince, en présence d'un plasma, une partie d'azote dans l'argon. Le dépôt obtenu contient un métal mélangé à un nitrure de silicium de formule générale SiaNb, qui est un diélectrique, c'est-à-dire un isolant, dont la proportion dans le mélange et la composition -les indices a et b- sont en relation directe avec la proportion d'azote dans le plasma. Par conséquent, modifier un seul paramètre des conditions de dépôt, c'est-à-dire la pression d'azote dans le plasma, permet de régler la résistivité de la couche résistive déposée : l'alliage Si aNb dilue le métal.According to the invention a very wide range of resistivity is obtained, for the same material, by using as starting material a metallic silicide which is more or less nitrided during the thin film deposition operation, in the presence of a plasma, part of nitrogen in argon. The deposit obtained contains a metal mixed with a silicon nitride of general formula Si a N b , which is a dielectric, that is to say an insulator, the proportion of which in the mixture and the composition - the indices a and b - are directly related to the proportion of nitrogen in the plasma. Therefore, change only one parameter of the filing conditions, i.e. the nitrogen pressure in the plasma, adjusts the resistivity of the resistive layer deposited: the alloy Si a N b dilutes the metal.

De façon plus précise l'invention concerne un procédé de réalisation de résistances en couche mince, déposées sur un substrat de circuit intégré ou de circuit hybride, en appareil de pulvérisation, caractérisé en ce que le matériau de départ est un siliciure métallique, et en ce qu'un plasma d'azote dans l'argon est introduit dans l'appareil de pulvérisation, l'azote nitrurant le siliciure métallique pour donner un dépôt comportant au moins un métal mélangé à un alliage de nitrure de silicium de formule générale (SiaNb)M.More specifically, the invention relates to a method for producing resistors in a thin layer, deposited on an integrated circuit or hybrid circuit substrate, in a spraying apparatus, characterized in that the starting material is a metal silicide, and in that a nitrogen plasma in argon is introduced into the spraying apparatus, the nitrogen nitriding the metal silicide to give a deposit comprising at least one metal mixed with a silicon nitride alloy of general formula (Si a N b ) M.

L'invention sera mieux comprise par la description plus détaillée qui en suit, appuyée par une comparaison avec le rappel d'un procédé connu de réalisation de résistances en couche mince.The invention will be better understood from the more detailed description which follows, supported by a comparison with the reminder of a known method for producing resistors in a thin layer.

Les résistances en couche mince, sur circuit, intégré ou circuit hybride hyperfréquences, sont actuellement et généralement obtenues par dépôt d'un métal ou d'un mélange de métaux déposés par pulvérisation cathodique, réactive ou non réactive. Les métaux choisis pour réaliser des résistances sont eux mêmes des métaux qui sont de mauvais conducteurs électriques : par exemple le nickel n'a pas une bonne conductivité, de même que le chrome, et l'alliage nickel-chrome est couramment utilisé pour faire des résistances. La résistivité des couches ainsi réalisées est voisine de la résistivité du matériau massif car il n'y a pas de modificaion chimique du matériau de départ. Dans ces conditions, la résistivité des couches minces dépend essentiellement des conditions de réalisation du dépôt, ces conditions pouvant faire varier légèrement la résistivité. Elle dépend par exemple :

  • - de la pression résiduelle d'oxygène ou de vapeur d'eau dans l'enceinte de métallisation, pendant le dépôt de métaux réactifs avec l'oxygène et la vapeur d'eau, tels que Ti, Cr, Al... etc. Cette pression résiduelle n'est pas contrôlée et correspond à la pression partielle d'air dans une enceinte à 10-2 torr.
  • - de la pression partielle d'azote pendant la pulvérisation d'éléments simples tels que Ta, Ti, Al... etc. Cette pression partielle d'azote correspond également à une pression résiduelle d'air et la quantité d'azote présente dans l'enceinte de métallisation n'est pas suffisante pour créer une nitruration des métaux déposés sous vide.
  • - de la vitesse de dépôt, de la puissance de la source qui évapore les métaux pour les déposer sous vide.
  • - de la composition des mélanges déposé?.
Resistors in thin layer, on circuit, integrated or microwave microwave circuit, are currently and generally obtained by depositing a metal or a mixture of metals deposited by sputtering, reactive or non-reactive. The metals chosen to produce resistors are themselves metals which are poor electrical conductors: for example nickel does not have good conductivity, as does chromium, and the nickel-chromium alloy is commonly used to make resistances. The resistivity of the layers thus produced is close to the resistivity of the solid material because there is no chemical modification of the starting material. Under these conditions, the resistivity of the thin layers depends essentially on the conditions for producing the deposit, these conditions being able to vary the resistivity slightly. It depends for example:
  • - the residual pressure of oxygen or water vapor in the metallization enclosure, during the deposition of metals reactive with oxygen and water vapor, such as Ti, Cr, Al ... etc. This residual pressure is not controlled and corresponds to the partial air pressure in an enclosure at 10 -2 torr.
  • - partial nitrogen pressure during the spraying of simple elements such as Ta, Ti, Al ... etc. This partial nitrogen pressure also corresponds to a residual air pressure and the quantity of nitrogen present in the metallization enclosure is not sufficient to create nitriding of the metals deposited under vacuum.
  • - the speed of deposition, the power of the source which evaporates the metals to deposit them under vacuum.
  • - the composition of the mixtures deposited ?.

Dans tous les cas, jusqu'à présent, la résistivité de la couche métallique obtenue est toujours légèrement supérieure à celle du matériau massif, à cause des pollutions par oxygène par exemple qui oxyde les métaux pendant le dépôt. Ainsi la gamme de résistivité possible selon cette méthode de dépôt est assez faible.In all cases, until now, the resistivity of the metallic layer obtained is always slightly higher than that of the solid material, due to pollution by oxygen, for example which oxidizes the metals during deposition. Thus the range of resistivity possible according to this deposition method is quite small.

S'il est nécessaire de réaliser des couches de résistivité contrôlée plus importante, telles que par exemple p7 100µΩ/cm, on utilise alors le plus souvent des matériaux tels que les "CERMETS" qui sont des mélanges NiCr/SiO. La gamme de résistivité souhaitée est alors fonction du choix du rapport des quantités respectives de NiCr, qui est conducteur de l'électricité, bien que résistif, et de SiO qui est un isolant.If it is necessary to produce layers of higher controlled resistivity, such as for example p7 100 μΩ / cm, then materials such as "CERMETS" which are NiCr / SiO mixtures are most often used. The desired resistivity range is then a function of the choice of the ratio of the respective amounts of NiCr, which is electrically conductive, although resistive, and SiO which is an insulator.

Mais il se présente des cas d'applications spécifiques nécessitant des résistances de très fortes valeurs et permettant de dissiper une certaine puissance, toute chose étant égale par ailleurs puisqu'il s'agit de circuit intégré ou de circuit hybride hyperfréquence. Pour obtenir de telles résistances de très fortes valeurs, il n'est pas permis de diminuer par trop l'épaisseur de la couche, ce qui augmente la résistivité de la bande résistive, car il est nécessaire de respecter les limites supérieures de densité de courant. Dans ces cas on est obligé d'utiliser des couches ayant une résistivité très élevée, par exemple en déposant des mélanges de métaux pollués avec de l'oxygène qui forme des oxydes.But there are cases of specific applications requiring resistors of very high values and making it possible to dissipate a certain power, all other things being equal since it is an integrated circuit or a hybrid microwave circuit. To obtain such very high resistances, it is not allowed to reduce the thickness of the layer too much, which increases the resistivity of the resistive strip, since it is necessary to respect the upper limits of current density. . In these cases, it is necessary to use layers having a very high resistivity, for example by depositing mixtures of polluted metals with oxygen which forms oxides.

On constate donc que dans l'art connu il est difficile d'avoir pour un même matériau de départ une gamme de résistivité qui soit étendue. Ainsi s'il est nécessaire de déposer différentes résistances sur un circuit hybride, ayant des valeurs assez différentes entre elles, il devient alors obligatoire d'avoir recours à différentes technologies, imposées selon la valeur des résistances.It is therefore found that in the known art it is difficult to have for a same starting material a range of resistivity which is extended. So if it is necessary to deposit different resistances on a hybrid circuit, having fairly different values between them, it then becomes compulsory to use different technologies, imposed according to the value of the resistors.

Le procédé selon l'invention permet de réaliser des résistances en couches minces dans une grande gamme de résistivité, en modifiant un seul paramètre des conditions de dépôt. Selon l'invention, on utilise un composé métallique, que l'on modifie chimiquement au cours du dépôt : en faisant varier la pression d'azote dans un plasma d'argon pendant le dépôt de la couche résistive, on nitrure plus ou moins ce composé métallique. Le dépôt est alors constitué d'un métal, qui est conducteur, et d'un nitrure de silicium SiaNb, qui est un diélectrique. Le mélange dans des proportions variables de métal et de nitrure de silicium permet de faire varier la résistivité de la couche. L'azote est le composé le plus commode à utiliser, mais d'autres molécules réactives telles que l'oxygène peuvent être utilisées pour modifier chimiquement la composition de la couche mince déposée.The method according to the invention makes it possible to produce resistors in thin layers in a large range of resistivity, by modifying a single parameter of the deposit conditions. According to the invention, a metallic compound is used, which is chemically modified during the deposition: by varying the nitrogen pressure in an argon plasma during the deposition of the resistive layer, this is more or less nitrided. metallic compound. The deposit then consists of a metal, which is conductive, and a silicon nitride Si a N b , which is a dielectric. The mixing in variable proportions of metal and silicon nitride makes it possible to vary the resistivity of the layer. Nitrogen is the most convenient compound to use, but other reactive molecules such as oxygen can be used to chemically modify the composition of the deposited thin layer.

Les composés utilisables dans le cadre de cette invention sont des siliciures métalliques. Ils forment parfois des mélanges bien définis ayant une formule générale MSi2, c'est-à-dire qu'ils sont constitués de deux atomes de silicium liés à un atome de métal M. Les composés définis les plus connus et usuels sont TaSi2, MoSi2, WSi2, TiSi2, qui sont stables sur silicium, et par conséquent ne réagissent pas avec le substrat d'un circuit intégré si celui-ci est en silicium. Ces composés sont considérés comme des conducteurs, mais ils deviennent résistifs par nitruration.The compounds which can be used in the context of this invention are metallic silicides. They sometimes form well defined mixtures having a general formula MSi2, that is to say that they consist of two silicon atoms linked to a metal atom M. The most known and usual defined compounds are TaSi2, MoSi2 , WSi2, TiSi2, which are stable on silicon, and therefore do not react with the substrate of an integrated circuit if it is made of silicon. These compounds are considered conductors, but they become resistive by nitriding.

L'invention peut aussi utiliser tout composé siliciure, sans restriction sur la composition, tel que M Si , dans lequel le rapport x/y définit la gamme de résistivité choisie.The invention can also use any silicide compound, without restriction on the composition, such as M Si, in which the ratio x / y defines the range of resistivity chosen.

Enfin et de façon plus générale, l'invention peut utiliser des siliciures poly-métalliques, de formule M M'x, M"x" Siy. L'ajustement de la valeur de la résistivité est obtenue par le choix de la concentration de l'azote dans le mélange argon azote pendant le dépôt de siliciure par pulvérisation cathodique réactive. En effet la quantité plus ou moins grande d'azote dans le mélange gazeux nitrure plus ou moins le siliciure pendant le dépôt. On obtient ainsi un dépôt amorphe comportant un métal mélangé à une certaine quantité de nitrure de silicium. Plus la quantité de nitrure de silicium est importante, plus le dépôt présente une résistivité importante. Ainsi en ajustant le rapport x/y, dans un mélange de formules Mx Siy on peut réaliser, suivant la méthode de l'invention, des couches minces ayant une résistivité faible ou plus importante, jusqu'à des valeurs élevées. Dans l'exemple Mx Siy si y→0, P ≃ 10-4 Ω.cm et au contraire si x→0, P ≃ 1012 Ω.cm, puisque dans ce cas on tend vers une limite SiN qui est un diélectrique.Finally and more generally, the invention can use poly-metallic silicides, of formula M M ' x , M "x" Siy. The adjustment of the resistivity value is obtained by the choice of the concentration of nitrogen in the argon-nitrogen mixture during the deposition of silicide by reactive sputtering. Indeed the more or less quantity of nitrogen in the gas mixture more or less nitrides the silicide during the deposition. An amorphous deposit is thus obtained comprising a metal mixed with a certain amount of silicon nitride. The greater the amount of silicon nitride, the higher the resistivity. Thus by adjusting the ratio x / y, in a mixture of formulas M x If y, it is possible, according to the method of the invention, to produce thin layers having a low or higher resistivity, up to high values. In the example M x If y if y → 0, P ≃ 10 -4 Ω.cm and on the contrary if x → 0, P ≃ 10 12 Ω.cm, since in this case we tend towards a limit SiN which is a dielectric.

Le procédé a été mis en oeuvre avec un composé qui est donné à titre d'exemple : Wx Tiz Siy dans lequel x = 0,3, z = 0,7, y = 0,8. Les couches déposées par pulvérisation cathodique réactive sur une cible en présence d'un plasma d'azote et d'argon, présentent une résistivité qui varie de 2.10-4 Ω.cm à 3,5.10-2Ω.cm pour une concentration d'azote qui varie de 0 à 50 % dans l'argon. La variation de la résistivité avec la teneur en azote dans l'argon est donnée par le tableau ci-dessous :

Figure imgb0001
The process was carried out with a compound which is given by way of example: Wx Ti z Si y in which x = 0.3, z = 0.7, y = 0.8. The layers deposited by reactive sputtering on a target in the presence of a plasma of nitrogen and argon, have a resistivity which varies from 2.10 -4 Ω.cm to 3.5.10 -2 Ω.cm for a concentration of nitrogen which varies from 0 to 50% in argon. The variation of the resistivity with the nitrogen content in argon is given by the table below:
Figure imgb0001

La gamme de résistivité peut être encore élargie pour un même composé de départ, par augmentation de la densité de puissance, dans l'appareil de métallisation sous vide : l'augmentation de la densité de puissance augmente l'ionisation du plasma ce qui augmente la nitruration du siliciure métallique.The resistivity range can be further widened for the same starting compound, by increasing the power density, in the vacuum metallization apparatus: the increase in the power density increases the ionization of the plasma which increases the nitriding of metallic silicide.

L'invention, simple à mettre en oeuvre, est essentiellement utilisée dans la réalisation de circuits intégrés ou de circuits hybrides, surtout dans le domaine des hyperfréquences, sur des substrats de type GaAs ou alumine et oxyde de béryllium. Elle concerne également des résistances en composants discrets, sur substrats céramiques.The invention, simple to implement, is essentially used in the production of integrated circuits or hybrid circuits, especially in the microwave domain, on substrates of the GaAs or alumina and beryllium oxide type. She also relates to resistors in discrete components, on ceramic substrates.

Claims (7)

1. Procédé de réalisation de résistances en couche mince, déposées sur un substrat de circuit intégré ou de circuit hybride, en appareil de pulvérisation, caractérisé en ce que le matériau de départ est un siliciure métallique, et en ce qu'un plasma d'azote dans l'argon est introduit dans l'appareil de pulvérisation, l'azote nitrurant le siliciure métallique pour donner un dépôt comportant au moins un métal mélangé à un alliage de nitrure de silicium de formule générale (SiaNb)M. 1. A method of producing resistors in a thin layer, deposited on an integrated circuit or hybrid circuit substrate, in a spraying apparatus, characterized in that the starting material is a metal silicide, and in that a plasma of nitrogen in the argon is introduced into the spraying apparatus, the nitrogen nitriding the metal silicide to give a deposit comprising at least one metal mixed with a silicon nitride alloy of general formula (Si a N b ) M. 2. Procédé de réalisation de résistances selon la revendication 1, caractérisé en ce que le siliciure métallique est un composé défini de forme M Si2, tel que Ta Si2, Mo Si2, W Si2, Ti Si2.2. Method for producing resistors according to claim 1, characterized in that the metal silicide is a defined compound of form M Si 2 , such as Ta Si 2 , Mo Si 2 , W Si 2 , Ti Si 2 . 3. Procédé de réalisation de résistances selon la revendication 1, caractérisé en ce que le siliciure métallique est un mélange de forme Mx Siy monométallique.3. Method for producing resistors according to claim 1, characterized in that the metal silicide is a mixture of form M x Si y monometallic. 4. Procédé de réalisation de résistances selon la revendication 1, caractérisé en ce que le siliciure métallique est un mélange de forme Mx M'x' M"x" Siy , polymétallique.4. A method of producing resistors according to claim 1, characterized in that the metal silicide is a mixture of form M x M 'x' M "x" Siy, polymetallic. 5. Procédé de réalisation de résistances, selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que le rapport métal (x)/ silicium (y) définit la gamme de résistivité de la couche mince déposée.5. A method of making resistors according to any one of claims 2 to 4, characterized in that the metal (x) / silicon (y) ratio defines the range of resistivity of the deposited thin layer. 6. Procédé de réalisation de résistances selon la revendicaton 1, caractérisé en ce que la concentration d'azote dans l'argon, dans l'appareil de pulvérisation, ajuste la résistivité de la couche mince déposée, la résistivité étant en relation directe avec la nitruration du siliciure métallique, laquelle est en relation directe avec la concentration d'azote dans le plasma.6. A method of producing resistors according to claim 1, characterized in that the concentration of nitrogen in the argon, in the spraying apparatus, adjusts the resistivity of the deposited thin layer, the resistivity being in direct relation with the nitriding metallic silicide, which is directly related to the concentration of nitrogen in the plasma. 7. Résistance en couche mince, de valeur élevée (P>100µΩ.cm), déposée sur un substrat semiconducteur tel que Si ou GaAs, ou isolant tel que Al2 O3 ou BeO, caractérisée en ce qu'elle comporte un mélange d'au moins un métal M et d'alliage de nitrure de silicium SiaNb, obtenu par nitruration d'un siliciure métallique, selon le procédé de l'une quelconque des revendications là 6.7. Thin layer resistance, of high value (P> 100 μΩ.cm), deposited on a semiconductor substrate such as Si or GaAs, or insulator such as Al 2 O 3 or BeO, characterized in that it comprises a mixture of at least one metal M and an alloy of silicon nitride Si a N b , obtained by nitriding a metal silicide, according to the process of any one of claims 1 there.
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