DE875960C - Stromquelle - Google Patents

Stromquelle

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DE875960C
DE875960C DEL3117A DEL0003117A DE875960C DE 875960 C DE875960 C DE 875960C DE L3117 A DEL3117 A DE L3117A DE L0003117 A DEL0003117 A DE L0003117A DE 875960 C DE875960 C DE 875960C
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DE
Germany
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selenium
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DEL3117A
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Siegfried Dr Rer Nat Poganski
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M14/00Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
    • H01M14/005Photoelectrochemical storage cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01Manufacture or treatment
    • H10D48/04Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H10D48/042Preparation of foundation plates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01Manufacture or treatment
    • H10D48/04Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H10D48/043Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to foundation plates or the subsequent treatment of the combination
    • HELECTRICITY
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    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01Manufacture or treatment
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Description

  • - Ci>Pgenstaüd -des Patentes. 8683o9 :- ist eine neuartige Stromquelle, die sich von den bekannten Trockenbatterien dadurch unterscheidet, daß sie keinerlei Elektrolyt enthält. Bei ihr grenzt nämlich ein Metall an einen nichtmetallischen halbleitenden festen Körper, mit dem es reagiert, während an der anderen Seite- des. halbleibenden Körpers eine Abnahmeelektröde vorgesehen ist, die mit der Halbleiterschicht nicht oder in wesentlich geringerem Umfang als die andere Elektrode reagiert.. Man kann beispielsweise auf eine etwa i mm starke @auf-.geraubte Aluminiumplatte eine etwa o,ooi mm dicke Bit Se3-Schicht und ;anschließend eine etwa o;o5 mm dicke Selenscbicht thermisch aufdampfen,. Nachdem das Selen durch einstündige Temperung bei etwa 2 i o° in die gut leibende Modifikation übergeführt worden, ist, wird ein bereits bei normaler Temperatur mit Selen reagierendes Mittel, z. B. Kadmium, auf die Selenoberfläche durch Aufspritzen in Luft oder durch Aufdampfen im Vakuum in,einer Schichtdicke von etwa o;o5 mm aufgebracht. Die bei einer solchen Anordnung zwischen der Aluminium- und der IKadmiumelektro,de. auftretende Spannung beträgt einige Zehntel Volk. Spannungen in der Größenordnung von etwa i Volt erhält man, wenn man statt des Kadmiums ErdalkalimetaUe, beispielsweise Magnesium, oder, noch besser, Alkalimetalle, z.. B. Natrium, verwendet. Die Stromergiebigkeit ist der Kontaktfläche zwischen 'eäen Selen und dem mit ihm reagierenden Metall proportional. Bei, Verwendung von Kadmium beträgt sie bei der beschriebenen Anordnung etwa i y i o --6 A/,cm2. Bei der Stromquelle ;gemäß der Erfindung werden weit höhere Spannungen dadurch erreicht, daß :auf einer Abnahmeelektrode die übrigen- mach dem Hauptpatent vorgesehenen Schichten mehrfach in gleicher Reihenfolge übereinander angebracht sind.
  • Die Figuren zeigen in zum Teil schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel für eine Stromquelle nach dem Hauptpatent Auf die Trägerelektrode i aus, Aluminium ist eine dünne Schicht 2 aus Bit Sei aufgebracht,. ,die -ihrerseits von einer aufgedampften ° Seleaisichicht 3 bedeckt ist. Die Ws@mut-Sielemid-ScUcht dient dazu, die Bildung einer Sperrschicht an dieser Seite der Selenschicht zu verhindern,. Auf die Selensehicht ist ein mit dem Selen reagierendes Metall, beispielsweise Kadmum, Magnesium oder Natrium, als dickere Schicht 4 ;aufgespritzt.
  • Die in. Fig.2 schematisch dargestellte Stromquelle gemäß der vorliegenden Erfindung stellt wegen ihrer höheren Spannung eine nur sehr vorteilhafte Weiterbildung der Stromquelle nach dem Hauptpatent dar. Gerade so wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. r sind auf die Trägerelektrode aus Aluminium nacheinander die Schichten.2, 3 und 4 aus Wismutselenid, Selen und Kadmium aufgebracht. Auf die Kadmiumelektrode 4: folgen jedoch bei dieser verbesserten Stromquelle die zuletzt genanntem drei Schichten erneut in gleicher Reihenfolge. Es bezeichnet @als,o 2' dile zweite Wismut-Selen-Schicht, 3' die zweite Selenschicht und 4' die zweite Kadmiumschicht. Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig.2 ist noch eine weitere Schichtfolge, nämlich die Schichten 2", 3" und 4" auf die zweite Kadmiumsch echt 4' aufgebracht. In dieser Weise kann man- beliebig fortfahren, wenn eine Stromquelle für noch höhere Spannung verlangt wird. Stets bildet die oberste Kadmvumelektröde den einen Pol und die unterste Wismut-Selenid-Scbicht oder die Trägerelektrode aus Aluminium den anderen Pol.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Stromquelle nach Patent 868 3o9, bei der ,ein Metall an einen nichtmetallischen halbleitenden Körper angrenzt, mit dem ,es reagiert, und an der anderen Seite eine Abnahmeelektrode vorgesehen ist, die mit der Halbleiterschicht nicht oder -in -wesentlich ,geringerem Umfang als, die andere Elektrode reagiert, dadurch gekennzeichnet, daß auf ,einer Abnahmeelektrode die übrigen Schichten mehrfach in gleicher Reihenfolge übereinander angebracht sind,.
  2. 2,. Stromquelle nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß an einer Seite jeder Halbleiterschicht eine die Bildung einer Sperrschicht verhindernde Schicht vorgesehen und daß bei allen Halbleiterschichten diese Schicht an der gleichen Seite angebracht ist,.
  3. 3. Stromquelle nach Anspruch i oder folgen-Üen, dadurch gekennzeichnet, daß als nichtmetallischer halbleitender Körper Selen vorgesehen ist:
  4. 4. Stromquelle nach Anspruch 3, ,dadurch gekennzeichnet, daß zum Verhindern der Bildung einer Sperrschicht Wismut-SelenidäSchichten vorgesehen sind.
  5. 5. Stromquelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall, das reit dem Selen reagiert, Kadmium, Magnesium oder Natrium vorgesehen ist.
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