DER0001676MA - Lichtempfindliches Element - Google Patents

Description

Lichtempfindliches Element

Die Erfindung besieht sich auf ein Material mit lichtelektrischer leitfähigkeit und auf mit diesem Material ausgerüstete Geräte.

. _v Insbesondere beruht die Erfindung auf der Entdeckung,daß bc.ar-V^e« Selen, dampf* und 4*mm Lm Vakuum auf einer kalten Fläche qaioflorgoschlagen wurde, ausgezeichnete lichtelektrische Eigenschaften zusammen mit einem hohen Dunkelwider-Stand aufweist. Als eine Folge dieser Erkenntnis wurden Geräte geschaffen, die diese rotgefärbte Form des Selens als lichtempfindlichen fell eines lichtelektrischen Elementes benutzen. Die Ergebnisse von erschöpfenden Nachprüfungen scheinen mit einer vorher veröffentlichten Arbeit darin übereinzustimiaen, daß das so niedergeschlagene Selen im wesentlichen ganz amorph anstatt kristallin ist und daß, vre an etwas kristallinisc-hes Selen vorhanden ist, es sich um die rote,monokllnische Abart handelt und es nur in sehr kleinen Mengen anwesend ist.

Mit dem in vorliegender Beschreibung benutzten Ausdruck "amorphes Selen" wird das nach der obigen Beschreibung -hergestellte Selen bezeichnet, wobei die Anwesenheit von sehr geringen Mengen der kristallinen Form, die fast niemals ganz fern gehalten werden können, nicht ausgeschlossen sein soll.

Es war bisher bekannt, daß verschiedene Stoffe die Kigenschaft besitzen, daß sie dem Durchgang des elektrischen Stromes einen geringeren Widerstand darbieten, wenn sie dem Licht ausgesetzt sind, als wenn sie sich im Dunkeln befinden. Bei einigen dieser Stoffe ist Indessen der Dunkelwiderstand nicht hoch genug, um praktischen fcert zu haben, und bei anderen Stoffen ist

die Empfindlichjfceit für Änderungen der Belichtung3stärke nicht sehr QxoQ·

Das Blement SJelen kommt bekanntlich in mehreren vor sohle» denen allotropischen forsten vor, von denen zwei kristallinisch und eine weitere amorph Slnd₈ Sine der kristallinischen Foriaea hat ein graues metallisches aussehen, während die andere eine rotgefärbte monoklinische Abart ist. Die amorphe (nicht kristallinische) Form ist ebenfalls von roter Farbe. Von beiden kristallinen Formen war bisher bekannt« dai sie photoelektrisch leitend sind und die graue Form wurde insbesondere allgemein in Photozellen und anderen Geräten mit lichtempfindlichen Elektroden verwendet· Ss war indessen nicht bekannt, daß die amorphe Abart ebenfalls photoelektrisch leitend 1st und daß sie viele vorteilhafte Eigenschaften besitzt. Durch Verwendung der roten amorphen Abart des Selens für den lichtempfindlichen Schirm las» sen sich bedeutend verbesserte Geräte, wie Fernseh-Aufnahmeröhren, bauen.

Die Erfindung bezweckt, eine verbesserte lichtempfindliche Zelle zu schaffen. Weiterhin bezweckt die Erfindung, eine verbesserte Schirmelektrode für Fernseh-Aufnahmeröhren zu schaffen. Mach einem weiteren Zweck der Erfindung, soll eine verbesserte Fernseh-Aufnahmertfhre geschaffen werden. Kaeh einem weiteren Zweck der Erfindung soll eine Fernseh-Aufnahmeröhre mit verbesserter Empfindlichkeit geschaffen werden. Ausserdem bezweckt die Erfindung, eine verbesserte Fernseh-Aufnahmeröhre mit verein» fachter Bauart zu schaffen« Schließlich bezweckt die Erfindung, eine verbesserte Fernseh-Aufnahmeröhre mit vereinfachter Arbeitsweise su schaffen.

Früher® Forscher haben gefunden, daß amorphes Selen aus irgendeiner der anderen allotropischen Formen hergestellt werden kann, indem man eine Menge des Elementes la einem Vakuum ver® dampft und den Bmpf auf einer kalten Fläche kondensierte Ple Flieh© muß auf einer Iemperatur wesentlich unter 6«5°C und vorzugsweise unter 5o°C gehalten werden, da das amorphe Selen in die kristalline Abart feel !Temperaturen von 6*5 - 9o°G Iibergeht_e

Das so niedergeschlagene Selen kann in verschiedenen Arten von Geräten verwendet werden, die ein lichtempfindliches Element der lichtelektrisch leitenden Art verwenden. Weitere Binzelhel· tea und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausf Uhrungsbelspielen an Rand der Zeichnung« Darin zeigen

Fig.l eine perspektivische, teilweise aufgebrochene Ansicht einer Photoaelle nach einer AubfUhrungsform der Erfindung,

Flg. 2 eine ähnliche Ansicht einer weiteren !type einer Fhotozelle, die eine «weite Ausführung form der Srfindung darstellt,

Fig.3 eine teilweise geschnittene und teilweise sehaubildliehe Aufsicht einer Fernsehaufnahmeröhre mit der Elektronenoptik der Orthlkon-l'ype und veranschaulicht eine dritte Aueführungsform der Erfindung,

Fig.4 ein Schaubild einer Fernseh-Aufnahmeröhre mit einer Elektronenoptik der Ikonoskoptype, die eine vierte AusfUhrungsform der Erfindung veranschaulicht, und

Fig.5 ein Schaubild einer Aufnahmeröhre mit Liehtetrahl· abtastung zur Veranschaulichung einer ^fünften Ausfuhrungeform der Erfindung.

Wie Fig. 1 sseigt, kann ein* Ahotoeelle 2 hergestellt werden,

Indea man ein® Schicht 4 von amorphem Selen auf einer MetallstUts« platte β niederschlägt und dann eine dünne«lichtdurchlässig© Metallschicht 8 auf die Selenschicht aufbringt. Zuiuhrungsdrähte Io und 12 werden mit der Metallplatte 6 baw. dem oberen Metall* Ubersug 8 verbunden. V»'ie oben erwähnt, wird die Selenschicht hergestellt, indem man eine Menge des Elementes im«**»» Vakuum verdampft und sie auf die Metallplatte niederschlägt, die vorzugsweise auf Kaumtemperatur oder darunter gehalten wird, obwohl es zulässig ist, ihre Temperatur etwas au erhöhen. Die Metallplatte 6 und der metallische überzug 8 dienen als Elektroden, mit wolohen ein Kreis durch die photoelektrische Sohicht 4 hergestellt wird. Hüne Batterie oder andere Gleichstromquelle kann Energie an den Kreis liefern, der andere !Ueile, wie einen Strommesser 14 enthalten kann.

Die Metallplatte und aer Metallüberzug der vorstehend beschriebenen Ausfllhrungsform können aus Aluminium bestehen, obwohl verschiedene andere Metalle auch verwendbar sind.

Kine weitere typische Ausführung einer Photoselle 16 mit dem neuen photoelektrischen Material gemäß der Erfindung 1st in Fig. 2 veranschaulicht. Diese Ausführung besitzt eine StUtsplatte la aus Isoliermaterial, wie Glas oder Glimmer. Auf der Stützplatte 1st eine dünne,lichtdurchlässige Schicht 2© eines leitenden Stoffes niedergeschlagen, der aus einem Metall, wie Aluminium, bestehen kann. Kine Schicht von amorphem Selen 22 1st (durch das oben beschriebene Verfahren) auf dem Metallüberzug 2© niedergeschlagen und eine zweite Metallschicht 24 dann über dem Selen aufgebracht. Zuführungen 26 und 28 Bind mit den Metallschichten 2© bezw. 24 verbunden, i^lese Zeile kann in einem Kreis in gleieher Ssise wie die Fhotozell· 2fgeschaltet werden.

Bei allen oben beschriebenen msfuhrungsformen wird Mcht auf die Oberfläche des Selens gerichtet und bei einer Änderung der Lichtstärke ändert sich die Leitfähigkeit des Selens in direktem Verhältnis eu der Lichtstärke. So hat mehr Licht eine höhere Stroaiablesung an dem Strommesser 14 und weniger Licht eine niedrigere Ablesung zur Folge· In beiden Fällen sollte wegen der besseren ^rupfindlichkeit die belichtete Seite der Zelle vorzugsweise die positive Elektrode sein.

Binex der hauptsächlichen Vorteile, die bei der Verwendung von amorphem Selen in einer lichtempfindlichen Zelle nach der obigen Beschreibung festgestellt wurden, ist der, dag diese form des Selens einen höheren Dunkelwiderstand aufweist als andere Formen. Dies fuhrt zu einem viel niedrigeren Dunkelstrom und einem höheren Verhältnis zwischen der stromablesung bei Licht und Dunkelheit.

Kln weiterer wichtiger Vorteil bei der Verwendung von amorphem Selen in einer irhotozelle ist der, daß es eine geringere Verzögerung beim Ansprechen auf >Joderungen der Lichtstärke auf· weist, Eis bei anderen Formen des Selens festgestellt wurde.

Auf Uxund der verbesserten Eigenschaften des amorphen Selens hinsichtlich des geringeren Dunkelstroas wurde festgestellt, daß bedeutend verbesserte Fernseh-Aufnahmeröhren der Orthikonf^'pe gebaut werden können, von welchen eine Ausführungsform in Fig.3 veranschaulicht 1st. Der Punkelwiderstand des amorphen Selens ist so hoch, daß er eine Ladungsspeicherung während der Bilddauer gestattet und dadurch hohe Sapfindllchkelt gewährleistet. Wie dargestellt, besitzt die Röhre 3o einen evakuierten QlasZylinder mit einer Seitenwand 32, dessen Sndwand 34 als Grundplatte dient,durch welche verschiedene Zuführungen in die Röhre elntre-

ten, während durch eine weitere Sadwand 36 die Liehtatrtehlen von der aufgenommenen Hzene einfallen«

Iiie Innenfläche der Seitenwand 32 ist mit einem leitenden Mittel 38 versehene das entweder ein leitender Belag oder ein Metallsylinder sein Icann·

IJie Innenseite des Aufnahmeendes 36 ist sit einer durchscheinenden Signalplatte 4o versehen, auf welcher ein Überzug aus amorphem Selen niedergeschlagen ist. Die durchscheinende Signalplatte kann aus einem lichtdurchlässigen Metallüberzug oder vorzugsweise aus einem durchscheinenden überzug aus leitendem Material, wie 2innoxyd,bestehen, der durch an sich bekannte Verfahren niedergeschlagen wird. Das Selen wird vorzugsweise niedergeschlagen, indem man eine kleine üenge des Elementes in einem kleinen Seitenarm 43 einbringt, der an die Seitenwand 32 dicht angesetzt 1st und einen offenen Durchgang hat, der in das Innere des grösseren Höhrenaylinde rs führt. Dann werden, während die Köhra unter Vakuum steht, der kleine Seitenarm und alle Teile der syllndrlschen Höhr©, mit Ausnahme der Signalplatte, auf eine Temperatur erhltst,die hoch genug ist, um das Seien zu verdampfen. Das Selen wird aus dem Seitenarm ausdestilliert und der größte Teil nur auf der relativ kalten Signalplatte 4o als dUnner, gleichförmiger Belag niedergeschlagen. Es wird soviel Selen verwendet, daß ein Belag von vorzugsweise ca. ol ■■p Dicke erzeugt wird, jedoch 1st dies nicht kritisch. Wie bei den oben beschriebenen Ausführungen der Erfindung sollte die Fläche,auf welcher das Selen niedergeschlagen wird, vorzugsweise auf einer Temperatur unter ^o⁰G gehalten werden.

Die Kühr® 3o wird auch mit den erforderlichen, an sich be-

kannten Ausrüstungen versehen, um einen Elektronenstrahl zu erzeugen und diesen Strahl so zu Steuern_fdaß er den Mt Selen überzogenen Schirm abtasten kann» In der Röhre sind neben der Grundplatte ©in® Glühkathode 44 als Elektronenquelle₉ ein die Kathode Uiagebendes (litter 4*5 und eine positiv geladene BeBchleunigungselektrode 46 in Form eines das Gitter umgebenden und sich Uber dieses hinaus erstreckenden Metallzylinders angeordnet. Das Vorder ende der Beschleunigungselektrode ist mit einer Begrenzungsöffnung 48 versehen. Das Gitter 45 ist über eine Leitung 47 an eine (nicht dargestellte) negative Potentialquelle angeschlossen. Die Beschleunigungselektrode 46 ist durch eine Leitung 5o an eine (nicht dargestellte) positive Potentialquelle angeschlossen Der Wandbelag 38 dient als BUndelungselektrode und 1st ebenfalls über eine Leitung 52 an eine (nicht dargestellte) positive Potential quelle angeschlossen. Die HtJhre 1st ferner alt einer Ringelektrode 54 neb η der mit Selen überzogenen Signalplatte versehen. Diese Ringelektrode ist eine Verzügerungselektrode und unterstützt die Bündelung an den Kändern der Signalplatte.

Ausserhalb der Röhre 3o sind Einrichtungen zur Steuerung der Abtastung und der Bündelung des Elektronenetrahles vorgesehen. Diese können aus den üblichen Ablenkspulen *6, die längs der Aussenseite der Seitenwand 32 etwa halbwegs zwischen der Kathode 44 und dem Selenschirm 42 angeordnet sind» und Bündelungsspulen 58 bestehen, die ausserhalb dieser Spulen angeordnet sind« Ferner können neben den ixöhrenwänden kleinere joisrichtspulen 6o angeordnet sein, die eine Kompensation der mechanischen Fehlausrichtung des 2C- Lektronenerζeugers oder des Schirms bezwecken.

Die Verwendung des ülektronenstrahl-Schlrmes gemäß der Er-

findung ermöglicht cine bedeutend verbesserte Arbeitsweise der Röhre, die sich durch äusserst« Einfachheit des Betriebes und der Jberwachung kennzeichnet» £e kann entweder eine /Atsstuag mit hoher oder niedriger Elektronen-Geschwindigkeit angewendet v/erden« Im Betrieb kann die Kathode auf Krdpotential und aas Gitter bei · 2? V arbeiten· ie uen ülektronenereeuger umgebende Beschleunigungselektrode 4b kann mit einer quelle eines positiven Potentiale von 5oo V verbunden werden, während die Bündelungselektrode 58, die sich konzentrisch zu der Bahn des Elektronen« Strahles erstreckt,mit einer -*uelle eines positiven Potentials von 2oo V verbunden werden kann« Bei Verwendung einer Abtastung mit geringer Elektronen-Geschwindigkeit wird eine kleine positive Spannung von s.B. s - Io V der Signalplatte 4© aus einer irotentialquelle auge führt, die eine Batterie 62 und einen Widerstand 64 umfasst. Die gewählte Spannung kann durch Bewegen eine» Schiebers verändert und ein Belastungewiderstand 66 kann in den Srels eingeschaltet werden. Die Signalplatte kann auch direkt an einen (nicht dargestellten) Verstärker über einen Block-Kondensator 66 angeschlossen werden.

Bei Zuführung der positiven Spannung an die Signalplatte ist die Arbeitsweise die folgende« Der Blektroaenstrahl wird auf die mit Selen übersögene Signalplatte gebündelt und zu ihrer wiederholten Abtastung veranlasst, wenn ein Bild auf der Aufnahmewand 36 mittels eines bei 7o angegebenen optischen Systems abgebildet wird. Bevor Licht auf die blatte gerichtet wird, ist der Selenschirm im Dunkeln ein Isolator und der E-iektronenstrahl ladet die Abtastseite auf Kathodenpotential. \msm Ücht auf den Schirm auftreffen kann, wird ale !leitfähigkeit des belens erhöht, wodurch die abgetastete Fläche des Schirmes während der Bllddauer

allmählich positiv aufgeladen wird. Der Abtaststrahl setst Elektronen proportional m der Lichtstärke ab» die die abgetastete Fläche auf das Potential Hull zurückführen.

Bei Betrieb der Kbhre unter Anwendung einer Abtastung mit hoher Klektronen-Geschwinaigkeit kann die Signalplatte gegenüber dem Iiandpotential entweder positiv oder negativ gehalten werden» wodurch ein Bildsignal von der eine» oder anderen Polarität er» seugt wird_e

Anstatt den Bildsignalverstärker? wie oben beschrieben, direkt an die Signalplatte ansuschliessen, kann auch ein Bildürthikoa mit iulektroaenvervielfaoher verwendet werden.

Bie Verwendung des photoelektrIschen,amorphen, roten Selens verbessert, wie festgestellt wurde, bedeutend den Betrieb der Ferneeh-Aufnahmeröhre des Orthikontypa, teilweise wegen seines

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ungewöhnlich hohen Duakelwiderstaadea_f der üoer Io Qha-cm liegt. Mn hoher üuakelwiderst&na des liohteapflndliohen Materials der Schirmelektrode ergibt ein klareres, gleichförmigeres Bild,da die von dem den Schirm abtastenden Strahl im Dunkeln erzeugten Störsignal® geringer sind.

Ea wurde ferner festgestellt, daß bei Verwendung von amorphem Selen als liohteaipfindliehes Material, auf welchem die aufgenommene Saene abgebildet wird, auch verbesserte Fernseh-Aufaahme· röhren anderer !typen gebaut werden können.

Ein Beispiel dieser anderen Typen von Köhren ist in Fig.4 gezeigt, die eine Köhre des Ikonoskoptyps veranschaulicht. Diese höhre kann einen Glaskolben 72 aufweisen alt einer leitenden Slgnalplatte 74, die einen Belag 76 aus amorphe» Selen trägt, der, wie oben in Verbindung mit der Orthikon-Typβ beschrieben,nieder·

geschlagen wurde» Pi© Signalplatte ist über einen Belastungswiderstand 80 mit einer Quelle eines negativen Potentials 78 verbunden. Das BiIdalgnal wird ebenfalls von der Signalplatt© !Sittels eines Leiters 82 abgenommen. Die Leitung für das Bildsignal kann über einen Kopplungskondensator t34 an einen (nicht dargestellten) Verstärker angeschlossen werden.

Eine Samsielelektrode 86, die in Form eines Iietallringes ausgebildet sein kann, ist «wischen der überzogenen Signalplette und dem Aufnahmefenster 88 der Röhre vorgesehen, durch welches die Lichtstrahlen auf die Selenfläche auftreffen. Ss sind aueh geeignete Eletaente vorgesehen, um den Selenschlrm mit einem gebündelten .elektronenstrahl abzutasten. Diese Elemente Minnen eine Elektronenquelle in Form einer Kathode 9o umfassen, die mit eineis Heizdraht 92 versehen 1st· Sin Gitter 94 umgibt die Kathode. Das Gitter isVeiner Öffnung 96 versehen, durch welche Elektronen von der Kathode 9o auf die Signalplatte geworfen werden* Konzentrisch zu der Äöhrenaohse ist eine Beschleunigungselektrode 9<i angeordnet, die eine Eintritts öffnung Ioo und eine Ausgangsöffnung lo2 aufweist. In eier Fähe der AusgangeUffnung ist eine BUndelungs-Elektrode lo4 angeordnet.

Iia Betrieb kann die ernitete Kathode sauf einem Potential von ca., - Iooo V und das Gitter 94 auf ca. - lc25 ν gehalten werden. Die Beschleunigungs-elektrode 90 1st geerdet, während die BUndelungs-Elektroöe lo4 auf ca. - 800 V gehalten wird. Ple Signalplatte 74 kann auf einem Potential von ca· - 15. V betrieben werden. Der von der Kathode erzeugte Klektronenstrom wird neben der Oitteröffnung 96 gebündelt und die jenseits des Brennpunktes divergierenden Elektronenstrahlen werden wieder auf einen Fleok auf der Fläche der Schirm-Elektrode gebündelt. Dieser Fleck wird

durch. Betrieb der Ablenkspulea lo6, die aussen auf dem Röhrenkolben angeordnet Siad_s zur Abtastung über die Schirmfläche geführt.

Pie von der ferngesehenen u-zem reflektierten XJLchtstrah· Ien werden auf der mit Selen überzogenen Fläche 76 mittels eines optischen Systems IoB abgebildet. Differensen in der Stärke des auf den Selenbeleg auftreffenden Idchtea verursachen entsprechende Änderungen in der Leitfähigkeit des Selens und wenn der Selenbela_jFr von dens Elektronenetrahl abgetastet wird, wird das Bildsignal erzeugt und an der Signalplatte über die Leitung 82 abgenommen.

Kine weitere Ausflihrungsform einer if ernseh-Mif nahmeröhre gemäS der Erfindung ist diejenige, welche die Lichtstrahlabta« stung nach B'igur ⁸S verwendet. Wie in dieser Figur gezeigt, kann eine /anordnung zur Lichtstrahlabtastung eine Aufnahmeröhre Ilo aufweisen, a'le einen doppelseitigen, lichtempfindlichen Schirm 112, ein optisches System 114 für die Abbildung einer Ssene auf einer Seite des Schirmes 112 und eine Liehtstrahlabtastung besitzt» die in Form einer Kathodenstrahlröhre IIb zusammen mit eIneic geeigneten optischen System 118 sur Abbildung des Lichtes von dem bewegten Fleck auf der anderen Seite des Schirmes 112 ausgebildet sein kann«.

Ple aufnahmeröhre Ilo dieses Systems kann einen evakuierten Kolben 12o besitzen, in welchem der lichtempfindliche Schirm und eine Saratael-Elektrode 122 angeordnet sind, hex UUhrenkolben kann aus einer zylindrischen Seitenwand 124,einem durchsichtigen, der ferngesehenen Ssene zugewendeten Aufnahme fens te r 126 und einem durchsichtigen Abtastienster 123 bestehen,das der Lichtstrahlabtastung zugewendet wird« Cer Schirm 112 kann eine sehr

dünne !'latte 13o aus einem Halbleiterstoff mit einem spezifischen Widerstand von ca* Ioⁱⁱ Ohm-cm aufweisen* Pies® Platte hat vor-KUgswelee eins Stärke von weniger als 1 Äiioron. Die de» Aufnahmefenster zugewendete Seite dieser Jrlatte ist mit einem Belag von amorphem Selen 132 verseilen, der auch eine Stärke von ca. 1 Micron haben kann. Der Selenbelag wird dann mit einem lichtdurchlässigen äetallfilm 134 bedeckt, der sit einer quelle eines geringen negativen Potentiale, vorzugsweise in der Größenordnung von I^tS V verbunden werden kann«

Pie andere, der Lichts trahlab t as tung sugewendete Seite der Halbleiterplatte 13o ist mit einem Mosaik 136 einer .rhotoelektronen emittierenden Substanz versehen. Diese kann Silberoxyd und Cäsium sein»

Die Sammel-Klektrode 122 ist vorzugsweise in Form eines Belages von leitendem Stoff auf der Innenseite des der Liohtstrahlab tastung sugewenueten Fensters 128 ausgebildet. Der leitende Btlag kann Zinnoxyd oder ein Metall sein« Diese Sammelelektrode ist mit ärde über einen Be1ast ungawid er s tand 138 verbunden und mit einer Leitung 14o versehen, Uber die das Bildsignal über einen Kopplungskondensator 142 einem (nicht dargestellten) Verstärker EUgefUhrt wird. Wenn kein Licht von einer Szene einfällt, ist der Dunkelwiderstand des Selens so hoch, daß ein StromfluS durch die lichtelektrisch leitende elektrode verhindert wird. Folglich wird kein StromfluS in der Samiae l-i£ Iek tr ode 122 auftreten.

Wenn Licht auf den Selenbelag trifft, leitet das Selen und wird von der mit dem Metallfilm 134 verbundenen Quelle eines negativen Potentials negativ geladen» Der durch den Halbleiter 13o geleitete Strom ladet die photoeaittierende Fläche 136 negativ.

Per ©of die negativ geladene, photoemittierende Fläche fallende Abtaetfleoic veranlaßt ©ine ^ieBion von Elektronen, die zu der Sasuae 1-rilekt rode 122 übergehen, kie £lektroaenemiß*ion au ε der photoealttierenden FltlOhe κ-ürde ciieae bald mit einer,eine weiter« Amission verhindernden Aufladung zurücklassen, Jedoch bewirkt mehr Idcht, d&a auf den Uelenbolag fällt, einen entsprechenden negativen StroaifIuS und führt die photoemittierende Fläche auf ein negatives iOtentiai zurück.

wie .Liderungen dee a.if der Sammel~£lektrode 122 auftretenden stromes ergeben die iir Zeugung eines Bildsignals.

Bei allen vorstehend beschriebenen AusfUhrungs fοrmen, bei denen eine leitende Elektrode als bi^jialplatte in Berührung mit einem Selenbela^ erforderlich iet, kann jedes Metall od«r j«rd# leitende Substanz verwendet werden, die mit dem Selen nicht in ungünstiger «*eise reagiert. Unter den Metallen,mit denen besonder« gute Ergebnisse festgestellt wurden, befinden eich Gold,ilatin, λΙufflinlum,Beryllluß, zeretäubtes lalladium und Silber. Die Verwendung eines dieser i&etaile bietet iaa Vergleich zu einem leitenden teterial? wie 2innoxyd, den Vorteil, daß die spektraleapfindlichen Ai^enachaften der Zelle verändert werden. Die Koablnation von Seien und Zinnoxyd ergibt eine Zeile alt beträchtlich besserer J«;pfindlichkeit in dem blauen IsiKle des Spektrums, als in dem roten ^nde. &enn jedoch gewisse dieser Metalle als Elektroden für die Jl^nalplatte verwendet werden, wird die Empfindlichkeit auf Licht in den roten lellenlängen verbeeeert^ohae daß die Bnpfindliohkeit in den blauen «ellenlangen verhindert wird. wie Empfindlichkeit ändert sich mit α-·η verwendeten stallen.

Claims (4)

Patentansprüche,,,

1) iiichtempfinaliches Kloment salt einer Schient eines Stoffes» dessen elektrischer widerstand mit dem Lichteinfall veränderlich ist, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Jtoff rotes, aiaorphes Seien Ist_to

2) Element nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch swei !•IeJctroden, die in Berührung mit der lichtempfindlichen Schicht stehen und von'denen wenigstens eine lichtdurchlässig ist, wobei diese Elektroden weitflächigen Kontakt mit der einen baw* mit der anderen i'lache der Selenschicht machen·

3) Kiement nach Anspruch 2, dadurch ^eke axizelehnet, daü die lichtdurchlässige elektrode uas ^duminium besteht.

4) Element nach iuißpruch 1 oder folgenden, dadurch gekennaseichnet, daß die Selenschicht durch Niederschlagen von verdampftem Selen in Vakuum auf einer kalten Fläche hergestellt ist«

^cO Element nach ivnspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Selenschicht in inniger Flächenberührung eine Schirmelektrode vorgesehen ist, die eine leitende Signalplatte aufweist.

o) Element nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß wenige tens eine leitende blatte in Berührung mit dem Selen aus laoid, Platin, Aluminium, Bery ilium, i?ailadium oder Silber besteht.