DE786022T1 - Gus-dotierstoff zum kristall zuechten - Google Patents

Gus-dotierstoff zum kristall zuechten

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DE786022T1
DE786022T1 DE0786022T DE94918128T DE786022T1 DE 786022 T1 DE786022 T1 DE 786022T1 DE 0786022 T DE0786022 T DE 0786022T DE 94918128 T DE94918128 T DE 94918128T DE 786022 T1 DE786022 T1 DE 786022T1
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DE
Germany
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seed
dopant material
crystal
dopant
semiconductor
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DE0786022T
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English (en)
Inventor
Bruce Colburn
Mengistu Yemane-Berhane
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SEH America Inc
Original Assignee
SEH America Inc
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Publication date
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Claims (18)

Seh America, Inc. M/MCM-180-EP/DE
1. Methode zum Dotieren eines geschmolzenen Halbleiters in einem Kristallzüchtungsofen, die folgendes umfaßt:
Gießen eines Dotierungsmaterials auf einen Kristallkeim;
Aufhängen des Kristallkeims über dem geschmolzenen Halbleiter; und
Fallenlassen des Dotierungsmaterials in den geschmolzenen Halbleiter aus einer Stellung über dem geschmolzenen Halbleiter.
2. Methode nach Anspruch 1, bei der das Gießen eines Dotierungsmaterials auf einen Kristallkeim das Gießen des Dotierungsmaterials auf einen Kristallkeim ohne besondere Stützstruktur umfaßt.
3. Methode nach Anspruch 1, bei der eine wesentliche Menge des Dotierungsmaterials während des Abfallens vom Kristallkeim fest ist.
4. Methode nach Anspruch 1, bei der das Dotierungsmaterial Antimon umfaßt.
5. Methode nach Anspruch 1, bei der das Dotierungsmaterial Zinn umfaßt.
6. Methode nach Anspruch 1, bei der der geschmolzene Halbleiter Silicium umfaßt.
7. Methode nach Anspruch 1, bei der das Gießen eines Dotierungsmaterials auf einen Kristallkeim in einer hochreinen, inerten Umgebung ausgeführt wird.
8. Methode nach Anspruch 7, bei der das Gießen eines Dotierungsmaterials auf einen Kristallkeim in einem hochreinen, sich verjüngenden Tiegel ausgeführt wird.
9. Methode nach Anspruch 1, bei der sich die Stellung ungefähr einen Zentimeter über dem geschmolzenen Halbleiter befindet.
10. Keim-Dotierungsmaterial-Halbleitersystem, das folgendes umfaßt:
einen Halbleiter-Kristallkeim; und
ein Dotierungsmaterial, das um ein Ende des Halbleiter-Kristallkeims herum gegossen und daran durch mindestens eine der beiden folgenden festgehalten wird: eine Oberflächenhaftung und einen Halt, der durch einen Unterschied zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Kristallkeims und des Dotierungsmaterials hervorgerufen wird, derart, daß eine wesentliche Menge des Dotierungsmaterials vom Kristallkeim als feste Phase abrutscht, wenn das Dotierungsmaterial und der Kristallkeim auf eine im Bereich zwischen einer Schmelztemperatur des Dotierungsmaterials und unterhalb einer Schmelztemperatur des Halbleiterkeims liegende Temperatur erhitzt werden.
11. Keim-Dotierungsmaterial-System nach Anspruch 10, in dem der Kristallkeim Silicium umfaßt.
12. Keim-Dotierungsmaterial-System nach Anspruch 10, in dem das Dotierungsmaterial Antimon umfaßt.
13. Keim-Dotierungsmaterial-System nach Anspruch 10, in dem der Kristallkeim Silicium und das Dotierungsmaterial Antimon umfaßt.
14. Methode zum Anbringen eines Dotierungsmaterials an einen Halbleiterkristallkeim, die folgendes umfaßt:
Bereitstellung eines für das Aufnehmen eines geschmolzenen Dotierungsmaterials geeigneten Behälters;
Eingeben des Dotierungsmaterials in den Behälter;
Einlegen eines Endes des Kristallkeims in den das Dotierungsmaterial enthaltenden Behälter;
Schmelzen des Dotierungsmaterials, jedoch nicht des Kristallkeims;
Abkühlen und Festwerdenlassen des Dotierungsmaterials derart, daß das Dotierungsmaterial um das Ende des Kristallkeims herum durch mindestens eine der beiden folgenden festgehalten wird: eine Oberflächenhärtung und einen Halt, der durch einen Unterschied zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Kristallkeims und des Dotierungsmaterials hervorgerufen wird; und
Entfernen des Kristallkeims und des daran angebrachten Dotierungsmaterials aus dem Behälter,
wobei eine wesentliche Menge des Dotierungsmaterials vom Kristallkeim als feste Phase abrutscht, wenn das Dotierungsmaterial und der Kristallkeim auf eine im Bereich zwischen einer Schmelztemperatur des Dotierungsmateriais und unterhalb einer Schmelztemperatur des Halbieiterkeims liegende Temperatur erhitzt werden.
15. Methode nach Anspruch 14, bei der das Dotierungsmaterial Antimon umfaßt.
16. Methode nach Anspruch 14, bei der Kristallkeim Silicium umfaßt.
17. Methode nach Anspruch 14, bei der das Schmelzen des Dotierungsmaterials in einer hochreinen, inerten Umgebung ausgeführt wird.
18. Methode nach Anspruch 14, bei der der Behälter ein hochreiner Tiegel mit sich verjüngenden Wänden ist.
DE0786022T 1993-05-28 1994-05-25 Gus-dotierstoff zum kristall zuechten Pending DE786022T1 (de)

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US08/069,123 US5406905A (en) 1993-05-28 1993-05-28 Cast dopant for crystal growing
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DE786022T1 true DE786022T1 (de) 1998-03-05

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EP (1) EP0786022A1 (de)
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DE (1) DE786022T1 (de)
WO (1) WO1994028207A1 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6019838A (en) * 1998-01-05 2000-02-01 Memc Electronic Materials, Inc. Crystal growing apparatus with melt-doping facility
US6063188A (en) 1998-05-20 2000-05-16 Seh-America. Inc. Crucible with differentially expanding release mechanism
US5976245A (en) * 1998-06-12 1999-11-02 Seh America, Inc. Czochralski crystal growing system
US6179914B1 (en) 1999-02-02 2001-01-30 Seh America, Inc. Dopant delivery system and method
DE10007179B4 (de) * 2000-02-17 2004-08-19 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff
US6570663B1 (en) 2000-07-07 2003-05-27 Seh America, Inc. Calibration method and device for visual measuring systems
KR100777335B1 (ko) 2006-05-24 2007-11-28 요업기술원 실리콘 단결정 잉고트의 제조방법
FR2962849B1 (fr) * 2010-07-16 2014-03-28 Apollon Solar Procede de dopage d'un materiau semi-conducteur
US20150333193A1 (en) 2012-12-31 2015-11-19 Memc Electronic Matrials S.P.A. Indium-doped silicon wafer and solar cell using the same
KR20150103177A (ko) * 2012-12-31 2015-09-09 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼스 쏘시에떼 퍼 아찌오니 단결정 반도체 재료의 제어된 도핑을 위한 액체 도핑 시스템 및 방법
CN107429421B (zh) 2014-11-26 2020-03-27 各星有限公司 用于将挥发性掺杂剂引入熔体内的设备和方法
CN109487333A (zh) * 2018-12-25 2019-03-19 徐州鑫晶半导体科技有限公司 籽晶、直拉法制备单晶硅的方法和单晶硅
WO2020135255A1 (zh) * 2018-12-25 2020-07-02 徐州鑫晶半导体科技有限公司 籽晶、直拉法制备单晶硅的方法和单晶硅
CN113463182B (zh) * 2021-07-07 2022-08-23 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种单晶硅棒的拉制方法
CN114574947B (zh) * 2022-03-04 2023-06-02 中锗科技有限公司 一种n型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2751388A1 (de) * 1977-11-17 1979-05-23 Siemens Ag Verfahren zum gezielten einbringen von dotierungsstoffen mit einem verteilungskoeffizienten k klein gegen 1 beim tiegelfreien zonenschmelzen
JPS60171291A (ja) * 1984-02-15 1985-09-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 単結晶製造時の種子付け方法
JPS62151388A (ja) * 1985-12-26 1987-07-06 Canon Inc 光記録媒体
JPS63123893A (ja) * 1986-11-13 1988-05-27 Mitsubishi Metal Corp シリコン単結晶製造方法
JPS63151696A (ja) * 1986-12-12 1988-06-24 Fujitsu Ltd 結晶成長方法
DE3806918A1 (de) * 1988-03-03 1989-09-14 Leybold Ag Vorrichtung zum ziehen von einkristallen
US5007980A (en) * 1988-11-01 1991-04-16 Sfa, Inc. Liquid encapsulated zone melting crystal growth method and apparatus

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JPH09501132A (ja) 1997-02-04
EP0786022A1 (de) 1997-07-30
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US5406905A (en) 1995-04-18

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