DK85407C - Fremgangsmåde til fremstilling af et tyndt halvledende overfladelag af p-type silicium på en halvleder af n-type silicium. - Google Patents

Fremgangsmåde til fremstilling af et tyndt halvledende overfladelag af p-type silicium på en halvleder af n-type silicium.

Info

Publication number
DK85407C
DK85407C DK417854A DK417854A DK85407C DK 85407 C DK85407 C DK 85407C DK 417854 A DK417854 A DK 417854A DK 417854 A DK417854 A DK 417854A DK 85407 C DK85407 C DK 85407C
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
type silicon
semiconductor
producing
surface layer
semiconductor surface
Prior art date
Application number
DK417854A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Application granted granted Critical
Publication of DK85407C publication Critical patent/DK85407C/da

Links

DK417854A 1954-03-05 1954-12-27 Fremgangsmåde til fremstilling af et tyndt halvledende overfladelag af p-type silicium på en halvleder af n-type silicium. DK85407C (da)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US85407XA 1954-03-05 1954-03-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK85407C true DK85407C (da) 1958-04-21

Family

ID=21732161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK417854A DK85407C (da) 1954-03-05 1954-12-27 Fremgangsmåde til fremstilling af et tyndt halvledende overfladelag af p-type silicium på en halvleder af n-type silicium.

Country Status (1)

Country Link
DK (1) DK85407C (da)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL141329B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
CH349703A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
FR1136020A (fr) Procédé de production du silicium
FR1153475A (fr) Dispositif semi-conducteurs au silicium
FR1129882A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1140519A (fr) Fabrication de semi-conducteurs
BE585390A (fr) Procédé de fabrication de silicium de très grande pureté.
DK126461B (da) Fremgangsmåde til epitaktisk aflejring af et monokrystallinsk, højohmigt lag af silicium på et monokrystallinsk underlag af lavohmigt, med donatormateriale stærkt doteret silicium.
FR1173287A (fr) Dispositifs semi-conducteurs au silicium
FR1162834A (fr) Fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR71164E (fr) Semi conducteur contenant du silicium et méthode de fabrication pour celui-ci
DK85407C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et tyndt halvledende overfladelag af p-type silicium på en halvleder af n-type silicium.
FR1137318A (fr) Dispositif semi-conducteur à jonction p-n de grande surface
BE605340A (fr) Procédé de fabrication du silicium de grande pureté.
FR1088371A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs électriques à jonction p-n
FR1152585A (fr) Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium
FR1206897A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
BE601416A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur en silicium.
FR1094267A (fr) Procédé de fabrication de monocristaux semi-conducteurs
DK120090B (da) Fremgangsmåde ved fremstilling af halvlederelementer med et siliciumoxidlag.
FR1154281A (fr) Fabrication de silicium pur
FR1143171A (fr) Diode semi-conductrice
DK85334C (da) Fremgangsmåde ved fremstilling af asymmetrisk ledende elementer til frembringelse af et tellurlag på et halvledende legeme af kadmiumtellurid.
DK93362C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederindretninger.
BE604107A (fr) Procédé de fabrication de dispositif semi-conducteurs.