DE848099C - Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit - Google Patents
Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener GeschwindigkeitInfo
- Publication number
- DE848099C DE848099C DES474A DES0000474A DE848099C DE 848099 C DE848099 C DE 848099C DE S474 A DES474 A DE S474A DE S0000474 A DES0000474 A DE S0000474A DE 848099 C DE848099 C DE 848099C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lens
- electrons
- following
- electron
- electron microscope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
- H01J49/46—Static spectrometers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)
Description
- Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit
1)ie 1i()11(- ()ualität mit 1-lilfe eines l'.lektronen- inikriskops hergestellter Bilder wurde ldsher nur dadurch ermöglicht, daß man sich int Gegensatz zu tkm ixt cler Lichtmikroskopie LTI>lichen streng auf achsetniahe Strahlen Aschrä nkte. Damit sich der ()ffnungsfchler nicht auszuwirken vermag, dürfen sich dir l:lektr(»ien hei den derzeitigen hlektronen- itl@jektivei@ stur wenige l lundertstelmillinleter von der optischen Achse entfernen, (L 11. die dingseitige Üffnung darf nicht mehr als io-= betragen.- Etwas größere, achsenfc-i-ilei-e Bereiche \\-erden dagegen bei den elcktroilenoptischen I'rojektiven benutzt, bei denen sich infolge der l'arallelitä t der Strahlen, die bildseitige Apertur de, Objektivs beträgt nämlich etwa 1o-1, nur der Verzeichnungsfehler auswirkt. Ilei der uiliitiltrrtgsgc-m;ißett Einrichtung wird der l.lcl<tronenstrahl iin Gegensatz ztt <lern ltisher in der lilektronenmiknrkopie Gebräuchlichen in (hu Außenzone eitler Elektronenlinse eingeschossen. Zur Hrleichwrtmg des Orstänchtisses der Wir- ktltlgswCise einer solchen l"itlriclltttttg seien clie dabei auftretenden Vorgänge 2111 Hand. der I# ig. r erläutert: Hin sehr feiner, streng numuwhroma- tischer und exakt parallel zur optischen --1,cltse ver- laufender Teststrahl wird von der Mitte zum I?lek- tn>denrand I>arallel zu sich selbst verschoben. F ig. i zeigt die Bahnen des Elektronenstrahles für vier verschiedene abstände r von der optischen Achse cler Linse. I:in Teststrahl. der exakt nlit der optischen Achse zusainntenfä 11t, wird durch die Linse nicht abgelenkt. Er trifft vielmehr in der \-ei-Iiüigei-ttng der optischen Achse auf den Leuclit- schirm. Durch Parallelverschieben des in die Linse eingeschlossenen Strahles, Beispielsweise in die Stellung 1. wird auf dem Leuchtschirm eine Alt- lenkung #) im gegenläutigen Sinn hervorgerufen. Der Strahl i schneidet die optische Achse einmal. Vergrößert man den Abstand r von der optischen .ochse weiter, so nimmt di.e Altlenkung zunächst weiter zu, hei noch größer werdendem Abstand r jedoch wieder alt. Es ergibt sich beispielsweise für die Stellung 2 der in Fig. t mit 2 bezeichnete Strahlverlauf, für den die :luslenktmg Et auf dem I_etrclitscltirm kleiner ist als beispielsweise für den Strahl i. Wenn man den Altstand r noch weiter ver- größert, so gelangt man schließlich ztt einer Stellung, in der der Iflektronenstrahl den L.eucht- schirrn wieder genau iin Durchstoßpunlrt der olt- thdteti Achse trifft. Vergrößert man den Abstand r über diesen Wert hinaus, so schneidet der Elek- tronenstrahl, der nunmehr nach der entgegen- gesetzten Seite hin aasgelenkt wird, die optische Achse zweimal, wie dies heisltielsweise für die Stellung 3 durch den Sold 3 in Fig. i angedeutet ist. Auch diese Aaslenkung erreicht bei fort- schreitender Vergrößerung des Achsenalstandes r einen Maximalwert, d. lt. für noch größere Achsen- altstä nde r erhält man wieder kleinere Aus ienkungen () auf dem Leuchtschirm, so Beispiels- l weise für die Stellung d den Strähl 4. Fährt man in diesem Sinn fort, so trifft bei einer bestimmten Stellung der Elektronenstrahl erneut im zentralen Durchstoßpunkt der optischen Achse auf den Leucht- schirm auf. Der Elektronenstrahl bewegt sich bei j noch weiterer Vergrößerung des Abstandes r nun- j mehr nach der entgegengesetzten Seite über den j Durchstoßpunkt hinaus. Die für die verschie(lenen Achsenabstände r sielt ergehenden Aaslenkungen `t sind auf der rechtest Seite der Uig. i schematisch wiedergegeiten. Wie man sieht, lr",si(lelt der llektn»tenstralh auf (Im Leuchtschirm mit wachsendem Achsenabstand r hin arid her, und dabei konvergieren die für eine solche Schwingung notwendigen Schritte in Richtung der y-Achse in den äußeren Zotten der Linse sehr schnell nach Null. Bei noch weiterer :\1n äheruli<@ des eingeschossenen Elektroncnstraliles an den (li#e Linse begrenzenden Rand der Elektrode tritt schliel3lich eine Spiegelung des Elektronenstrahles stach rückwärts ein. Die Luise wird also bei dem in der Uigur als Sperrgrenze r - r. bezeidmeten Achsenaltstand des eingeschossenen zum Elektrotlenspiegel. \-ersuche halten gezeigt, daß der Auftmgpmtkt fies Elektronenstrahles auf den Leuchtschirm ist gleicher Weise hin und her pendelt, wenn bei fest- gehaltener Strahlspannung und festem von Null N-erschiedenem Achsenabstand r des eingeschossenen Strahles (las l?lektrodenpotential in der Linse stetig verändert wird. Schießt matt eistest kreisrund ausgeblendeter), »iügliclist inonochroniatischen I?lel:trstnenstralil von etwa Wo mm Durchmesser in eine 1_inse und wählt dalwi (las I_insenltotential derart, daß schon die achsennahen Strahlen etwa wie der Strahl 3 in Fig. i ;Waben, so erhält man für kleine Werte des Aclisenaltstati(les r eilt vcrgrö l.iertes Schatten- ! hild der Blende, nämlich eitre kreisrunde Scheibe. " Mit wachsendem Altstand r v(rn der optischen Achse j entsteht auf <lern Leuchtschirm eitre immer läng- lichere, ellipsenähnliche Figur. bi', schließlich die I?lektronen (1e1 vor<lercn l@an<lcs der endlich aus- gedehnten Blende die maximale Ausletfkung er- reichen und bei weiterem \-erschicltcn des I?lek- tronenstraldes in achseufernere Zonen der Rücklauf des Bildes dieses ()ltjektteils heginlt. Schließlich erhält man eine Figur, die eitre dünne Spitze auf- weist, die ganz mtgcw@il;tllicli ctiil)findlich geg-#ni kleinste radiale \-erschichtnigen des Elektronen- strahles ist. Radiale \-crschiel»tlgen tun i;tooo intn führen zu einer erheblichen \'erä nderung des bis zur Unkenntlichkeit verzerrtest Bildes (ler kreis- runden Blende. Auch hei kleinsten Potential- änderungen der Mittelelektrode (Ir Linse sind solche Veränderungen festzustellen. Bei eitler Strahlspannung von =5 k\' führen IhnsWal- \ -er, ändel -migen (Ir \littcleldctr<t(lc der Linse tttit beispielsweise l.5 \, Zu ungcv,öhlliclt auffä lligell Formveränderungen des verzerrten Blcldenltildes. Eine solche kleine Zusatzspannung genügt lteispiels- weise, um die: crwähtltc Spitze des Bildes um tneltrere Zentimeter zu vergi-iißerit bzw. zu ver- kleinern. Die gleiche 1?rscltcinung wird auch lteoltachtet. wenn statt der Linsenspanwtng die Strahlspannun,g geändert wird. Bei einer Strah1slrumung von 25 kV und festgehalterter I_iasenslrtttnung genügt bereits eine Änderung (ler Strahlspanmmg uni etwa t V. um derart krasse \er<in(lcruttgcrt des verzerrten Blendenbildcs hervorzurufen. Das 11)t eitlen) Strahl von Elektronett, die citiett licsclttvincli`lceitsverlust voti i e\T erlittest hah,ele erzeugte Bild tniterscheidet sich daher selbst bei einer Strahl-eschwindigkeitvon etwa 2j lt\r in anffülliger Weise voll denn Bild, (las mit einem Strahl von 1?lci.:tr<»tcit erzielt wttr(le. die keinen solchen (@csdiwitt(ligl.:eitsverlttst erlitten haben. Diese 1?rsclicinunt; wird hei der erhiidungs- g enu iii.icii P, inrichtung z11111 Analysieren N-on I.lelc- trodett verschiedener Geschwindigkeit ausgenutzt. Bei ilit- sind Mittel v(trgcseliett. durch die die 1?Ich- tronen als feiner Strahl ist die Außenzone einci- Elektrolienlinse ciligeschossein und stach (lese Durch- laufen der Linse aufgefangen wer(leti. Diu^ Lage der Auftreffpunkte der- Elektronen auf der Auf- fatigvori-iclituiig, ltcisl»elsweise eitlem I.eticltt- schirm, hängt dann ist (ler gcschil(lerten \\-eise vors fier Geschwindigkeit (ler hetregettdett j?lektronen alt. Uni mit der erfndungsgemsißett Einrichtung eist den mit Prismen in der Optik cntworfelten Spektren ähnliches Bild zu erlmhetr cmpti,#Nt es sielt, sticht wie bei dein zuvor beschriebenen Versuch einte Lochblende, sondern einen feilten Spalt als Stralil- begrenzungsblende isld an Stelle der rotati(»is- symmetrischen Linse eitre zur Spaltrichtung par- allele Zylinderlinse zu verwenden, so daß ein niomo- chromatischer I?lektr(meststrahl (letz Spalt auf (lein Leuchtschirm als feine Linie abbildet. Sehr scharfe, den gewohnten Spektren ä lmliche UM- crll;ilt 111a11. \\c»11 111,111 slic Sltalt\vcitc 1i111- etwa deich ; r( w:1111. Enthäh der Strahl lilektronen verschie(Iciier Gescltwindigkeit# so beobachtet man ein der (iescltwindi@@l<citsvertcilung entsprechendes Sliuhtrut». Di(' VIIIt)t'Indlichkcit ist so groll. (1,11.i sclllst t @cscll\\ itt(likcitsvcrluste yon weniger als t c\' 1>c1 Str,ltlsll,nnutlge» von über 20 kV bei Ver- \\-clt(@utt rill;: gc»ügctl<1 feinen Spaltes noch licoh- ,clttet wur(lctt k@itlnctl. I )a (las litiietifi.@rinige Bild (ICs @1(;lltc@ sielt bei :111durttn,g der @trahlspattnun`g 11111 (lull glciclictl I;c'trag yersrhieht wie durch einen (@csdt\\ itt(ligkcits@, (rlust. (1e11 die I:lektrotletl des Stralllus \m- der 1_111s( crfahretl, ist es in eilifaclistei- \\"cisr 111iilicl1. 1)risI)iulsweise (In rch Stil fetIweis^ :\11(1e1-1111< (lcr @tr,lllsl(,»tnttlg 11111 kleine 1ietrügc, z. Il. \ ()t i s) ztt l cl `-, alif ciller photographischcll Schicht 11,1!.1l (1.11l Bild des Geschwitldigkeits- spel<tr11111s (lcr I.lcktr(muu (iescllwitldigkeits- vcr@us@c» @()ii 1o zti ioXentsprechende Eich- »lari;ctl zu sut;:e11. \1a11 kaiiii daher finit (1"i- er- das (ieschwilidig- i:(itssl@(k@r»»1 der 1';lcl.;tr(mc» cill('s Strahles ,;matt ,ttallcsscll 1111(i (l;tr;il#cr hinaus, z.13. durch l,'hotcr mctricr('11 (1('r ;cllwür-r.ttn@r der ph(>to,graphischell Schicht, die sl(cktr,lc l:»crgicyc!-teilung der @aeh- tr(llicil (1('s Strahles crmittullt. 1"i,'. 2 z(#is,t ill <ch;inatischer Darstellung eil: .\usfüllrttllsl:cisl@iel dci- I#.itii-ichtung gemäß der I':r1i11(lnll@. Dur (lllrclt (1i(# ()nulle i C'rZCLlgte 2 durchsetzt (las ()lijckt 3, von dein durch (11c ()1 (1('ktll'llil@e auf duI" lileltlle 5 eilt Bild ellt- \v(@rfctl-\\-ir(l. Pi(#se I>leildr weist einen feinen Spalt rLUt. (Icr I"lchtr(ntcll in die .\ul,ic»z(mc der Analy- s,t(@rliti@c (, ciittrctctl l;ißt. Die @vli»(lcrli»se (i ist (lal)ei l(ar;tll('1 zur Nichtung des Spaltes der Strahl- 1!cgr.ttzull@@;l(@ctt(@c ; abgeordnet. plan kallll auch (1c11 f( 111c'» I';ld<tn@llc»,ar,lll mit Hilfe einer zu- s:itzlicllcll I,Icktn(1!@tllitlse ei-zuiigcil, die vorztigs- \\(#isc cillc katlt@,(lc»suiti@ru Sti-<tlill)cgr(#iizti»gs- 1(@c!I(@e attf die ()1(jd,:tdtrtlc der :\tt,lys,t(>rlinse ah- bildet. 1a ctitl(ildllt sich, die Strahlbegrenzungs- blcndc. @@(#:@('1@c11('»f;Lll: ztigluicli niit der zusützlicli@°li Linse, ill 1((#z11" auf die Alialvsatorlinse parallel zu sielt s('ll(st ycr si llid@l"r ,»-ru(Lrdllen. Es ist ferlici- yol-tcilli,f t. Allal\ s,t(,rli»sc und \-orrichttnlgun ziiin .\t@sl@lcil(ictl (los- feinen I':lehtr(1»c»str,hlcs aus eitlem ,gri@l'@crcll iiiiioliii(,geii(#li Strahl relativ zueiii- ander ycrscltidll"r :liiztl()1-(Itiell. I@('i (lein d,restclltcll Ausführun<gsheispiel sind hinter (1c1- All;:i@ sat(irlin;c z\\-ci abschaltharc Pro- 7. y(!r@@cscltcll. Die beschriebene Viiii-ich- tung, die noch durch eifite Kamera ergänzt sein kaini. :tollt s()iiiit eilt I#:I(#ktroncnüllcrmikroskolt finit eitlem im lail(lsciti`ell Strahlcn,ga»g angebrachten clcktr(lstatisclicll :\tt,lys,t(lr dar. Auf der der I\I;L1;17C'Il () kann null eitlen Leuchtschirm 'tl1ln-iligen. der (lic yistielle Beobachtung des üher_ inikroskopischctl liil(les hz\\. des voll einem Teil (lcsscll(ctl etltw<(rfcltc» clektrolleiloptischen Ge- scll\\ 111 (ligkc#itsspuktrt1111s gestattet. 1)1e Klappen o <lic».rlt rtl,t;l('icli dazu. (lic auf den] 11111 die Achse 11 drehbaren 1'lattrnhalter 1 o angebrachten photo- graphischen Schichten vor vorzeitiger Einwirkung durch die Elektronen zu schützen. \ \'enn die erfindungsgemäße Einrichtung zum Analysieren der Elektronen verschiedener Ge- scli\\-indigkci-, im hildseitigen Strahlengang eines Elektronenmikroskops angebracht ist, kann je nach (lern @-erwuudun(.;sz\veck die Analysatorlinse vor der Allllildtitigsel!c°tle des Elektronenmikroskops oder, gcgeli(ne»falls zugleich mit Vorrichtungen zum Ausblenden und 1?rzettgen des feinen llek- tronenstrahles, zwischen Objektiv und Projektiv des l@lcktrone»mikroskops vorgesehen werden. Zur I:rliiilititig des :\tifl<isuligsvermf>gens kiinnen mehrere Eirichtungen gemäß der Erfindung derart hintereinander angeordliet werden, daß sie von den zu alialysier enden Klektronen nacheinander durch- laufen werden. 1)1e erlin(ltingsgein<iße Einrichtung läßt sich finit Gsteln Erfolg zur I:lenlentanalyse des ini Elek- tronenül>erinikroskop mittels eines Elektronen- strahles niiigliclist homogener Geschwindigkeit (hirchstrahlten Objektes durch Ermittlung der Ge- schwindigkc'itsverteiltlng der I?lektronen in der Bildebene des Elektroneinnikroskops anwenden. Dahei wird jeweils nur die außerordentlich kleine Masse von etwa 10-t5 g analysiert, deren Bild voni "@nalvsatorsllalt durchgelassen wird. Die erfindungsgemäße Einrichtung kann ferner zum Aussortieren von Elektronen gleicher Ge- schwindigkeit aus eitlem Elektronen verschiedener Geschwindigkeit enthaltenden Strahl dienen.
Claims (1)
-
PATEVTA\SPRCCIIE: t. Einrichtung z11111 Analysieren voll I?lel<- tronen verschiedener Gesch-,vindigkeit, dadurch gekennzeichnet, (1a13 Mittel vorgesehen sind, durch die die 1?lel;trollcu als feiner Strahl in die Atißelizolie einer Elektronenlinse eingeschossen und nach dein Durchlaufen der Linse auf- gefangen \ycrden. 2. Linrichttnig nach Anspruch t, dadurch ge- keniizuicliiiet, daß ein feiner Spalt als Strahl- hegrenzungslllende und eine zur Spaltrichtung parallele lyliii(lerlitise verwendet wird. 3. l:inric htung nach Anspruch 2, dadurch ge- kemizdcllnet, daß der Elektronenstrahl parallel zur optischen Mittelebene der zylindrischen Ilektronenlinse eingeschossen wird. 4. Einrichtung nach Anspruch t oder folgen- (Ieii, cladtirch gekennzeichnet, daß der feine lacktronenstrahl mit Hilfe einer -zusätzlichen Elcktr(nwnlhlse erzeugt wird, die vorzugsweise eine kathodenseitige Strahll>egrenzungsldende auf die Objektehen( der Analvsatorlinse ah- bildet. . I':iiii-ichtun- nach Anspruch i oder folgen- den, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahl- lu#,gi-(#tiztiiigsl)leii(le, gegebenenfalls zugleich finit der zusätzlichen Linse, in hezug auf die Analy- satorliiise parallel zu sich selbst verschiebbar angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES474A DE848099C (de) | 1949-11-01 | 1949-11-01 | Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES474A DE848099C (de) | 1949-11-01 | 1949-11-01 | Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE848099C true DE848099C (de) | 1952-09-01 |
Family
ID=7468761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES474A Expired DE848099C (de) | 1949-11-01 | 1949-11-01 | Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE848099C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3141993A (en) * | 1959-12-24 | 1964-07-21 | Zeiss Jena Veb Carl | Very fine beam electron gun |
DE1247506B (de) * | 1962-03-27 | 1967-08-17 | Hitachi Ltd | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel |
DE1248181B (de) * | 1962-03-27 | 1967-08-24 | Hitachi Ltd | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel |
-
1949
- 1949-11-01 DE DES474A patent/DE848099C/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3141993A (en) * | 1959-12-24 | 1964-07-21 | Zeiss Jena Veb Carl | Very fine beam electron gun |
DE1247506B (de) * | 1962-03-27 | 1967-08-17 | Hitachi Ltd | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel |
DE1248181B (de) * | 1962-03-27 | 1967-08-24 | Hitachi Ltd | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102006050600B4 (de) | Spektrometer zur Oberflächenanalyse und Verfahren dafür | |
EP1784675B1 (de) | Scanneranordnung und verfahren zum optischen abtasten eines objekts | |
DE102017101188B4 (de) | Mikroskop und Verfahren zum Mikroskopieren einer Probe | |
EP1423746B1 (de) | Mikroskop | |
WO2015124648A1 (de) | Verfahren und anordnung zur lichtblattmikroskopie | |
DE3610165A1 (de) | Optisches abtastmikroskop | |
DE2431107A1 (de) | Geraet zum ermitteln der dichte und groesse von in einem insbesondere fluessigen medium suspendierten kleinen teilchen | |
DE102011002583B9 (de) | Teilchenstrahlgerät und Verfahren zur Bearbeitung und/oder Analyse einer Probe | |
DE102010007727A1 (de) | Vorrichtung nach Art eines Scan-Mikroskops, Vorrichtung in Form einer Baueinheit für ein Mikroskop und Verfahren und Vorrichtung zum optischen Abtasten einer oder mehrerer Proben | |
DE102011119806A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Sichtbarmachen eines Signierzeichens auf einem Brillenglas | |
DE102015121403A1 (de) | Lichtfeld-bildgebung mit scanoptik | |
DE2056014A1 (de) | Automatische Scharfeinstellvornchtung fur fotografische Kameras | |
DE2636470A1 (de) | Fotoanalysegeraet und verfahren zur gleichzeitigen messung von teilcheneigenschaften | |
DE102011078833A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Detektieren einer Markierung an einem Objekt | |
DE848099C (de) | Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit | |
AT137611B (de) | Einrichtung zum Abbilden von Gegenständen. | |
DE102017203554A1 (de) | Objektpräparationseinrichtung und Teilchenstrahlgerät mit einer Objektpräparationseinrichtung sowie Verfahren zum Betrieb des Teilchenstrahlgeräts | |
DE10029680A1 (de) | Mikroskop-Aufbau | |
DE112014006996T5 (de) | Probenbeobachtungsvorrichtung und Probenbeobachtungsverfahren | |
DE102006019138A1 (de) | Partikeluntersuchungsgerät mit Vergrößerungsbereich | |
DE2803149C2 (de) | Verfahren zum Ausmessen von Härteprüfeindrücken in Materialoberflächen sowie Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2633965B2 (de) | Einrichtung zur Parallelen und zentrischen Justierung eines mittels Strahlablenker manipulierbaren Laserstrahls | |
DE102018130349A1 (de) | Messvorrichtung für ein Rastersondenmikroskop, Rastersondenmikroskop und Verfahren zum rastersondenmikroskopischen Bestimmen einer oder mehrerer Messproben mit einem Rastersondenmikroskop | |
DE907358C (de) | Pruefgeraet fuer optische Systeme, vorzugsweise photographische Objektive, zur Erzeugung eines reellen, zu untersuchenden Bildes | |
DE3441926C2 (de) |