DE848099C - Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit - Google Patents
Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener GeschwindigkeitInfo
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Description
- Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit
1)ie 1i()11(- ()ualität mit 1-lilfe eines l'.lektronen- inikriskops hergestellter Bilder wurde ldsher nur dadurch ermöglicht, daß man sich int Gegensatz zu tkm ixt cler Lichtmikroskopie LTI>lichen streng auf achsetniahe Strahlen Aschrä nkte. Damit sich der ()ffnungsfchler nicht auszuwirken vermag, dürfen sich dir l:lektr(»ien hei den derzeitigen hlektronen- itl@jektivei@ stur wenige l lundertstelmillinleter von der optischen Achse entfernen, (L 11. die dingseitige Üffnung darf nicht mehr als io-= betragen.- Etwas größere, achsenfc-i-ilei-e Bereiche \\-erden dagegen bei den elcktroilenoptischen I'rojektiven benutzt, bei denen sich infolge der l'arallelitä t der Strahlen, die bildseitige Apertur de, Objektivs beträgt nämlich etwa 1o-1, nur der Verzeichnungsfehler auswirkt. Ilei der uiliitiltrrtgsgc-m;ißett Einrichtung wird der l.lcl<tronenstrahl iin Gegensatz ztt <lern ltisher in der lilektronenmiknrkopie Gebräuchlichen in (hu Außenzone eitler Elektronenlinse eingeschossen. Zur Hrleichwrtmg des Orstänchtisses der Wir- ktltlgswCise einer solchen l"itlriclltttttg seien clie dabei auftretenden Vorgänge 2111 Hand. der I# ig. r erläutert: Hin sehr feiner, streng numuwhroma- tischer und exakt parallel zur optischen --1,cltse ver- laufender Teststrahl wird von der Mitte zum I?lek- tn>denrand I>arallel zu sich selbst verschoben. F ig. i zeigt die Bahnen des Elektronenstrahles für vier verschiedene abstände r von der optischen Achse cler Linse. I:in Teststrahl. der exakt nlit der optischen Achse zusainntenfä 11t, wird durch die Linse nicht abgelenkt. Er trifft vielmehr in der \-ei-Iiüigei-ttng der optischen Achse auf den Leuclit- schirm. Durch Parallelverschieben des in die Linse eingeschlossenen Strahles, Beispielsweise in die Stellung 1. wird auf dem Leuchtschirm eine Alt- lenkung #) im gegenläutigen Sinn hervorgerufen. Der Strahl i schneidet die optische Achse einmal. Vergrößert man den Abstand r von der optischen .ochse weiter, so nimmt di.e Altlenkung zunächst weiter zu, hei noch größer werdendem Abstand r jedoch wieder alt. Es ergibt sich beispielsweise für die Stellung 2 der in Fig. t mit 2 bezeichnete Strahlverlauf, für den die :luslenktmg Et auf dem I_etrclitscltirm kleiner ist als beispielsweise für den Strahl i. Wenn man den Altstand r noch weiter ver- größert, so gelangt man schließlich ztt einer Stellung, in der der Iflektronenstrahl den L.eucht- schirrn wieder genau iin Durchstoßpunlrt der olt- thdteti Achse trifft. Vergrößert man den Abstand r über diesen Wert hinaus, so schneidet der Elek- tronenstrahl, der nunmehr nach der entgegen- gesetzten Seite hin aasgelenkt wird, die optische Achse zweimal, wie dies heisltielsweise für die Stellung 3 durch den Sold 3 in Fig. i angedeutet ist. Auch diese Aaslenkung erreicht bei fort- schreitender Vergrößerung des Achsenalstandes r einen Maximalwert, d. lt. für noch größere Achsen- altstä nde r erhält man wieder kleinere Aus ienkungen () auf dem Leuchtschirm, so Beispiels- l weise für die Stellung d den Strähl 4. Fährt man in diesem Sinn fort, so trifft bei einer bestimmten Stellung der Elektronenstrahl erneut im zentralen Durchstoßpunkt der optischen Achse auf den Leucht- schirm auf. Der Elektronenstrahl bewegt sich bei j noch weiterer Vergrößerung des Abstandes r nun- j mehr nach der entgegengesetzten Seite über den j Durchstoßpunkt hinaus. Die für die verschie(lenen Achsenabstände r sielt ergehenden Aaslenkungen `t sind auf der rechtest Seite der Uig. i schematisch wiedergegeiten. Wie man sieht, lr",si(lelt der llektn»tenstralh auf (Im Leuchtschirm mit wachsendem Achsenabstand r hin arid her, und dabei konvergieren die für eine solche Schwingung notwendigen Schritte in Richtung der y-Achse in den äußeren Zotten der Linse sehr schnell nach Null. Bei noch weiterer :\1n äheruli<@ des eingeschossenen Elektroncnstraliles an den (li#e Linse begrenzenden Rand der Elektrode tritt schliel3lich eine Spiegelung des Elektronenstrahles stach rückwärts ein. Die Luise wird also bei dem in der Uigur als Sperrgrenze r - r. bezeidmeten Achsenaltstand des eingeschossenen zum Elektrotlenspiegel. \-ersuche halten gezeigt, daß der Auftmgpmtkt fies Elektronenstrahles auf den Leuchtschirm ist gleicher Weise hin und her pendelt, wenn bei fest- gehaltener Strahlspannung und festem von Null N-erschiedenem Achsenabstand r des eingeschossenen Strahles (las l?lektrodenpotential in der Linse stetig verändert wird. Schießt matt eistest kreisrund ausgeblendeter), »iügliclist inonochroniatischen I?lel:trstnenstralil von etwa Wo mm Durchmesser in eine 1_inse und wählt dalwi (las I_insenltotential derart, daß schon die achsennahen Strahlen etwa wie der Strahl 3 in Fig. i ;Waben, so erhält man für kleine Werte des Aclisenaltstati(les r eilt vcrgrö l.iertes Schatten- ! hild der Blende, nämlich eitre kreisrunde Scheibe. " Mit wachsendem Altstand r v(rn der optischen Achse j entsteht auf <lern Leuchtschirm eitre immer läng- lichere, ellipsenähnliche Figur. bi', schließlich die I?lektronen (1e1 vor<lercn l@an<lcs der endlich aus- gedehnten Blende die maximale Ausletfkung er- reichen und bei weiterem \-erschicltcn des I?lek- tronenstraldes in achseufernere Zonen der Rücklauf des Bildes dieses ()ltjektteils heginlt. Schließlich erhält man eine Figur, die eitre dünne Spitze auf- weist, die ganz mtgcw@il;tllicli ctiil)findlich geg-#ni kleinste radiale \-erschichtnigen des Elektronen- strahles ist. Radiale \-crschiel»tlgen tun i;tooo intn führen zu einer erheblichen \'erä nderung des bis zur Unkenntlichkeit verzerrtest Bildes (ler kreis- runden Blende. Auch hei kleinsten Potential- änderungen der Mittelelektrode (Ir Linse sind solche Veränderungen festzustellen. Bei eitler Strahlspannung von =5 k\' führen IhnsWal- \ -er, ändel -migen (Ir \littcleldctr<t(lc der Linse tttit beispielsweise l.5 \, Zu ungcv,öhlliclt auffä lligell Formveränderungen des verzerrten Blcldenltildes. Eine solche kleine Zusatzspannung genügt lteispiels- weise, um die: crwähtltc Spitze des Bildes um tneltrere Zentimeter zu vergi-iißerit bzw. zu ver- kleinern. Die gleiche 1?rscltcinung wird auch lteoltachtet. wenn statt der Linsenspanwtng die Strahlspannun,g geändert wird. Bei einer Strah1slrumung von 25 kV und festgehalterter I_iasenslrtttnung genügt bereits eine Änderung (ler Strahlspanmmg uni etwa t V. um derart krasse \er<in(lcruttgcrt des verzerrten Blendenbildcs hervorzurufen. Das 11)t eitlen) Strahl von Elektronett, die citiett licsclttvincli`lceitsverlust voti i e\T erlittest hah,ele erzeugte Bild tniterscheidet sich daher selbst bei einer Strahl-eschwindigkeitvon etwa 2j lt\r in anffülliger Weise voll denn Bild, (las mit einem Strahl von 1?lci.:tr<»tcit erzielt wttr(le. die keinen solchen (@csdiwitt(ligl.:eitsverlttst erlitten haben. Diese 1?rsclicinunt; wird hei der erhiidungs- g enu iii.icii P, inrichtung z11111 Analysieren N-on I.lelc- trodett verschiedener Geschwindigkeit ausgenutzt. Bei ilit- sind Mittel v(trgcseliett. durch die die 1?Ich- tronen als feiner Strahl ist die Außenzone einci- Elektrolienlinse ciligeschossein und stach (lese Durch- laufen der Linse aufgefangen wer(leti. Diu^ Lage der Auftreffpunkte der- Elektronen auf der Auf- fatigvori-iclituiig, ltcisl»elsweise eitlem I.eticltt- schirm, hängt dann ist (ler gcschil(lerten \\-eise vors fier Geschwindigkeit (ler hetregettdett j?lektronen alt. Uni mit der erfndungsgemsißett Einrichtung eist den mit Prismen in der Optik cntworfelten Spektren ähnliches Bild zu erlmhetr cmpti,#Nt es sielt, sticht wie bei dein zuvor beschriebenen Versuch einte Lochblende, sondern einen feilten Spalt als Stralil- begrenzungsblende isld an Stelle der rotati(»is- symmetrischen Linse eitre zur Spaltrichtung par- allele Zylinderlinse zu verwenden, so daß ein niomo- chromatischer I?lektr(meststrahl (letz Spalt auf (lein Leuchtschirm als feine Linie abbildet. Sehr scharfe, den gewohnten Spektren ä lmliche UM- crll;ilt 111a11. \\c»11 111,111 slic Sltalt\vcitc 1i111- etwa deich ; r( w:1111. Enthäh der Strahl lilektronen verschie(Iciier Gescltwindigkeit# so beobachtet man ein der (iescltwindi@@l<citsvertcilung entsprechendes Sliuhtrut». Di(' VIIIt)t'Indlichkcit ist so groll. (1,11.i sclllst t @cscll\\ itt(likcitsvcrluste yon weniger als t c\' 1>c1 Str,ltlsll,nnutlge» von über 20 kV bei Ver- \\-clt(@utt rill;: gc»ügctl<1 feinen Spaltes noch licoh- ,clttet wur(lctt k@itlnctl. I )a (las litiietifi.@rinige Bild (ICs @1(;lltc@ sielt bei :111durttn,g der @trahlspattnun`g 11111 (lull glciclictl I;c'trag yersrhieht wie durch einen (@csdt\\ itt(ligkcits@, (rlust. (1e11 die I:lektrotletl des Stralllus \m- der 1_111s( crfahretl, ist es in eilifaclistei- \\"cisr 111iilicl1. 1)risI)iulsweise (In rch Stil fetIweis^ :\11(1e1-1111< (lcr @tr,lllsl(,»tnttlg 11111 kleine 1ietrügc, z. Il. \ ()t i s) ztt l cl `-, alif ciller photographischcll Schicht 11,1!.1l (1.11l Bild des Geschwitldigkeits- spel<tr11111s (lcr I.lcktr(muu (iescllwitldigkeits- vcr@us@c» @()ii 1o zti ioXentsprechende Eich- »lari;ctl zu sut;:e11. \1a11 kaiiii daher finit (1"i- er- das (ieschwilidig- i:(itssl@(k@r»»1 der 1';lcl.;tr(mc» cill('s Strahles ,;matt ,ttallcsscll 1111(i (l;tr;il#cr hinaus, z.13. durch l,'hotcr mctricr('11 (1('r ;cllwür-r.ttn@r der ph(>to,graphischell Schicht, die sl(cktr,lc l:»crgicyc!-teilung der @aeh- tr(llicil (1('s Strahles crmittullt. 1"i,'. 2 z(#is,t ill <ch;inatischer Darstellung eil: .\usfüllrttllsl:cisl@iel dci- I#.itii-ichtung gemäß der I':r1i11(lnll@. Dur (lllrclt (1i(# ()nulle i C'rZCLlgte 2 durchsetzt (las ()lijckt 3, von dein durch (11c ()1 (1('ktll'llil@e auf duI" lileltlle 5 eilt Bild ellt- \v(@rfctl-\\-ir(l. Pi(#se I>leildr weist einen feinen Spalt rLUt. (Icr I"lchtr(ntcll in die .\ul,ic»z(mc der Analy- s,t(@rliti@c (, ciittrctctl l;ißt. Die @vli»(lcrli»se (i ist (lal)ei l(ar;tll('1 zur Nichtung des Spaltes der Strahl- 1!cgr.ttzull@@;l(@ctt(@c ; abgeordnet. plan kallll auch (1c11 f( 111c'» I';ld<tn@llc»,ar,lll mit Hilfe einer zu- s:itzlicllcll I,Icktn(1!@tllitlse ei-zuiigcil, die vorztigs- \\(#isc cillc katlt@,(lc»suiti@ru Sti-<tlill)cgr(#iizti»gs- 1(@c!I(@e attf die ()1(jd,:tdtrtlc der :\tt,lys,t(>rlinse ah- bildet. 1a ctitl(ildllt sich, die Strahlbegrenzungs- blcndc. @@(#:@('1@c11('»f;Lll: ztigluicli niit der zusützlicli@°li Linse, ill 1((#z11" auf die Alialvsatorlinse parallel zu sielt s('ll(st ycr si llid@l"r ,»-ru(Lrdllen. Es ist ferlici- yol-tcilli,f t. Allal\ s,t(,rli»sc und \-orrichttnlgun ziiin .\t@sl@lcil(ictl (los- feinen I':lehtr(1»c»str,hlcs aus eitlem ,gri@l'@crcll iiiiioliii(,geii(#li Strahl relativ zueiii- ander ycrscltidll"r :liiztl()1-(Itiell. I@('i (lein d,restclltcll Ausführun<gsheispiel sind hinter (1c1- All;:i@ sat(irlin;c z\\-ci abschaltharc Pro- 7. y(!r@@cscltcll. Die beschriebene Viiii-ich- tung, die noch durch eifite Kamera ergänzt sein kaini. :tollt s()iiiit eilt I#:I(#ktroncnüllcrmikroskolt finit eitlem im lail(lsciti`ell Strahlcn,ga»g angebrachten clcktr(lstatisclicll :\tt,lys,t(lr dar. Auf der der I\I;L1;17C'Il () kann null eitlen Leuchtschirm 'tl1ln-iligen. der (lic yistielle Beobachtung des üher_ inikroskopischctl liil(les hz\\. des voll einem Teil (lcsscll(ctl etltw<(rfcltc» clektrolleiloptischen Ge- scll\\ 111 (ligkc#itsspuktrt1111s gestattet. 1)1e Klappen o <lic».rlt rtl,t;l('icli dazu. (lic auf den] 11111 die Achse 11 drehbaren 1'lattrnhalter 1 o angebrachten photo- graphischen Schichten vor vorzeitiger Einwirkung durch die Elektronen zu schützen. \ \'enn die erfindungsgemäße Einrichtung zum Analysieren der Elektronen verschiedener Ge- scli\\-indigkci-, im hildseitigen Strahlengang eines Elektronenmikroskops angebracht ist, kann je nach (lern @-erwuudun(.;sz\veck die Analysatorlinse vor der Allllildtitigsel!c°tle des Elektronenmikroskops oder, gcgeli(ne»falls zugleich mit Vorrichtungen zum Ausblenden und 1?rzettgen des feinen llek- tronenstrahles, zwischen Objektiv und Projektiv des l@lcktrone»mikroskops vorgesehen werden. Zur I:rliiilititig des :\tifl<isuligsvermf>gens kiinnen mehrere Eirichtungen gemäß der Erfindung derart hintereinander angeordliet werden, daß sie von den zu alialysier enden Klektronen nacheinander durch- laufen werden. 1)1e erlin(ltingsgein<iße Einrichtung läßt sich finit Gsteln Erfolg zur I:lenlentanalyse des ini Elek- tronenül>erinikroskop mittels eines Elektronen- strahles niiigliclist homogener Geschwindigkeit (hirchstrahlten Objektes durch Ermittlung der Ge- schwindigkc'itsverteiltlng der I?lektronen in der Bildebene des Elektroneinnikroskops anwenden. Dahei wird jeweils nur die außerordentlich kleine Masse von etwa 10-t5 g analysiert, deren Bild voni "@nalvsatorsllalt durchgelassen wird. Die erfindungsgemäße Einrichtung kann ferner zum Aussortieren von Elektronen gleicher Ge- schwindigkeit aus eitlem Elektronen verschiedener Geschwindigkeit enthaltenden Strahl dienen.
Claims (1)
-
PATEVTA\SPRCCIIE: h. Einrichtung nach Anspruch t oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Analysatorlinse und Vorrichtungen zum Ausblenden eines feinen Elektronenstrahles aus einem größeren inliomogenen Strahl relativ zueinander verscliiehbar angeordnet sind. 7. Einrichtung nach Anspruch i oder folgenden zum Analysieren der Elektronen verschiedener Geschwindigkeit im bildseitigen Strahlengang eines Elektroneniibermikroskops, dadurch gekennzeichnet, claß die Analysatorlinse vor der Abbildungsebene des Elektronenübermikroskops angeordnet ist. B. Einrichtung nach Anspruch i oder folgenden zum Analysieren der Elektronen verschiedener Geschwindigkeit im bildseitigen Strahlengang eines Elektronenübermikroskops, dadurch gekennzeichnet, daß die Analysatorlinse gegebenenfalls zugleich mit den Vorrichtungen zum Ausblenden und Erzeugen' des feinen Elektronenstrahles zwischen Objektiv und Projektiv des Elektronenüberniikroskops vorgesehen ist. y. Anordnung zinn Analysieret von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit, dadtircli gekennzeichnet, Ball nielirere 1?inriclitungen nach Anspruch i oder folgenden lnntereinandcr derart angeordnet sind, <laß sie von den zii analysierenden Elektronen durchlaufen werden. i o. Anwendung der Kinriclitung nach Ansprucli i oder folgenden zur 1?lenientanalyse des im Elektronenübermikroskop mittels eines Elektronenstraliles ini>gliclist lioinogener Elektroiiengesehwindigkeit durclistralilten Objektes durch Ermittlung der Geschwindigkeitsverteilung der Elektronen in <lei- Bildebene des Elektronenübermikroskops. i i. Amvendting der l:inriclitung nach Anspruch i oder folgeirden ztini Aussortieren voll Elektronen gleicher Gescli« indigkeit aus einem Elektronen verschiedener Geschwindigkeit entlialtenden Strahl.t. Einrichtung z11111 Analysieren voll I?lel<- tronen verschiedener Gesch-,vindigkeit, dadurch gekennzeichnet, (1a13 Mittel vorgesehen sind, durch die die 1?lel;trollcu als feiner Strahl in die Atißelizolie einer Elektronenlinse eingeschossen und nach dein Durchlaufen der Linse auf- gefangen \ycrden. 2. Linrichttnig nach Anspruch t, dadurch ge- keniizuicliiiet, daß ein feiner Spalt als Strahl- hegrenzungslllende und eine zur Spaltrichtung parallele lyliii(lerlitise verwendet wird. 3. l:inric htung nach Anspruch 2, dadurch ge- kemizdcllnet, daß der Elektronenstrahl parallel zur optischen Mittelebene der zylindrischen Ilektronenlinse eingeschossen wird. 4. Einrichtung nach Anspruch t oder folgen- (Ieii, cladtirch gekennzeichnet, daß der feine lacktronenstrahl mit Hilfe einer -zusätzlichen Elcktr(nwnlhlse erzeugt wird, die vorzugsweise eine kathodenseitige Strahll>egrenzungsldende auf die Objektehen( der Analvsatorlinse ah- bildet. . I':iiii-ichtun- nach Anspruch i oder folgen- den, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahl- lu#,gi-(#tiztiiigsl)leii(le, gegebenenfalls zugleich finit der zusätzlichen Linse, in hezug auf die Analy- satorliiise parallel zu sich selbst verschiebbar angeordnet ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES474A DE848099C (de) | 1949-11-01 | 1949-11-01 | Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES474A DE848099C (de) | 1949-11-01 | 1949-11-01 | Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE848099C true DE848099C (de) | 1952-09-01 |
Family
ID=7468761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES474A Expired DE848099C (de) | 1949-11-01 | 1949-11-01 | Einrichtung zum Analysieren von Elektronen verschiedener Geschwindigkeit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE848099C (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3141993A (en) * | 1959-12-24 | 1964-07-21 | Zeiss Jena Veb Carl | Very fine beam electron gun |
| DE1247506B (de) * | 1962-03-27 | 1967-08-17 | Hitachi Ltd | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel |
| DE1248181B (de) * | 1962-03-27 | 1967-08-24 | Hitachi Ltd | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel |
-
1949
- 1949-11-01 DE DES474A patent/DE848099C/de not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3141993A (en) * | 1959-12-24 | 1964-07-21 | Zeiss Jena Veb Carl | Very fine beam electron gun |
| DE1247506B (de) * | 1962-03-27 | 1967-08-17 | Hitachi Ltd | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel |
| DE1248181B (de) * | 1962-03-27 | 1967-08-24 | Hitachi Ltd | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel |
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