Das Patent 9i7 44o bezieht sich auf ein Elektronen-Übermikroskop,
das mit einer Vorrichtung zur Herstellung von Feinstrahl-Elektronenbeugungsdiagrammen
vereinigt ist-und bei dem das Objekt über einen kurzbrerinweitigen verkleinernden
Kondensor beleuchtet wird. Dieser Kondensor bildet den engsten Querschnitt des Strahlenbündels
irr Strählenexzeugungssystem ab, und es lassen sich in dieser Weise Elektronenstrahlen
herstellen, deren Durchmesser in der Objektebene unter i liegt.The patent 9i7 44o relates to an electron microscope,
that with an apparatus for producing fine beam electron diffraction diagrams
is united - and in which the object is reduced in size via a short torch
The condenser is illuminated. This condenser forms the narrowest cross section of the beam
irr beam generation system, and electron beams can be released in this way
manufacture whose diameter in the object plane is below i.
Es hat sich nun aber gezeigt, daß es für die Erzielung so geringer
Elektronenstrahldurchmesser sehr darauf ankommt, insbesondere im Raum zwischen der
Elektronenquelle unddem -kurzbrennweitigen Kondensor isolierende Oberflächen bzw.
isolierende Schichten, wie Fettfilme od.. dgl., zu vermeiden, denn bei den verhältnismäßig
stärken Strömen in diesem Raume bewirken'beispi@elsweise Fettfilme im Innern der
Abschirmröhren so heftige Schlieren im elektronenoptischen Strahlengang des Kondensorsystems,
daß der Durchmesser des Elektronenstrahls sehr viel größere Werte annimmt, als sich
theoretisch aus dem Verkleinerungsverhältnis ergibt.But it has now been shown that it is so less for the achievement
Electron beam diameter matters a lot, especially in the space between the
Electron source and the short focal length condenser insulating surfaces or
insulating layers, such as grease films or the like. To avoid, because in the relatively
stronger currents in this space cause, for example, grease films inside the
Shielding tubes such violent streaks in the electron-optical beam path of the condenser system,
that the diameter of the electron beam assumes much larger values than itself
theoretically derived from the reduction ratio.
Nun kann man zwar durch eine Sonderkonstruktion des das Strahlerzeugungssystem
und den Kondensor aufnehmenden Mikroskopteiles, insbesondere durch die Verwendung
an sich bekannter fettfreier Vakuumventile und sorgfältig bemessener Abschirmungen
die Gefahr der Schlierenbildung vermindern. Die Erfindung zeigt dagegen einen anderen
Weg zur Herabsetzung der Schlierenstörurigen, und zwar sollen gemäß der Erfindung
bei einem Elektronen-Übermikroskop nach- dem Hauptpatent zur verkleinernden Abbildung
des kleinsten Querschnittes des Elektronenstrahls zwei kurzbrennweitige Kondensoren
dienen. Bei der Verteilung der Verkleinerung im Kondensorsystem auf zwei Stufen
kann der Hauptkondensor herangezogen werden, wenn er auf eine kürzere Brennweite
durch Zuführung eines größeren Linsenstromes und nach Einführung eines Polschuheinsatzes
umgestellt «-orden ist.Now you can through a special construction of the beam generation system
and the microscope part accommodating the condenser, in particular through the use
well-known grease-free vacuum valves and carefully dimensioned shields
reduce the risk of streaking. The invention, however, shows a different one
Way to reduce the Schlierenstörurigen, namely should according to the invention
with an electron microscope according to the main patent for a reduced image
of the smallest cross section of the electron beam, two short focal length condensers
to serve. When distributing the reduction in the condenser system on two levels
the main condenser can be used when it is set to a shorter focal length
by supplying a larger lens current and after introducing a pole piece insert
changed "order.
Die Erfindung sei noch näher an Hand der schematischen Darstellung
der Linsensysteme bei einem Elektronen-Übermikroskop nach dem Hauptpatent erläutert.The invention is even closer to hand of the schematic representation
the lens systems in an electron microscope according to the main patent explained.
Die von der bei i angeordneten Elektronenquelle ausgehenden Elektronenstrahlen
passieren nacheinander den langbrennweitigen Kondensor 2, den kurzbrennweitigen
Kondensor 3, die Objektlinse 4, die Projektionslinse 5 und gelangen dann auf die
bei 6 angedeutete Hauptebene der Endbildkamera. Das in der bei 7 angedeuteten Ebene
angeordnete Objekt wird gemäß dem Hauptpatent über den kurzbrennweitigen Kondensor
3 beleuchtet, der nach der vorliegenden Erfindung in mehrere, vorzugsweise in zwei
Stufen unterteilt werden soll. Als eine dieser Verkleinerungsstufen kann nun beispielsweise
der langbrennweitige Kondensor 2 dienen, nachdem er einen Polschuheinsatz erhalten
hat und ferner durch Zuführung stärkerer Linsenströme auf eine kürzere Brennweite
umgestellt ist. Bei 8 schließlich ist noch die Hauptebene der Beugungsdiagrammkamera
angedeutet. Wie bereits im Hauptpatent ausgeführt worden ist, empfiehlt es sich,
bei der Anordnung der Beugungsdiagraminkamera den durch das Auflösungsvermögen der
photographischen Schicht vorgeschriebenen Mindestabstand anzuwenden und demgemäß
die Kamera zwischen der Objektiv- und der Projektionslinse anzuordnen.The electron beams emanating from the electron source located at i
one after the other pass the long focal length condenser 2, the short focal length condenser
Condenser 3, the object lens 4, the projection lens 5 and then get on the
at 6 indicated main plane of the end video camera. That in the level indicated at 7
arranged object is according to the main patent on the short focal length condenser
3 illuminated, according to the present invention in several, preferably in two
Levels should be divided. One of these reduction levels can now be, for example
the long focal length condenser 2 are used after having received a pole piece insert
and also by supplying stronger lens currents to a shorter focal length
is changed. Finally, at 8 there is still the main level of the diffraction diagram camera
indicated. As has already been stated in the main patent, it is advisable to
in the arrangement of the diffraction diagram camera due to the resolution of the
photographic layer to apply the prescribed minimum distance and accordingly
to arrange the camera between the objective and the projection lens.