DE930215C - Process for the manufacture of crystal rectifiers - Google Patents

Process for the manufacture of crystal rectifiers

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DE930215C
DE930215C DEF6518D DEF0006518D DE930215C DE 930215 C DE930215 C DE 930215C DE F6518 D DEF6518 D DE F6518D DE F0006518 D DEF0006518 D DE F0006518D DE 930215 C DE930215 C DE 930215C
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DE
Germany
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crystal
contact tip
detector
pressure
detector according
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DEF6518D
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Wolfgang Dipl-Ing Buell
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FLUGFUNK FORSCHUNGSINSTITUT OB
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FLUGFUNK FORSCHUNGSINSTITUT OB
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Description

Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern Nachfolgend beschriebene Erfindung betrifft die Herstellung von Kristallgleichrichtern (Spitzendetektoren), die insbesondere auf dem Gebiete kurzer und kürzester Wellen gegenüber anderen gleichrichtenden Organen unbestrittene Vorteile aufweisen. Ein solcher Detektor besteht in der heutigen Ausführung aus einem Röhrchen aus Glas oder anderem Isoliermaterial, innerhalb dessen der Kristall und die federnde Kontaktspitze untergebracht sind. An den Enden des Röhrchens befinden sich mit diesem festgekittete Kappen die gleichzeitig als Anschlußkontakte dienen.Method of Manufacture of Crystal Rectifiers Described below Invention relates to the manufacture of crystal rectifiers (peak detectors), especially in the area of short and shortest waves, they are rectifying compared to other waves Organs have undisputed advantages. Such a detector exists in today's Made from a tube made of glass or other insulating material, inside of which the crystal and the resilient contact tip are housed. At the ends of the Tubes are located with this firmly cemented caps which also act as connection contacts to serve.

Der Zusammenbau dieser Detektoren stößt auf nicht unbedeutende Schwierigkeiten, weil einerseits eine möglichst weitgehende Unempfindlichkeit gegen mechanische Erschütterungen und andere äußere Einflüsse gefordert wird, andererseits aber nach der heutigen Anschauung der Druck der federnden Kontaktspitze gegen den Kristall im Interesse einer hohen Empfindlichkeit möglichst klein :sein soll. Zu diesem Zweck sind in letzter Zeit besondere Ausführungen der Kontaktfeder und ihrer Lagerung (Kegelfeder) vorgeschlagen worden. Neuere Versuche haben jedoch zu der Erkenntnis geführt, daß der Druck, mit dem die Kontaktspitze den Kristall berührt, äußerst kritisch ist und einen außerordentlich großen Einfluß auf die Empfindlichkeit des Detektors ausübt. Die bis jetzt übliche Einstellung des Druckes mit Hilfe von Schablonen usw. muß daher als die Ursache der bisher ungeklärten und als unvermeidlich hingenommenen Unregelmäßigkeiten in der Empfindlichkeit der fertiggestellten Gleichrichter angesehen werden.The assembly of these detectors encounters not insignificant difficulties, because, on the one hand, the greatest possible insensitivity to mechanical vibrations and other external influences are required, but on the other hand according to today's Viewing the pressure of the resilient contact tip against the crystal in the interest a high sensitivity as small as possible: should be. For this purpose, in Lately special versions of the contact spring and its storage (conical spring) has been proposed. However, recent attempts have led to the finding that the pressure at which the contact tip contacts the crystal is extremely critical and has an extremely large influence on the sensitivity of the detector. The adjustment of the pressure with the help of stencils etc., which has been customary up to now, must hence as the cause of the hitherto unexplained and as inevitable accepted irregularities in the sensitivity of the completed rectifiers be considered.

Erfindungsgemäß wird daher ein Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern (Spitzendetektoren) vorgeschlagen, 'das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Justierung des aus den Einzelteilen zusammengesetzten Detektors, insbesondere die Einstellung des Druckes zwischen Kristall und Kontaktspitze im hochfrequenten Feld unter gleichzeitiger Messung der Empfindlichkeit erfolgt.According to the invention, therefore, a method for producing crystal rectifiers is provided (Peak detectors) proposed, 'which is characterized in that the adjustment of the detector assembled from the individual parts, in particular the setting of the pressure between the crystal and the contact tip in the high-frequency field with simultaneous Sensitivity is measured.

Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sind augenscheinlich. Da bei den bisherigen Verfahren die Druckeinstellung dem Zufall überlassen blieb, selbst dann, wenn sie mit Hilfe besonderer Schablonen erfolgte, und die fertiggestellten Detektoren nach ihrer Empfindlichkeit aussortiert werden mußten, war ein verhältnismäßig hoher Ausschuß unvermeidbar. Die vorgeschlagene Messung der Empfindlichkeit im hochfrequenten Prüfstand während des Zusammenbaues gestattet die Herstellung einer beliebigen Anzahl untereinander vollständig gleicher Exemplare. Einen weiteren Vorzug stellt die Möglichkeit dar, die Eigenschaften der herzustellenden Gleichrichter den späteren Betriebsbedingungen optimal anzupassen und im voraus zu bestimmen.The advantages of the method according to the invention are evident. Since the pressure setting was left to chance with the previous methods, even if it was done with the help of special templates, and the finished ones Having to sort out detectors according to their sensitivity was a relative one high rejects inevitable. The proposed measurement of sensitivity in the high frequency The test stand during assembly allows any number to be produced completely identical copies to each other. Another advantage is the possibility represents the properties of the rectifier to be manufactured to the later operating conditions to be optimally adapted and to be determined in advance.

Auf Grund dieser Erkenntnisse durchgeführte weitere Untersuchungen haben zu der überraschenden Tatsache geführt, daß der für die Empfindlichkeit der verschiedenen Detektormaterialien optimale Druck zwischen Kristall und Kontaktspitze weit über der bisher als höchstzulässig betrachteten Grenze liegt und einen scharf ausgeprägten Maximalwert darstellt. Dieser liegt beispielsweise für Pyrit, dem besonders für Kurzwellen geeigneten und vorzugsweise angewendeten Kristall, bei etwa 70 g, während die bisherigen Detektoren einen Spitzendruck. von nur a bis 18 g aufweisen. Dieser verhältnismäßig hohe Druck bedingt eine kräftigere Gestaltung der federnden Kontaktspitze, und für diesen Zweck hat sich eine gebogene Feder gut bewährt, die gleichzeitig den Vorteil einer Temperaturkompensation bietet. Ein Abgleiten der Kontaktspitze von dem Kristall bei Erschütterungen oder auch während des Betriebes wird erfindungsgemäß dadurch vermieden, däß in den Kristall eine Vertiefung eingearbeitet ist, in der die Kontaktspitze sitzt. Da dies jedoch einen Eingriff in die gleichrichtenden Eigenschaften des Kristalls. bedeutet, ist eine Nachbehandlung des Kristalls erforderlich. Es empfiehlt sich daher, den Kristall erst nach dem Einarbeiten der Vertiefung chemisch zu behandeln.Further investigations carried out on the basis of these findings have led to the surprising fact that the pressure between crystal and contact tip which is optimal for the sensitivity of the various detector materials is far above the limit previously considered to be the highest permissible and represents a sharply pronounced maximum value. For pyrite, for example, the crystal that is particularly suitable and preferably used for short waves, this is around 70 g, while the previous detectors have a peak pressure. from only a to 18 g. This relatively high pressure requires a more powerful design of the resilient contact tip, and a curved spring has proven itself well for this purpose, which at the same time offers the advantage of temperature compensation. A sliding of the contact tip from the crystal in the event of vibrations or also during operation is avoided according to the invention in that a recess is worked into the crystal in which the contact tip is seated. However, as this interferes with the rectifying properties of the crystal. means, an after-treatment of the crystal is necessary. It is therefore advisable to chemically treat the crystal only after the indentation has been worked into it.

Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellter Spitzendetektor ist in der Abbildung dargestellt, wobei bei der Gestaltung der Einzelteile eine besonders einfache Justierung bzw. ein bequemes Einstellen des optimalen Kontaktdruckes während des Zusammenkittens der Einzelteile im hochfrequenten Feld (unter gleichzeitiger Messung der Empfindlichkeit) ins Auge gefaßt ist. An dem einen Ende des Isolierstoffröhrchens J ist der Metallstift A eingekittet, der den Kristall I( trägt.. Um einen einwandfreien festen Sitz innerhalb des Röhrchens zu gewährleisten, ist der Metallstift A an seinem Umfang aufgerauht und zusätzlich mit einer oder mehreren Rillen R versehen, in die der Kitt eingebracht wird. Entsprechendes gilt von dem am anderen Ende des Isolierröhrchens sitzenden Metallstift B. Bei dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel wird der Druck zwischen Kristall und Kontaktspitze durch eine besondere Feder F hergestellt, die in einer (vorzugsweise zylindrischen) Bohrung des Metallstiftes B sitzt und auf den innerhalb der Bohrung in Achsrichtung beweglichen Kolben K(o drückt. Der Kolben Ko trägt die aus geeignetem Material bestehende Spitze S. Die in den Kristall eingearbeitete Vertiefung, in der Kontaktspitze ruht, ist mit V bezeichnet.A peak detector made according to the method of the present invention is shown in the picture, whereby a particularly simple adjustment or convenient setting of the optimal contact pressure during the cementing of the individual parts in the high-frequency field (with simultaneous Measurement of sensitivity) is envisaged. At one end of the insulating tube J is cemented to the metal pin A that carries the crystal I (.. In order to have a flawless To ensure a tight fit inside the tube, the metal pin A is on his Roughened circumference and additionally provided with one or more grooves R into the the putty is applied. The same applies to the one at the other end of the insulating tube seated metal pin B. In the embodiment shown here, the Pressure between crystal and contact tip produced by a special spring F, which sits in a (preferably cylindrical) bore in the metal pin B and on the piston K (o pushes in the axial direction within the bore. The Piston Ko carries the tip S made of a suitable material into the crystal The recess in which the contact tip rests is denoted by V.

Die erfindungsgemäß vorgeschlagenen Maßnahmen sind auch auf andere Ausführungen von Spitzendetektoren sinngemäß anwendbar. Die in der Abbildung als Beispiel gebrachte Form bietet neben der vollständigen Kapselung des Detektors (Schutz gegen äußere Einflüsse, wie Verschmutzung, Feuchtigkeit usw.) noch den Vorzug einer Verminderung der schädlichen Kapazitäten. Für die Kontaktspitze S kann unabhängig vom Federmetall und den Haltestiften ein Material günstigster Austrittsarbeit verwendet werden.The measures proposed according to the invention are also applicable to others Versions of peak detectors can be used accordingly. The ones shown in the figure as In addition to the complete encapsulation of the detector (protection against external influences such as dirt, moisture, etc.) still have the advantage of a Reduction of the harmful capacities. For the contact tip S can be independent from the spring metal and the retaining pins, a material with the most favorable work function is used will.

Claims (1)

PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern (Spitzendetektoren), dadurch gekennzeichnet, daß die Justierung des aus den Einzelteilen zusammengesetzten Detektors vor dem Zusammenbau, insbesondere die Einstellung des Druckes zwischen Kristall und Kontaktspitze, im hochfrequenten Feld unter gleichzeitiger Messung der Empfindlichkeit erfolgt. z. Verfahren gemäß Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß das Zusammenkitten der Einzelteile, insbesondere das Einkitten der den Kristall und die Kontaktspitze tragenden Kappen oder Metallstifte bei Röhrchendetektoren im hochfrequenten Feld erfolgt. 3. Verfahren gemäß Anspruch i und z, dadurch gekennzeichnet, daß die Einstellung des optimalen Druckes zwischen Kristall und Kontaktspitze unter Berücksichtigung der beim späteren Betrieb des Detektors vorliegenden Anpassungsverhältnisse erfolgt. q.. Nach dem Verfahren gemäß Anspruch i bis 3 hergestellter Gleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck zwischen Kristall und Kontaktspitze größer als 40 g ist. 5. Detektor nach Anspruch i bis q., dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktspitze in einer in den Kristall eingearbeiteten Vertiefung ruht. 6. Detektor nach Anspruch i bis 5, dadurch. gekennzeichnet, daß die in den Kristall eingearbeitete Vertiefung chemisch nachbehandelt ist. 7. Verfahren zur Herstellung von - Spitzendetektoren gemäß Anspruch i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall erst nach dem Einarbeiten der Vertiefung chemisch behandelt wird. 8. Detektor nach Anspruch I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktspitze zum Zweck einer Temperaturkompensation als gebogene Feder ausgebildet ist. 9. Detektor nach Anspruch I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die als zylindrische Metallstifte (A, B) ausgebildeten Träger für den Kristall und die. Kontaktspitze, die in das Isolierröhrchen (J) eingekittet sind, mit Rillen (R) zur Aufnahme des Kittes versehen sind. Io. Detektor nach Anspruch I bis 7 bzw. 9, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Metallstift (B) eine Bohrung aufweist, in der die den Kontaktdruck herstellende Feder (f) sitzt und auf einen in Achsrichtung der Bohrung verschiebbaren Kolben (Ko) drückt, der die Kontaktspitze (S) trägt. II. Detektor nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für die Metallstifte, Feder und Kontaktspitze unterschiedliche, ihrem Zweck günstigst angepaßte Materialien verwendet sind.PATENT CLAIMS: I. A process for the production of crystal rectifiers (tip detectors), characterized in that the adjustment of the detector composed of the individual parts before assembly, in particular the adjustment of the pressure between the crystal and the contact tip, takes place in the high-frequency field with simultaneous measurement of the sensitivity. z. Method according to Claim I, characterized in that the individual parts are cemented together, in particular the caps or metal pins carrying the crystal and the contact tip in the case of tube detectors, takes place in a high-frequency field. 3. The method according to claim i and z, characterized in that the setting of the optimal pressure between the crystal and the contact tip is carried out taking into account the adaptation conditions present during later operation of the detector. q .. Rectifier manufactured according to the method according to Claims 1 to 3, characterized in that the pressure between the crystal and the contact tip is greater than 40 g. 5. Detector according to claim i to q., Characterized in that the contact tip rests in a recess machined into the crystal. 6. Detector according to claim i to 5, characterized. characterized in that the recess worked into the crystal is chemically aftertreated. 7. A method for producing - peak detectors according to claim i to 5, characterized in that the crystal is chemically treated only after the recess has been worked into it. 8. Detector according to claim I to 7, characterized in that the contact tip is designed as a curved spring for the purpose of temperature compensation. 9. Detector according to claim I to 7, characterized in that the cylindrical metal pins (A, B) designed as carriers for the crystal and the. Contact tips cemented into the insulating tube (J) are provided with grooves (R) to hold the cement. Io. Detector according to Claims 1 to 7 or 9, characterized in that the one metal pin (B) has a bore in which the spring (f) producing the contact pressure sits and presses on a piston (Ko) which is displaceable in the axial direction of the bore the contact tip (S) carries. II. Detector according to one or more of the preceding claims, characterized in that different materials which are most favorably adapted to their purpose are used for the metal pins, spring and contact tip.
DEF6518D 1944-08-09 1944-08-10 Process for the manufacture of crystal rectifiers Expired DE930215C (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1278563B (en) * 1963-12-05 1968-09-26 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Housing for low-inductance diodes

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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