EA026752B1 - Способ изготовления диода шоттки - Google Patents

Способ изготовления диода шоттки Download PDF

Info

Publication number
EA026752B1
EA026752B1 EA201400948A EA201400948A EA026752B1 EA 026752 B1 EA026752 B1 EA 026752B1 EA 201400948 A EA201400948 A EA 201400948A EA 201400948 A EA201400948 A EA 201400948A EA 026752 B1 EA026752 B1 EA 026752B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
formation
schottky diode
window
contact electrode
barrier layer
Prior art date
Application number
EA201400948A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201400948A1 (ru
Inventor
Аркадий Степанович Турцевич
Ярослав Александрович Соловьев
Олег Эрнстович Сарычев
Валентина Егоровна Лиходиевская
Original Assignee
Открытое акционерное общество "ИНТЕГРАЛ"-управляющая компания холдинга "ИНТЕГРАЛ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "ИНТЕГРАЛ"-управляющая компания холдинга "ИНТЕГРАЛ" filed Critical Открытое акционерное общество "ИНТЕГРАЛ"-управляющая компания холдинга "ИНТЕГРАЛ"
Priority to EA201400948A priority Critical patent/EA026752B1/ru
Publication of EA201400948A1 publication Critical patent/EA201400948A1/ru
Publication of EA026752B1 publication Critical patent/EA026752B1/ru

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно к способу изготовления кристаллов мощных диодов Шоттки, и может быть использовано, например, для изготовления выпрямителей переменного тока для изделий силовой электроники. В основу настоящего изобретения положена задача снижения обратного тока диода Шоттки и уменьшения удельного расхода рения. Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления диода Шоттки, включающем формирование в сильнолегированной кремниевой подложке n-типа проводимости со слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости охранного кольца р-типа проводимости, образующего р-n переход, формирование окисла кремния, вскрытие в окисле кремния окна, формирование в окне углубления величиной 0,05-0,5 мкм, формирование барьерного слоя электрода Шоттки, контактного электрода; барьерный слой электрода Шоттки формируют из рения толщиной от 5,0 до 15,0 нм, а перед формированием контактного электрода формируют слой молибдена толщиной от 100 до 300 нм.

Description

Н0П 29/47 (2006.01) (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ
(43) 2016.02.29 (56) ВУ-С1-16184
(96) 2014/ЕА/0059 (ΒΥ) 2014.07.30 ВУ-С1-8449 ΙΡ-Α-2010056313
(71 )(73) Заявитель и патентовладелец: §и-А1-1037809
ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ВУ-С1-10252
ОБЩЕСТВО ИНТЕГРАЛУПРАВЛЯ ЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА ИНТЕГРАЛ (В¥) (72) Изобретатель: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Лиходиевская Валентина Егоровна (ВУ) ТГ8-А1-20120043551
026752 В1
026752 Β1

Claims (1)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    Способ изготовления диода Шоттки, включающий окисление сильнолегированной кремниевой подложки η-типа проводимости со слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости, формирование в эпитаксиальном слое охранного кольца р-типа проводимости, образующего р-η пе- 2 026752 реход, вскрытие в окисле кремния окна, формирование в окне углубления величиной 0,05-0,5 мкм, формирование барьерного слоя электрода Шоттки и контактного электрода, отличающийся тем, что барьерный слой электрода Шоттки формируют из рения толщиной от 5,0 до 15,0 нм, а перед формированием контактного электрода формируют слой молибдена толщиной от 100 до 300 нм.
EA201400948A 2014-07-30 2014-07-30 Способ изготовления диода шоттки EA026752B1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA201400948A EA026752B1 (ru) 2014-07-30 2014-07-30 Способ изготовления диода шоттки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA201400948A EA026752B1 (ru) 2014-07-30 2014-07-30 Способ изготовления диода шоттки

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201400948A1 EA201400948A1 (ru) 2016-02-29
EA026752B1 true EA026752B1 (ru) 2017-05-31

Family

ID=55404346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201400948A EA026752B1 (ru) 2014-07-30 2014-07-30 Способ изготовления диода шоттки

Country Status (1)

Country Link
EA (1) EA026752B1 (ru)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056313A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法
US20120043551A1 (en) * 2005-11-15 2012-02-23 Power Integrations, Inc. Second contact schottky metal layer to improve GaN schottky diode performance

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120043551A1 (en) * 2005-11-15 2012-02-23 Power Integrations, Inc. Second contact schottky metal layer to improve GaN schottky diode performance
JP2010056313A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EA201400948A1 (ru) 2016-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014041917A5 (ru)
JP2015122525A5 (ru)
JP2014093526A5 (ru)
WO2014172164A3 (en) Method of fabricating a merged p-n junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer
US10510800B2 (en) Device comprising a light-emitting diode and a Schottky barrier diode rectifier, and method of fabrication
GB2499176A (en) A schottky barrier diode, a method of forming the diode and a design structure for the diode
GB2514711A (en) Power semiconductor device and method for manufacturing thereof
MY187483A (en) Alignment free solar cell metallization
EP1906454A3 (en) Semiconductor device
MY180755A (en) Solar cell and manufacturing method of solar cell
CN105321994B (zh) 一种氮化镓二极管及其制备方法
WO2011126209A3 (ko) Pn접합 및 쇼트키 접합을 갖는 다중 태양 전지 및 이의 제조 방법
EA026752B1 (ru) Способ изготовления диода шоттки
CN208157435U (zh) 电子书触控板传感器用光电二极管
EA201400949A1 (ru) Диод шоттки
JP2012256670A (ja) ショットキーダイオードおよびｐｎダイオード
CN206340552U (zh) 一种低温升高气密性肖特基二极管
RU2015139136A (ru) Высокочастотный силовой диод и способ его изготовления
CN111106182A (zh) 一种肖特基器件沟槽结构及其制备方法
JP2019016720A5 (ru)
CN107046065B (zh) 一种内建肖特基界面的垂直场效应二极管的制造方法
US8728834B2 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing the same
CN209515678U (zh) 一种肖特基二极管半导体的电荷补偿结构
WO2016089254A3 (en) Method of ionizing radiation sensor manufacturing
CN204538049U (zh) 微型硅光电二极管

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG TJ TM

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): RU