DE7933793U1 - Leuchtdiodenanordnung - Google Patents

Leuchtdiodenanordnung

Info

Publication number
DE7933793U1
DE7933793U1 DE7933793U DE7933793DU DE7933793U1 DE 7933793 U1 DE7933793 U1 DE 7933793U1 DE 7933793 U DE7933793 U DE 7933793U DE 7933793D U DE7933793D U DE 7933793DU DE 7933793 U1 DE7933793 U1 DE 7933793U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
emitting diode
substrate plate
diode chip
arrangement according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE7933793U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Publication date
Publication of DE7933793U1 publication Critical patent/DE7933793U1/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

β. 5902
Fb/Jä 19.11.1979
Robert Bosch GmbH, 7000 Stuttgart 1 Leuchtdiodenanordnung Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einer Leuchtdiodenanordnung nach der Gattung des Hauptanspruchs. Bei einer bekannten Leuchtdiodenanordnung dieser Art ist das Lichtstreuelement ein diskretes Bauelement, da.3 dem Leuchtdiodenchip in Lichtabstrahlrichtung unmittelbar nachgeordnet ist. Die Substratplatte besteht aus undurchsichtigem Material. Das diskrete Bauelement muß an der Substratplatte durch besondere Halteelemente befestigt werden. Der Leuchtdiodenchip muß von der Bauelementeseite der Substratplatte aus betrachtet werden.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Leuchtdiodenanordnung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß ihre Herstellung wesentlich vereinfacht und verbilligt ist und daß der Leuchtdiodenchip durch die Substratplatte hindurch betrachtet werden kann.
η. 5902
Pb/Jä 19.11.1979
Robert Bosch GmbH, 7000 Stuttgart 1
Leuchtdiodenanordnung
Zusammenfassung
Es wird eine Leuchtdiodenanordnung jnit einem auf einer Substratplatte (5) angeordneten Leuchtdiodenchip (1*0 und mit einem dem Leuchtdiodenchip (I1*) zugeordneten Lichtstreuelement vorgeschlagen. Das Lichtstreuelenient wird aus einem durchsichtigten Gießharzkörper (16) gebildet, der den Leuchtdiodenchip (I1I) bis zur Substratplatte (5) überdeckt und eine im wesentlichen konvexe Oberfläche aufweist. Die Substratplatte (5) besteht ebenfalls aus durchsichtigtem Material. Auf den Gießharzkörper (16) ist ein reflektierender Belag (17) aufgebracht, der den Gießharzkörper (16) bis zur Substratplatte (5) überdeckt. Der Leuchtdiodenchip (14) ist auf eine auf der Substratplatte (5) angeordnete Leiterbahn, die aus durchsichtigem Material besteht, elektrisch leitend aufgeklebt.
Zeichnung
Ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Leucht diodenanordnung ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Die einzige Figur zeigt dieses Ausführungsbeispiel im Schnitt senkrecht zur Substratplatte.
Beschreibung des Ausführungsbeispiels f
Bei der in der einzigen Figur dargestellten Leuchtdiodenanordnung ist auf eine durchsichtige Substratplatte 5j beispielsweise aus Glas, eine durchsichtige erste Leiterbahn L. aus Zinndioxid oder Indiunoxid j
und eine undurchsichtige zweite Leiterbahn L» aufge- }. bracht. Die zweite Leiterbahn L5 besteht aus einer Grunäschicht 4 aus Zinndioxid oder Indiumoxid, einer |
Zwischenschicht 8 aus Zinn oder Indium und einer Deck- i
schicht 9 aus Gold. Auf das eine Ende der ersten Lei- ί terbahn L. ist ein Leuchtdiodenchip 14 mittels Leitkleber aufgeklebt. Ein Bonddraht 15 aus Gold stellt eine leitende Verbindung zwischen dem Leuchtdioden- \ chip 14 und der zweiten Leiterbahn L- her. Der Leuchtdiodenchip 14 und der Bonddraht 15 werden mit einem | Gießharzkörper 16 abgedeckt, der als Lichtstreuelement ] dient, eine im wesentlichen konvexe Oberfläche aufweist ϊ und vorzugsweise aus Silikonharz besteht. Der Gießharz- ^ körper 16 wird durch Auftropfen hergestellt und dient | außerdem zum Schutz des Chips 14 und des Drahts 15. f: Ferner ist ein reflektierender Belag 17 vorgesehen, i der auf den Gießharzkörper 16 aufgebracht ist, beispielsweise durch Versilbern, Weiß-Lackieren oder f
ff # · · ta·
Jurch Bedampfen mit Aluminium. Durch den reflektierenden Belag 17 wird erreicht t daß der Leuchtdiodenchip I1J durch die Substratplatte 5 hindurch betrachtet werden kann, da das Licht durch den Belag 17 zurückgeworfen wird.

Claims (6)

  1. 590 2
    R.
    Pb/Jä 19-11.1979
    Robert Bosch GmbH, 7000 Stuttgart 1
    Leuchtdiodenanordnung
    Ansprüche
    •ι, 1. Leuchtdiodenanordnung mit einem auf einer Substrat-
    p.atte (5) angeordneten Leuchtdiodenchip (I1J) und mit einem dem Leuchtdiodenchip (14) zugeordneten Lichtstreuelement, dadurch gekennzeichnet, daß das Lichtstreuelement aus einem den Leuchtdiodenchip (14) bis zur Substratplatte (5) überdeckenden durchsichtigen Gießharzkörper (16) gebildet ist, der eine im wesentlichen konvexe Oberfläche aufweist, daß die Substratplatte (5) ebenfalls aus durchsichtigem Material besteht und daß auf den Gießharzkörper (16) ein ihn
    ' bis zur Substratplatte (5) überdeckender reflektieren
    der Belag (17) aufgebracht ist.
  2. 2. Leuchtdiodenanordnung nach Anspruch 1, dadurch ge-
    f! kennzeichnet, daß der Leuchtdiodenchip (14) auf eine
    auf der Substratplatte (5) angeordnete, aus durch··
    Il ■ ·
    590
    sichtigem Material bestehende erste Leiterbahn (L1) elektrisch leitend aufgeklebt ist.
  3. 3. Leuchtdiodenanordnung nach Anspruch 1 oder 2,
    dadurch gekennzeichnet, daß der Gießharzkörper (16) aus Silikonharz besteht.
  4. H. Leuchtdiodenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leiterbahn (L1) aus einem Metalloxid, vorzugsweise aus Zinndioxid oder Indiumoxid, besteht.
  5. 5- Leuchtdiodenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis k, dadurch gekennzeichnet, daß die der Substratplatte (5) abgewandte Oberseite des Leuchtdiodenchips (1*0 über einen Bonddraht (15) mit einer zweiten Leiterbahn (L-) verbunden ist.
  6. 6. Leuchtdiodenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratplatte (5) aus Glas besteht.
DE7933793U Leuchtdiodenanordnung Expired DE7933793U1 (de)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE7933793U1 true DE7933793U1 (de) 1981-04-30

Family

ID=1325891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE7933793U Expired DE7933793U1 (de) Leuchtdiodenanordnung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE7933793U1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE9200770U1 (de) * 1992-01-23 1992-03-05 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE9200770U1 (de) * 1992-01-23 1992-03-05 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19549818B4 (de) Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
EP2057695B1 (de) Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement
EP1312117A1 (de) Bauelement mit einer vielzahl von lumineszenzdiodenchips
DE19901916A1 (de) Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
DE102007001706A1 (de) Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse
DE3128187A1 (de) Opto-elektronisches bauelement
EP2396832A1 (de) Verkapselte optoeleketronische halbleiteranordnung mit lötstoppschicht und entsprechendes verfahren
DE112004000155T5 (de) Anschlussrahmen für ein Halbleiterbauelement
EP1685603A2 (de) Kostengünstige, miniaturisierte aufbau- und verbindungstechnik für leds und andere optoelektronische module
DE3810899C2 (de)
DE102006033470A1 (de) Leuchtdioden-Gehäusestruktur
DE102013212247B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19536454A1 (de) Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE102009019412A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit LEDs und gedruckter Reflektorfläche sowie Leiterplatte, hergestellt nach dem Verfahren
DE102008043645A1 (de) Optische Halbleiterbaugruppe, diese enthaltender photoelektrischer Sensor und Verfahren zur Herstellung der optischen Halbleiterbaugruppen
DE19945919A1 (de) Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor
DE102011083691A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2008043352A2 (de) Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls
EP2327110A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE7933793U1 (de) Leuchtdiodenanordnung
WO2023237531A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
EP0374121A2 (de) Leuchtdiode
DE102020107409B4 (de) Gehäuse für ein optoelektronisches halbleiterbauelement und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE2641540A1 (de) Halbleiterdiodeneinrichtung zur erzeugung oder zum empfang von strahlung
WO2021043901A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements