EP0020999A1 - Procédé de mesure du temps d'accès d'adresse de mémoires, mettant en oeuvre la technique de recirculation des données, et testeur en résultant - Google Patents

Procédé de mesure du temps d'accès d'adresse de mémoires, mettant en oeuvre la technique de recirculation des données, et testeur en résultant Download PDF

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EP0020999A1
EP0020999A1 EP80102658A EP80102658A EP0020999A1 EP 0020999 A1 EP0020999 A1 EP 0020999A1 EP 80102658 A EP80102658 A EP 80102658A EP 80102658 A EP80102658 A EP 80102658A EP 0020999 A1 EP0020999 A1 EP 0020999A1
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EP
European Patent Office
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address
memory
lines
aat
addresses
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EP80102658A
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German (de)
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EP0020999B1 (fr
Inventor
Jacky Henri Jocotton
Bernard Vanoudheusden
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Compagnie IBM France SAS
International Business Machines Corp
Original Assignee
Compagnie IBM France SAS
International Business Machines Corp
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing

Definitions

  • the present invention relates to the memory test. It relates more particularly to a method for measuring the access time of memory addresses (RAM or ROS), implementing the technique of data recirculation and its application to a tester.
  • AAT measurements require the shaping and calibration of very fast signals (time less than 2 ns), cycle times from 5 to 100ns, lag times between line levels. address less than 0.1ns, and resolutions with increments less than 0.1ns.
  • the realization of circuits as efficient, 'including high frequency words generators (> 100 MHz) leads to sophisticated and expensive testers.
  • a first object of the invention is the application of recirculation techniques to the memory test (RAM or ROS), for the measurement of AAT.
  • Yet another object of the invention is to provide a recirculation tester, capable of being loaded manually or automatically, simple and economical.
  • FIG. 1 makes it possible to understand the definition of the AAT for a memory having three address lines (ad) and three output data lines (dO).
  • the content of address A 0 (011) is in the memory, the word (110) is available on the output data lines.
  • the address is changed, the new address A 1 (100) is entered into the memory.
  • the new data corresponding to this address (001) is available after a time ⁇ t on the output data lines.
  • the time ⁇ t measures the address access time or AAT.
  • the AAT is the most critical time in memory because it limits the cycle time.
  • FIG. 2 schematically represents a conventional memory 20 provided with four address lines 2 0 to 2 3 (ie 16 addresses different from 0 to 15) and four lines of output data d.01 to d.04. It is conventionally provided with a selection line R / W 21 which, depending on its voltage level, makes it possible to choose between the writing and reading modes. It also includes an address decoder, not shown.
  • a selection line R / W 21 which, depending on its voltage level, makes it possible to choose between the writing and reading modes.
  • It also includes an address decoder, not shown.
  • the factor T depends on the delay line 22 which is a passive component, it is therefore a perfectly determined time, and foolproof. This is a characteristic specific to the tester.
  • the AAT that we measure is an approximation of the different AATs for each address, because we measure successively the time interval ⁇ t which separates the time it takes for the data to exit when we go from address 0 to l address 1 then the time interval ⁇ t that the data take to exit when going from address 1 to address 0.
  • the read / write selection line is placed in the write position.
  • n output lines are looped back with the n address lines through n delay lines 22 (of unitary delay T ) as shown diagrammatically in FIG. 4.
  • the memory 20 is positioned in read mode using the line of R / W selection 21.
  • the word available on the output lines actually corresponds to an address already processed, which ensures recirculation, by reasoning as above in terms of address and words, we have the following correspondence with p words. :
  • This factor p is such that 2 ⁇ p ⁇ 2 n depends on the words loaded in the memory, while as we have seen T is a constant.
  • the measurement of the frequency can be done with a frequency meter 23.
  • the content of the memory is given in table I.
  • the three-bit word in binary has been replaced directly by the address which corresponds to it.
  • the address 0 actually corresponds to 000, and if the content of the word at address 4 is 000 we will write that the content is 0.
  • the operating mode depends only on the address chosen to initialize the operation and on the content (generally chosen) of the memory.
  • Erratic pulses could switch from one operating mode to another unwanted mode. It is therefore desirable to choose a data configuration which leaves only one possible mode. If you want to circulate between only two addresses, addresses 0 and 2 for example, you will choose the data shown in Table II.
  • the circuit is shown in Figure 6.
  • the memory is loaded by several switches which are operated manually.
  • Switch 61 is in position L (load), switch 62 which controls the level of the write / read selection line 21 is in position W (write), switch 63 is in position "address 0" and the switch 64 is in position "write 1". This is the arrangement of the switches shown in FIG. 6. The number 1 is thus placed at the address 0. Then by placing the switch 63 in position 1, and the switch 64 in position 0, a 0 l is introduced. 'address1.
  • switch number 62 is put in position R (read), and switch 61 in position Re (recirculation).
  • the memory therefore oscillates between addresses 0 and 1 and the oscillation frequency can be measured with a frequency meter (not shown) and the value of the AAT deduced therefrom.
  • the delay line 22 is closed on the characteristic impedance Rc of the line; the value of Rc is imposed by the specifications of the memory to be tested.
  • the delay line has a delay i, which is specified by the manufacturer and which is a function of the length of this line.
  • This system has the advantages of cost and simplicity, however it is very slow (30 seconds are required to load the memory), and requires in addition the permanent presence of an operator).
  • FIG. 7 A first solution is shown in FIG. 7.
  • This system includes a programmable word generator 71 operating as a pulse generator and four shaping circuits 72 to 75.
  • Circuit 74 controls a relay Rel. which connects the address line ad 2 0 to the delay line during the read operation.
  • the R / W selection switches 62 and data entry switches 64 ( Figure 6) are no longer required.
  • FIG. 8 An operating cycle controlled by the generator 71 is shown in FIG. 8.
  • the voltage levels of the different lines, of R / W read / write selection, of d.il data input, of address ad 2 and of the state of the relay Rel are shown.
  • the relay is at level 1 (excited) during the loading step (this is the position shown in Figure 7).
  • a second solution consisted in carrying out a specific circuit to ensure the loading, and the recirculation to allow the measurements of the AAT of a memory.
  • the complete system is shown in Figure 9.
  • the sequence is loaded into memory by a specialized circuit, which therefore plays the classic role of the word generator, but in simpler and slower (frequency d 1 MHz clock, and signal timing with an accuracy of less than 50 nanoseconds), since as we have seen, the AAT is essentially a function of the delay of the delay line.
  • all the specialized circuit which is carried out in standard TTL logic can hold, on a single card, which makes it possible to make considerable savings on the tester.
  • Loading Initially the addresses are scanned while loading in each of them is contained.
  • the clock 91 increments a binary counter 92.
  • the signals from this counter 92 increment the multiplexer 93 which drives the address circuits of the memory 20 under test and on the other hand, simultaneously serve control for the multiplexer 94 which scans the content of the programming matrix 95 (which contains the information to be written in the memory).
  • This matrix can be a ROM type memory, or REPROM, or a simple control panel with switch.
  • the delay circuit 96 makes it possible to compensate for the delays due to the counter 92 and to the multiplexers 93 and 94 (to be certain that the addresses and the data arrive synchronously on the memory) and to apply to the line R / W 21 the potential writing for the appropriate time.
  • the writing pulse generation circuit 97 makes it possible to position the memory in the writing position under the control of circuit 96.
  • the AND circuit 98 detects the last address (for example 111) applied to the memory, and blocks the clock pulses and after a certain delay in the circuit 99 comes to switch the multiplexer 93 so as to loop the outputs of the memory to the corresponding addresses in order to make it recirculate.
  • a pulse (manual or remote-controlled) is enough on the clock reset circuit, to initiate recirculation.
  • the frequency measurements are carried out with a digital counter, the frequency being simply deduced from the number of pulses n counted during the interval T.
  • a delay line of 4.7 nanoseconds was used, for memories which have average AATs of the order of 5 nanoseconds. The corresponding frequency is
  • a switch has been placed on the address line ad 2 1 which makes it possible to apply binary values 0 and 1.
  • the switch When the switch is in position 1, we recirculate between addresses 18 and 19 and when it is in position 0, we recirculate between addresses 16 and 17.
  • a frequency counter is placed on d.02 so as not to disturb the measurements. We will therefore measure the sum of the address access times corresponding to addresses 16 and 17 on the one hand and 18 and 19 on the other.
  • the AATs measured on the conventional tester were correlated with 1 / 2F.
  • the results are shown in FIG. 11 for the recirculation between the addresses 16 and 17 and in FIG. 12 for the recirculation between the addresses 18 and 19. They respectively highlight the following elements: (addresses 16, 17) -
  • the factor Correlation between AAT and 1 / 2F is 0.92.
  • the value of the average difference: 1 / 2F-AAT is 4.7 seconds, it is the delay of the delay line and
  • the residual standard deviation is 95 picoseconds.
  • the value of the average difference: 1 / 2F-AAT is £, 5 nanoseconds.
  • the residual standard deviation is 95 picose des.
  • the recirculation technique allows address access time measurements with a precision equal to or greater than that of the most efficient conventional devices to date.
  • the recirculation test technique allows the AC (alternating current) test of the RAM and ROS memories, as far as the AAT is concerned. This test is carried out with high measurement accuracy and is very economical because the circuitry is simple and inefficient (from the point of view of frequencies). In addition it is independent of the speed of the memory to be tested. The results obtained show that the frequency measurements can be carried out easily with resolutions of 10 -4 or over a time of 30ns, a resolution 3ps. The better the resolution, the faster the memory.

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

-Ce procédé est basé sur le principe suivant: on charge dans la mémoire (20), une configuration de donnés déterminée, puis on reboucle les lignes de sortie de la mémoire avec les lignes d'adresse à travers des lignes à retard de délai τ, on démontre que la mémoire oscille avec une fréquence <IMAGE> d'où on déduit AAT qui est le temps d'accès d'adresse recherché, le facteur p étant fonction de la configuration chargée. Le testeur qui met en oeuvre le procédé est représenté sur le dessin. Dans un premier temps la configuration de données contenue dans le bloc (95) est transférée dans la mémoire (20), à travers le multiplexeur (94) aux adresses appropriées à travers le multiplexeur (93) sous la commande du compteur (92) et de l'horloge (91); la ligne de sélection lecture/écriture (21) est en position «écriture». Dans un second temps, la ligne (21) est mise en position lecture. Les données contenues dans la mémoire sont recirculées à travers les lignes à retard (22) et le multiplexeur (93). La fréquence d'oscillation F est alors mesurée avec un fréquencemètre (non représenté) disposé sur une ligne d.O. -Application à la mesure de l'AAT des mémoires RAM et ROS.

Description

    Domaine Technique
  • La présente invention concerne le test des mémoires. Elle concerne plus particulièrement un procédé de mesure du temps d'accès d'adresse de mémoires (RAM ou ROS), mettant en oeuvre la technique de recirculation des données et son application à un testeur.
    • Etat de la technique
  • Le temps d'accès d'adresse (AAT ou address access time selon la terminologie anglo-saxonne) est une mesure importante de la qualité des mémoires, car il mesure la rapidité de réponse de la mémoire. De façon classique, ce temps est mesuré de la façon suivante: admettons que le contenu de la mémoire à tester correspondant à une adresse AO soit disponible sur les lignes de sorties de données, au temps t=0, l'adresse est changée, l'adresse A1 est introduite dans la mémoire. L'AAT est le temps mis par les nouvelles données pour apparaître sur les lignes de sortie.
  • Il est reconnu que les mesures de l'AAT nécessitent la mise en forme et la calibration de signaux très rapides (temps inférieur à 2 ns), des temps de cycle de 5 à 100ns, des temps de décalage entre les niveaux des lignes d'adresse inférieurs à 0,1ns, et des résolutions avec des incréments inférieurs à 0,1ns. La réalisation de circuits aussi performants,' notamment de générateurs de mots hautes fréquences (>100 MHz) conduit à des testeurs sophistiqués et coûteux.
    • Exposé de l'invention
  • Un premier objet de l'invention est l'application des techniques de recirculation au test des mémoires (RAM ou ROS), pour la mesure de l'AAT.
  • Encore un autre objet de l'invention est de fournir un testeur à recirculation, capable d'être chargé manuellement ou automatiquement, simple et économique.
  • La présente invention concerne donc un procédé de mesure du temps d'accès d'adresse (AAT) par recirculation entre n lignes de sortie et n lignes d'adresse d'une mémoire du genre comportant une ligne de sélection lecture/écriture, une pluralité de lignes de sortie de données, une pluralité de lignes d'entrée de données, et une pluralité de lignes d'adresse, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes:
    • • mise de la ligne de sélection sur la position écriture,
    • • chargement dans la mémoire d'une configuration désirée de 2n mots de n bits correspondant aux 2n adresses: toutes les adresses sont balayées et à chaque adresse (k) on écrit le mot : [mot (k)],
    • • mise de la ligne de sélection sur la position lecture,
    • • connexion de n lignes de sortie d'adresse à n lignes d'adresse par n lignes à retard de délai T; puisqu'il y a un maximum de m = 2n différents mots, il existe un entier p < m tel que
      Figure imgb0001
      en fait p mots, de telle sorte que la mémoire oscille avec une fréquence F telle que
      Figure imgb0002
      AAT représentant une approximation moyenne des AAT correspondant à toutes les combinaisons des adresses intervenant dans la recirculation,
    • . mesure de la fréquence F et détermination du paramètre p et,
    • . détermination de la valeur de l'AAT par la relation AAT = 1/pF-τ.
  • Elle concerne également un testeur pour la mesure automatique des AAT des mémoires du type comportant une ligne de sélection lecture/écriture, une pluralité de lignes d'entrée et de sortie de données, une pluralité de lignes d'adresse, caractérisé en ce qu'il comporte:
    • • des moyens pour charger la mémoire selon une configuration désirée contenue dans une mémoire annexe, afin que pour chaque adresse (k) on écrive un mot [mot (k)J pendant que la ligne de sélection se trouve en position écriture,
    • • des moyens pour connecter n lignes de sortie de données de la mémoire à n lignes d'adresse à travers n lignes à retard de délai τ, pour la faire recirculer entre ces adresses pendant que la ligne de sélection se trouve en position lecture, et
    • • des moyens de synchronisation de ces opérations associés à des moyens d'initialisation et de blocage des séquences de chargement et de recirculation.
  • D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci.
    • Brève description des figures
    • La figure 1 permet de comprendre la définition du temps d'accès d'adresse (AAT), qui est l'intervalle de temps mesuré entre l'introduction d'une nouvelle adresse dans la mémoire et le moment où le contenu de la mémoire pour cette adresse, est disponible sur les lignes de sortie.
    • La figure 2 représente une mémoire en cours de test avec une boucle de recirculation des données entre la ligne de sortie de données d.01 et la ligne d'adresse ad 2°.
    • La figure 3 représente les signaux d'oscillation décalés dans le temps sur la ligne de données d.01 et la ligne d'adresse ad 20, quand il y a une boucle de recirculation.
    • La figure 4 représente une mémoire en cours de test identique à celle de la figure 2 avec quatre boucles de recirculation.
    • La figure 5 représente le diagramme des différents cas de recirculation possible, soit entre plus de deux adresses, soit entre deux adresses, soit enfin un système stable.
    • La figure 6 représente la réalisation pratique du test de la mémoire de la figure 2 dans laquelle les étapes de chargement et de recirculation sont entièrement manuelles.
    • La figure 7 représente une autre réalisation pratique du test de la mémoire de la figure 2 dans laquelle les étapes de chargement et de recirculation sont automatiques.
    • La figure 3 représente le diagramme des niveaux de tension correspondant aux lignes de sélection lecture/écriture R/W, d'entrée de données d.il, d'adresse ad 20 et du relai pour le test précédent.
    • La figure 9 représente un circuit spécialisé pour le test automatique de la mémoire montrée sur la figure 2.
    • La figure 10 représente une mémoire de 32x3 en cours de test dont les résultats seront détaillés ci-après.
    • Les figures 11 et 12 représentent respectivement les courbes de détermination de l'AAT pour un échantillon de mémoires de 32x3 pour des recirculations entre deux adresses successives.
    • La figure 13 représente les AAT mesurés pour toutes les combinaisons de deux adresses différentes pour une mémoire de 32x3.
    Description de l'invention I. Principe de la technique de recirculation appliquée à la mesure de l'AAT des mémoires a) Principe de la mesure de l'AAT entre deux adresses
  • La figure 1 permet de comprendre la définition de l'AAT pour une mémoire présentant trois lignes d'adresse (ad) et trois lignes-de données de sortie (d.O). Le contenu de l'adresse A0 (011) est dans la mémoire, le mot (110) est disponible sur les lignes de données de sortie. Au temps t=0, l'adresse est changée, la nouvelle adresse A1 (100) est introduite dans la mémoire. Les nouvelles données correspondant à cette adresse (001) sont disponibles au bout d'un temps Δt sur les lignes de données de sortie. Le temps Δt mesure le temps d'accès d'adresse ou AAT.
  • L'AAT est le temps le plus critique dans la mémoire car c'est lui qui limite le temps de cycle.
  • Sur la figure 2 on a représenté schématiquement une mémoire classique 20 munie de quatre lignes d'adresses 20 à 23 (soit 16 adresses différentes de 0 à 15) et de quatre lignes de données de sortie d.01 à d.04. Elle est munie de façon classique d'une ligne de sélection R/W 21 qui selon son niveau de tension permet de choisir entre les modes d'écriture et de lecture. Elle comporte également un décodeur d'adresses non représenté. Supposons que l'on veuille effectuer une opération de recirculation entre les adresses 0 et 1. On force un "0" logique sur les lignes d'adresse 21, 2 2, et 23. On écrit "1" dans le bit de poids 1 (ligne d.il) à l'adresse 0 et "0" dans le bit de poids 1 (ligne d.il) à l'adresse 1. Ce qui revient à écrire 0001 et 0000 aux adresses 0 et 1, grâce aux lignes d'entrée de données d.il à d.i4. Puis on connecte la ligne de sortie de données d.Ol à la ligne d'adresse ad 20 à travers une ligne à retard 22 de délai T.
  • Supposons que la mémoire soit alors à l'adresse 1, au temps t:0 apparaîtra en sortie le mot (0000), c'est-à-dire qu'on aura 0 sur d.Ol.
  • Au temps t=T l'adresse sera égale à 0 sur la ligne 20; lorsqu'on affiche une adresse sur une mémoire, il lui faut le temps AAT pour donner le mot correspondant (1000), donc au temps t=AAT+T le mot (1000) apparaît en sortie, l'itération est la suivante:
    Figure imgb0003
  • Cette itération peut être présentée différemment. On peut raisonner en termes d'adresses et de mots apparaissant sur les lignes de sortie de données, sachant qu'à l'adresse k on a écrit le mot: [mot (k)]
    Figure imgb0004
  • Comme on le voit d'après ces itérations la mémoire oscille avec une période T=2 (T+AAT). Cette période apparaît également sur la figure 3, qui représente les signaux apparaissant sur les lignes d.01 et ad 20.
  • Le facteur T dépend de la ligne à retard 22 qui est un composant passif, c'est donc un temps parfaitement déterminé, et indéréglable. C'est une caractéristique propre au testeur.
  • La mesure de F = 1/T avec un fréquencemètre 23 ou à partir de toute autre technique permet de connaître l'AAT pour cette ligne d'adresse.
  • En fait l'AAT que l'on mesure est une approximation des différents AAT pour chaque adresse, car on mesure successivement l'intervalle de temps Δt qui sépare le temps que mettent les données pour sortir quand on passe de l'adresse 0 à l'adresse 1 puis l'intervalle de temps Δt que mettent les données pour sortir quand on passe de l'adresse 1 à l'adresse 0. En fait Δt1 # At2 et on peut raisonnablement écrire Δt1 = Δt2 = AAT pour simplifier.
    • b) Principe de la mesure de l'AAT moyen pour plusieurs adresses
  • Il peut être intéressant de faire osciller la mémoire sur plus de deux adresses, ce qui donne la possibilité de moyenner une pluralité d'AAT et de fournir des indications plus précises sur la rapidité de la mémoire. Egalement cette approche peut être utile dans le cas de configurations critiques: par exemple quand il y a beaucoup de lignes d'adresse à commuter simultanément.
  • On considère que l'on veut recirculer entre n lignes de sortie de données et n lignes d'adresses (ce qui correspond à 2 n adresses).
  • On place la ligne de sélection lecture/écriture en position écriture.
  • On charge un mot de n bits dans chacune des m=2n adresses, en d'autres termes, on balaye toutes les adresses et dans chaque adresse k (0<k<2n-1) on écrit un mot [mot (k)]
  • On reboucle les n lignes de sortie avec les n lignes d'adresses à travers n lignes à retard 22 (de délai unitaire T) comme cela est représenté schématiquement sur la figure 4. On positionne la mémoire 20 en mode lecture grâce à la ligne de sélection R/W 21.
  • Supposons que la mémoire soit à l'adresse (1). Au temps t=0, apparaîtra en sortie le mot [mot (1)], à t=T l'adresse sera égale à [mot (1)], mais il faut un temps Δt = AAT entre le moment où cette adresse est affichée et le moment où le mot correspondant à cette adresse est disponible sur les lignes de sortie de données:
    Figure imgb0005
  • En fait (j+1) mots, comme il n'y a au maximum que m=2 n mots différents, il existe le nombre entier p < m, tel que au bout de p adresses balayées, le cycle recommence, c'est-à-dire que l'on peut écrire :
    Figure imgb0006
  • En d'autres termes le mot disponible sur les lignes de sortie correspond en fait à une adresse déja traitée, ce qui assure la recirculation, en raisonnant comme ci-dessus en termes d'adresse et de mots on a avec p mots la correspondance suivante:
    Figure imgb0007
  • On peut conclure que la mémoire va osciller à une fréquence
    Figure imgb0008
  • Dans le cas précédent, la figure 3 avait mis en évidence que p=2. De façon générale ce facteur p est facilement déterminé par la séquence qui a été préalablement chargée.
  • Par extension de ce qui avait été écrit alors, l'AAT mesuré ici correspond à une moyenne des différents AAT pris en compte lors des différentes combinaisons d'adresse, une explication plus détaillée sera donnée lors de l'étude de la figure 13.
  • Ce facteur p est tel que 2 < p < 2n dépend des mots chargés dans la mémoire, tandis que comme on l'a vu T est une constante. La mesure de la fréquence peut se faire avec un fréquencemètre 23.
    • c) Illustration
  • Ces considérations théoriques correspondent à différents fonctionnements possibles et vont être explicitées ci-après dans le cas d'une mémoire RAM comprenant huit mots de trois bits, c'est-à-dire avec trois lignes d'adresse et trois lignes de sortie de données.
  • Le contenu de la mémoire est donné dans le tableau I. Pour chacune des adresses, le mot de trois bits en binaire a été remplacé directement par l'adresse qui lui correspond. Par exemple l'adresse 0 correspond en fait à 000, et si le contenu du mot à l'adresse 4 est 000 on écrira que le contenu est 0.
  • Figure imgb0009
  • En partant de cette table on obtient le diagramme de la figure 5. On a représenté respectivement sur l'axe des x les adresses (numérotées de 0 à 7) et sur l'axe des y le contenu de la mémoire à l'adresse correspondante qui sera après le délai T appliquée au décodeur d'adresse pour fournir la nouvelle adresse.
  • Supposons que la première adresse décodée soit 0, pour cette adresse le contenu de la mémoire est 1. Après un temps T+AAT, 1 sera la nouvelle adresse décodée. Le nombre 2 contenu à l'adresse 1 sera transféré au décodeur après un temps T+AAT et ainsi de suite. On peut suivre la séquence sur la figure 5, qui se poursuit jusqu'à ce que l'adresse 0 soit de nouveau retrouvée (ici à l'adresse 4), la mémoire va alors osciller selon le cycle d'adresse 0-1-2-3-4-0 ... etc..
  • Il en sera de même dans le cas où la première adresse décodée sera l'une des adresses 1, 2, 3 ou 4.
  • Par contre, si la première adresse décodée est 5, le contenu correspondant est 5 et après le délai T+AAT, 5 sera la nouvelle adresse décodée. La mémoire restera sur cette adresse, le système sera stable (voir figure 5).
  • Si nous supposons mainte-ant que la première adresse décodée est 6, la donnée de sortie correspondant à cette adresse est 7, ce 7 est transféré après un temps T+AAT comme nouvelle adresse; à cette adresse correspond le contenu 6. Dans ce dernier cas comme cela apparaît sur la figure 5, la mémoire oscille entre les adresses 6 et 7.
  • Ainsi, on peut confirmer les différents modes de fonctionnement étudiés ci-dessus aux points Ia et Ib. Il y a donc trois fonctionnements envisageables:
    • • la recirculation entre deux adresses,
    • • la recirculation le long d'un cycle comportant plusieurs adresses,
    • •et le système stable.
  • Le mode de fonctionnement dépendant seulement de l'adresse choisie pour initialiser l'opération et du contenu (choisi généralement) de la mémoire.
  • Des impulsions erratiques (bruit) pourraient faire basculer d'un mode de fonctionnement à un autre mode non désiré. Il est donc souhaitable de choisir une configuration de données qui ne laisse qu'un mode possible. Si l'on veut circuler entre deux adresses seulement, les adresses 0 et 2 par exemple, on choisira les données représentée sur le tableau II.
    Figure imgb0010
  • Le seul mode de fonctionnement possible est entre les adresses 2 et 0. Toutes les autres adresses renvoient à 0, assurant ainsi le cycle 2
    Figure imgb0011
    0.
    • II. Mode de réalisation préféré
  • Ainsi qu'on vient de le voir, le chargement de la mémoire et la connexion ultérieure des lignes de sorties de données et des lignes d'adresse représentent deux points clés de l'invention.
    • Il y a deux façons de procéder: a) Chargement manuel.
  • Le circuit est représenté sur la figure 6. La mémoire est chargée grâce à plusieurs commutateurs qui sont opérés manuellement.
  • Chargement : Le commutateur 61 est en position L (charge), le commutateur 62 qui commande le niveau de la ligne de sélection écriture/lecture 21 est en position W (écriture), le commutateur 63 est en position "adresse 0" et le commutateur 64 est en position "écrire 1". C'est la disposition des commutateurs représentée sur la figure 6. Le nombre 1 est ainsi placé à l'adresse 0. Puis en disposant le commutateur 63 sur la position 1, et le commutateur 64 sur la position 0, on introduit un 0 l'adresse 1.
  • Recirculation : le commutateur numéro 62 est mis en position R (lecture), et le commutateur 61 en position Re (recirculation).
  • La mémoire oscille donc entre les adresses 0 et 1 et on peut mesurer avec un fréquencemètre (non représenté) la fréquence d'oscillation et en déduire la valeur de l'AAT. La ligne à retard 22 est fermée sur l'impédance caractéristique Rc de la ligne; la valeur de Rc est imposée par les spécifications de la mémoire à tester. La ligne à retard a un délai i, qui est spécifié par le constructeur et qui est fonction de la longueur de cette ligne.
  • Ce système présente les avantages du coût et de la simplicité, cependant il est très lent (30 secondes sont nécessaires pour charger la mémoire), et nécessite en outre la présence permanente d'un opérateur).
    • b) Chargement automatique
  • Une première solution est représentée sur la figure 7. Ce système comprend un générateur de mots 71 programmable fonctionnant comme générateur d'impulsions et quatre circuits de mise en forme 72 à 75. Le circuit 74 commande un relai Rel. qui permet de relier la ligne d'adresse ad 20 à la ligne à retard pendant l'opération de lecture. Les commutateurs de sélection R/W 62 et d'entrée de données 64 (figure 6) ne sont plus nécessaires.
  • Un cycle de fonctionnement commandé par le générateur 71 est montré sur la figure 8.
  • Sur cette figure, on a représenté les niveaux de tension des différentes lignes, de sélection lecture/écriture R/W, d'entrée de données d.il, d'adresse ad 2 et l'état du relai Rel. Le relai est au niveau 1 (excité) pendant l'étape de chargement (c'est la position représentée sur la figure 7). Pendant cette étape, on écrit 0 à l'adresse 1 pendant le temps t2; le 0 est lu pendant le temps t3; puis on écrit un 1 à l'adresse 0 pendant le temps t5, opération qui est vérifiée pendant le temps t6. Ensuite, le relais passe au niveau 0 et on fait recirculer les données.
  • Une deuxième solution consistait à réaliser un circuit spécifique pour assurer le chargement, et la recirculation pour permettre les mesures de l'AAT d'une mémoire. Le système complet est représenté sur la figure 9. Dans le test par recirculation, la séquence est chargée dans la mémoire par un circuit spécialisé, qui joue donc le rôle classique du générateur de mots, mais en plus simple et en moins rapide (fréquence d'horloge 1 MHz, et calage des signaux avec une précision inférieure à 50 nanosecondes), puisque comme on l'a vu, l'AAT est essentiellement fonction du délai de la ligne à retard. En outre, tout le circuit spécialisé qui est réalisé en logique TTL standard peut tenir, sur une seule carte, ce qui permet de faire des économies considérables sur le testeur.
  • Chargement : Dans un premier temps les adresses sont balayées tandis que l'on charge dans chacune d'elles sont contenu. L'horloge 91 incrémente un compteur binaire 92. D'une part, les signaux issus de ce compteur 92 incrémentent le multiplexeur 93 qui pilote les circuits d'adresse de la mémoire 20 en cours de test et d'autre part, simultanément, servent de commande pour le multiplexeur 94 qui balaie le contenu de la matrice de programmation 95 (qui contient les informations à écrire dans la mémoire). Cette matrice peut être une mémoire de type ROM, ou REPROM, ou un simple panneau de commande avec commutateur.
  • Le circuit de retard 96 permet de compenser les délais dûs au compteur 92 et aux multiplexeurs 93 et 94 (pour être certain que les adresses et les données arrivent en synchronisme sur la mémoire) et d'appliquer à la ligne R/W 21 le potentiel d'écriture pendant le temps approprié. Le circuit de génération d'irpulsions d'écri-- ture 97 permet de positionner la mémoire en position d'écriture sous la commande du circuit 96. Lorsque toutes les adresses ont été balayées, le circuit ET 98 détecte la dernière adresse (par exemple 111) appliquée à la mémoire, et vient bloquer les impulsions d'horloge et après un certain délai dans le circuit 99 vient faire basculer le multiplexeur 93 de manière à boucler les sorties de la mémoire sur les adresses correspondantes afin de la faire recirculer.
  • Ce circuit permet d'automatiser la mesure. Il suffit d'une impulsion (manuelle ou télécommandée) sur le circuit de remise à zéro de l'horloge, pour déclencher la recirculation.
  • Pour assurer un test significatif, il est important que les données introduites en mémoire ne puissent subir les modifications non désirées au cours du temps. En d'autres termes le contenu des cellules de mémoire doit être stable. D'où l'utilisation d'alimentations en puissance programmable à faible bruit, le contrôle des températures, le contrôle des cellules de mémoire non concernées par le test, qui pourront néanmoins être chargées.
  • Les mesures de fréquences sont réalisées avec un compteur numérique, la fréquence étant simplement déduite du nombre d'impulsions n comptées durant l'intervalle T. Dans les résultats qui vont suivre on a utilisé une ligne à retard de 4,7 nanosecondes, pour des mémoires qui ont des AAT moyens de l'ordre de 5 nanosecondes. La fréquence correspondante est
  • Figure imgb0012
    • III. Résultats
  • Un montage expérimental montré sur la figure 10 voisin de celui montré sur la figure 2, a été réalisé pour tester une mémoire 32x2 (32 mots de 3 bits). On assure la recirculation entre deux lignes d'adresse consécutives à deux emplacements différents de la mémoire, par exemple entre les adresses 16 et 17 d'une part et 18 et 19 d'autre part. Dans le premier cas, à l'adresse 16 (01111), on a chargé 17 (10000) et à l'adresse 17 (10000) on a chargé 16 (01111). On a procédé de façon similaire pour les adresses 18 et 19, à l'adresse 18 on a chargé 19 et à l'adresse 19 on à chargé 18. En ce qui concerne les autres lignes d'adresse on applique un 1 à la ligne d'adresse 24 et 0 aux lignes d'adresses 23 et 22. Une ligne à retard de 4,7 nanosecondes assure le rebouclage sur la ligne d'adresse ad 20.
  • On a disposé un commutateur sur la ligne d'adresse ad 21 qui permet d'appliquer des valeurs binaires 0 et 1. Quand le commutateur est sur la position 1, on recircule entre les adresses 18 et 19 et quand il est sur la position 0, on recircule entre les adresses 16 et 17. Un fréquencemètre est disposé sur d.02 afin de ne pas perturber les mesures. On va donc mesurer la somme des temps d'accès d'adresse correspondant aux adresses 16 et 17 d'une part et 18 et 19 d'autre part.
  • Les résultats ont été comparés aux temps mesurés par un testeur plus performant de type classique sur un échantillon de 100 mémoires.
    Figure imgb0013
  • On a corrélé les AAT mesurés sur le testeur classique avec 1/2F. Les résultats sont montrés sur la figure 11 pour la recirculation entre les adresses 16 et 17 et sur la figure 12 pour la recirculation entre les adresses 18 et 19. Ils mettent respectivement en évidence les éléments suivants: (adresses 16, 17) - Le facteur de corrélation entre AAT et 1/2F est de 0,92.
  • La valeur de la différence moyenne: 1/2F-AAT est de 4,7 secondes, c'est le délai de la ligne à retard et
  • La déviation standard résiduelle est de 95 picosecondes.
  • Pour les adresses (18, 19), le facteur de corrélation entre AAT et 1/2F est de 0,92.
  • La valeur de la différence moyenne: 1/2F-AAT est £,5 nanosecondes.
  • La déviation standard résiduelle est de 95 picose des.
  • La technique de recirculation permet des mesures detemps d'accès d'adresses avec une précision égalÉ su supérieure à celle des appareils classiques les plus performants à ce jour.
  • On a enfin comparé les AAT résultants de diffé entes combinaisons d'adresses. On a mesuré les AAT pour une recirculation entre deux adresses de l'adresse A ( 0 < A < 7) à l'adresse B (0 < B < 7) pour chaque couple A,B (A ≠ B) ce qui correspond à 28 couples.
  • On peut voir sur la figure 13 pour chaque couple (A,B) en abscisse, on a représenté la somme des AAT correspondant à ce couple, c'est-à-dire (AAT(A→B) + AAT(B→A)) en ordonnées. On peut se rendre compte que lorsque les adresses A et B ont au moins deux bits opposés, l'AAT est d'environ 400 picosecondes à 500 picosecondes plus rapide, par exemple pour le couple adA = 010 et adB = 101 l'AAT correspondant est d'environ 9,5 nanosecondes. On a représenté sur la figure, les moyennes et les écarts types.
    • IV. Application industrielle
  • La technique de test par recirculation permet le test AC (en courant alternatif) des mémoires RAM et ROS, en ce qui concerne l'AAT. Ce test est effectué avec une grande précision de mesure et est très économique car la circuiterie est simple et peu performante (au point de vue des fréquences). En plus elle est indépendante de la vitesse de la mémoire à tester. Les résultats obtenus montrent que les mesures de fréquence peuvent être effectuées facilement avec des résolutions de 10-4 soit sur un temps de 30ns, une résolution de 3ps. La résolution sera d'autant meilleure que la mémoire sera plus rapide.
  • Cependant elle est limitée par le choix des configurations de test pour éviter les impulsions de bruit comme on l'a vu et également dans le test des mémoires ROS qui ont un contenu préalablement déterminé.
  • Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'inven-- tion appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention.

Claims (11)

1. Procédé de mesure du temps d'accès d'adresse (AAT) par recirculation entre n lignes de sortie et n lignes d'adresse d'une mémoire du genre comportant une ligne de sélection lecture écriture, une pluralit de lignes de sortie de données, une pluralité de lignes d'entrée de données, et une pluralité de lignes d'adresse, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes:
mise de la ligne de sélection sur la posjion écriture,
chargement dans la mémoire d'une configuration désirée de 2n mots de n bits correspondant aux 2n adresses: toutes les adresses sont balayées et à chaque adresse (k) on écrit le mot [mot (k)],
mise de la ligne de sélection sur la position lecture,
connexion de n lignes de sortie d'adresse à n lignes d'adresses par n lignes à retard de délai T; puisqu'il y a un maximum de m = 2n différents mots, il existe un entier p < m tel que
Figure imgb0014
en fait p mots, de telle sorte que la mémoire oscille avec une fréquence F telle que
Figure imgb0015
le terme AAT représentant une approximation moyenne des AAT correspondant à toutes les combinaisons des adresses intervenant dans la recirculation,
mesure de la fréquence F et détermination du paramètre p et,
détermination de la valeur de l'AAT par la relation AAT = 1/pF-T.
2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que ladite configuration de mot est telle que si à l'adresse k on écrit le mot [mot (k)J et à l'adresse j on écrit le [mot (j)] on ait [mot (k)] = adresse j et [mot (j)] = adresse k, de telle sorte que l'on recircule entre les deux adresses k et j, d'où l'on déduit
Figure imgb0016
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que les lignes d'adresse non utilisées sont reliées à des potentiels appropriés.
4. Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la mémoire est une mémoire de type RAM.
5. Testeur pour la mesure automatique des AAT des mémoires du type comportant une ligne de sélection lecture/écriture, une pluralité de lignes d'entrée et de sortie de données, une pluralité de lignes d'adresse, caractérisé en ce qu'il comporte:
des moyens pour charger la mémoire selon une configuration désirée contenue dans une mémoire annexe, afin que pour chaque adresse (k) on écrive un [mot (k)] pendant que la ligne de sélection se trouve en position écriture,
des moyens pour connecter n lignes de sortie de données de la mémoire à n lignes d'adresse à travers n lignes à retard de délai T, pour la faire recirculer entre ces adresses pendant que la ligne de sélection se trouve en position lecture, et
des moyens de synchronisation de ces opérations associés à des moyens d'initialisation et de blocage des séquences de chargement et de recirculation.
6. Testeur selon la revendication 5 caractérisé en ce que lesdits moyens de chargement comprennent un multiplexeur (94) relié d'une part aux lignes entrée de données de la mémoire et d'autre part à la mémoire annexe (95) qui contient la configuration de mots désirée sous la commande d'un compteur (92' contrôlé par les moyens de synchronisation des séquences (91).
7. Testeur selon la revendication 6 caractérisé en ce que lesdits moyens de recirculation comprennent un multiplexeur (93) alimentant les lignes d'adresse qui reçoit d'une part les données du compteur (92) et d'autre part, les données provenant des lignes de sortie de la mémoire à travers les lignes à retard, la commutation entre ces données s'effectuant sous la contrôle des moyens de synchronisation.
8. Testeur selon la revendication 7 caractérisé en ce que lesdits moyens de synchronisation (91) sont constitué par une horloge, ils sont associés à des moyens de blocage (98) quand toutes les adresses ont été balayées et à des moyens d'initialisation (INI) pour démarrer la séquence de mesure.
9. Testeur selon la revendication 8 caractérisé en ce que la ligne de sélection écriture/lecture est commandée par les moyens de sélection contrôlés par les moyens de synchronisation.
10. Testeur selon la revendication 8 ou 9 caractérisé en ce que lesdits moyens de sélection comportent un circuit de délai (96) et un générateur d'impulsions (97).
11. Testeur selon la revendication 10 caractérisé en ce que la commutation des données dans le multiplexeur (93) est contrôlée par un circuit de retard (99).
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