EA201700584A1 - Способ получения графена в условиях низких температур - Google Patents
Способ получения графена в условиях низких температурInfo
- Publication number
- EA201700584A1 EA201700584A1 EA201700584A EA201700584A EA201700584A1 EA 201700584 A1 EA201700584 A1 EA 201700584A1 EA 201700584 A EA201700584 A EA 201700584A EA 201700584 A EA201700584 A EA 201700584A EA 201700584 A1 EA201700584 A1 EA 201700584A1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- graphene
- production
- layer
- catalytic
- base substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0042—Assembling discrete nanostructures into nanostructural devices
- B82B3/0057—Processes for assembling discrete nanostructures not provided for in groups B82B3/0047 - B82B3/0052
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/188—Preparation by epitaxial growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
Способ получения относится к области наноэлектроники и спинтроники и может быть использован для среднесерийного производства графенсодержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для автомобильной промышленности, биомедицины, аэрокосмического сектора. Способ получения графена при низких температурах состоит из четырех этапов. На первом этапе исходная подложка высокоориентированного пиролитического графита очищается от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, на втором этапе при тех же вакуумных условиях наносится каталитический слой переходного металла VIII группы 4-го периода определенной толщины. За счет выбора определенных параметров синтеза (температура отжига, время отжига, толщина каталитического слоя переходного металла VIII группы 4-го периода) на заключительном этапе формируется однослойный графен. Электронная структура графена, сформированного данным способом, идентична графену, полученному другими способами (например, методом каталитической реакции крекинга углеродосодержащих газов на поверхности монокристаллических слоев или методом CVD), однако на микромасштабе число разноориентированных доменов графена увеличивается из-за особенности кристаллической структуры базовой подложки. Уменьшение числа разнонаправленных доменов графена на микромасштабе на базовой подложке высокоориентированного пиролитического графита было достигнуто за счет использования каталитического слоя Со. Рентабельность получения графена данным способом значительно повышается по сравнению со способами получения графена на монокристаллических слоях за счет двукратного снижения температуры производства, упрощения технологического процесса производства, снижения себестоимости базовой подложки (графита) для производства по сравнению с монокристаллическими слоями металлов.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017140826A RU2701920C2 (ru) | 2017-11-23 | 2017-11-23 | Способ получения графена в условиях низких температур |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201700584A1 true EA201700584A1 (ru) | 2019-05-31 |
| EA032543B1 EA032543B1 (ru) | 2019-06-28 |
Family
ID=66635956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201700584A EA032543B1 (ru) | 2017-11-23 | 2017-12-21 | Способ получения графена в условиях низких температур |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA032543B1 (ru) |
| RU (1) | RU2701920C2 (ru) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5569769B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-08-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | グラフェンフィルム製造方法 |
| CN102849961B (zh) * | 2011-07-01 | 2016-08-03 | 中央研究院 | 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法 |
| RU2499850C1 (ru) * | 2012-06-04 | 2013-11-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова" | Способ получения металлсодержащего углеродного наноматериала |
| US9593019B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-03-14 | Guardian Industries Corp. | Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices |
-
2017
- 2017-11-23 RU RU2017140826A patent/RU2701920C2/ru active
- 2017-12-21 EA EA201700584A patent/EA032543B1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2017140826A3 (ru) | 2019-05-23 |
| RU2017140826A (ru) | 2019-05-23 |
| EA032543B1 (ru) | 2019-06-28 |
| RU2701920C2 (ru) | 2019-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yin et al. | Evolution of the Raman spectrum of graphene grown on copper upon oxidation of the substrate | |
| Qiao et al. | Graphene buffer layer on SiC as a release layer for high-quality freestanding semiconductor membranes | |
| US8158200B2 (en) | Methods of forming graphene/(multilayer) boron nitride for electronic device applications | |
| WO2012092061A3 (en) | Graphene formation on dielectrics and electronic devices formed therefrom | |
| Huet et al. | Role of the Cu substrate in the growth of ultra-flat crack-free highly-crystalline single-layer graphene | |
| Neyts et al. | Formation of single layer graphene on nickel under far-from-equilibrium high flux conditions | |
| MY188989A (en) | Epitaxial hexagonal materials on ibad-textured substrates | |
| Luan et al. | An electrically conductive SiBCN film prepared via polymer-derived ceramic and chemical vapor deposition methods | |
| Chowdhury et al. | Tensile strength and fracture mechanics of two-dimensional nanocrystalline silicon carbide | |
| EA201700584A1 (ru) | Способ получения графена в условиях низких температур | |
| CN105129785B (zh) | 一种绝缘体上石墨烯的制备方法 | |
| CN102505141A (zh) | 基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法 | |
| Varga et al. | Diamond growth on copper rods from polymer composite nanofibres | |
| Hu et al. | High-quality, single-layered epitaxial graphene fabricated on 6H-SiC (0001) by flash annealing in Pb atmosphere and mechanism | |
| CN103928305A (zh) | 一种通过控制衬底上的石墨烯成核位点生长石墨烯的方法 | |
| WO2018166802A3 (de) | Beschichtetes produkt und verfahren zur herstellung | |
| Aryal et al. | Epitaxial graphene on Si (111) substrate grown by annealing 3C-SiC/carbonized silicon | |
| Chandran et al. | Adhesive microcrystalline diamond coating on surface modified non-carbide forming substrate using hot filament CVD | |
| Kim et al. | Growth and characteristics of polycrystalline 3C–SiC films for extreme environment micro/nano-electromechanical systems | |
| Deretzis et al. | Structural and electronic inhomogeneity for graphene grown on the C-face of SiC: Insights from ab initio calculations | |
| JP2021017391A (ja) | 炭素複合部材 | |
| CN106399967B (zh) | 一种SiC薄膜材料的制备方法 | |
| CN102655080B (zh) | 基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法 | |
| CN102683183B (zh) | 基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法 | |
| Shen et al. | The annealing effect of chemical vapor deposited graphene |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG TJ TM RU |