Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric CofiledCriticalWestern Electric Co
Application grantedgrantedCritical
Publication of DK85407CpublicationCriticalpatent/DK85407C/da
DK417854A1954-03-051954-12-27Fremgangsmåde til fremstilling af et tyndt halvledende overfladelag af p-type silicium på en halvleder af n-type silicium.
DK85407C
(da)
Fremgangsmåde til epitaktisk aflejring af et monokrystallinsk, højohmigt lag af silicium på et monokrystallinsk underlag af lavohmigt, med donatormateriale stærkt doteret silicium.