DE848099C - Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit - Google Patents

Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit

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DE848099C
DE848099C DES474A DES0000474A DE848099C DE 848099 C DE848099 C DE 848099C DE S474 A DES474 A DE S474A DE S0000474 A DES0000474 A DE S0000474A DE 848099 C DE848099 C DE 848099C
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DE
Germany
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lens
electrons
following
electron
electron microscope
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DES474A
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English (en)
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Gottfried Dr-Ing Moellenstedt
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SUEDDEUTSCHE LABORATORIEN GmbH
Original Assignee
SUEDDEUTSCHE LABORATORIEN GmbH
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/44Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
    • H01J49/46Static spectrometers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)

Description

  • Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit
    1)ie 1i()11(- ()ualität mit 1-lilfe eines l'.lektronen-
    inikriskops hergestellter Bilder wurde ldsher nur
    dadurch ermöglicht, daß man sich int Gegensatz zu
    tkm ixt cler Lichtmikroskopie LTI>lichen streng auf
    achsetniahe Strahlen Aschrä nkte. Damit sich der
    ()ffnungsfchler nicht auszuwirken vermag, dürfen
    sich dir l:lektr(»ien hei den derzeitigen hlektronen-
    itl@jektivei@ stur wenige l lundertstelmillinleter von
    der optischen Achse entfernen, (L 11. die dingseitige
    Üffnung darf nicht mehr als io-= betragen.- Etwas
    größere, achsenfc-i-ilei-e Bereiche \\-erden dagegen bei
    den elcktroilenoptischen I'rojektiven benutzt, bei
    denen sich infolge der l'arallelitä t der Strahlen, die
    bildseitige Apertur de, Objektivs beträgt nämlich
    etwa 1o-1, nur der Verzeichnungsfehler auswirkt.
    Ilei der uiliitiltrrtgsgc-m;ißett Einrichtung wird der
    l.lcl<tronenstrahl iin Gegensatz ztt <lern ltisher in
    der lilektronenmiknrkopie Gebräuchlichen in (hu
    Außenzone eitler Elektronenlinse eingeschossen.
    Zur Hrleichwrtmg des Orstänchtisses der Wir-
    ktltlgswCise einer solchen l"itlriclltttttg seien clie
    dabei auftretenden Vorgänge 2111 Hand. der I# ig. r
    erläutert: Hin sehr feiner, streng numuwhroma-
    tischer und exakt parallel zur optischen --1,cltse ver-
    laufender Teststrahl wird von der Mitte zum I?lek-
    tn>denrand I>arallel zu sich selbst verschoben.
    F ig. i zeigt die Bahnen des Elektronenstrahles
    für vier verschiedene abstände r von der optischen
    Achse cler Linse. I:in Teststrahl. der exakt nlit der
    optischen Achse zusainntenfä 11t, wird durch die
    Linse nicht abgelenkt. Er trifft vielmehr in der
    \-ei-Iiüigei-ttng der optischen Achse auf den Leuclit-
    schirm. Durch Parallelverschieben des in die Linse
    eingeschlossenen Strahles, Beispielsweise in die
    Stellung 1. wird auf dem Leuchtschirm eine Alt-
    lenkung #) im gegenläutigen Sinn hervorgerufen.
    Der Strahl i schneidet die optische Achse einmal.
    Vergrößert man den Abstand r von der optischen
    .ochse weiter, so nimmt di.e Altlenkung zunächst
    weiter zu, hei noch größer werdendem Abstand r
    jedoch wieder alt. Es ergibt sich beispielsweise für
    die Stellung 2 der in Fig. t mit 2 bezeichnete
    Strahlverlauf, für den die :luslenktmg Et auf dem
    I_etrclitscltirm kleiner ist als beispielsweise für den
    Strahl i. Wenn man den Altstand r noch weiter ver-
    größert, so gelangt man schließlich ztt einer
    Stellung, in der der Iflektronenstrahl den L.eucht-
    schirrn wieder genau iin Durchstoßpunlrt der olt-
    thdteti Achse trifft. Vergrößert man den Abstand r
    über diesen Wert hinaus, so schneidet der Elek-
    tronenstrahl, der nunmehr nach der entgegen-
    gesetzten Seite hin aasgelenkt wird, die optische
    Achse zweimal, wie dies heisltielsweise für die
    Stellung 3 durch den Sold 3 in Fig. i angedeutet
    ist. Auch diese Aaslenkung erreicht bei fort-
    schreitender Vergrößerung des Achsenalstandes r
    einen Maximalwert, d. lt. für noch größere Achsen-
    altstä nde r erhält man wieder kleinere Aus
    ienkungen () auf dem Leuchtschirm, so Beispiels- l
    weise für die Stellung d den Strähl 4. Fährt man in
    diesem Sinn fort, so trifft bei einer bestimmten
    Stellung der Elektronenstrahl erneut im zentralen
    Durchstoßpunkt der optischen Achse auf den Leucht-
    schirm auf. Der Elektronenstrahl bewegt sich bei j
    noch weiterer Vergrößerung des Abstandes r nun- j
    mehr nach der entgegengesetzten Seite über den j
    Durchstoßpunkt hinaus.
    Die für die verschie(lenen Achsenabstände r sielt
    ergehenden Aaslenkungen `t sind auf der rechtest
    Seite der Uig. i schematisch wiedergegeiten. Wie
    man sieht, lr",si(lelt der llektn»tenstralh auf (Im
    Leuchtschirm mit wachsendem Achsenabstand r hin
    arid her, und dabei konvergieren die für eine solche
    Schwingung notwendigen Schritte in Richtung der
    y-Achse in den äußeren Zotten der Linse sehr
    schnell nach Null. Bei noch weiterer :\1n äheruli<@
    des eingeschossenen Elektroncnstraliles an den (li#e
    Linse begrenzenden Rand der Elektrode tritt
    schliel3lich eine Spiegelung des Elektronenstrahles
    stach rückwärts ein. Die Luise wird also bei dem in
    der Uigur als Sperrgrenze r - r. bezeidmeten
    Achsenaltstand des eingeschossenen
    zum Elektrotlenspiegel.
    \-ersuche halten gezeigt, daß der Auftmgpmtkt
    fies Elektronenstrahles auf den Leuchtschirm ist
    gleicher Weise hin und her pendelt, wenn bei fest-
    gehaltener Strahlspannung und festem von Null
    N-erschiedenem Achsenabstand r des eingeschossenen
    Strahles (las l?lektrodenpotential in der Linse stetig
    verändert wird.
    Schießt matt eistest kreisrund ausgeblendeter),
    »iügliclist inonochroniatischen I?lel:trstnenstralil von
    etwa Wo mm Durchmesser in eine 1_inse und wählt
    dalwi (las I_insenltotential derart, daß schon die
    achsennahen Strahlen etwa wie der Strahl 3 in
    Fig. i ;Waben, so erhält man für kleine Werte
    des Aclisenaltstati(les r eilt vcrgrö l.iertes Schatten-
    ! hild der Blende, nämlich eitre kreisrunde Scheibe.
    " Mit wachsendem Altstand r v(rn der optischen Achse
    j entsteht auf <lern Leuchtschirm eitre immer läng-
    lichere, ellipsenähnliche Figur. bi', schließlich die
    I?lektronen (1e1 vor<lercn l@an<lcs der endlich aus-
    gedehnten Blende die maximale Ausletfkung er-
    reichen und bei weiterem \-erschicltcn des I?lek-
    tronenstraldes in achseufernere Zonen der Rücklauf
    des Bildes dieses ()ltjektteils heginlt. Schließlich
    erhält man eine Figur, die eitre dünne Spitze auf-
    weist, die ganz mtgcw@il;tllicli ctiil)findlich geg-#ni
    kleinste radiale \-erschichtnigen des Elektronen-
    strahles ist. Radiale \-crschiel»tlgen tun i;tooo intn
    führen zu einer erheblichen \'erä nderung des bis
    zur Unkenntlichkeit verzerrtest Bildes (ler kreis-
    runden Blende. Auch hei kleinsten Potential-
    änderungen der Mittelelektrode (Ir Linse sind
    solche Veränderungen festzustellen. Bei eitler
    Strahlspannung von =5 k\' führen IhnsWal-
    \ -er, ändel -migen (Ir \littcleldctr<t(lc der Linse tttit
    beispielsweise l.5 \, Zu ungcv,öhlliclt auffä lligell
    Formveränderungen des verzerrten Blcldenltildes.
    Eine solche kleine Zusatzspannung genügt lteispiels-
    weise, um die: crwähtltc Spitze des Bildes um
    tneltrere Zentimeter zu vergi-iißerit bzw. zu ver-
    kleinern.
    Die gleiche 1?rscltcinung wird auch lteoltachtet.
    wenn statt der Linsenspanwtng die Strahlspannun,g
    geändert wird. Bei einer Strah1slrumung von 25 kV
    und festgehalterter I_iasenslrtttnung genügt bereits
    eine Änderung (ler Strahlspanmmg uni etwa t V.
    um derart krasse \er<in(lcruttgcrt des verzerrten
    Blendenbildcs hervorzurufen. Das 11)t eitlen) Strahl
    von Elektronett, die citiett licsclttvincli`lceitsverlust
    voti i e\T erlittest hah,ele erzeugte Bild tniterscheidet
    sich daher selbst bei einer Strahl-eschwindigkeitvon
    etwa 2j lt\r in anffülliger Weise voll denn Bild, (las
    mit einem Strahl von 1?lci.:tr<»tcit erzielt wttr(le. die
    keinen solchen (@csdiwitt(ligl.:eitsverlttst erlitten
    haben. Diese 1?rsclicinunt; wird hei der erhiidungs-
    g enu iii.icii P, inrichtung z11111 Analysieren N-on I.lelc-
    trodett verschiedener Geschwindigkeit ausgenutzt.
    Bei ilit- sind Mittel v(trgcseliett. durch die die 1?Ich-
    tronen als feiner Strahl ist die Außenzone einci-
    Elektrolienlinse ciligeschossein und stach (lese Durch-
    laufen der Linse aufgefangen wer(leti. Diu^ Lage
    der Auftreffpunkte der- Elektronen auf der Auf-
    fatigvori-iclituiig, ltcisl»elsweise eitlem I.eticltt-
    schirm, hängt dann ist (ler gcschil(lerten \\-eise vors
    fier Geschwindigkeit (ler hetregettdett j?lektronen alt.
    Uni mit der erfndungsgemsißett Einrichtung eist
    den mit Prismen in der Optik cntworfelten Spektren
    ähnliches Bild zu erlmhetr cmpti,#Nt es sielt, sticht
    wie bei dein zuvor beschriebenen Versuch einte
    Lochblende, sondern einen feilten Spalt als Stralil-
    begrenzungsblende isld an Stelle der rotati(»is-
    symmetrischen Linse eitre zur Spaltrichtung par-
    allele Zylinderlinse zu verwenden, so daß ein niomo-
    chromatischer I?lektr(meststrahl (letz Spalt auf (lein
    Leuchtschirm als feine Linie abbildet. Sehr
    scharfe, den gewohnten Spektren ä lmliche UM-
    crll;ilt 111a11. \\c»11 111,111 slic Sltalt\vcitc 1i111- etwa
    deich ; r( w:1111. Enthäh der Strahl lilektronen
    verschie(Iciier Gescltwindigkeit# so beobachtet man
    ein der (iescltwindi@@l<citsvertcilung entsprechendes
    Sliuhtrut». Di(' VIIIt)t'Indlichkcit ist so groll. (1,11.i
    sclllst t @cscll\\ itt(likcitsvcrluste yon weniger als
    t c\' 1>c1 Str,ltlsll,nnutlge» von über 20 kV bei Ver-
    \\-clt(@utt rill;: gcȟgctl<1 feinen Spaltes noch licoh-
    ,clttet wur(lctt k@itlnctl. I )a (las litiietifi.@rinige Bild
    (ICs @1(;lltc@ sielt bei :111durttn,g der @trahlspattnun`g
    11111 (lull glciclictl I;c'trag yersrhieht wie durch einen
    (@csdt\\ itt(ligkcits@, (rlust. (1e11 die I:lektrotletl des
    Stralllus \m- der 1_111s( crfahretl, ist es in eilifaclistei-
    \\"cisr 111iilicl1. 1)risI)iulsweise (In rch Stil fetIweis^
    :\11(1e1-1111< (lcr @tr,lllsl(,»tnttlg 11111 kleine 1ietrügc,
    z. Il. \ ()t i s) ztt l cl `-, alif ciller photographischcll
    Schicht 11,1!.1l (1.11l Bild des Geschwitldigkeits-
    spel<tr11111s (lcr I.lcktr(muu (iescllwitldigkeits-
    vcr@us@c» @()ii 1o zti ioXentsprechende Eich-
    »lari;ctl zu sut;:e11. \1a11 kaiiii daher finit (1"i- er-
    das (ieschwilidig-
    i:(itssl@(k@r»»1 der 1';lcl.;tr(mc» cill('s Strahles ,;matt
    ,ttallcsscll 1111(i (l;tr;il#cr hinaus, z.13. durch l,'hotcr
    mctricr('11 (1('r ;cllwür-r.ttn@r der ph(>to,graphischell
    Schicht, die sl(cktr,lc l:»crgicyc!-teilung der @aeh-
    tr(llicil (1('s Strahles crmittullt.
    1"i,'. 2 z(#is,t ill <ch;inatischer Darstellung eil:
    .\usfüllrttllsl:cisl@iel dci- I#.itii-ichtung gemäß der
    I':r1i11(lnll@.
    Dur (lllrclt (1i(# ()nulle i C'rZCLlgte
    2 durchsetzt (las ()lijckt 3, von dein durch
    (11c ()1 (1('ktll'llil@e auf duI" lileltlle 5 eilt Bild ellt-
    \v(@rfctl-\\-ir(l. Pi(#se I>leildr weist einen feinen Spalt
    rLUt. (Icr I"lchtr(ntcll in die .\ul,ic»z(mc der Analy-
    s,t(@rliti@c (, ciittrctctl l;ißt. Die @vli»(lcrli»se (i ist
    (lal)ei l(ar;tll('1 zur Nichtung des Spaltes der Strahl-
    1!cgr.ttzull@@;l(@ctt(@c ; abgeordnet. plan kallll auch
    (1c11 f( 111c'» I';ld<tn@llc»,ar,lll mit Hilfe einer zu-
    s:itzlicllcll I,Icktn(1!@tllitlse ei-zuiigcil, die vorztigs-
    \\(#isc cillc katlt@,(lc»suiti@ru Sti-<tlill)cgr(#iizti»gs-
    1(@c!I(@e attf die ()1(jd,:tdtrtlc der :\tt,lys,t(>rlinse ah-
    bildet. 1a ctitl(ildllt sich, die Strahlbegrenzungs-
    blcndc. @@(#:@('1@c11('»f;Lll: ztigluicli niit der zusützlicli@°li
    Linse, ill 1((#z11" auf die Alialvsatorlinse parallel zu
    sielt s('ll(st ycr si llid@l"r ,»-ru(Lrdllen. Es ist ferlici-
    yol-tcilli,f t. Allal\ s,t(,rli»sc und \-orrichttnlgun
    ziiin .\t@sl@lcil(ictl (los- feinen I':lehtr(1»c»str,hlcs aus
    eitlem ,gri@l'@crcll iiiiioliii(,geii(#li Strahl relativ zueiii-
    ander ycrscltidll"r :liiztl()1-(Itiell.
    I@('i (lein d,restclltcll Ausführun<gsheispiel sind
    hinter (1c1- All;:i@ sat(irlin;c z\\-ci abschaltharc Pro-
    7. y(!r@@cscltcll. Die beschriebene Viiii-ich-
    tung, die noch durch eifite Kamera ergänzt sein
    kaini. :tollt s()iiiit eilt I#:I(#ktroncnüllcrmikroskolt finit
    eitlem im lail(lsciti`ell Strahlcn,ga»g angebrachten
    clcktr(lstatisclicll :\tt,lys,t(lr dar. Auf der
    der I\I;L1;17C'Il () kann null eitlen Leuchtschirm
    'tl1ln-iligen. der (lic yistielle Beobachtung des üher_
    inikroskopischctl liil(les hz\\. des voll einem Teil
    (lcsscll(ctl etltw<(rfcltc» clektrolleiloptischen Ge-
    scll\\ 111 (ligkc#itsspuktrt1111s gestattet. 1)1e Klappen o
    <lic».rlt rtl,t;l('icli dazu. (lic auf den] 11111 die Achse 11
    drehbaren 1'lattrnhalter 1 o angebrachten photo-
    graphischen Schichten vor vorzeitiger Einwirkung
    durch die Elektronen zu schützen.
    \ \'enn die erfindungsgemäße Einrichtung zum
    Analysieren der Elektronen verschiedener Ge-
    scli\\-indigkci-, im hildseitigen Strahlengang eines
    Elektronenmikroskops angebracht ist, kann je nach
    (lern @-erwuudun(.;sz\veck die Analysatorlinse vor
    der Allllildtitigsel!c°tle des Elektronenmikroskops
    oder, gcgeli(ne»falls zugleich mit Vorrichtungen
    zum Ausblenden und 1?rzettgen des feinen llek-
    tronenstrahles, zwischen Objektiv und Projektiv
    des l@lcktrone»mikroskops vorgesehen werden.
    Zur I:rliiilititig des :\tifl<isuligsvermf>gens kiinnen
    mehrere Eirichtungen gemäß der Erfindung derart
    hintereinander angeordliet werden, daß sie von den
    zu alialysier enden Klektronen nacheinander durch-
    laufen werden.
    1)1e erlin(ltingsgein<iße Einrichtung läßt sich finit
    Gsteln Erfolg zur I:lenlentanalyse des ini Elek-
    tronenül>erinikroskop mittels eines Elektronen-
    strahles niiigliclist homogener Geschwindigkeit
    (hirchstrahlten Objektes durch Ermittlung der Ge-
    schwindigkc'itsverteiltlng der I?lektronen in der
    Bildebene des Elektroneinnikroskops anwenden.
    Dahei wird jeweils nur die außerordentlich kleine
    Masse von etwa 10-t5 g analysiert, deren Bild voni
    "@nalvsatorsllalt durchgelassen wird.
    Die erfindungsgemäße Einrichtung kann ferner
    zum Aussortieren von Elektronen gleicher Ge-
    schwindigkeit aus eitlem Elektronen verschiedener
    Geschwindigkeit enthaltenden Strahl dienen.

Claims (1)

  1. PATEVTA\SPRCCIIE:
    t. Einrichtung z11111 Analysieren voll I?lel<- tronen verschiedener Gesch-,vindigkeit, dadurch gekennzeichnet, (1a13 Mittel vorgesehen sind, durch die die 1?lel;trollcu als feiner Strahl in die Atißelizolie einer Elektronenlinse eingeschossen und nach dein Durchlaufen der Linse auf- gefangen \ycrden. 2. Linrichttnig nach Anspruch t, dadurch ge- keniizuicliiiet, daß ein feiner Spalt als Strahl- hegrenzungslllende und eine zur Spaltrichtung parallele lyliii(lerlitise verwendet wird. 3. l:inric htung nach Anspruch 2, dadurch ge- kemizdcllnet, daß der Elektronenstrahl parallel zur optischen Mittelebene der zylindrischen Ilektronenlinse eingeschossen wird. 4. Einrichtung nach Anspruch t oder folgen- (Ieii, cladtirch gekennzeichnet, daß der feine lacktronenstrahl mit Hilfe einer -zusätzlichen Elcktr(nwnlhlse erzeugt wird, die vorzugsweise eine kathodenseitige Strahll>egrenzungsldende auf die Objektehen( der Analvsatorlinse ah- bildet. . I':iiii-ichtun- nach Anspruch i oder folgen- den, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahl- lu#,gi-(#tiztiiigsl)leii(le, gegebenenfalls zugleich finit der zusätzlichen Linse, in hezug auf die Analy- satorliiise parallel zu sich selbst verschiebbar angeordnet ist.
    h. Einrichtung nach Anspruch t oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Analysatorlinse und Vorrichtungen zum Ausblenden eines feinen Elektronenstrahles aus einem größeren inliomogenen Strahl relativ zueinander verscliiehbar angeordnet sind. 7. Einrichtung nach Anspruch i oder folgenden zum Analysieren der Elektronen verschiedener Geschwindigkeit im bildseitigen Strahlengang eines Elektroneniibermikroskops, dadurch gekennzeichnet, claß die Analysatorlinse vor der Abbildungsebene des Elektronenübermikroskops angeordnet ist. B. Einrichtung nach Anspruch i oder folgenden zum Analysieren der Elektronen verschiedener Geschwindigkeit im bildseitigen Strahlengang eines Elektronenübermikroskops, dadurch gekennzeichnet, daß die Analysatorlinse gegebenenfalls zugleich mit den Vorrichtungen zum Ausblenden und Erzeugen' des feinen Elektronenstrahles zwischen Objektiv und Projektiv des Elektronenüberniikroskops vorgesehen ist. y. Anordnung zinn Analysieret von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit, dadtircli gekennzeichnet, Ball nielirere 1?inriclitungen nach Anspruch i oder folgenden lnntereinandcr derart angeordnet sind, <laß sie von den zii analysierenden Elektronen durchlaufen werden. i o. Anwendung der Kinriclitung nach Ansprucli i oder folgenden zur 1?lenientanalyse des im Elektronenübermikroskop mittels eines Elektronenstraliles ini>gliclist lioinogener Elektroiiengesehwindigkeit durclistralilten Objektes durch Ermittlung der Geschwindigkeitsverteilung der Elektronen in <lei- Bildebene des Elektronenübermikroskops. i i. Amvendting der l:inriclitung nach Anspruch i oder folgeirden ztini Aussortieren voll Elektronen gleicher Gescli« indigkeit aus einem Elektronen verschiedener Geschwindigkeit entlialtenden Strahl.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3141993A (en) * 1959-12-24 1964-07-21 Zeiss Jena Veb Carl Very fine beam electron gun
DE1247506B (de) * 1962-03-27 1967-08-17 Hitachi Ltd Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel
DE1248181B (de) * 1962-03-27 1967-08-24 Hitachi Ltd Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel

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DE1248181B (de) * 1962-03-27 1967-08-24 Hitachi Ltd Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel

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